CN101501238A - 成膜装置、成膜系统及成膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板(G)上成膜的成膜装置(13)，在处理容器(30)的内部具有用于形成第1层的第1成膜机构(35)和用于形成第2层的第2成膜机构(36)，第1成膜机构(35)包括：配置于处理容器(30)的内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴(34)；配置在处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部(45)；将在蒸气产生部(45)产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴(34)的配管(46)。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于在基板上形成规定材料的层的成膜装置和成膜系统，还涉及一种成膜方法。
背景技术
近年来，开发出一种利用了电致发光(EL；electroluminescence)的有机EL元件。有机EL元件由于几乎不散热，因此与布劳恩管(Braun tube)等相比消耗电力较小，另外，有机EL元件由于其自身发光，因此与液晶显示器(LCD)等相比，具有视场角优良等优点，期待其今后的发展。
该有机EL元件的最基本结构是在玻璃基板上重叠阳极(anode)层、发光层及阴极(cathode)层而形成的层状(sandwich)结构。为了使发光层的光透到外界，玻璃基板上的阳极层使用由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)构成的透明电极。该有机EL元件通常是通过在玻璃基板上依次形成发光层和阴极层而制造的，在上述玻璃基板的表面上预先形成有ITO层(阳极层)。
另外，为了为电子从阴极层向发光层移动进行搭桥，在阴极层与发光层之间形成有功函数调整层(电子输送层)。该功函数调整层例如通过在阴极层侧的发光层界面上蒸镀Li等碱金属而形成。作为用于制造上述那样的有机EL元件的装置，公知有例如专利文献1中所示的成膜装置。
专利文献1：日本特开2004—79904号公报
在制造有机EL元件的工序中，为了形成各层要进行蒸镀、CVD等成膜工序，但无论什么工序都必须避免各层之间的相互污染(contamination)。因此，为了避免相互污染的问题，将用于形成有机EL元件的各层的成膜机构分别配置于不同的处理容器内。
但是，若针对各成膜机构设置独立的处理容器，会使成膜系统整体大型化，增大了占地面积(footprint)。另外，每次形成各层都必须将基板从处理容器内搬出而搬入到另一个容器内，增加了搬入搬出工序，因此，无法提高生产率。而且，例如作为上述功函数调整层的材料的碱金属的活性较高，其与处理容器内的残留水分、氮、氧等发生反应而易于变质。因此，期望在形成功函数调整层之后迅速地形成接下来的阴极层。
为了避免这样的将各成膜机构分别配置于不同的处理容器内时的问题，将多个成膜机构一起配置于同一个处理容器内即可，但这样就会产生如上所述的相互污染的问题。特别是由于作为上述功函数调整层的材料的碱金属的活性较高，因此，难以将用于形成功函数调整层的成膜机构与其它成膜机构一起配置于同一个处理容器内。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种例如能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。
采用本发明，提供一种在基板上成膜的成膜装置，其特征在于，在处理容器内部具有用于形成第1层的第1成膜机构和用于形成第2层的第2成膜机构，上述第1成膜机构包括：配置于上述处理容器内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴；配置于上述处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部；用于将在上述蒸气产生部产生的成膜材料的蒸气输送到上述喷嘴的配管。
在该成膜装置中，上述蒸气产生部可以具有配置在上述处理容器外部的容器和在上述容器内部用于加热成膜材料源的加热机构。另外，可以使用运载气体将成膜材料的蒸气从蒸气产生部内输送到喷嘴。在该情况下，作为运载气体，例如在基板等上使用惰性的稀有气体(例如Ar)等。另外，上述容器也可以自由开闭。另外，可以具有对上述处理容器内减压的真空泵、对上述容器内减压的真空泵、开闭上述配管的开闭机构。在该情况下，上述容器的容积可以小于上述处理容器的容积。
另外，在上述处理容器内，可以具有将基板搬运到上述第1成膜机构及上述第2成膜机构的各处理位置的搬运机构。另外，上述第2成膜机构可通过溅射形成第2层。
另外，采用本发明，提供一种在基板上成膜的成膜系统，其特征在于，该成膜系统具有上述成膜装置和将用于形成第3层的第3成膜机构设于处理容器内部的另一成膜装置。
在该成膜系统中，可以具有用于在上述成膜装置和上述另一成膜装置之间搬运基板的搬运装置。另外，上述第3成膜机构可以通过蒸镀在基板表面形成第3层。
另外，采用本发明，提供一种在基板上成膜的成膜方法，其特征在于，通过将在处理容器外部产生的成膜材料的蒸气从配置于上述处理容器内部的喷嘴向基板供给而将成膜材料蒸镀于基板上从而形成第1层之后，在上述处理容器内部形成第2层。另外，可以使用例如Ar等运载气体(输送气体)将在处理容器外部产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴。
在该成膜方法中，可以通过溅射形成上述第2层。另外，也可以预先在另一处理容器内部形成第3层。另外，可以通过蒸镀形成上述第3层。
采用本发明，由于在同一个处理容器内部具有用于形成第1层的第1成膜机构和用于形成第2层的第2成膜机构，因此，能将成膜装置及成膜系统构成为小型。另外，能在同一个处理容器内连续形成第1层和第2层，能提高生产率，另外，例如能在形成功函数调整层后迅速地形成接下来的阴极层，能防止功函数调整层变质。
另外，在第1成膜机构中，由于将产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部配置在上述处理容器的外部，因此，能防止用于第1成膜机构的材料流到第2成膜机构侧，能有效地避免第1层与第2层的相互污染。另外，在第2成膜机构中，通过溅射在基板表面上形成第2层，也能处理大型化的基板。
另外，通过将第3成膜机构、第1成膜机构和第2成膜机构设于相互不同的处理容器内，能避免对第3层的污染和对第1层、第2层的污染。
附图说明
图1是有机EL元件的制造工序的说明图。
图2是本发明实施方式的成膜系统的说明图。
图3是表示溅射蒸镀成膜装置的概略结构的说明图。
图4的(a)是蒸镀成膜机构(第1成膜机构)的喷嘴的俯视图，图4的(b)是主视图，图4的(c)是侧视图。
图5是表示溅射成膜机构(第2成膜机构)的概略结构的说明图。
图6是表示蒸镀成膜装置的概略结构的说明图。
图7是蒸镀成膜机构(第3成膜机构)的说明图。
附图标记说明
A、有机EL元件；G、基板；M、掩模；1、阳极层；2、发光层(第3层)；3、功函数调整层(第1层)；4、阴极层(第2层)；10、成膜系统；11、搬运装置；12、基板加载互锁装置；13、溅射蒸镀成膜装置；14、定位装置；15、成形装置；16、掩模加载互锁装置；17、CVD装置；18、基板翻转装置；19、蒸镀成膜装置；20、搬运机构；30、处理容器；31、排气管；32、真空泵；34、喷嘴；35、蒸镀成膜机构(第1成膜机构)；36、溅射成膜机构(第2成膜机构)；40、搬运机构；45、蒸气产生部；46、配管；50、容器；51、加热机构；53、输送气体供给管；56、排气管；57、真空泵；58、开闭阀；60、靶；85、蒸镀成膜机构(第3成膜机构)。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。在以下的实施方式中，作为成膜的一个例子，以制造有机EL元件A的工序为例进行具体地说明，该有机EL元件A是通过在玻璃基板G的被处理面(例如上表面)上形成阳极层1、发光层2及阴极层4而制造成的。另外，在本说明书及附图中，对实际上具有相同功能结构的结构元件标注相同的附图标记并省略重复说明。
图(1)～(7)是有机EL元件A的制造工序的说明图。如图1的(1)所示，在本实施方式中使用的玻璃基板G的表面上预先以规定图案形成有阳极层1。阳极层1例如使用由ITO(Indium TinOxide)构成的透明电极。
首先，如图1的(2)所示，在玻璃基板G表面的阳极层1上形成发光层2。该发光层2例如通过在玻璃基板G表面上蒸镀三-(8-羟基喹啉)铝(aluminato-tris-8-hydroxyquinolate(Alq3))而形成。另外，在形成发光层2之前，例如在阳极层1上蒸镀形成由NPB(N，N-di(naphthalene-1-y1)-N，N-diphenyl-benzidene)构成的未图示的空穴输送层(HTL；Hole Transfer Layer)，再在其上形成发光层2，从而构成为层状结构等。
接着，如图1的(3)所示，通过在发光层2的界面上蒸镀Li等碱金属而以规定形状形成功函数调整层3。功函数调整层3起到如下说明的为电子从阴极层4向发光层2移动进行搭桥的电子输送层(ETL；Eleetron Transport Layer)的作用。该功函数调整层3通过使用图案掩模蒸镀例如Li等碱金属而形成。
接着，如图1的(4)所示，在功函数调整层3上以规定形状形成阴极层4。该阴极层4通过使用图案掩模溅射例如Ag、Mg/Ag合金等而形成。
接着，如图1的(5)所示，与阴极层4相配合地将发光层2形成为期望的形状。
接着，如图1的(6)所示，形成阴极层4的连接部4′，以与电极5电连接。该连接部4′也通过使用图案掩模溅射例如Ag、Mg/Ag合金等而形成。
最后，如图1的(7)所示，通过CVD等形成由氮化膜等构成的密封膜6，密封在阴极层4与阳极层1之间夹着发光层2的整个层状结构，从而制造成有机EL元件A。
图2是本发明实施方式的成膜系统10的说明图。该成膜系统10构成为用于制造在之前图1中说明过的有机EL元件A的系统。另外，在制造有机EL元件A时，将功函数调整层3作为第1层、将阴极层4作为第2层、将发光层2(也包括空穴输送层等)作为第3层进行具体地说明。
该成膜系统10是在搬运装置11的周围配置基板加载互锁装置12、溅射蒸镀成膜装置13、定位装置14、发光层2的成形装置15、掩模加载互锁装置16、CVD装置17、基板翻转装置18、蒸镀成膜装置19而成的结构。在本发明中，溅射蒸镀成膜装置13相当于用于形成作为第1层的功函数调整层3和作为第2层的阴极层4的成膜装置。另外，蒸镀成膜装置19相当于用于形成作为第3层的发光层2的另一成膜装置。
搬运装置11具有用于搬运基板G的搬运机构20，能相对于各装置12～19自由地搬入、搬出基板G。由此，能利用搬运装置11在各装置12～19之间以任意顺序搬运基板G。
图3是表示相当于第1层、第2层的成膜装置的溅射蒸镀成膜装置13的概略结构的说明图。图4的(a)是溅射蒸镀成膜装置13所具有的蒸镀成膜机构35的喷嘴34的俯视图，图4的(b)是主视图，图4的(c)是侧视图。图5是表示溅射蒸镀成膜装置13所具有的溅射成膜机构36的概略结构的说明图。在本发明中，设于该溅射蒸镀成膜装置13上的蒸镀成膜机构35相当于形成作为第1层的功函数调整层3的第1成膜机构。另外，溅射成膜机构36相当于形成作为第2层的阴极层4的第2成膜机构。
如图3所示，在构成有溅射蒸镀成膜装置13的处理容器30的侧面连接有排气管31，通过使真空泵32运转，能通过该排气管31对处理容器30内进行减压排气。在处理容器30的侧面设有通过闸阀等开闭的未图示的搬入搬出口，利用上述搬运装置11的搬运机构20通过该搬入搬出口将基板G搬入到溅射蒸镀成膜装置13内或从溅射蒸镀成膜装置13内搬出基板G。
在处理容器30的内部设有相当于第1成膜机构的蒸镀成膜机构35的喷嘴34、相当于第2成膜机构的溅射成膜机构36。另外，如图4、5所示，在处理容器30内设有用于在蒸镀成膜机构35和溅射成膜机构36的下方搬运基板G的搬运机构40。
搬运机构40具有用于保持基板G的平台42和使平台42在蒸镀成膜机构35与溅射成膜机构36的下方移动的传送带43。平台42为了将基板G载置保持于其上表面，例如由静电卡盘等构成。另外，在这样被保持于平台42上的基板G上以定位了的状态保持有未图示的掩模。
基板G及掩模利用上述的搬运装置11的搬运机构20被搬入到处理容器30内。将被这样搬入到处理容器30内的基板G及掩模以定位了的状态保持在平台42的上表面。
搬运机构40将这样保持于平台42上表面上的基板G首先移动到蒸镀成膜机构35的下方。并且，利用蒸镀成膜机构35通过蒸镀在基板G上以期望的图案形成作为第1层的功函数调整层3。接着，将保持于平台42上表面上的基板G移动到溅射成膜机构36的下方。并且，利用溅射成膜机构36通过溅射在基板G上以期望的图案形成作为第2层的阴极层4。然后，利用上述搬运装置11的搬运机构20将基板G及掩模搬出到处理容器30外。
如图3所示，相当于第1成膜机构的蒸镀成膜机构35包括配置于处理容器30内部的喷嘴34、配置于处理容器30外部的蒸气产生部45、将成膜材料的蒸气从蒸气产生部45输送到喷嘴34的配管46。
蒸气产生部45是在配置于处理容器30外部的容器50的内部配置加热机构51而成的结构。容器50的容积小于处理容器30的容积。
加热机构51形成为能收纳成膜材料源的容器形状，该成膜材料源用于在加热机构51的内部产生作为第1层即功函数调整层3的材料的例如Li等碱金属的蒸气，加热机构51整体由被自电源52供给的电压加热的电阻体构成。这样对收纳于加热机构51内的成膜材料源进行加热，从而产生功函数调整层3的材料的蒸气。
在容器50上连接有用于向基板G供给由惰性的例如Ar等稀有气体构成的输送气体的输送气体供给管53。成膜材料的蒸气与从该输送气体供给管53供给到容器50内的输送气体(运载气体、例如Ar等稀有气体等)一起被从蒸气产生部45内通过配管46输送到喷嘴34中。
在喷嘴34的下表面开设有与基板G的搬运方向(平台42的移动方向)正交的切口55。该切口55的长度与在喷嘴34的下方经过的基板G的宽度大致相等。如上所述，将与输送气体一起从蒸气产生部45输送来的成膜材料的蒸气从喷嘴34下表面的切口55向下供给，在通过蒸镀成膜机构35下方的基板G的表面蒸镀碱金属，从而形成功函数调整层3。
另外，在容器50的侧面连接有排气管56，通过使真空泵57运转，能通过该排气管56对容器50内进行减压排气。在将处理容器30与容器50连通起来的配管46上设有作为开闭机构的开闭阀58，通过关闭该开闭阀58，能隔断处理容器30与容器50的内部环境。另外，也可以设置开闭喷嘴34的闸门来代替开闭阀58。
另外，容器50是开闭自由的，能在对配置于容器50内的加热器51补充用于产生作为功函数调整层3的材料的例如Li等碱金属的蒸气的成膜材料源时，打开容器50。
如图5所示，相当于第2成膜机构的溅射成膜机构36具有水平配置于在其下方通过的基板G的上方的平板形状的靶60。靶60例如为Ag、Mg/Ag合金等。在靶60的周围配置有接地电极61，由电源62对靶60与接地电极61之间施加电压。另外，在接地电极61的外侧配置有在靶60下方产生磁场的未图示的磁铁。另外，由溅射气体供给管63向靶60与接地电极61之间供给作为溅射气体的例如Ar气体。这样，在靶60下方产生了磁场的状态下，在靶60与接地电极61之间产生辉光放电，在靶60下方产生等离子体。通过由该等离子体产生溅射现象，使靶60的材料附着于在溅射成膜机构60的下方通过的基板G上，从而形成阴极层4。
图6是表示相当于第3层的成膜装置的蒸镀成膜装置19的概略结构的说明图。图7是设于该蒸镀成膜装置19内的蒸镀成膜机构85的说明图。在本发明中，设于该蒸镀成膜装置19内的蒸镀成膜机构85相当于用于形成作为第3层的发光层2(也包括空穴输送层等)的第3成膜机构。
在构成有蒸镀成膜装置19的处理容器70的侧面设有通过闸阀71开闭的搬入搬出口72，利用上述搬运装置11的搬运机构20通过该搬入搬出口72将基板G搬入到蒸镀成膜装置19内或从该蒸镀成膜装置19内搬出基板G。
在处理容器70的上方设有导向构件75和沿该导向构件75通过适当的驱动源(未图示)进行移动的支承构件76。在支承构件76上安装有静电卡盘等基板保持部77，作为成膜对象的基板G水平保持于基板保持部77的下表面。
另外，在搬入搬出口72与基板保持部77之间设有定位机构80。该定位机构80具有基板对位用的平台81，从搬入搬出口72搬入到处理容器70内的基板G首先被载置于该平台81上，在此进行规定的定位后，使平台81上升，将基板G交接到基板保持部77上。
在处理容器70内部的、夹着定位机构80地与搬入搬出口72相反的一侧配置有相当于第3成膜机构的蒸镀成膜机构85。如图7所示，蒸镀成膜机构85具有成膜部86和蒸发部87，该成膜部86配置于被保持在基板保持部77上的基板G的下方，该蒸发部87用于收容发光层2的蒸镀材料。蒸发部87具有未图示的加热器，通过该加热器的发热，使蒸发部87内产生发光层2的蒸镀材料的蒸气。
在蒸发部87上连接有运载气体导入配管91和供给配管92，该运载气体导入配管91用于从供给源90导入运载气体，该供给配管92用于将在蒸发部87内产生的发光层2的蒸镀材料的蒸气与运载气体一起供给到成膜部86。在运载气体导入配管91上设有用于控制向蒸发部87导入的运载气体导入量的流量调整阀93。在供给配管92上设有在补充蒸发部87中的发光层2的蒸镀材料时等时候关闭的常开阀94。
在成膜部86的内部设有使从蒸发部87供给来的发光层2的蒸镀材料的蒸气扩散的扩散板95。另外，在成膜部86的上表面设有配置成与基板G的下表面相面对的过滤器96。
另外，图2所示的基板加载互锁装置12是在将成膜系统10的内部环境与外部隔断了的状态下将基板G搬入到成膜系统10的内部或从成膜系统10的内部搬出基板G的装置。定位装置14是进行基板G或基盘G与掩模之间的对位的装置，该定位装置14是为了不具有定位机构的CVD装置17等而设置的。成形装置15是将形成于基板G的表面上的发光层2成形为期望的形状的装置。掩模加载互锁装置16是在将成膜系统10的内部环境与外部隔断了的状态下将掩模搬入到成膜系统10的内部或从成膜系统10的内部搬出掩模的装置。CVD装置17是通过CVD等形成由氮化膜等构成的密封膜6而密封有机EL元件A的装置。基板翻转装置18是通过将基板G的上下表面适当反转而将基板G的表面(成膜面)切换为朝上的姿势和朝下的姿势的装置。在本实施方式中，在蒸镀成膜装置19中以基板G的被处理面朝下的姿势进行处理，在溅射蒸镀成膜装置13、成形装置15及CVD装置17中，以基板G的被处理面朝上的姿势进行处理。因此，搬运装置11在各装置之间搬运基板G时，根据需要将基板G搬入到基板翻转装置18内，使基板G的上下表面反转。
另外，在如以上那样构成的成膜系统10中，通过基板加载互锁装置12搬入的基板G被搬运装置11的搬运机构20首先搬入到蒸镀成膜装置19中。在该情况下，如图1的(1)说明的那样，在基板G的被处理面(成膜面)上预先以规定图案形成例如由ITO构成的阳极层1。
然后，在蒸镀成膜装置19中，在用定位机构80对位之后，将基板G以被处理面朝下的姿势保持在基板保持部77上。然后，在配置于蒸镀成膜装置19的处理容器70内的蒸镀成膜机构85中，将从蒸发部87供给来的发光层2的蒸镀材料的蒸气从成膜部86放出到基板G的被处理面(阳极层1的表面)上，如图1的(2)说明的那样，在基板G的被处理面上通过蒸镀形成作为第3层的发光层2(也包括空穴输送层等)。
这样在蒸镀成膜装置19中形成了发光层2的基板G被搬运装置11的搬运机构20接着搬入到溅射蒸镀成膜装置13内。并且，在溅射蒸镀成膜装置13中，将基板以与掩模对位了的状态保持在平台42上。另外，掩模通过掩模加载互锁装置16搬入到成膜系统10内，通过搬运装置11的搬运机构20搬入到溅射蒸镀成膜装置13内。
接着，设于溅射蒸镀成膜装置13内的搬运机构40将保持于平台42上的基板G首先移动到蒸镀成膜机构35的下方。并且，如图1的(3)说明的那样，利用蒸镀成膜机构35通过蒸镀在基板G的被处理面(发光层2的表面)上以期望的图案形成作为第1层的功函数调整层3。
接着，将保持于平台42上的基板G移动到溅射成膜机构36的下方。并且，如图1的(4)说明的那样，利用溅射成膜机构36通过溅射在基板G的被处理面(功函数调整层3的表面)上以期望的图案形成作为第2层的阴极层4。
另外，这样地在溅射蒸镀成膜装置13中形成功函数调整层3及阴极层4时，通过排气管31对处理容器30内进行减压排气。
这样在溅射蒸镀成膜装置13中形成了功函数调整层3及阴极层4的基板G被搬运装置11的搬运机构20接着搬入到成形装置15中。并且，如图1的(5)说明的那样，在成形装置15中与阴极层4相配合地将发光层2成形为期望的形状。
这样在成形装置15中成形了发光层2的基板G被搬运装置11的搬运机构20再搬入到溅射蒸镀成膜装置13中，如图1的(6)所示，形成用于与电极5连接的连接部4′。
然后，通过搬运装置11的搬运机构20将基板G搬入到CVD装置17中，如图1的(7)所示，在CVD装置17中形成由氮化膜等构成的密封膜6进行密封，从而制造成在阴极层4与阳极层1之间夹着发光层2的层状结构的有机EL元件A。这样制造成的有机EL元件A(基板G)通过基板加载互锁装置12从成膜系统10中被搬出。
采用以上的成膜系统10，通过将作为第1成膜机构的功函数调整层3的蒸镀成膜机构35设于与作为第3成膜机构的发光层2的蒸镀成膜机构85不同的处理容器30内，能避免在形成发光层2时因附着性较高的Li等碱金属引起的污染，能制造出发光性能优良的有机EL元件A。另外，在蒸镀成膜装置19中，在形成发光层2时由于不使用图案掩模即可，因此，能防止因金属掩模的接触而引起的污染。
另外，由于溅射蒸镀成膜装置13具有作为第1成膜机构的蒸镀成膜机构35和作为第2成膜机构的溅射成膜机构36，因此，能将成膜系统10构成为小型。并且，能在同一个溅射成膜机构36中连续形成作为第1层的功函数调整层3和作为第2层的阴极层4，能提高生产率，另外，通过在形成功函数调整层3之后迅速地形成接下来的阴极层4，能防止功函数调整层3变质。
另外，在作为第1成膜机构的蒸镀成膜机构35中，由于将产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部45配置于溅射蒸镀成膜装置13的处理容器30的外部，因此，能防止将需要以上的在蒸气产生部45产生的成膜材料的蒸气输送到处理容器30内，通过使从喷嘴34供给来的成膜材料的蒸气迅速地蒸镀于基板G上，能避免因例如Li等活性较高的碱金属污染处理容器30内。
另外，在向蒸镀成膜机构35的蒸气产生部45中补充功函数调整层3的材料(成膜材料源)的情况下，关闭设于将处理容器30与容器50连通起来的配管46上的开闭阀58，仅使容器50向大气开放，能在将处理容器30内保持为减压环境的状态下，对蒸气产生部45内的加热器51补充成膜材料源。在该情况下，在进行补充作业时，也能避免从大气中向处理容器30内混入水分、污染物质。由于容器50比处理容器30的容积小，因此，即使暂时向大气开放，也能在以后利用真空泵57的吸引排气立刻恢复为减压状态。这样，在对容器50内进行减压排气之后，通过打开开闭阀58，能立刻再进行处理容器30内的成膜处理，作业效率高。
另外，在作为第2成膜机构的溅射成膜机构36中，通过溅射在基板G上形成作为第2层的阴极层4，也能处理大型化的基板G，与蒸镀相比，能使成膜均匀。另外，如图1的(7)所示，通过用氮化膜等密封膜6进行成膜密封，能制造出密封性能优良的长久使用的有机EL元件A。
以上，说明了本发明优选的实施方式的一个例子，但本发明并不限定于图示的形式。不言而喻，若是本领域技术人员在权利要求书所述的思想的范围内容易想到的各种变形例或修正例当然也属于本发明的技术范围。例如，以有机EL元件A的制造工序为例进行了说明，但本发明能适用于其它的各种电子器件等的成膜。另外，在有机EL元件A的制造工序中，将功函数调整层3作为第1层、阴极层4作为第2层、发光层2作为第3层进行了说，但上述第1～3层并不限定为功函数调整层3、阴极层4、发光层2。另外，第1～第3成膜机构可以使用蒸镀成膜机构、溅射成膜机构、CVD成膜机构等各种成膜机构。另外，图2表示成膜系统10的一个例子，但可以适当改变各处理装置的组合。
工业实用性
本发明例如能适用于有机EL元件的制造领域。
Claims (15)
1.一种成膜装置，用于在基板上成膜，其特征在于，
在处理容器内部具有用于形成第1层的第1成膜机构和用于形成第2层的第2成膜机构，
上述第1成膜机构包括：配置于上述处理容器内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴；配置于上述处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部；用于将在上述蒸气产生部产生的成膜材料的蒸气输送到上述喷嘴的配管。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，上述蒸气产生部具有配置在上述处理容器外部的容器和在上述容器内部用于加热成膜材料源的加热机构。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，使用运载气体将成膜材料的蒸气从蒸气产生部内输送到喷嘴。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，上述容器是自由开闭的。
5.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，该成膜装置还具有对上述处理容器内进行减压的真空泵、对上述容器内进行减压的真空泵和开闭上述配管的开闭机构。
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，上述容器的容积小于上述处理容器的容积。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，在上述处理容器内具有将基板搬运到上述第1成膜机构及上述第2成膜机构的各处理位置的搬运机构。
8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，上述第2成膜机构通过溅射形成第2层。
9.一种成膜系统，用于在基板上成膜，其特征在于，该成膜系统具有权利要求1所述的成膜装置和将用于形成第3层的第3成膜机构设于处理容器内部的另一成膜装置。
10.根据权利要求9所述的成膜系统，其特征在于，该成膜系统具有用于在权利要求1所述的上述成膜装置和上述另一成膜装置之间搬运基板的搬运装置。
11.根据权利要求9所述的成膜系统，其特征在于，上述第3成膜机构通过蒸镀在基板表面形成第3层。
12.一种成膜方法，用于在基板上成膜，其特征在于，
通过将在处理容器外部产生的成膜材料的蒸气从配置于上述处理容器内部的喷嘴向基板供给而将成膜材料蒸镀于基板上从而形成第1层之后，在上述处理容器内部形成第2层。
13.根据权利要求12所述的成膜方法，其特征在于，通过溅射形成上述第2层。
14.根据权利要求12所述的成膜方法，其特征在于，预先在另一处理容器内部形成第3层。
15.根据权利要求14所述的成膜方法，其特征在于，通过蒸镀形成上述第3层。
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Application publication date: 20090805 |