CN102575347B - 成膜装置、成膜头和成膜方法 - Google Patents

成膜装置、成膜头和成膜方法 Download PDF

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Abstract

提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。

Description

成膜装置、成膜头和成膜方法
技术领域
本发明涉及一种通过向被处理基板供给有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气来进行共蒸镀的成膜装置、构成该成膜装置的成膜头、和成膜方法。
背景技术
近年来，正在开发利用电致发光(EL：electroluminescence)的有机EL元件。由于有机EL元件与阴极射线管等相比，消耗电力小，又为自发光，因此，与液晶显示器(LCD)相比，具有视野角优异等的优点，今后的发展受到期待。
有机EL元件最基本的结构为在玻璃基板上重叠形成有阳极(anode)层、发光层和阴极(cathode)层的三明治结构。为了将发光层的光取出到外部，在玻璃基板上的阳极层使用由ITO(Indium TinOxide)构成的透明电极。
另外，在有机EL元件的阴极侧，为了进行使电子从阴极层移动至发光层的交接，在发光层上依次成膜有电子输送层和电子注入层(功函数调整层)。作为电子注入层使用功函数较小的碱金属，例如铯Cs、锂Li等，电子输送层使用电子输送性的有机材料例如Alq3。电子输送层和电子注入层分别通过蒸镀来成膜。
另一方面，在专利文献1、2公开了制造上述有机EL元件的成膜装置。该成膜装置具备收纳被处理基板即玻璃基板的处理室，产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部配置于处理室的外部。处理室的内部设置有蒸镀头，其经由配管与蒸气产生部连接，并将蒸气产生部产生的成膜材料的蒸气朝向玻璃基板喷出。
现有专利文献
专利文献1：日本特开2008-38225号公报
专利文献2：国际公开第2008/066103号册
发明内容
发明想要解决的问题
但是，在现有的有机EL元件中，虽然在有机EL元件的阴极侧通过蒸镀成膜有电子注入层和电子输送层，但由于是在由有机成膜材料构成的电子输送层成膜后，在成膜无机成膜材料的电子注入层的机构，因此，电子输送层和电子注入层的界面的能量垒会变大，如果不提高驱动电压，就会出现无法获得充分的发光强度的问题。
另一方面，作为降低界面的能量垒的方法，可以考虑使有机成膜材料和无机成膜材料共蒸镀的方法，但在专利文献1、2所公开的成膜装置中有各种制约，存在无法形成所要的电子注入层或电子输送层的问题。
例如，考虑蒸镀头的内压、特别是有机成膜材料的蒸气压为10Pa，处理室的内压为1×10-2Pa，成膜材料的温度为450℃的情况。
由于电子注入层所使用的锂Li和铯Cs在450℃下的蒸气压比10-2Pa高，钠Na的蒸气压为约102Pa，且钙的蒸气压比104Pa高，因此，从原理上，能够从蒸镀头将各无机成膜材料喷出。但是，由于特别希望利用的锂Li的蒸气压极小，而无法进行与有机成膜材料相同浓度的共蒸镀，因此，不能降低界面的能量垒。
另一方面，为了使锂Li的蒸气压为10Pa以上，需要使成膜材料的温度为700℃以上，但该情况下，蒸镀头内的有机成膜材料烧毁，而难以进行共蒸镀。
用于解决课题的方法
本发明是鉴于上述情况而发明的，可在没有上述制约的所要条件下进行有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀，另外，通过该共蒸镀，能够降低有机EL元件的电子输送层和电子注入层的界面的能量垒并提高电子注入效率，从而可制造发光强度增加的有机EL元件。
本发明的成膜装置，具备：收纳被处理基板的处理室；设置于该处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；和有机成膜材料供给部，其将由该蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气向该被处理基板喷出，其特征在于：具备将无机成膜材料的蒸气向上述被处理基板喷出的无机成膜材料供给部，上述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部，以上述有机成膜材料和无机成膜材料的被喷出部位在上述被处理基板上重复的方式配置。
本发明的成膜头，向被处理基板供给成膜材料的蒸气，其特征在于，具备：有机成膜材料供给部，其向上述被处理基板喷出有机成膜材料的蒸气；和无机成膜材料供给部，其向上述被处理基板喷出无机成膜材料的蒸气，上述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部，以上述有机成膜材料和无机成膜材料的被喷出部位在上述被处理基板上重复的方式配置。
本发明的成膜头，向被处理基板供给成膜材料的蒸气，其特征在于，具备：有机成膜材料供给部，其向上述被处理基板喷出有机成膜材料的蒸气；无机成膜材料供给部，其向上述被处理基板喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室，其使从上述有机成膜材料供给部喷出的有机成膜材料的蒸气和从上述无机成膜材料供给部喷出的无机成膜材料的蒸气混合，上述混合室具有使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过并向上述被处理基板供给的开口部。
本发明的成膜方法，通过将被处理基板收纳于处理室内，并向所收纳的该被处理基板供给成膜材料的蒸气来进行成膜，其特征在于，具有：
在上述处理室的外部产生有机成膜材料的蒸气的工序；将在上述处理室的外部所产生的有机成膜材料的蒸气喷出至上述处理室内的工序；和将无机成膜材料的蒸气以使上述有机成膜材料的蒸气和该无机成膜材料的蒸气混合并向上述被处理基板供给的方式喷出至上述处理室内的工序。
在本发明中，有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部，以使被喷出部位在所述被处理基板上重复的方式，对被处理基板喷出有机成膜材料和无机成膜材料的蒸气。由于有机成膜材料的蒸气和无机成膜材料的蒸气分别喷出，因此，能够将例如450℃的有机成膜材料蒸气和700℃的无机成膜材料蒸气混合。另外，由于被喷出至处理室内的有机成膜材料和无机成膜材料的压力降低，且各构成分子和原子不会冲撞，因此，没有有机成膜材料烧毁的问题。
所以，有机成膜材料的蒸气和无机成膜材料的蒸气相互混合，成膜于被处理基板。因此，根据本发明的成膜装置、成膜头、和成膜方法，能够降低有机EL元件的电子输送层或电子注入层的界面的能量垒并提高电子注入效率。
在本发明中，从有机成膜材料供给部喷出的有机成膜材料的蒸气和从无机成膜材料供给部喷出的无机成膜材料的蒸气在混合室混合，混合蒸气通过开口部被供给至被处理基板。
因此，与不具备具有开口部的混合室的情况相比，能够将有机成膜材料和无机成膜材料均匀地混合，来对被处理基板进行成膜。
发明效果
在本发明中，能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀，另外，通过该共蒸镀，能够降低有机EL元件的电子输送层和电子注入层的界面的能量垒并且提高电子注入效率，能够制造发光强度增加的有机EL元件。
附图说明
图1是概念性地说明本实施方式的成膜系统的结构的说明图。
图2是示意性地表示制膜装置的结构的立体图。
图3是示意性地表示成膜装置的结构的侧截面图。
图4是示意性地表示本实施方式的成膜头的局部剖面立体图。
图5是成膜头的侧截面图。
图6是图5的IV-IV线截面图。
图7是示意性地表示无机成膜材料供给部的结构的截面图。
图8是示意性地表示利用本实施方式的成膜系统所成膜的有机EL元件的截面图。
图9是示意性地表示变形例1的成膜头的结构的侧截面图。
图10是变形例2的成膜头的侧截面图。
图11是概念性地表示有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部的喷出孔的配置的说明图。
图12是加热装置的侧视图。
图13是加热装置的正视图。
图14是图13的XIV-XIV线截面图。
图15是图12的XV-XV线截面图。
图16是表示无机成膜材料喷出孔的配设例的示意图。
图17是表示控制成膜头的动作的控制装置的一个结构例的框图。
图18是表示对第一和第二加热器的供电中的控制的处理步骤的流程图。
图19是表示向第一和第二加热器的供电和容器的温度变化的时序图。
图20是变形例3的成膜头的侧截面图。
具体实施方式
以下，基于表示本发明的实施方式的附图，对本发明进行详细述说。
图1是概念性说明本实施方式的成膜系统的结构的说明图。本实施方式的成膜系统，包括：沿着被处理基板G(参照图3)的搬送方向依次直线排列的装载机90；转移处理室91；成膜装置1；转移处理室92；蚀刻装置93；转移处理室94；溅射装置95；转移处理室96；CVD装置97；转移处理室98；和卸载机99。
装载机90是用于将被处理基板G、例如预先在表面形成有ITO层31的被处理基板G搬入成膜系统内的装置。转移处理室91、92、94、96、98是用于在各处理装置间交接被处理基板G的装置。
成膜装置1是通过真空蒸镀法在被处理基板G上形成空穴注入层、空穴输送层、蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层和电子输送层、电子注入层的装置。详细将在后面叙述。
蚀刻装置93是将有机层的形状调整为规定的形状的装置。
溅射装置95是通过使用图案掩模来溅射例如银Ag、镁Mg/银Ag合金等，而在电子输送层上形成阴极层的装置。
CVD装置97是通过CVD等成膜由氮化膜等构成的密封层，用于将形成于被处理基板G上的各种膜密封的装置。
卸载机99是用于将被处理基板G搬出成膜系统外的装置。
图2是示意性地表示成膜装置1的结构的立体图，图3是示意性地表示成膜装置1的结构的侧截面图。成膜装置1具备处理室11，用于收纳被处理基板G并在内部对被处理基板G进行成膜处理。处理室11为以搬送方向作为长度方向的中空大致长方体形状，由铝、不锈钢等构成。在处理室11的长度方向一端侧的表面(图2中背面侧的表面)形成有用于将被处理基板G搬入处理室11内的搬入口11a，在长度方向另一端侧的表面(图2中跟前侧的表面)形成有用于将被处理基板G搬出处理室11外的搬出口11b。搬入口11a和搬出口11b为具有与搬入方向正交的长度方向的狭缝状，搬入口11a和搬出口11b的长度方向大致相同。以下，将搬入口11a和搬出口11b的长度方向称为横方向，将与该横向和搬送方向正交的方向称为上下方向。另外，在收纳室的适当位置形成有排气孔11c，在排气孔11c经由排气管14与配置于处理室11的外部的真空泵15连接。通过驱动真空泵15，将处理室11的内部减压至规定的压力，例如10-2Pa。
在处理室11内部的底部设置有将被处理基板G从搬入口11a搬送至搬出口11b的搬送装置12。搬送装置12具备：沿长度方向设置于处理室11的底部的导轨12a；以被该导轨12a引导，能够向搬送方向、即上述长度方向移动的方式设置的移动部件12b；和设置于移动部件12b的上端部，对被处理基板G以其与底部大致平行的方式进行支承的支承台12c。在支承台12c的内部设置有保持被处理基板G的静电卡盘、用于将被处理基板G的温度保持为固定的被处理基板加热器、制冷剂管等。另外，支承台12c以通过线性电动机移动的方式构成。
此外，在处理室11的上部、搬送方向大致中央部设置有通过真空镀法对被处理基板G进行成膜的多个蒸镀头13。蒸镀头13构成为，沿搬送方向依次配置有蒸镀空穴注入层的第一头13a、蒸镀空穴输送层的第二头13b、蒸镀蓝色发光层的第三头13c、蒸镀红色发光层的第四头13d、蒸镀绿色发光层的第五头13e和本发明的成膜头2。成膜头2是用于共蒸镀作为用于电子输送的材料的有机成膜材料、例如Alq3和作为用于电子注入的材料的无机成膜材料、例如Li的装置，在成膜头2上经由配管16与配置于处理室11的外部的蒸气产生部17连接。
蒸气产生部17具备容器17a和配置于容器17a的内部的加热机构17b。加热机构17b构成为，具有能够收纳作为电子输送层的材料的有机成膜材料的蒸气的容器形状部分，通过从电源17c供给的电力来加热有机成膜材料。例如，通过电阻体来进行加热。这样，对收纳于加热机构17b内的有机成膜材料进行加热，来产生使有机成膜材料的蒸气。此外，如下构成，容器17a与对被处理基板G供给由惰性气体、例如含有Ar等稀有气体等的输送气体的输送气体供给管17d连接，将有机成膜材料的蒸气与从输送气体供给管供给至容器17a的输送气体一起，从蒸气产生部17经由配管16供给至成膜头2。
另外，第一至第五头13a、13b、13c、13d、13e也同样构成为从未图示的蒸气产生部供给规定的有机成膜材料的蒸气。
图4是示意性地表示本实施方式的成膜头2的局部剖面立体图，图5是成膜头2的侧截面图，图6是图5的IV-IV线截面图。成膜头2具备：框体21；有机成膜材料供给部22；无机成膜材料供给部24；用于混合有机成膜材料和无机成膜材料的蒸气的混合室23；供电部件25a、25b；和保温加热器27a、27b、27c。
框体21例如为铝或不锈钢制，呈搬送方向的宽度较薄的横向较长的中空大致长方体形状，由底板部21a、侧壁21b和顶板部21c构成。框体21内部为真空。
有机成膜材料供给部22具备有机成膜材料流入的流入室22a。流入室22a比框体21的尺寸更小，形成将搬出口11b侧下部(图5中的右下部)的一边切口的中空大致长方体形状，并被收纳在框体21内部。流入室22a例如为不锈钢制，流入室22a的外侧或者内侧表面的任一者、或外侧和内侧表面被镀铜。为了提高传热率，镀铜能够将从后述保温加热器27a、27b放射的辐射热均匀地传导至流入室22a。另外，只要是传热率高至能够均匀地加热流入室22a的程度的物质，则也可以取代镀铜利用其它的物质进行覆盖。
在流入室22a的上部的大致中央部与使在蒸气产生部17产生的有机成膜材料的蒸气流入流入室22a的有机成膜材料供给管22b连接。在相当于流入室22a的切口部分的倾斜部，遍及横方向两端部一样地形成有多个有机成膜材料喷出孔22c。另外，若能够在横方向上均匀地喷出有机成膜材料的蒸气，则有机成膜材料喷出孔22c的配置方法并未特别限定。例如，可将多个有机成膜材料喷出孔22c排列设置于横向的一条直线上，也可沿横方向以交错配置的方式构成，也可以为狭缝。
混合室23包括：以搬入口11a侧上部(图5中的左上部)的一边为倾斜部的当侧面观看时为5角形的横向较长的混合室下部23a；和形成于混合室下部23a的上侧的大致中空长方体形状的混合室上部23b构成。另外，混合室23的外侧和内侧表面被镀铜。混合室上部23b和混合室下部23a相连通。
在混合室下部23a的倾斜部，有机成膜材料供给部22的倾斜部以与混合室上部23b隔离的方式接合，从有机成膜材料供给部22向混合室23内部喷出有机成膜材料。另外，有机成膜材料供给部22的倾斜部构成混合室下部23a的倾斜部的一部分。
另外，混合室下部23a的底部公用框体21的底板部21a。在混合室下部23a的搬出口11b附近部分设置有开口部23c，该开口部由将有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气向处理室11内的被处理基板G供给的横方向的狭缝构成。另外，狭缝为开口部23c的形状的一个例子，也可以与有机成膜材料喷出孔22c相同，通过配置于一个方向上的多个孔部来构成开口部23c。此外，多个孔部不需要并列设置于一条直线上，也可以交错配置。
混合室上部23b的横向宽度形成为比混合室下部23a的横向宽度短，横方向上两个侧面与用于向无机成膜材料供给部24供电的供电部件25a、25b连接，并且在混合室23内部设置有支承无机成膜材料供给部24的导电性的支承部件26a、26b。支承部件26a、26b为大致长方体板状，在横方向上与混合室上部23b连接。
向混合室上部23b的内部突出的支承部件26a、26b的板片，与无机成膜材料供给部24电连接。在向混合室上部23b的外侧突出的支承部件26a、26b的板片上形成有螺孔，且通过螺栓固定供电部件25a、25b的一个端部。
供电部件25a、25b以长度方向为上下方向的姿势进行配置，另一端侧从框体21的顶板部21c向上方突出。供电部件25a、25b的结构为，具有导电部，从框体21的外部经由框体21内部的支承部件26a、26b对无机成膜材料供给部24供给电力。
图7是示意性地表示无机成膜材料供给部24的结构的截面图。无机成膜材料供给部24具备中空状的无机成膜材料用框体24a，即所谓的碱性物质分配器。在无机成膜材料用框体24a的下表面部沿长度方向两端部一样形成有多个无机成膜材料喷出孔24b。另外，在无机成膜材料用框体24a的内部配置有投入电子注入层的材料即无机成膜材料、例如碱金属的例如非金属制方盘状的材料投入部24c，材料投入部24c以将载置面朝向上方的姿势，通过加热装置24d支承，且通过固定部件24i固定。加热装置24d具有金属制基材24e，其上表面具有嵌入有材料投入部24c的槽部，在该基材24e的内部埋设有加热器24f、24g、24h。加热器24f、24g、24h通过支承部件26a、26b与供电部件25a、25b连接，经由加热装置24d的基材24e间接地对材料投入部24c进行加热。另外，无机成膜材料供给部24具备埋设于无机成膜材料用框体24a的加热器24j、24k、24l、24m。
根据上述结构，从未图示的电源通过供电部件25a、25b和支承部件26a、26b对加热器24f、24g、24h供电。加热装置24d和材料投入部24c因该供电而发热，对投入至材料投入部24c的无机成膜材料加热，使其蒸发。蒸发的无机成膜材料的蒸气从形成于无机成膜材料用框体24a的无机成膜材料喷出孔24b向下方喷出。
此外，根据上述结构，能够不对材料投入部24c通电，而由加热器24f、24g、24h来加热基材24e和材料投入部24c，且加热碱金属，所以从温度控制的观点出发，更加优选。也可以以对金属制材料投入部24c直接通电的方式构成。
另外，当然，无机成膜材料供给部24的结构不限定于上述结构。例如，也可以具备收纳无机成膜材料的收纳筒，且在下部周面部形成无机成膜材料喷出孔，通过从外部供给的电压来加热收纳筒整体的电阻构成。
保温加热器27a为电阻加热式加热器，其构成为，以与流入室22a的搬入口11a侧的表面和下部相对的方式围绕，通过辐射热，将流入室22a的温度保持在规定温度以上。规定温度只要设定为有机成膜材料不会凝缩即可。同样，保温加热器27b在流入室22a与混合室23之间围绕，保温加热器27c以与混合室23的搬出口11b侧的表面相对的方式围绕。保温加热器27b加热流入室22a和混合室23，保温加热器27c加热混合室23。另外，在流入室22a和混合室23的适当位置配置有温度传感器，基于该温度传感器的检测结果，来控制对保温加热器27a、27b、27c的供电。另外，列举了电阻式加热器作为一个例子，但只要能够加热流入室22a和混合室23，则也可以以感应加热方式或使热介质流通的方式构成。
以下，对成膜处理系统、成膜装置1和成膜头2的动作进行说明。
图8是示意性地表示使用本实施方式的成膜系统成膜的有机EL元件3的截面图。
另外，经由装载机90将预先在表面形成有ITO层31的被处理基板G搬入至成膜系统内，并通过转移处理室91搬入至更深处的成膜装置1。
搬入至成膜装置1的收纳室的被处理基板G，以基板的表面、即ITO层31朝向上的姿势被静电吸附在如图3所示的支承台12c上，且保持为固定温度。另外，在搬入被处理基板G之前，处理室11的内部通过真空泵15的驱动，预先减压至规定的压力、例如10-2Pa以下。然后，支承台12c沿导轨12a向搬送方向移动，被处理基板G通过蒸镀头13的下方。如图8所示，在通过蒸镀头13的下方的过程中，在被处理基板G依次成膜有空穴注入层33a、空穴输送层33b、蓝色发光层33c、红色发光层33d、绿色发光层33e。特别是在最后阶段的成膜头2中，由于供给混合有有机成膜材料和无机成膜材料的蒸气的混合蒸气，因此对被处理基板G进行有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。即，在被处理基板G形成有混合有有机成膜材料和无机成膜材料的电子输送层33f。该电子输送层33f不会形成在依次蒸镀有机成膜材料和无机成膜材料的情况下形成的界面、即能量垒。因此，可以提高电子注入效率和发光强度。
成膜头2的动作如下所述。
首先，有机成膜材料的蒸气从收纳室外部的蒸气产生部17通过配管16和有机成膜材料供给管22b流入流入室22a。另外，有机成膜材料的蒸气压为例如10Pa。由于混合室23的内压为约10-2Pa，因此流入流入室22a内的有机成膜材料的蒸气从有机成膜材料喷出孔22c向混合室23内部喷出。
另一方面，从未图示的电源通过供电部件25a、25b和支承部件26a、26b对无机成膜材料供给部24的收纳筒24a供电。收纳筒24a因该供电而发热，对收纳在收纳筒24a的无机成膜材料进行加热，使其蒸发。另外，通过调节供电量，来控制无机成膜材料的蒸气压。蒸发的无机成膜材料的蒸气从形成于收纳筒24a的无机成膜材料喷出孔24b向下方喷出。
喷出的有机成膜材料和无机成膜材料的蒸气在混合室23内混合，混合获得的混合蒸气通过开口部23c朝向处理室11内的被处理基板G供给。另外，由于向混合室23内喷出的有机成膜材料和无机成膜材料的压力和/或温度会降低，且各构成分子和原子不会以高频率冲撞，因此，没有有机成膜材料烧毁的问题。
接着，完成了成膜处理的被处理基板G通过转移处理室92被搬入蚀刻装置93。在蚀刻装置93中，对各种膜的形状等进行调整。接着，通过转移处理室94被搬入溅射装置95。在溅射装置95中形成阴极层32。接着，通过转移处理室96，被处理基板G被搬入CVD装置97。在CVD装置97中，通过氮化膜等密封层34来对成膜于被处理基板G的各层进行密封。而且，密封处理的被处理基板G经由转移处理室98从卸载机99搬出成膜处理系统外。
根据本实施方式，能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。例如，在450℃下，使蒸气压为10Pa的有机成膜材料Alq3供给且喷出至流入室22a，并且，在700℃下，使蒸气压为10Pa的无机成膜材料Li喷出且混合之后，能够进行共蒸镀。即，能够成膜以相同程度的浓度使有机成膜材料Alq3和无机成膜材料Li混合的电子输送层。
通过共蒸镀，能够制造能够降低有机EL元件3的电子输送层和电子注入层的界面的能量垒并且提高电子注入效率，且发光强度提高的有机EL元件3。
另外，由于具备形成有开口部23c的混合室23，因此，能够更均匀地混合有机成膜材料和无机成膜材料，来成膜被处理基板G。通过提高电子输送层的膜均匀性，能够制造提高电子注入效率并且发光强度提高的有机EL元件3。
另外，将混合的有机成膜材料和无机成膜材料的蒸气从狭缝状的开口部23c向被处理基板G供给。因此，能够利用混合后的蒸气，对被处理基板G的线状区域进行成膜。另外，以排列设置于一个方向上的多个孔部构成开口部23c也相同。此外，无机成膜材料喷出孔24b和有机成膜材料喷出孔22c并列设置于开口部23c的长度方向。所以，能够使有机成膜材料和无机成膜材料更均匀地混合，能够对被处理基板G进行成膜。另外，在由并列设置于一个方向上的多个孔部构成开口部23c的情况下，通过将无机成膜材料喷出孔24b和有机成膜材料喷出孔22c并列设置于与开口部的上述一个方向的大致相同的方向上，能够得到相同的作用效果。
另外，由于有机成膜材料喷出孔22c和无机成膜材料喷出孔24b并列设置于与开口部23c的长度方向大致相同的方向上，因此，能够进一步提高有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀层的膜均匀性。
进而，通过保温加热器27a、27b、27c，能够防止有机成膜材料在流入层内部凝缩。
进而，由于无机成膜材料喷出孔24b的配列宽度构成为比有机成膜材料喷出孔22c的配列宽度窄，因此能够缩小成膜头2的横向尺寸。
另外，在实施方式中，虽然设置有混合室23，但只要以能够使有机成膜材料和无机成膜材料的蒸气向大致相同位置喷出的方式构成，则也可以废除混合室23。此外，也可以以仅仅设置具有开口部的隔板的方式构成。
另外，也可以并列设置有机成膜材料供给部22和无机成膜材料供给部24。也可以构成为使有机成膜材料供给部22和无机成膜材料供给部24各自构成为筒状，且同轴配置。另外，只要能够从开口部供给有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气，有机成膜材料供给部22和无机成膜材料供给部24的安装姿势就无特别限定。
(变形例1)
图9是示意性地表示变形例1的成膜头102的结构的侧截面图。变形例1的成膜装置1与上述实施方式相同，具备：框体121；有机成膜材料供给部122；混合室123；无机成膜材料供给部24；供电部件25a、25b；和保温加热器27a、27b、27c、27d。另外，变形例1的成膜装置1还具备供使用于冷却流入室122a的热介质流通的热介质流通通路28a。热介质流通通路28a例如为供水流通的水冷流道。此外，热介质流通通路28a被水冷挡热板28b覆盖。
收纳室的底板部121a、侧壁121b和顶板部121c、以及混合室下部123a具有能够在流入室122a和混合室123之间在搬送方向上并排配置两个保温加热器27b、27d和热介质流通通路28a的尺寸。一个保温加热器27b与流入室122a接近相对，另一个保温加热器27d、27c与混合室123接近相对。热介质流通通路28a以位于流入室122a与混合室123之间、更详细来讲保温加热器27b、27d之间的方式围绕。使热介质流通至热介质流通通路28a的制冷剂循环动作，通过未图示的控制部来控制。
在变形例1中，通过使热介质、特别是制冷剂流通至热介质流通通路28a，能够将流入室122a的温度控制在有机成膜材料不会烧毁的温度以下。通过保温加热器27b、27d和热介质流通通路28a，能够防止有机成膜材料的凝缩和烧毁。
(变形例2)
变形例2的成膜装置，仅仅成膜头202的结构与实施方式不同，因此，以下主要对成膜头202进行说明。
图10是变形例2的成膜头202的侧截面图。变形例2的成膜头202具有：朝向被处理基板G喷出有机成膜材料的蒸气的有机成膜材料供给部4；和朝向被处理基板G喷出无机成膜材料的蒸气的无机成膜材料供给部5，其中，有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5以有机成膜材料和无机成膜材料的被喷出部位在被处理基板G上重复的方式配置。
图11是概念性地表示有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5的喷出孔的配置的说明图。有机成膜材料供给部4配置于从无机成膜材料供给部5喷射有无机成膜材料的区域的外侧。该区域为包含用于从无机成膜材料供给部5喷出无机成膜材料的无机成膜材料喷出孔51a的平面的下方、即被处理基板G侧。在图11中，比双点划线所示的直线靠近下侧的区域表示从无机成膜材料供给部5喷射有无机成膜材料的区域。有机成膜材料供给部4配置为比上述双点划线所表示的直线靠近上侧。
有机成膜材料供给部4具备：有机成膜材料用框体41，其具有喷出有机成膜材料的蒸气的有机成膜材料喷出孔41a，且从外部流入有机成膜材料的蒸气；有机成膜材料加热器42a、42b、42c、42d，对上述有机成膜材料用框体41进行加热；和使空气等热介质流通的热介质流通通路43、43，其中，有机成膜材料加热器42a、42b、42c、42d和热介质流通通路43、43通过加热器固定部件41b、41c、41d、41e埋入于有机成膜材料用框体41的内部。
有机成膜材料用框体41具有长度方向与纸面大致垂直的大致长方形框部件，从该框部件的下表面大致中央部向无机成膜材料供给部5侧突出有中空板部件。在中空板部件的前端部形成有喷出在框部件和中空板部件的内部流通的有机成膜材料的有机成膜材料喷出孔41a。
在中空板部件的外表面形成有用于埋入有机成膜材料加热器42a、42b和热介质流通通路43a、43b的多个凹部。凹部为例如从侧面观看时为大致圆弧状。有机成膜材料加热器42a、42b和热介质流通通路43a、43b的外形各自为圆柱状，其外周面卷绕有传热性良好的膜，例如碳石墨膜，且嵌入上述多个凹部。嵌入上述凹部的有机成膜材料加热器42a、42b、...和热介质流通通路43a、43b通过加热器固定部件41d、41e固定。加热器固定部件41d、41e为与中空板部件的上述外表面对应的板状部件，具有嵌入到有机成膜材料加热器42a、42b和热介质流通通路43a、43b的凹部。该凹部的形状与形成于中空板部件的凹部相同，当从侧面观看时为大致半圆形。另外，加热器固定部件41d、41e固定于有机成膜材料用框体41。
同样，在框部件的上表面嵌入有其它的有机成膜材料加热器42c、42d，通过加热器固定部件41b、41c固定于框部件。框部件的上部的大致中央部与使在蒸气产生部17产生的有机成膜材料的蒸气向有机成膜材料用框体41流入的有机成膜材料供给管40连接。有机成膜材料供给管40例如为不锈钢制，为了提高传热率，有机成膜材料供给管40的外侧或者内侧表面的任一者、或外侧和内侧表面被镀铜。此外，成膜装置具备对有机成膜材料供给管40进行加热的供给管加热器61、62。
无机成膜材料供给部5具备中空的无机成膜材料用框体51。无机成膜材料框体为长度方向与纸面大致垂直的中空大致筒状，下部向有机成膜材料供给部4一侧突出。在突出的部分的下表面部沿长度方向两端部一样地形成有多个无机成膜材料喷出孔51a。此外，在无机成膜材料用框体51的内部通过加热装置54支承有容器，该容器装入有作为电子注入层的材料的无机成膜材料、例如碱金属。容器形成非金属制方盘状，在其上表面具有用于将无机成膜材料的蒸气向无机成膜材料用框体51的内部送出的开口57a。
图12是加热装置54的侧视图，图13是加热装置54的正视图，图14是图13的XIV-XIV线截面图，图15是图12的XV-XV线截面图。加热装置54具有构成该加热装置54的下侧的第一半体54a和构成加热装置54的上侧的第二半体54b，其中，在第二半体54b的上表面形成有容器嵌入的槽部。第一和第二半体54a、54b为金属制。
在第一半体54a的上表面形成有用于埋入第一加热器55a、55b和第一热介质流通通路56的多个凹部。凹部为例如当侧面观看时呈大致圆弧状。第一加热器55a、55b和第一热介质流通通路56的外形各自为圆柱状，在其外周面卷绕传热性良好的膜55c、55d、56a、例如碳石墨膜，且嵌入上述多个凹部。嵌入上述凹部的第一加热器55a、55b和第一热介质流通通路56以由第二半体54b夹入的方式固定。第二半体54b为与第一半体54a对应的板状部件，具有嵌入到第一加热器55a、55b和第一热介质流通通路56的凹部。该凹部的形状与形成于中空板部件的凹部相同，当侧面观看时为大致半圆形。此外，第一和第二半体54a、54b被周围焊接(全周焊接)。第一热介质流通通路56的两端部连接于未图示的空冷装置，该空冷装置使空气在第一热介质流通通路56b、56c流通。
另外，在无机成膜材料用框体51的外周面形成有用于嵌入第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f和第二热介质流通通路53a、53b、53c的多个凹部，在该凹部嵌入有第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f和第二热介质流通通路53a、53b、53c。而且，第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f和第二热介质流通通路53a、53b、53c以通过加热器固定部件51b、51c、51d埋入于无机成膜材料用框体51的方式固定。第二热介质流通通路53a、53b、53c的两端部与未图示的空冷装置连接，该空冷装置使空气在第二热介质流通通路53a、53b、53c流通。此外，上述空冷装置以例如能够周期性地切换使空气流通的方向的方式构成。通过周期性地切换空气，能够防止在无机成膜材料用框体51的一个端部与另一个端部之间产生温度差，能够提高容器57的长度方向上的热均匀性。
图16是表示无机成膜材料喷出孔51a的配设例的示意图。无机成膜材料喷出孔51a例如图16所示交错状配置。另外，当然，无机成膜材料喷出孔51a的配置仅仅为一个例子。
成膜头202具有：将从有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5向被处理基板G放射的热量阻挡的有机材料供给部用的挡热板71和无机成膜材料供给部5用的挡热板72。另外，成膜头202具有挡热板8，其隔离有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5，将在有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5之间所放射的热量阻挡。挡热板8在内部具有空冷用的热介质流通通路8a。
图17是表示控制成膜头202的动作的控制装置59的一个构成例的框图。控制装置59具有CPU(Central Processing Unit)等的控制部59a。控制部59a经由总线至少连接：存储计算机程序的ROM59b，其用于控制成膜头202的第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f的动作；临时存储用的RAM59c；键盘、鼠标等输入装置59d；显示装置等输出装置59e；第一加热器55a、55b；第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f；第一温度检测部59f；和第二温度检测部59g。第一温度检测部59f检测第一加热器55a、55b的周边的温度、例如加热装置54的第一半体54a的温度，且将检测出的温度供给到控制部59a。第二温度检测部59g检测第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边的温度、例如无机成膜材料用框体51的温度，且将检测出的温度供给到控制部59a。另外，严格来说，虽然第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f由连接于I/O端口的电源电路连接于总线，但I/O端口和电源电路皆未图示。控制部59a基于第一和第二温度检测部59f、59g的检测结果来控制对第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电，以使无机成膜材料供给部5的温度达到特定的目标温度。另外，在图17中，为了方便制图，分别用一个方块表示第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f。
图18是表示对第一和第二加热器55a、55b，52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电中的控制的处理步骤的流程图，图19是表示对第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电、和容器57的温度变化的时序图。首先，控制部59a使第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f为开启状态(步骤S11)。具体而言，控制部59a通过向电源电路供给控制信号，开始对第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电。而且，控制部59a使用第一和第二温度检测部59f、59g，来判定第一加热器55a、55b的周边温度T1是否在第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2以下(步骤S12)。在判定第一加热器55a、55b的周边温度T1不是在第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2以下的情况下(步骤S12：否)，控制部59a使第一加热器55a、55b的输出降低，或使第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的输出增大(步骤S13)。步骤S12、13的处理为用于防止无机成膜材料的蒸气凝缩、附着在无机成膜材料用框体51的内壁的处理。因此，在无机成膜材料的蒸气尚未产生的未达规定温度的阶段中，并非一定要执行步骤S12、13的处理，只要在无机成膜材料的温度达到规定温度之前，成为上述温度关系即可。在判定第一加热器55a、55b的周边温度T1为第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2以下的情况下(步骤S12：是)，或在步骤S13的处理结束的情况下，控制部59a使用第一温度检测部59f来判定第一加热器55a、55b的周边温度T1是否为第一温度以上(步骤S14)。第一温度是比特定的目标温度低的温度。例如，在目标温度为500度的情况下，设定第一温度为400度～450度。另外，第一温度可以是根据实验所特定的规定温度，也可以是根据输入的目标温度算出的温度。在判定第一加热器55a、55b的周边温度T1未达到第一温度的情况下(步骤S14：否)，控制部59a再次执行步骤S14的处理。
在判定第一加热器55a、55b的周边温度T1为第一温度以上的情况下(步骤S14：是)，如图18所示，控制部59a使第一加热器55a、55b为关闭状态(步骤S15)。具体而言，控制部59a通过对电源电路供给控制信号，来使对第一加热器55a、55b的供电停止。接着，控制部59a使用第二温度检测部59g来判定第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2是否为第二温度以上(步骤S16)。第二温度是比特定的目标温度高的温度，在第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2到达第二温度时使对第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电停止的情况下，通过从第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边所放射的热量，容器57和无机成膜材料的温度是刚好到达目标温度那样的温度。第二温度可以为通过实验等决定的规定的温度，也可以为基于输入的目标温度算出的温度。例如，当目标温度为500度时，设定第二温度为520度。在判定第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2为未达第二温度的情况下(步骤S16：否)，控制部59a再次执行步骤S16的处理。在判定第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2为第二温度以上的情况下(步骤S16：是)，如图18所示，控制部59a对第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2进行PID控制(步骤S17)，当成膜处理结束时，终止处理。具体而言，控制部59a监视由第一和第二温度检测部59f、59g所检测的温度，通过以使各温度与目标温度一致的方式对电源电路供给控制信号，来控制对第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电。更具体而言，控制部59a暂时停止第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的加热或降低输出，在周边温度T2未达目标温度的情况下，再度开始或增大第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的加热。以下，通过重复进行上述处理，将周边温度T2保持为目标温度。另外，即使在使无机成膜材料的加热停止的情况下，也能够在保持第一加热器55a、55b的周边温度T1为第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的周边温度T2以下的状态，降低容器57和无机成膜材料的温度。这是因为能够防止无机成膜材料的蒸气凝缩、附着在无机成膜材料用框体51的内壁。因此，在未达到不产生无机成膜材料的蒸气的规定温度的情况下，不需要维持上述条件。
通过上述处理，可以将具有长度方向的容器57均匀地加热至目标温度。即，能够提高容器57的长度方向上的温度均匀性。
另外，用于将容器57的温度保持为目标温度的处理并未特别限定。例如，也可以间歇地对第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f供电，也可在由第二温度检测部59g检测出的温度为未达到目标温度、或根据目标温度所决定的规定的温度的情况下，对第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f供电一定时间。此外，也可以通过改变对第二加热器52a、52b、52c、52d、52e、52f的供电量，来控制容器57的温度。
根据变形例2的成膜装置和成膜头202，由于具有挡热板71、72，因此，能够防止因从有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5放射至被处理基板G的放射热量而造成的成膜条件恶化。例如，能够防止因图案掩模的热膨胀而造成成膜图案的位置发生偏移。另外，也抑制对成膜的有机膜造成热损伤的问题。
另外，通过具备将有机成膜材料供给部4与无机成膜材料供给部5隔离的挡热板8，从而能够防止因从无机成膜材料供给部5所放射的热量而造成有机成膜材料供给部被异常加热，有机成膜材料烧毁的问题。
另外，有机成膜材料供给部4与无机成膜材料供给部5相比为低温，有机成膜材料供给部4配置于从无机成膜材料供给部5喷射无机成膜材料的区域的外侧，因此能够防止从无机成膜材料供给部5喷射的无机成膜材料凝缩、附着在有机成膜材料供给部4。另外，由于无机成膜材料供给部5为高温，因此没有从有机成膜材料供给部4喷射的有机成膜材料附着于无机成膜材料供给部5的问题。在单纯并列设置有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5的情况下，虽可能会发生无机成膜材料附着于有机成膜材料供给部4而造成污染的问题，但根据本实施方式，能够防止有机成膜材料和无机成膜材料附着于有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5的任一者。
此外，通过将第一和第二加热器55a、55b、52a、52b、52c、52d、52e、52f埋入于无机成膜材料用框体51和加热装置54，能够提高温度控制的响应性，能够更精确地控制容器57的温度。
进而，通过将加热装置54的温度加热至比目标温度低的第一温度，接着，将无机成膜材料用框体51加热至比目标温度高的第二温度，能够利用围绕容器57的均匀的放射热量，将容器57均匀地加热至目标温度，从而使容器57的长度方向上的热分布均匀。
进而，通过周期性地切换使热介质在第一热介质流通通路56和第二热介质流通通路53a、53b、53c流通的方向，能够均匀地冷却无机成膜材料用框体51和加热装置54。即，能够提高无机成膜材料用框体51和加热装置54、以及容器57的长度方向上的温度均匀性。
(变形例3)
变形例3的成膜装置仅仅挡热板371、372的结构与变形例2不同，因此，以下主要针对成膜头302进行说明。图20是变形例3的成膜头302的侧截面图。变形例3的挡热板371、372分别在内部具有空冷用的挡热板用热介质流通通路371a、372a。
根据变形例3的成膜装置和成膜头302，由于具有内部形成有挡热板用热介质流通通路371a、372a的挡热板371、372，所以能够进一步有效地防止因从有机成膜材料供给部4和无机成膜材料供给部5向被处理基板G放射的放射热量而造成的成膜条件恶化的问题。
本次公开的实施方式为在所有的方面都是例示，应认为并无限制。本发明的范围并未限定在上述实施方式，包含在权利要求范围揭示的，在与权利要求范围均等的范围内的所有的变更。
符号说明
1  成膜装置
2  成膜头
3  有机EL元件
11 处理室
12 搬送装置
13 蒸镀头
14 排气管
15 真空泵
16 配管
17  蒸气产生部
21  框体
22  有机成膜材料供给部
22b 有机成膜材料供给管
22a 流入室
22c 有机成膜材料喷出孔
23  混合室
23c 开口部
24  无机成膜材料供给部
24b 无机成膜材料喷出孔
25a、25b 供电部件
27a、27b、27c、27d 加热器
28a 热介质流通通路
G   被处理基板

Claims (24)

1.一种成膜装置，具备：收纳被处理基板的处理室；设置于该处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；和有机成膜材料供给部，其将由该蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气向该被处理基板喷出，其特征在于：
具备将无机成膜材料的蒸气向所述被处理基板喷出的无机成膜材料供给部，
所述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部，以所述有机成膜材料和无机成膜材料的被喷出部位在所述被处理基板上重复的方式配置，
具备混合室，其使从所述有机成膜材料供给部喷出的有机成膜材料的蒸气和从所述无机成膜材料供给部喷出的无机成膜材料的蒸气混合，
所述混合室具有使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过并向所述被处理基板供给的开口部。
2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：
所述开口部具有狭缝或在一个方向上排列设置的多个孔部。
3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于：
所述有机成膜材料供给部，具备：
从外部流入有机成膜材料的蒸气的流入室；和
喷出流入该流入室的蒸气的多个有机成膜材料喷出孔，
所述无机成膜材料供给部具备喷出无机成膜材料的蒸气的多个无机成膜材料喷出孔，
所述有机成膜材料喷出孔和无机成膜材料喷出孔，在所述狭缝的长度方向或与所述一个方向大致相同的方向上并列设置。
4.如权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
具备保持所述有机成膜材料供给部的温度的保持单元。
5.如权利要求4所述的成膜装置，其特征在于：
所述保持单元具备使热介质流通的热介质流通通路和/或加热器。
6.一种成膜装置，具备：收纳被处理基板的处理室；设置于该处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；和有机成膜材料供给部，其将由该蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气向该被处理基板喷出，其特征在于：
具备将无机成膜材料的蒸气向所述被处理基板喷出的无机成膜材料供给部，
所述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部，以所述有机成膜材料和无机成膜材料的被喷出部位在所述被处理基板上重复的方式配置，
所述无机成膜材料供给部具备：
装入有无机成膜材料的容器；
对该容器进行加热的第一加热器；
无机成膜材料用框体，其收纳所述容器，并且具有喷出所述无机成膜材料的蒸气的无机成膜材料喷出孔；和
对该无机成膜材料用框体进行加热的第二加热器。
7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，具备：
检测所述容器的温度的第一温度检测部；
检测所述无机成膜材料用框体的温度的第二温度检测部；
对所述第一和第二加热器供电的供电部；和
控制部，其以如下方式控制所述供电部的供电：在由所述第一温度检测部检测出的温度为第一温度以上的情况下，使对所述第一加热器的供电停止，在由所述第二温度检测部检测出的温度为第二温度以上的情况下，使对所述第二加热器的供电暂时停止或使供电量降低。
8.如权利要求6或7所述的成膜装置，其特征在于：
所述第二加热器埋入于所述无机成膜材料用框体。
9.如权利要求6或7所述的成膜装置，其特征在于：
所述无机成膜材料用框体在内部具备使热介质流通的热介质流通通路。
10.如权利要求6或7所述的成膜装置，其特征在于：
所述有机成膜材料供给部，具备：
有机成膜材料用框体，其具有喷出有机成膜材料的蒸气的有机成膜材料喷出孔，并从外部流入机成膜材料的蒸气；和
有机成膜材料加热器，其对所述有机成膜材料用框体进行加热，
所述有机成膜材料加热器埋入于所述有机成膜材料用框体。
11.如权利要求10所述的成膜装置，其特征在于：
所述有机成膜材料用框体在内部具备使热介质流通的热介质流通通路。
12.如权利要求1～3、6和7中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
所述有机成膜材料供给部配置于从所述无机成膜材料供给部喷射所述无机成膜材料的区域的外侧。
13.如权利要求1～3、6和7中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
具备挡热板，其将从所述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部向所述被处理基板放射的热量阻挡。
14.一种成膜头，向被处理基板供给成膜材料的蒸气，其特征在于，具备：
有机成膜材料供给部，其向所述被处理基板喷出有机成膜材料的蒸气；
无机成膜材料供给部，其向所述被处理基板喷出无机成膜材料的蒸气；和
混合室，其使从所述有机成膜材料供给部喷出的有机成膜材料的蒸气和从所述无机成膜材料供给部喷出的无机成膜材料的蒸气混合，
所述混合室具有使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过并向所述被处理基板供给的开口部。
15.如权利要求14所述的成膜头，其特征在于：
所述开口部具有狭缝或在一个方向上排列设置的多个孔部。
16.一种成膜头，向被处理基板供给成膜材料的蒸气，其特征在于，具备：
有机成膜材料供给部，其向所述被处理基板喷出有机成膜材料的蒸气；和
无机成膜材料供给部，其向所述被处理基板喷出无机成膜材料的蒸气，
所述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部，以所述有机成膜材料和无机成膜材料的被喷出部位在所述被处理基板上重复的方式配置，
所述无机成膜材料供给部具备：
容器，其装入有无机成膜材料；
第一加热器，其对该容器进行加热；
无机成膜材料用框体，其收纳所述容器，并且具有喷出所述无机成膜材料的蒸气的无机成膜材料喷出孔；和
第二加热器，其对该无机成膜材料用框体进行加热。
17.如权利要求16所述的成膜头，其特征在于，具备：
检测所述容器的温度的第一温度检测部；
检测所述无机成膜材料用框体的温度的第二温度检测部；
对所述第一和第二加热器进行供电的供电部；和
控制部，其以如下方式控制所述供电部的供电：在由所述第一温度检测部检测出的温度为第一温度以上的情况下，使对所述第一加热器的供电停止，在由所述第二温度检测部检测出的温度为第二温度以上的情况下，使对所述第二加热器的供电暂时停止或使供电量降低。
18.如权利要求16或17所述的成膜头，其特征在于：
所述第二加热器埋入于所述无机成膜材料用框体。
19.如权利要求16或17所述的成膜头，其特征在于：
所述无机成膜材料用框体在内部具备使热介质流通的热介质流通通路。
20.如权利要求16或17所述的成膜头，其特征在于：
所述有机成膜材料供给部，具备：
有机成膜材料用框体，其具有喷出有机成膜材料的蒸气的有机成膜材料喷出孔，并且从外部流入机成膜材料的蒸气；和
有机成膜材料加热器，其对所述有机成膜材料用框体进行加热，
所述有机成膜材料加热器埋入于所述有机成膜材料用框体。
21.如权利要求20所述的成膜头，其特征在于：
所述有机成膜材料用框体在内部具备使热介质流通的热介质流通通路。
22.如权利要求14～17中任一项所述的成膜头，其特征在于：
所述有机成膜材料供给部配置于从所述无机成膜材料供给部喷射所述无机成膜材料的区域的外侧。
23.如权利要求14～17中任一项所述的成膜头，其特征在于：
具备挡热板，其将从所述有机成膜材料供给部和无机成膜材料供给部向所述被处理基板放射的热量阻挡。
24.一种成膜方法，通过将被处理基板收纳于处理室内，并向所收纳的该被处理基板供给成膜材料的蒸气来进行成膜，其特征在于，具有：
在所述处理室的外部产生有机成膜材料的蒸气的工序；
将在所述处理室的外部所产生的有机成膜材料的蒸气喷出至所述处理室内的工序；和
将无机成膜材料的蒸气以使所述有机成膜材料的蒸气和该无机成膜材料的蒸气混合并向所述被处理基板供给的方式喷出至所述处理室内的工序。
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