CN103430624A - 蒸镀装置、蒸镀方法、有机el显示器和照明装置 - Google Patents

蒸镀装置、蒸镀方法、有机el显示器和照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103430624A
CN103430624A CN201280011161XA CN201280011161A CN103430624A CN 103430624 A CN103430624 A CN 103430624A CN 201280011161X A CN201280011161X A CN 201280011161XA CN 201280011161 A CN201280011161 A CN 201280011161A CN 103430624 A CN103430624 A CN 103430624A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ejiction opening
unstrpped gas
substrate
nozzle
evaporation coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201280011161XA
Other languages
English (en)
Inventor
江面知彦
安达千波矢
松波成行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Kyushu University NUC
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Kyushu University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Kyushu University NUC filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN103430624A publication Critical patent/CN103430624A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明的目的在于不使用阴影掩膜板而利用蒸镀法在基板上高效率地分涂形成多个线状薄膜。该蒸镀装置作为基板结构具有：以能够搬入搬出的方式收容处理对象的玻璃基板（S）的处理室（腔室）（10）；在该处理室（10）内保持基板（S）并使其在水平的一个方向（X方向）上移动的移动机构（12）；分别使多种（例如7种）有机物层的原料或成膜材料个别地蒸发而生成原料气体的蒸发机构（14）；从该蒸发机构（14）接收上述多种（7种）原料气体，将这些原料气体向移动的基板（S）喷出的原料气体喷出部（16）；和控制装置内的各部分和整体的状态、模式或动作的控制器（18）。

Description

蒸镀装置、蒸镀方法、有机EL显示器和照明装置
技术领域
本发明涉及使成膜材料蒸发作为薄膜沉积在基板上的蒸镀技术，特别涉及形成线状的薄膜图案的蒸镀装置、蒸镀方法、有机EL显示器和照明装置。
背景技术
近年来，有机EL（电致发光）显示器作为下一代的平板显示器（FPD）被寄予厚望。有机EL显示器为自发光型而不需要背光源，所以容易实现薄型和轻量化，在视野角、析像度、对比度、响应速度、消耗电力、可挠性等方面也非常优异。但是，由于后述的理由，大型化和批量生产率成为大问题。
有机EL的发光原理为，以两个电极（阳极、阴极）夹着包含有机物的发光层，通过通电、即从阳极一侧注入空穴的同时从阴极一侧注入电子，被注入的空穴与电子在发光层再结合（激发发光层），在从其激发状态再次返回基底状态时产生光。
历来，在有机EL显示器中，作为用于显示全彩色的图像的发光方式之一，已知有在基板上将R（红色）、G（绿色）、B（蓝色）三原色像素排列配置的并置方式。在该并置方式中，在基板上分涂R、G、B各种颜色的发光层。作为进行该各种颜色发光层的分涂的成膜方法，掩模蒸镀法是现在的主流。
掩模蒸镀法使用在与基板上的要使成膜材料附着的部位对应的位置开孔的金属制的掩模、所谓的阴影掩膜板（shadow mask）进行蒸镀。总之，在基板的跟前配置阴影掩膜板，通过阴影掩膜板的开口部使成膜材料蒸镀。在上述那样的彩色化的并置方式的情况下，由于R、G、B各种颜色发光层的图案相同，所以能够通过使同一阴影掩膜板的位置与基板平行地移动，利用蒸镀法分涂蒸镀R、G、B各种颜色发光层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-325425
发明内容
发明所要解决的问题
但是，上述那样的掩模蒸镀法存在很多问题，在有机EL显示器的制造中成为大的束缚。
特别是与阴影掩膜板相关的问题很多。高精细的阴影掩膜板是非常昂贵的。此外，R、G、B各种颜色发光层中使用的有机材料也非常昂贵。然而，阴影掩膜板的开口在整个掩模的面积中所占的比例很小，蒸发物质的大部分（一般为95%以上）附着在掩模，在基板上作为发光层附着的比例即有机材料的利用效率限于5%以下。
进一步，在阴影掩膜板的对准（对位）中要求非常高的精度。如果不正确地进行对准，则例如R发光层与G发光层重叠，成为成品率下降的原因。另一方面，即使对准正确，也具有由于从在成膜处理中被加热而蒸发的高温的气体受到热辐射的阴影掩膜板的热膨胀，在掩模精度上产生误差（开口图案的尺寸误差、对位误差等）的情况。进一步，存在阴影掩膜板的背面与基板的表面摩擦，使得基板上的薄膜（发光层）受到损伤的情况。
此外，掩模蒸镀法分别按R、G、B各种颜色对基板表面的整体进行隔着掩模的蒸镀，因此为了利用该方法尽可能地提高生产能力，准备按R、G、B的每个颜色独立的成膜室（处理室），将基板与阴影掩膜板一起依次移送至各种颜色用的成膜室。但是，存在这样的问题：沉积在阴影掩膜板的蒸镀物在搬送中或对准作业中剥离而成为颗粒。
此外，这样需要按R、G、B每种颜色独立的成膜室，当然在有机EL显示器制造装置的空间效率（占用空间，footprint）、成本方面成为大的缺点。而且，通常的有机EL显示器在阳极与阴极之间不仅夹持发光层而且还夹持电子输送层和空穴输送层，进一步还夹持电子注入层、空穴注入层等有机薄膜。当在R、G、B各种颜色发光层的分涂中使用掩模蒸镀法时，在蒸镀这些有机薄膜的处理中，与上述同样地基于生产能力上的要求也需要个别的成膜室。因此，实际的制造装置的上述那样的占位空间、成本高的问题更加深刻。
此外，在基板自身由于自重而弯曲时容易与阴影掩膜板接触（因此，作为蒸镀工艺中的基板保持方式难以采用常用的面朝下方式）、阴影掩膜板的清洁非常麻烦等也成为问题。总之，随着有机EL显示器的大画面化，阴影掩膜板也同样地大型化，因此与阴影掩膜板相关的上述问题变得显著。
这样，在推进有机EL显示器的大画面化和批量生产率上，使用阴影掩膜板的掩模蒸镀法成为大的束缚。
本发明解决上述现有技术的问题，提供能够不使用阴影掩膜板地在基板上高效率地分涂多个线状薄膜的蒸镀装置和蒸镀方法。
用于解决问题的技术方案
本发明的蒸镀装置包括：收容处理对象的基板的处理室；在上述处理室内使上述基板在第一方向上移动的移动机构；使第一成膜原料蒸发而生成第一原料气体的第一蒸发源；第一喷嘴，其具有第一喷出口，从上述第一蒸发源接收上述第一原料气体，从上述第一喷出口向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第一原料气体；使第二成膜原料蒸发而生成第二原料气体的第二蒸发源；和第二喷嘴，其具有在与上述第一方向交叉的第二方向上从上述第一喷出口偏离的第二喷出口，从上述第二蒸发源接收上述第二原料气体，从上述第二喷出口向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第二原料气体，在上述基板上，上述第一原料气体沉积，形成在上述第一方向上延伸的第一线状薄膜，并且在从上述第一线状薄膜离开的位置沉积上述第二原料气体，形成在上述第一方向上延伸的第二线状薄膜。
在上述结构的蒸镀装置中，在处理室内使基板在第一方向上扫描移动一次并且使第一喷嘴和第二喷嘴分别喷出第一原料气体和第二原料气体，由此，能够不使用阴影掩膜板地在该基板上将第一线状薄膜和第二线状薄膜恰当地分离、即分涂地进行形成。
本发明的第一方面的蒸镀方法包括：在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；从第一喷出口向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第一原料气体的工序；使上述第一原料气体沉积在上述基板上，形成在上述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；从在与上述第一方向交叉的第二方向上自上述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第二原料气体的工序；和使上述第二原料气体沉积在上述基板上从上述第一线状薄膜离开的位置，形成在上述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序。
根据上述第一方面的蒸镀方法，在处理室内使基板在第一方向上扫描移动一次并且使第一喷嘴和第二喷嘴分别喷出第一原料气体和第二原料气体，由此，能够不使用阴影掩膜板地在该基板上将第一线状薄膜和第二线状薄膜恰当地分离、即分涂地进行形成。
本发明的第二方面的蒸镀方法包括：在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；从第一喷出口向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第一原料气体的工序；使上述第一原料气体沉积在上述基板上，形成在上述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；从在与上述第一方向交叉的第二方向上自上述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第二原料气体的工序；使上述第二原料气体沉积在上述基板上从上述第一线状薄膜离开的位置，形成在上述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；从在与上述第一方向交叉的第二方向上自上述第一喷出口和第二喷出口偏离的第三喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第三原料气体的工序；和使上述第三原料气体沉积在上述基板上从上述第一线状薄膜和第二线状薄膜离开的位置，形成在上述第一方向上延伸的第三线状薄膜的工序。
根据上述第二方面的蒸镀方法，在处理室内使基板在第一方向上扫描移动一次并且使第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴分别喷出第一原料气体、第二原料气体和第三原料气体，由此，能够不使用阴影掩膜板地在该基板上将第一线状薄膜、第二线状薄膜和第三线状薄膜恰当地分离、即分涂地进行形成。
本发明的第三方面的蒸镀方法包括：在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；从第一喷出口向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第一原料气体的工序；使上述第一原料气体沉积在上述基板上，形成在上述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；从在与上述第一方向交叉的第二方向上自上述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第二原料气体的工序；使上述第二原料气体沉积在上述基板上从上述第一线状薄膜离开的位置，形成在上述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；从在上述第一方向上自上述第一喷出口和第二喷出口向上述基板的移动的下游侧偏离的第三喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第三原料气体的工序；和在上述基板上，在上述第一线状薄膜和第二线状薄膜之上使上述第三原料气体沉积，形成第一面状薄膜的工序。
根据上述第三方面的蒸镀方法，在处理室内使基板在第一方向上扫描移动一次并且使第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴分别喷出第一原料气体、第二原料气体和第三原料气体，由此，能够不使用阴影掩膜板地在该基板上将第一线状薄膜和第二线状薄膜恰当地分离、即分涂地进行形成，并且能够形成第一面状薄膜，该第一面状薄膜将第一线状薄膜和第二线状薄膜间填埋且覆盖在它们之上。
本发明的第四方面的蒸镀方法包括：在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；从第一喷出口向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第一原料气体的工序；使上述第一原料气体沉积在上述基板上，形成在上述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；从在与上述第一方向交叉的第二方向上自上述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第二原料气体的工序；使上述第二原料气体沉积在上述基板上从上述第一线状薄膜离开的位置，形成在上述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；从在上述第一方向上自上述第一喷出口和第二喷出口向上述基板的移动的上游侧偏离的第三喷出口，向在上述处理室内移动的上述基板喷出上述第三原料气体的工序；和在形成上述第一线状薄膜和第一线状薄膜之前，使上述第三原料气体沉积在上述基板上，形成第一面状薄膜的工序。
根据上述第四方面的蒸镀方法，在处理室内使基板在第一方向上扫描移动一次并且使第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴分别喷出第一原料气体、第二原料气体和第三原料气体，由此，能够不使用阴影掩膜板地在该基板上将第一线状薄膜和第二线状薄膜恰当地分离、即分涂地进行形成，并且能够作为第一线状薄膜和第二线状薄膜的基底膜形成第一面状薄膜。
发明效果
根据本发明的蒸镀装置和蒸镀方法，能够利用上述那样的结构和作用，不使用阴影掩膜板地在基板上高效率地分涂形成多个线状薄膜。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的蒸镀装置的整体结构的图。
图2是表示上述蒸镀装置的主要部分（原料气体喷出部）的结构的图。
图3A是用于说明实施方式的喷出口的布局设计中使用的余弦法的图。
图3B是用于说明上述余弦法的图。
图4是表示上述蒸镀装置的原料气体喷出部的结构和作用的侧面图。
图5是表示在上述蒸镀装置形成有并置型R·G·B发光层（线状薄膜）的样子的立体图。
图6是表示在上述蒸镀装置形成有并置型R·G·B发光层（线状薄膜）的样子和图案的平面图。
图7是表示能够应用本发明的有机EL彩色显示器的器件结构的一个例子的纵向截面图。
图8是表示在利用实施方式得到的图7的器件结构中应用无源矩阵方式的驱动法的例子的立体图。
图9是表示关于形成线状薄膜的喷嘴的喷出口的另一实施例的立体图。
图10是表示在图9的实施例中形成有并置型R·G·B发光层（线状薄膜）的样子和的立体图。
图11是表示关于形成线状薄膜的喷嘴的喷出口的另一实施例的立体图。
图12是表示关于形成线状薄膜的喷嘴的喷出口的另一实施例的平面图。
图13是表示关于形成面状薄膜的喷嘴的喷出口的另一实施例的平面图。
图14是表示能够应用本发明的有机EL彩色显示器的器件结构的另一个例子的纵向截面图。
图15表示为了为制作图14的器件结构而优选的原料气体喷出部的实施例的立体图。
图16是表示图15的原料气体喷出部的结构和作用的侧面图。
图17A是表示在喷嘴安装隔热板的一个实施例的部分放大截面图。
图17B是表示在喷嘴安装隔热板的另一个实施例的部分放大截面图。
图18A是表示由堤状部件（隔壁）分离的器件结构的一个例子的截面图。
图18B是表示由堤状部件（隔壁）分离的器件结构的另一个例子的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。
本实施方式的蒸镀装置例如用于有机EL彩色显示器的制造中、在透明基板例如玻璃基板上叠层形成包括发光层的多种有机物层的工艺。
作为一个例子，如图7所示，已知有在有机EL彩色显示器中，在玻璃基板S上叠层形成透明的阳极、空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、并置型的R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）、电子输送层（ETL）、电子注入层（EIL）和阴极的器件结构。在该器件的制造中，本实施方式的蒸镀装置能够在一个处理室内通过一次的蒸镀工艺同时形成空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）、电子输送层（ETL）和电子注入层（EIL）全部7种薄膜。在这种情况下，透明的阳极例如包括ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡），利用其它的成膜装置例如溅射装置在之前的工序中制作。此外，阴极例如包括铝合金，利用其它的成膜装置例如溅射装置在之后的工序中制作。
[实施方式的装置结构]
图1表示本发明的一个实施方式的蒸镀装置的结构。图2表示本蒸镀装置的主要部分（原料气体喷出部）的结构。
如图1所示，本蒸镀装置作为基本结构包括：以能够搬入搬出的方式收容处理对象的玻璃基板S的处理室（腔室）10；在该处理室10内保持基板S并使其在水平的一个方向（X方向）上移动的移动机构12；使上述多种（7种）有机物层的原料或成膜材料分别蒸发而生成原料气体的蒸发机构14；从该蒸发机构14接收上述多种（7种）原料气体，向移动的基板S喷出这些原料气体的原料气体喷出部16；和控制装置内的各部分和整体的状态、模式或动作的控制器18。
处理室10构成为能够减压，经由形成在其侧壁或底面的排气口20与真空泵等排气装置（未图示）连接。在处理室10的侧壁，还形成有由闸阀22开闭的基板搬入/搬出用的开口24。
移动机构12具有：将基板S以面朝下的方式（使基板的被处理面朝下）进行保持的基板保持台或载置台26；和与该载置台26结合，沿处理室10的顶壁在X方向上以恒定速度滑行移动的扫描部28。载置台26经由开关与高压的直流电源（未图示）电连接，埋入有利用静电吸力可装卸地保持基板S的静电吸盘（未图示）。进一步，在载置台26还设置有用于将基板S冷却至规定温度的调温机构。一般而言，在载置台26的内部形成有冷却通路，利用外设的冷却装置（未图示）循环供给规定温度的冷却水。扫描部28作为滑行移动的驱动机构例如包括线性电动机（未图示）。
蒸发机构14在处理室10之外，在本蒸镀装置设置有与形成在基板S上的薄膜的种类（7种）相应的个数（7个）的蒸发源30（1）～30（7）。此处，HIL蒸发源30（1）在容器例如坩埚中对成为空穴注入层（HIL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成HIL原料气体。HTL蒸发源30（2）在坩埚中对成为空穴输送层（HTL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成HTL原料气体。
此外，REL蒸发源30（3）在坩埚中对成为R发光层（REL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成REL原料气体。GEL蒸发源30（4）在坩埚中对成为G发光层（GEL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成GEL原料气体。BEL蒸发源30（5）在坩埚中对成为B发光层（BEL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成BEL原料气体。
而且，ETL蒸发源30（6）在坩埚中对成为电子输送层（ETL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成ETL原料气体。EIL蒸发源30（7）在坩埚中对成为电子输送层（EIL）的原料的有机物的成膜材料进行加热，使其蒸发而生成EIL原料气体。
各蒸发源30（1）～30（7）例如将包括高熔点材料的电阻发热元件32（1）～32（7）作为用于对各成膜材料进行加热的加热器内置或安装在坩埚内。加热器电源部34对各电阻发热元件32（1）～32（7）分别供给电流，独立地控制各蒸发源30（1）～30（7）的加热温度（例如为200℃～500℃）。
蒸发机构14包括运载气体供给机构36，该运载气体供给机构36用于将在各蒸发源30（1）～30（7）中生成的原料气体与运载气体混合并搬送至原料气体喷出部16。该运载气体供给机构36具有：送出作为运载气体的不活泼气体（例如氩气体、氦气体、氪气体或氮气体）的运载气体供给源38；将该运载气体供给源38分别与蒸发源30（1）～30（7）连接的多个（7个）气体管40（1）～40（7）；和设置在该气体管40（1）～40（7）的多个（7个）开闭阀42（1）～42（7）以及质量流量控制器（MFC）44（1）～44（7）。质量流量控制器（MFC）44（1）～44（7）在控制器18的控制下对在气体管40（1）～40（7）中流动的运载气体的压力或流量分别独立地进行控制。
原料气体喷出部16具备在处理室10内与上述多个（7个）蒸发源30（1）～30（7）分别对应的多个（7个）喷嘴46（1）～46（7）。这些喷嘴46（1）～46（7）均为长型的喷嘴，在处理室10内、在扫描方向（X方向）上呈一列排列地配置，各自在与扫描方向（X方向）垂直地交叉的水平方向（Y方向）上延伸得较长，从形成在各自的上表面的喷出口向上方喷出原料气体。
此处，HIL喷嘴46（1）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（1）与HIL蒸发源30（1）连接，配置在距由移动机构12进行的基板扫描或蒸镀扫描的起始位置最近的最上游的位置。HTL喷嘴46（2）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（2）与HTL蒸发源30（2）连接，配置在蒸镀扫描的顺序上的第二个位置、即HIL喷嘴46（1）的下游侧相邻的位置。
此外，REL喷嘴46（3）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（3）与REL蒸发源30（3）连接，配置在蒸镀扫描的顺序上的第三个位置、即HTL喷嘴46（2）的下游侧相邻的位置。GEL喷嘴46（4）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（4）与GEL蒸发源30（4）连接，配置在蒸镀扫描的顺序上的第四个位置、即REL喷嘴46（3）的下游侧相邻的位置。BEL喷嘴46（5）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（5）与REL蒸发源30（5）连接，配置在蒸镀扫描的顺序上的第五个位置、即GEL喷嘴46（5）的下游侧相邻的位置。
而且，ETL喷嘴46（6）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（6）与ETL蒸发源30（6）连接，配置在蒸镀扫描的顺序上的第六个位置、即BEL喷嘴46（5）的下游侧相邻的位置。EIL喷嘴46（7）经由贯通处理室10的底壁的气体管48（7）与EIL蒸发源30（7）连接，配置在蒸镀扫描的顺序上的第七个位置、即ETL喷嘴46（6）的下游侧相邻的位置。
在气体管48（1）～48（7）分别设置有开闭阀50（1）～50（7）。这些开闭阀50（1）～50（7）在控制器18的控制下独立地开闭（ON/OFF）。另外，为了防止在气体管48（1）～48（7）内蒸镀原料固着，期望利用加热器（未图示）从其周围进行加热。运载气体用的气体管40（1）～40（7）也相同。
如图2所示，喷嘴46（1）～46（7）分别具有喷出口52（1）～52（7）。更详细而言，在HIL喷嘴46（1）、HTL喷嘴46（2）、ETL喷嘴46（6）和EIL喷嘴46（7）的上表面分别形成有在喷嘴长度方向（较长方向）（Y方向）上呈狭缝状延伸的喷出口52（1）、52（2）、52（6）、52（7）。这些喷嘴46（1）、46（2）、46（6）、46（7）分别配置于使得各自的狭缝状喷出口52（1）、52（2）、52（6）、52（7）相对于在蒸镀工艺中从它们的正上方通过的基板S隔开适合于形成面状薄膜的比较远的距离DL（通常为10～20mm）那样高的位置（图4）。
另一方面，在REL喷嘴46（3）、GEL喷嘴46（4）和BEL喷嘴46（5）的上表面，在相对于从正上方通过的基板S隔开适合于形成线状薄膜的相当短的距离DS（通常为1mm以下）那样高的位置（图4），分别形成有在喷嘴长度方向（Y方向）上隔开相同的固定间隔P呈一列（或多列）配置的多孔状的喷出口52（3）、52（4）、52（5）。在喷嘴46（3）、46（4）、46（5）之间，各个喷出口52（3）、52（4）、52（5）具有相同的口径K，在喷嘴长度方向（Y方向）上相互偏离P/3（图6）。
此处，各喷出口52（3）、52（4）、52（5）的喷嘴长度方向（Y方向）的间隔或节距P与有机EL显示器的像素的尺寸大致一致。此外，各喷出口52（3）、52（4）、52（5）的口径K和上述距离间隔DS根据图3A和图3B所示的余弦法选定为依赖于并置型R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）的线宽度W的值。口径K的特别优选的范围为0.1～1W。因此，例如在W=100μm的情况下，在K=10～100μm中选择。
这样，用于形成线状薄膜（R·G·B发光层）的REL喷嘴46（3）、GEL喷嘴46（4）和BEL喷嘴46（5）从各自的喷出口52（3）、52（4）、52（5）使原料气体非常细地向极近距离DS的基板被处理面喷出，因此，这些被喷出的原料气体不向四方、特别是基板扫描方向（X方向）扩散。与此相对，用于形成面状薄膜（HIL、HTL、ETL、EIL）的HIL喷嘴46（1）、HTL喷嘴46（2）、ETL喷嘴46（6）和EIL喷嘴46（7）从各自的喷出口52（1）、52（2）、52（6）、52（7）将原料气体以大而广的角度向远距离DL的基板被处理面喷出，因此，这些被喷出的原料气体向四方、特别是基板扫描方向（X方向）扩散。因此，在基板扫描方向（X方向）上，在这些广角远距离喷出型喷嘴46（1）、46（2）、46（6）、46（7）的前后（图1中为左右两侧），设置有从处理室10的底壁垂直地向上方延伸至超过喷嘴喷出口的高度的隔壁板52，以防止原料气体进入或混入相邻的喷嘴一侧。
[实施方式的作用]
接着，参照图4～图6，说明本实施方式的蒸镀装置的作用。当闸阀22打开、利用外部搬送装置（未图示）将处理对象的基板S搬入处理室10时，控制器18控制移动机构12，将基板S面朝下地安装在载置台26。此时，将载置台26靠近搬入/搬出口24的附近进行基板S的装载，然后使载置台26移动至远离搬入/搬出口24的扫描开始位置。在完成基板S的装载后，闸阀22关闭，利用排气装置将处理室10的室内减压至规定的真空压力。另外，在被搬入处理室10内的基板S的被处理面，利用其它的成膜装置（例如溅射装置）在之前的工序中形成有阳极（ITO）。
控制器18与将基板S搬入的时刻一致地将蒸镀机构14控制为开始前的准备状态。例如，在即将搬入基板S之前，使加热器电源部34导通，准备各蒸发源30（1）～30（7）的各成膜材料的加热、蒸发。但是，关闭开闭阀50（1）～50（7），令原料气体喷出部16停止。
控制器18为了执行对该基板S的蒸镀处理而使移动机构12开始载置台26的扫描移动。然后，当在扫描移动中基板S的前端部到达HIL喷嘴46（1）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（1）的开闭阀42（1）和原料气体供给管48（1）的开闭阀50（1）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，HIL喷嘴46（1）开始HIL原料气体（正确来讲，HIL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（1）、50（1）保持为打开（ON）状态，使HIL喷嘴46（1）持续HIL原料气体的喷出直至基板S的后端部从HIL喷嘴46（1）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（1）通过在运载气体供给管40（1）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将HIL气体46（1）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
HIL喷嘴46（1）从其狭缝型喷出口52（1）将HIL原料气体向正上方呈带状地喷出。呈带状地喷出的HIL原料气体呈带状地碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该呈带状碰撞的位置凝结而沉积。这样，如图4和图5所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从HIL喷嘴46（1）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以覆盖整个基板被处理面的整体的方式以固定的膜厚呈面状地形成空穴注入层（HIL）的薄膜。
此外，当在扫描移动中基板S的前端部到达HTL喷嘴46（2）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（2）的开闭阀42（2）和原料气体供给管48（2）的开闭阀50（2）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，HTL喷嘴46（2）开始HTL原料气体（正确来讲，HTL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（2）、50（2）保持为打开（ON）状态，使HTL喷嘴46（2）持续HTL原料气体的喷出直至基板S的后端部从HTL喷嘴46（2）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（2）通过在运载气体供给管40（2）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将HTL气体46（2）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
HTL喷嘴46（2）从其狭缝型喷出口52（2）将HTL原料气体向正上方呈带状地喷出。呈带状地喷出的HTL原料气体呈带状地碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该呈带状地碰撞的位置凝结而沉积。这样，如图4和图5所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从HTL喷嘴46（2）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以覆盖整个基板被处理面的方式以固定的膜厚呈面状地形成空穴输送层（HTL）的薄膜。
进一步，当在扫描移动中基板S的前端部到达REL喷嘴46（3）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（3）的开闭阀42（3）和原料气体供给管48（3）的开闭阀50（3）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，REL喷嘴46（3）开始REL原料气体（正确来讲，REL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（3）、50（3）保持为打开（ON）状态，使REL喷嘴46（3）持续REL原料气体的喷出直至基板S的后端部从REL喷嘴46（3）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（3）通过在运载气体供给管40（3）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将REL气体46（3）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
REL喷嘴46（3）从其狭缝型喷出口52（3）将REL原料气体向正上方呈梳齿状喷出。呈梳齿状地喷出的REL原料气体离散地碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该离散地碰撞的各位置凝结而沉积。这样，如图4、图5和图6所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从REL喷嘴46（3）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以从后追逐空穴注入层（HIL）和空穴输送层（HTL）的方式，一部分（呈线状）重叠于空穴输送层（HTL）之上以固定的膜厚和固定的间隔P呈线状形成多个R发光层（REL）的薄膜。
同样，当在扫描移动中基板S的前端部到达GEL喷嘴46（4）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（4）的开闭阀42（4）和原料气体供给管48（4）的开闭阀50（4）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，GEL喷嘴46（4）开始REL原料气体（正确来讲，GEL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（4）、50（4）保持为打开（ON）状态，使GEL喷嘴46（4）持续GEL原料气体的喷出直至基板S的后端部从GEL喷嘴46（4）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（4）通过在运载气体供给管40（4）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将GEL气体46（4）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
GEL喷嘴46（4）从其狭缝型喷出口52（4）将GEL原料气体向正上方呈梳齿状地喷出。呈梳齿状地喷出的GEL原料气体离散地碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该离散地碰撞的各位置凝结而沉积。这样，如图4、图5和图6所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从GEL喷嘴46（4）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以从后追逐空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）和R发光层（REL）的方式，与R发光层（REL）相邻地隔开固定的间隙g、一部分（呈线状）重叠于空穴输送层（HTL）之上以固定的膜厚和固定的间隔P呈线状形成多个G发光层（GEL）的薄膜。其中，线上涂敷膜间的间隙g为g=（P-3W）/3（图6）。
同样，当在扫描移动中基板S的前端部到达BEL喷嘴46（5）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（5）的开闭阀42（5）和原料气体供给管48（5）的开闭阀50（5）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，BEL喷嘴46（5）开始BEL原料气体（正确来讲，BEL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（5）、50（5）保持为打开（ON）状态，使BEL喷嘴46（5）持续BEL原料气体的喷出直至基板S的后端部从BEL喷嘴46（5）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（5）通过在运载气体供给管40（5）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将BEL气体46（5）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
BEL喷嘴46（5）从其狭缝型喷出口52（5）将BEL原料气体向正上方呈梳齿状地喷出。呈梳齿状地喷出的BEL原料气体离散地碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该离散地碰撞的各位置凝结而沉积。这样，如图4、图5和图6所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从BEL喷嘴46（5）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以从后追逐空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、R发光层（REL）和G发光层（REL）的方式，与R发光层（REL）和G发光层（GEL）相邻地隔开固定的间隙g、一部分（呈线状）重叠于空穴输送层（HTL）之上以固定的膜厚和固定的间隔P呈线状形成多个B发光层（BEL）的薄膜。
然后，当在扫描移动中基板S的前端部到达ETL喷嘴46（6）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（6）的开闭阀42（6）和原料气体供给管48（6）的开闭阀50（6）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，ETL喷嘴46（6）开始ETL原料气体（正确来讲，ETL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（6）、50（6）保持为打开（ON）状态，使ETL喷嘴46（6）持续ETL原料气体的喷出直至基板S的后端部从ETL喷嘴46（6）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（6）通过在运载气体供给管40（6）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将ETL气体46（2）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
ETL喷嘴46（6）从其狭缝型喷出口52（6）将ETL原料气体向正上方呈带状地喷出。呈带状地喷出的ETL原料气体呈带状碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该呈带状碰撞的位置凝结而沉积。这样，如图4所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从ETL喷嘴46（6）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以从后追逐空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）和RGB发光层（REL/GEL/BEL）的方式，重叠于空穴输送层（HTL）和R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）之上以固定的膜厚呈面状地形成电子输送层（ETL）的薄膜。
最后，当在扫描移动中基板S的前端部到达EIL喷嘴46（7）的跟前时，控制器18在规定的时刻将运载气体供给管40（7）的开闭阀42（7）和原料气体供给管48（7）的开闭阀50（7）从至此为止的关闭（OFF）状态切换为打开（ON）状态。由此，EIL喷嘴46（7）开始EIL原料气体（正确来讲，EIL原料气体与运载气体的混合气体）的喷出。之后，将开闭阀42（7）、50（7）保持为打开（ON）状态，使EIL喷嘴46（7）持续EIL原料气体的喷出直至基板S的后端部从EIL喷嘴46（7）的头上通过去为止。质量流量控制器（MFC）44（7）通过在运载气体供给管40（7）中流动的运载气体的压力或流量的控制，将EIL气体46（7）的气体喷出压力或流量控制为设定值。
EIL喷嘴46（7）从其狭缝型喷出口52（7）将EIL原料气体向正上方呈带状地喷出。呈带状地喷出的EIL原料气体呈带状碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该被呈带状碰撞的位置凝结而沉积。这样，如图4所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从EIL喷嘴46（7）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以从后追逐空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）和电子输送层（ETL）的方式，重叠于电子输送层（ETL）之上、以固定的膜厚呈面状地形成电子注入层（EIL）的薄膜。
这样，当基板S的后端从EIL喷嘴46（7）的头上通过时，控制器18控制移动机构12使载置台28停止。此外，控制蒸镀机构14和原料气体喷出部16，将运载气体供给管40（7）的开闭阀42（7）和原料气体供给管48（7）的开闭阀50（7）从打开（ON）状态切换为关闭（OFF）状态。接着，控制清洗机构（未图示），将处理室10内的气氛从减压状态换为大气压状态。之后，打开闸阀22，外部搬送装置将完成处理的基板S取出至处理室10外。之后，基板S为了在电子注入层（EIL）之上形成阴极而被移送至其它成膜装置（例如溅射装置）。
如上所述，在本实施方式的蒸镀装置中，在处理室10内仅使基板S在一个水平方向（X方向）上扫描移动一次，就能够在该基板S上叠层地形成多种有机物的薄膜即空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HIL）、R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）、电子输送层（ETL）和电子注入层（EIL），其中，R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）呈平行的线状图案地并置形成。这样，能够完全不使用阴影掩膜板，而通过在一个处理室10内的一次蒸镀处理制作图7所示那样的器件结构的有机EL彩色显示器。因此，能够将与阴影掩膜板有关的现有技术中的问题一次全部解决，能够大幅改善有机材料的利用效率、分涂效率、多层成膜效率、制造成品率、空间效率、成本，在大画面化和批量生产化方面也容易对应。
另外，作为具有图7所示那样的器件结构的有机EL彩色显示器的驱动方式，例如能够使用图8所示那样的无源矩阵方式。在这种情况下，阳极和阴极作为相互正交的线状电极（行电极/列电极）形成，当对两者交叉的位置（交点）的像素（R·G·B子像素）施加电压时，该子像素发光。
当然也能够采用有源矩阵方式。在有源矩阵方式的情况下，虽然省略图示，但是在阳极（ITO）侧按每个R·G·B子像素形成TFT（薄膜晶体管）和像素电极、进一步形成扫描线、信号线。另一方面，阴极成为共同电极，形成为一个面状薄膜。
[其它实施方式或变形例]
以下对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，在其技术思想的范围内能够为其它实施方式或各种变形。
例如，能够优选采用如下结构：如图9所示，在原料气体喷出部16，将用于形成并置型的R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）的REL喷嘴46（3）、GEL喷嘴46（4）、BEL喷嘴46（5）的各自的喷出口52（3）、52（4）、52（5），设置在与它们的喷嘴46（3）、46（4）、46（5）共同安装的一体的板体或喷出口板60。
根据该结构，如图10所示，在这些不同的喷嘴46（3）、46（4）、46（5）之间，能够使喷嘴长度方向（Y方向）上的喷出口52（3）、52（4）、52（5）的位置偏移或偏离量正确地与设定值（P/3）一致，而不需要麻烦的对准调整。
此外，作为与REL喷嘴46（3）、GEL喷嘴46（4）、BEL喷嘴46（5）的喷出口52（3）、52（4）、52（5）相关的其它实施例，能够优选采用如图11所示那样使各喷嘴46（3）、46（4）、46（5）的喷出口52（3）、52（4）、52（5）在扫描移动方向（X方向）上呈一列并列多个（在图示的例子中为4个）的结构。
根据该结构，关于各线状薄膜（REL/GEL/BEL），能够得到由一个喷出口52（3）、52（4）、52（5）形成的膜厚的数倍的膜厚。换言之，能够将从一个喷出口52（3）、52（4）、52（5）喷出的原料气体的压力或流量减少至几分之一。
作为另一个其它实施例，能够优选采用如图12所示那样在各喷嘴46（3）、46（4）、46（5）将各自的喷出口52（3）、52（4）、52（5）配置为交错状的结构。在该结构中，能够将各喷出口52（3）、52（4）、52（5）的喷嘴长度方向（Y方向）上的配置间隔扩大为2倍。
此外，在用于形成面状薄膜的HIL喷嘴46（1）、HTL喷嘴46（2）、ETL喷嘴46（6）和EIL喷嘴46（7）中，如图13所示，能够将各自的喷出口52（3）、52（4）、52（6）、52（7）形成为一列或多列的多孔型。在这种情况下，以将HIL原料气体、HTL原料气体、ETL原料气体和EIL原料气体分别实质上呈带状对从上方通过的基板S喷出的方式选择各喷出口52（3）、52（4）、52（6）、52（7）的口径、节距和间隔距离DL。
另外，在本发明的蒸镀装置中，相对于喷出各原料气体的长型喷嘴的基板移动方向（X方向）的配置的朝向、即喷嘴长度方向的朝向，通常如上述实施方式那样为正交方向（Y方向），但是根据需要也可以在水平面内从该方向（Y方向）倾斜。此外，接受蒸镀工艺的基板的姿势也不限定于面朝下方式，例如也能够为面朝上方式或使基板的被处理面朝向横方向的方式等。在各喷嘴中，喷出原料气体的方向也能够根据被处理基板的朝向或姿势采取任意的朝向。
此外，作为有机EL显示器的彩色发光方式，已知有如图14所示那样将B发光层（BEL）和R荧光层（RFL）与G荧光层（GFL）组合而成的变形的并置方式。在该器件结构中，在空穴输送层（HTL）之上，与上述R发光层（REL）和G发光层（GEL）同样地作为相邻的线状薄膜分别形成有机物质的R荧光层（RFL）和G荧光层（GFL）。而且，B发光层（BEL）不仅填补B的子像素的位置，而且在R荧光层（RFL）和G荧光层（GFL）之上也作为进行覆盖的面状薄膜形成。
在将本发明应用于该器件结构的制作的情况下，如图15和图16所示，将BEL喷嘴46（5）的喷出口52（5）呈狭缝状（或实质上进行带状的气体喷出的多孔状）地形成，并且将该喷出口52（5）配置在相对于从其正上方通过的基板S隔开适合于形成面状薄膜的、比较远的距离DL（通常为10～20mm）那样高的位置。
在蒸镀工艺中，其它喷嘴46（1）～46（4）、46（6）、46（7）对于成膜的作用与上述实施方式实质上相同，仅BEL喷嘴46（5）对于成膜的作用与上述实施方式差别较大。即，BEL喷嘴46（3）从其狭缝状（或多孔状）喷出口52（5）向正上方呈带状地喷出BEL原料气体。呈带状地喷出的BEL原料气体呈带状碰撞从其正上方通过的基板S的被处理面，在该呈带状碰撞的位置凝结而沉积。这样，如图16所示，在基板S以恒定速度在扫描移动方向（X方向）上从BEL喷嘴46（5）的上方通过期间，从基板S的前端向后端以从后追逐空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、R荧光层（RFL）和G荧光层（GFL）的方式，与R荧光层（RFL）和G荧光层（GFL）的相邻位置和上方重叠地以固定的膜厚呈面状地形成G发光层（GEL）的薄膜。
另外，在该实施例中，也可以将上述有机物质的R荧光层（RFL）和G荧光层（GFL）替换为有机物质的R磷光层（RPL）和G磷光层（GPL）。
在图15的原料气体喷出部16中，在REL喷嘴46（3）与GEL喷嘴46（4）之间还设置有隔壁板52。通过这样在相邻的线状薄膜形成用喷嘴之间设置隔壁板52，能够更有效地防止有机分子（原料气体分子）的反冲。在上述的其它实施例的原料气体喷出部16（例如图1）中，也基于同样的目的，能够在REL喷嘴46（3）与GEL喷嘴46（4）之间和GEL喷嘴46（4）与BEL喷嘴46（5）之间分别设置隔壁板52。
此外，在本发明的蒸镀装置中，将线状薄膜形成用喷嘴的喷出口设置于相对基板的被处理面极近的距离，因此能够适当地具备防止喷嘴的辐射热对基板上的有机膜施加影响的机构。例如，能够如图17A所示那样在喷嘴的喷出口的周围设置板状的隔热部62。该隔热部62包括热传导率高的部件，在内部具有使冷却介质（例如冷却水）cw流过的流路62a，吸收并遮断从喷嘴放射的热量。
此外，通过采用如图17B所示那样使喷嘴的前端部朝向喷出口呈锥状变细的结构，还能够不仅将隔热部62部配置在喷嘴喷出口的前方并横向配置。根据该结构，能够尽可能地使喷嘴的喷出口靠近基板（未图示）。
本发明的蒸镀装置对于在基板上在各种颜色发光层之间设置子像素分离用的隔壁或堤状部件的器件结构的制作也能够有利地应用。根据该子像素分离方式，例如如图18A所示，不仅R·G·B发光层（REL/GEL/BEL）而且空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、电子输送层（ETL）和电子注入层（EIL）也通过堤状部件（隔壁）64按各种不同颜色被分离。在这种情况下，能够在第一层（HIL）、第二层（HTL）、…各层中令有机薄膜的膜厚相同，并且个别地选择各层的膜质或材质，以使得各种颜色的发光特性各自独立地最佳化。进一步，如图18B所示，也能够根据各种颜色的分光特性将各薄膜的膜厚按各种颜色的每个颜色控制为独立的膜厚。例如，能够将R发光层（REL）的膜厚选择为140±20nm、将G发光层（GEL）的膜厚选择为120±20nm、将B发光层（BEL）的膜厚选择为100±20nm。
在本发明的蒸镀装置中，在蒸镀形成线状有机薄膜时，如上述那样不需要阴影掩膜板。但是，在之后的工序中例如在溅射工序中呈线状形成最上层的阴极时，存在使用阴影掩膜板的情况，在这种情况下，堤状部件64发挥保护比其低一些（一层）的各种不同颜色的有机薄膜不与阴影掩膜板接触的作用。
堤状部件64例如以丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等有机物为材质，例如还能够利用喷墨法或印刷法等在之前的工序中制作，但是在本发明的蒸镀装置中也能够利用蒸镀法与发光层等一起在基板S上制作。
在本发明的蒸镀装置中，在制作上述那样的器件结构的情况下，分别在蒸发机构14、原料气体排出部16和运载气体供给机构36增加设置用于形成堤状部件64的蒸发源、喷嘴、运载气体供给部（专用的气体管、开闭阀、MFC等）。堤状部件形成用的喷嘴优选配置在HIL喷嘴46（1）的上游侧的位置即最上游的位置。此外，堤状部件形成用的喷嘴、发光层形成用的喷嘴46（3）、46（4）、46（5）是理所当然、注入层形成用的喷嘴46（1）、46（7）和输送层形成用的喷嘴46（2）、46（6）也均为了形成线状薄膜而具有口径小的多孔型喷出口，且配置在使得各个喷嘴从非常近距离DS对基板S喷射原料气体的那样的位置。各线状薄膜或线状堤状部件的膜厚能够根据各原料气体的流量、喷嘴喷出口的口径、复用（多次使用）（图10的情况下）个别地控制或调节。
如本实施例那样，还能够将HIL喷嘴46（1）、HTL喷嘴46（2）、ETL喷嘴46（6）和EIL喷嘴46（7）中的任一喷嘴或所有喷嘴按各种不同颜色各设置多个。
在上述实施方式以及实施例中，在蒸镀扫描中，按R发光层（REL）、G发光层（GEL）和B发光层（BEL）的顺序在基板S上形成线状的各种颜色发光层。但是，并不限定于该顺序，而能够以任意的顺序形成线状的各种颜色发光层。因此，在原料气体喷出部16中，能够任意地选择REL喷嘴46（3）、GEL喷嘴46（4）和BEL喷嘴46（5）的配置顺序。
此外，在上述实施方式以及实施例中，以透明阳极（ITO）为基底层按空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、…的顺序将各有机层重叠地蒸镀形成。但是，也能够按相反方向，即以阴极为基底层按电子注入层（HIL）、电子输送层（ETL）、…的顺序将各有机层重叠地蒸镀形成。
另外，在有机EL显示器中，还存在将空穴注入层（HIL）、空穴输送层（HTL）、电子输送层（ETL）、电子注入层（HIL）的一部分省略的器件结构。在这样的器件结构的制作中当然也能够应用本发明。
此外，在上述的实施方式中，在构成有机EL显示器的多层膜的所有膜中均使用有机物质，但是在将有机物薄膜的一部分或全部替换为无机物质的薄膜的器件结构的制作中也能够应用本发明。进一步，在具有多光子（multiphoton）发光结构的有机EL的制作中也能够应用本发明。
上述实施方式与有机EL显示器有关，但是本发明能够应用于使用蒸镀法在基板上分涂多种线状薄膜的任意的成膜工艺或应用。因此，例如能够按各线状薄膜的不同种类独立地设定线状薄膜的线宽度W、各喷嘴的喷出口的口径和间隔距离D。
能够根据本实施方式的蒸镀装置和蒸镀方法制造照明装置。即，能够根据本实施方式的蒸镀装置和蒸镀方法，能够制造在基板上呈线状地成膜R发光层、G发光层和B发光层，通过使各发光层发光而发出白色光的照明装置。此外，例如能够根据本实施方式的蒸镀装置和蒸镀方法制造在基板上呈线状地成膜R发光层、G发光层和B发光层，通过能够调整各发光层的发光强度而能够调整发光的色感的照明装置。
附图标记说明
10  处理室
12  移动机构
14  蒸镀机构
16  原料气体喷出部
18  控制器
20  排气口
26  载置台
28  扫描部
30（1）～30（7）  蒸发源
34  加热器电源部
38  运载气体供给源
44（1）～44（7）  质量流量控制器（MFC）
46（1）～46（7）  喷嘴
48（1）～48（7）  气体管
50（1）～50（7）  开闭阀
52（1）～52（7）  喷出口
60  喷出口板
62  隔热部
64  堤状部件（隔壁）

Claims (56)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，具有：
收容处理对象的基板的处理室；
在所述处理室内使所述基板在第一方向上移动的移动机构；
使第一成膜原料蒸发而生成第一原料气体的第一蒸发源；
第一喷嘴，其具有第一喷出口，从所述第一蒸发源接收所述第一原料气体，从所述第一喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第一原料气体；
使第二成膜原料蒸发而生成第二原料气体的第二蒸发源；和
第二喷嘴，其具有在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述第一喷出口偏离的第二喷出口，从所述第二蒸发源接收所述第二原料气体，从所述第二喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第二原料气体，
在所述基板上，所述第一原料气体沉积，形成在所述第一方向上延伸的第一线状薄膜，并且在从所述第一线状薄膜离开的位置沉积所述第二原料气体，形成在所述第一方向上延伸的第二线状薄膜。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一喷嘴和第二喷嘴均为在所述第二方向上延伸的长型的喷嘴，使各自的配置位置在所述第一方向上相互错开，
在所述第一喷嘴和第二喷嘴中，所述第一喷出口和第二喷出口在所述第二方向上隔开固定的间隔分别设置多个。
3.如权利要求1或权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述第一喷嘴中，所述第一喷出口在所述第一方向上呈一列排列地设置多个。
4.如权利要求1～3中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述第二喷嘴中，所述第二喷出口在所述第一方向上呈一列排列地设置多个。
5.如权利要求1～4中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述第一喷嘴和第二喷嘴的喷出口的附近，分别设置将从所述第一喷嘴和第二喷嘴放出的辐射热吸收而遮断的隔热部。
6.如权利要求1～5中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
当设所述第一线状薄膜的线宽度设定值为W1时，所述第一喷出口的口径K1在K1=0.1～1.0W1中选择。
7.如权利要求1～6中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
当设所述第二线状薄膜的线宽度设定值为W2时，所述第二喷出口的口径K2在K2=0.1～1.0W2中选择。
8.如权利要求1～7中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一喷出口和第二喷出口形成在所述第一喷嘴和第二喷嘴所共有的一体的板体。
9.如权利要求1～8中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
具有第一运载气体供给部和第二运载气体供给部，该第一运载气体供给部和第二运载气体供给部分别将由所述第一蒸发源和第二蒸发源生成的所述第一原料气体和第二原料气体混合于运载气体，以所期望的压力或流量供给至所述第一喷嘴和第二喷嘴。
10.如权利要求1～9中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一线状薄膜和第二线状薄膜均为发光层。
11.如权利要求1～10中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一成膜材料和第二成膜材料均为有机物质。
12.如权利要求1～11中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，具有：
使第三成膜原料蒸发而生成第三原料气体的第三蒸发源；和
第三喷嘴，其具有在所述第二方向上从所述第一喷出口和第二喷出口偏离的第三喷出口，从所述第三蒸发源接收所述第三原料气体，从所述第三喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体，
在所述基板上，在从所述第一线状薄膜和第二线状薄膜离开的位置沉积所述第三原料气体，形成在所述第一方向上延伸的第三线状薄膜。
13.如权利要求12所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第三喷嘴为在所述第二方向上延伸的长型的喷嘴，配置于在所述第一方向上与所述第一喷嘴和第二喷嘴不同的位置，
在所述第三喷嘴中，所述第三喷出口在所述第二方向上隔开固定的间隔设置有多个。
14.如权利要求12或权利要求13所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述第三喷嘴中，所述第三喷出口在所述第一方向呈一列排列地设置有多个。
15.如权利要求12～14中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
当设所述第三线状薄膜的线宽度设定值为W3时，所述第三喷出口的口径K3在K3=0.1～1.0W3中选择。
16.如权利要求12～15中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一喷出口、第二喷出口和第三喷出口形成在所述第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴所共有的一体的板体。
17.如权利要求12～16中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第三线状薄膜为发光层。
18.如权利要求1～11中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，具有：
使第三成膜原料蒸发而生成第三原料气体的第三蒸发源；和
第三喷嘴，其具有在所述第一方向上从所述第一喷出口和第二喷出口向所述基板的移动的下游侧偏离的第三喷出口，从所述第三蒸发源接收所述第三原料气体，从所述第三喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体，
在所述基板上，在所述第一线状薄膜和第二线状薄膜之上沉积所述第三原料气体，形成面状的薄膜。
19.如权利要求18所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一线状薄膜和第二线状薄膜均为荧光层或磷光层。
20.如权利要求1～11中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，具有：
使第三成膜原料蒸发而生成第三原料气体的第三蒸发源；和
第三喷嘴，其具有在所述第一方向上从所述第一喷出口和第二喷出口向所述基板的移动的上游侧偏离的第三喷出口，从所述第三蒸发源接收所述第三原料气体，从所述第三喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷射所述第三原料气体，
在所述基板上，在形成所述第一线状薄膜和第二线状薄膜之前沉积所述第三原料气体，形成面状的薄膜。
21.如权利要求18～20中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述第三喷嘴中，所述第三喷出口在所述第二方向上呈狭缝状地延伸。
22.如权利要求18～20中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述第三喷嘴中，所述第三喷出口在所述第二方向隔开固定的间隔设置有多个。
23.如权利要求18～22中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第三喷出口配置在与所述第一喷出口和第二喷出口相比、与所述基板的距离间隔更大的位置。
24.如权利要求12～23中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
具有第三运载气体供给部，其将由所述第三蒸发源生成的所述第三原料气体混合于运载气体，以所期望的压力或流量供给至所述三喷嘴。
25.如权利要求1～11中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，具有：
使第三成膜原料蒸发而生成第三原料气体的第三蒸发源；和
第三喷嘴，其具有在所述第一方向上从所述第一喷出口和第二喷出口向所述基板的移动的上游侧偏离的第三喷出口，从所述第三蒸发源接收所述第三原料气体，从所述第三喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体，
在所述基板上，以将分别形成有所述第一线状薄膜和第二线状薄膜的区域之间填埋的方式沉积所述第三原料气体，形成在所述第一方向上延伸的隔壁。
26.如权利要求11～25中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述第一成膜材料、第二成膜材料和第三成膜材料均为有机物质。
27.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；
使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；
从第一喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第一原料气体的工序；
使所述第一原料气体沉积在所述基板上，形成在所述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；
使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第二原料气体的工序；和
使所述第二原料气体沉积在所述基板上从所述第一线状薄膜离开的位置，形成在所述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序。
28.如权利要求27所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第一喷出口和第二喷出口在所述第二方向上分别隔开固定的间隔设置有多个，
在所述基板上，所述第一线状薄膜和第二线状薄膜在所述第二方向上重复交替地形成。
29.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；
使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；
从第一喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第一原料气体的工序；
使所述第一原料气体沉积在所述基板上，形成在所述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；
使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第二原料气体的工序；
使所述第二原料气体沉积在所述基板上从所述第一线状薄膜离开的位置，形成在所述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；
使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口和第二喷出口偏离的第三喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体的工序；和
使所述第三原料气体沉积在所述基板上从所述第一线状薄膜和第二线状薄膜离开的位置，形成在所述第一方向上延伸的第三线状薄膜的工序。
30.如权利要求29所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第一喷出口、第二喷出口和第三喷出口在所述第二方向上分别隔开固定的间隔设置有多个，
在所述基板上，所述第一线状薄膜、第二线状薄膜和第三线状薄膜在所述第二方向上重复交替地形成。
31.如权利要求29或30所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第三喷出口在所述第一方向上呈一列排列地设置有多个，
在所述基板上，所述第三线状薄膜通过多次重叠蒸镀而形成。
32.如权利要求29～31中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
当设所述第三线状薄膜的线宽度设定值为W3时，所述第三喷出口的口径K3在K3=0.1～1.0W3中选择。
33.如权利要求29～32中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第三线状薄膜为发光层。
34.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；
使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；
从第一喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第一原料气体的工序；
使所述第一原料气体沉积在所述基板上，形成在所述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；
使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第二原料气体的工序；
使所述第二原料气体沉积在所述基板上从所述第一线状薄膜离开的位置，形成在所述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；
使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；
从在所述第一方向上自所述第一喷出口和第二喷出口向所述基板的移动的下游侧偏离的第三喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体的工序；和
在所述基板上，在所述第一线状薄膜和第二线状薄膜之上使所述第三原料气体沉积，形成第一面状薄膜的工序。
35.如权利要求34所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第一线状薄膜和第二线状薄膜均为荧光层或磷光层，所述第一面状薄膜为发光层。
36.如权利要求34或35所述的蒸镀方法，其特征在于，包括：
使第四成膜原料蒸发，生成第四原料气体的工序；
从在所述第一方向上自所述第三喷出口向所述基板的移动的下游侧偏离的第四喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第四原料气体的工序；和
在所述基板上，在所述第一面状薄膜之上使所述第四原料气体沉积，形成第二面状薄膜的工序。
37.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；
使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；
从第一喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第一原料气体的工序；
使所述第一原料气体沉积在所述基板上，形成在所述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；
使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第二原料气体的工序；
使所述第二原料气体沉积在所述基板上从所述第一线状薄膜离开的位置，形成在所述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；
使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；
从在所述第一方向上自所述第一喷出口和第二喷出口向所述基板的移动的上游侧偏离的第三喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体的工序；和
在形成所述第一线状薄膜和第一线状薄膜之前，使所述第三原料气体沉积在所述基板上，形成第一面状薄膜的工序。
38.如权利要求37所述的蒸镀方法，其特征在于：
使第四成膜原料蒸发，生成第四原料气体的工序；
从在所述第一方向上自所述第三喷出口向所述基板的移动的上游侧偏离的第四喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出第四原料气体的工序；和
在形成所述第一面状薄膜之前，使所述第四原料气体沉积在所述基板上，形成第二面状薄膜的工序。
39.如权利要求36或38所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第四喷出口配置在与所述第一喷出口和第二喷出口相比、与所述基板的距离间隔更大的位置。
40.如权利要求36、38、39中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
将所述第四原料气体与运载气体混合，以所期望的压力或流量从所述第四喷出口分别喷出。
41.如权利要求36、37、39、40中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第四成膜材料为有机物质。
42.如权利要求34～41中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第三喷出口配置在与所述第一喷出口和第二喷出口相比、与所述基板的距离间隔更大的位置。
43.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在处理室内使基板在第一方向上移动的工序；
使第一成膜原料蒸发，生成第一原料气体的工序；
从第一喷出口向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第一原料气体的工序；
使所述第一原料气体沉积在所述基板上，形成在所述第一方向上延伸的第一线状薄膜的工序；
使第二成膜原料蒸发，生成第二原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口偏离的第二喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第二原料气体的工序；
使所述第二原料气体沉积在所述基板上从所述第一线状薄膜离开的位置，形成在所述第一方向上延伸的第二线状薄膜的工序；
使第三成膜原料蒸发，生成第三原料气体的工序；
从在与所述第一方向交叉的第二方向上自所述第一喷出口和第二喷出口偏离的第三喷出口，向在所述处理室内移动的所述基板喷出所述第三原料气体的工序；和
在所述基板上，使所述第三原料气体以将分别形成所述第一线状薄膜和第二线状薄膜的区域之间填埋的方式沉积，形成在所述第一方向上延伸的隔壁的工序。
44.如权利要求29～43中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
将所述第三原料气体与运载气体混合，以所期望的压力或流量从所述第三喷出口分别喷出。
45.如权利要求29～44中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第三成膜材料为有机物质。
46.如权利要求27～45所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第一喷出口在所述第一方向上呈一列排列地设置有多个，
在所述基板上，所述第一线状薄膜通过多次的重叠蒸镀而形成。
47.如权利要求27～46所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第二喷出口在所述第一方向上呈一列排列地设置有多个，
在所述基板上，所述第二线状薄膜通过多次的重叠蒸镀而形成。
48.如权利要求27～47中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
当设所述第一线状薄膜的线宽度设定值为W1时，所述第一喷出口的口径K1在K1=0.1～1.0W1中选择。
49.如权利要求27～47中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
当设所述第二线状薄膜的线宽度设定值为W2时，所述第二喷出口的口径K2在K2=0.1～1.0W2中选择。
50.如权利要求27～49中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
将所述第一原料气体和第二原料气体与运载气体混合，以所期望的压力或流量从所述第一喷出口和第二喷出口分别喷出。
51.如权利要求27～33、36～50中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第一线状薄膜和第二线状薄膜均为发光层。
52.如权利要求27～51中任一项所述的蒸镀方法，其特征在于：
所述第一成膜材料和第二成膜材料均为有机物质。
53.一种有机EL显示器，其特征在于：
使用权利要求1～26中任一项所述的蒸镀装置制造。
54.一种照明装置，其特征在于：
使用权利要求1～26中任一项所述的蒸镀装置制造。
55.一种有机EL显示器，其特征在于：
使用权利要求27～52中任一项所述的蒸镀方法制造。
56.一种照明装置，其特征在于：
使用权利要求27～52中任一项所述的蒸镀方法制造。
CN201280011161XA 2011-03-03 2012-03-02 蒸镀装置、蒸镀方法、有机el显示器和照明装置 Pending CN103430624A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011046438 2011-03-03
JP2011-046438 2011-03-03
PCT/JP2012/055445 WO2012118199A1 (ja) 2011-03-03 2012-03-02 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌディスプレイ、及び照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103430624A true CN103430624A (zh) 2013-12-04

Family

ID=46758124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280011161XA Pending CN103430624A (zh) 2011-03-03 2012-03-02 蒸镀装置、蒸镀方法、有机el显示器和照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140315342A1 (zh)
JP (1) JPWO2012118199A1 (zh)
KR (1) KR20140022804A (zh)
CN (1) CN103430624A (zh)
TW (1) TW201250024A (zh)
WO (1) WO2012118199A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103695848A (zh) * 2013-12-30 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及其蒸镀方法
CN113151787A (zh) * 2016-07-05 2021-07-23 佳能特机株式会社 蒸镀装置及蒸发源

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014047416A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌディスプレイ、および有機ｅｌ照明装置
KR102192500B1 (ko) * 2013-10-24 2020-12-17 히다치 조센 가부시키가이샤 진공증착장치용 매니폴드
CN104617223B (zh) * 2015-02-03 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制作方法和蒸镀设备
CN107326359B (zh) * 2016-04-28 2019-12-17 清华大学 有机薄膜制备装置和制备方法
KR102551354B1 (ko) * 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210028314A (ko) * 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
JP7247142B2 (ja) * 2020-06-25 2023-03-28 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置及び蒸発源

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020009538A1 (en) * 2000-05-12 2002-01-24 Yasuyuki Arai Method of manufacturing a light-emitting device
CN1500904A (zh) * 2002-10-21 2004-06-02 日本东北先锋公司 真空蒸镀装置及用该装置制造有机el显示面板的方法
JP2007046100A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp 蒸着装置、および表示装置の製造システム
CN101501238A (zh) * 2006-08-09 2009-08-05 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜系统及成膜方法
JP2009256705A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置
CN101682956A (zh) * 2007-08-31 2010-03-24 夏普株式会社 有机el显示装置及其制造方法
WO2010114118A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッドおよび成膜装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4597421B2 (ja) * 2000-05-12 2010-12-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN102369787A (zh) * 2009-03-31 2012-03-07 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜方法和有机el元件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020009538A1 (en) * 2000-05-12 2002-01-24 Yasuyuki Arai Method of manufacturing a light-emitting device
CN1500904A (zh) * 2002-10-21 2004-06-02 日本东北先锋公司 真空蒸镀装置及用该装置制造有机el显示面板的方法
JP2007046100A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp 蒸着装置、および表示装置の製造システム
CN101501238A (zh) * 2006-08-09 2009-08-05 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜系统及成膜方法
CN101682956A (zh) * 2007-08-31 2010-03-24 夏普株式会社 有机el显示装置及其制造方法
JP2009256705A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置
WO2010114118A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッドおよび成膜装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103695848A (zh) * 2013-12-30 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及其蒸镀方法
CN103695848B (zh) * 2013-12-30 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及其蒸镀方法
CN113151787A (zh) * 2016-07-05 2021-07-23 佳能特机株式会社 蒸镀装置及蒸发源
CN113151787B (zh) * 2016-07-05 2023-05-23 佳能特机株式会社 蒸镀装置及蒸发源

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012118199A1 (ja) 2014-07-07
TW201250024A (en) 2012-12-16
US20140315342A1 (en) 2014-10-23
KR20140022804A (ko) 2014-02-25
WO2012118199A1 (ja) 2012-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103430624A (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法、有机el显示器和照明装置
EP1932937B1 (en) Film forming apparatus, film forming system, film forming method, and method for manufacturing electronic device or organic electroluminescence element
JP6904681B2 (ja) 超純粋ガス環境において気相から多層有機薄膜をプリンティングするための装置及び方法
KR101097737B1 (ko) 박막 증착 장치와 박막 증착 방법 및 박막 증착 시스템
CN102005541B (zh) 薄膜沉积设备和制造有机发光显示设备的方法
KR101036123B1 (ko) 박막 증착 장치
US8728858B2 (en) Multi-nozzle organic vapor jet printing
CN106784310B (zh) 用于通过喷嘴沉积有机材料的方法和所述方法中使用的装置
JP5710734B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
JP4538650B2 (ja) 蒸着装置
US20120068201A1 (en) Thin Film Deposition Apparatus, Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Device by Using the Apparatus, and Organic Light-Emitting Display Device Manufactured by Using the Method
KR20190101303A (ko) 모듈식 한정형 유기 프린트 헤드 및 시스템
US20110033964A1 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
CN102286727A (zh) 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置
JP2012211352A (ja) 蒸発源並びに有機ｅｌデバイス製造装置及び有機ｅｌデバイス製造方法
KR101146981B1 (ko) 증착 장치 및 그 제어 방법
KR20220060507A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기층 증착 장치
US20120094025A1 (en) Substrate Depositing System and Method
US8709837B2 (en) Deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same
EP1930465A1 (en) Film material and method for prediction of film material
WO2012133201A1 (ja) 蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置
TW201404906A (zh) 真空蒸鍍裝置
CN111788330A (zh) 成膜装置、蒸镀膜的成膜方法以及有机el显示装置的制造方法
KR102641720B1 (ko) 증착용 각도제한판 및 이를 포함하는 증착장치
WO2014034499A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌディスプレイ、および有機ｅｌ照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20131204