CN102099693A - 测量用探测器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种测量用探测器，其特别地用于非接触式矢量网络分析系统，该测量用探测器具有壳体(10)以及至少一个耦合结构(12)，耦合结构(12)被布置于壳体(10)上并被设计成耦合来自信号线路(16)的HF信号；其中，该测量用探测器还具有至少一个信号探测器(14)，信号探测器(14)被配置于壳体(10)上并用于将电信号耦合到信号线路(16)中。

Description

测量用探测器
技术领域
本发明涉及一种如权利要求1的前序部分所述的测量用探测器，其特别地用于非接触式矢量网络分析系统(contactless vector network analysis system)；该测量用探测器具有壳体以及被配置于壳体上的至少一个耦合结构，该耦合结构被设计成耦合来自信号线路的RF信号。
背景技术
根据例如如下的参考文献(1)-(3)可知，已使用用于检测干扰发射(interfering emission)的非接触式环型测量用探测器(contactless loop-type measuring probe)，特别是在电磁兼容性(EMC)领域。
参考文献(1)H.Whiteside，R.W.P.King“The loop antenna as a probe”，IEEE Transactions on Antennas and Propagation，Vol.12，No.3，pp.291-297，May 1964；
参考文献(2)M.Kanda“An electromagnetic near-field sensor for simultaneous electric and magnetic-field measurements”，IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，Vol.26，No.3，pp.102-110，August 1984；
参考文献(3)M.E.G.Upton，A.C.Marvin，“Improvements to an electromagnetic near-field sensor for simultaneous electric and magnetic field measurements”，IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility，Vol.35，No.1，pp.96-98，February 1993。
根据例如如下的参考文献(4)-(8)可知，环型探测器还用于制造定向耦合器。定向耦合器是通常包括两条彼此耦合的线路的四端口器件。定向耦合器用于将线路上的前向波(forward wave)和后向波(backward wave)分开。
参考文献(4)K.W.Wagner“Induktionswirkung von Wanderwellen in Nachbarleitungen”[Inductive effect of travelling waves on neighbouring lines]，Elektronische Zeitschrift，Vol.35，pp.639-643，677-680，705-708，1914；
参考文献(5)P.P.Lombardini，R.F.Schwartz，P.J.Kelly，“Criteria for the design of loop-type directional couplers for the L band”，IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，Vol.4，No.4，pp.234-239，October 1956；
参考文献(6)B.Maher，“An L-band loop-type coupler”，IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，Vol.9，No.4，pp.362-363，July 1961；
参考文献(7)F.De Groote，J.Verspecht，C.Tsironis，D.Barataud and J.-P.Teyssier，“An improved coupling method for time domain load-pull measurements”，European Microwave Conference，Vol.1，p.4 et seq.October 2005；
参考文献(8)K.Yhland，J.Stenarson，“Noncontacting measurement of power in microstrip circuits”，65th ARFTG，pp.201-205，June 2006。
根据例如如下的参考文献(9)-(12)可知，除了环型探测器，同样用于EMC技术以及用于特征化电气组件的还有纯感应探测器或电容性探测器。
参考文献(9)T.Zelder，H.Eul，“Contactless network analysis with improved dynamic range using diversity calibration”，Proceedings of the 36th European Microwave Conference，Manchester UK，pp.478-481，September 2006；
参考文献(10)T.Zelder，H.Rabe，H.Eul，“Contactless electromagnetic measuring system using conventional calibration algorithms to determine scattering parameters”，Advances in Radio Sciences-Kleinheubacher Berichte 2006，Vol.5，2007；
参考文献(11)T.Zelder，I.Rolfes，H.Eul，“Contactless vector network analysis using diversity calibration with capacitive and inductive coupled probes”，Advances in Radio Science-Kleinheubacher Berichte 2006，Vol.5，2007；
参考文献(12)J.Stenarson，K.Yhland，C.Wingqvist，“An in-circuit noncontacting measurement method for S-parameters and power in planar circuits”，IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，Vol.49，No.12，pp.2567-2572，December 2001。
用于将前向波和后向波分开的可能的耦合结构是参考文献(5)和参考文献(6)所述的环型定向耦合器。环型定向耦合器包括被布置在波导(waveguide)之上或波导之中的导体环路。在该情况下，可以使用例如空腔波导、平面带状线路或共轴线路等任何期望类型的波导。环型定向耦合器具有多种应用。例如，如参考文献(7)和参考文献(8)所述，环型定向耦合器被用作非接触式测量系统的组件。
可通过非接触式矢量网络分析来确定嵌入在复杂电路中的电气组件的散射参数(scattering parameter)。这记载在例如如下的参考文献(13)中。与传统的使用接触的网络分析方法相比，网络分析仪的内部定向耦合器被与分析仪的测量矢量点直接连接的非接触式近场(near field)测量用探测器所代替。
参考文献(13)T.Zelder，B.Geck，M.Wollitzer，I.Rolfes and H.Eul，“Contactless network analysis system for the calibrated measurement of the scattering parameters of planar two-port devices”，Proceedings of the 37th European Microwave Conference，Munich，Germany，pp.246-249，October 2007。
为了利用非接触式的通常为矢量的测量系统确定待测器件(device under test，DUT)的散射参数，使用感应耦合结构和/或电容性耦合结构。将测量用探测器置于待测器件的信号线路之上的电磁近场中。借助于这些耦合结构确定与待测器件直接连接的信号线路中的电流和/或电压。可选择地，还测量信号线路上的前向波和后向波，在这种情况下，定向耦合器特别是环型耦合器被用作将前向波和后向波彼此分开的耦合结构。为了测量散射参数，如接触式网络分析中一样，使用例如TRL(参考文献(14))等的传统校准方法。
参考文献(14)G.F.Engen and C.A.Hoer“Thru-reflect-line：an improved technique for calibrating the dual six-port automatic network analyser”，IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，Vol.12，pp.987-993，December 1979。
在非接触式矢量网络分析中，对于待进行测量的未知待测器件(DUT)的每一个端口，需要例如导体环路或两个电容性探测器等的至少一个测量用探测器。例如，使用由共轴半刚性线路制成的非接触式导体环路(参见参考文献(7)和参考文献(8))。可选地，在非接触式测量系统中仅使用电容性探测器(参见参考文献(9)和参考文献(10))。用电容性探测器和感应探测器的组合来制造参考文献(11)和参考文献(12)中的测量系统。参考文献(9)、(10)、(11)、(13)中的探测器的特有特征是将探测器和信号线路制造于同一基板上。
尽管非接触式矢量网络分析具有使组件能够被非接触地特征化的潜力，但是，尚未实现对嵌入在电路中的RF或微波组件进行散射参数的非接触式测量。迄今为止，非接触式探测器的位置在校准期间或校准之后从未改变过，但是，如果要在电路中进行测量，则非接触式探测器的位置改变是必需的。在参考文献(13)中，通过采用伪(pseudo)非接触式测量对未知的嵌入式两端口器件进行特征化。在该情况下，伪非接触式测量的含义是：使用印刷的耦合结构，而不是全部地使用非接触式探测器。
对于散射参数为复数值的两端口器件的散射参数的非接触式确定，两个非接触式环型探测器与矢量网络分析仪的各对测量点连接。为了特征化嵌入在多个组件之间的DUT(待测器件)，将探测器置于DUT的供电线路的近场中该供电线路的两侧。为了确定散射参数，以两种不同的状态测量DUT的前向波和后向波。为了产生两种不同的状态，网络分析仪具有转换开关，从而使得信号能够一次是从左侧馈送到电路中、一次是从右侧馈送到电路中。如果利用切换器在两个位置测量前向波和后向波，则由此能够确定嵌入式DUT的全部的两端口散射参数。然而，在散射参数的非接触式确定中，存在如下的不能确定全部的散射参数的情况。以下将说明两种情况。
情况1：如果例如嵌入有DUT的电路中的末级两端口器件(图3中在44和46之间的34)是仅能够在前向方向(参见图3中的切换位置I)上工作的放大器(在其它方向具有非常高的输入阻抗)，以及如果以迄今在非接触式矢量网络分析中常用的方式使切换器54的两个输出部在点36和46处连接在一起，而不是如图3所示使切换器54的两个输出部与平面线路16连接，则仅在切换位置I获得适于分析的结果。在切换位置II中，几乎全部功率均通过反向工作的放大器反馈到信号发生器，并且在非接触式环型探测器的测量点，用于测量的信号消失在噪声中。
情况2：如果电路中的两端口器件对DUT的左侧和右侧的衰减太高，则用于正确测量的动态范围太小。
发明内容
本发明的目的是改进上述现有的测量用探测器的测量精确性和应用范围。
为了实现该目的，本发明提供了具有权利要求1所述特征的测量用探测器。在其它权利要求中说明了本发明的优选实施方式。
根据本发明，针对上述现有的测量用探测器，将至少一个用于将电信号耦合到信号线路中的附加信号探测器配置于壳体上。
这具有如下的优势：对于待进行的测量，通过DUT的信号不必经由嵌入有该DUT的电路的所有组件才输送到该DUT，而是通过测量用探针(探测器)直接将信号馈送到该DUT的上游或下游。在该方法中，能够充分地测量DUT的散射参数，而不用考虑电路中可能存在其它组件。
信号探测器采取非接触式导体环路的形式，或者采取与信号线路电接触并机械接触的测量用探针的形式，这是有用的；其中，测量用探针被设计和配置成，当测量用探针与信号线路电接触并机械接触时，耦合结构至少位于信号线路的近场中或者与信号线路电接触并机械接触。
非接触式信号探测器采取纯感应探测器、纯电容性探测器或感应探测器和电容性探测器组合的形式，这是有用的。
在优选实施方式中，耦合结构采取非接触式导体环路的形式，或者采取与信号线路电接触并机械接触的测量用探针的形式。
非接触式耦合结构采取纯感应探测器、纯电容性探测器或感应探测器和电容性探测器组合的形式，这是有用的。
耦合结构的接地部和信号探测器的接地部电连接在一起，这是有用的。
因为耦合结构是阻抗受控(impedance-controlled)的，所以获得高定向衰减和高输入阻抗并产生较少的鞘波(sheath wave)，从而使得测量用探测器能够被限定得更适于分析目的，并使截止频率比在非阻抗受控的测量用探测器的情况下高。
为了改善信号品质，将电信号放大器配置在信号探测器的输入路径中和/或耦合结构的输出路径中。
为了设定放大器的工作点，信号探测器和/或耦合结构被施加有DC电压。
在优选实施方式中，壳体由金属材料、吸收性材料(absorbent material)和/或塑料材料制成。
壳体包覆于吸收性材料中，这是有用的。
根据具体情况，为了使测量用探测器能够配置在靠近它或者与它电接触并机械接触的信号导体的受控距离内，还设置用于确定耦合结构和信号导体之间的距离的器件。
用于确定所述距离的器件包括例如光距离传感器、电距离传感器、机械距离传感器和/或机电距离传感器。
为了使测量用探测器能够在受控状态下配置在信号导体附近的三维空间中或与信号导体机械接触并电接触，还设置用于确定测量用探测器的空间位置的器件。
用于确定测量用探测器的空间位置的器件是例如图像传感器。
在优选的实施方式中，测量用探测器还具有至少一个用于在空间中定位测量用探测器的定位装置，从而使测量用探测器在空间中的至少一个方向上可移位。定位装置具有例如至少一个定位马达，特别是步进马达，并且定位装置优选配置于壳体上。
为了能够独立地定位耦合结构和信号探测器，测量用探测器具有分别用于耦合结构和信号探测器的独立的定位装置。
附图说明
以下将参考附图详细说明本发明。在附图中：
图1是测量装置中根据本发明的测量用探测器的优选实施方式的示意图。
图2是图1所示的优选实施方式的俯视图。
图3是具有矢量网络分析仪(VNA)的测量装置的示意图。
具体实施方式
图1和图2所示的根据本发明的测量用探测器的优选实施方式包括壳体10、耦合结构12以及信号探测器14，其中，耦合结构12采取非接触式测量环路的形式或环型探测器的形式，信号探测器14采取与信号线路16电接触并机械接触的测量用探针的形式。耦合结构12被形成为具有构成输出路径的第一端口18和第二端口20，以使耦合结构12耦合来自信号线路16的电信号。信号探测器14被形成为具有输入部22，以使信号探测器14将电信号耦合到信号线路16中。信号探测器14被配置和设计成：当信号探测器14与信号线路16以图1所示的方式电接触并机械接触时，耦合结构12位于信号线路16的近场中，即，耦合结构12非接触地耦合来自信号线路16的信号。
信号线路16是印刷电路板30上的电气或电子电路的一部分，该电气或电子电路包括待测试的嵌入式电气或电子组件24(DUT，待测器件)以及其它的电气或电子组件26和28。信号线路16采取例如带状线路(stripline)的形式。
在图3中，利用与图1所示的附图标记相同的附图标记表示以相同方式工作的部分，因此，关于这部分的说明请见上述对图1的描述。在印刷电路板30上，电子电路还包括电子组件32和34，电子组件32和34采取例如仅能在前向方向上工作且在其它方向上具有非常高的固有阻抗(intrinsic impedance)的放大器的形式。组件26、28、32和34以及DUT 24本质上是经由信号线路16构成环路的两端口器件。另外，36表示印刷电路板30上的第一位置，38表示印刷电路板30上的第二位置，40表示印刷电路板30上的第三位置，42表示印刷电路板30上的第四位置，44表示印刷电路板30上的第五位置，46表示印刷电路板30上的第六位置。48表示参考电平。图3所示的是具有根据本发明的两个测量用探测器和矢量网络分析仪(VNA)50的测量装置。VNA 50包括信号源52、具有切换位置I和切换位置II的切换器54、第一测量端口56、第二测量端口58、第三测量端口60和第四测量端口62。附图标记64表示分析仪的复数阻抗(complex impedance)。信号源52经由切换器54与信号探测器14其中之一的输入部22连接。测量端口56、58、60和62与输出部18和20连接。根据切换器54的位置，通过在DUT 24的不同侧的信号探测器14将来自信号源52的信号耦合到信号线路16中。
借助于根据本发明的测量用探测器，被耦合到信号线路16中的信号的功率可以不经由所有的组件26、28、32和34馈送到DUT 24，而借助信号探测器12直接馈送到DUT 24的上游。然后，将耦合结构12分别置于功率进给机构(infeed of the power)的后面，或者分别置于功率进给机构的下游。根据本发明，非接触式耦合结构12和接触配置式(contact-equipped)信号探测器组合为一体，优选地组合在壳体内。组合式测量用探测器的进一步的优势在于如下的事实：最优化的组合需要更少的定位空间。通常，例如电子电路的组件24、26、28、32和34等的待测器件两两之间的距离非常有限。另一个优势是：可以将DC电压作为偏压(bias)馈送到测量用探测器中可能存在的放大器。使用放大器能够改善信噪比(signal to noise ratio)。由于使用根据本发明的具有测量用信号发送探针(signalling prod for measurement)14的测量用探测器，如从图3可以看出的那样，正被检查的平面电路的端部被保持为未连接。如果使用七项校准处理(7-term calibrating process)，来自未连接的端部的反馈不会影响测量的结果。
作为示例，图2所示的是：如何修改印刷电路板30上待检测的平面微型带状电路的构造，以能够使用根据本发明的组合式测量用探测器。为了发送信号，在图2的作为示例所示的实施方式中，在平面微型带状线路16的附近设置有接触垫，该接触垫具有到接地部的通孔66。在不同的实施方式中，如果待测器件与共面线路连接，则电路中不必设置额外的接触垫。提供馈电的信号探测器14采取经由壳体与非接触式探测器12连接的传统测量用在片(on-wafer)探针的形式。
根据本发明的组合式测量用探测器包括至少一个耦合结构12和至少一个信号探测器14，其中，耦合结构12耦合沿外部线路16传播的电磁波的至少一部分，信号探测器14用于向外部线路16传输功率。在该情况下，耦合结构12和信号探测器14可以都是非接触式或接触配置式的，也可以是非接触式和接触配置式的组合。换句话说，将至少一个耦合结构12与至少一个测量用信号发送探针14组合，以形成测量用探测器单元。将两种探测器(耦合结构12和信号探测器14)的接地部电连接在一起，这是有用的。优选地，两种探测器具有共同的壳体和共同的支架(mounting)。
如图3所示，根据本发明的组合式测量用探测器特别适用于非接触式矢量网络分析系统。然而，也可以用于其它领域。
在示例性实施方式中，测量用接触配置式探针14的几何形状与传统在片探测器的几何形状相同。对于该实施方式，重要的是，测量用探针14具有至少一个用于与(平面)波导16进行电接触的金属接触板，其中，(平面)波导16与DUT 24电连接。可选择地，金属接触板可以经由内部波导(在测量用探测器的壳体10中)与外部接口(例如SMA连接器)连接。外部接口用于连接测量用探针14和信号发生器52。
作为示例，测量用探针14和耦合结构均被制成阻抗受控的，即，使它们的输入回波损耗(input return loss)最大化。
将例如感应探测器、电容性探测器或纯感应探测器与纯电容性探测器的组合用作耦合结构12和信号探测器14。非接触式耦合结构可以采取例如环型探测器的形式。
在本发明的优选设计中，在测量用探针14的输入路径22和/或耦合结构12的输出路径18和20中配置用于改善信号品质的放大器。这使得根据本发明的组合式测量用探测器变成有源的测量用探测器。在有源的测量用探测器中，将测量用探针14和耦合结构12连接至DC电源(偏压电源)，以向放大器提供叠加在RF测试信号上的DC电压，从而允许设定工作点，这可能是有用的。
根据本发明的组合式测量用探测器的壳体可以由任意期望的材料制成。可以制备例如被包覆有吸收性材料的金属壳体。可选择地，可以制备塑料材料的壳体或吸收性材料的壳体。
作为示例，根据本发明的组合式测量用探测器可具有用于自动定位或用于检测三维位置的传感器。
优选地，将耦合结构12与端部形成接口的至少一个波导连接。如果连接两个波导，则通常称其为环型探测器。在不同的情况下，还可以将耦合结构12与大于一个或两个的波导连接。耦合结构12还可以包括单独的探测器(例如电容性探测器)。
在优选的设计中，根据本发明的组合式测量用探测器具有用于在三维空间中进行调节的机构(facilities)，从而能够设定例如非接触式耦合结构12和与DUT 24连接的波导16之间的距离。例如，通过用于在(例如线性的X-Y-Z工作台的)三维空间中进行调节的机构，改变耦合结构12相对于测量用探针14的位置。在该情况中，作为示例，用于在三维空间中进行调节的机构被设计成机械可控或电可控。可自动进行调节处理，从而使得总是选择最佳位置进行耦合。
本发明的另一个优选的设计是将形成组合式测量用探测器的组合与定位装置组合，从而使得组合式测量用探测器能够在所有维数内移位或者仅在其中的一维或两维等的维数内移位。作为示例，该定位装置可包含在壳体中，也可经由支架与组合式测量用探测器连接。作为示例，该定位装置可以是手动的，也可以是马达驱动的。因此，该定位装置可以是有源的，也可以是无源的。该定位装置优选包括用于控制目的的控制线路。
作为示例，根据本发明的组合式测量用探测器可以具有两个独立的定位装置，从而使得接触配置式信号探测器14和非接触式耦合结构12能够彼此独立地被定位，或者换句话说，使得能够相互独立地设定接触配置式信号探测器14的位置和非接触式耦合结构12的位置。
耦合结构12还可以包括多个独立的电容性探测器或感应探测器，和/或感应耦合和电容性耦合的探测器。

Claims (22)

1.一种测量用探测器，其特别地用于非接触式矢量网络分析系统，该测量用探测器具有壳体(10)以及至少一个耦合结构(12)，所述耦合结构(12)被配置于所述壳体(10)上并被设计成耦合来自信号线路(16)的RF信号，其特征在于，还具有至少一个用于将电信号耦合到所述信号线路(16)中的信号探测器(14)，所述信号探测器(14)被配置于所述壳体(10)上。
2.根据权利要求1所述的测量用探测器，其特征在于，所述信号探测器(14)采取与所述信号线路(16)电接触并机械接触的测量用探针的形式；所述测量用探针(14)被设计和配置成，当所述测量用探针(14)与所述信号线路(16)电接触并机械接触时，所述耦合结构(12)至少位于所述信号线路(16)的近场中或者与所述信号线路(16)电接触并机械接触。
3.根据权利要求1所述的测量用探测器，其特征在于，所述信号探测器(14)采取非接触式的导体环路或环型探测器的形式。
4.根据权利要求3所述的测量用探测器，其特征在于，所述非接触式的信号探测器(14)采取纯感应探测器、纯电容性探测器或感应探测器和电容性探测器组合的形式。
5.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述耦合结构(12)采取与所述信号线路(16)电接触并机械接触的测量用探针的形式。
6.根据权利要求1-4中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述耦合结构(12)采取非接触式的导体环路或环型探测器的形式。
7.根据权利要求6所述的测量用探测器，其特征在于，所述非接触式的耦合结构(12)采取纯感应探测器、纯电容性探测器或感应探测器和电容性探测器组合的形式。
8.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述耦合结构(12)的接地部和所述信号探测器(14)的接地部电连接在一起。
9.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述耦合结构(12)和所述信号探测器(14)均被制造成阻抗受控的，使所述信号探测器(14)与所述信号探测器(14)的输入部(22)之间的信号路径的阻抗、所述信号探测器(14)的阻抗以及所述信号探测器(14)的输入部(22)的阻抗彼此匹配，以获得高输入回波损耗，使所述耦合结构(12)与所述耦合结构(12)的第一端口(18)之间的阻抗、所述耦合结构(12)与所述耦合结构(12)的第二端口(20)之间的阻抗、所述耦合结构(12)的阻抗、所述耦合结构(12)的第一端口(18)的阻抗以及所述耦合结构(12)的第二端口(20)的阻抗彼此匹配，以获得高输入回波损耗。
10.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述信号探测器(14)的输入路径(22)上配置有电信号放大器。
11.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述耦合结构(12)的至少一个输出路径(18、20)上配置有电信号放大器。
12.根据权利要求10或11所述的测量用探测器，其特征在于，所述信号探测器(14)和/或所述耦合结构(12)被施加有DC电压。
13.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述壳体(10)由金属材料、吸收性材料和/或塑料材料制成。
14.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述壳体(10)包覆于吸收性材料中。
15.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，还配置有用于确定所述耦合结构(12)和信号导体(16)之间的距离的器件。
16.根据权利要求15所述的测量用探测器，其特征在于，用于确定所述距离的器件包括光距离传感器、电距离传感器、机械距离传感器和/或机电距离传感器。
17.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，还配置有用于确定所述测量用探测器的空间位置的器件。
18.根据权利要求17所述的测量用探测器，其特征在于，用于确定所述测量用探测器的空间位置的器件是图像传感器。
19.根据上述权利要求中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述测量用探测器还具有至少一个用于在空间中定位所述测量用探测器的定位装置。
20.根据权利要求19所述的测量用探测器，其特征在于，所述定位装置具有至少一个定位马达，特别是步进马达。
21.根据权利要求19或20所述的测量用探测器，其特征在于，所述测量用探测器具有分别用于所述耦合结构(12)和所述信号探测器(14)的独立的定位装置。
22.根据权利要求19-21中的至少一项所述的测量用探测器，其特征在于，所述定位装置被配置于所述壳体(10)上。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106062568A (zh) * 2014-03-07 2016-10-26 是德科技股份有限公司 双向电光探测器
CN110045269A (zh) * 2019-05-09 2019-07-23 肇庆学院 一种芯片测试装置及方法
TWI758902B (zh) * 2019-10-17 2022-03-21 日商日本麥克隆尼股份有限公司 檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202008013687U1 (de) * 2008-10-15 2009-01-02 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Messanordnung mit Kalibriersubstrat und elektronischer Schaltung
DE202008013982U1 (de) * 2008-10-20 2009-01-08 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Messsystem zum Bestimmen von Streuparametern
CN102736007A (zh) * 2011-04-07 2012-10-17 旺矽科技股份有限公司 高频耦合信号调整方法及其测试装置
US10230202B2 (en) 2014-11-04 2019-03-12 X-Microwave, Llc Modular building block system for RF and microwave design of components and systems from concept to production
US10775414B2 (en) * 2017-09-29 2020-09-15 Intel Corporation Low-profile gimbal platform for high-resolution in situ co-planarity adjustment
EP3495808A1 (en) 2017-12-05 2019-06-12 Airbus Helicopters A probe for non-intrusively detecting imperfections in a test object
EP3495809A1 (en) 2017-12-05 2019-06-12 Airbus Helicopters A method for non-intrusively detecting imperfections in a test object
US11061068B2 (en) 2017-12-05 2021-07-13 Intel Corporation Multi-member test probe structure
US11204555B2 (en) 2017-12-28 2021-12-21 Intel Corporation Method and apparatus to develop lithographically defined high aspect ratio interconnects
US11543454B2 (en) 2018-09-25 2023-01-03 Intel Corporation Double-beam test probe
US11125779B2 (en) * 2018-11-15 2021-09-21 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Probe with radio frequency power detector, test system and test method
EP4170332A1 (en) 2021-10-20 2023-04-26 Airbus Helicopters Apparatus and method for non-intrusively detecting imperfections in a test object

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5508630A (en) * 1994-09-09 1996-04-16 Board Of Regents, University Of Texas Systems Probe having a power detector for use with microwave or millimeter wave device
DE202007010784U1 (de) * 2007-08-03 2007-10-04 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Kontaktloses Messsystem
US20080074129A1 (en) * 2002-11-13 2008-03-27 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4853613A (en) * 1987-10-27 1989-08-01 Martin Marietta Corporation Calibration method for apparatus evaluating microwave/millimeter wave circuits
JPH0864643A (ja) * 1994-08-19 1996-03-08 Sanyo Electric Co Ltd 高周波集積回路装置および高周波測定システム
US6239752B1 (en) * 1995-02-28 2001-05-29 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor chip package that is also an antenna
JP3344682B2 (ja) * 1995-04-05 2002-11-11 日本電信電話株式会社 電磁妨害波侵入経路の特定方法及び電磁妨害波探索装置
JP2001124809A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Advantest Corp 負荷容量付き水晶振動子の測定方法
JP3758439B2 (ja) * 1999-12-20 2006-03-22 日本精工株式会社 曲面を有する被検査体の欠陥を曲面に沿って非接触で検出する方法
JP2001242207A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Anritsu Corp 高周波デバイス測定プログラムを記録した記憶媒体並びに高周波デバイス測定装置及び方法
US7006046B2 (en) * 2001-02-15 2006-02-28 Integral Technologies, Inc. Low cost electronic probe devices manufactured from conductive loaded resin-based materials
US20030115008A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Yutaka Doi Test fixture with adjustable pitch for network measurement
JP3613269B2 (ja) 2002-08-28 2005-01-26 日本電気株式会社 ノイズイミュニティ評価装置及びノイズイミュニティ評価方法
TW583409B (en) * 2002-12-25 2004-04-11 Advanced Semiconductor Eng Impedance standard substrate and correction method for vector network analyzer
JP2004325123A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd プローブカードおよび検査方法
JP4150296B2 (ja) * 2003-06-18 2008-09-17 日本電産リード株式会社 基板検査装置
JP2005207868A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Yamaha Corp 半導体装置の試験装置
DE602004009778T2 (de) * 2004-07-08 2008-08-28 Alcatel Lucent Kopplungsanordnung für RF Differenzsignal-Übertragung
US7088109B2 (en) * 2004-09-30 2006-08-08 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring a digital device
US7548069B2 (en) * 2005-06-10 2009-06-16 Maury Microwave, Inc. Signal measurement systems and methods
US7362106B2 (en) * 2005-06-29 2008-04-22 Agilent Technologies, Inc. Methods and apparatus for non-contact testing and diagnosing of open connections on non-probed nodes
US7606592B2 (en) * 2005-09-19 2009-10-20 Becker Charles D Waveguide-based wireless distribution system and method of operation
JP2007101330A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Nec Corp 磁界センサ
US7195404B1 (en) * 2006-03-03 2007-03-27 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Fiber optic transceiver module with electromagnetic interference absorbing material and method for making the module
US7235982B1 (en) * 2006-03-31 2007-06-26 Agilent Technologies, Inc. Re-calculating S-parameter error terms after modification of a calibrated port
DE102006030630B3 (de) * 2006-07-03 2007-10-25 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg HF-Messvorrichtung, Verfahren zu deren Kalibrierung sowie Verfahren zum Bestimmen von Streuparametern mit dieser HF-Messvorrichtung
US7705681B2 (en) * 2008-04-17 2010-04-27 Infineon Technologies Ag Apparatus for coupling at least one of a plurality of amplified input signals to an output terminal using a directional coupler

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5508630A (en) * 1994-09-09 1996-04-16 Board Of Regents, University Of Texas Systems Probe having a power detector for use with microwave or millimeter wave device
US20080074129A1 (en) * 2002-11-13 2008-03-27 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
DE202007010784U1 (de) * 2007-08-03 2007-10-04 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Kontaktloses Messsystem

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CASCADE MICROTECH: "Easy, ultra-precise submicron probing", 《HTTP://WWW.CMICRO.COM/DOWNLOAD.CFM?DOWNLOADFILE=CFA9D891-5056-B03B-BA856EE708226FFF》 *
CASCADE MICROTECH: "Programmable micropositioners for RF/Microwave applications", 《HTTP://WWW.CMICRO.COM/DOWNLOAD.CFM?DOWNLOADFILE=CFA9D891-5056-B03B-BA856EE708226FFF》 *
K.YHLAND，ECT.: "Noncontacting measurement of power in microstrip circuits", 《67TH ARFTG CONFERENCE》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106062568A (zh) * 2014-03-07 2016-10-26 是德科技股份有限公司 双向电光探测器
CN106062568B (zh) * 2014-03-07 2020-02-07 是德科技股份有限公司 双向电光探测器
CN110045269A (zh) * 2019-05-09 2019-07-23 肇庆学院 一种芯片测试装置及方法
TWI758902B (zh) * 2019-10-17 2022-03-21 日商日本麥克隆尼股份有限公司 檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110163773A1 (en) 2011-07-07
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