TWI758902B

TWI758902B - 檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置

Info

Publication number: TWI758902B
Application number: TW109135332A
Authority: TW
Inventors: 福士輝夫
Original assignee: 日商日本麥克隆尼股份有限公司
Priority date: 2019-10-17
Filing date: 2020-10-13
Publication date: 2022-03-21
Also published as: JP2021063782A; JP7443017B2; TW202117334A

Abstract

本發明係提供一種可抑制光學元件之檢查所需之時間的檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置。

檢查探針20係具有：懸臂構造之針部21，係具有固定端212及與固定端212電性連接之自由端211；以及光導波路22，係以使受光面221朝與自由端211相同之方向的方式形成於針部21。在檢查對象物3之檢查中，檢查探針20之自由端211會與檢查對象物3之電信號端子電性連接，且受光面221會與檢查對象物3之光信號端子光學連接。

Description

檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置

本發明係關於一種使用在檢查對象物之特性之檢查的檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置。

利用矽光子學(silicon photonics)技術，在矽基板等形成有供電信號及光信號傳送之半導體元件(以下稱為「光學元件」)。為了以晶圓狀態來檢查光學元件之特性，係利用供電信號傳送之電探針及供光信號傳送之光探針，連接光學元件及測試器等測量裝置。例如，使用由導電性材料所構成之探針作為電探針，並使用光纖作為光探針。

(先前技術文獻)

(專利文獻)

專利文獻1：日本特開2018-81948號公報

然而，藉由分別針對電探針及光探針進行與光學元件之對位，檢查所需之時間會增大。鑑於上述問題點，本發明之目的係提供一種可抑制光學元件之檢查所需之時間的檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置。

依據本發明之一態樣，提供一種檢查探針，係具備：懸臂構造之針部，係具有固定端及與固定端電性連接之自由端；以及光導波路，係以使一方之端面朝向與自由端相同之方向的方式形成於針部。

依據本發明之其他態樣，提供一種檢查探針的製造方法，該製造方法係具備下列步驟：藉由第一光蝕刻(photolithography)步驟而在懸臂構造之針部的表面形成第一被覆層；藉由第二光蝕刻步驟而在第一被覆層之上表面的一部分形成折射率比第一被覆層更高之芯部；及藉由第三光蝕刻步驟，以覆蓋芯部之方式在第一被覆層之上表面形成折射率與第一被覆層相同之第二被覆層。藉由被覆部覆蓋芯部而成之光導波路係以使光導波路之一方之端面朝向與自由端相同之方向的方式形成於針部，其中該被覆部係由第一被覆層及第二被覆層所構成。

依據本發明之又一其他態樣，提供一種檢查裝置，係具備：檢查探針，係具有懸臂構造之針部及光導波路，該懸臂構造之針部係具有固定於基板之固定端及與固定端電性連接之自由端，該光導波路係以將一方之端面的方向設為與自由端之方向相同之方式形成於針部；以及光信號傳輸路，係與光導波路之另一方之端面光學連接。針部之自由端與光導波路之另一方之端面的相對位置關係與被檢查體之電信號端子與光信號端子之相對位置關係相對應。

依據本發明，可提供一種可抑制光學元件之檢查所需之時間的檢查探針、檢查探針的製造方法及檢查裝置。

1:檢查裝置

2:台座

3:檢查對象物

10:基板

11:支持基板

12:印刷基板

20:檢查探針

21:針部

21A:第一針材

21B:第二針材

22:光導波路

30:光信號傳輸路

40:加強條

50:O/E轉換連結器

61,62,63,64,65:遮罩材

70:鍍覆電極膜

80:阻劑膜

110:連接端子

111:內部配線

120:測試器島部

121:基板配線

200:基材

201:第一被覆層

202:芯層

203:第二被覆層

210:空洞

211:自由端

212:固定端

221:受光面

222:連接面

301:電信號端子

302:光信號端子

L:光信號

圖1係顯示本發明之第一實施型態之檢查裝置之構成的示意圖。

圖2係顯示檢查對象物之構成例的俯視圖。

圖3係顯示本發明之第一實施型態之檢查探針之構成的示意圖。

圖4係顯示本發明之第一實施型態之檢查探針之受光面的形狀之示意圖。

圖5係顯示本發明之第一實施型態之檢查探針之受光面的其他形狀的示意圖。

圖6係顯示本發明之第一實施型態之檢查探針之光導波路之角隅部之形狀的示意圖。

圖7係顯示本發明之第一實施型態之檢查探針之光導波路之角隅部之其他形狀的示意圖。

圖8係顯示本發明之第一實施型態之檢查探針之光導波路之角隅部之又一其他形狀的示意圖。

圖9係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法的程序圖(其1)。

圖10係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其2)。

圖11係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其3)。

圖12係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其4)。

圖13係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其5)。

圖14係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其6)。

圖15係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其7)。

圖16係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其8)。

圖17係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其9)。

圖18係用以說明本發明之第一實施型態之檢查探針之其他製造方法的示意圖。

圖19係顯示本發明之第二實施型態之檢查探針之構成的剖視圖。

圖20係本發明之第二實施型態之檢查探針之構成的側視圖。

圖21係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其1)。

圖22係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其2)。

圖23係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其3)。

圖24係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其4)。

圖25係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其5)。

圖26係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其6)。

圖27係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其7)。

圖28係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其8)。

圖29係用以說明本發明之第二實施型態之檢查探針的製造方法之程序圖(其9)。

圖30係用以說明本發明之第二實施型態之變形例2之檢查探針的製造方法之程序圖(其1)。

圖31係用以說明本發明之第二實施型態之變形例2之檢查探針的製造方法之程序圖(其2)。

圖32係用以說明本發明之第二實施型態之變形例2之檢查探針的製造方法之程序圖(其3)。

圖33係用以說明本發明之第二實施型態之變形例2之檢查探針的製造方法之程序圖(其4)。

圖34係用以說明本發明之第二實施型態之變形例2之檢查探針的製造方法之程序圖(其5)。

圖35係用以說明本發明之第二實施型態之變形例2之檢查探針的製造方法之程序圖(其6)。

接著，參照圖式來說明本發明之實施型態。在以下之圖式記載中，對於相同或類似之部分係標記相同或類似之符號。然而，圖式係用於示意者，應留意各部分之厚度的比率等係與現實不同。並且，在圖式彼此之間，當然亦包含有彼此之尺寸之關係或比率不同之部分。以下所示之實施型態係例示用以使本發明之技術性思想具體化之裝置或方法者，本發明之實施型態並非將構成零件之材質、形狀、構造、配置等特定為下述者。

(第一實施型態)

圖1所示之第一實施型態之檢查裝置1係使用於檢查對象物3之特性檢查。檢查裝置1係具備基板10、固定於基板10之檢查探針20、及連接於檢查探針20之光信號傳輸路30。基板10係積層有支持基板11及印刷基板12的構成。

檢查對象物3係具有供電信號傳送之電信號端子、及供光信號傳送之光信號端子的光學元件。檢查對象物3並未特別限定，惟例如為矽光子學元件、垂直共振器面發光雷射(VCSEL)等半導體元件。例如圖2例示之檢查對象物3係電信號端子301為信號輸入端子、光信號端子302為發光部之VCSEL之例。檢查對象物3係使形成有電信號端子301與光信號端子302之面與檢查探針20相對向，而配置在台座2。

檢查探針20係具備：懸臂構造之針部21，係具有固定端212及與固定端212電性連接之自由端211；以及光導波路22，係形成在針部21之表面上。在此，將針部21之朝向檢查對象物3的面設為下表面，將與下表面相對向之面設為上表面，將從下表面朝向上表面之面設為側面。例如圖3所示，在針部21之側面配置有光導波路22。然而，亦可在針部21之下表面或上表面配置光導波路22。

如圖1及圖3所示，檢查探針20之針部21的自由端211係與檢查對象物3相對向。並且，光導波路22之一方之端面(以下稱為「受光面221」)係朝向與自由端211相同之方向，受光面221係與檢查對象物3相對向。並且，光導波路22之另一方之端面(以下，稱為「連接面222」)係與光信號傳輸路30光學連接。此外，「光學連接」係指包含直接接觸之連接及光傳送於分離之區域的連接之概念。

在檢查對象物3之檢查時，如圖3所示，針部21之自由端211會與檢查對象物3之電信號端子301連接，且光導波路22之受光面221與檢查對象物3之光信號端子302光學連接。因此，從檢查對象物3輸出之光信號L係入射至受光面221並傳輸於光導波路22，且從連接面222入射至光信號傳輸路30之一方之端部。從檢查對象物3之與檢查探針20相對向之面的上方觀看(以下稱為「俯視」)，自由端211與受光面221之相對位置關係，係與檢查對象物3之電信號端子301與光信號端子302之相對位置關相對應。

例如，相對於圖2所示之檢查對象物3，俯視時自由端211會與電信號端子301重疊，且受光面221會與光信號端子302重疊。如此，在自由端211與電信號端子301接觸之狀態下，光導波路22係以受光面221與光信號端子302相對向之方式配置在針部21。此時，受光面221與光信號端子302係相對向，以使光信號L以檢查有效之強度入射至受光面221。

檢查探針20之針部21的固定端212係與配置在支持基板11之表面的連接端子110電性連接，且固定在支持基板11。連接端子110係與配置在支持基板11之內部的內部配線111相連接。在支持基板11中，可使用例如MLO(Multi-Layer Organic，多層有機)或MLC(Multi-Layer Ceramic，多層陶瓷)等多層配線基板。

支持基板11之內部配線111係與形成在印刷基板12之基板配線121電性連接。基板配線121係與配置在印刷基板12之測試器島部120連接。亦即，針部21會與測試器島部120電性連接。測試器島部120係與省略圖示之測試器連接。

印刷基板12係固定在剛性比印刷基板12高之加強條40。加強條40係確保印刷基板12之機械性強度，並且亦使用作為固定檢查探針20之支持體。

如上所述，檢查探針20之針部21係與測試器電性連接，且電信號透過針部21在測試器與檢查對象物3之間傳送。針部21係使用導電性材料，例如鎳(Ni)合金等金屬係使用在針部21。

光導波路22之連接面222與一方之端部光學連接的光信號傳輸路30，係於另一方端部與O/E轉換連結器50連接。O/E轉換連結器50係將傳送於光信號傳輸路30之光信號L轉換成電信號，並且將電信號傳送至測試器。光信號傳輸路30較佳係使用例如光纖等。如上所述，在測試器與檢查對象物3之間，光信號L係透過光導波路22傳送。

光信號傳輸路30之與光導波路22連接之端部係露出於支持基板11之下表面，並貫穿於支持基板11。光信號傳輸路30係通過印刷基板12及設置在加強條40之開口部，與配置在印刷基板12之O/E轉換連結器50連接。此外，亦可將光導波路22之連接面222透鏡加工成凸球面，以提升從連接面222輸出之光信號L的聚光性。

再者，亦可將光導波路22之受光面221的形狀加工成容易對從檢查對象物3輸出之光信號L進行受光。例如，如圖4所示，亦可藉由透鏡加工將受光面221作成為凸球面。或者，如圖5所示，亦可將前端角設為90度左右而使受光面221變得尖銳。

此外，光導波路22之角隅部係為了抑制光信號L之傳輸損失，而可設為任意之形狀。如後所述，由於以光蝕刻技術來形成光導波路22，因此可容易地將光導波路22形成為所希望之形狀。

例如，如圖6所示，亦可對光導波路22之角隅部進行R倒角(圓弧倒角)。藉此，光信號L會在角隅部散射，而難以反射。或者，如圖7所示，亦可使光導波路22之直線部分彼此分離，且在角隅部設置空氣層。並且，如圖8所示，亦可對角隅部進行C倒角。藉由以高精確度將角隅部加工成圖7或圖8所示之形狀，即可抑制因光信號L之反射所造成之傳輸損失。

以下，針對利用檢查裝置1之檢查方法加以說明。在檢查對象物3之檢查中，進行檢查對象物3與檢查探針20之對位。該對位係例如使檢查對象物3搭載在搭載面之台座2朝與搭載面平行之方向移動，或以搭載面之面法線方向為中心軸使台座2旋轉而進行。

然後，在俯視時針部21之自由端211與檢查對象物3之電信號端子301之位置一致的狀態下，使檢查對象物3與檢查探針20之距離變化。例如，使台座2朝檢查裝置1之方向移動，並且使針部21之自由端211與檢查對象物3之電信號端子301電性連接。此時，針部21之自由端211與光導波路22之受光面221的相對位置關係，係與檢查對象物3之電信號端子301與光信號端子302之相對位置關係相對應，因此受光面221會與光信號端子302相對向。

再者，電信號或光信號會透過檢查探針20在檢查對象物3與測試器之間傳送，以對檢查對象物3之特性進行檢查。例如透過檢查探針20之針部21，從測試器傳送之電信號會輸入至檢查對象物3之電信號端子301。再者，由檢查對象物3輸出之光信號L係藉由光導波路22之受光面221而受光。光信號L係傳送於光導波路22及光信號傳輸路30，且藉由O/E轉換連結器50而轉換成電信號。對光信號L進行光電轉換後之電信號係傳送至測試器，而對檢查對象物3之特性進行檢查。此外，配合測試器之規格，可如上所述將光信號L轉換成電信號之後輸入至測試器，亦可直接將光信號L輸入至測試器。

如上所述，檢查探針20之針部21會作為電探針發揮功能，光導波路22係作為光探針發揮功能。此外，在針部21中，設置有從一方之側面貫通至另一之側面之空洞210。藉由在針部21設置空洞210，可使針部21具有伸縮性。因此，可在使針部21接觸於檢查對象物3之際施加超速傳動，並以預定之針壓使針部21與檢查對象物3相接觸。藉此，可確實地進行針部21與檢查對象物3之電性連接。

此外，如圖3所例示，在自由端211接觸於檢查對象物3之表面的狀態下，受光面221係從檢查對象物3分離。藉此，可抑制因為與光導波路22 之接觸而造成檢查對象物3之損傷。然而，亦可在受光面221與檢查對象物3接觸之狀態下對檢查對象物3進行檢查。

為了利用檢查裝置1對檢查對象物3正確地進行檢查，當檢查探針20之自由端211與檢查對象物3之電信號端子301連接時，受光面221係必須以高位置精確度與檢查對象物3的光信號端子302相對向。因此，自由端211與受光面221之相對位置關係必須有高精確度。

如後所述，檢查探針20之光導波路22係利用光蝕刻技術而形成於針部21。因此，可使自由端211與受光面221之相對位置關係的精確度提升，而可將光導波路22配置於針部21。因此，藉由使針部21相對於檢查對象物3之電信號端子301對位，而針對光導波路22也會使之同時地對位於檢查對象物3之光信號端子302。因此，可在短時間內使檢查探針20與檢查對象物3對位。

如上所述，依據具備檢查探針20之檢查裝置1，可抑制檢查對象物3之檢查所需之時間。並且，針部21與檢查對象物3之電信號端子301、及光導波路22與檢查對象物3之光信號端子302係同時地以預定之位置精確度連接。因此，可對於檢查對象物3一併進行電性檢查及光學檢查。

在圖1中，係例示性顯示對於1個檢查對象物3使用1個檢查探針20之情形。另一方面，亦可對應於檢查對象物之信號端子的構成，對於1個檢查對象物3的檢查使用複數個檢查探針20。並且，藉由使配置在檢查裝置1之檢查探針20的個數增加，亦可同時地對複數個檢查對象物3進行檢查。

以下，參照圖式來說明檢查探針20之製造方法。首先，準備具有固定端212、自由端211之懸臂構造的針部21。例如，準備從固定端212至自由端211為止一體成形之針部21。再者，如圖9所示，在將一方之側面固定在基材200之表面的針部21之另一方側面，形成第一被覆層201。在第一被覆層201中，係使用例如環氧系之感光性材料。在此，第一被覆層201之材料係使用光硬化性樹脂。

接著，如圖10所示，利用遮罩材61而對於第一被覆層201之預定區域照射紫外線(以下稱為「UV曝光」)。並且，如圖11所示，藉由顯像處理，僅使第一被覆層201之進行UV曝光的區域殘存於針部21之表面。藉由以上之第一光蝕刻步驟，形成光導波路22之一部分。

然後，如圖12所示，在第一被覆層201之上表面形成芯層202。在芯層202中，與第一被覆層201同樣地，使用例如環氧系之感光性材料。然而，在芯層202之材料中，係使用折射率比第一被覆層201之材料更高的材料。在此，芯層202之材料係使用光硬化性樹脂。

接著，如圖13所示，利用遮罩材62而使芯層202之預定之區域UV曝光。具體而言，係以芯層202殘存於第一被覆層201之上表面之一部分的方式，使芯層202之進行UV曝光的區域之外緣比第一被覆層201之外緣更靠近內側。並且，如圖14所示，藉由顯像處理，僅使芯層202之UV曝光的區域殘存於第一被覆層201之上表面。藉由以上之第二光蝕刻步驟，來形成光導波路22之芯部。

接著，如圖15所示，覆蓋芯層202及第一被覆層201，而形成折射率與第一被覆層201相同之第二被覆層203。例如，第二被覆層203係使用與第一被覆層201相同之材料。然後，如圖16所示，利用遮罩材63而使第二被覆層203之預定區域UV曝光。並且，如圖17所示，藉由顯像處理，使芯層202 之周圍殘存而去除第二被覆層203。藉由以上之第三光蝕刻步驟，在第一被覆層201之上表面，覆蓋芯層202而形成第二被覆層203。

以上，利用光蝕刻技術，完成藉由被覆部覆蓋芯部而成之光導波路22，該被覆部係由第一被覆層201及第二被覆層203所構成。然後，使基材200從針部21剝離。

此外，在上述中，係說明在針部21之側面形成光導波路22之情形，但亦可藉由相同之光蝕刻技術而在針部21之下表面或上表面形成光導波路22。當在針部21之下表面或上表面形成光導波路22時，如圖18所示，鄰接於使側面固定在基材200之表面的針部21，而在基材200之表面形成光導波路22。然後，使基材200從針部21及光導波路22剝離。

第一被覆層201、芯層202及第二被覆層203之膜厚或材料，係可依據光導波路22所要求之規格等而任意地選擇。例如，以抑制光信號L之傳輸損失的方式，選擇光導波路22之構造或材料。

再者，光導波路22之材料係可使用張貼片狀之材料的片型或塗覆液狀之材料的阻劑型等。片型係能以層疊或眞空壓機進行熱壓接，因此可容易地進行處理。再者，在片型中，能以高精確度將膜厚管理成均勻。

此外，針部21之材料係選擇不容易受到光導波路22之製造程序的影響之材料。例如，Ni合金係較佳地使用於針部21之材料。Ni合金係在將片型之材料使用在光導波路22時，並不會被層疊片型之材料時的熱影響。

依據以上說明之檢查探針20的製造方法，係利用光蝕刻技術而將光導波路22形成在針部21。因此，能以高精確度來調整針部21之自由端211與光導波路22之受光面221的相對位置。依據利用光蝕刻技術來製造之檢查探針20，藉由使針部21對位於檢查對象物3之電信號端子301，光導波路22亦可對位於檢查對象物3之光信號端子302。因此，可容易地進行檢查探針20與檢查對象物3之對位。因此，可抑制檢查對象物3之檢查所需之時間。

(第二實施型態)

在第二實施型態之檢查探針20中，如圖19及圖20所示，在針部21之表面中，埋設有光導波路22。圖19係沿著圖20之XIX-XIX方向的剖視圖，且在針部21之側面埋設有光導波路22。第二實施型態之檢查裝置係在將檢查探針20之光導波路22埋設於針部21之點，與在針部21之表面上形成有光導波路22之第一實施型態不同。關於其他之構成，係與圖1所示之第一實施型態相同。

以下，參照圖式來說明第二實施型態之檢查探針20的製造方法。首先，在基材200之表面形成第一被覆層201之後，藉由與參照圖10至圖11所說明之方法相同之第一的光蝕刻步驟，如圖21所示形成第一被覆層201。

接著，以覆蓋第一被覆層201之方式形成芯層202之後，藉由與參照圖13至圖14所說明之方法相同之第二光蝕刻步驟，如圖22所示，使芯層202殘存在第一被覆層201之上表面的一部分。

然後，以覆蓋芯層202之方式形成第二被覆層203之後，藉由與參照圖16至圖17所說明之方法相同的第三光蝕刻步驟，如圖23所示使芯層202之周圍殘存而去除第二被覆層203。藉此，在基材200之表面形成有光導波路22。

接著，如圖24所示，覆蓋基材200及光導波路22之表面，而形成在後述之電鍍覆步驟中使用之鍍覆電極膜70。鍍覆電極膜70係例如膜厚1μm程度的銅(Cu)膜。並且，如圖25所示，在鍍覆電極膜70之上表面形成光硬化性之阻劑膜80。然後，如圖26所示，利用遮罩材64，除了使鍍覆電極膜70露出之區域之外，使阻劑膜80之一部UV曝光。

接著，如圖27所示，藉由顯像處理來去除阻劑膜80之未進行UV曝光之區域。並且，藉由以鍍覆電極膜70為電極之電鍍步驟，如圖28所示形成針部21。針部21之材料係例如Ni合金等。然後，如圖29所示，蝕刻去除殘存於針部21之外側的阻劑膜80或鍍覆電極膜70。藉由以上步驟，完成在針部21之表面埋設有光導波路22之檢查探針20。

當基材200為有機素材等時，如上所述必須有形成鍍覆電極膜70之步驟。鍍覆電極膜70較佳係使用容易進行蝕刻去除之Cu膜等。除了Cu膜以外，鎳膜、鈀(Pd)膜、鉻(Cr)膜等係可依據用途或價格而使用在鍍覆電極膜70。此外，亦可藉由無電解鍍覆法等來形成針部21。

針部21之材料係選擇不容易受到檢查探針20之製造程序之影響的材料。例如Ni合金係不會被用以蝕刻去除使用作為鍍覆電極膜70之銅膜的藥劑等所影響。

此外，在上述說明中，雖針對在針部21之側面埋設光導波路22之情形進行說明，惟亦可在針部21之上表面或下表面埋設光導波路22。其他係與第一實施型態實質上相同，並且省略重複之記載。

<變形例>

在上述說明中，雖說明埋設於針部21之光導波路22露出於針部21之表面的構成，但亦可設為將光導波路22之整體埋設於針部21之內部的構成。以下，針對光導波路22之整體埋設於針部21之檢查探針20的製造方法之例進行說明。

首先，如圖30所示，在固定於基材200之第一針材21A的上表面形成第一被覆層201。然後，以與參照圖10至圖17所說明之方法同樣地，形成芯層202及第二被覆層203，如圖31所示，在第一針材21A之上表面形成光導波路22。

接著，如圖32所示，覆蓋基材200、第一針材21A及光導波路22之表面，而形成鍍覆電極膜70。並且，在鍍覆電極膜70之上表面形成光硬化性之阻劑膜80之後，如圖33所示，利用遮罩材65，除了使鍍覆電極膜70露出之區域外，對阻劑膜80之一部分進行UV曝光。然後，藉由顯像處理來去除阻劑膜80之未進行UV曝光的區域。

然後，藉由以鍍覆電極膜70為電極之電鍍步驟，如圖34所示，形成第二針材21B。並且，蝕刻去除殘存於第一針材21A與第二針材21B之外側的阻劑膜80或鍍覆電極膜70。藉由以上步驟，如圖35所示，完成在由第一針材21A及第二針材21B所構成之針部21的內部埋設有光導波路22之檢查探針20。

(其他實施型態)

雖如上所述藉由實施型態而記載了本發明，但並不應理解為形成本揭示之一部分的論述及圖式為限定本發明者。由該揭示，相關業者將明瞭各種之替代實施型態、實施例及運用技術。

例如，在上述說明中，雖說明了藉由UV曝光及顯像處理來形成光導波路22之情形，但亦可藉由利用以光蝕刻技術進行圖案化之蝕刻遮罩的蝕刻處理，來形成光導波路22。

如此，本發明係當然包含在此未記載之各種實施型態等。