CN112698251B - 磁场无源探头和磁场探测装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电磁检测技术领域，公开了一种磁场无源探头和磁场探测装置，第一接地层和第二接地层的端部上分别设有第一探测开口和第二探测开口，第一探测开口的位置和第二探测开口的位置相对应；第一信号层和第二信号层上分别设有第一探测线和第二探测线，第一探测线的一端与第一信号层相连接，另一端围绕第一探测开口的位置形成第一探测线圈；第二探测线的一端与第一信号层相连接，另一端围绕第二探测开口的位置形成第二探测线圈；第一探测线和第二探测线轴对称设置，且第一探测线圈与第二探测线圈相连接，用于探测磁场信号。在保证磁场无源探头的内部结构完全对称的情况下，可通过差分运算消除电场的干扰，从而实现较高的电场抑制比。

Description

磁场无源探头和磁场探测装置

技术领域

本发明涉及电磁检测技术领域，特别是涉及一种磁场无源探头和磁场探测装置。

背景技术

随着科技的发展，电子设备变得更加小型化、高频化和高密度，这样的技术进步导致产品的电磁可靠性问题变得更加严重。基于近场测量的干扰图像重构是现今处理EMC设计问题最有效的方法。在电子产品工作时，辐射源发出的电磁干扰一般具有较宽的频谱范围，因此宽带近场探头是近场扫描的关键，同时也是解决电磁可靠性问题必不可少的工具之一。目前针对无源探头的结构设计主要存在进行近磁场探测时电场抑制比低的问题，对探头的探测效果有影响。

发明内容

基于此，有必要针对现有无源探头在进行近磁场探测时电场抑制比低的问题，提供一种磁场无源探头和磁场探测装置。

一种磁场无源探头，包括依次排列的第一接地层、第一信号层、第二信号层和第二接地层；所述第一接地层的端部上开设有第一探测开口，所述第二接地层的端部上开设有第二探测开口，所述第一探测开口的位置和所述第二探测开口的位置相对应；所述第一信号层上布设有第一探测线，所述第一探测线的一端与第一信号层相连接，所述第一探测线的另一端围绕所述第一探测开口的位置形成第一探测线圈；所述第二信号层上布设有第二探测线，所述第二探测线的一端与所述第一信号层相连接，所述第二探测线的另一端围绕所述第二探测开口的位置形成第二探测线圈；所述第一探测线和所述第二探测线轴对称设置，且所述第一探测线圈与所述第二探测线圈相连接，用于探测磁场信号。

上述磁场无源探头，包括依次排列的第一接地层、第一信号层、第二信号层和第二接地层。所述第一接地层和所述第二接地层的端部上分别开设有第一探测开口和第二探测开口，所述第一探测开口在所述第一接地层上的位置和所述第二探测开口在所述第二接地层上的位置相对应。所述第一信号层上设有第一探测线，所述第二信号层上设置有第二探测线。所述第一探测线的一端连接第一接地层，另一端围绕所述第一探测开口形成所述第一探测线圈；所述第二探测线的一端连接第一接地层，另一端围绕所述第二探测开口形成所述第二探测线圈，且所述第一探测线圈与所述第二探测线圈相连接。使用磁场无源探头进行探测时，磁场中的磁感线穿过所述第一探测开口或所述第二探测开口，所述第一探测线圈和所述第二探测线圈根据线圈内通过的磁感应的变化感应探测获取磁场信号。将所述第一探测线和所述第二探测线轴对称设置，保证磁场无源探头的内部结构完全对称的情况下，可以通过差分运算对电场的干扰进行消除，从而实现较高的电场抑制比。

在其中一个实施例中，所述第一接地层上远离所述第一探测开口的一端还设有第一转接部和第二转接部；所述第一探测线与所述第一转接部相连接，所述第二探测线与所述第二转接部相连接。

在其中一个实施例中，所述第一探测线和所述第二探测线为矩形线圈、圆形线圈或者多边形线圈。

一种磁场探测装置，包括如上述任一项实施例中所述的磁场无源探头；有源放大电路板，与所述磁场无源探头相连接，所述有源放大电路板上铺设有供电电路和增益放大电路；所述供电电路，用于提供电信号；所述增益放大电路，分别与所述供电电路和所述磁场无源探头相连接，用于对磁场信号进行放大。

在其中一个实施例中，所述增益放大电路包括三级差分放大电路。

在其中一个实施例中，所述磁场无源探头的第一接地层上远离所述第一探测开口的一端还设有第一转接部和第二转接部；所述有源放大电路板上还设有第三转接部和第四转接部，所述第三转接部与所述第一转接部相连接，所述第四转接部与所述第二转接部相连接。

在其中一个实施例中，所述磁场探测装置还包括第一电容和第二电容，所述第三转接部通过所述第一电容与所述第一转接部相连接，所述第四转接部通过所述第二电容与所述第二转接部相连接。

在其中一个实施例中，所述磁场探测装置还包括第一SMA连接器和第二SMA连接器，所述第一SMA连接器的一端与所述增益放大电路的第一输出端相连接，另一端连接外部分析设备；所述第二SMA连接器的一端与所述增益放大电路的第二输出端相连接，另一端连接外部分析设备；所述第一SMA连接器和所述第二SMA连接器用于将所述磁场信号传输至所述外部分析设备进行分析，以得到磁场参数。

在其中一个实施例中，所述有源放大电路板上还布设有一个第一SMA转换通孔和一个第二SMA转换通孔；所述增益放大电路的第一输出端通过所述第一SMA转换通孔与所述第一SMA连接器的一端相连接，所述增益放大电路的第二输出端通过所述第二SMA转换通孔与所述第二SMA连接器的一端相连接。

在其中一个实施例中，所述有源放大电路板为采用LTCC工艺制备的电路板。

附图说明

图1为本发明其中一实施例的磁场无源探头中各层的探测结构示意图；

图2为本发明其中一实施例的磁场无源探头在测试时的电磁场分布图；

图3为本发明其中一实施例的对磁场无源探头进行差分运算消除电场作用的示意图；

图4为本发明其中一实施例的磁场无源探头的第二种探测结构示意图；

图5为本发明其中一实施例的磁场无源探头的第三种探测结构示意图；

图6为本发明其中一实施例的磁场无源探头的第四种探测结构示意图；

图7为本发明其中一实施例的磁场无源探头的第五种探测结构示意图；

图8为本发明其中一实施例的磁场无源探头的第六种探测结构示意图；

图9为本发明其中一实施例的供电电路的电路连接图；

图10为本发明其中一实施例的第一级差分放大电路的电路连接图；

图11为本发明其中一实施例的第二级差分放大电路的电路连接图；

图12为本发明其中一实施例的第三级差分放大电路的电路连接图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的优选实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反的，提供这些实施方式的目的是为了对本发明的公开内容理解得更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”、“周向”以及类似的表述是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

图1为本发明其中一实施例的磁场无源探头中各层的结构示意图，在其中一个实施例中，所述磁场无源探头包括依次排列的第一接地层100、第一信号层200、第二信号层300和第二接地层400。第一接地层100的端部上开设有第一探测开口110，第二接地层400的端部上开设有第二探测开口410，第一探测开口110的位置和第二探测开口410的位置相对应。第一信号层200上布设有第一探测线210，第一探测线210的一端与第一信号层100相连接，第一探测线210的另一端围绕第一探测开口110的位置形成第一探测线圈211。第二信号层300上布设有第二探测线310，第二探测线310的一端与第一信号层100相连接，第二探测线310的另一端围绕所述第二探测开口210的位置形成第二探测线圈311。第一探测线210和第二探测线310轴对称设置，且第一探测线圈210与第二探测线圈310相连接，用于探测磁场信号。

磁场无源探头包括依次排列的第一接地层100、第一信号层200、第二信号层300和第二接地层400的PCB板。第一接地层100和第二接地层400接地，可用于屏蔽电磁干扰。第一接地层100的一端上开设有第一探测开口110，第一探测开口110为由开孔和缝组成的开口，开孔是为了能让磁感线穿过，从而使布设在该开孔周围的探测线对穿过其中的磁感线进行感应。缝是为了打破第一接地层100的封闭环路，防止感生电流引起的抵抗待测磁场的感生磁场。因此，只要第一探测开口100的形状能够使待测磁场的磁场线穿过其内部，使得围绕在第一探测开口100周围的探测线能够感应磁场变化对磁场进行检测即可。同样地，第二接地层400的一端上开设有第二探测开口410，第二探测开口410也为由开孔和缝组成的开口，其在本方案中所起的作用与第一探测开口110的作用相同，在此不加以赘述。

第一信号层200上设置有第一探测线210，第一探测线210的一端与第一接地层100相连接，另一端围绕并半包围第一探测开口110，与第一探测开口110的形状相匹配形成了第一探测线圈211。同样地，第二信号层300上设置有第二探测线310，第二探测线310的一端与第一接地层100相连接，另一端围绕并半包围第一探测开口110，与第一探测开口110的形状相匹配形成了第二探测线圈311。第一探测线圈211和第二探测线圈311彼此连接，且互相轴对称设置。使用磁场无源探头进行探测时，磁场中的磁感线穿过第一探测开口110或第二探测开口210。由于第一探测线圈211和第二探测线圈311围绕在第一探测开口110外围，因此磁感线也相应地穿过了第一探测线圈211和第二探测线圈311内部。当磁场中的磁感线发现变化时，第一探测线圈211和第二探测线圈311在电磁感应的作用下，即可根据磁感线的变化实现对磁场的探测，获取磁场信号。第一探测线210和第二探测线310分别设置在不同的信号层，能够降低两个探测线之间的影响，且第一探测线210和第二探测线310能够分别独立地形成相应的探测环路，两个探测环路共同对磁场进行检测获取两个探测信号，两个探测信号形成差分信号，外部信号分析设备在对差分信号进行处理时，可滤除电场在探测过程中造成的干扰信号，从而提高了磁场无源探头的电场抑制比。

图2为本发明其中一实施例的磁场无源探头在测试时的电磁场分布图，磁场无源探头在对待测物的磁场进行测试时，会同时感受到磁场和电场。如果被测物的金属走线上方有电压，那么就会有电荷，有电荷就会有电场。在仅针对于磁场的探测时，是不希望电场对探头有干扰，影响输出的准确性的。通常磁场无源探头的探测结构尺寸较小，因此可以近似地认为磁场无源探头所受到的电场作用都是在一个方向的，电场作用如图2中的实线箭头标识。磁场无源探头所要测量的是穿过探头的探测结构中开孔位置的磁场，图2中w_a即为开孔厚宽度，磁感线从开孔中穿过，磁感线如图2中的虚线箭头标识。

为了抑制电场对磁场无源探头的作用，本发明对磁场无源探头的探测结构进行了改进，磁场无源探头中的探测结构可以感受到相同方向上的电场，该电场同时对磁场无源探头的两个输出有相同的作用。图3为本发明其中一实施例的对磁场无源探头进行差分运算消除电场作用的示意图，如图3所示，在保证磁场无源探头完全对称的情况下，可以通过差分运算对电场的作用进行消除，从而实现较高的电场抑制比。

在其中一个实施例中，第一接地层100上远离第一探测开口110的一端还设有第一转接部120和第二转接部130。第一探测线210远离第一探测开口110的一端与第一转接部120相连接，第二探测线310远离第一探测开口110的一端与第二转接部130相连接。第一转接部120和第二转接部130分别为设置于PCB基板上的两个Pad，Pad为PCB基板上的焊盘，即为可用于插件焊接的孔。磁场无源探头可以通过第一转接部120和第二转接部130与其它功能电路板相连接，使磁场无源探头在探测时，实现更优化的功能。

在其中一个实施例中，第一探测线210和第二探测线310为矩形线圈、圆形线圈或者多边形线圈。第一探测线210和第二探测线310的形状尺寸与第一探测开口110的形状尺寸相匹配。为了使第一探测线210和第二探测线310能够得到较佳的检测效果，实现灵敏度和空间分辨率的优化，可以根据实际需求设计不同的第一探测开口110形状和尺寸，并相应地对第一探测线210和第二探测线310的形状尺寸进行调整。例如，可以第一探测开口110可以被设置为矩形、圆形或多边形，相应地，第一探测线210和第二探测线310可以被设置为矩形线圈、圆形线圈或者多边形线圈。只要第一探测开口110的图形是轴对称图形，并且其对称轴与第一探测线210和第二探测线310的对称轴重合即可。

图4至图8分别为本申请对于磁场无源探头的其它五种探测结构示意图。在本发明提供的其余五种磁场无源探头的探测结构中，均包括第一接地层100、第一信号层200、第二信号层300和第二接地层。其中，第一接地层100和第二接地层400均接地，第一接地层100上开设有第一探测开口110，第二接地层400上开设有第二探测开口410，且第一探测开口110的形状位置与第二探测开口410的形状位置相对应。第一信号层200上设置有一条探测线，沿第一信号层200的长度方向延伸设置，延伸至第一探测开口110处，并围绕第一探测开口110绕制成U型。另外，第一接地层100上远离第一探测开口110的一端均设有第一转接部120和第二转接部130。

请参见图4，在本发明提供的第二种磁场无源探头的探测结构中，由于在本探测结构中只设置有一条探测线，无需设置过孔使探测线相连，因此第一探测开口110和第二探测开口410的形状相较于图1中的第一探测开口110和第二探测开口410的形状在开口处缺少了凸出的开孔部分。第一信号层200上的探测线围绕第一探测开口110形成一矩形线圈，用于对通过的磁感线进行感应探测。

请参见图5和图7，在本发明提供的第三种和第五种磁场无源探头的探测结构中，第一探测开口110和第二探测开口410的形状分别与第二种探测结构中的第一探测开口110和第二探测开口410的开口尺寸各不相同，从而影响了各自探测结构中探测线圈的尺寸。另外，第五种探测结构中的探测线绕成了多边形线圈。探测线圈的形状尺寸直接影响了磁场无源探头的灵敏度和空间分辨率，探测线圈的尺寸越大感应磁场的灵敏度越高，空间分辨率越低，反之，探测线圈的尺寸越小感应磁场的灵敏度越低，空间分辨率越低。在实际探测过程中，根据探测需求选用合适的探测结构。

请参见图6和图8，在本发明提供的第四种和第六种磁场无源探头的探测结构中，第一探测开口110和第二探测开口410均延伸至第一接地层100的端口处，形成一凹槽。第四种和第六种探测结构中的第一探测开口110和第二探测开口410形状尺寸各不相同，第四种探测结构中的探测线在第一探测开口110处绕成了一矩形线圈，而第四种探测结构中的探测线在第一探测开口110处绕成了一多边形线圈。使用本发明提供的第四种和第六种探测结构可以实现对电磁场的同时探测。同样地，探测线圈的尺寸越大探头的探测灵敏度越高，空间分辨率越低，反之，探测线圈的尺寸越小感探头的探测灵敏度越低，空间分辨率越低。在实际探测过程中，根据探测需求选用合适的探测结构。

本发明还提供了一种磁场探测装置，包括如上任一项实施例中所述的磁场无源探头和有源放大电路板。有源放大电路板与磁场无源探头相连接，其上铺设有供电电路和增益放大电路。供电电路，用于提供有源放大电路板工作所需的电信号。增益放大电路，分别与供电电路和磁场无源探头相连接，用于对磁场信号进行放大。在对待测件的磁场进行探测时，磁场中的磁感线穿过磁场无源探头的第一探测开口或第二探测开口，磁场无源探头的第一探测线圈和所述第二探测线圈根据线圈内通过的磁感应的变化感应探测获取磁场信号。在保证磁场无源探头的探测结构完全对称的情况下，通过差分运算对电场的作用进行消除，从而实现较高的电场抑制比。有源放大电路板对磁场无源探头探测所得的磁场信号进行放大处理，以进一步增加磁场探测装置的探测灵敏度。

图9为本发明其中一实施例的供电电路的电路连接图，在其中一个实施例中，输入12V-36V的电压，并使用如图9所示的供电电路对将输入电压进行调节，以向有源放大电路板中的各电路提供工作电压。

在其中一个实施例中，增益放大电路包括三级差分放大电路。图10至图12分别为三级差分放大电路的电路连接示意图，磁场无源探头的输出端与第一级差分放大电路的输入端相连接，第一级差分放大电路的输出端P1+、P1-分别与第二级差分放大电路的输入端相连接，第二级差分放大电路的输出端P2+、P2-分别与第三级差分放大电路的输入端相连接，第三级差分放大电路的输出端POUT1、POUT2用于将经过三级放大后的磁场信号传输出去。使用如图10至图12所示的三级放大电路对磁场无源探头探测所得的磁场信号进行放大处理，可以进一步增加磁场探测装置的探测灵敏度。

在其中一个实施例中，有源放大电路板上还设有第三转接部和第四转接部。有源放大电路板的第三转接部与磁场无源探头的第一转接部120相连接，有源放大电路板的第四转接部与磁场无源探头的第二转接部130相连接。其中，第三转接部和第四转接部也为设置有源放大电路板上的两个Pad，Pad为有源放大电路板上的焊盘，即为可用于插件焊接的孔。第一转接部120可通过导线或其他连接件与第三转接部相连接，第二转接部130也可通过导线或其他连接件与第四转接部相连接。

在其中一个实施例中，所述磁场探测装置还包括第一电容和第二电容。第三转接部通过第一电容与第一转接部120相连接，即第一电容的一端与第一转接部120相连接，第一电容的另一端与第三转接部相连接。第四转接部通过第二电容与第二转接部130相连接，即第二电容的一端与第二转接部130相连接，第二电容的另一端与第四转接部相连接。第一电容和第二电容分别用于对磁场无源探头探测获取的磁场信号进行滤波处理，并传输至有源放大电路板中，使有源放大电路板对初步滤波后的磁场信号进行进行一步的处理，增加磁场探测装置的探测灵敏度。

在其中一个实施例中，磁场探测装置还包括第一SMA连接器和第二SMA连接器。增益放大电路的第一输出端POUT1与第一SMA连接器的一端相连接，增益放大电路的第二输出端POUT2与第二SMA连接器的一端相连接，第一SMA连接器的另一端和第二SMA连接器的另一端分别连接外部分析设备。第一SMA连接器和SMA连接器分别为与外部分析设备的特性阻抗相匹配的连接器，通过第一SMA连接器和第二SMA连接器可将磁场信号传输至所述外部分析设备。使用外部分析设备对磁场信号进行分析，以得到磁场参数。

PCB基板各层间的间隔以及导体的尺寸和材料等因素决定了导线的特性阻抗。对于高带宽的设计问题，任何一个阻抗不匹配都会引起电磁场探头的探测能力下降。在本实施例中采用50欧姆特性阻抗的第一SMA连接器和第二SMA连接器，有源放大电路板在对磁场无源探测探测所得的磁场信号进行方法处理后，可通过第一SMA连接器和第二SMA连接器将处理后的磁场信号以50欧姆阻抗的形式传输出去，可防止SMA连接器与外部分析设备连接时因阻抗不匹配而造成了信号反射，以保证传输过程中信号的低损耗、低反射，提高传输效率。

在其中一个实施例中，有源放大电路板上还布设有一个第一SMA转换通孔和一个第二SMA转换通孔。增益放大电路的第一输出端POUT1通过第一SMA转换通孔与第一SMA连接器的一端相连接，增益放大电路的第二输出端POUT2通过第二SMA转换通孔与第二SMA连接器的一端相连接。第一SMA转换通孔和第二SMA转换通孔均用于将有源放大电路板的信号传输方式转换为与两个SMA连接器相匹配的传输方式，以保证传输反射最小、阻抗匹配，同时，可抑制传输谐振。通过对转换通孔进行合理的结构设计，本发明实施例的磁场探测装置将磁场信号以50欧阻抗的形式传输出去，保证传输过程中信号的低损耗和低反射，提高对磁场的探测效率。

在其中一个实施例中，有源放大电路板为采用LTCC工艺制备的电路板。磁场无源探头的PCB基板也可为采用LTCC工艺制备的电路板。LTCC工艺的优点包括：陶瓷材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性；根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，可提高电路系统的品质因数，增加了电路设计的灵活性；比普通PCB电路基板更优良的热传导性，极大地优化了电子设备的散热设计，可靠性高；可以制作层数很高的电路基板，并可将多个无源元件埋入其中，免除了封装组件的成本；与其他多层布线技术具有良好的兼容性，例如将LTCC与薄膜布线技术结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板。在本发明提供的磁场探测装置中采用LTCC工艺制备的电路板，可保证传输阻抗匹配、并抑制信号衰减以及传输谐振，保证磁场探测的探测效率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种磁场无源探头，其特征在于，包括依次排列的第一接地层、第一信号层、第二信号层和第二接地层；

所述第一接地层的端部上开设有第一探测开口，所述第一探测开口包括开孔和缝，所述第二接地层的端部上开设有第二探测开口，所述第二探测开口包括开孔和缝，所述第一探测开口的位置和所述第二探测开口的位置相对应；所述第一信号层上布设有第一探测线，所述第一探测线的一端与第一信号层相连接，所述第一探测线的另一端围绕所述第一探测开口的位置形成第一探测线圈；所述第二信号层上布设有第二探测线，所述第二探测线的一端与所述第一信号层相连接，所述第二探测线的另一端围绕所述第二探测开口的位置形成第二探测线圈；所述第一信号层和所述第二信号层对应位置设有贯穿所述第一信号层和所述第二信号层的过孔，且所述过孔位置与所述第一探测开口和所述第二探测开口的开孔处对应；所述第一探测线和所述第二探测线轴对称设置，且所述第一探测线圈与所述第二探测线圈通过所述过孔相连接，用于探测磁场信号；

所述第一接地层上远离所述第一探测开口的一端还设有第一转接部和第二转接部；所述第一探测线与所述第一转接部相连接，所述第二探测线与所述第二转接部相连接；

所述第一探测线和所述第二探测线为矩形线圈、圆形线圈或者多边形线圈。

2.一种磁场探测装置，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的磁场无源探头；

有源放大电路板，与所述磁场无源探头相连接，所述有源放大电路板上铺设有供电电路和增益放大电路；

所述供电电路，用于提供电信号；

所述增益放大电路，分别与所述供电电路和所述磁场无源探头相连接，用于对磁场信号进行放大；

所述增益放大电路包括三级差分放大电路。

3.根据权利要求2所述的磁场探测装置，其特征在于，所述磁场无源探头的第一接地层上远离所述第一探测开口的一端还设有第一转接部和第二转接部；所述有源放大电路板上还设有第三转接部和第四转接部，所述第三转接部与所述第一转接部相连接，所述第四转接部与所述第二转接部相连接。

4.根据权利要求3所述的磁场探测装置，其特征在于，所述磁场探测装置还包括第一电容和第二电容，所述第三转接部通过所述第一电容与所述第一转接部相连接，所述第四转接部通过所述第二电容与所述第二转接部相连接。

5.根据权利要求2所述的磁场探测装置，其特征在于，所述磁场探测装置还包括第一SMA连接器和第二SMA连接器，所述第一SMA连接器的一端与所述增益放大电路的第一输出端相连接，另一端连接外部分析设备；所述第二SMA连接器的一端与所述增益放大电路的第二输出端相连接，另一端连接外部分析设备；所述第一SMA连接器和所述第二SMA连接器用于将所述磁场信号传输至所述外部分析设备进行分析，以得到磁场参数。

6.根据权利要求5所述的磁场探测装置，其特征在于，所述有源放大电路板上还布设有一个第一SMA转换通孔和一个第二SMA转换通孔；所述增益放大电路的第一输出端通过所述第一SMA转换通孔与所述第一SMA连接器的一端相连接，所述增益放大电路的第二输出端通过所述第二SMA转换通孔与所述第二SMA连接器的一端相连接。

7.根据权利要求2所述的磁场探测装置，其特征在于，所述有源放大电路板为采用LTCC工艺制备的电路板。