CN112526221A - 电磁场复合探头和探测系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电磁检测技术领域，公开了一种电磁场复合探头和探测系统。所述电磁场复合探头，包括设有若干屏蔽接地通孔的PCB板，所述PCB板包括信号探测部和信号传输部；所述信号探测部包括硅基探头，所述硅基探头上设置有一探测线圈，所述探测线圈与所述信号传输部相连接构成一探测环路，所述探测环路用于探测待测件的电磁场得到得到射频信号；所述信号传输部，与所述信号探测部相连接，用于将得到的所述射频信号以预设特性阻抗的形式传输出去。由于所述硅基探头上能够设计尺寸很小的探测环路，因而能够较好地提高所述电磁场复合探头的探测灵敏度，同时还能提高所述电磁场复合探头的空间分辨率。

Description

电磁场复合探头和探测系统

技术领域

本发明涉及电磁检测技术领域，特别是涉及一种电磁场复合探头和探测系统。

背景技术

随着集成电路工艺等电子制造技术的发展，芯片及电路板朝着高集成、高速化方向发展，然而这也导致产品的电磁可靠性问题变得越来越严重。现下芯片/电路的集成度高，规模大，一旦发生故障，传统的人工排查也越来也难以进行。基于近场扫描的电磁干扰图像重构是现今处理EMC设计问题最有效的方法。在芯片及电子产品工作时，内部会辐射源会辐射出的频谱较宽的电磁场，对于高度集成化的芯片，由于其工作电压很低，辐射的电磁场十分微弱，因此设计高灵敏度的宽带近场探头是近场扫描的关键，同时也是解决芯片/电子电路电磁环境可靠性问题必不可少的工具之一。

目前无源探头的方案有多种方案，但是现有的方案都有如下的共性设计问题，即在设计电磁场探头时无法使其兼具高灵敏度和高分辨率。

发明内容

基于此，有必要针对现有的无源探头无法兼具高灵敏度和高分辨率的问题，提供一种电磁场复合探头和探测系统。

一种电磁场复合探头，包括设有若干屏蔽接地通孔的PCB板，所述PCB板包括信号探测部和信号传输部；所述信号探测部包括硅基探头，所述硅基探头上设置有一探测线圈，所述探测线圈与所述信号传输部相连接构成一探测环路，所述探测环路用于探测待测件的电磁场得到得到射频信号；所述信号传输部，与所述信号探测部相连接，用于将得到的所述射频信号以预设特性阻抗的形式传输出去。

上述电磁场复合探头，在硅基探头上设置一探测线圈作为信号探测部来对待测件的电磁场进行检测，以获取射频信号。所述信号探测部与所述信号传输部相连接，所述信号传输部用于对测得的所述射频信号进行传输。由于所述硅基探头上能够设计很小的环路，因而能够较好地提高所述信号探测部的灵敏度，同时还能提高所述信号探测部的空间分辨率。

在其中一个实施例中，所述电磁场复合探头还包括SMA连接器，所述信号探测部通过所述信号传输部电连接所述SMA连接器的一端，所述SMA连接器的另一端用于连接外部分析设备；所述SMA连接器用于将所述射频信号传输至所述外部分析设备进行分析得到电场参数和磁场参数。

在其中一个实施例中，在所述硅基探头上通过刻蚀技术获取所述探测线圈。

在其中一个实施例中，所述信号传输部包括第一接地层、第二接地层、第一信号层和第三接地层、第一导电孔壁以及第二导电孔壁；所述第一接地层、第二接地层、第一信号层和第三接地层依次排列，所述硅基探头设置于所述第一接地层的远离所述第二接地层一侧，所述第一信号层包括第一信号板和带状线，所述带状线位于所述第一信号板靠近所述第二接地层的一侧；所述第一导电孔壁贯穿所述第一接地层与所述第二接地层，所述第二导电孔壁贯穿所述第二接地层与所述第一信号板；所述硅基探头依次通过所述第一导电孔壁以及所述第二导电孔壁连接所述带状线的第一端。

在其中一个实施例中，所述硅基探头通过倒装焊的方式焊接在所述第一接地层上。

在其中一个实施例中，所述信号传输部还包括第三导电孔壁以及第四导电孔壁；所述第三导电孔壁贯穿所述第一接地层与所述第二接地层，所述第四导电孔壁贯穿所述第二接地层与所述第一信号板；所述SMA连接器依次通过所述第三导电孔壁以及所述第四导电孔壁连接所述带状线的第二端。

在其中一个实施例中，所述SMA连接器和所述带状线的特性阻抗相同。

在其中一个实施例中，所述PCB板为LTCC工艺制备的电路板。

在其中一个实施例中，所述电磁场复合探头的探测空间分辨率为75～85um。

一种探测系统，包括分析设备和上述任一项所述的电磁场复合探头，所述SMA连接器与所述分析设备相连接；所述SMA连接器输出所述射频信号至所述分析设备，所述分析设备对所述射频信号进行电磁分离，以得到电场参数和磁场参数。

附图说明

图1为本发明其中一实施例中的电磁场复合探头的结构示意图；

图2为本发明其中一实施例中的电磁场复合探头的部分放大结构示意图；

图3为本发明其中一实施例中的硅基探头的平面设计图；

图4为本发明其中一实施例中的硅基探头另一视角的平面设计图；

图5为本发明其中一实施例中的电磁场复合探头的信号探测部的部分立体示意图；

图6为本发明其中一实施例中的第一接地层的平面示意图；

图7为本发明其中一实施例中的第二接地层的平面示意图；

图8为本发明其中一实施例中的第一信号层的平面示意图；

图9为本发明其中一实施例中的第四接地层的平面示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的优选实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反的，提供这些实施方式的目的是为了对本发明的公开内容理解得更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”、“周向”以及类似的表述是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

目前无源探头具有多种设计方案，然而现有的方案中都有灵敏度和空间分辨率低的共性问题。本发明中提出了一种具有高灵敏度高分辨率的电磁场复合探头。图1为本发明其中一实施例中的电磁场复合探头的结构示意图，图2为本发明其中一实施例中的电磁场复合探头的部分放大结构示意图。在其中一个实施例中，所述电磁场复合探头包括设有若干屏蔽接地通孔的PCB板，所述PCB板包括信号探测部100和信号传输部200。所述信号探测部100，包括硅基探头110，所述硅基探头上设置有一探测线圈111。所述探测线圈111与所述信号传输部200相连接构成一探测环路，所述探测环路用于探测待测件的电磁场得到得到射频信号。所述信号传输部200与所述信号探测部100相连接，用于将得到的所述射频信号以预设特性阻抗的形式传输出去。

本发明提供的所述电磁场复合探头包含了用于对射频电磁场进行探测的所述信号探测部和用于传输探测所得信号的所述信号传输部。在本实施例中，所述硅基探头为晶圆。晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出即可形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后形成的硅晶圆片即为晶圆。本发明的探测部分在晶圆上进行设计，通过其上的探测线圈(Loop)对待测件的电场和磁场同时进行探测。所述探测线圈在所述探测环路接通后，根据其内部的磁通量的变化测量获取所述待测件的磁场信号。另外，当所述待测件正处于高频工作状态时，此时所述探测线圈靠近所述待测件，则所述探测线圈与所述待测件之间会形成一个分布电容。根据所述探测线圈根据与所述待测件之间的分布电容耦合获取所述待测件的电场信号。由于在晶圆上能够设计很小的探测环路，因而能有效提高所述电磁场复合探头的灵敏度，同时有效提高空间分辨率。对所述信号传输部进行通过合理的设计和阻抗控制，将测得的所述电场信号和所述磁场信号分离传输到对应的端口，以对电磁信号进行传输，可以保证传输过程对电磁信号的损耗低、反射低，同时可以屏蔽外部的干扰。

图3为本发明其中一实施例中的硅基探头的平面设计图，图4为本发明其中一实施例中的硅基探头另一视角的平面设计图，在其中一个实施例中，所述探测线圈为U型线圈。在实际应用中，可以根据具体的探测需求，将所述探测线圈设计成不同的形状，以获得不同的感应区形状。

在其中一个实施例中，所述电磁场复合探头还包括SMA连接器(图中未示)，所述信号探测部通过所述信号传输部电连接所述SMA连接器的一端，所述SMA连接器的另一端用于连接外部分析设备；所述SMA连接器用于将所述射频信号传输至所述外部分析设备进行分析得到电场参数和磁场参数。

所述电磁场复合探头利用所述信号探测部100对待测件进行测量，所述信号探测部100对所述待测件的耦合方式有两种，一是通过所述U型线圈与所述待测件之间的分布电容对所述待测件的电场进行耦合，二是通过U型线圈本身根据通过其内部的磁通量变化对所述待测件的磁场进行耦合。此时，所述带侧键的电场耦合等效为一个电流源，磁场耦合等效为一个电压源。所述信号探测部100探测获取了一个射频信号后，通过所述信号传输部200将测得的所述射频信号传输至所述SMA连接器。

在本实施例中，所述SMA连接器包括第一SMA连接器和第二SMA连接器。所述第一SMA连接器和第二SMA连接器分别为与外部分析设备的特性阻抗相匹配的连接器，通过第一SMA连接器和第二SMA连接器可将所述射频信号传输至所述外部分析设备。所述外部分析设备获取所述射频信号后，即以针对在不同磁场位置测量获得的所述射频信号进行分析，以计算获取更加精准的磁场参数。所述外部分析设备采用基尔霍夫电压定律和叠加原理对所述射频信号进行分析，以将所述待测件的电场电流和磁场电流计算出来，从而分别获得所述待测件的电场参数和磁场参数。

在其中一个实施例中，在所述硅基探头110上通过刻蚀技术获取所述探测线圈111。使用刻蚀技术参照图2、图3所示的设计图，在所述硅基探头100上形成一个U型的金属线圈。可选地，可以根据设计需要利用刻蚀技术在所述硅基探头100上形成不同的形状的金属线圈。

图5为本发明其中一实施例中的电磁场复合探头的信号探测部的部分立体示意图，所述信号传输部200包括第一接地层210、第二接地层220、第一信号层230和第三接地层240、第一导电孔壁(图中未示)以及第二导电孔壁(图中未示)。所述第一接地层210、第二接地层220、第一信号层230和第三接地层240如图5所示依次排列。所述硅基探头110设置于所述第一接地层210的远离所述第二接地层220一侧，所述第一信号层230包括第一信号板231和带状线232。在本实施例中，所述带状线232包括第一带状线和第二带状线，所述第一带状线和第二带状线均位于所述第一信号板231靠近所述第二接地层220的一侧。所述第一导电孔壁贯穿所述第一接地层210与所述第二接地层220，所述第二导电孔壁贯穿所述第二接地层220与所述第一信号板231。所述硅基探头110依次通过所述第一导电孔壁以及所述第二导电孔壁分别与所述第一带状线和第二带状线的第一端相连接。

图6至图9分别为本发明其中一实施例的第一接地层210、第二接地层220、第一信号层230和第三接地层240的平面示意图。其中，第一接地层210、第二接地层220、第一信号层230和第三接地层240均为一块形状不规则的电路板，且四块电路板的形状大小均相同。所述第一接地层210、所述第二接地层220、所述第一信号层230和所述第三接地层240上均分布有多个信号过孔250，各层上布设的信号过孔250的位置对应。所述信号过孔250是贯穿其所在层的通孔，可用于实现各层间的互连，其孔壁上可用化学沉积的方法镀上一层金属，起到电气连接的作用，即在本实施例中的导电孔壁均为金属孔壁。所述第一接地层210上的信号过孔250通过所述第一导电孔壁与所述第二接地层220上的信号过孔250相连接，所述第二接地层220上的信号过孔250通过第二导电孔壁与所述第一信号板231上的信号过孔250相连接。各层之间除了通过导电孔壁电气互连之外，其他地方绝缘。

所述硅基探头110设置于所述第一接地层210远离所述第二接地层220的一侧，所述第一接地层210远离所述第二接地层220的一侧上还设置有地线211,。所述地线211的一端与所述硅基探头110相连接，所述地线211的另一端接地。第一信号层230包括第一信号板231和两根传输线，两根所述传输线均位于所述第一信号板231上靠近所述第二接地层220的一侧。带状线是一条置于2个平行的地平面(或电源平面)之间的电介质之间的一根高频传输导线。所述第一信号层230上的两根传输线置于所述第二接地层220和第三接地层240之间，即将其置于了两个平行的地平面之间，从而构成了用于传输信号的所述第一带状线和第二带状线。

所述所述第一带状线和第二带状线的一端依次通过所述第二导电孔壁以及所述第一导电孔壁与所述硅基探头110相连接，所述第一带状线的另一端与所述第一SMA连接器相连接连接，所述第二带状线的另一端则与所述第二SMA连接器相连接。所述硅基探头110与所述带状线232相连接后构成一探测环路，用于对待测件的电磁场进行探测。所述探测环路可以根据所述探测线圈111中磁通量的变化对所述待测件的磁场进行耦合，通过所述探测线圈111与所述待测件之间的分布电容对所述待测件的电场进行耦合。所述硅基探头110设置于所述电磁场复合探头的顶端，可提高对电磁场的探测效率。

利用该具有高灵敏度高分辨率的电磁场复合探头对待测件进行电磁场近场测量时，需要把该探头的两个SMA连接器的输出端接到频谱分析仪的输入端后，再进行射频信号的测量。所述电磁场复合探头利用所述硅基探头110测量获取一射频信号，通过所述信号传输部200将所述射频信号以预设特性阻抗的形式传输至所述第一SMA连接器和第二SMA连接器。所述信号传输部200包括镍钯金传输线、转换通孔、带状线，通过合理的设计和阻抗控制，可以保证电磁信号的传输过程中对信号的损耗低、反射低，同时能够屏蔽外部干扰。所述第一SMA连接器和第二SMA连接器为与外部分析设备的特性阻抗相匹配的连接器，通过所述第一SMA连接器和第二SMA连接器可分别将所硅基探头110与电场耦合所得的射频信号和与磁场耦合所得的射频信号传输至所述外部分析设备。所述外部分析设备利用基尔霍夫电压定律和叠加原理所述射频信号对进行分析，获取更加精准的电场参数和磁场参数。其中，所述电场参数和所述磁场参数分别为表征电场和磁场大小的参数。本发明提出的所述电磁场复合探头具有较高的灵敏度和空间分辨率，可以对待测电路板(包括板上的集成电路)局部的高带宽、高精度的电磁场分布进行测量，尤其是能够完成对于微弱电磁场的探测。

在其中一个实施例中，所述硅基探头110通过倒装焊的方式焊接在所述第一接地层210上。倒装焊技术是指将IC芯片面朝下，与封装外壳或布线基板直接互连的一种技术。与其他芯片互连技术相比较，倒装焊的互连线短、寄生电容和寄生电感小，芯片的I/O电极可在芯片表面任意设置，封装密度高，因此更适用于高频、高速、高I/O端的集成电路。请参见图6，图中顶层上的小立方体即为所述硅基探头110的裸片(die)，其长宽尺寸为395um x197um。

在其中一个实施例中，所述信号传输部200还包括多个SMA转换通孔260，第三导电孔壁(图中未示)以及第四导电孔壁(图中未示)。所述第一接地层210、所述第二接地层220、所述第一信号层230和所述第三接地层240上均分布有多个SMA转换通孔260，且各层上布设的SMA转换通孔260的位置均相同。所述第一接地层210上的SMA转换通孔260通过所述第三导电孔壁与所述第二接地层220上的SMA转换通孔260相连接，所述第二接地层220上的SMA转换通孔260通过所述第四导电孔壁与所述第一信号板231上的SMA转换通孔260相连接。所述第一SMA连接器依次通过所述第三导电孔壁以及所述第四导电孔壁连接所述第一带状线的第二端，所述第二SMA连接器依次通过所述第三导电孔壁以及所述第四导电孔壁连接所述第二带状线的第二端。

在本实施例中，所述第一SMA连接器通过所述第三导电孔壁和所述第四导电孔壁与所述第一带状线的第二端相连接，所述第二SMA连接器通过所述第三导电孔壁和所述第四导电孔壁与所述第人带状线的第二端相连接，所述第一SMA连接器和所述第二SMA连接器的另一端分别与外部分析设备相连接。所述SMA转换通孔260用于将所述电磁场复合探头的信号传输方式转换为与两个SMA连接器相匹配的传输方式，以保证传输反射最小、阻抗匹配，同时，可抑制传输谐振。通过对转换通孔进行合理的结构设计，本发明实施例的电磁场复合探头可将射频信号以50欧阻抗的形式传输出去，传输过程保证信号的低损耗，低反射。通过设置上述SMA转换通孔260、所述第三导电孔壁以及所述第四导电孔壁，可以保证探头的传输特性阻抗匹配、并抑制信号衰减以及传输谐振，提高电场的探测效率。

在其中一个实施例中，所述SMA连接器和所述带状线的特性阻抗相同。在本实施例中，所述第一SMA连接器、所述第二SMA连接器、所述第一带状线和所述第二带状线的阻抗均控制为50欧姆，特性阻抗的阻值决定了分析设备在两个SMA连接器的输出端所测到的射频电流或者射频电压数值的大小。所述信号传输部200的各层之间的间隔以及导线的尺寸和材料等因素决定了导线的阻抗，可以通过一些成熟的商业软件进行计算，计算出在预设阻抗下层间间隔、导线尺寸以及材料等因素所需要的设计。通过合理设计可以将所述第一SMA连接器、所述第二SMA连接器、所述第一带状线和所述第二带状线设计为相同的特性阻抗。由于通常外设分析设备的特性阻抗一般都为50欧，因此在本实施例中选择将特性阻抗设计为50欧，便于与外设分析设备进行阻抗匹配，同时保证传输过程中的信号损耗低、信号反射低。

在其中一个实施例中，所述PCB板为LTCC工艺制备的电路板。与其它集成技术相比，LTCC工艺制备的电路板具有以下优点：陶瓷材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性。根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，可提高电路系统的品质因数，增加了电路设计的灵活性。LTCC电路基板可以适应大电流及耐高温特性要求，并比普通PCB电路基板具备更优良的热传导性，极大地优化了电子设备的散热设计。采用LTCC工艺制备的电路板，可保证传输阻抗匹配、并抑制信号衰减以及传输谐振，保证电场探测效率。

在其中一个实施例中，所述电磁场复合探头的探测空间分辨率为75～85um。本发明提供的所述电磁场无源探头的应用频率范围由其整体设计决定，包括材料的应用以及结构的设计，可以通过一定的方法来标定其频率应用范围。在本实施例中，根据在晶圆上设计的探测结构及在基板上设计的传输结构，所述电磁场复合探头的探测空间分辨率为80um，所述电磁场复合探头的探测灵敏度为-25dB[A/m]。

在其中一个实施例中，所述电磁场复合探头中的探测线圈可采用不同的形状尺寸，所述电磁场复合探头的外接连接器也可采用不同的类型。通过根据所述电磁场复合探头探测获取的所述射频信号计算和校准，可以得到电场和磁场信号大小。利用微带线产生可以对所述电磁场复合探头的测量结果进行探测校准。所述微带线可以产生一定的射频电磁场，通过扫描已知微带线的宽度，利用网络分析仪可标定所述电磁场复合探头的空间分辨率。

具体地，可用网络分析仪和微带线搭建电磁场复合探头的校准系统。校准用的所述微带线可被认为是一个可用来发射标准场的外部标准件。该微带线可产生一定的准TEM(Transverse Electric and Magnetic Field，电磁场)射频电场，使用所述电磁场复合探头对该标准件进行Y方向的扫描(垂直于微带线走线方向)，可以得到所述电磁场无源探头的空间分辨率。具体的扫描方法包括：用探头在不同的位置进行探测，探测出场强大小，使用网络分析仪绘制不同位置场强大小随位置的关系图，进而得出空间分辨率。另外，通过逐步调小标准源电磁信号可以对探头的探测灵敏度进行标定。借助该校准系统及扫描方法，可对所述电磁场复合探头的测量结果进行探测校准。

本发明还提供了一种探测系统，包括分析设备和上述任一项实施例中所述的电磁场复合探头。所述SMA连接器与所述分析设备相连接。在本实施例中，所述SMA连接器包括第一SMA连接器和第二SMA连接器。所述第一SMA连接器和第二SMA连接用于将所述带状线上传输的所述射频信号输出至所述分析设备，所述分析设备对所述射频信号进行电磁分离，以得到电场参数和磁场参数。

上述探测系统，由于包括了上述电磁场复合探头，因此可以利用所述电磁场复合探头的信号探测部探测获得射频信号，通过所述信号传输部200将所述射频信号分别传输至第一SMA连接器和第二SMA连接器，再由所述第一SMA连接器和第二SMA连接器将所述射频信号传输至所述分析设备。所述分析设备可针对所述射频信号使用基尔霍夫电流定律和叠加原理进行分析，以获取精准的电场参数和磁场参数。所述探测系统在进行电磁场测量时具有较高灵敏度和空间分辨率，可以实现对芯片以及电路板局部的高带宽、高精度的电磁场分布进行测量，尤其是可以完成对于微弱电磁场的探测。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电磁场复合探头，其特征在于，包括设有若干屏蔽接地通孔的PCB板，所述PCB板包括信号探测部和信号传输部；

所述信号探测部包括硅基探头，所述硅基探头上设置有一探测线圈，所述探测线圈与所述信号传输部相连接构成一探测环路，所述探测环路用于探测待测件的电磁场得到得到射频信号；

所述信号传输部，与所述信号探测部相连接，用于将得到的所述射频信号以预设特性阻抗的形式传输出去。

2.根据权利要求1所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述电磁场复合探头还包括SMA连接器，所述信号探测部通过所述信号传输部电连接所述SMA连接器的一端，所述SMA连接器的另一端用于连接外部分析设备；所述SMA连接器用于将所述射频信号传输至所述外部分析设备进行分析得到电场参数和磁场参数。

3.根据权利要求1所述的电磁场复合探头，其特征在于，在所述硅基探头上通过刻蚀技术获取所述探测线圈。

4.根据权利要求2所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述信号传输部包括第一接地层、第二接地层、第一信号层和第三接地层、第一导电孔壁以及第二导电孔壁；

所述第一接地层、第二接地层、第一信号层和第三接地层依次排列，所述硅基探头设置于所述第一接地层的远离所述第二接地层一侧，所述第一信号层包括第一信号板和带状线，所述带状线位于所述第一信号板靠近所述第二接地层的一侧；

所述第一导电孔壁贯穿所述第一接地层与所述第二接地层，所述第二导电孔壁贯穿所述第二接地层与所述第一信号板；

所述硅基探头依次通过所述第一导电孔壁以及所述第二导电孔壁连接所述带状线的第一端。

5.根据权利要求4所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述硅基探头通过倒装焊的方式焊接在所述第一接地层上。

6.根据权利要求4所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述信号传输部还包括第三导电孔壁以及第四导电孔壁；

所述第三导电孔壁贯穿所述第一接地层与所述第二接地层，所述第四导电孔壁贯穿所述第二接地层与所述第一信号板；

所述SMA连接器依次通过所述第三导电孔壁以及所述第四导电孔壁连接所述带状线的第二端。

7.根据权利要求4所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述SMA连接器和所述带状线的特性阻抗相同。

8.根据权利要求1所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述PCB板为LTCC工艺制备的电路板。

9.根据权利要求1所述的电磁场复合探头，其特征在于，所述电磁场复合探头的探测空间分辨率为75～85um。

10.一种探测系统，其特征在于，包括分析设备和权利要求1-9任一项所述的电磁场复合探头，所述SMA连接器与所述分析设备相连接；

所述SMA连接器输出所述射频信号至所述分析设备，所述分析设备对所述射频信号进行电磁分离，以得到电场参数和磁场参数。

Images