CN109061320B - 电磁场复合探头和探测系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种电磁场复合探头和探测系统。电磁场复合探头包括第一SMA接头、第二SMA接头和PCB板，PCB板包括信号传输部和电磁场探针；电磁场探针通过信号传输部电连接第一SMA接头一端和第二SMA接头一端，第一SMA接头另一端和第二SMA接头另一端用于连接分析设备；电磁场探针探测待测电路板的电磁场得到射频信号，并分别依次通过信号传输部和第一SMA接头、以及依次通过信号传输部和第二SMA接头，将射频信号传输至分析设备进行分析得到电场参数和磁场参数。采用本申请，可以实现同点的电场和磁场的测量，探测效率高，且可避免因采用不同探测结构而出现的双物理量探测互扰问题，准确性高。

Description

电磁场复合探头和探测系统

技术领域

本申请涉及电磁检测技术领域，特别是涉及一种电磁场复合探头和探测系统。

背景技术

随着科技的发展，电子设备的结构更加小型化、高频化和高密度，可以减小电子设备的占用空间，但是也会引起EMC(Electro Magnetic Compatibility)问题、导致电子设备的电磁可靠性低。基于近场扫描的干扰图像重构是现今处理EMC设计问题最有效的方法，而近场扫描的关键工具是探头。

近场扫描包括对电场的探测和磁场的探测。传统使用的探头大多是分开对电场和磁场进行探测的，探测电场的位置点和探测磁场的位置点不同，难以实现同点的电场和磁场的同时测量分析，探测效率低下。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够实现同时同点测量、提高探测效率的电磁场复合探头和探测系统。

一种电磁场复合探头，包括第一SMA接头、第二SMA接头和PCB板，所述PCB板包括信号传输部和电磁场探针；所述电磁场探针通过所述信号传输部电连接所述第一SMA接头一端和所述第二SMA接头一端，所述第一SMA接头另一端和所述第二SMA接头另一端用于连接分析设备；

所述电磁场探针探测待测电路板的电磁场得到射频信号，并分别依次通过所述信号传输部和所述第一SMA接头、以及依次通过所述信号传输部和所述第二SMA接头，将所述射频信号传输至所述分析设备进行分析得到电场参数和磁场参数。

一种探测系统，包括分析设备和上述的电磁场复合探头，所述第一SMA接头和所述第二SMA接头连接所述分析设备；

所述第一SMA接头和所述第二SMA接头分别输出射频信号至所述分析设备，所述分析设备对所述第一SMA接头输出的射频信号和所述第二SMA接头输出的射频信号分别进行矢量分析，对应得到第一电信号数据和第二电信号数据，并根据所述第一电信号数据和所述第二电信号数据进行电磁分离得到电场参数和磁场参数。

上述电磁场复合探头和探测系统，电磁场探针探测待测电路板的电磁场得到射频信号，通过信号传输部和第一SMA接头以及通过信号传输部和第二SMA接头传输射频信号至分析设备，以便分析设备进行矢量分析和电磁分离得到电场参数和磁场参数。如此，探测一次即可一并完成电场和磁场的测量，无需分开探测、使用便利，而且由于采用的是一个电磁场探针，对电场和磁场探测的位置点相同，可以实现同点的电场和磁场的测量，探测效率高，且可避免因采用不同探测结构而出现的双物理量探测互扰问题，准确性高。

附图说明

图1为一实施例中电磁场复合探头的结构示意图；

图2为一实施例中PCB板各层的示意图；

图3为基于微带线进行探测系统校准的示意图；

图4为对待探测电路进行电磁场探测的应用环境示意图；

图5为一实施例中频率-信号幅度(dB)曲线的示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在一个实施例中，参考图1，提供了一种电磁场复合探头，可用于对待测电路板(包括板上的集成电路)进行电磁场探测。电磁场复合探头包括第一SMA(Sub-Miniature-A简称SMA)接头110、第二SMA接头120和PCB板(图未示)，PCB板包括信号传输部130和电磁场探针140；电磁场探针140通过信号传输部130电连接第一SMA接头110一端和第二SMA接头120一端，第一SMA接头110另一端和第二SMA接头120另一端用于连接分析设备200。其中，第一SMA接头110和第二SMA接头120是一种连接器。

电磁场探针140探测待测电路板的电磁场得到射频信号，并分别依次通过信号传输部130和第一SMA接头110、以及依次通过信号传输部130和第二SMA接头120，将射频信号传输至分析设备200进行分析得到电场参数和磁场参数。

具体地，电磁场探针140探测待测电路板的电磁场得到射频信号后，信号传输部130将射频信号传输至第一SMA接头110和第二SMA接头120，第一SMA接头110和第二SMA接头120分别输出射频信号至分析设备200。其中，分析设备200为可进行矢量分析和电磁分离的设备；电场参数是表征电场大小的参数，磁场参数是表征磁场大小的参数，例如，电场参数和磁场参数可以是电压值。将射频信号输出至分析设备200，从而可使用分析设备200进行矢量分析和电磁分离得到电场参数和磁场参数，实现电场和磁场的测量。

传统技术中，对电场和磁场进行分开探测的方式一般有两种：一种是采用单独的电场探头进行电场探测，一种是采用单独的磁场探头进行磁场探测，需要分两次进行测量，难以实现同时同点的电场和磁场探测；另一种是在一个探头的结构中设置用于探测电场的探针和用于探测磁场的线圈，探针和线圈分别设置于不同的层中，由于存在位置偏差，同样难以实现同点的电场和磁场探测，而且探针的线圈之间会存在双物理量探测互扰，准确性低。

上述电磁场复合探头，电磁场探针140探测待测电路板的电磁场得到射频信号，通过信号传输部130和第一SMA接头110以及通过信号传输部130和第二SMA接头120传输射频信号至分析设备400，以便分析设备400进行矢量分析和电磁分离得到电场参数和磁场参数。如此，探测一次即可一并完成电场和磁场的测量，无需分开探测、使用便利，而且由于采用的是一个电磁场探针140，对电场和磁场探测的位置点相同，可以实现同点的电场和磁场的测量，探测效率高，且可避免因采用不同探测结构而出现的双物理量探测互扰问题，准确性高。

在一个实施例中，PCB板包括依次叠加的顶层屏蔽层、附加层、信号层和底层屏蔽层。即，如果以顶层屏蔽层为第一层，则附加层为第二层，信号层为第三层，底层屏蔽层为第四层。信号传输部130包括依次电连接的CB-CPW(共面波导)传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔、信号层信号过孔和带状线。CB-CPW传输线和顶层信号过孔布设于顶层屏蔽层，且CB-CPW传输线电连接顶层信号过孔的金属孔壁。附加层信号过孔布设于附加层，信号层信号过孔布设于信号层，顶层信号过孔、附加层信号过孔和信号层信号过孔三者的位置对应且依次通过各自的金属孔壁电连接；即，顶层信号过孔的金属孔壁与附加层信号过孔的金属孔壁电连接，附加层信号过孔的金属孔壁与信号层信号过孔的金属孔壁电连接。电磁场探针140布设于信号层且伸出于信号层被覆盖的区域之外。带状线的一侧依次通过信号层信号过孔的金属孔壁、附加层信号过孔的金属孔壁、顶层信号过孔的金属孔壁和CB-CPW传输线电连接第一SMA接头110和第二SMA接头120，另一侧电连接电磁场探针140。

其中，附加层信号过孔、顶层信号过孔和信号层信号过孔均是穿过所在层的金属化孔，可用于实现内部互连，其孔壁上可用化学沉积的方法镀上一层金属，起到电气连接的作用，可使带状线与CB-CPW传输线之间电连接。附加层信号过孔、信号层信号过孔与顶层信号过孔的位置对应，是指附加层信号过孔的布设位置与顶层信号过孔在附加层上映射的位置相同，信号层信号过孔的布设位置与顶层信号过孔在信号层上映射的位置相同。具体地，各层之间除了金属化孔之间电气连接之外，其他地方绝缘。

顶层屏蔽层和底层屏蔽层可用于屏蔽干扰；附加层可用于与顶层屏蔽层组成共面波导结构；信号层可用于信号传输。其中，带状线位于信号层内被附加层和底层屏蔽层覆盖，即带状线布设在信号层且不会伸出信号层。电磁场探针140伸出于信号层被覆盖的区域之外，电磁场探针140不受顶层屏蔽层和底层屏蔽层的覆盖屏蔽，可提高对电磁场的探测效率。

通过在PCB板的对应层上布设CB-CPW传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔、信号层信号过孔、带状线和电磁场探针140，顶层屏蔽层和底层屏蔽层构成屏蔽干扰的结构，电磁场探针140不受覆盖屏蔽，电磁场探针140依次通过带状线、信号层信号过孔的金属孔壁、附加层信号过孔的金属孔壁、顶层信号过孔的金属孔壁连接CB-CPW传输线，该传输结构可使电磁场复合探头具有较高的探测带宽并保证高精度的电磁场分布测量，可实现待测电路板局部的高带宽、高精度的电磁场分布测量。而且，由于采用的是一个电磁场探针140，只需要设置一层信号层即可，层数少。

在一个实施例中，PCB板各层的横截面为由本体部和延伸部构成的凸字形且大小相同，延伸部为凸字形的突出部分；凸字形的突出部分为宽度较小的部分，本体部为凸字形中宽度较大的部分，即，本体部的宽度大于延伸部的宽度。具体地，CB-CPW传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔和信号层信号过孔布设于对应层的本体部；即，CB-CPW传输线和顶层信号过孔布设于顶层的本体部，附加层信号过孔布设于附加层的本体部，信号层信号过孔布设于信号层的本体部。带状线从信号层的本体部延伸至信号层的延伸部，电磁场探针140在信号层的延伸部的延伸方向上的长度为1.39mm(毫米)。即，电磁场探针140伸出信号层之外1.39mm。

电磁场探针140伸出的长度与电磁场复合探头整体的工作频带有关。通过设置长度为1.39mm，使得电磁场复合探头的工作频带宽。具体地，在其他实施例中，还可以根据其他不同需求设置不同伸出长度的电磁场探针140。本实施例中，电磁场复合探头的工作频带为300kHz(千赫兹)-20GHz(吉赫兹)，即，电磁场复合探头可探测的电场和磁场的频率带宽为300kHz-20GHz，具有较高的带宽。具体地，可以标定电磁场复合探头的工作频带。

在一个实施例中，各层的延伸部的多个相同位置处布设有屏蔽过孔，屏蔽过孔沿延伸部的延伸方向排列。即，各层的延伸部上均设置有屏蔽过孔，且各层的屏蔽过孔的位置对应。其中，各层的屏蔽过孔的位置对应是指当前层的屏蔽过孔的布设位置与相邻层的屏蔽过孔在当前层上映射的位置相同。

其中，屏蔽过孔是穿过所在层的金属化孔，其孔壁上可用化学沉积的方法镀上一层金属，起到电气连接的作用。通过在各层延伸部布设屏蔽过孔，可抑制干扰，优化电磁场探针140的传输性能。

在一个实施例中，CB-CPW传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔、信号层信号过孔和带状线的数量均为2，第一个顶层信号过孔的位置、第一个附加层信号过孔和第一个信号层信号过孔的位置对应，第二个顶层信号过孔的位置、第二个附加层信号过孔的位置和第二个信号层信号过孔的位置对应。

第一根带状线的一端依次通过第一个信号层信号过孔的金属孔壁、第一个附加层信号过孔的金属孔壁和第一个顶层信号过孔的金属孔壁电连接第一个CB-CPW传输线一端，第一个CB-CPW传输线另一端电连接第一SMA接头110；第一根带状线的另一端电连接电磁场探针140一端。第二根带状线的一端依次通过第二个信号层信号过孔的金属孔壁、第二个附加层信号过孔的金属孔壁和第二个顶层信号过孔的金属孔壁电连接第二个CB-CPW传输线一端，第二个CB-CPW传输线另一端电连接第二SMA接头120；第二根带状线的另一端电连接电磁场探针140另一端。

通过设置包括两个CB-CPW传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔、信号层信号过孔和带状线的信号传输部130的结构，使得可以分别输出射频信号至第一SMA接头110和第二SMA接头120，从而便于分析设备200根据两路射频信号进行矢量分析和电磁分离得到电场参数和磁场参数。

具体地，电磁场探针140围成的形状可以根据需要设置。例如，在一个实施例中，电磁场探针140围成的形状为U型。带状线的数量为2，第一根带状线的一端连接U型的开口侧的一端，另一端电连接信号层信号过孔的金属孔壁；第二根带状线的一端连接U型的开口侧的另一端，第二根带状线的另一端连接信号层信号过孔的金属孔壁。

在一个实施例中，PCB板的各层还布设有多个接地过孔。顶层屏蔽层的接地过孔环绕CB-CPW传输线和顶层信号过孔布设，附加层、信号层和底层屏蔽层的接地过孔与顶层屏蔽层的接地过孔的数量相等且位置对应。即，附加层的接地过孔、信号层的接地过孔和底层屏蔽层的接地过孔与顶层屏蔽层的接地过孔的数量相等且位置对应。

带状线与CB-CPW传输线在信号层信号过孔的金属孔壁、附加层信号过孔的金属孔壁、顶层信号过孔的金属孔壁的连接处，阻抗会发生突变。通过在CB-CPW传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔和信号层信号过孔的周围布设接地过孔，以构成同轴过孔阵列以补偿阻抗突变，可以抑制信号衰减，使信号反射小、信号传输性能好。具体地，接地过孔的个数以及接地过孔至顶层信号过孔或附加层信号过孔或信号层信号过孔的距离可根据电磁场探头的结构、传输结构的尺寸、PCB板的介质基片厚度等参数进行调整。

在一个实施例中，第一SMA接头110、第二SMA接头120、CB-CPW传输线和带状线的特性阻抗均为50欧姆。具体地，第一根带状线和第二根带状线的特定阻抗均为50欧姆。

PCB板各层间的间隔以及导体的尺寸和材料等因素决定了导线的特性阻抗。对于高带宽的设计问题，任何一个阻抗不匹配都会引起电磁场探头的探测能力下降。本实施例中采用50欧姆特性阻抗的第一SMA接头110、第二SMA接头120、CB-CPW传输线和带状线，电磁场复合探头可将射频信号以50欧姆阻抗的形式传输出去，可减少SMA接头、CB-CPW传输线和带状线连接时因阻抗不匹配造成的信号反射，传输过程保证信号的低损耗，低反射，提高传输效率。

为便于理解本发明电磁场复合探头的结构设计，下面以Rogers 4350B基板材料制备的一个电磁场复合探头作为示例进行说明。如图2所示，(a)部分为顶层屏蔽层Toplayer，(b)部分为附加层Middle layer1，(c)部分为信号层Middle layer2，(d)部分为底层屏蔽层Bottom layer。图中圆形为金属化孔。具体地，顶层屏蔽层Top layer除CB-CPW传输线周围(CB-CPW传输线到图中虚线之间的区域)为介质之外，其余为金属；附加层上除附加层信号过孔、接地过孔和屏蔽过孔的周边部分(图中虚线所框的区域)为金属外，其余为介质；信号层除信号层信号过孔、接地过孔、屏蔽过孔、带状线、电磁场探针140的部分为金属外，其余为介质；底层屏蔽层处对应顶层信号过孔的位置处(图中虚线圆圈的区域)为介质外，其余均为金属。凸字形本体部的宽度为20mm，延伸部的长度为61.84mm，第一根带状线和第二根带状线的间距为1.16mm，电磁场探针140伸出的长度为1.39mm。其中，Port1部分为第一个SMA接头的连接位置部分，Port2部分为第二个SMA接头的连接位置部分。

在一个实施例中，提供了一种探测系统，包括分析设备和上述电磁场复合探头，第一SMA接头和第二SMA接头连接分析设备。第一SMA接头和第二SMA接头分别输出射频信号至分析设备，分析设备对第一SMA接头输出的射频信号和第二SMA接头输出的射频信号分别进行矢量分析，对应得到第一电信号数据和第二电信号数据，并根据第一电信号数据和第二电信号数据进行电磁分离得到电场参数和磁场参数。

具体地，第一电信号数据和第二电信号数据均包括信号幅度和相位。分析设备可采用电磁分离算法进行电磁分离，例如电磁分离算法可以是共模差模分离算法。

上述探测系统，由于包括了上述电磁场复合探头，同理，可实现同点的电场和磁场的同时测量，探测效率高，且可避免因采用不同探测结构而出现的双物理量探测互扰问题，准确性高。

在一个实施例中，上述探测系统还包括移动控制平台，电磁场复合探头设置于移动控制平台。移动控制平台用于控制电磁场复合探头移动，以实现对待测电路板的不同位置点进行电磁场探测，使用便利。

在一个实施例中，分析设备包括矢量网络分析仪和计算机设备，矢量网络分析仪连接第一SMA接头、第二SMA接头和计算机设备。矢量网络分析仪用于对第一SMA接头输出的射频信号和第二SMA接头输出的射频信号分别进行矢量分析，对应得到第一电信号数据和第二电信号数据；计算机设备用于根据第一电信号数据和第二电信号数据进行电磁分离得到电场参数和磁场参数。

通过采用矢量网络分析仪和计算机设备分别各自用于矢量分析和电磁分离，处理效果好。具体地，第一SMA接头和第二SMA接头通过螺纹连接矢量网络分析仪。

在一个实施例中，分析设备根据第一电信号数据、第二电信号数据和电磁分离算法得到电场测量电压值和磁场测量电压值，根据预存的电场校准因子和电场测量电压值计算得到电场参数，根据预存的磁场校准因子和磁场测量电压值计算得到磁场参数。

其中，电场校准因子为使用电磁场复合探头在标准电场强度下测得的电场测量电压值与标准电场强度的比值，磁场校准因子为使用电磁场复合探头在标准磁场强度下测得的磁场测量电压值与标准磁场强度的比值。具体地，计算对待测电路板探测时测得的电场测量电压值与电场校准因子的商即可得到电场参数；计算对待测电路板探测时测得的磁场测量电压值与磁场校准因子的商即可得到磁场参数。

电场校准因子和磁场校准因子可通过校准操作获得。例如，利用微带线和矢量网络分析仪搭建电磁场复合探头的校准系统，如图3，该电磁场复合探头的第一SMA接头和第二SMA接头连接到矢量网络分析仪的输入端，进行射频信号的测量。具体地，微带线的一端连接50欧姆负载，另一端通过port3端口连接矢量网络分析仪的一端，用于接入信号源。校准用的微带线可被认为是一个可用来发射标准电场和标准磁场的标准件，该标准件表面的电场和磁场大小可以通过计算或者计算机仿真获得。采用前述电磁场复合探头对该标准件顶层导线上方1mm进行探测，测得在该点的电场测量电压值和磁场测量电压值，将电场测量电压值和该点对应的标准电场强度的比值作为电场校准因子(V_E/E)，将磁场测量电压值和该点对应的标准磁场强度的比值作为磁场校准因子(V_H/H)。通过该校准系统及扫描方法，可对电磁场复合探头进行探测校准，提高探测准确性。当应用上述电磁场探头对被探测电路进行电磁场量化探测之前，如图4，需使用校准操作获得探测系统的电场校准因子和磁场校准因子。

例如，图5为分别采用软件仿真和采用矢量网络分析仪与计算机设备进行处理得到的频率-信号幅度曲线。其中，Scs、simulation曲线为采用仿真软件处理得到的磁场测量电压值的大小，Sds、simulation曲线为采用仿真软件处理得到的电场测量电压值的大小；Scs、measurement曲线为采用矢量网络分析仪和计算机设备处理得到的磁场测量电压值的大小；Sds、simulation曲线为采用矢量网络分析仪和计算机设备处理得到的电场测量电压值的大小。由图可知，采用矢量网络分析仪与计算机设备进行处理得到信号幅度与采用软件仿真处理得到的信号幅度接近，表示探测系统的电磁场探测和处理结果的准确性高。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种探测系统，其特征在于，包括电磁场复合探头和分析设备，

所述电磁场复合探头包括第一SMA接头、第二SMA接头和PCB板，所述PCB板包括信号传输部和电磁场探针；所述电磁场探针通过所述信号传输部电连接所述第一SMA接头一端和所述第二SMA接头一端，所述第一SMA接头另一端和所述第二SMA接头另一端用于连接分析设备；所述电磁场复合探头的工作频带为300kHz-20GHz，

所述电磁场探针探测待测电路板的电磁场得到射频信号，并分别依次通过所述信号传输部和所述第一SMA接头、以及依次通过所述信号传输部和所述第二SMA接头，将所述射频信号传输至所述分析设备；

所述分析设备对所述第一SMA接头输出的射频信号和所述第二SMA接头输出的射频信号分别进行矢量分析，对应得到第一电信号数据和第二电信号数据，并根据所述第一电信号数据和所述第二电信号数据进行电磁分离得到电场测量电压值和磁场测量电压值，根据预存的电场校准因子和电场测量电压值计算得到电场参数，根据预存的磁场校准因子和磁场测量电压值计算得到磁场参数；所述第一电信号数据和所述第二电信号数据均包括信号幅度和相位；所述分析设备采用电磁分离算法进行电磁分离；

所述电场校准因子为使用电磁场复合探头在标准电场强度下测得的电场测量电压值与标准电场强度的比值；所述磁场校准因子为使用电磁场复合探头在标准磁场强度下测得的磁场测量电压值与标准磁场强度的比值。

2.根据权利要求1所述的探测系统，其特征在于，所述PCB板包括依次叠加的顶层屏蔽层、附加层、信号层和底层屏蔽层；

所述信号传输部包括依次电连接的CB-CPW传输线、顶层信号过孔、附加层信号过孔、信号层信号过孔和带状线，所述CB-CPW传输线和所述顶层信号过孔布设于所述顶层屏蔽层，且所述CB-CPW传输线电连接所述顶层信号过孔的金属孔壁，所述附加层信号过孔布设于所述附加层，所述信号层信号过孔布设于所述信号层，所述顶层信号过孔、所述附加层信号过孔和所述信号层信号过孔三者的位置对应且依次通过各自的金属孔壁电连接；所述电磁场探针布设于所述信号层且伸出于所述信号层被覆盖的区域之外；

所述带状线的一侧依次通过所述信号层信号过孔的金属孔壁、所述附加层信号过孔的金属孔壁、所述顶层信号过孔的金属孔壁和所述CB-CPW传输线电连接所述第一SMA接头和所述第二SMA接头，另一侧电连接所述电磁场探针。

3.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述PCB板各层的横截面为由本体部和延伸部构成的凸字形且大小相同，所述延伸部为凸字形的突出部分，所述CB-CPW传输线、所述顶层信号过孔、所述附加层信号过孔和所述信号层信号过孔布设于对应层的本体部，所述带状线从所述信号层的本体部延伸至所述信号层的延伸部；所述电磁场探针在所述信号层的延伸部的延伸方向上的长度为1.39mm。

4.根据权利要求3所述的探测系统，其特征在于，所述PCB板各层的所述延伸部的多个相同位置处布设有屏蔽过孔，所述屏蔽过孔沿所述延伸部的延伸方向排列。

5.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述CB-CPW传输线、所述顶层信号过孔、所述附加层信号过孔、所述信号层信号过孔和所述带状线的数量均为2，第一个所述顶层信号过孔的位置、第一个所述附加层信号过孔的位置和第一个所述信号层信号过孔的位置对应，第二个所述顶层信号过孔的位置、第二个所述附加层信号过孔的位置和第二个所述信号层信号过孔的位置对应；

第一根所述带状线的一端依次通过第一个所述信号层信号过孔的金属孔壁、第一个所述附加层信号过孔的金属孔壁和、第一个所述顶层信号过孔的金属孔壁电连接第一个所述CB-CPW传输线一端，第一个所述CB-CPW传输线另一端电连接所述第一SMA接头；第一根所述带状线的另一端电连接所述电磁场探针一端；

第二根所述带状线的一端依次通过第二个所述信号层信号过孔的金属孔壁、第二个所述附加层信号过孔的金属孔壁和第二个所述顶层信号过孔的金属孔壁电连接第二个所述CB-CPW传输线一端，第二个所述CB-CPW传输线另一端电连接所述第二SMA接头；第二根所述带状线的另一端电连接所述电磁场探针另一端。

6.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述PCB板的各层还布设有多个接地过孔；

所述顶层屏蔽层的接地过孔环绕所述CB-CPW传输线和所述顶层信号过孔布设，所述附加层、所述信号层和所述底层屏蔽层的接地过孔与所述顶层屏蔽层的接地过孔的数量相等且位置对应。

7.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述第一SMA接头、所述第二SMA接头、所述CB-CPW传输线和所述带状线的特性阻抗均为50欧姆。

8.根据权利要求7所述的探测系统，其特征在于，还包括移动控制平台，所述电磁场复合探头设置于所述移动控制平台。

9.根据权利要求7所述的探测系统，其特征在于，所述分析设备包括矢量网络分析仪和计算机设备，所述矢量网络分析仪连接所述第一SMA接头、所述第二SMA接头和所述计算机设备。

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