CN102033360B - 液晶显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种液晶显示面板。该液晶显示面板包括:液晶层;以及成对的基板,该成对的基板构造为彼此相对设置并夹设该液晶层。在液晶显示面板中,用于给液晶层施加电场的第一电极和第二电极以及取向膜形成在该成对基板中的一个基板的多个像素区域中,该多个像素区域形成显示区域。在第一电极和第二电极至少之一方的表面上,平坦化绝缘膜形成在多个像素区域的整个表面,取向膜形成在平坦化绝缘膜的表面上。
Description
技术领域
本发明涉及横向电场系统的液晶显示面板,并具体地涉及面内转换(IPS)模式和边缘场转换(FFS)模式的液晶显示面板,在该液晶显示面板中阵列基板的表面被平坦化,并且老化现象、显示不均匀以及闪烁的发生被抑制。
背景技术
与阴极射线管(CRT)相比,液晶显示面板具有重量轻、厚度小和功耗较低的特点,因此被用作多种电子设备的显示单元。通过由电场改变液晶分子的取向沿着预定的方向排列并从而改变通过液晶层的光的量,液晶显示面板显示图像。
给液晶显示面板的液晶层施加电场的方法包括纵向电场系统的方法和横向电场系统的方法。在纵向电场系统的液晶显示面板中,基本上沿着纵向方向的电场通过夹设液晶层的电极对施加给液晶分子。作为该纵向电场系统的液晶显示面板,已知的有扭曲向列(TN)模式的液晶显示面板、垂直取向(VA)模式的液晶显示面板、多域垂直取向(MVA)模式的液晶显示面板、电控双折射(ECB)模式的液晶显示面板等。
在横向电场系统的液晶显示面板中,彼此绝缘的电极对提供在夹设液晶层的成对基板中的一个的内表面侧,并且基本上沿着横向方向的电场被施加给液晶分子。作为该横向电场系统的液晶显示面板,已知的有IPS模式的液晶显示面板和FFS模式的液晶显示面板,在IPS模式的液晶显示面板中电极对在平面视图中不彼此重叠,在FFS模式的液晶显示面板中电极对在平面视图中彼此重叠。近年来,横向电场系统的液晶显示面板的使用增加,这是因为它具有可以获得宽视角的优点。
作为IPS模式的液晶显示面板,已知的有电极对形成在相同的层的液晶显示面板,如日本专利特开第2005-084180号公报(专利文件1)所描述的。另外,已知的有电极间绝缘膜形成在电极对之间的液晶显示面板,如日本专利特开第2008-164958号公报(专利文件2)所描述的。在该两种IPS模式的液晶显示面板中,电极对形成梳齿形状,并且在平面视图中彼此不重叠。因此,两种IPS模式的液晶显示面板具有位于像素电极之上的液晶分子不能被充分驱动以及开口率和透射率很低的问题。
另一方面,如日本专利特开第2009-036800号公报、日本专利特开第2008-268841号公报和日本专利特开第2008-180928号公报(分别为专利文件3、4和5)所描述的,已经开发了FFS模式的液晶显示面板,其中电极对在平面视图中彼此重叠并在上电极中提供狭长开口。在专利文件3公开的FFS模式的液晶显示面板中,下电极形成在与扫描线相同的层中。因此,尽管在于上电极和下电极之间具有栅极绝缘膜和钝化膜,但是存在扫描线和用作像素电极的上电极彼此靠近而由此引起不必要的电场的问题,因为栅极绝缘膜和钝化膜二者都是薄膜。此外,因为用作公共电极的下电极形成为为每个像素分离设置,所以每个像素的公共电极的配线通过形成不透明的公共线来保证,该不透明的公共线以下电极的一部分与该公共线重叠的方式形成为平行于扫描线并在与该扫描线相同的层中。因此,存在这样的问题:开口率下降,并且由于公共电极与公共线的重叠,在上电极的在平面视图中与公共线重叠的位置处产生台阶,在该台阶部分处液晶分子的排列被扰乱。
相反地,专利文件4和5公开了有关FFS模式的液晶显示面板的发明,其中薄膜晶体管(TFT)之上的层被平坦化,并且形成将扫描线与像素电极分隔开的层间绝缘膜。在专利文件4和5公开的FFS模式的液晶显示面板中,公共电极形成为遍及显示区域中的所有像素,并且该公共电极连接到显示区域的周边部分中的公共线。因此,不为各像素形成用于互连公共电极的不透明公共线。因此,专利文件4和5中公开的FFS模式的液晶显示面板与专利文件3中公开的FFS模式的液晶显示面板相比,具有开口率高和对比度高的特点。
日本专利特开第2008-096469号公报(专利文件6)也公开了本发明的相关技术。
发明内容
在横向电场系统的IPS模式和FFS模式二者的液晶显示面板中,其上形成有取向膜的表面由于电极具有梳齿形状或上电极的狭长开口而处于不平坦的状态。下面,将采用图6A至6C描述专利文件4和5中公开的FFS模式的液晶显示面板的阵列基板的表面状态。图6A是示出FFS模式的液晶显示面板的阵列基板中的取向膜的不平坦状态的示意性截面图。图6B是示出在图6A的结构中电力线形成状态的示意图。图6C是图6B中的电力线路径的示范性示意图。在图6A和6B中,仅示出了下电极、电极间绝缘膜、上电极和取向膜的结构。
在该FFS模式的液晶显示面板的阵列基板50中,电极间绝缘膜53形成在下电极51和上电极52之间。在上电极52中,形成多个狭长开口54。当电压施加在下电极51和上电极52之间时,如图6B所示,电场形成为通过狭长开口54。取向膜55形成为覆盖上电极52以及在狭长开口54的底部处暴露的电极间绝缘膜53。由于狭长开口54的存在,形成该取向膜55的表面处于不平坦的状态。
因为取向膜55通过从上电极52的表面侧进行涂布而形成,所以这样的不平坦状态造成由狭长开口54引起的凹陷部分的膜厚t1和由上电极52引起的凸起部分的膜厚t2之间的厚度差。在专利文件4和5公开的液晶显示面板中,上电极52用作公共电极并且形成为在整个显示区域中遍及各像素,因此没有在像素中形成公共线。因此,所希望的是增加用作公共电极的上电极52的膜厚,以防止上电极52具有高的电阻。
然而,当上电极52的膜厚更大时,取向膜55的凹陷部分的膜厚t1与其凸起部分的膜厚t2之间的厚度差更大。此外,如果上电极52的膜厚增加,则需要增加取向膜的厚度以覆盖上电极52。因此,容易发生取向膜的膜厚涂布不均匀,由此容易发生显示的不均匀。为了减少由于台阶部分的凹凸引起的摩擦的不均匀,尝试在狭长开口54的侧面为上电极52提供倾斜部分B,如图6A所示。然而,在取向膜55的在上电极52的倾斜部分B上的部分A处,摩擦的不均匀尽管减少但却没有被完全消除。此外,取向膜55的在上电极52的倾斜部分B上的部分A还涉及容易发生取向膜55覆盖失败的问题。这样的现象也类似地发生在IPS模式的液晶显示面板中。
而且,在FFS模式的液晶显示面板中,因为电极间绝缘膜53形成在下电极51和上电极52之间,所以在下电极51和上电极52之间形成的电场的路径为如图6C所示的顺序: 如刚刚所描述的,相对于液晶层LC而言电场路径是不对称的,这是因为在液晶层LC和下电极51之间具有绝缘层(电极间绝缘膜53),而在液晶层LC和上电极52之间不具有绝缘层。因此,在现有技术的FFS模式的液晶显示面板中,发生取向膜中的累积电荷的偏压,并且发生短时间的老化和优化公共电极电势Vcom的漂移,从而在通电状态下发生闪烁。
本发明有必要提供一种横向电场系统的液晶显示面板,其中防止了由于电极具有梳齿形状或在上电极中形成有狭长开口而使得形成取向膜的表面处于不平坦的状态,并且解决了由于不平坦引起的显示不均匀、闪烁和对比度下降的问题。
根据本发明的实施例,提供横向电场系统的液晶显示面板。该液晶显示面板包括液晶层和成对的基板,该成对的基板构造为彼此相对设置并夹设该液晶层。用于给液晶层施加电场的第一电极和第二电极以及取向膜形成在该成对基板中的一个基板的多个像素区域中,该多个像素区域形成显示区域。平坦化绝缘膜在第一电极和第二电极的至少之一方的表面上形成在多个像素区域的整个表面。取向膜形成在平坦化绝缘膜的表面上。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,取向膜形成在平坦化绝缘膜上,该平坦化绝缘膜在第一电极和第二电极的至少之一方的表面上形成在显示区域的整个表面,因此取向膜的表面是平坦的。因此,根据本发明实施例的液晶显示面板能够消除在现有技术的横向电场系统的液晶显示面板的阵列基板中发生的下述问题:由靠近液晶层的电极引起的凹凸而导致取向膜在膜厚上的差异;在电极的台阶的倾斜部分处形成取向膜失败;由电极的台阶导致的取向膜涂布不均匀;由取向膜的凹凸引起的摩擦处理的不均匀性,等等。因此,实现了具有良好显示质量的液晶显示面板。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,优选电极间绝缘膜形成在第一电极和第二电极之间。
如果正如现有技术的横向电场系统的液晶显示面板的IPS模式液晶显示面板和FFS模式液晶显示面板中的一部分而将电极间绝缘膜形成在第一电极和第二电极之间,则第一电极和第二电极之间的电场路径(当第一电极限定为靠近液晶层的电极时)为如下的顺序: 因此,电场路径相对于液晶层不对称。因此,在现有技术的液晶显示面板中,容易发生取向膜中的积累电荷的偏压,并且容易发生短时间老化和优化公共电极电势Vcom的漂移,从而在通电状态下容易发生闪烁。
然而,在根据本发明实施例的液晶显示面板中,平坦化绝缘膜设置在取向膜和第一电极之间,因此第一电极和第二电极之间的电场路径为如下顺序:就是说,电场路径相对于液晶层是对称的。因此,在根据本发明实施例的液晶显示面板中,不容易发生取向膜中累积电荷的偏压,因此不容易发生短时间老化和优化公共电极电势Vcom的漂移,从而实现了具有更加良好的显示质量的液晶显示面板。
根据本发明实施例的液晶显示面板可以具有下面的构造。具体地讲,第一电极和第二电极在平面视图中彼此重叠。在第一电极和第二电极的靠近液晶层的电极中为多个像素区域的每一个形成开口。平坦化绝缘膜形成在第一电极和第二电极的靠近液晶层的电极上以及该开口上,并且取向膜的表面被平坦化。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,第一电极和第二电极中靠近液晶层的电极用作像素电极或者公共电极。即使在靠近液晶层的电极的厚度增加时,由于平坦化绝缘膜的存在,也可使取向膜平坦化。因此,根据本发明实施例的液晶显示面板免于现有技术中因权衡问题引起的限制第一电极和第二电极中靠近液晶层的电极的膜厚,该权衡问题例如为取向膜厚度增加引起显示不均匀和取向膜必须覆盖上电极台阶的限制。因此,例如,如果使靠近液晶层的电极用作形成为遍及显示区域的整个表面的公共电极,则通过任意选择电极的膜厚可以降低电极的电阻。此外,还不容易发生优化公共电极电势Vcom的漂移,优化公共电极电势Vcom的漂移由靠近液晶层的电极的凹凸导致的取向膜膜厚差异引起。由于这些协同效果,实现了具有良好显示质量的FFS模式的液晶显示面板。
根据本发明实施例的液晶显示面板可以具有下面的构造。具体地讲,第一电极和第二电极在平面视图中不彼此重叠。平坦化绝缘膜形成在第一电极和第二电极之上,并且取向膜的表面被平坦化。
根据本发明实施例的液晶显示面板能够实现可以提供上述效果的IPS模式的液晶显示面板。具体地讲,解决了由靠近液晶层的电极的凹凸引起的优化公共电极电势Vcom漂移和取向膜涂布不均匀的问题。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,优选平坦化绝缘膜由丙烯酸基或聚硅氧烷基的树脂材料构成。
如果由丙烯酸基或者聚硅氧烷基的树脂材料构成的膜用作平坦化绝缘膜,则平坦化绝缘膜可以通过采用与液晶显示面板中的其它膜相同的材料而形成,该其它膜例如为阵列基板中的层间绝缘膜和形成在滤色器基板中的覆盖层。因此,根据本发明实施例的液晶显示面板不必单独制备用于形成平坦化绝缘膜的材料。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,优选在第一电极和第二电极的至少之一方的表面上平坦化绝缘膜的膜厚为至少0.05μm且至多0.5μm。
优选平坦化绝缘膜的膜厚不小于0.05μm,因为取向膜的平坦化困难。此外,优选平坦化绝缘膜的膜厚不大于0.5μm,因为用于驱动液晶的第一电极和第二电极之间的距离太大,从而不能获得所希望的电场强度,并且需要增加施加的电压,因此增加了功耗。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,优选端子、电连接到端子的布线互连和覆盖布线互连的互连绝缘膜形成在显示区域的周边部分中,并且互连绝缘膜由与平坦化绝缘膜的材料相同的材料构成。
在根据本发明实施例的液晶显示面板中,用于保护布线互连表面的互连绝缘膜和平坦化绝缘膜可以在相同的步骤中形成。这消除了专门设定用于制造保护布线互连表面的互连绝缘膜的步骤的需要。
附图说明
图1A是示出本发明各实施例通用的液晶显示面板的概要的平面视图;
图1B是沿着图1A中的IB-IB线剖取的截面图;
图1C是沿着图1A中的IC-IC线剖取的截面图;
图2是示出在本发明第一实施例的FFS模式的液晶显示面板中的阵列基板上的一个像素的概要的平面视图;
图3是沿着图2中的III-III线剖取的截面图;
图4A是沿着图2中的IV-IV剖取的截面图;
图4B是图3中的电力线路径的示意图;
图5A是示出在本发明第二实施例的IPS模式的液晶显示面板中的公共电极和像素电极之间的电场路径的示意图;
图5B是示出在本发明第三实施例的IPS模式的液晶显示面板中的公共电极和像素电极之间的电场路径的示意图;
图6A是示出FFS模式的液晶显示面板的阵列基板中的取向膜的不平坦状态的示意性截面图;
图6B是示出图6A的结构中的电力线形成状态的示意图;
图6C是图6B中的电力线路径的示意图。
具体实施方式
下面,将参考本发明的实施例和附图描述实施本发明的方式。如下所示的实施例并不意味着将本发明限制到所描述的实施例,本发明完全可以应用于在不脱离权利要求的范围所限定的技术概念的情况下通过进行各种变化而获得的技术。
在本说明书中,阵列基板和滤色器基板的“表面”是指其上形成有各种互连的表面或者与液晶相对的表面。此外,在本说明书的描述所用的各附图中,各层和各构件被表示为每个层和每个构件的比例改变,从而各层和各构件具有在图中可识别的尺寸,并且它们不必表示为与实际尺寸成比例。
[第一实施例]
下面,将利用图1至图4描述采用根据本发明第一实施例的阵列基板的FFS模式的液晶显示面板10A。如图1B、图3和图4A所示,在液晶显示面板10A中,液晶层LC夹设在阵列基板AR和滤色器基板CF之间。液晶层LC被密封材料11密封,从而可以防止液晶层LC从阵列基板AR和滤色器基板CF之间向外泄漏,并且液晶层LC的厚度由柱状间隔物(未示出)均匀地保持。偏光片(未示出)形成在阵列基板AR的后表面上以及滤色器基板CF的前表面上。通过背光(未示出)光从阵列基板AR的后表面侧发射到液晶显示面板10A。液晶显示面板10A具有沿着行方向和列方向排列的多个像素,尽管省略了其示意性示图。例如,由红(R)、绿(G)和蓝(B)三个颜色的子像素构成一个像素,并且每个像素的颜色根据这些颜色的光束的混合来决定。如图2所示,阵列基板AR上的每个像素13提供有扫描线14、信号线15和TFT,扫描线14沿着行方向延伸且由诸如铝或钼的不透明金属构成,信号线15沿着列方向延伸且由诸如铝或钼的不透明金属构成,TFT提供为靠近扫描线14和信号线15的交叉点。
如图3和4A所示,阵列基板AR的基底是第一透明基板16,该第一透明基板16由透明且具有绝缘特性的玻璃、石英或塑料等构成。在第一透明基板16上,扫描线14形成在与液晶层LC相对的一侧。如图2所示,栅极电极G从扫描线14延伸。由氮化硅、氧化硅等构成的透明栅极绝缘膜17堆叠为覆盖扫描线14和栅极电极G。由非晶硅等构成的半导体层18形成在在平面视图中与栅极电极G重叠的栅极绝缘膜17上。由诸如铝或钼的金属构成的多个信号线15沿着图2中的列方向形成在栅极绝缘膜17上。由这些扫描线14和信号线15限定的区域的每一个都用作像素13的区域。源极电极S从该信号线15延伸,并且该源极电极S与半导体层18的表面部分接触。
漏极电极D采用与信号线15和源极电极S相同的材料形成,并与信号线15和源极电极S同时提供在栅极绝缘膜17上。该漏极电极D设置为靠近源极电极S且与半导体层18的表面部分接触。因为基本上具有正方形形状的一个像素由红(R)、绿(G)和蓝(B)的三个像素13构成,所以三等分该一个像素而得到的像素13为矩形,其短边沿着扫描线14,其长边沿着信号线15。用作开关元件的TFT由栅极电极G、栅极绝缘膜17、半导体层18、源极电极S和漏极电极D构成,并且该TFT形成在每个像素13中。
例如,由氮化硅或氧化硅构成的透明钝化膜19堆叠为覆盖信号线15、TFT和栅极绝缘膜17的暴露部分。此外,由诸如丙烯酸的透明树脂材料构成的层间绝缘膜20堆叠为覆盖钝化膜19。提供层间绝缘膜20是为了使由扫描线14、信号线15、TFT和栅极绝缘膜17引起的钝化膜19的凹凸表面平坦化。下电极21(相当于本发明的第一电极或第二电极)由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料构成,并形成为覆盖层间绝缘膜20。此外,形成穿透层间绝缘膜20和钝化膜19以到达漏极电极D的接触孔22,并且下电极21和漏极电极D通过该接触孔22彼此电连接。因此,下电极21用作像素电极。
例如,由氮化硅或氧化硅构成的透明的电极间绝缘膜23堆叠为覆盖下电极21。此外,由诸如ITO或IZO的透明导电材料构成且厚度为t0的上电极24(相当于本发明的第二电极或第一电极)形成为覆盖电极间绝缘膜23。上电极24形成为遍及显示区域中的所有像素,并且电连接到非显示区域中的公用互连(未示出)。该上电极24用作公共电极。在上电极24中,如图2所示,为每个像素13形成多个狭长开口25。通过光刻法对在上电极24的表面上涂覆的光致抗蚀剂材料进行曝光和显影并然后进行蚀刻,而形成狭长开口25。
例如,由光敏聚硅氧烷基材料构成的平坦化绝缘膜26A形成为覆盖上电极24和通过狭长开口25暴露的电极间绝缘膜23。考虑到上电极24的厚度t0(在本实施例中t0=0.05μm)以及显影引起的膜损耗和烘焙引起的收缩(约0.1至0.3μm),要变为平坦化绝缘膜26A的聚硅氧烷基材料涂覆为具有例如0.1至0.8μm的厚度。其后,通过漂白曝光和烘焙进行脱色和热固化,由此完成平坦化绝缘膜26A。优选完成的平坦化绝缘膜26A在上电极24上的厚度范围为0.05至0.5μm。如果平坦化绝缘膜26A的膜厚小于0.05μm,则表面平坦化困难。如果平坦化绝缘膜26A的膜厚大于0.5μm,则用于驱动液晶的第一电极和第二电极之间的距离太长,因此不能获得所希望的电场强度。另外,必须施加很高的电压,因此增加了功耗。
尽管在上面示出的示例中,光敏聚硅氧烷基材料用作平坦化绝缘膜26A的材料,以通过较少的工艺在绝缘膜中为稍后描述的驱动器端子部分33和柔性印刷板端子部分34制作开口,但是平坦化绝缘膜26A也可以采用非光敏的、可热固化的SiO2基旋涂玻璃(SOG)材料形成,并且之后,端子部分的开口可以通过稍后的常规光刻方法形成。平坦化绝缘膜26A的材料不限于上述材料,而是可以从诸如丙烯酸基材料、聚硅氧烷基材料、聚酰亚胺基材料和环氧丙烯酸基材料的树脂材料以及诸如氮化硅基材料和氧化硅基材料的无机材料中适当地选择并采用。因为聚硅氧烷基材料和丙烯酸基材料被频繁地用于液晶显示面板,所以为了材料共享优选采用聚硅氧烷基或丙烯酸基树脂材料作为平坦化绝缘膜26A的材料。
通过这样的平坦化绝缘膜26A,平坦化了由狭长开口25引起的凹凸。就是说,所形成的平坦化绝缘膜26A的表面是没有凹凸的平坦表面。例如,由聚酰亚胺构成的第一取向膜27A堆叠为覆盖平坦化绝缘膜26A。对于第一取向膜27A,沿着与扫描线14的延伸方向平行的方向朝着图2的右侧进行摩擦处理。摩擦处理通过用具有细毛的摩擦布摩擦取向膜而在第一取向膜27A中沿着一个方向形成大量的细槽。摩擦处理的方向相对于狭长开口25的延伸方向以预定的角度α倾斜。这使得液晶分子在一个方向上旋转。优选α为3°至15°,尽管根据不同的条件而会有所不同。在本实施例中,5°用作α的优选值。
如上所述,在第一实施例的液晶显示面板10A中,第一取向膜27A形成在平坦化绝缘膜26A的平坦化表面上。因此,第一取向膜27A可以以均匀的厚度形成在平坦化绝缘膜26A的表面上。这使得能够消除下述存在于现有技术示例中的问题:由狭长开口和上电极引起的取向膜厚度上的差异;在上电极的台阶的倾斜部分处取向膜的涂布不均匀;以及由于取向膜表面的凹凸引起的摩擦处理的不均匀性。
第一实施例的液晶显示面板10A的阵列基板AR是用于FFS模式的示例,并且电极间绝缘膜23形成在下电极21和上电极24之间。然而,因为平坦化绝缘膜26A形成在上电极24和第一取向膜27A之间,所以下电极21和上电极24之间的电场路径为图4B所示的下述顺序: 就是说,电场的路径相对于液晶层是对称的。因此,第一实施例的液晶显示面板10A能够消除由第一取向膜27A中累积电荷的偏压引起的短时间老化和闪烁。
滤色器基板CF的基底是由透明且具有绝缘性的玻璃、石英或塑料等构成的第二透明基板28。在第二透明基板28的最下层上,例如由树脂或诸如铬的金属构成且具有遮光性的遮光层29形成在与扫描线14、信号线15和TFT相对的位置处。另外,在同一层上,形成滤色器层30,对于每个像素13的不同颜色的光(例如,R、G、B或无色光)可以通过该滤色器层30。
由诸如光致抗蚀剂的透明树脂材料构成的覆盖层31堆叠为覆盖遮光层29和滤色器层30。形成覆盖层31是为了平坦化由不同颜色的滤色器层30引起的像素间的台阶,并为了阻挡杂质从遮光层29和滤色器层30泄漏出来,从而可以防止杂质进入液晶层LC。例如,由聚酰亚胺构成的第二取向膜32形成为覆盖覆盖层31。对于第二取向膜32,沿与第一取向膜27A的摩擦方向相反的方向进行摩擦处理。以上述方式形成的阵列基板AR和滤色器基板CF制作为彼此相对,密封材料11提供在两个基板周围,以由此使两个基板彼此结合。随后,均匀排列的液晶包封在两个基板之间,由此完成液晶显示面板10A。
根据上述构造,在像素13中,当TFT进入开启状态时,在下电极21和上电极24之间产生电场,液晶层LC中的液晶分子的排列方向发生改变。这改变了液晶层LC的透光率,并且使得可以以FFS模式显示图像。下电极21和上电极24通过居间的电极间绝缘膜23而彼此相对的区域形成辅助电容,并且当TFT转换为截止状态时保持下电极21和上电极24之间的电场预定的时间。
接下来,在下面将描述图1A中的非显示区域(显示区域DA之外的区域)中的用于上电极24的配线。围绕非显示区域的一侧,形成驱动器端子部分33和柔性印刷板端子部分34。在驱动器端子部分33中,形成连接驱动器IC(未示出)的多个端子33a。在柔性印刷板端子部分34中,形成连接柔性印刷板(未示出)的多个端子,该柔性印刷板连接到外部控制器。此外,第一互连部分35和第二互连部分36形成在非显示区域中。在第一互连部分35中,形成将扫描线14和信号线15引出到驱动器端子部分33和柔性印刷板端子部分34的各布线互连。在第二互连部分36中,形成将上电极24引出到驱动器端子部分33和柔性印刷板端子部分34的公共布线互连。
上电极24形成为遍及显示区域中的所有像素13,并且通过形成在非显示区域中的接触孔(未示出)连接到第二互连部分36中的公用互连,从而上电极24可以用作公共电极。如果该上电极24的电阻变高,则用作公共电极的上电极24的电势变得不稳定,这将导致诸如闪烁和串扰的特性故障。这使得有必要增加上电极24的厚度t0,以将上电极24的电阻设定为等于或低于预定值。在第一实施例的液晶显示面板10A中,即使在上电极24的膜厚增加时,平坦化绝缘膜26A的存在也可以防止在第一取向膜27A中产生台阶。
如图1A和1C所示,多个开口形成在覆盖布线互连37的互连绝缘膜38中,并且暴露驱动器端子部分33中的端子33a的表面。在与下电极21或上电极24相同的步骤中,端子表面部分33b形成为覆盖互连绝缘膜38和端子33a的暴露部分。平坦化绝缘膜26A形成为覆盖互连绝缘膜38和端子表面部分33b,并且形成每个都暴露端子表面部分33b的一部分的多个开口。互连绝缘膜38可以采用与平坦化绝缘膜26A相同的材料形成。
[第二实施例]
上面将FFS模式的液晶显示面板的示例示出为第一实施例的液晶显示面板10A。接下来,作为本发明第二实施例的液晶显示面板10B的阵列基板AR,将采用图5A描述IPS模式的液晶显示面板的示例。在图5A中,省略了公共电极39B(相当于本发明的第一电极或第二电极)、像素电极40B(相当于本发明的第二电极或第一电极)、平坦化绝缘膜26B和第一取向膜27B之外的构造的图示。
在第二实施例的液晶显示面板10B的阵列基板AR中,用于给液晶层LC施加电场的公共电极39B和像素电极40B形成在相同的表面上。平坦化绝缘膜26B形成为覆盖公共电极39B和像素电极40B。平坦化绝缘膜26B平坦化了由公共电极39B和像素电极40B引起的凹凸,因此平坦化绝缘膜26B的表面是没有凹凸的平坦表面。在第二实施例的液晶显示面板10B的阵列基板AR中,第一取向膜27B形成在具有该平坦化表面的平坦化绝缘膜26B的表面上。
因此,还是在第二实施例的液晶显示面板10B的阵列基板AR中,因为平坦化了第一取向膜27B的表面,所以消除了存在于现有技术示例中的下述问题:由于公共电极和像素电极而形成的凹凸造成的取向膜厚度上的差异;在公共电极和像素电极的台阶的倾斜部分处取向膜的涂布不均匀;由于取向膜表面的凹凸引起的摩擦处理的不均匀性。
[第三实施例]
作为第二实施例的液晶显示面板10B的阵列基板AR,上面示出了IPS模式的液晶显示面板的示例,其中给液晶层LC施加电场的公共电极39B和像素电极40B形成在相同的表面上。作为本发明第三实施例的液晶显示面板10C的阵列基板AR,下面将采用图5B描述公共电极39C和像素电极40C形成在彼此不同的表面上的IPS模式的液晶显示面板的示例。在图5B中,省略了电极间绝缘膜23、公共电极39C(相当于本发明的第一电极或第二电极)、像素电极40C(相当于本发明的第二电极或第一电极)、平坦化绝缘膜26C和第一取向膜27C之外的构造的图示。
在第三实施例的液晶显示面板10C的阵列基板AR中,电极间绝缘膜23形成为覆盖公共电极39C,并且像素电极40C形成在电极间绝缘膜23上。公共电极39C和像素电极40C提供为在平面视图中彼此不重叠。平坦化绝缘膜26C形成为覆盖电极间绝缘膜23和像素电极40C。平坦化绝缘膜26C平坦化了由公共电极39C和像素电极40C引起的凹凸。具体地讲,还是在第三实施例的IPS模式的液晶显示面板10C的阵列基板AR中,平坦化绝缘膜26C的表面是没有凹凸的平坦表面,与第二实施例的IPS模式的液晶显示面板10B的情况类似。在第三实施例的液晶显示面板10C的阵列基板AR中,第一取向膜27C形成为覆盖该平坦化绝缘膜26C。
因此,还是在第三实施例的液晶显示面板10C的阵列基板AR中,因为平坦化了第一取向膜27C的表面,所以消除了存在于现有技术示例中的下述问题:由于公共电极和像素电极而形成的凹凸造成的取向膜厚度上的差异;在公共电极和像素电极的台阶的倾斜部分处取向膜的涂布不均匀;以及由于取向膜表面的凹凸引起的摩擦处理的不均匀性。
此外,尽管电极间绝缘膜23形成在公共电极39C和像素电极40C之间,但是平坦化绝缘膜26C存在于像素电极40C和第一取向膜27C之间,因此公共电极39C和像素电极40C之间的电场路径为下面的顺序: 就是说,电场的路径相对于液晶层LC是对称的。因此,第三实施例的液晶显示面板10C的阵列基板AR也能够消除由第一取向膜27C中累积电荷的偏压引起的短时间老化和闪烁。
在上述实施例中,示出了非晶硅作为半导体层18的底栅极结构的TFT的示例。然而,本发明不限于此,而是也可以应用于采用多晶硅,具体为低温多晶硅(LTPS)的TFT的情况。此外,本发明还可以应用于顶栅极结构的TFT的情况。
本申请包含2009年9月28日提交至日本专利局的日本优先权专利申请JP 2009-222094中公开的相关主题事项,其全部内容通过引用结合于此。
Claims (6)
1.一种横向电场系统的液晶显示面板,包括:
液晶层;和
成对的基板,构造为彼此相对设置并且夹设所述液晶层,其中
用于给所述液晶层施加电场的像素电极和公共电极以及取向膜形成在所述成对的基板中的一个基板的多个像素区域中,该多个像素区域形成显示区域,
所述公共电极和所述像素电极形成在彼此不同的表面上,
电极间绝缘膜形成在所述像素电极和所述公共电极之间,
为所述多个像素区域中的每个在所述公共电极中形成多个开口,
在多个所述像素电极的表面和所述多个开口的表面之上,平坦化绝缘膜形成在所述多个像素区域的整个表面,
所述取向膜形成在所述平坦化绝缘膜的表面上。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其中
所述像素电极和所述公共电极在平面图中彼此重叠,并且
形成在所述平坦化绝缘膜上的所述取向膜的表面被平坦化。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其中
所述像素电极和所述公共电极在平面图中彼此不重叠,并且
所述平坦化绝缘膜形成在所述像素电极和所述公共电极之上,并且所述取向膜的表面被平坦化。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其中
所述平坦化绝缘膜由丙烯酸基或聚硅氧烷基的树脂材料构成。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其中
在所述像素电极和所述公共电极的至少之一方的表面上,所述平坦化绝缘膜的膜厚为至少0.05μm且至多0.5μm。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其中
端子、电连接到该端子的布线互连以及覆盖该布线互连的互连绝缘膜形成在所述显示区域的周边部分中,并且所述互连绝缘膜由与所述平坦化绝缘膜的材料相同的材料构成。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JAPAN DISPLAY WEST INC. Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION Effective date: 20121107 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121107 Address after: Aichi Applicant after: Japan display West Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Applicant before: Sony Corp. |
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |