CN101996867B - 涂敷显影装置和涂敷显影方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够使晶片搬送臂的移动距离变短，缩短处理时间，使所占空间变小的涂敷显影装置和涂敷显影方法。该涂敷显影装置具有液体处理单元(COTU)，其包括：使用药液对基板进行液体处理的液体处理部(COT)；与液体处理部(COT)对应设置，对基板进行冷却处理的冷却处理部(CA)；和与冷却处理部(CA)对应设置，对基板进行加热处理的加热处理部(HP)。冷却处理部(CA)具有在其与液体处理部(COT)之间以及与加热处理部(HP)之间搬送基板的基板搬送功能。

Description

涂敷显影装置和涂敷显影方法

技术领域

本发明涉及使用药液对基板进行液体处理的涂敷显影装置和涂敷显影方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中的光刻工序中，对半导体基板(以下称为“基板”或“晶片”)的表面进行疏水化处理之后，涂敷BARC(BottomAnti-Reflective Coating，底部抗反射涂层)并进行加热处理，涂敷抗蚀剂并进行加热处理，进行曝光处理，对可溶化的部分进行显影处理从而除去，由此形成微细的抗蚀剂图案。

此处，在抗蚀剂图案的曝光前的工序中，连续进行涂敷BARC的涂敷处理、用于使涂敷的BARC液体内的溶剂蒸发的加热处理(预烘焙)、冷却处理(cooling)、在冷却的晶片上涂敷抗蚀剂的抗蚀剂涂敷处理、用于使涂敷的抗蚀剂液体内的溶剂蒸发的加热处理(预烘焙)等各种处理。此外，在抗蚀剂图案的曝光后的工序中，进行用于促进晶片上的抗蚀剂膜的化学反应的加热处理(曝光后烘焙)、冷却处理(cooling)、向冷却后的晶片供给显影液进行显影处理等的各种处理。

在这样进行半导体晶片的涂敷处理和显影处理的涂敷显影装置中，近年来，因为伴随晶片的大口径化(对应为450mm)各处理单元大型化，导致装置整体的所占空间增大。

此外，为了削减成本，优选增大每单位时间的晶片处理能力。因此，在一个涂敷显影装置中包含多个处理单元，装置整体的所占空间进一步增大。

作为这样的涂敷显影装置，有从盒体侧向曝光装置侧在两侧配置各种处理单元，在中央配置共用的晶片搬送臂的结构(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2003-7795号公报

但是，上述涂敷显影装置具有以下的问题。

在中央配置共用的晶片搬送臂的情况下，在两侧的上下多段中配置的处理单元间进行晶片的交接的次数较多，晶片搬送臂的移动距离变长，存在处理时间增大，不能够使得每单位时间的晶片处理个数增大的问题。

此外，因为在中央仅存在一个晶片搬送臂，所以难以共用化、集合具有以处理某一特定的晶片为目的的功能的各处理单元，存在不能够削减所占空间的问题。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，提供能够使晶片搬送臂的移动距离变短，缩短处理时间，减小所占空间的涂敷显影装置和涂敷显影方法。

为了解决上述问题，本发明的特征在于以下内容。

本发明提供一种涂敷显影装置，其将利用载体搬入载体块的基板交接至处理部，在由上述处理部形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块搬送至曝光装置，将经由上述接口块送回的曝光后的基板由上述处理部进行显影处理，并交接至上述载体块，该涂敷显影装置的特征在于，具有液体处理单元，该液体处理单元包括：使用药液对基板进行液体处理的液体处理部；与上述液体处理部对应设置，对基板进行冷却处理的冷却处理部；和与上述冷却处理部对应设置，对基板进行加热处理的加热处理部，上述冷却处理部具有在其与上述液体处理部之间以及与上述加热处理部之间搬送基板的基板搬送功能。

此外，本发明提供一种涂敷显影方法，其将利用载体搬入载体块的基板交接至处理机构，在由上述处理机构形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块搬送至曝光装置，将经由上述接口块送回的曝光后的基板由上述处理机构进行显影处理，并交接至上述载体块，该涂敷显影方法的特征在于，具有：利用液体处理机构使用药液对基板进行液体处理的液体处理工序；利用与上述液体处理机构对应设置的冷却处理机构对基板进行冷却处理的冷却处理工序；和利用与上述冷却处理机构对应设置的加热处理机构对基板进行加热处理的加热处理工序，上述冷却处理机构具有在其与上述液体处理机构之间以及与上述加热处理机构之间搬送基板的基板搬送功能。

根据本发明，在对基板进行液体处理的涂敷显影装置中，能够使晶片搬送臂的移动距离变短，缩短处理时间，使所占空间变小。

附图说明

图1是表示实施方式的涂敷显影装置的结构的概要平面图。

图2是表示实施方式的涂敷显影装置的结构的概要正面图。

图3是表示实施方式的涂敷处理单元的结构的概要平面图。

图4是表示实施方式的涂敷处理单元的结构的概要正面图。

图5是用于说明实施方式的涂敷显影装置中的冷却处理部的冷却板能够在涂敷处理部与加热处理部之间移动的情况的概要立体图。

图6是用于说明实施方式的涂敷显影装置中的冷却处理部的冷却板能够在涂敷处理部与加热处理部之间移动的情况的概要立体图。

图7是说明在进行使用实施方式的涂敷显影装置的涂敷处理方法的一个例子时的各单元和各部中的晶片的处理状态的时序图。

图8是表示实施方式的变形例的涂敷显影装置的结构的概要平面图。

图9是表示实施方式的变形例的涂敷显影装置的结构的概要正面图。

附图标记

W半导体晶片(被处理基板)

11杯体

12旋转卡盘

12a、34支承销

21、21a、21b冷却板

21c保持板

32、32a～32d热板

B4涂敷显影处理块

COTU涂敷处理单元

COT涂敷处理部

CA冷却处理部

DEVU显影处理单元

HP加热处理部

具体实施方式

接着，使用附图说明用于实施本发明的方式。

(实施方式)

首先，参照图1～图7说明实施方式的涂敷显影装置。

图1和图2分别是表示本实施方式的涂敷显影装置的结构的概要平面图和概要正面图。

本实施方式的涂敷显影装置具有：载体块B1、检查块B2、疏水化/热处理块B3、涂敷显影处理块B4、清洗块B5、接口块B6。从载体块B1到接口块B6按照上述顺序配置，接口块B6与未图示的曝光装置连接。

载体块B1具有盒体载置台CS、晶片搬送臂1。盒体载置台CS能够在其上表面的规定位置将多个盒体C在水平的X方向上载置为一列。

晶片搬送臂1设置为能够沿X方向在搬送通路1a上移动。晶片搬送臂1在收纳于盒体C的晶片W的晶片排列方向(Z方向，铅直方向)上也能够自由移动，有选择地对在X方向上排列的各盒体C内的晶片W进行访问。晶片搬送臂1构成为能够以Z轴为中心在θ方向上旋转。并且构成为对于后述的检查块B2的缓冲盒体也能够进行访问。

另外，载体块B1中的盒体载置台CS相当于本发明的搬入搬出单元。

检查块B2例如具有两个检查单元MI1、MI2、两个交接单元TRS1、TRS2、两个晶片搬送臂2、3。

两个检查单元MI1、MI2测定在晶片W上形成的膜的厚度、图案的线宽。作为检查单元MI1、MI2，例如能够使用具有散射计的光学数字影像(Optical Digital Profilometry，ODP)系统。或者，作为检查单元MI1、MI2，也可以设置有对晶片W上的宏观缺陷进行检测的宏观检查单元。或者，在检查块B2中，作为检查单元MI1、MI2，也可以设置有对曝光的重合错位即形成的图案与基底的图案的错位进行检测的重合检查单元。

两个交接单元TRS1、TRS2以上下重合的方式设置，在其与载体块B1的晶片搬送臂1之间进行晶片的交接。

晶片搬送臂2设置为能够沿X方向在搬送通路2a上移动。晶片搬送臂2在收纳于交接单元TRS1、TRS2的晶片W的晶片排列方向(Z方向，铅直方向)上也能够自由移动，能够有选择地对上下重合设置的交接单元TRS1、TRS2内的晶片进行访问。晶片搬送臂2在交接单元TRS1、TRS2与检查单元MI1之间进行晶片W的交接。

晶片搬送臂3由例如在上段和下段重叠配置的晶片搬送臂3a、3b构成。上段的晶片搬送臂3a与交接单元TRS1和后述的疏水化/热处理块B3的上段对应设置。下段的晶片搬送臂3b与交接单元TRS2和后述的疏水化/热处理块B3的下段对应设置。

晶片搬送臂3a设置为能够沿X方向在搬送通路3c上移动。晶片搬送臂3a在收纳于交接单元TRS1的晶片W的晶片排列方向(Z方向，铅直方向)上也能够自由移动，构成为能够有选择地对上下重叠设置的交接单元TRS1内的晶片W进行访问。晶片搬送臂3a设置为能够在检查单元MI1与后述的疏水化处理块B3的上段之间交接晶片W。

晶片搬送臂3b设置为能够沿X方向在搬送通路3d上移动。晶片搬送臂3b在收纳于交接单元TRS2的晶片W的晶片排列方向(Z方向，铅直方向)上也能够自由移动，构成为能够有选择地对上下重叠设置的交接单元TRS2内的晶片W进行访问。晶片搬送臂3b设置为能够在检查单元MI2与后述的疏水化处理块B3的下段之间交接晶片W。

疏水化/热处理块B3具有架单元U1～U3、晶片搬送臂4。架单元U1～U3与后述的涂敷处理单元COTU1～COTU3对应设置，对在涂敷处理单元中进行处理的基板进行疏水化处理或热处理。

另外，疏水化/热处理块B3中的疏水化处理与本发明的前处理相当，疏水化/热处理块B3中的热处理与本发明的后处理相当。

架单元U1由例如上下二段重叠配置的架单元U11、U12构成。同样的，架单元U2和U3也分别由上下二段重叠配置的架单元U21、U22的组、U31、U32的组构成。

在上段的架单元U11、U21、U31中，为了对晶片W进行疏水化处理，例如将四个疏水化处理单元ADH、两个冷却处理单元CPL上下重叠地配置。如图2所示的一个例子那样，例如从上向下，配置两个疏水化处理单元ADH、一个冷却处理单元CPL、两个疏水化处理单元ADH、一个冷却处理单元CPL。

在下段的架单元U12、U22、U32中，为了对在涂敷显影处理块B4的显影处理单元的DEV中进行了显影处理的晶片W进行热处理，例如将四个加热处理单元HP、两个冷却处理单元CPL上下重叠地配置。如图2所示的一个例子那样，例如从上向下，配置两个加热处理单元HP、一个冷却处理单元CPL、两个加热处理单元HP、一个冷却处理单元CPL。

晶片搬送臂4由例如上段和下段重叠配置的晶片搬送臂4a、4b构成。上段的晶片搬送臂4a与上段的架单元U11、U21、U31对应设置。下段的晶片搬送臂4b与下段的架单元U12、U22、U32对应设置。

晶片搬送臂4a设置为能够沿X方向在搬送通路4c上移动。晶片搬送臂4a在Z方向(铅直方向)上也能够自由移动，构成为能够有选择地对架单元U11、U21、U31的各处理单元内的晶片W进行访问。晶片搬送臂4a在架单元U11、U21、U31与后述的涂敷显影处理块B4的涂敷处理单元COTU1～COTU3的涂敷处理部COT之间进行晶片W的交接。

晶片搬送臂4b设置为能够沿X方向在搬送通路4d上移动。晶片搬送臂4b在Z方向(铅直方向)上也能够自由移动，构成为能够有选择地对架单元U12、U22、U32的各处理单元内的晶片W进行访问。晶片搬送臂4b在架单元U12、U22、U32与后述的涂敷显影处理块B4的显影处理单元DEVU1～DEVU3的显影处理部DEV之间进行晶片W的交接。

涂敷显影处理块B4例如具有涂敷处理单元COTU1～COTU3、显影处理单元DEVU1～DEVU3。涂敷处理单元和显影处理单元上下二段地重叠设置，例如在上段设置有涂敷处理单元，在下段设置有显影处理单元。

涂敷处理单元COTU1由例如上下二段重叠配置的涂敷处理单元COTU11、COTU12构成。同样地，涂敷处理单元COTU2、COTU3也分别由上下二段重叠配置的涂敷处理单元COTU21、COTU22的组、COTU31、COTU32的组构成。

显影处理单元DEVU1也由例如上下两段重叠配置的显影处理单元DEVU11、DEVU12构成。同样地，显影处理单元DEVU2、DEVU3也分别由上下二段重叠配置的显影处理单元DEVU21、DEVU22的组、DEVU31、DEVU32的组构成。

接着，作为涂敷处理单元COTU11～COT32的一个例子，对涂敷处理单元COTU11的结构进行说明。另外，涂敷处理单元COTU12～COTU32也能够与涂敷处理单元COTU11的结构同样。

涂敷处理单元COTU11具有涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP。此外，还具有向涂敷处理部COT供给药液的药液供给部NOZ。冷却处理部CA与涂敷处理部COT一对一地对应设置。加热处理部HP与冷却处理部CA一对一地对应设置，因此与涂敷处理部COT也一对一地对应设置。涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP在水平面内Y方向上依次排列在一条直线上。

另外，本实施方式的涂敷处理单元是本发明的液体处理单元的一个实施方式。此外，本实施方式的涂敷处理部相当于本发明的液体处理部和液体处理机构。此外，本实施方式的冷却处理部相当于本发明的冷却处理部和冷却处理机构。此外，本实施方式的加热处理部相当于本发明的加热处理部和加热处理机构。

此外，涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP只要设置为加热处理部HP与冷却处理部CA相邻，冷却处理部CA与涂敷处理部COT相邻即可，不需要依次排列在一条直线上。

如后所述，冷却处理部CA具有在其与涂敷处理部COT之间以及与加热处理部HP之间搬送晶片W的基板搬送功能。具体地说，冷却处理部CA具有保持基板并进行冷却处理的后述的冷却板。冷却板设置为能够在Y方向移动并且能够在Z方向移动。冷却处理部CA利用冷却板在其与涂敷处理部COT之间以及与加热处理部HP之间进行晶片W的交接。

此外，在涂敷显影处理块B4中，在俯视时+X方向或-X方向的跟前侧和进深侧或者Z方向的上侧和下侧等的空余空间中，也可以设置有用于向涂敷显影处理块的各涂敷处理单元供给各种处理液的化学室CHM。此外，代替化学室CHM，也可以设置收纳电控制电路等的电装室。

清洗块B5具有周边曝光装置WEE、晶片搬送臂5、清洗单元IR1～IR3、缓冲单元BUF。

周边曝光装置WEE进行对在涂敷处理单元COTU中进行了涂敷药液的涂敷处理的晶片的周边部分曝光的周边曝光处理。

晶片搬送臂5由例如上段和下段重叠配置的晶片搬送臂5a、5b构成。

上段的晶片搬送臂5a与涂敷显影处理块B5的涂敷处理单元COTU1～COTU3对应设置。下段的晶片搬送臂5b与涂敷显影处理块B4的显影处理单元DEVU1～DEVU3对应设置。上段的晶片搬送臂5a设置为能够沿X方向在搬送通路5c上移动，在涂敷处理单元COTU1～COTU3的加热处理部HP与清洗块B5的后述的清洗单元IR11～IR31和缓冲单元BUF1之间进行晶片W的交接。下段的晶片搬送臂5b设置为能够沿X方向在搬送通路5d上移动，在显影处理单元DEVU1～DEVU3的加热处理部HP与清洗块B5的后述的清洗单元IR21～IR32和缓冲单元BUF2之间进行晶片W的交接。

清洗单元IR1例如由上下二段重叠配置的清洗单元IR11、IR12构成。同样地，清洗单元IR2、IR3也分别由上下二段重叠配置的清洗单元IR21、IR22的组、IR31、IR32的组构成。此外，清洗单元IR11～IR32分别由例如上下二段重叠配置的旋转清洗单元SRS、浸渍清洗单元PIR构成。此外，代替一部分的旋转清洗单元SRS、浸清清洗单元PIR，也可以配置洗涤器(scrubber)SCR或背面洗涤器BST。

清洗单元IR11、IR21、IR31中，进行周边曝光装置WEE中的曝光前后的晶片W的清洗，以及经由接口块B6连接的曝光装置中的曝光前的晶片W的清洗即曝光前清洗。清洗单元IR12、IR22、IR32中，进行曝光装置中的曝光后的晶片W的清洗即曝光后清洗。

另外，清洗块B5中的曝光前清洗相当于本发明的后处理，清洗块B5中的曝光后清洗相当于本发明的前处理。

缓冲单元BUF由例如上段和下段重叠配置的缓冲单元BUF1、BUF2构成。上段的缓冲单元BUF1是暂时收纳搬入周边曝光装置WEE、未图示的曝光装置B7中的晶片W的内部用缓冲单元。下段的缓冲单元BUF2是暂时收纳从曝光装置B7搬出的晶片W的外部用缓冲单元。此外，缓冲单元BUF1、BUF2中，分别上下重叠地配置有冷却处理单元CPL1、CPL2。

接口块B6具有晶片搬送臂6。晶片搬送臂6设置为能够沿X方向在搬送通路6a上移动。晶片搬送臂6在Z方向(铅直方向)上也能够自由移动，构成为能够有选择地对清洗块B5的清洗单元IR1～IR3及缓冲单元BUF1、BUF2内的晶片W进行访问。晶片搬送臂6将进行了曝光前清洗的晶片W从缓冲单元BUF1交接至未图示的曝光装置B7，并且将进行了曝光的晶片W从未图示的曝光装置B7交接至缓冲单元BUF2。

接着，对涂敷显影装置中的晶片W的行程进行说明。首先，盒体C从外部被搬入盒体载置台CS，由晶片搬送臂1从盒体C内取出晶片W。晶片W从晶片搬送臂1交接至交接单元TRS1，由晶片搬送臂2交接至检查单元MI1进行检查。进行了检查之后，晶片W由晶片搬送臂3a搬送至疏水化处理单元ADH进行疏水化处理，进行了疏水化处理的晶片W由晶片搬送臂4a搬送至涂敷处理单元COTU。在涂敷处理单元COTU内，由涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP分别进行了处理之后，由晶片搬送臂5a搬送至冷却单元CPL1进行冷却处理。进行了冷却处理的晶片W，由晶片搬送臂5a搬送至旋转清洗单元SRS进行清洗处理之后，晶片W被搬送至周边曝光装置WEE进行周边曝光。之后，由晶片搬送臂5a搬送至清洗单元IR11、IR21、IR31中的任一个，进行曝光前清洗。进行了曝光前清洗的晶片W由接口块B6的晶片搬送臂6搬送至未图示的曝光装置B7，进行曝光处理。

进行了曝光处理的晶片W由接口块B6的晶片搬送臂6搬送至清洗单元IR12、IR22、IR32中的任一个，进行曝光后清洗。进行了曝光后清洗的晶片W由晶片搬送臂5b搬送至显影处理单元DEVU。在显影处理单元DEVU内，在加热处理部HP、冷却处理部CA、显影处理部DEV中分别进行了处理之后，由晶片搬送臂4b搬送至加热处理单元HP进行加热处理。进行了加热处理的晶片W由晶片搬送臂3b交接至检查单元MI2进行检查。进行了检查之后，晶片W由晶片搬送臂2搬送至交接单元TRS2，由晶片搬送臂1送回盒体C内。

此外，在上述晶片W的行程中，在涂敷处理单元COTU和显影处理单元DEVU中分别进行的处理，能够为使用多个涂敷处理单元COTU和多个显影处理单元DEVU的并联处理。

即，本实施方式的涂敷显影装置将利用载体(盒体C)搬入载体块B1中的基板交至处理部(涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP)，由处理部形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块B6搬送至曝光装置，将经由接口块B6被送回的曝光后的基板利用处理部(显影处理部DEV、冷却处理部CA、加热处理部HP)进行显影处理，并交至载体块B1。

接着，参照图3和图4，说明本实施方式的包含涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP的涂敷处理单元的详细结构。

图3和图4分别是表示本实施方式的涂敷处理单元的结构的概要平面图和概要正面图。

如上所述，本实施方式的涂敷处理单元COTU由涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP构成，另外具有药液供给部NOZ。

涂敷处理部COT具有杯体11和旋转卡盘12。

杯体11配置在涂敷处理部COT的中央部，具有环状形状。旋转卡盘12配置在杯体11的内侧，以通过真空吸附固定保持晶片W的状态，被未图示的例如由电机构成的旋转驱动机构旋转驱动。旋转卡盘12由未图示的例如由气缸构成的升降驱动机构上下移动驱动。此外，旋转卡盘12为了交接晶片W具有能够上下移动的支承销12a。

药液供给部NOZ具有喷嘴13。

喷嘴13向晶片W的表面供给药液。喷嘴13经由未图示的药液供给管与未图示的药液供给源连接，从药液供给源被供给药液。喷嘴13以能够装卸的方式安装于喷嘴扫描臂14的前端部。喷嘴扫描臂14安装于在涂敷处理单元COTU的底板上沿一个方向(X方向)敷设的导轨15上能够水平移动的垂直支承部件16的上端部，由未图示的Y方向驱动机构与垂直支承部件16一体地沿Y方向移动。

在导轨15上，由喷嘴13、喷嘴扫描臂14、垂直支承部件16构成的组，可以例如与抗蚀剂、BARC、TARC(Top Anti-Reflective Coating，顶部抗反射涂层)、TC(Immersion Top Coat，含浸式表面涂层)、SOG(Spin On Glass，旋涂玻璃)等中使用的药液的种类对应地设置有多组。在图3所示的一个例子中，与BARC和抗蚀剂的两种药液对应，设置有两组。喷嘴13a、喷嘴扫描臂14a、垂直支承部件16a供给BARC的药液，喷嘴13b、喷嘴扫描臂14b、垂直支承部件16b供给抗蚀剂的药液。喷嘴13a、13b能够沿X方向在导轨14上自由移动，在药液供给部NOZ中能够任意选择喷嘴13a、13b中的一方使用。

另外，如本实施方式所说明的那样，在并排配置有多个涂敷处理单元COTU时，可以将在X方向上排列配置的不同的涂敷处理单元COTU的涂敷处理部COT设置为共用一个导轨15和两个喷嘴13a、13b。

如图3和图4所示，冷却处理部CA具有冷却板21、滑动机构22、Z轴移动机构23、旋转机构24。如图3和图4所示，冷却板21形成为前端弯曲成圆弧状的大致方形形状。在冷却板21内，例如内置有流通制冷剂的未图示的冷却管，利用该冷却管，冷却板21维持为规定的冷却温度例如23℃。冷却板21利用滑动机构22能够在平面内Y方向进退自由地移动，利用Z轴移动机构23能够在Z方向上移动，利用旋转机构24能够围绕旋转轴25旋转。

如图3所示，在冷却板21形成有两个隙缝26。隙缝26从冷却板21中的加热处理部HP侧的端部形成到中央部附近，使得冷却板21在涂敷处理部COT的杯体11上移动时不会与支承销12a碰撞，并且使得冷却板21在加热处理部HP的热板32上移动时不会与后述的支承销34碰撞。

加热处理部HP具有四组加热处理室31、热板32。即，加热处理部HP从上向下具有加热处理室31a～31d、热板32a～32d。以下，说明一组加热处理室31、热板32。

如图3和图4所示，加热处理室31包围热板32的下方、上方和侧方中的两方，在侧方中的两方即冷却处理部CA侧和其相反侧具有开口33a、33b。由此，热板32收纳在加热处理室31的内侧。热板32例如具有厚型的圆盘形状，在热板32内例如内置有未图示的加热器。利用该加热器，热板32能够升温至规定的加热温度例如130℃。

在热板32的中央附近，利用未图示的升降驱动机构升降的支承销34分别以能够贯通插入的方式形成。利用该支承销34，能够在热板32上使晶片W升降，能够在热板32与冷却板21之间进行晶片W的交接。

此处，参照图5和图6，说明本实施方式的涂敷显影装置中的冷却处理部的冷却板在其与涂敷处理部之间以及与加热处理部之间进行晶片W的交接的动作的一个例子。

图5和图6是用于说明本实施方式的涂敷显影装置的冷却处理部的冷却板在涂敷处理部与加热处理部之间能够移动的情况的概要立体图。

例如在图5的例子中，冷却板21a设置为能够在沿Y方向设置的导轨27a上移动，设置为能够在涂敷处理部COT的杯体11的上方与加热处理部HP的热板32的上方之间移动。涂敷处理部COT的旋转卡盘12具有能够上下移动的支承销12a，利用支承销12a进行晶片W的交接。加热处理部HP的热板32也具有与涂敷处理部COT的支承销12a同样的支承销34。

冷却板21a形成为加热侧弯曲为圆弧状的大致方形形状。在冷却板21a内例如内置有流通制冷剂的未图示的冷却管。利用该冷却管，冷却板21a维持为规定的冷却温度例如23℃。此外，在冷却板21a如图5所示形成有两个隙缝26a。隙缝26a从冷却板21a中的加热处理部HP侧的端部形成到中央部附近，使得冷却板21a在涂敷处理部COT的杯体11上以及在加热处理部HP的热板32的上方移动时，分别不会与支承销12a和支承销34碰撞。

例如图5所示，导轨27a设置在冷却板21a的沿着Y方向的侧方。冷却板21a利用未图示的驱动机构在导轨27a上移动，在涂敷处理部COT的杯体11的上方与加热处理部HP的热板32的上方之间移动。

另一方面，在图6的例子中，冷却板21b设置有保持板21c。冷却板21b设置为能够在沿Y方向设置的第一导轨27b上移动，设置为在加热处理部HP的热板32的上方能够自由进退。保持板21c设置为能够在沿Y方向设置的第二导轨27c上移动，设置为在涂敷处理部COT的杯体11的上方能够自由进退。加热处理部HP的热板32具有能够上下移动的支承销34，在热板32与冷却板21b之间利用支承销34进行晶片W的交接。涂敷处理部COT的旋转卡盘12设置为能够上下移动，在其与保持板21c之间进行晶片W的交接。

冷却板21b除了X方向的宽度尺寸变小以外，与图5所示的冷却板21a为大致相同的结构，在内部内置有未图示的冷却管，形成有隙缝26b使得不与热板32的支承销34碰撞。保持板21c以从X方向两侧夹着冷却板21b的方式构成。由此，在保持板21c如图6所示形成有宽隙缝26c。隙缝26c形成为使得保持板21c在涂敷处理部COT的杯体11的上方移动时不与上下移动的旋转卡盘12碰撞。保持板21c具有未图示的上下移动驱动机构，通过改变相对冷却板21b的高度，在其与冷却板21b之间能够进行晶片W的交接。此外，保持板21c虽然在其与涂敷处理部COT之间进行晶片W的交接，但内部可以内置冷却管。

接着，参照图7，说明本实施方式的涂敷显影装置的晶片的涂敷处理方法的一个例子。

另外，本实施方式的涂敷处理方法相当于本发明的涂敷显影方法。此外，本发明的涂敷显影方法是，将由载体(盒体C)搬入载体块B 1中的基板交至处理机构(涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP)，在经由处理机构形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块B6搬送至曝光装置，对经由接口块B6送回的曝光后的基板利用处理机构(显影处理部DEV、冷却处理部CA、加热处理部HP)进行显影处理，并交至载体块B1。

图7是说明在进行使用本实施方式的涂敷显影装置的涂敷处理方法一个例子时的各单元和各部的晶片的处理状态的时序图。

在图7所示的时序图中，从左侧的列开始依次表示步骤编号、涂敷处理部COT的旋转卡盘12所保持的晶片W的晶片编号、冷却处理部CA的冷却板21所保持的晶片W的晶片编号、加热处理部HP的热板32a、32b所保持的晶片W的晶片编号。此外，图7的各步骤的纵方向的长度表示各步骤中的处理时间的大小的倾向。但是，图7的各步骤中的纵方向的长度只是示意性表示处理时间的倾向，并不是正确的时间。

从步骤S1到步骤S12，作为一个例子对两块晶片W1、W2连续进行BARC涂敷处理→加热处理(预烘焙)→冷却处理→抗蚀剂涂敷处理→加热处理(预烘焙)。

另外，在开始步骤S1之前，作为步骤S0，将药液供给部NOZ的喷嘴更换为BARC药液用喷嘴。

首先，进行步骤S1。在步骤S1中，将晶片W1从疏水化/冷却处理块B3的冷却处理单元COL交至涂敷处理部COT的旋转卡盘12，开始BARC涂敷处理。

将晶片W1从冷却处理单元COL交至疏水化/冷却处理块B3的晶片搬送臂4a。接着，对晶片搬送臂4a调整X方向的位置和Z方向的高度，使晶片搬送臂4a向+Y方向移动，进入涂敷处理部COT的杯体11的上方。接着，使涂敷处理部COT的支承销12a上升，将晶片W1从晶片搬送臂4a交至支承销12a。接着，使晶片搬送臂4a向-Y方向移动，从杯体11的上方离开。接着使支承销12a下降，将晶片W1从支承销12a交至旋转卡盘12。接着，使晶片W1旋转，同时利用BARC药液用喷嘴将BARC药液供给至晶片W1的表面，涂敷BARC。作为涂敷处理条件，例如使旋转速度为3000rpm，使处理时间为60秒。

接着，进行步骤S2。在步骤S2中，将涂敷处理完成的晶片W1从涂敷处理部COT的旋转卡盘12交至冷却处理部CA的冷却板21，将晶片W2从疏水化/冷却处理块B3的冷却处理单元COL交至涂敷处理部COT的旋转卡盘12，开始BARC涂敷处理。

使涂敷处理部COT的支承销12a上升，将晶片W1从旋转卡盘12交至支承销12a。接着，使冷却板21沿-Y方向移动，进入涂敷处理部COT的杯体11的上方。接着，使支承销12a下降，将晶片W1从支承销12a交至冷却板21。接着，使继续保持晶片W1的冷却板21向+Y方向移动，离开杯体11的上方。在晶片W2上涂敷BARC的工序与步骤S1中在晶片W1上涂敷BARC的工序同样，将晶片W2保持于涂敷处理部COT的旋转卡盘12，使晶片W2旋转，同时利用BARC药液用喷嘴将BARC药液供给至晶片W2的表面，涂敷BARC。涂敷处理条件与晶片W1同样。

接着，进行步骤S3。在步骤S3中，将晶片W1从冷却处理部CA的冷却板21交至加热处理部HP的热板32a(热板1)，开始加热处理，晶片W2则继续进行涂敷处理。调整Z方向的高度，向+Y方向移动，使继续保持晶片W1的冷却板21进入加热处理部HP的热板32a的上方。接着使热板32a的支承销34上升，将晶片W1从冷却板21交至支承销34。接着使冷却板21向-Y方向移动，离开热板32a的上方。接着使支承销34下降，将晶片W1从支承销34交至热板32a，开始对晶片W1进行加热处理。作为加热处理条件，例如使处理温度为200℃，使处理时间为90秒。

接着，进行步骤S4。在步骤S4中，晶片W1继续进行加热处理，将涂敷处理完成的晶片W2从涂敷处理部COT的旋转卡盘12交至冷却处理部CA的冷却板21。将晶片W2从旋转卡盘12交至冷却板21的工序与步骤S2中将晶片W1从旋转卡盘12交至冷却板21的工序同样。

接着，进行步骤S5。在步骤S5中，晶片W1继续进行加热处理，将晶片W2从冷却处理部CA的冷却板21交至加热处理部HP的热板32b(热板2)，开始加热处理。将晶片W2从冷却板21交至热板32b的工序，除了进行交接的热板是热板32b之外，与步骤S3中将晶片W1从冷却板21交至热板32a的工序同样。

接着，进行步骤S6。在步骤S6中，将加热处理完成的晶片W1从加热处理部HP的热板32a交至冷却处理部CA的冷却板21，晶片W2继续进行加热处理。使热板32a的支承销34上升，将晶片W1从热板32a交至支承销34。接着调整Z方向的高度，向+Y方向移动，使冷却板21进入加热处理部HP的热板32a的上方。接着使支承销34下降，将晶片W1从支承销34交至冷却板21。接着使冷却板21向-Y方向移动，离开热板32a的上方。

此外，在步骤S6中，通过使BARC药液喷嘴从杯体11的上方离开，使抗蚀剂药液喷嘴进入杯体11的上方，将药液供给部NOZ的喷嘴从BARC药液喷嘴变更为抗蚀剂药液喷嘴。

接着，进行步骤S7。在步骤S7中，将冷却处理完成的晶片W1从冷却处理部CA的冷却板21交至涂敷处理部COT的旋转卡盘12，晶片W2继续进行加热处理。接着，调整Z方向的高度，向-Y方向移动，使继续保持晶片W1的冷却板21进入涂敷处理部COT的杯体11的上方。接着，使旋转卡盘12的支承销12a上升，将晶片W1从冷却板21交至支承销12a。接着使冷却板21向+Y方向移动，使冷却板21离开杯体11的上方。接着使支承销12a下降，将晶片W1从支承销12a交至旋转卡盘12。

将晶片W1保持于涂敷处理部COT的旋转卡盘12，使晶片W1旋转，同时利用抗蚀剂药液用喷嘴将抗蚀剂药液供给至晶片W1的表面，涂敷抗蚀剂。作为涂敷处理条件，例如使旋转速度为3000rpm，使处理时间为60秒。

接着，进行步骤S8。在步骤S8中，晶片W1继续进行涂敷处理，将加热处理完成的晶片W2从加热处理部HP的热板32b交至冷却处理部CA的冷却板21。将晶片W2从热板32b交至冷却板21的工序，除了热板为热板32b之外，与将晶片W1从热板32a交至冷却板21的工序同样。

接着中，进行步骤S9。在步骤S9中，将涂敷处理完成的晶片W1从涂敷处理部COT的旋转卡盘12交至冷却处理部CA的冷却板21，将冷却处理完成的晶片W2从冷却处理部CA的冷却板21交至涂敷处理部COT的旋转卡盘12。为了进行步骤S9的工序，例如可以在冷却处理部CA设置有两块冷却板，将晶片W1从旋转卡盘12交至一个冷却板，从另一个冷却板接受晶片W2。冷却板与旋转卡盘12之间的晶片的交接方法与上述各工序中的方法同样。

接着，进行步骤S10。在步骤S10中，将晶片W1从冷却处理部CA的冷却板21交至加热处理部HP的热板32a，开始加热处理，晶片W继续进行涂敷处理。步骤S10的工序中药液是抗蚀剂，因此除了晶片W1的涂敷处理时间和晶片W2的加热处理时间不同之外，与步骤S3的工序同样。作为加热处理条件，例如使处理温度为120℃，使处理时间为60秒。

接着，进行步骤S11。在步骤S11中，晶片W1继续进行加热处理，将涂敷处理完成的晶片W2从涂敷处理部COT的旋转卡盘12交至冷却处理部CA的冷却板21。步骤S11的工序也是除了药液为抗蚀剂之外与步骤S4的工序同样。

接着，进行步骤S12。在步骤S12中，将加热处理完成的晶片W1从加热处理部HP的热板32a交至清洗块B5的周边曝光装置WEE，将晶片W2从冷却处理部CA的冷却板21交至加热处理部HP的热板32b，开始加热处理。

使热板32a的支承销34上升，将晶片W1从热板32a交至支承销34。接着对清洗块B5的晶片搬送臂5a调整X方向的位置和Z方向的高度，使晶片搬送臂5a向-Y方向移动，进入热板32a的上方。接着使支承销34下降，将晶片W1从支承销34交至晶片搬送臂5a。接着使晶片搬送臂5a向+Y方向移动，从热板32a的上方离开。接着利用晶片搬送臂5a将晶片W1交至周边曝光装置WEE，进行周边曝光。

将晶片W2从冷却板21交至热板32b并开始加热处理的工序，与步骤S5中的工序同样。

另外，步骤S12结束后，作为步骤S13，将加热处理完成的晶片W2从加热处理部HP的热板32b交至清洗块B5的周边曝光装置WEE。将晶片W2交至周边曝光装置WEE的工序与步骤S12中将晶片W1交至周边曝光装置的工序同样。

此外，上述的时机为，在一个涂敷显影装置中，在对两块晶片连续进行BARC涂敷处理之后，对该两块晶片进行抗蚀剂涂敷处理，但是，在此外还具有多块热板，处理能力有富裕的情况下，也可以在对三块进行连续BARC涂敷处理之后，对该三块晶片进行抗蚀剂涂敷处理。此外，因为用于BARC的加热处理与用于抗蚀剂的加热处理中加热处理温度不同，所以如果使热板为两倍即为4块，则在过程中不需要变更控制热板的温度，能够进一步提高每单位时间的晶片的处理块数。

或者，能够通过调整涂敷处理时间、加热处理时间、冷却处理时间之间的关系，对某一个晶片连续进行BARC涂敷处理、抗蚀剂涂敷处理，接着对另外的晶片连续进行BARC涂敷处理、抗蚀剂涂敷处理。

根据本实施方式的涂敷显影装置，依次排列有涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP的涂敷处理单元COTU在多个平面内或上下重叠排列配置，因此，以涂敷处理→冷却处理→加热处理的正方向进行的一系列的液体处理，或者以加热处理→冷却处理→涂敷处理的反方向进行的一系列的液体处理，能够为并联处理(多重处理)。在使用图7说明的上述时序图的一个例子中，涂敷处理部COT的处理能力成为制约，如果涂敷处理的处理时间为60秒，则一组涂敷处理单元COTU中每一小时的晶片的处理块数为60wph。由此，如图1和图2所示，在并排设置有6组本实施方式的涂敷处理单元的情况下，最大能够得到60×6＝360wph的处理能力。

另一方面，在现有的涂敷显影装置中，涂敷处理部、冷却处理部和加热处理部没有一对一地对应设置，晶片搬送臂也没有与涂敷处理部一对一地对应设置。不能够进行这样的并联处理(多重处理)，因此，假设涂敷处理部、冷却处理部和加热处理部设置有6组，则不得不再设置多台晶片搬送臂，不能够使装置小型化。

此外，根据本实施方式的涂敷显影装置，在任意一个涂敷处理单元COTU内，涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP中任一个产生问题而处理停止的情况下，在其它的涂敷处理单元COTU内也能够继续进行处理，因此与现有的涂敷显影装置相比，能够缩短每个晶片的处理时间。

此外，上述结构在显影处理单元DEVU1～DEVU3中也是同样的。即，显影处理单元DEVU1～DEVU3具有与上述的涂敷处理单元COTU1～COTU3同样的结构，从喷嘴喷出的药液是显影液。由此，根据本实施方式的涂敷显影装置，依次排列有显影处理部DEV、冷却处理部CA、加热处理部HP的显影处理单元在多个平面内或上下重叠排列配置，因此，能够使加热处理(曝光后烘焙处理)→冷却处理→显影处理的一系列液体处理为并联处理(多重处理)。由此，在任意一个显影处理单元内，显影处理部DEV、冷却处理部CA、加热处理部HP中任一个产生问题而处理停止的情况下，在其它的显影处理单元内也能够继续进行处理，与现有的涂敷显影装置相比，能够缩短每个晶片的处理时间。

(实施方式的变形例)

接着，参照图8和图9，说明实施方式的变形例的涂敷显影装置。

图8和图9分别是表示本变形例的涂敷显影装置的结构的概要平面图和要要正面图。

本变形例的涂敷显影装置，在不具有疏水化/热处理块和清洗块这一点上，与实施方式的涂敷显影装置不同。

在本变形例中，涂敷显影装置也具有载体块B1，其结构与实施方式同样，因此省略载体块B1的说明。此外，在以下的叙述中，对之前已说明的部分标注相同的符号，省略说明。

另一方面，在本变形例中，涂敷显影处理块B4例如具有涂敷处理单元COTU1～COTU3、显影处理单元DEVU1～DEVU3。涂敷处理单元和显影处理单元上下二段重叠设置，例如在上段设置涂敷处理单元，在下段设置显影处理单元。

涂敷处理单元COTU1例如由上下二段重叠配置的涂敷处理单元BOTU11、COTU12构成。同样地，涂敷处理单元COTU2、COTU3也分别由上下二段重叠配置的涂敷处理单元BOTU21、COTU22的组、BOTU31、COTU32的组构成。

在本变形例中，也可以使各涂敷处理单元的药液的种类在上下二段中不同。此时，如图8和图9所示，能够使上段的BOTU11、BOTU21、BOTU21中的药液为BARC，使下段的COTU12、COTU22、COTU32中的药液为抗蚀剂。此外，上段的BOTU11、BOTU21、BOTU31为BARC涂敷处理单元，下段的COTU12、COTU22、COTU32为抗蚀剂涂敷处理单元。

此外，涂敷处理单元BOTU11～COTU32的结构，除了药液的种类在上下二段中不同之外，与实施方式的结构相同。即，抗蚀剂涂敷处理单元COTU12、COTU22、COTU32与实施方式相同。此外，对于BARC涂敷处理单元BOTU11、BOTU21、BOTU31来说，除了因为药液为BARC，所以涂敷处理部代替COT为BOT之外，与实施方式相同。

显影处理单元DEVU1与实施方式同样，例如由上下二段重叠配置的显影处理单元DEVU11、DEVU12构成。同样地，显影处理单元DEVU2、DEVU3也分别由上下二段重叠配置的显影处理单元DEVU21、DEVU22的组、DEVU31、DEVU32的组构成。

此外，代替在实施方式中设置的检查块B2、疏水化/热处理块B3，在本实施例中设置有缓冲块B2’。此外，代替在实施方式中设置的清洗块B5、接口块B6，在本变形例中设置有周边曝光/接口块B6’。

缓冲块B2’包括：交接单元TRS1、TRS2；在平面内X方向上排列配置，并且在Z方向上下重叠配置的缓冲单元；和晶片搬送臂2。

两个交接单元TRS1、TRS2上下重叠设置，在其与载体块B1的晶片搬送臂1之间进行晶片W的交接。

缓冲单元例如由上段和下重叠配置的缓冲单元BUF1’、BUF2’构成。上段的缓冲单元BUF1’暂时收纳从载体块B1向BARC涂敷处理单元BOTU交接的晶片W，或者从BARC涂敷处理单元BOTU回来又再度向抗蚀剂涂敷处理单元COTU交接的晶片W。此外，下段的缓冲单元BUF2’暂时收纳从显影处理单元DEVU向载体块B1交接的晶片W。

晶片搬送臂2设置为能够沿X方向在搬送通路2a上移动。晶片搬送臂2在交接单元TRS1、TRS2中收纳的晶片W的晶片排列方向(Z方向，铅直方向)上也能够自由移动，能够有选择地对上下重叠设置的交接单元TRS1、TRS2内的晶片W进行访问。晶片搬送臂2在交接单元TRS1、TRS2、缓冲单元BUF1’、BUF2’、涂敷显影处理块B4的涂敷处理单元COTU1～COTU3、显影处理单元DEVU1～DEVU3之间进行晶片W的交接。

周边曝光/接口块B6’具有周边曝光装置WEE、晶片搬送臂6、缓冲单元BUF、冷却处理单元CPL。

周边曝光装置WEE进行用于除去晶片周边的不需要的部分的抗蚀剂的周边曝光。晶片搬送臂6设置为能够沿X方向在搬送通路6a上移动。晶片搬送臂6在Z方向(铅直方向)上也能够自由移动，能够有选择地对周边曝光/接口块B6’的缓冲单元BUF1、BUF2内的晶片W进行访问。晶片搬送臂6将晶片W2从后述的缓冲单元BUF1交至未图示的曝光装置B7，并且将进行了曝光的晶片W从未图示的曝光装置B7交至后述的缓冲单元BUF2。

缓冲单元BUF由例如上段和下段重叠配置的缓冲单元BUF1、BUF2构成。上段的缓冲单元BUF1是暂时收纳搬入未图示的曝光装置B7的晶片W的内部用缓冲单元。下段的缓冲单元BUF2是暂时收纳从未图示的曝光装置B7搬出的晶片W的外部用缓冲单元。此外，在缓冲单元BUF1、BUF2中，分别上下重叠配置有冷却处理单元CPL1、CPL2。

接着，说明本变形例的涂敷显影装置中的晶片W的行程。首先，盒体C从外部被搬入盒体载置台CS，利用晶片搬送臂1从盒体C内取出晶片W。晶片W从晶片搬送臂1被交至交接单元TRS1，经由缓冲单元BUF1’，利用晶片搬送臂2搬送至涂敷处理单元COTU的上段的BARC涂敷处理单元BOTU11。在BRAC涂敷处理单元BOTU11内，由涂敷处理部BOT、冷却处理部CA、加热处理部HP依次进行处理之后，利用晶片搬送臂2，从上段的BARC涂敷处理单元BOTU11，经由缓冲单元BUF1’，被搬送至下段的抗蚀剂涂敷处理单元COTU12。在抗蚀剂涂敷处理单元COTU12内，由涂敷处理部COT、冷却处理部CA、加热处理部HP分别进行处理之后，利用晶片搬送臂6，向冷却单元CPL1搬送，进行冷却处理。进行了冷却处理的晶片W被晶片搬送臂6搬送至周边曝光装置WEE，进行周边曝光。进行了周边曝光的晶片W，被晶片搬送臂6搬送至未图示的曝光装置B7，进行曝光处理。

进行了曝光处理的晶片W由晶片搬送臂6搬送至显影处理单元DEVU。在显影处理单元DEVU内，由加热处理部HP、冷却处理部CA、显影处理部DEV分别进行处理之后，晶片W利用晶片搬送臂2，经由缓冲单元BUF2’，被搬送至交接单元TRS2，利用晶片搬送臂1回到盒体C内。

此外，上述晶片W的行程中，BARC涂敷处理单元BOTU11、抗蚀剂涂敷处理单元COTU12和显影处理单元DEVU中的各自的处理，能够为使用多个BARC涂敷处理单元BOTU、多个抗蚀剂涂敷处理单元COTU和多个显影处理单元DEVU的并联处理。

本变形例的涂敷显影装置，在任意一个涂敷处理单元COTU内产生问题而处理停止的情况下，其它的涂敷处理单元COTU内的处理也能够继续进行。此外，在任意一个显影处理单元DEVU内产生问题而处理停止的情况下，其它的显影处理单元DEVU内的处理也能够继续进行。因此，与现有的涂敷显影装置相比，能够缩短每块晶片的处理时间。

以上记载了本发明的优选实施方式，但本发明并不限定于该特定的实施方式，在权利要求的范围内所记载的本发明的主旨的范围内，能够进行各种变形和变更。

此外，本发明不仅能够应用于涂敷显影装置，也能够应用于基板清洗装置、成膜装置、蚀刻装置等其他各种装置。此外，本发明也能够应用于包含搬送半导体基板、玻璃基板等各种基板的工序的装置。

Claims (17)

1.一种涂敷显影装置，其将利用载体搬入到载体块的基板交接至涂敷显影处理块，在由所述涂敷显影处理块形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块搬送至曝光装置，由所述涂敷显影处理块对经由所述接口块送回的曝光后的基板进行显影处理，并交接至所述载体块，该涂敷显影装置的特征在于：

所述涂敷显影处理块包括：在从所述载体块交接至该涂敷显影处理块的基板上形成所述涂敷膜的涂敷处理单元；和对从所述接口块送回至该涂敷显影处理块的曝光后的基板进行显影处理的显影处理单元，

将所述涂敷处理单元和所述显影处理单元重叠配置，

所述涂敷处理单元包括：使用药液在基板上形成所述涂敷膜的涂敷处理部；和与所述涂敷处理部对应设置，对形成有该涂敷膜的基板进行加热处理的第一加热处理部，

将所述涂敷处理部和所述第一加热处理部排列在一条直线上，

所述显影处理单元包括：对基板进行加热处理的第二加热处理部；与所述第二加热处理部对应、相邻地配置，对被加热处理的基板进行冷却处理的冷却处理部；和与所述冷却处理部对应、相邻地配置，对被冷却处理的该基板进行显影处理的显影处理部，

将所述第二加热处理部、所述冷却处理部和所述显影处理部依次排列在一条直线上，

所述冷却处理部一边将基板冷却至规定的温度、一边将该基板从所述第二加热处理部搬送至所述显影处理部。

2.如权利要求1所述的涂敷显影装置，其特征在于：

所述涂敷处理单元将从所述载体块搬入的基板依次搬送至排列在一条直线上的所述涂敷处理部和所述第一加热处理部，并且将该基板从与该载体块一侧的相反侧搬出。

3.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：

所述显影处理单元将从与所述载体块一侧的相反侧搬入的基板依次搬送至依次排列在一条直线上的所述第二加热处理部、所述冷却处理部和所述显影处理部，并且将该基板搬送至该载体块。

4.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：

具有多个所述涂敷处理单元和所述显影处理单元。

5.如权利要求4所述的涂敷显影装置，其特征在于：

多个所述涂敷处理单元和所述显影处理单元在同一平面内并排配置。

6.如权利要求4所述的涂敷显影装置，其特征在于：

多个所述涂敷处理单元和所述显影处理单元上下重叠配置。

7.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：

所述第一加热处理部和所述第二加热处理部分别具有保持基板并对其进行加热处理的多个热板，

所述热板分别上下重叠配置。

8.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：

所述冷却处理部具有保持基板并对其进行冷却处理的冷却板，

所述冷却板在所述第二加热处理部与所述显影处理部之间进行基板的交接。

9.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：

所述冷却处理部具有保持基板并对其进行冷却处理的冷却板，和保持基板的保持板，

所述冷却板在其与所述第二加热处理部之间进行基板的交接，所述保持板在其与所述显影处理部之间进行基板的交接。

10.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于，包括：

将基板搬入搬出所述涂敷处理单元和所述显影处理单元的搬入搬出单元；和

在所述涂敷处理单元和所述显影处理单元的所述搬入搬出单元侧，在与该涂敷处理单元和该显影处理单元之间进行基板的交接的第一缓冲单元。

11.如权利要求1或2所述的涂敷显影装置，其特征在于：

在所述涂敷处理单元和所述显影处理单元的所述搬入搬出单元的相反侧，具有在与该涂敷处理单元和该显影处理单元之间进行基板的交接的第二缓冲单元。

12.一种涂敷显影方法，其将利用载体搬入到载体块的基板交接至涂敷显影处理块，在由所述涂敷显影处理块形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜之后，经由接口块搬送至曝光装置，由所述涂敷显影处理块对经由所述接口块送回的曝光后的基板进行显影处理，并交至所述载体块，该涂敷显影方法的特征在于，具有：

在从所述载体块交接至该涂敷显影处理块的涂敷处理单元的基板上形成所述涂敷膜的涂敷处理工序；

和在重叠配置在所述涂敷处理单元上的显影处理单元中，对从所述接口块送回至该涂敷显影处理块的曝光后的基板进行显影处理的显影处理工序，

所述涂敷处理工序包括：在涂敷处理部使用药液在基板上形成所述涂敷膜的第一液体处理工序；和在与所述涂敷处理部对应设置的第一加热处理部，对形成有该涂敷膜的基板进行加热处理的第一加热处理工序，

将所述涂敷处理部和所述第一加热处理部排列在一条直线上，

所述显影处理工序包括：在第二加热处理部对基板进行加热处理的第二加热处理工序；在与所述第二加热处理部对应、相邻地配置的冷却处理部，对被加热处理的基板进行冷却处理的冷却处理工序；和在与所述冷却处理部对应、相邻地配置的显影处理部，对被冷却处理的基板使用药液进行显影处理的第二液体处理工序，

将所述第二加热处理部、所述冷却处理部和所述显影处理部依次排列在一条直线上，

所述冷却处理工序是一边将基板冷却至规定的温度、一边将该基板从所述第二加热处理部搬送至所述显影处理部。

13.如权利要求12所述的涂敷显影方法，其特征在于：

所述涂敷处理工序是将从所述载体块搬入的基板依次搬送至排列在一条直线上的所述涂敷处理部和所述第一加热处理部，并且将该基板从与该载体块一侧的相反侧搬出。

14.如权利要求12或13所述的涂敷显影方法，其特征在于：

所述显影处理工序是将从与所述载体块一侧的相反侧搬入的基板依次搬送至排列在一条直线上的所述第二加热处理部、所述冷却处理部和所述显影处理部，并且将该基板搬送至该载体块。

15.如权利要求12或13所述的涂敷显影方法，其特征在于：

具有多个所述涂敷处理单元和所述显影处理单元。

16.如权利要求15所述的涂敷显影方法，其特征在于：

多个所述涂敷处理单元和所述显影处理单元在同一平面内并排配置。

17.如权利要求15或所述的涂敷显影方法，其特征在于：

多个所述涂敷处理单元和所述显影处理单元上下重叠配置。