CN101938085A - 氮化物半导体激光器及晶片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。

Description

氮化物半导体激光器及晶片
技术领域
本发明涉及其中布置即将分离的多个氮化物半导体激光器的晶片，以及由该晶片获得的氮化物半导体激光器。
背景技术
氮化物半导体激光器用于蓝光光盘等的记录和播放以及其他用途，对它的研发在积极地进行着。例如，为了以高密度记录信息，需要快速地开启和关闭激光，因此激光器相应地以约20ns的短脉冲被驱动。在脉冲操作中，在激光器的阻抗较小时激光器表现出较好的响应的情况下，与降低激光器的电容一样，降低驱动期间观察到的电阻也是重要的。另一方面，为了再现信息，激光器需要可靠，并且提高静电放电耐受电压对于激光器的可靠性是重要的。
在氮化物半导体激光器的制造中，层叠的激光器结构的结晶度通常通过在晶体生长之前在基板中挖凹槽来改善(见JP2008-322786A和JP2006-190980A)。凹槽使得在其周围的层较厚，为了从单一基板有效获得具有相同光学特性的激光器，用于光波导的脊形成在距凹槽一距离处。也就是说，当如图6(晶片100的俯视图)所示多个器件102至104设置在凹槽101a和凹槽101b之间时，器件之一(在图6中，器件104)就脊的设置而言总是与剩余的器件(在图6中，器件102和103)相反。具体地，该一个器件的脊(图6中的脊104a)需要形成在器件的左手侧，而剩余器件的脊(图6中的脊102a和103a)形成在器件的右手侧，反之亦然。
因此，具有不同结构的两种器件从晶片100制造，并且需要例如在器件测试中将彼此区分。这是因为当器件进行特性测试中的发射波长等测试时，两种器件具有不同的发射点，并且光引入光纤或测试器的点需要相应地变化。例如，焊垫电极形状的差异可以用于将一种类型与其他类型区分。在这种情况下，焊垫电极形状的差异需要足够大以可辨认在测试器或芯片安装器中的图像。
当具有不同结构的器件通过它们的焊垫电极形状而彼此区分时，器件之间焊垫电极的形状或者焊垫电极的面积的差异需要大到容易进行图像识别，如上所述。然而，从一个结构到另一结构的焊垫电极面积的改变意味着从单一晶片制造不同电容的器件，从而产生如下的不便。
当氮化物半导体激光器用于记录信息时，经常采用高频叠加电路作为光学反馈噪音的对策。如果使用具有不同电容的激光器，则对于每个激光器需要调节高频叠加电路。这引起成本的增加和产率的减少，因此对于实际的批量生产是不切实际的。
发明内容
本发明鉴于以上所述而进行，因此本发明的目的是提供一种电容被降低以具有更好的响应的氮化物半导体激光器。本发明的另一个目的是提供一种具有高的静电放电耐受电压以改善可靠性的氮化物半导体激光器。本发明的再一个目的是提供从单一晶片收获多个具有不同结构的氮化物半导体激光器的方法，该多个具有不同结构的氮化物半导体激光器具有相同的电容并且能够由它们的结构在图像上将彼此区分。
为了获得上述目标，本发明提供一种氮化物半导体激光器，包括：有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。
根据该结构，低介电常数绝缘膜的使用降低了氮化物半导体激光器的电容。
在氮化物半导体激光器中，优选有源层具有下垫层，每个下垫层是n型层而有源层之上的每个层是p型层。这是因为p型层电阻较高。
在氮化物半导体激光器中，可以采用SiOF、SiOC和有机聚合物之一作为该低介电常数绝缘膜。
此外，本发明提供一种氮化物半导体激光器，包括：有源层；上覆层，层叠在该有源层之上；高介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该高介电常数绝缘膜之上。
根据该结构，高介电常数绝缘膜的使用增加了氮化物半导体激光器的电容。
在氮化物半导体激光器中，优选有源层具有下垫层，每个下垫层是n型层，而有源层之上的每个层是p型层。这是因为p型层电阻更高。
在氮化物半导体激光器中，可以采用HfO2基膜和Al2O3N基膜之一作为高介电常数绝缘膜。
此外，本发明提供一种晶片，包括即将彼此分离的多个氮化物半导体激光器，其中该多个氮化物半导体激光器中的每个包括至少一个电隔离的焊垫电极，并且，在该多个氮化物半导体激光器中，至少在结构上彼此不同的氮化物半导体激光器具有相同面积的被施加电压的焊垫电极，并具有不同的整体焊垫电极形状。
根据该结构，给予激光器相同面积的被施加电压的焊垫电极使得激光器的电容均一，并且整体的焊垫电极形状不同使得激光器的结构可以通过图像辨认而彼此区分。
在该晶片中，至少一个焊垫电极通过沟槽被期望地电隔离。
此外，本发明提供一种晶片，包括即将彼此分离的多个氮化物半导体激光器，其中该多个氮化物半导体激光器中的每个具有相同面积的焊垫电极，并且包括通过降低反射率的处理获得的焊垫电极的表面的一部分中的低反射部，并且，在该多个氮化物半导体激光器中，具有不同结构的氮化物半导体激光器至少低反射部的形状彼此不同。
根据该结构，赋予激光器相同的焊垫电极面积使得激光器的电容均一，并且低反射部的形状差异使得激光器的结构能够通过图像辨认而被彼此区分。
在晶片中，低反射部期望地由比焊垫电极的反射率低的低反射膜形成。
此外，在该晶片中，低反射部可以通过粗糙化焊垫电极的表面而形成。
根据本发明，氮化物半导体激光器的电容降低，这使得氮化物半导体激光器有更好的响应并增加高频叠加电路的噪音降低效果。
此外，根据本发明，氮化物半导体激光器的电容增加，这使得氮化物半导体激光器有改善的静电放电破坏阈值(静电放电耐受电压)和提升的可靠性。
此外，根据本发明，在从单一晶片获得不同结构的多个氮化物半导体激光器中，激光器给定均一的电容以方便高频叠加电路的调节，因此，降低了制造成本，也使得不同结构的激光器能够在图像上彼此区分。
附图说明
在附图中：
图1是根据第一实施例的氮化物半导体激光器的截面图；
图2是根据第二实施例的氮化物半导体激光器的截面图；
图3是根据第三实施例的晶片的俯视图；
图4是根据第四实施例的晶片的俯视图；
图5是根据第四实施例的另一晶片的俯视图；
图6是传统晶片的俯视图。
具体实施方式
本发明的发明者对氮化物半导体激光器的电容进行了深入研究并得到以下认识。在AlGaAs基激光器和AlGaInP基激光器中，激光器的PN结面积决定电容。这就是为什么沟槽结构(通过在脊旁边挖凹槽得到)或类似措施对于降低电容是必要的。在PN结中，影响具有脊引导器件结构的氮化物半导体激光器的是脊宽度加几μm与谐振器长度的乘积。其余的是，多大的焊垫电极面积对于配线接合和焊垫电极下方的电介质膜的介电常数和厚度是必要的，该配线接合用于经由接触电极等的配线的外部电压施加。
这是因为用于氮化物半导体激光器中p型覆层中的AlGaN层和GaN层电阻非常高。通常，脊引导激光器具有大约1至2μm的脊宽度并且在脊的外侧通过蚀刻覆层而减薄。脊外侧的激光器厚度从有源层到覆层的顶部大约为0.1至0.3μm。在脊的外侧，通常没有形成接触电极并且脊的侧面覆盖有在横向引导光的电介质膜，其增加了脊的外侧的横向电阻。高电阻引起从脊施加的电压随着距脊的距离的增加而降低，结果没有电压施加到远离脊的PN结区域。因此，没有施加电压的远离脊的区域不会影响激光器的电容。
由Ti、Pd、Ni或Au制成的焊垫电极在电介质膜之上，电介质膜在PN结之上的p型AlGaN、GaN或InGaN层上。焊垫电极、电介质膜和n型电极构成电容器。这种现象发生在没有施加电压的远离脊的PN结区域，因为如上所述电压随距脊的距离的增加而下降。
当脊附近的PN结的电容给定为A，焊垫电极与n型(或与焊垫电极的导电类型相反的导电类型)电极之间的电容给定为B时，激光器的电容为A+B。该电容关系是因为脊附近的电容A(包括脊)和焊垫电极与n型(或与焊垫电极的导电类型相反的导电类型)电极之间的电容B具有并联关系。
下面按顺序描述本发明的四个实施例。
第一实施例
图1是根据第一实施例的氮化物半导体激光器的截面图。由10表示的氮化物半导体激光器通过层叠n型电极11、n型GaN基板12、n型GaN缓冲层13、n型AlGaN覆层14、n型GaN/InGaN光引导层15、非掺杂GaN/InGaN有源层16、p型AlGaN蒸发防止层17、p型GaN或AlGaN层间层18、p型AlGaN覆层19、p型GaN接触层20、Pd接触电极21、低介电常数绝缘膜22和TiAu焊垫电极23来构建。
氮化物半导体激光器10通过由金属有机气相化学沉积(下文简写为MOCVD)在n型GaN基板12上首先依次生长n型GaN缓冲层13、n型AlGaN覆层14、n型GaN/InGaN光引导层15、非掺杂GaN/InGaN有源层16、p型AlGaN蒸发防止层17、p型GaN或AlGaN层间层18、p型AlGaN覆层19、p型GaN接触层20来制造。
然后，Pd接触电极21形成在p型GaN接触层20上并通过光刻和干法蚀刻将层叠体向下蚀刻到p型AlGaN覆层19中的一点，从而形成条状图案的脊24。构成低介电常数绝缘膜22的SiOF膜通过溅射形成至约100nm的厚度，从而覆盖脊的侧面。SiOF膜在脊24之上的部分通过蚀刻被除去。
然后形成Ti/Au焊垫电极23。N型GaN基板12的背表面被抛光减薄至约100μm，然后进行背表面处理。此后，在处理的背表面上形成Ni/Au膜等作为n型电极11。
然后，层叠体沿垂直于脊24的面被解理以形成谐振器镜面。电介质膜(由Al2O3、SiO2或TiO2等制成)形成在解理面上。然后，层叠体在条之间被划片并沿划片线断开为块(piece)，从而获得期望的氮化物半导体激光器10。
如此制造的氮化物半导体激光器10的电容大约为6pF，并且低于使用不同于低介电常数绝缘膜22的绝缘膜的氮化物半导体激光器的电容(大约为10pF)。结果，氮化物半导体激光器10具有更好的响应且将高频叠加电路带来的噪音减小效果提升到3至5mW时噪音相对强度(RIN)为-125dB以下的程度(常规地，-125dB以下)。
低介电常数绝缘膜22使用介电常数k值例如为5以下的低介电常数材料。尽管SiOF膜在此处用做低介电常数绝缘膜22，但对于SiOC膜或有机聚合物膜可以获得相同的效果。适用于低介电常数绝缘膜22的有机聚合物例如是硼吖嗪硅(borazine-silicon)聚合物。
第二实施例
图2是根据第二实施例的氮化物半导体激光器的截面图。由30表示的氮化物半导体激光器通过层叠n型电极31、n型GaN基板32、n型GaN缓冲层33、n型AlGaN覆层34、n型GaN/InGaN光引导层35、非掺杂GaN/InGaN有源层36、p型GaN或AlGaN层间层37、p型AlGaN蒸发防止层38、p型AlGaN覆层39、p型GaN接触层40、Pd接触电极41、高介电常数绝缘膜42和Ti/Au焊垫电极43来构建。
氮化物半导体激光器30通过由金属有机气相化学沉积(下文简写为MOCVD)在n型GaN基板32上首先依次生长n型GaN缓冲层33、n型AlGaN覆层34、n型GaN/InGaN光引导层35、非掺杂GaN/InGaN有源层36、p型GaN或AlGaN层间层37、p型AlGaN蒸发防止层38、p型AlGaN覆层39、p型GaN接触层40来制造。
然后，Pd接触电极41形成在p型GaN接触层40上并通过光刻和干法蚀刻将层叠体向下蚀刻到p型AlGaN覆层39中的一点，从而形成条状图案的脊44。构成高介电常数绝缘膜42的HfO2膜通过溅射形成至约100nm的厚度，从而覆盖脊的侧面。在脊44之上的部分HfO2膜通过蚀刻被除去。
然后形成Ti/Au焊垫电极43。n型GaN基板32的背面被抛光减薄至约100μm，然后进行背表面处理。此后，在处理的背表面上形成Ni/Au膜等作为n型电极31。
然后，层叠体沿垂直于脊44的面被解理以形成谐振器镜面。电介质膜(由Al2O3、SiO2或TiO2等制成)形成在解理面上。然后层叠体在条之间被划片并沿划片线断开为块，从而获得期望的氮化物半导体激光器30。
如此制造的氮化物半导体激光器30的电容大约为20pF，高于使用不同于高介电常数绝缘膜42的绝缘膜的氮化物半导体激光器的电容(大约为10pF)。结果，氮化物半导体激光器30具有以下有利特性：静电放电破坏阈值(静电放电耐受电压)在400μm的谐振器长度下改善到150V以上(常规的为70V以上)。
高介电常数绝缘膜42使用介电常数k值例如为90以上的高介电常数材料。尽管HfO2膜以上用做高介电常数绝缘膜42，但对于Al2O3N基膜可以获得相同的效果。Al2O3N基膜在这里是指AlON膜、AlO2N膜和Al2ON膜等。
第三实施例
本发明的第三实施例使用加工的基板，该加工的基板为具有在其顶面(外延面)中形成的条形图案的凹槽的n型GaN基板。该加工的基板通过以下方式制造，首先由溅射蒸发在n型GaN基板的顶面上形成SiO2膜等至1μm的厚度，并通过通常的光刻工艺形成条形光致抗蚀剂图案使得光致抗蚀剂图案在抗蚀剂开口处具有5μm的宽度以及在条形的中心和相邻条形的中心之间具有400μm的间隔(周期)。
然后，通过干法蚀刻比如反应离子蚀刻(RIE)技术将SiO2膜和n型GaN基板蚀刻以形成每个都具有5μm深度和5μm开口宽度的凹槽。然后SiO2膜使用蚀刻剂比如HF除去，从而获得加工的基板。
SiO2的蒸发沉积不限于溅射蒸发，可以替代地采用电子束蒸发、等离子体CVD等。抗蚀剂图案的周期不限于如上所述的400μm，而是可以改变以适应制造的氮化物半导体激光器的宽度。用于挖凹槽的干法蚀刻可以由湿法蚀刻来替代。
图3是根据第三实施例的晶片的俯视图。由50表示的晶片被断开为氮化物半导体激光器，每个氮化物半导体激光器通过层叠n型电极、加工的基板、n型GaN缓冲层、n型AlGaN覆层、n型GaN/InGaN光引导层、非掺杂GaN/InGaN有源层、p型GaN或AlGaN层间层、p型AlGaN蒸发防止层、p型AlGaN覆层、p型GaN接触层、Pd接触电极41、电介质膜和Ti/Mo/Au焊垫电极来构建。
氮化物半导体激光器10通过由金属有机气相化学沉积(下文简写为MOCVD)在加工的基板上首先依次生长n型GaN缓冲层、n型AlGaN覆层、引导n型GaN/InGaN光导层、非掺杂GaN/InGaN有源层、p型GaN或AlGaN层间层、p型AlGaN蒸发防止层、p型AlGaN覆层、p型GaN接触层来制造。
然后，Pd接触电极形成在p型GaN接触层上并通过光刻和干法蚀刻将层叠体向下蚀刻到p型AlGaN覆层中的一点，从而形成条状图案的脊。构成电介质膜的SiO2膜通过溅射形成至约100nm的厚度，从而覆盖脊的侧面。在脊51之上的部分SiO2膜通过蚀刻被除去。
然后，涂覆抗蚀剂且形成焊垫电极图案以使光蚀刻留下不必要区域的抗蚀剂。然后由电子束蒸发形成Ti/Mo/Au焊垫电极。焊垫电极的不必要部分通过剥离被除去以最终获得如图3所示的焊垫电极52a至52g。在图3中，三个激光器形成在一个凹槽56和另一个凹槽56之间，其是通过在加工的基板中的凹槽上层叠各层而形成。
焊垫电极52a至52g可以通过另一方法来形成：通过溅射或电子束蒸发在晶片50的整个顶面上形成Ti/Mo/Au膜，涂覆抗蚀剂、形成焊垫电极图案以使得光蚀刻留下不必要区域的抗蚀剂，用碘基蚀刻剂除去焊垫电极的不必要的部分。
形成在脊51上的焊垫电极52a、52d和52g为进行配线接合的焊垫电极，也就是被施加电压的焊垫电极。被施加电压的焊垫电极52a、52d和52g被设计为具有相等的面积从而使每个激光器具有相同的电容。
另一方面，焊垫电极52b、52c、52e和52f为不进行配线接合的焊垫电极，也就是没有电压施加到这些焊垫电极，并且它们没有形成在脊51上。焊垫电极52b、52c、52e和52f通过在焊垫电极52b、52c、52e和52f与被施加电压的焊垫电极52a、52d和52g之间的区域(没有形成焊垫电极的区域)形成凹槽而被电隔离。
通过将晶片断开为块而获得的每个氮化物半导体激光器被设计为在一个器件上的所有焊垫电极一起形成不同于另一个器件的全部焊垫电极形状的形状。例如，焊垫电极52a至52c的整体形状，焊垫电极52d至52f的整体形状和焊垫电极52g的形状彼此不同。
这是因为尽管器件53和54具有相同的结构，但器件55就脊的设置而言具有相反的结构。具体地，器件55具有在左手侧的脊，然而器件53和54具有在右手侧的脊，反之亦然。不同结构的两种器件的共存使得例如在器件特性测试时区分两种器件成为必要。因为两种器件具有不同发射点，所以当在特性测试时测试器件的发射波长等时光引入光纤或测试器的点需要相应地改变。焊垫电极形状的差异用于通过在测试器或芯片安装器中的图像辨认来将彼此区分。
因此，整体的焊垫电极形状需要变化从而至少器件55可以与器件53和54区分开。具有相同结构的器件53和54不需要彼此区分，但是在图3中，焊垫电极52b和焊垫电极52e具有不同形状，因此也能够彼此区分。
回到怎样制造氮化物半导体激光器的描述，加工的基板的背表面被抛光减薄至约100μm，然后进行背表面处理。此后，在处理的背表面上Ni/Au膜等形成为n型电极。
然后，层叠体沿垂直于脊51的面解理以形成谐振器镜面。电介质膜(由Al2O3、SiO2或TiO2等制成)形成在解理面上。然后，层叠体在条之间被划片并沿划片线断开为块，从而获得期望的氮化物半导体激光器53至55。
如此制造的氮化物半导体激光器53至55的电容为约10pF。通过这样给定器件53至55均一的电容，方便了高频叠加电路的调节，并减少约10％的制造成本。
通过该实施例的结构，从单一晶片获得并具有不同结构的多个氮化物半导体激光器能具有相同的电容并能够通过图像识别通过它们的结构而彼此区分。
第四实施例
图4是根据第四实施例的晶片的俯视图。由60表示的晶片被断开为氮化物半导体激光器，每个氮化物半导体激光器通过层叠n型电极、加工的基板、n型GaN缓冲层、n型AlGaN覆层、n型GaN/InGaN光引导层、非掺杂GaN/InGaN有源层、p型GaN或AlGaN层间层、p型AlGaN蒸发防止层、p型AlGaN覆层、p型GaN接触层、Pd接触电极、电介质膜和Ti/Mo/Au焊垫电极来构建。
氮化物半导体激光器10通过由金属有机气相化学沉积(下文简写为MOCVD)在加工的基板上首先依次生长n型GaN缓冲层、n型AlGaN覆层、n型GaN/InGaN光引导层、非掺杂GaN/InGaN有源层、p型GaN或AlGaN层间层、p型AlGaN蒸发防止层、p型AlGaN覆层、p型GaN接触层来制造。
然后，Pd接触电极形成在p型GaN接触层上并通过光刻和干法蚀刻将层叠体向下蚀刻到p型AlGaN覆层中的一点，从而形成条状图案的脊61。构成电介质膜的SiO2膜通过溅射形成至约100nm的厚度，从而覆盖脊的侧面。在脊61之上的部分SiO2膜通过蚀刻被除去。
然后，构成焊垫电极的Ti/Mo/Au膜通过溅射或电子束蒸发形成在晶片60的整个顶面上。不具有金属光泽的低反射膜随后通过蒸发由SiO2形成为在图像辨认中不能被辨认的厚度。抗蚀剂被涂覆到SiO2膜并形成焊垫电极图案使得光蚀刻在必要区域留下抗蚀剂。SiO2膜的不必要部分被比如缓冲氢氟酸的蚀刻剂除去。
由此获得了如图4所示的焊垫电极62a至62c和低反射膜63a至63d。在图4中，三个激光器形成在一个凹槽64和另一个凹槽64之间，其是通过在加工的基板中的凹槽上层叠各层而形成的。
低反射膜63a至63d可以使用SiO2以外的其他材料，只要所采用的材料的反射率低于焊垫电极62a至62c的反射率。替代低反射膜，可以采用处理以给予焊垫电极比未处理的焊垫电极更低的反射率，比如将焊垫电极表面粗糙化的处理。焊垫电极的反射率低的部分被称为低反射率部分。
具体地，粗糙化处理的焊垫电极表面使用蚀刻剂比如盐酸，并在构成焊垫电极的Ti/Mo/Au膜通过溅射或电子束蒸发形成在晶片60的整个顶面上后在焊垫电极表面上进行，抗蚀剂涂覆在Ti/Mo/Au膜上，且形成焊垫电极图案使得光蚀刻留下必要区域的抗蚀剂。图5是焊垫电极表面已经被粗糙化的晶片60’。焊垫电极表面被粗糙化的部分示出为表面处理部分65a至65d。
通过将晶片断开为块获得的每个氮化物半导体激光器被设计使得从上看焊垫电极形状，也就是低反射部分没有彼此重叠的区域的形状因每个激光器而不同。也就是说，每个激光器的低反射部分的形状不同。
这是因为，尽管器件66和67(66’和67’)具有相同的结构，但器件68(68’)就脊的设置而言具有相反的结构。具体地，器件55具有在左右侧的脊，而器件53和54具有在右手侧的脊，或反之亦然。不同结构的两种器件的共存使得例如在器件特性测试中两种器件的区分成为必要。这是因为两种器件具有不同的发射点，当在特性测试中测试器件的发射波长等时，光引入光纤或测试器的点需要相应地变化。焊垫电极形状的差异用于通过在测试器或芯片安装器的图像辨认将不同的类型区分。
因此，整体焊垫电极的外观形状需要通过将低反射部分的形状差异化而被改变，从而至少可以将器件68(68’)与器件66和67(66’和67’)区分开来。具有相同结构的器件66和67(66’和67’)不需要彼此区分，但是在图4或5中，焊垫电极62a和焊垫电极62b具有不同的外观形状，因此也可以彼此区分。
回到怎样制造氮化物半导体激光器的描述，加工的基板的背表面被抛光减薄至约100μm，然后进行背表面处理。此后，在处理的背表面上形成Ni/Au膜等作为n型电极。
然后，层叠体沿垂直于脊61的面解理以形成谐振器镜面。电介质膜(由Al2O3、SiO2或TiO2等制成)形成在解理面上。然后，层叠体在条之间被划片并沿划片线断开为块，从而获得期望的氮化物半导体激光器66至68(66’至68’)。
如此制造的氮化物半导体激光器66至68(66’至68’)的电容约为15pF。通过这样给定器件53至55均一的电容，方便了高频叠加电路的调节，并减少约10％的制造成本。
通过该实施例的结构，从单一晶片获得并具有不同结构的多个氮化物半导体激光器能具有相同的电容并能够通过图像辨认通过它们的结构而彼此区分。
第一至第四实施例可以适当地结合。通过结合两个以上的实施例，可以形成比如一个具有低或高介电常数绝缘膜且其中焊垫电极被电隔离或低反射部分提供在焊垫电极上的混合结构，并且也能获得结合使用的实施例的各种效果。
根据本发明的氮化物半导体激光器适用于安装于对比如蓝光光盘的光盘进行播放或记录的光盘驱动中的光学拾取器。

Claims (13)

1.一种氮化物半导体激光器，包括：
有源层；
上覆层，层叠在所述有源层之上；
低介电常数绝缘膜，层叠在所述上覆层之上；以及
焊垫电极，层叠在所述低介电常数绝缘膜之上。
2.如权利要求1所示的氮化物半导体激光器，其中所述有源层具有下垫层，每个下垫层是n型层，而所述有源层之上的每个层是p型层。
3.如权利要求1所示的氮化物半导体激光器，所述低介电常数绝缘膜由SiOF、SiOC和有机聚合物之一形成。
4.一种氮化物半导体激光器，包括：
有源层；
上覆层，层叠在所述有源层之上；
高介电常数绝缘膜，层叠在所述上覆层之上；以及
焊垫电极，层叠在所述高介电常数绝缘膜之上。
5.如权利要求4所述的氮化物半导体激光器，其中所述有源层具有下垫层，每个下垫层是n型层，而所述有源层之上的每个层是p型层。
6.如权利要求4所述的氮化物半导体激光器，其中所述高介电常数绝缘膜包括HfO2基膜和Al2O3N基膜之一。
7.一种晶片，包括即将彼此分离的多个氮化物半导体激光器，
其中所述多个氮化物半导体激光器中的每个包括至少一个电隔离的焊垫电极，并且
在所述多个氮化物半导体激光器中，至少在结构上彼此不同的氮化物半导体激光器具有相同面积的被施加电压的焊垫电极，并具有不同的整体焊垫电极形状。
8.如权利要求7所述的晶片，至少一个焊垫电极通过沟槽被电隔离。
9.一种氮化物半导体激光器，通过将权利要求7所述的晶片断开为块而获得。
10.一种晶片，包括即将彼此分离的多个氮化物半导体激光器，
其中所述多个氮化物半导体激光器中的每个具有相同面积的焊垫电极，并且包括通过降低反射率的处理获得的所述焊垫电极的表面的一部分中的低反射部，并且
在所述多个氮化物半导体激光器中，具有不同结构的氮化物半导体激光器至少所述低反射部的形状彼此不同。
11.如权利要求10所述的晶片，其中所述低反射部包括比所述焊垫电极的反射率低的低反射膜。
12.如权利要求10所述的晶片，所述低反射部通过粗糙化所述焊垫电极的所述表面而形成。
13.一种氮化物半导体激光器，通过将权利要求10所述的晶片断开为块而获得。
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