CN110739605A - 一种半导体激光器及其载流子注入方法 - Google Patents

一种半导体激光器及其载流子注入方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110739605A
CN110739605A CN201910917248.7A CN201910917248A CN110739605A CN 110739605 A CN110739605 A CN 110739605A CN 201910917248 A CN201910917248 A CN 201910917248A CN 110739605 A CN110739605 A CN 110739605A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
film
ridge
dielectric film
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910917248.7A
Other languages
English (en)
Inventor
王俊
赵智德
谭少阳
程洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Changguanghua Core Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd
Suzhou Everbright Photonics Co Ltd
Suzhou Everbright Photonics Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Changguanghua Core Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd
Suzhou Everbright Photonics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Changguanghua Core Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd, Suzhou Everbright Photonics Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Changguanghua Core Semiconductor Laser Innovation Research Institute Co Ltd
Priority to CN201910917248.7A priority Critical patent/CN110739605A/zh
Priority to PCT/CN2019/111045 priority patent/WO2021056617A1/zh
Publication of CN110739605A publication Critical patent/CN110739605A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种半导体激光器及其载流子注入方法，其中方法包括：在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片；在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构；在脊形结构上制备介质薄膜；将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜；在介质薄膜上制备电极；将晶圆片进行解理，在解理面的前后两端分别制备减反薄膜及高反薄膜；从减反薄膜腔面到高反薄膜腔面进行载流子注入。通过控制脊面上介质薄膜的形状，实现电流沿脊形纵向的非均匀注入，抵消长腔长、两端腔面反射率差异引起的载流子非均匀分布，提升半导体激光器工作状态下增益沿纵向分布的均匀性，提高半导体激光器的光输出功率。

Description

一种半导体激光器及其载流子注入方法
技术领域
本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器及其载流子注入方法。
背景技术
传统的半导体激光器采用载流子均匀注入的方案，将电极沿纵向均匀分布，使得整个脊形注入的载流子密度是完全一致。为了提高斜率效率及最大化输出功率，激光器的两端会分别作减反(AR)膜和高反(HR)膜处理，让激光集中在减反膜这端出射。当注入电流小于阈值电流时，半导体激光器谐振腔内的光子密度很低，因而沿纵向(AR腔面到HR腔面)呈现出均匀的分布；当注入电流大于阈值电流时，激光器开始激射，谐振腔内的光子密度会随着注入电流的增加而逐渐增加，且激光器谐振腔内的光子密度沿纵向(AR腔面到HR腔面)呈现出逐渐减小的趋势。由于受激辐射效应的影响，光子密度越高的区域，载流子的消耗速度越快，载流子的密度越低，因而载流子密度沿AR腔面到HR腔面会呈现出逐渐增加的趋势，载流子密度沿纵向的不均匀分布会引起增益在纵向的不均匀分布，导致半导体激光器性能退化、光输出功率下降。
发明内容
因此，本发明提供一种半导体激光器及其载流子注入方法，克服了现有技术中载流子密度沿纵向的不均匀分布会引起增益在纵向的不均匀分布，导致半导体激光器性能退化、光输出功率下降的不足。
第一方面，本发明实施例提供一种半导体激光器的载流子注入方法，包括：在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片；在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构；在脊形结构上制备介质薄膜；将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜；在介质薄膜上制备电极；将晶圆片进行解理，并在解理面的前后两端分别制备减反薄膜及高反薄膜；从减反薄膜腔面到高反薄膜腔面进行半导体激光器的载流子注入。
在一实施例中，所述将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜的步骤，包括：获取半导体激光器均匀注入电极时载流子的非线性分布曲线；根据所述载流子的非线性分布曲线，将脊形结构的脊形结构脊面分沿纵向方向分割成多段区域，每段区域中非均匀形状分布的介质薄膜的面积占比，沿减反薄膜腔面到高反薄膜腔面的方向逐渐增加。
在一实施例中，每段区域中非均匀形状分布的介质薄膜的面积不完全相同。
在一实施例中，靠近高反薄膜腔面的区域分割的长度比靠近减反薄膜腔面的区域分割的长度短。
在一实施例中，根据半导体激光器的腔长、减反薄膜腔面和高反薄膜腔面反射率、工作电流及载流子的非线性分布曲线确定每段区域中介质薄膜的长度。
第二方面，本发明提供一种半导体激光器，包括:衬底；半导体激光器外延结构，形成于所述衬底上；脊形结构，形成所述外延结构上；介质薄膜，形成于所述脊形结构上；纵向非均匀形状分布的介质薄膜，形成于脊形结构的脊面上方；电极，形成于所述介质薄膜上；减反膜和高反膜，形成于外延结构解理面的前后端面。
在一实施例中，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的面积占比，沿减反薄膜腔面到高反薄膜腔面的方向逐渐增加。
在一实施例中，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的面积不完全相同。
在一实施例中，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的形状为多边形、圆形或椭圆形。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明提供的半导体激光器其载流子注入方法，通过控制脊面上方介质薄膜的形状，控制实际电流注入的区域，实现电流沿脊形纵向的非均匀注入，从而抵消长腔长、两端腔面反射率差异引起的载流子非均匀分布，提升半导体激光器工作状态下增益沿纵向分布的均匀性，提高半导体激光器的光输出功率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的半导体激光器的载流子注入方法一个示例流程图；
图2为本发明实施例提供的衬底及外延结构晶圆片的示意图；
图3为本发明实施例提供的脊形结构的示意图；
图4为本发明实施例提供的介质薄膜的示意图；
图5为本发明实施例提供的非均匀形状分布的介质薄膜的示意图；
图6为本发明实施例提供的电极结构的示意图；
图7为本发明实施例提供的AR腔面及HR腔面的示意图；
图8为本发明实施例提供的形成非均匀形状分布的介质薄膜的一个示例流程图；
图9为本发明实施例提供的均匀注入电极时载流子的为非线性分布曲线图的示意图；
图10为本发明实施例提供的非均匀形状分布的介质薄膜的剖视图；
图11为本发明实施例提供的将脊面进行等长度划分及非等长度划分载流子浓度的纵向分布的对比图；
图12为本发明实施例提供的半导体激光器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本发明实施例提供一种半导体激光器的载流子注入方法，如图1所示，包括：
步骤S1：在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片。
在本发明实施例中，可以使用现有的MOCVD、MBE等设备在衬底上生长半导体激光器外延结构，如图2所示，得到激光器外延结构晶圆片。
步骤S2：在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构。
在本发明实施例中，通过光刻刻蚀在晶圆片上制备出脊形结构，如图3所示，脊形结构可以为中间部分高与两边的梯形结构，仅以此举例，不以此为限，在其他实施例中可以为其他形状的脊形结构。
步骤S3：在脊形结构上制备介质薄膜。
在本发明实施例中，介质薄膜的材料可以为SiO2或SiN，如图4所示，制备的介质薄膜覆盖整个脊形结构表面。
步骤S4：将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜。
在本发明实施例中，脊形结构脊面上对介质薄膜进行光刻刻蚀，使得位于脊面上介质薄膜非均匀形状分布，使得其在载流子注入时可以均分分布，在脊面上形成的非均匀形状分布的介质薄膜如图5所示。
步骤S5：在介质薄膜上制备电极。
本发明实施例中，如图6所示，通过沉积的方式在介质薄膜上生成金属电极形成的电极结构。
步骤S6：将晶圆片进行解理，并在解理面的前后两端分别制备减反薄膜及高反薄膜。
本发明实施例中，如图7所示，将晶圆片进行解理后，可以通过蒸镀的方式在解理面的前后两端形成减反(AR)薄膜及高反(HR)薄膜，形成AR腔面及HR腔面。
步骤S7：从减反薄膜腔面到高反薄膜腔面进行半导体激光器的载流子注入。
本发明提供的半导体激光器的载流子注入方法，通过对脊面上的介质薄膜部分被刻蚀，脊形上只有未覆盖介质薄膜的晶圆片表面才能同金属电极形成接触，从而沿纵向方向可以得到非均匀的载流子注入，利用图形化电极实现载流子的非均匀注入，从而抵消长腔长、两端腔面反射率差异引起的载流子非均匀分布，提升半导体激光器工作状态下增益沿纵向分布的均匀性，提高半导体激光器的光输出功率。
在一实施例中，执行步骤S4的具体过程，如图8所示，包括：
步骤S41：获取半导体激光器均匀注入电极时载流子的非线性分布曲线。
实际中，当注入电流大于阈值电流时，激光器开始激射，谐振腔内的光子密度会随着注入电流的增加而逐渐增加，且激光器谐振腔内的光子密度沿纵向(AR腔面到HR腔面)呈现出逐渐减小的趋势，导致减反膜(AR)一侧的载流子浓度较低，而高反膜(HR)一侧的载流子浓度较高，如图9所示的均匀注入电极时载流子的为非线性分布曲线图。
步骤S42：根据所述载流子的非线性分布曲线，将脊形结构的脊形结构脊面分沿纵向方向分割成多段区域，每段区域中非均匀形状分布的介质薄膜的面积占比，沿减反薄膜腔面到高反薄膜腔面的方向逐渐增加。
本发明实施例中，介质薄膜的面积占比为介质薄膜面积/小区域面积，如图10所示，以按从左至右将脊形结构分成三部分区域，中间部分即为脊面。在进行介质薄膜的光刻刻蚀时，脊面上方的介质薄膜并未完全去除，被分割成若干个区域，每段区域中非均匀形状分布的介质薄膜的面积不完全相同，且沿着AR腔面到HR腔面纵向方向线性增加，靠近高反薄膜腔面的区域分割的长度比靠近减反薄膜腔面的区域分割的长度短，要具体根据半导体激光器的腔长、减反薄膜腔面和高反薄膜腔面反射率、工作电流及载流子的非线性分布曲线确定每段区域中介质薄膜的长度。如图11所示，通过采用优化的非等长度划分的方式，本发明可以有效提升载流子浓度和增益沿纵向分布的均匀性，通过将半导体激光器的光输出功率提升10％。
实施例2
本发明实施例提供一种半导体激光器，如图12所示，包括:衬底；半导体激光器外延结构，形成于所述衬底上；脊形结构，形成所述外延结构上；介质薄膜，形成于所述脊形结构上；纵向非均匀形状分布的介质薄膜，形成于脊形结构的脊面上方；电极，形成于所述介质薄膜上；减反膜和高反膜，形成于外延结构解理面的前后端面。
在本发明实施例中，纵向非均匀形状分布的介质薄膜的面积占比，沿减反薄膜腔面到高反薄膜腔面的方向逐渐增加，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的面积不完全相同，非均匀形状分布的介质薄膜的排布如图10所示，以按从左至右将脊形结构分成三部分区域，中间部分即为脊面，靠近HR腔面的区域，分割成长度较短的区域；靠近AR腔面的区域，分割成长度较长的区域，具体的长度应根据激光器腔长、两端腔面反射率、工作电流、载流子分布曲线而决定。图10中未被刻蚀的介质薄膜为长方形，仅以举例，不以此为限，在其他实施例中可以为椭圆形、圆形或其他多边形。
本发明实施例提供的半导体激光器，通过在脊面上方设置非均匀分布的介质薄膜的形状，控制实际电流注入的区域，实现电流沿脊形纵向的非均匀注入，从而抵消长腔长、两端腔面反射率差异引起的载流子非均匀分布，提升半导体激光器工作状态下增益沿纵向分布的均匀性，提高半导体激光器的光输出功率。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种半导体激光器的载流子注入方法，其特征在于，包括：
在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片；
在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构；
在脊形结构上制备介质薄膜；
将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜；
在介质薄膜上制备电极；
将晶圆片进行解理，并在解理面的前后两端分别制备减反薄膜及高反薄膜；
从减反薄膜腔面到高反薄膜腔面进行半导体激光器的载流子注入。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器的载流子注入方法，其特征在于，所述将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜的步骤，包括：
获取半导体激光器均匀注入电极时载流子的非线性分布曲线；
根据所述载流子的非线性分布曲线，将脊形结构的脊形结构脊面分沿纵向方向分割成多段区域，每段区域中非均匀形状分布的介质薄膜的面积占比，沿减反薄膜腔面到高反薄膜腔面的方向逐渐增加。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器的载流子注入方法，其特征在于，每段区域中非均匀形状分布的介质薄膜的面积不完全相同。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器的载流子注入方法，其特征在于，靠近高反薄膜腔面的区域分割的长度比靠近减反薄膜腔面的区域分割的长度短。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器的载流子注入方法，其特征在于，根据半导体激光器的腔长、减反薄膜腔面和高反薄膜腔面反射率、工作电流及载流子的非线性分布曲线确定每段区域中介质薄膜的长度。
6.一种半导体激光器，其特征在于，包括:
衬底；
半导体激光器外延结构，形成于所述衬底上；
脊形结构，形成所述外延结构上；
介质薄膜，形成于所述脊形结构上；
纵向非均匀形状分布的介质薄膜，形成于脊形结构的脊面上方；
电极，形成于所述介质薄膜上；
减反膜和高反膜，形成于外延结构解理面的前后端面。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的面积占比，沿减反薄膜腔面到高反薄膜腔面的方向逐渐增加。
8.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的面积不完全相同。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述纵向非均匀形状分布的介质薄膜的形状为多边形、圆形或椭圆形。
CN201910917248.7A 2019-09-26 2019-09-26 一种半导体激光器及其载流子注入方法 Pending CN110739605A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910917248.7A CN110739605A (zh) 2019-09-26 2019-09-26 一种半导体激光器及其载流子注入方法
PCT/CN2019/111045 WO2021056617A1 (zh) 2019-09-26 2019-10-14 一种半导体激光器及其载流子注入方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910917248.7A CN110739605A (zh) 2019-09-26 2019-09-26 一种半导体激光器及其载流子注入方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110739605A true CN110739605A (zh) 2020-01-31

Family

ID=69269714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910917248.7A Pending CN110739605A (zh) 2019-09-26 2019-09-26 一种半导体激光器及其载流子注入方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110739605A (zh)
WO (1) WO2021056617A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111641103A (zh) * 2020-06-09 2020-09-08 厦门市三安光电科技有限公司 一种激光二极管及其制造方法
CN111653934A (zh) * 2020-06-05 2020-09-11 北京飓芯科技有限公司 一种基于立体掩模衬底的半导体激光器制备方法
CN111682400A (zh) * 2020-06-22 2020-09-18 苏州长光华芯光电技术有限公司 接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法
CN111785813A (zh) * 2020-06-05 2020-10-16 北京飓芯科技有限公司 一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法
CN114583556A (zh) * 2022-05-05 2022-06-03 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574526A (zh) * 2003-05-22 2005-02-02 松下电器产业株式会社 半导体激光器
JP2005302843A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ
CN1960091A (zh) * 2005-11-01 2007-05-09 中国科学院半导体研究所 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
US20080175295A1 (en) * 2006-09-07 2008-07-24 Toru Takayama Semiconductor laser device
CN101938085A (zh) * 2009-06-29 2011-01-05 夏普株式会社 氮化物半导体激光器及晶片
CN103314488A (zh) * 2011-01-26 2013-09-18 松下电器产业株式会社 半导体发光元件及发光装置
CN107946901A (zh) * 2017-12-25 2018-04-20 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种半导体激光器图形化电极注入方法
CN109923743A (zh) * 2016-11-01 2019-06-21 索尼半导体解决方案公司 半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574526A (zh) * 2003-05-22 2005-02-02 松下电器产业株式会社 半导体激光器
JP2005302843A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ
CN1960091A (zh) * 2005-11-01 2007-05-09 中国科学院半导体研究所 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
US20080175295A1 (en) * 2006-09-07 2008-07-24 Toru Takayama Semiconductor laser device
CN101938085A (zh) * 2009-06-29 2011-01-05 夏普株式会社 氮化物半导体激光器及晶片
CN103314488A (zh) * 2011-01-26 2013-09-18 松下电器产业株式会社 半导体发光元件及发光装置
CN109923743A (zh) * 2016-11-01 2019-06-21 索尼半导体解决方案公司 半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法
CN107946901A (zh) * 2017-12-25 2018-04-20 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种半导体激光器图形化电极注入方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111653934A (zh) * 2020-06-05 2020-09-11 北京飓芯科技有限公司 一种基于立体掩模衬底的半导体激光器制备方法
CN111785813A (zh) * 2020-06-05 2020-10-16 北京飓芯科技有限公司 一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法
CN111653934B (zh) * 2020-06-05 2021-11-30 北京飓芯科技有限公司 一种基于立体掩模衬底的半导体激光器制备方法
CN111785813B (zh) * 2020-06-05 2022-03-11 北京飓芯科技有限公司 一种基于立体掩模衬底的MicroLED制备方法
CN111641103A (zh) * 2020-06-09 2020-09-08 厦门市三安光电科技有限公司 一种激光二极管及其制造方法
CN111641103B (zh) * 2020-06-09 2022-07-01 厦门市三安光电科技有限公司 一种激光二极管及其制造方法
CN111682400A (zh) * 2020-06-22 2020-09-18 苏州长光华芯光电技术有限公司 接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法
CN114583556A (zh) * 2022-05-05 2022-06-03 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021056617A1 (zh) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110739605A (zh) 一种半导体激光器及其载流子注入方法
US5757833A (en) Semiconductor laser having a transparent light emitting section, and a process of producing the same
US4190813A (en) Strip buried heterostructure laser
US20100046566A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US7602828B2 (en) Semiconductor laser diode with narrow lateral beam divergence
US6782024B2 (en) High power semiconductor laser diode
CN111969415B (zh) 一种宽谱多波长法布里-珀罗激光器
JPH07226566A (ja) 量子井戸半導体レーザおよびその製造方法
CN113794104B (zh) 光子晶体激光器
JP6347573B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP3987138B2 (ja) 半導体レーザ素子
US8659038B2 (en) Semiconductor light source and method of fabrication thereof
JPH10163563A (ja) 半導体レーザ
KR20060038057A (ko) 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법
US5010375A (en) Semiconductor laser device
JPH10512720A (ja) レーザ増幅器として使用可能な半導体ダイオードレーザ及びその製造方法
Ackley et al. Twin‐channel substrate‐mesa‐guide injection lasers fabricated by organometallic vapor phase epitaxy
JPH073908B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JPH07221387A (ja) 導波路型光素子
JP2565909B2 (ja) 半導体レ−ザ素子
JP2004128372A (ja) 分布帰還型半導体レーザ素子
JP3084264B2 (ja) 半導体レーザ素子
JPH04186686A (ja) 半導体レーザ
JPH04186687A (ja) 半導体レーザ
JPH114042A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200131

RJ01 Rejection of invention patent application after publication