JP5746122B2 - 窒化物半導体レーザ素子及びウェハ - Google Patents
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図1は、第1実施形態の窒化物半導体レーザ素子の断面図である。窒化物半導体レーザ素子10は、n型電極11、n型GaN基板12、n型GaNバッファ層13、n型AlGaNクラッド層14、n型GaN/InGaN光ガイド層15、ノンドープGaN/InGaN活性層16、p型AlGaN蒸発防止層17、p型GaNまたはAlGaN中間層18、p型AlGaNクラッド層19、p型GaNコンタクト層20、Pdコンタクト電極21、低誘電率絶縁膜22、Ti/Auパッド電極23が積層されて構成される。
図2は、第2実施形態の窒化物半導体レーザ素子の断面図である。窒化物半導体レーザ素子30は、n型電極31、n型GaN基板32、n型GaNバッファ層33、n型AlGaNクラッド層34、n型GaN/InGaN光ガイド層35、ノンドープGaN/InGaN活性層36、p型GaNまたはAlGaN中間層37、p型AlGaN蒸発防止層38、p型AlGaNクラッド層39、p型GaNコンタクト層40、Pdコンタクト電極41、高誘電率絶縁膜42、Ti/Auパッド電極43が積層されて構成される。
本実施形態では、n型GaN基板の上面(成長面)にストライプ状の溝が形成された加工基板を用いる。加工基板の作製方法としては、まず、n型GaN基板の上面に膜厚1μmのSiO2などをスパッタ蒸着し、一般的なフォトリソグラフィーにおいて、ストライプ状のフォトレジストパターンを、レジスト開口部の幅5μm、ストライプ中心部と隣接するストライプ中心部との間隔(周期)が400μmとなるように形成する。
図4は、第4実施形態のウェハの上面図である。ウェハ60を分割して得られる窒化物半導体レーザ素子は、n型電極、加工基板、n型GaNバッファ層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN/InGaN光ガイド層、ノンドープGaN/InGaN活性層、p型GaNまたはAlGaN中間層、p型AlGaN蒸発防止層、p型AlGaNクラッド層、p型GaNコンタクト層、Pdコンタクト電極、誘電体膜、Ti/MO/Auパッド電極が積層されて構成される。
16、36 活性層
19、39 p型AlGaNクラッド層(上部クラッド層)
22 低誘電率絶縁膜
23、43、52a〜52g、62a〜62c パッド電極
42 高誘電率絶縁膜
50、60、60’ ウェハ
63a〜63d 低反射膜
Claims (2)
- 分割前の複数の窒化物半導体レーザ素子が配置されているウェハにおいて、
各窒化物半導体レーザ素子は電気的に分離された1以上のパッド電極を有し、
リッジの位置が左右反対側に形成された構造の窒化物半導体レーザ素子同士は、電圧がかかるパッド電極の面積が同じで、前記電圧がかかるパッド電極及び電圧がかからないパッド電極を含むパッド電極全体の形状が異なることを特徴とするウェハ。 - 前記電圧がかからないパッド電極と、前記電圧がかかるパッド電極とは電気的に分離されていることを特徴とする請求項1記載のウェハ。
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