KR101280040B1 - 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치 - Google Patents

멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101280040B1
KR101280040B1 KR1020060088170A KR20060088170A KR101280040B1 KR 101280040 B1 KR101280040 B1 KR 101280040B1 KR 1020060088170 A KR1020060088170 A KR 1020060088170A KR 20060088170 A KR20060088170 A KR 20060088170A KR 101280040 B1 KR101280040 B1 KR 101280040B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light source
common electrode
unit
isolation
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020060088170A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080023969A (ko
Inventor
서운호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060088170A priority Critical patent/KR101280040B1/ko
Priority to US11/683,536 priority patent/US7804874B2/en
Priority to EP07111312A priority patent/EP1901132A1/en
Priority to CN2007101274210A priority patent/CN101143522B/zh
Publication of KR20080023969A publication Critical patent/KR20080023969A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101280040B1 publication Critical patent/KR101280040B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
    • G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
    • G03G15/04072—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G2215/00—Apparatus for electrophotographic processes
    • G03G2215/04—Arrangements for exposing and producing an image
    • G03G2215/0402—Exposure devices
    • G03G2215/0404—Laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207—Substrates having a special shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0208—Semi-insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치가 개시된다. 본 멀티 빔형 레이저 장치는 공통 전극부, 공통 전극부를 공용으로 사용하여 발광하는 복수 개의 광원부, 및, 공통 전극부 및 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부를 포함한다. 이로 인해, 각 광원부간 간격 및 전극 수를 줄일 수 있으므로 패키징시 와이어수 및 레그수를 줄여 컴팩한 칩을 구현할 수 있다.
공통 전극, 멀티 빔, 레이저, 그루브, 불순물 농도, 화상형성장치

Description

멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치 { Multibeam laser Apparatus and image forming apparatus using the same }
도 1 내지 도 3은 종래의 멀티 빔 질화물 레이저 장치의 구조를 나타내는 모식도,
도 4 및 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 설명하기 위한 모식도,
도 6 및 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 설명하기 위한 모식도, 그리고,
도 8 및 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 이용하는 화상형성장치의 구조를 나타내는 모식도이다.
* 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110,115,120,125,310,315,320,325 : 전극층
130,330,335 : 공통 전극부
260,270,280,290,460,470,480,490 : 광원부
135,140,145,150,355,360,365,370 : 리지(ridge)
155,160,170,340,345 : 노치(notch)
210,410 : 절연체 기판
220,420 : 아이솔레이션부
230,430 : 제1 반도체층
240,440 : 활성층
250,450 : 제2 반도체층
500 : 화상형성장치 510 : 레이저 스캐닝부
520 : 정착부 610 : 멀티 빔형 레이저 장치
620 : 폴리건 미러 630 : 초점수단
640 : 수광부 650 : 감광성 드럼
660 : 대전기 670 : 현상기
680 : 전사롤러 690 : 정착기
본 발명은 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 공통 전극을 사용하여, 공통 전극으로부터의 거리에 따라 아이솔레이션부의 불순물 농도 및 그루브의 깊이를 다르게 하는 멀티 빔형 레이저 장치및 이를 이용한 화상형성장치에 관한 것이다.
일반적으로 프린터에서, 해상도가 증가하면 인쇄속도가 떨어지게 되므로 단파장 광원을 이용한 고해상도 프린터를 위해서는 멀티 빔 구현이 요구된다.
단파장의 질화물 레이저 장치는 레이저 프린터 광원으로 기존의 IR, RED 다 이오드보다 더 작은 도트 크기와 더 좋은 초점심도(Depth of Focus)를 구현할 수 있다.
따라서, 멀티 빔 질화물 레이저 장치의 경우, 사파이어(Sapphire, Al2O3) 등의 절연체 기판을 이용하거나, 질화갈륨(GaN) 등의 도전성 기판을 이용하여 멀티 빔을 구현한다.
일반적으로 절연체 기판을 이용하는 경우에는 사파이어 기판 위에 N-타입 GaN층, N-타입 AlGaN 클래드층, N-타입 GaN 광도파층, 다중양자우물(MULTI QUANTUM WELL) 활성층, P-타입 InGaN 중간층, P-타입 AlGaN 캡층, P-타입 GaN 광도파층, P-타입 AlGan 클래드층, P-타입 GaN 컨택층 순으로 적층되며, P-타입 GaN 컨택층 위의 P 전극과 N-타입 GaN층에 노출된 부분의 N 전극을 연결하여 레이저 장치를 형성한다.
반면, 도전성 기판을 이용하는 경우에는 N 전극을 기판 하단에 형성하여 레이저 장치를 구성한다.
따라서, 절연체 기판을 이용하여 멀티 빔을 구현하는 경우에는 P 전극과 N 전극이 같은 기판의 상단 면에 위치하게 된다. 이러한 경우에는 안쪽에 위치한 두 개의 P 전극을 어떻게 바깥쪽 전극 패드에 연결할 것인가와 N 전극을 어떻게 연결할 것인가가 중요한 문제가 된다.
도 1 내지 도 3은 종래의 멀티 빔 질화물 레이저 장치의 구조를 나타내는 모식도이다.
도 1을 참조하면, N 전극(11,12,13,14)과 P 전극(15,16,17,18)이 각각 4개씩 형성되어 각각의 채널을 제어하는 구조로, 왼쪽부터 1,2,3,4번 순의 채널이라 한다. 1-2번(15,16)과 3-4번 채널(17,18)을 전기적으로 분리하기 위하여 1번(15) 및 4번(18) 채널의 N-타입 GaN층 위에 절연층(19,20)이 추가로 형성된다. 이때, 전류의 흐름은 화살표와 같은 형태가 된다.
도 2를 참조하면, 4개의 P 전극(24,25,26,27) 양측에 N 전극(21,22)이 형성되어 1번(24) 및 2번(25) 채널은 왼측 N 전극(21)이, 3번(26) 및 4번(27) 채널은 오른측 N 전극(22)과 제어하는 구조로, 즉, 각각의 N-전극이 두 개의 P-전극을 제어하는 구조로, 안쪽에 위치한 2번 및 3번(25,26)을 바깥쪽의 N 전극(21,22)에 연결하기 위해 2번 및 3번 채널(25,26)과 1번 및 4번 채널(24,27)이 절연층(23)을 사이에 두고 서로 교차하여 형성된다.
도 3을 참조하면, 4개의 P-전극(30,32,33,35) 중 1번 및 2번 채널(30,32) 사이에 제1 N 전극(31), 3번 및 4번 채널(33,35) 사이에 제2 N 전극(34)이 형성되어 제1 및 2의 N 전극이 두 개의 P 전극을 제어하는 구조로, 전류의 패스 길이가 도 1의 예보다 짧아진다.
이러한, 종래기술의 구조는 다음과 같은 문제점이 발생한다.
도 1의 경우, 각 채널 사이에 N-전극이 존재하지 않으므로 인접하는 레이저 다이오드의 간격을 작게 할 수 있지만, 두 개의 N-타입 GaN층을 형성하고 그 사이에 선택적으로 절연층을 형성하므로 추가 공정이 필요하며, 각 채널에 해당하는 4개의 N-전극을 형성하기 때문에 이를 제어하기 위한 와이어(WIRE) 수가 증가하는 문제점이 발생한다.
도 2의 경우, 두 채널 사이를 전기적으로 분리하는 층이 같은 높이로 되어 있어 채널 1번과 2번 및 3번과 4번 사이에서 크로스톡(CROSSTALK)이 일어날 가능성이 큰 문제점이 발생한다.
도 3의 경우, 채널 1번과 2번 및 3번과 4번의 사이에 공통으로 N 전극을 형성함으로써, 채널간 간격이 좁은 레이저 다이오드 구조를 형성하기 어려운 문제점이 발생한다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 공통 전극을 사용하여 공통 전극으로부터의 거리에 따라 아이솔레이션부의 불순물 농도 및 그루브의 깊이를 다르게 함으로써, 각 광원부간 간격 및 전극 수를 줄일 수 있으므로 패키징시 와이어수 및 레그수를 줄여 컴팩한 칩을 구현할 수 있는 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치를 제공함에 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치는 공통 전극부, 상기 공통 전극부를 공용으로 사용하여 발광하는 복수 개의 광원부, 및, 상기 공통전극부 및 상기 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부를 포함한다.
바람직하게는, 상기 아이솔레이션부는 소정 불순물로 도핑된 반도체 기판이며, 상기 공통전극부로부터의 거리에 따라 상기 불순물의 도핑 농도가 증가할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 광원부 각각을 분리시켜, 상기 복수 개의 광원부 간의 간섭을 방지하는 적어도 하나 이상의 그루브;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 적어도 하나 이상의 그루브는, 상기 복수 개의 광원부의 상측면에 대응되는 지점부터, 상기 아이솔레이션부 내부 지점까지 연결될 수 있다.
또한, 상기 적어도 하나 이상의 그루브의 깊이는, 상기 공통 전극부로부터의 거리에 따라 깊어질 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 복수 개의 광원부는 각각, 상기 아이솔레이션부 상측면에 형성된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체 층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층, 및, 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 공통전극부와 반대 극성을 가지는 전원이 연결되는 전극층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 반도체층 및 상기 아이솔레이션부는 N형 반도체로 형성되고, 상기 제2 반도체층은 P형 반도체로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 반도체층 및 상기 아이솔레이션부는 P형 반도체로 형성되고, 상기 제2 반도체층은 N형 반도체로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 적어도 하나는 질화물 반도체층일 수 있다.
또한, 상기 아이솔레이션부 하측면에 접하는 절연체 기판을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 공통전극부는, 상기 아이솔레이션부 상측면 중 일부 영역에 형성 된 제1 공통전극부, 및, 상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 상기 제1 공통전극부와 소정 거리 이격된 영역에 형성된 제2 공통전극부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 광원부는, 상기 제1 및 제2 공통전극부 사이에 위치하며, 상기 제1 공통전극부를 공용하는 적어도 하나의 제1 광원부, 및, 상기 제1 및 제2 공통전극부 사이에 위치하며 상기 제2 공통전극부를 공용하는 적어도 하나의 제2 광원부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 광원부 및 상기 제2 광원부를 분리하여 상기 제1 광원부 및 상기 제2 광원부간의 간섭을 방지하는 그루브를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 그루브는 상기 복수 개의 광원부의 상측면에 대응되는 지점부터, 상기 절연체 기판 내부 지점까지 연결될 수 있다.
또한, 상기 복수개의 광원부 및 상기 공통전극부 중 적어도 하나는 상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 직각패턴으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 광원부 각각의 활성층, 제2 반도체층, 전극층은,
동일 위치에 소정 형태의 노치가 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 공통전극부는 각각 상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 바형태로 형성되며, 상기 제1 광원부 및 상기 제2 광원부는 각각 상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 직각패턴으로 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른, 화상형성장치는 상술한 멀티 빔형 레이저 장치를 이용할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치는 공통전극부, 상기 공통전극부에 의해 구동되어 발광하는 복수 개의 광원부, 및, 상기 공통전극부 및 상기 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부를 포함하며, 상기 아이솔레이션부는, 상기 공통전극부로부터 대응되는 각 광원부까지의 거리에 따라 증가되는 농도를 가지는 불순물로 도핑될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치는 공통전극부, 상기 공통전극부에 의해 구동되어 발광하는 복수 개의 광원부, 기판, 상기 기판 표면상에 형성되고, 상기 공통전극부 및 상기 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부, 및, 상기 복수 개의 광원부 중 적어도 하나의 광원부 및 상기 아이솔레이션부에 형성되어, 상기 기판 표면상에 유전체 고반사 코팅이 적층되도록 하는 적어도 하나의 노치를 포함하며, 상기 복수 개의 광원부는, 상기 아이솔레션부 측으로 확장된 적어도 하나의 그루브에 의해 분리될 수 있다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 자세하게 설명한다.
도 4 및 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 설명하기 위한 모식도이다. 본 멀티 빔형 레이저 장치는 공통 전극부(130), 공통 전극부(130)를 공용으로 사용하여 발광하는 복수 개의 광원부(260,270,280,290), 및 복수 개의 광원부(260,270,280,290) 간의 간섭을 방지하는 아이솔레이션부(220)를 포함할 수 있다.
즉, 멀티 빔형 레이저 장치는 복수 개의 광원부(260,270,280,290)가 공통 전극부(130)를 공용으로 사용하여 복수 개의 광원부(260,270,280,290) 중 적어도 어느 하나의 광원부에 전압이 인가되면 빛을 발산하게 된다.
도 4는 멀티 빔형 레이저 장치의 평면도, 도 5는 도 4의 멀티 빔형 레이저 장치의 A-A선에 따른 단면도이다. 본 멀티 빔형 레이저 장치는 리지(ridge) 구조 및 SCH(Separate Confinement Heterostructure) 구조를 가진 굴절율 도파형 반도체 레이저일 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 멀티 빔형 레이저 장치에 있어서는, 절연체 기판(210)상에, ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 등의 횡방향 결정 성장 기술을 이용하여 성장된 아이솔레이션부(220)가 적층되고 있다.
여기서, 아이솔레이션부(220)는 소정의 불순물로 도핑된 반도체 기판일 수 있다. 즉, N 형의 불순물을 예를 들면 실리콘(Si)을 도핑한 N 형 질화물 반도체층일 수 있다. 본 명세서에 있어서의 질화물 반도체란 GaN, AlN, InN, 이러한 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체를 가리킨다.
이때, 불순물 도핑 방법은 횡방향으로 그라디드 도핑(graded doping)함으로써, 공통 전극부(130)로부터의 거리에 따라 불순물의 농도를 증가할 수 있다. 즉, 공통 전극부(130)로부터 멀어질수록 불순물의 농도를 증가할 수 있다. 이로써, 복수 개의 광원부(260,270,280,290)로 흐르는 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있다.
아이솔레이션부(220)에 적층된 복수 개의 광원부(260,270,280,290)는 서로 인접하는 4 개의 메사(mesa) 형상을 이루듯이 형성되며, 각각의 광원부(260,270,280,290)는 적어도 하나 이상의 그루브(groove)에 의해 서로 분리될 수 있다.
여기서, 그루브는 복수 개의 광원부(260,270,280,290)의 상측면에 대응되는 지점부터 아이솔레이션부(220) 내부 지점까지 연결되어 각각의 광원부(260,270,280,290)를 서로 분리할 수 있다.
이러한, 적어도 하나 이상의 그루브의 깊이는 공통 전극부(130)로부터의 거리에 따라 깊어질 수 있다. 즉, 공통 전극부(130)로부터 멀어질수록 깊어질 수 있다.
이로써, 각각의 광원부(260,270,280,290)간에 발생할 수 있는 크로스톡(crosstalk)을 방지할 수 있다. 여기서, 크로스톡을 예를 들면, 광원부(290)에서 발생한 빛이 인접한 광원부(280)에서 검출될 수 있다. 이러한 빛의 간섭을 크로스톡이라 한다.
복수 개의 광원부(260,270,280,290)는 각각, 아이솔레이션부(220)에 형성된 제1 반도체층(230), 활성층(240), 제2 반도체층(250), 공통 전극부와 반대 극성을 가지며 전원이 연결되는 전극층(110,115,120,125)을 포함한다.
여기서, 제1 반도체층(230) 및 아이솔레이션부(220)는 N형 반도체로 형성되고, 제2 반도체층(250)은 P형 반도체로 형성될 수 있다. 이때, 제1 반도체층(230)과 아이솔레이션부(220)는 P형 반도체로, 제2 반도체층(250)은 N형 반도체로 형성될 수도 있다.
복수 개의 광원부(260,270,280,290)을 구체적으로 설명하면, 제1 반도체층(230)인 N형 질화물 반도체층은 N형 AlGaN 클래드층, N형 GaN 광도파층과, (In,Ga)N:GaN 다중양자우물 구조의 활성층(240), 제2 반도체층(250)인 P형 질화물 반도체층은 P형 InGaN 중간층, P형 AlGaN 캡층, P형 GaN 광도파층, P형 AlGaN 클래드층 및 P형 GaN 컨택층, P 전극층(110,115,120,125)이 순차적으로 적층될 수 있다.
여기서, 제2 반도체층(250)은 활성층(240)으로부터 In이 이탈해 열화되는 것을 방지함과 동시에 활성층(240)으로부터 전자의 오버플로우(Overflow)를 방지하기 위한 것이다.
복수 개의 광원부(260,270,280,290) 및 공통 전극부(130) 중 적어도 하나는 아이솔레이션부(220) 상측면 상에서 직각패턴으로 형성될 수 있다.
한편, 아이솔레이션부(220)의 일 측면에 적층된 공통 전극부(130)는 메탈(metal)형태일 수 있다. 이에 따라, 복수 개의 광원부(260,270,280,290)는 공통 전극(130)과 연결되어 전원이 인가되면 빛을 발산할 수 있다. 이로써, 멀티 빔형 레이저 장치의 전극 수를 줄일 수 있으며, 패키징 시 와이어(wire) 수 및 레그(leg) 수를 줄일 수 있다.
복수 개의 광원부(260,270,280,290)에는 리지(ridge: 135,140,145,150)가 각각 형성될 수 있다. 즉, 활성층(240)에서 발하는 빛을 발산하는 리지(ridge: 135,140,145,150)는 횡방향 성장시에 이용한 종결정으로부터 상층에 전파한 전위 사이의 저결함 영역에 위치할 수 있다.
복수 개의 광원부(260,270,280,290) 각각의 활성층(240), 제2 반도체층(250), 전극층(110,115,120,125)의 동일한 위치에 소정 형태로 형성된 노치(notch: 155,160,170)는 유전체 고반사 코팅의 증착을 위한 공간을 제공한다. 즉, 기판의 표면에 유전체를 코팅할 때, 빛의 간접흡수를 이용해 특정의 파장영역의 빛을 투과 흡수 반사시킬 수 있도록 하기 위한 것이다.
삭제
다음에, 본 일 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 우선, 서멀 클리닝(Thermal cleaning)등에 의해 표면을 평탄화한 절연체 기판(210)상에 MOCVD법에 의해 아이솔레이션부(220)를 성장시킨다.
여기서, 아이솔레이션부(220)는 횡방향 결정 성장 기술을 이용한 질화물 반도체층을 말한다. 이때, 질화물 반도체층에 N형 불순물 도핑 방법은 횡방향으로 그래이디드 도핑(graded doping)한다.
계속해서, N-타입 질화물 반도체층(230) 상에 MOCVD법에 의해 형성된 복수 개의 광원부(260,270,280,290), 구체적으로는, N형 질화물 반도체층(230), 다중양 자우물(MQW)구조의 활성층(240), P형 질화물 반도체층(250)을 순차적으로 성장시킨다.
이러한, 질화물계 반도체층의 성장 원료는 예를 들면 갈륨(Ga)의 원료서는 새메틸갈륨(TMG), 알루미늄(Al)의 원료로서는 새메틸알루미늄(TMA), 인듐(In)의 원료로서는 트리메치르인듐(TMI)을, 질소(N)의 원료로서는 암모니아(NH3)를 이용한다. 불순물에 대해서는, N형 불순물로서는 실리콘(Si)을, P형 불순물로서는 마그네슘(Mg)을 이용한다.
다음으로, P형 질화물 반도체층(250)의 깊이까지 반응성 이온 에칭(Reactive ion etching:RIE)법에 의해 선택적으로 에칭하여 리지(135,140,145,150)를 형성한다.
이 후, P 전극층을 마스크로 하여, 아이솔레이션부(220)의 일 부분까지 반응성 이온 에칭(RIE)법에 의해 에칭한다. 이로써, 각각의 광원부(260,270,280,290)가 서로 인접하는 4 개의 메사 형상으로 형성됨과 동시에 각각의 광원부(260,270,280,290)를 분리하는 그루부가 형성된다. 이때, 공통 전극부(130)로부터 멀어질수록 그루브의 깊이가 깊어지게 할 수 있다.
한편, 반응성 이온 에칭법에 의해 에칭된 아이솔레이션부(220)의 일 측에 공통 전극부(130)를 형성한다. 여기서, 공통 전극부(130)는 N 전극으로, 복수 개의 광원부(260,270,280,290)들의 공통 전극으로 사용될 수 있다.
이에 따라, 공통 전극부(130)을 사용하여 전극 수를 줄일 수 있으며, 아이솔레이션부(220)의 불순물 농도 및 그루브의 깊이를 다르게 하여 각각의 광원 부(260,270,280,290)간의 크로스톡을 방지할 수 있다.
도 6 및 7은 본 발명의 다른 실시 에에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6는 멀티 빔형 레이저 장치의 평면도, 도 7는 도 6의 멀티 빔형 레이저 장치의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 본 멀티 빔형 레이저 장치는, 아이솔레이션부(420) 상측면 중 일부 영역에 형성된 제1 공통 전극부(330), 아이솔레이션부 상측면 상에서 제1 공통 전극부(330)와 소정 거리 이격된 영역에 형성된 제2 공통 전극부(335), 제1 및 2 공통 전극부 사이에 위치한 제1 광원부(460,470), 및 제2 광원부(480,490)를 포함할 수 있다. 그 외에는 도 3 및 도 4의 실시 예와 같으므로 설명을 생략한다.
즉, 다른 실시 예에 의하면, 제1 광원부(460,470)와 제2 광원부(480,490)를 분리하는 그루브의 깊이가 복수 개의 광원부(460,470,480,490)의 상측면에 대응되는 지점부터 절연체 기판(410) 내부 지점까지 연결됨으로써, 제1 광원부(460,470)와 제2 광원부(480,490)간의 간섭을 줄일 수 있다.
또한, 제1 광원부(460,470)은 아이솔레이션부(420)의 일부 영역에 형성된 제1 전극부(330)과 연결되어 구동되며, 아이솔레이션부(420)의 불순물 농도가 제1 전극부(330)로부터 멀어질수록 증가할 수 있다. 이로써, 전류의 흐름을 원할하게 할 수 있다.
마찬가지로, 제2 광원부(480,490)는 아이솔레이션부(420)에 형성된 제2 전극 부(335)와 연결되어 구동되며, 아이솔레이션부(420)의 불순물 농도가 제2 전극부(335)로부터 멀어질수록 증가하여, 전류의 흐름을 원할하게 할 수 있다.
제1 및 2 광원부(460,470,480,490)에는 리지(ridge: 355,360,365,370)가 각각 형성되고 있다. 즉, 활성층(440)에서 발하는 빛을 발산하는 리지(ridge: 355,360,365,370)는 횡방향 성장시에 이용한 종결정으로부터 상층에 전파한 전위 사이의 저결함 영역에 위치할 수 있다.
또한, 노치(340,345)는 유전체 고반사 코팅의 증착을 위한 공간을 제공한다. 즉, 기판의 표면에 유전체를 코팅할 때, 빛의 간접흡수를 이용해 특정의 파장역의 빛을 투과 흡수 반사시킬 수 있도록 하기 위한 것이다.
도 8 및 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 이용하는 화상형성장치의 구조를 나타내는 모식도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 멀티 빔형 레이저 장치를 이용하는 화상형성장치는 레이저 스캐닝부(Laser Scanning Unit : LSU)(510) 및 프린팅부(520)를 포함한다.
레이저 스캐닝부(510)는 감광성 드럼에 복수 개의 광을 주사하여 감광성 드럼의 표면에 인쇄하고자 하는 이미지에 대응되는 정전잠상(electrostatic latent image)을 형성할 수 있다.
또한, 레이저 스캐닝부(510)는 복수 개의 광원이 적어도 하나 이상의 그루브에 의해 분리되고, 아이솔레이션부의 불순물의 농도가 공통 전극으로부터 멀어질수록 증가됨과 동시에 그루브의 깊이가 공통 전극으로부터의 거리에 따라 깊어지도록 형성된 멀티 빔형 레이저 장치를 포함할 수 있다. 이러한 멀티 빔형 레이저 장치는 도 4 내지 도 7에 자세하게 나타나 있으므로 이에 대한 설명을 생략한다.
프린팅부(520)는 레이저 스캐닝부(510)로부터 형성된 정전잠상을 대전 -> 노광 -> 현상 -> 전사 -> 정착 -> 배지로 이루어지는 일련의 프로세스를 통해 인쇄용지상에 소정의 화상을 형성할 수 있다.
도 9 및 도 8을 참조하면, 도 8의 화상형성장치의 구조를 상세하게 나타낸다. 본 화상형성장치는, 레이저 스캐닝부(510) 및 프린팅부(520)를 포함한다. 본 발명에 따른 레이저 스캐닝부(510)는 멀티 빔형 레이저 장치(610), 폴리건 미러(620), 초점 수단(630), 및 수광부(640)를 포함하며, 프린팅부(520)는 감광성 드럼(650), 대전기(660), 현상기(670), 전사롤러(680), 및 정착기(690)를 포함할 수 있다.
레이저 스캐닝부(510)의 멀티 빔형 레이저 장치(610)로부터 출사된 광들은 렌즈유니트(미도시)를 거치면서 주주사방향(main scanning direction)과 부주사방향(sub-scanning direction)으로 평행한 평행광 또는 수렴광이 된다.
렌즈유니트(미도시)를 거친 광들은 폴리건 미러(620)로 입사된 다음 고속으로 회전되는 폴리건 미러(620)에 일정의 화각을 갖는 상태로 반사되어 초점수단(630)쪽으로 출사된다.
초점수단(630)은 주사계 렌즈로써 토릭 렌즈와 포커싱 렌즈로 구성될 수 있으며 입사되는 광들을 검출시켜 프린팅부(520)의 감광성 드럼(650)으로 출사시킨다. 감광성 드럼(650)에는 주사되는 광들에 의해 정전잠상을 형성하는 구간, 즉 유효주사폭(미도시)이 있으며 유효주사폭(미도시)을 일정하게 동기시키기 위한 수평동기신호(H_sync)를 검출하는 수광부(640)가 구비된다.
여기서, 수평동기신호(H_sync)는 감광성 드럼(650)에 정전잠상을 형성시키는 레이저 스캐닝부(510)로부터 생성되는 신호이다.
프린팅부(520)는 감광성 드럼(650)을 일정한 전하로 대전시키는 대전기(660)와, 상술한 레이저 스캐닝부(510)에 의하여 감광성 드럼(650)에 형성된 정전잠상을 현상제로 현상하는 현상기(670)와, 감광성 드럼(650)와 상호 맞물려 회전되면서 현상된 이미지를 인입되는 인쇄용지에 전사시키는 전사롤러(680), 및 기록용지에 전사된 이미지를 열과 압력을 가해 융착시키는 정착기(690)가 구비되어, 고속으로 인쇄용지에 화상이 형성된다.
이에 따른 화상형성장치는 멀티 빔형 레이저 장치를 이용함으로써, 인쇄 속도 및 해상도의 향상을 도모할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 공통 전극부를 사용함으로써, 각각의 광원부간의 간격 및 전극 수를 줄일 수 있으므로 패키징시 와이어수 및 레그수를 줄여 컴팩한 칩을 구현할 수 있다.
또한, 공통 전극부로부터 멀어질수록 아이솔레이션부의 불순물 농도 및 그루브의 깊이를 다르게 함으로써, 광원부 간의 크로스톡을 방지할 수 있다.
또한, 화상형성장치는 멀티 빔형 레이저 장치를 이용함으로써, 인쇄 속도 및 해상도를 향상시킬 수 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안될 것이다.

Claims (23)

  1. 공통 전극부;
    상기 공통 전극부를 공용으로 사용하여 발광하는 복수 개의 광원부; 및,
    상기 공통전극부 및 상기 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부;를 포함하고,
    상기 아이솔레이션부는,
    소정 불순물로 도핑된 반도체 기판이며,
    상기 공통전극부로부터의 거리에 따라 상기 불순물의 도핑 농도가 증가하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부 각각을 분리시켜, 상기 복수 개의 광원부 간의 간섭을 방지하는 적어도 하나 이상의 그루브;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 그루브는,
    상기 복수 개의 광원부의 상측면에 대응되는 지점부터, 상기 아이솔레이션부 내부 지점까지 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 그루브의 깊이는, 상기 공통 전극부로부터의 거리에 따라 깊어지는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부 각각을 분리시켜, 상기 복수 개의 광원부 간의 간섭을 방지하는 적어도 하나 이상의 그루브;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 그루브는,
    상기 복수 개의 광원부의 상측면에 대응되는 지점부터, 상기 아이솔레이션부 내부 지점까지 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나 이상의 그루브의 깊이는, 상기 공통 전극부로부터의 거리에 따라 깊어지는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부는 각각,
    상기 아이솔레이션부 상측면에 형성된 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체 층 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 제2 반도체층; 및,
    상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 공통전극부와 반대 극성을 가지는 전원이 연결되는 전극층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 반도체층 및 상기 아이솔레이션부는 N형 반도체로 형성되고, 상기 제2 반도체층은 P형 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 반도체층 및 상기 아이솔레이션부는 P형 반도체로 형성되고, 상기 제2 반도체층은 N형 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 적어도 하나는 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 아이솔레이션부 하측면에 접하는 절연체 기판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 공통전극부는,
    상기 아이솔레이션부 상측면 중 일부 영역에 형성된 제1 공통전극부; 및,
    상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 상기 제1 공통전극부와 소정 거리 이격된 영역에 형성된 제2 공통전극부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부는,
    상기 제1 및 제2 공통전극부 사이에 위치하며, 상기 제1 공통전극부를 공용하는 적어도 하나의 제1 광원부; 및,
    상기 제1 및 제2 공통전극부 사이에 위치하며 상기 제2 공통전극부를 공용하 는 적어도 하나의 제2 광원부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 광원부 및 상기 제2 광원부를 분리하여 상기 제1 광원부 및 상기 제2 광원부간의 간섭을 방지하는 그루브;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 복수 개의 광원부의 상측면에 대응되는 지점부터, 상기 절연체 기판 내부 지점까지 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  18. 제9항에 있어서,
    상기 복수개의 광원부 및 상기 공통전극부 중 적어도 하나는
    상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 직각패턴으로 형성된 것임을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 복수 개의 광원부 각각의 활성층, 제2 반도체층, 전극층은,
    동일 위치에 소정 형태의 노치가 형성된 것임을 특징으로 하는 멀티 빔형 레 이저 장치.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 공통전극부는 각각 상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 바형태로 형성되며,
    상기 제1 광원부 및 상기 제2 광원부는 각각 상기 아이솔레이션부 상측면 상에서 직각패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  21. 제1항 및 제3항 내지 제20항 중 어느 한 항에 의한 멀티 빔형 레이저 장치를 이용하는 화상형성장치.
  22. 공통전극부;
    상기 공통전극부에 의해 구동되어 발광하는 복수 개의 광원부; 및,
    상기 공통전극부 및 상기 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부;를 포함하며,
    상기 아이솔레이션부는, 소정 불순물로 도핑된 반도체 기판이며, 상기 공통전극부로부터의 거리에 따라 상기 불순물의 도핑 농도가 증가하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
  23. 공통전극부;
    상기 공통전극부에 의해 구동되어 발광하는 복수 개의 광원부;
    기판;
    상기 기판 표면상에 형성되고, 상기 공통전극부 및 상기 복수 개의 광원부를 연결하는 아이솔레이션부; 및,
    상기 복수 개의 광원부 중 적어도 하나의 광원부 및 상기 아이솔레이션부에 형성되어, 상기 기판 표면상에 유전체 고반사 코팅이 적층되도록 하는 적어도 하나의 노치;를 포함하며,
    상기 복수 개의 광원부는, 상기 아이솔레션부 측으로 확장된 적어도 하나의 그루브에 의해 분리되고,
    상기 아이솔레이션부는,
    소정 불순물로 도핑된 반도체 기판이며,
    상기 공통전극부로부터의 거리에 따라 상기 불순물의 도핑 농도가 증가하는 것을 특징으로 하는 멀티 빔형 레이저 장치.
KR1020060088170A 2006-09-12 2006-09-12 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치 KR101280040B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060088170A KR101280040B1 (ko) 2006-09-12 2006-09-12 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치
US11/683,536 US7804874B2 (en) 2006-09-12 2007-03-08 Multibeam laser apparatus and image forming device using the same
EP07111312A EP1901132A1 (en) 2006-09-12 2007-06-28 Multibeam laser apparatus and image forming device using the same
CN2007101274210A CN101143522B (zh) 2006-09-12 2007-07-05 多束激光设备和使用其的图像形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060088170A KR101280040B1 (ko) 2006-09-12 2006-09-12 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080023969A KR20080023969A (ko) 2008-03-17
KR101280040B1 true KR101280040B1 (ko) 2013-07-01

Family

ID=38871617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060088170A KR101280040B1 (ko) 2006-09-12 2006-09-12 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7804874B2 (ko)
EP (1) EP1901132A1 (ko)
KR (1) KR101280040B1 (ko)
CN (1) CN101143522B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009610A (ja) 2009-06-29 2011-01-13 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子及びウェハ
JP5746601B2 (ja) * 2011-11-24 2015-07-08 株式会社東芝 半導体発光素子
DE102016103358A1 (de) * 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbarren mit gräben
KR101873259B1 (ko) * 2017-02-02 2018-07-02 순천대학교 산학협력단 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법 및 조명 장치
CN107623248A (zh) * 2017-07-25 2018-01-23 昂纳信息技术（深圳）有限公司 一种阵列式激光器的封装方法和阵列式激光器
DE102018106685A1 (de) 2018-03-21 2019-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und projektor
CN111211483B (zh) * 2020-03-04 2021-12-21 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用
CN111211484B (zh) * 2020-03-04 2021-06-11 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用
DE102020106638A1 (de) 2020-03-11 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und optoelektronische anordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073806A (en) * 1989-10-17 1991-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element with grooves
US5465263A (en) * 1992-12-12 1995-11-07 Xerox Corporation Monolithic, multiple wavelength, dual polarization laser diode arrays
US20040105471A1 (en) * 1998-12-30 2004-06-03 Michael A. Kneissl Structure for nitride based laser diode with growth substrate removed

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4901330A (en) * 1988-07-20 1990-02-13 Amoco Corporation Optically pumped laser
DE69019498T2 (de) 1989-12-27 1996-02-29 Nec Corp Optische Halbleitervorrichtung.
US5881085A (en) * 1996-07-25 1999-03-09 Picolight, Incorporated Lens comprising at least one oxidized layer and method for forming same
US7072372B2 (en) * 2002-02-14 2006-07-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier
JP4393306B2 (ja) * 2003-10-30 2010-01-06 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法並びに半導体装置
JP4617907B2 (ja) * 2005-02-03 2011-01-26 ソニー株式会社 光集積型半導体発光素子
JP5095946B2 (ja) * 2005-02-18 2012-12-12 ハイデルベルガー ドルツクマシーネン アクチエンゲゼルシヤフト 少なくとも１つのレーザダイオードバーを備える版の画像付け装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073806A (en) * 1989-10-17 1991-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element with grooves
US5465263A (en) * 1992-12-12 1995-11-07 Xerox Corporation Monolithic, multiple wavelength, dual polarization laser diode arrays
US20040105471A1 (en) * 1998-12-30 2004-06-03 Michael A. Kneissl Structure for nitride based laser diode with growth substrate removed

Also Published As

Publication number Publication date
EP1901132A1 (en) 2008-03-19
CN101143522B (zh) 2011-03-30
CN101143522A (zh) 2008-03-19
US20080063021A1 (en) 2008-03-13
KR20080023969A (ko) 2008-03-17
US7804874B2 (en) 2010-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101280040B1 (ko) 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치
US10020639B2 (en) Laser diode assembly
US7680168B2 (en) Surface emitting laser array, production process thereof, and image forming apparatus having surface emitting laser array
CN102934300B (zh) 激光光源
US20100080000A1 (en) Laser diode device and display apparatus
US11245249B2 (en) Reflector, surface emitting laser, method for manufacturing reflector, and method for manufacturing surface emitting laser
JP2007180460A (ja) 発光サイリスタ、発光サイリスタを用いた発光装置および画像形成装置
KR100738110B1 (ko) 반도체 레이저 다이오드 어레이
JP2014165328A (ja) 半導体発光素子及び表示装置
US8525862B2 (en) Light emitting diode array integrated with lens, line printer head, and method of manufacturing the light emitting diode array
US20220139997A1 (en) Light emitting element and manufacturing method of light emitting element
KR102016515B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20220117302A (ko) 발광 다이오드 전구체
JPH07193277A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
US11549653B2 (en) Lighting device
US20240097401A1 (en) Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser
KR100699057B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US20220037848A1 (en) Optoelectronic semiconductor component having a refractive index modulation layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component
US6091439A (en) Laser printer and light source suitable for the same
KR102427280B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 어레이 모듈
JP3364517B2 (ja) 半導体発光装置
JPH11238915A (ja) 発光ダイオードアレイ
KR101762176B1 (ko) 나노로드 발광소자
JPH0590637A (ja) 光プリンター光源
KR20130064429A (ko) 광원 모듈 및 이를 포함한 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee