CN101143522A - 多束激光设备和使用其的图像形成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多束激光设备和使用其的图像形成装置。该多束激光设备包括公共电极单元；使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元。例如采用这种配置，该激光设备可以减少各个光源单元之间的距离以及电极的数目，并因此减少布线和引脚的数目以产生紧凑芯片。

Description

多束激光设备和使用其的图像形成装置
技术领域
本发明一般而言涉及一种多束激光设备和使用其的图像形成装置。更具体而言，本发明涉及一种多束激光设备，其中使用公共电极，且依据与该公共电极的距离而形成隔离单元的掺杂剂浓度和沟槽的变化深度；以及使用该多束激光设备的图像形成装置。
背景技术
一般而言，在打印机中，当分辨率增大时打印速度减小。因此，为了改善打印速度，需要一种使用短波长光源产生多束激光的高分辨率打印机。
短波长氮化物激光设备作为激光打印机的光源，与常规红外(IR)或红光二极管激光设备相比，可以产生更小的斑点尺寸和更好的景深。
多束氮化物激光设备可以通过使用蓝宝石(Al2O3)等的绝缘体基板或者GaN等的导电基板而产生多束激光。
一般而言，对于使用绝缘体基板的情形，激光设备配置成使得N型GaN层、N型AlGaN覆层、N型GaN光学波导层、多量子阱(MQW)有源层、P型InGaN中间层、P型AlGaN盖层、P型GaN光学波导层、P型AlGaN覆层和P型GaN接触层依次层叠，且P型GaN接触层上的P电极与N型GaN层的暴露部分的N电极连接。
相反，对于使用导电基板的情形，激光设备配置成使得N电极形成于基板的下端上。
因此，如果使用绝缘体基板产生多束，则P电极和N电极位于同一基板的上端表面上。这种情况下，重要的是将内部两个P电极恰当地连接到外部电极焊盘并恰当地连接N电极。
图1至3为分别示出了常规多束氮化物激光设备的构造的视图。
参考图1，常规多束氮化物激光设备配置成特定结构，使得四个N电极11、12、13和14和四个P电极15、16、17和18形成以分别控制四个沟道。该四个沟道从左起编号为No.1、2、3和4。为了分别相互电学隔离沟道No.1-2(沟道No.1：图1中从13到15的箭头；沟道No.2：图1中从11到16的箭头)和沟道No.3-4(沟道No.3：图1中从12到17的箭头；沟道No.2：图4中从14到18的箭头)，如图所示，绝缘层19和20另外形成于沟道No.1和沟道No.4内的N型GaN层上。因此，电流沿图1所示箭头表示的路径流动。
参考图2，另一种常规多束氮化物激光设备配置成一结构，使得两个N电极21和22形成于四个P电极24、25、26和27的两侧，从而允许左N电极21控制沟道No.1-2(沟道No.1：从21底部朝向24；沟道No.2：从21底部朝向25)，并允许右N电极22控制沟道No.3-4(沟道No.3：从22底部朝向26；沟道No.4：从22底部朝向27)。也就是说，每个N电极控制两个P电极。为了将内部沟道No.2和3连接到外部N电极21和22，沟道No.2和3与沟道No.1和4形成有夹置于其间的绝缘层23，如图2所示。
参考图3，另一种常规多束氮化物激光设备配置成一结构，使得第一N电极31形成于沟道No.1-2(沟道No.1：从31朝向30；沟道No.2：从31朝向32)的P电极30和32之间，第二N电极34形成于沟道No.3-4(沟道No.3：从34朝向33；沟道No.4：从34朝向35)的P电极33和35之间，从而允许各个第一和第二N电极控制这两个P电极。这种情况下，电流路径长度短于图1的多束氮化物激光设备。
上述常规多束激光设备具有下述一些缺点。
对于图1的多束氮化物激光设备的情形，由于各个沟道之间没有N电极，因此可以减小相邻激光二极管之间的距离。然而，该多束氮化物激光设备需要附加工艺，即形成两个N型GaN层并选择性地在其间形成绝缘层(19和20)。此外，由于形成与各个沟道相对应的四个N电极，则用于控制电极的布线的数目增大。
对于图2的多束氮化物激光设备的情形，将沟道No.1与沟道No.2电学隔离或者将沟道No.3与沟道No.4电学隔离的绝缘层23形成为在各个沟道具有相同的高度。因此，沟道No.1和2之间以及沟道No.3和4之间分别会出现串扰。
对于图3的多束氮化物激光设备的情形，N电极分别形成为在沟道No.1和2之间以及沟道No.3和4之间公用。因此，沟道之间的距离变窄。结果引起的问题为难以形成具有这种沟道的激光二极管结构。
发明内容
本发明提供了一种多束激光设备，其中使用公共电极，且依据与该公共电极的距离而形成隔离单元的掺杂剂浓度和沟槽(G)的变化深度，由此减少了各个光源单元之间的距离以及电极的数目，并因此减少了布线和引脚的数目以产生更紧凑的芯片；以及使用该多束激光设备的图像形成装置。
本发明的附加方面和优点将在下述说明书中陈述，且部分地将通过该说明书变得显而易见，或者可以通过实践本发明而学习到。
本发明的前述与/或其他方面和效用可以通过提供一种多束激光设备而实现，其中该多束激光设备包括公共电极单元、使用该公共电极单元而发光的多个光源单元、以及将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元。
该隔离单元可包括半导体基板，该半导体基板中掺杂有预定掺杂剂，且该掺杂剂的掺杂浓度依据与该公共电极单元的距离而增大。
此外，该设备还包括至少一个沟槽以将该多个光源单元相互隔离，从而防止该多个光源单元之间的干扰。
该至少一个沟槽可以从该多个光源单元的上侧表面之间的至少一个位置连接到该隔离单元内的位置。
该至少一个沟槽的深度可以依据与该公共电极单元的距离而增大。
该多个光源单元的每个可包括形成于该隔离单元的上侧表面上的第一半导体层、形成于该第一半导体层上的有源层、形成于该有源层上的第二半导体层、以及形成于该第二半导体层上并将连接到电源而具有与该公共电极单元极性相反的极性的至少一个电极层。
该第一半导体层和该隔离单元可以由N型半导体形成，该第二半导体层可以由P型半导体形成。
备选地，该第一半导体层和该隔离单元可以由P型半导体形成，该第二半导体层可以由N型半导体层形成。
该第一和第二半导体层的至少一个可以为氮化物半导体层。
此外，该设备还包括与该隔离单元的下侧表面接触的绝缘体基板。
根据本发明另一个示范性实施例，该公共电极单元可包括形成于该隔离单元上侧表面一区域上的第一公共电极，以及形成于该隔离单元上侧表面内与该第一公共电极隔开的区域内的第二公共电极。
此外，该多个光源可包括位于该第一和第二公共电极之间使用该第一公共电极的第一光源单元，以及位于该第一和第二公共电极之间使用该第二公共电极的第二光源单元。
此外，该设备还可包括将该第一和第二光源单元相互隔离从而防止该第一和第二光源单元之间的干扰的沟槽。
该沟槽可以从该光源单元的上侧表面之间的位置连接到该隔离单元内的位置。
根据本发明另一个示范性实施例，该公共电极单元和该多个光源单元中的至少一个在该隔离单元的上侧表面上形成直角图案。
此外，各个该多个光源单元的有源层、第二半导体层和电极层可以具有在相同位置形成为预定形状的至少一个槽口。
备选地，该第一和第二公共电极的每个可以在该隔离单元的上侧表面上形成条形，且该第一和第二光源单元的每个在该隔离单元的上侧表面上形成直角图案。
根据本发明其他示范性实施例，提供了一种使用此处所述的该多束激光设备的图像形成装置。
本发明的前述与/或其他方面可以通过提供一种多束激光设备实现，该多束激光设备包括公共电极单元、由该公共电极驱动而发光的多个光源单元、将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元，其中该隔离单元掺杂有掺杂剂，该掺杂剂沿远离该公共电极的方向沿横向距离浓度增大以对应于各个光源单元。
本发明的前述与/或其他方面可以通过提供一种多束激光设备实现，该多束激光设备包括公共电极单元、由该公共电极驱动而发光的多个光源单元、具有表面的基板、位于该基板的该表面上的隔离单元，该隔离单元互连该公共电极单元和该多个光源单元，其中该多个光源单元被延伸到该隔离单元内的一个或多个沟槽隔离，且其中一个或多个槽口形成于至少一个该光源单元内以及该隔离单元内，从而允许在该基板的表面上沉积高反射介电涂层。
附图说明
通过结合附图对实施例进行的下述描述，本发明的这些与/或其他方面和效用将变得显而易见且更容易理解，附图中：
图1至3为分别示范性示出常规多束氮化物激光设备的构造的图示；
图4和5为示范性示出根据本发明一个示范性实施例的多束激光设备的图示；
图6和7为示范性示出根据本发明另一个示范性实施例的多束激光设备的图示；以及
图8和9为示范性示出使用根据本发明示范性实施例的多束激光设备的图像形成装置的图示。
相同的附图参考数字在所有附图中始终表示相同的元件、特征、和结构。
具体实施方式
现在详细地参考本发明的实施例，其中附图中示出了其示例，且参考数字始终表示相同的元件。在下文中描述这些实施例，从而通过参照附图解释本发明。
图4和5为示范性示出根据本发明一个示范性实施例的多束激光设备的图示。根据本发明示范性实施例的多束激光设备包括公共电极单元130、使用该公共电极单元130发光的多个光源单元260，270，280和290、以及防止该多个光源单元260，270，280和290之间的干扰的隔离单元220。
也就是说，根据本发明示范性实施例的该多束激光设备可配置成使得多个光源单元260，270，280和290可以使用公共电极单元130，且当电源通过公共电极单元130施加于各个光源单元时可以发光。
图4为根据本发明示范性实施例的多束激光设备的俯视平面图，图5为沿图4的线A-A截取的该多束激光设备的剖面视图。根据本发明示范性实施例的多束激光设备可以是折射率波导半导体激光器，具有脊结构和分离限制异质结(SCH)结构。
参考图4和5，该多束激光设备具有隔离单元220，该隔离单元例如可以通过诸如横向外延过生长(ELO)的横向晶体生长技术生长或层叠在绝缘体基板210上。可以使用其他合适的成层方法。
隔离单元220可以是其中掺杂了预定掺杂剂的半导体基板。也就是说，隔离单元220可以是其中例如硅(Si)的N型掺杂剂被掺杂作为该预定掺杂剂的N型氮化物半导体层。在本发明的说明书中，N型氮化物半导体是指III-V族氮化物半导体，例如GaN、AlN、InN等。
该掺杂方法可以是渐变横向掺杂方法。因此该掺杂剂可以掺杂为使得，随着与公共电极单元130的距离增大，掺杂剂浓度也增大。因此，电流可以平滑地流到多个光源单元260，270，280和290。例如，如图5所示，掺杂剂浓度D1低于D2、D3和D4。依据与公共电极单元130的距离，从D1到D2到D3到D4，D1、D2、D3和D4掺杂剂浓度逐渐增大。同样，例如如图7所示，依据与公共电极单元330的距离，掺杂剂浓度D6高于D5，以及依据与公共电极单元335的距离，掺杂剂浓度D8高于D7。
层叠在隔离单元220上的多个光源单元260，270，280和290可以形成为使得4个平台相互毗邻布置的形状，例如如图5所示。光源单元260,270，280和290可以通过至少一个沟槽，例如3个沟槽(G)相互分离。
这里，沟槽G(G1、G2和G3)可以形成为分别从光源单元260，270，280和290的上侧表面之间的位置延伸到隔离单元220的内部的位置，从而将光源单元260，270，280和290分别相互分离，例如如图5所示。
同样，沟槽(G)可以形成为使得其深度依据与公共电极单元130的距离而增大(或变化)。也就是说，例如，与公共电极单元130的距离越大，沟槽(G)的深度越深。因此，与公共电极单元130距离最远的沟槽(G)相对于更靠近公共电极单元130的其他沟槽具有最大深度。
采用这种配置，发生在光源单元260，270，280和290之间的串扰可以减小、最小化或消除。这里的串扰是指光干涉现象，使得例如从一个光源单元290发出的光在相邻光源单元280被检测到。对于串扰的情形，会在来自相邻光源的光之间形成不期望的干涉图案。
多个光源单元260，270，280和290的每个分别包括形成于隔离单元220上的第一半导体层230、有源层240、第二半导体层250、以及连接到电源(未示出)从而具有与公共电极单元130的极性相反的极性的电极层110,115，120和125。
这里，第一半导体层230和隔离单元220可以由N型半导体形成，第二半导体层250可以由P型半导体形成。备选地，第一半导体层230和隔离单元220可以由P型半导体形成，第二半导体层250可以由N型半导体形成。
更具体而言，多个光源单元260，270，280和290的每一个可以配置成使得，N型AlGaN覆层和N型GaN光学波导层形成N型氮化物半导体层作为该第一半导体层230；(In，Ga)N：GaN多量子阱(MQW)结构的有源层240；P型InGaN中间层、P型AlGaN盖层、P型GaN光学波导层、P型AlGaN覆层和P型GaN接触层形成P型氮化物半导体层作为第二半导体层250；且P型电极层110,115，120和125依次层叠其上，例如如图5所示。
这里，第二半导体层250不仅用于防止“In”从有源层240脱离并恶化，还防止(或者减小或最小化)电子从有源层240溢出。
公共电极单元130和多个光源单元260，270，280和290中的至少一个可以在隔离单元220的上侧表面上分别形成直角图案，例如如图4所示。
另一方面，层叠在隔离单元220上侧表面的一侧上的公共电极单元130可以由金属形成。多个光源单元260，270，280和290可以连接到公共电极单元130，且当电源施加到该公共电极单元130时可以发光。因此，该多束激光设备可以减少分离电极的数目，并因此减少从多束激光设备发射激光所需要的芯片内的布线和引脚的数目。
脊135，140，145和150可以分别形成于该多个光源单元260，270，280和290内。亦即，脊135，140，145和150可以辐射从有源层240发出的光。脊位于使用下述横向生长方法生长的低缺陷区域上，介于从籽晶传播到上层的电荷之间。
槽口155、160和170以预定形状形成于分别与多个光源单元260，270，280和290每个的有源层240、第二半导体层250以及电极层110,115，120和125相同的位置，从而提供空间供沉积高反射介电涂层。也就是说，当电介质涂敷到基板表面上时，槽口155、160和170可以穿透到一定深度，从而间接吸收和反射特定波长的光。
下文将描述根据本发明示范性实施例的多束激光设备的制作方法。首先，通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法，在绝缘体基板210上生长隔离单元220，其表面通过热清洗方法等平整化。
这里，隔离单元220是指例如使用横向晶体生长技术形成的氮化物半导体层。N型掺杂剂的掺杂方法可以使用渐变横向掺杂方法。换言之，例如随着与公共电极单元130的横向距离(沿隔离单元220)增大，掺杂剂(例如，N型或其他合适的掺杂剂)的浓度或密度逐渐增大。随着与公共电极单元130的横向距离(沿隔离单元220)增大，还可以提供掺杂剂的浓度或密度的其他逐渐变化。例如，随着与公共电极单元130的横向距离(沿隔离单元220)增大，掺杂剂(例如，N型或P型掺杂剂)的浓度或密度逐渐(或者台阶式)增大(或者根据需要，逐渐变化或者逐渐减小)。
多个光源单元260，270，280和290形成于隔离单元220上。该光源单元可包括通过MOCVD方法形成于隔离单元220上的N型氮化物半导体层230。更具体而言，N型氮化物半导体层230、MQW结构的有源层240、以及P型氮化物半导体层250可以依次生长在隔离单元220上。同样，如图4和5所示，P型电极层110，115，120和125可以形成于第二半导体层250上。
在生长氮化物型半导体层230或250(或二者)时，可以分别使用Ga、A1、In和N的材料，例如三甲基镓(TMG)、三甲基铝(TMA)、三甲基铟(TMI)和NH3。N型掺杂剂和P型掺杂剂可以分别使用Si和Mg。
接着，采用例如反应离子蚀刻(RIE)方法通过将氮化物型半导体层向下选择性蚀刻至P型氮化物半导体层250的深度，由此可以形成脊135，140，145和150，如图5所示。
之后，例如，以P型电极层为掩模通过RIE方法将氮化物型半导体层蚀刻到一部分隔离单元220，直至获得期望的深度，由此形成沟槽(G)。其结果为，光源单元260，270，280和290可以形成为一形状，使得4个平台彼此相邻布置，且同时，沟槽(G)可以形成从而将光源单元260，270，280和290相互隔开，例如如图5所示。此时，沟槽(G)可以形成为使得其对应深度可以按照与公共电极单元130的距离成比例地增大，这将在下文中更详细描述，并例如示于图5中。
公共电极单元130可以如上所述通过RIE方法形成于隔离单元220的一侧上。这里，例如，公共电极单元130可以具有N型极性，并可以用做多个光源单元260，270，280和290的公共电极单元，各层具有足以发射期望的多束激光的恰当极性。
据此，使用公共电极单元130可以减少电极的数目，而且依据与公共电极单元130的距离而形成为不同的隔离单元220的变化掺杂剂浓度和沟槽(G)的变化深度，各个光源单元260，270，280和290之间发生的串扰可以减小、最小化或消除。
图6和7为示范性示出根据本发明另一个示范性实施例的多束激光设备的图示。
图6是多束激光设备的俯视平面图，且图7是沿图6的线B-B所取的多束激光设备的剖面视图。
参考图6和7，多束激光设备包括形成于隔离单元420上侧表面的部分区域上的第一公共电极330、形成于隔离单元420上侧表面的一部分上并与第一公共电极330隔开的第二公共电极单元335、以及位于第一和第二公共电极之间的第一光源单元460和470与第二光源单元480和490。形成图6和7所示各层所使用的材料元素(和/或密度或浓度)与参考图3和4所述多束激光设备相同。因此为了简化而省略对其的详细描述。然而，参照图4和5有关使用材料及其浓度或密度的描述也适用于图6和7的实施例，不同之处为例如隔离单元420内掺杂剂的密度或浓度朝图6和7所示中心沟槽而逐渐增大。
在根据本发明另一个示范性实施例的多束激光设备中，将第一光源单元460和470与第二光源单元480和490相互隔开的中心沟槽(G)可以形成为具有从第一和第二光源单元的相邻上表面之间的位置向下延伸到绝缘体基板410的内部的位置的深度。因此，沟槽可以减小第一光源单元460和470与第二光源单元480和490之间的干扰。
此外，第一光源单元460和470可以通过第一公共电极单元330连接并驱动，该第一公共电极330形成于隔离单元420的上侧表面的部分区域上。此外，隔离单元420可以形成为使得随着与第一公共电极330的横向距离增大，其掺杂剂浓度也增大。采用这种配置，电流可以平滑地从公共电极单元330朝P电极310和315流动。
按照相同的方式，第二光源单元480和490可以通过第二公共电极335连接并驱动，该第二公共电极单元335形成于隔离单元420的上侧表面的部分区域上。此外，隔离单元420可以形成为使得随着与第二公共电极335的横向距离增大，其掺杂剂浓度也增大。采用这种配置，电流可以平滑地从公共电极335朝P电极320和325流动。
脊335，360，365和370分别形成于第一和第二光源单元的光源460，470，480和490内。也就是说，辐射从有源层440发出的光的脊335，360，365和370位于使用横向生长技术生长的低缺陷区域上，介于从籽晶传播到上层的电荷之间。
同样，槽口340和345形成，从而提供空间供沉积高反射介电涂层。也就是说，当电介质涂敷到基板表面上时，槽口340和345可以穿透到足以间接吸收和反射特定波长的光的深度。
第一和第二光源单元460，470，480和490可以在隔离单元420的上侧表面上分别形成直角图案，例如如图6和7所示。
图8和9为示范性示出使用根据本发明示范性实施例的多束激光设备的图像形成装置的图示。
参考图8，使用该多束激光设备的图像形成装置500包括激光扫描单元(LSU)510和打印单元520。
LSU510可以发射多个光束并在光电鼓表面上扫描多个光束，并因此形成与将被印刷在光电鼓表面上的图像相对应的静电潜像。
此外，LSU510可包括多束激光设备。该多束激光设备可以形成为使得，多个光源被至少一个沟槽(G)(例如，2个或以上沟槽、3个或以上沟槽等)隔开，且随着与公共电极单元的横向距离增大，隔离单元的掺杂剂浓度增大。此外，随着与公共电极单元的横向距离增大，沟槽(G)的深度增大。由于这种多束激光设备可与参照图4至7所述示范性实施例的多束激光设备相同，为了简化而省略了对其的详细描述。
打印单元520可以执行一系列图像形成程序操作，这些操作包括，将LSU510形成于光电鼓上的静电潜像显影成为显影图像并将该显影图像转印和定影到打印纸(或其他合适介质)上以形成期望图像所需的充电操作、曝光操作、显影操作、转印操作、定影操作以及放电操作。
参考图9，更详细示出了依据本发明一实施例的图8所示图像形成装置的构造。该图像形成装置可包括LSU510和打印单元520。LSU520可设有：多束激光设备610，其具有与参考图4至7所述示范性实施例的多束激光设备相同的结构；多角镜620；聚焦单元620；以及光接收单元640。打印单元520可设有光电鼓650、充电单元660、显影单元670、转印辊680和定影单元690。
从LSU510的多束激光设备发出的光可作为平行束或会聚束到达，该光束在经过透镜单元(未示出)时平行于主扫描方向和子扫描方向。
在穿过透镜单元(未示出)之后，光入射到多角镜620上。且随后，入射光被可以高速旋转的多角镜620以预定角度反射，并可以朝聚焦单元630发射。
聚焦单元630可包括由复曲面透镜和聚焦透镜制成的扫描系统透镜。聚焦单元630可以将入射光聚焦并扫描到打印单元520的光电鼓650上。光电鼓650具有为有效扫描宽度部分(未示出)的表面区域，静电潜像可以通过来自聚焦单元630的扫描光而形成于该表面区域上。LSU510可以配备有光接收单元640以检测水平同步信号H_sync，用于将光电鼓650的有效扫描宽度部分与来自聚焦单元630的光整齐地同步。
这里，水平同步信号H_sync为由激光扫描单元510产生的信号，用于在光电鼓650上形成静电潜像。
打印单元520可以高速地在打印纸(或者其他合适的介质)上形成图像。为此，打印单元520可设有充电单元660，使用预定电荷对光电鼓650充电(和/或在需要时放电)以形成静电潜像；显影单元670，如上所述使用显影剂显影由LSU510形成于光电鼓650上的静电潜像；转印辊680，在旋转啮合光电鼓650时将显影的图像转印到打印纸(或者其他合适的介质)；以及定影单元690，通过加热与/或加压而熔合(或定影)转印到打印纸(或者其他合适的介质)上的图像。
上述构造的图像形成装置可以使用多束激光设备，使得其可以改善打印速度与/或分辨率。
从前述说明书显而易见的是，根据本发明的示范性实施例，该多束激光设备以及使用其的图像形成装置使用公共电极。因此，根据本发明示范性实施例的多束激光设备以及使用其的图像形成装置可以减少各个光源单元之间的距离以及电极的数目，并因此减少布线和引脚的数目以形成更紧凑的芯片。
此外，根据本发明示范性实施例的多束激光设备以及使用其的图像形成装置可以配置成使得隔离单元的掺杂剂浓度和沟槽(G)的深度形成为依据与公共电极的距离而不同。因此，光源单元之间的串扰可以减小、最小化或消除。
此外，根据本发明示范性实施例的图像形成装置可以使用该多束激光设备，使得其改善打印速度和打印分辨率。图像形成设备(或装置)可包括本说明书所述的任一上述多束激光设备。
尽管已经示出和描述了本发明的几个实施例，但是本领域技术人员应该理解，在不背离由所附权利要求及其等同特征所界定的范围的情况下，可以对这些实施例进行修改。

Claims (23)

1.一种多束激光设备，包括：
公共电极单元；
使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及
将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元，
其中该多个光源单元被延伸至该隔离单元内的深度变化的至少两个沟槽隔离。
2.权利要求1所述的多束激光设备，其中该隔离单元包括半导体基板，该半导体基板中掺杂有预定掺杂剂，且该掺杂剂的掺杂浓度依据与该公共电极单元的距离而增大。
3.权利要求2所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽防止该多个光源单元之间的干扰。
4.权利要求3所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽从该多个光源单元的上侧表面之间的至少一个位置延伸至该隔离单元内。
5.权利要求4所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽的深度依据该沟槽与该公共电极单元的相应距离而增大。
6.权利要求1所述的多束激光设备，其中
该至少两个沟槽防止该多个光源单元之间的干扰。
7.权利要求6所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽从该多个光源单元的上侧表面之间的至少一个位置延伸到该隔离单元内。
8.权利要求7所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽的深度依据该沟槽与该公共电极单元的相应距离而增大。
9.权利要求1所述的多束激光设备，其中该多个光源单元的每个包括：
形成于该隔离单元的上表面上的第一半导体层；
形成于该第一半导体层上的有源层；
形成于该有源层上的第二半导体层；以及
形成于该第二半导体层上的至少一个电极层，将连接到电源而具有与该公共电极单元极性相反的极性。
10.权利要求9所述的多束激光设备，其中该第一半导体层和该隔离单元由N型半导体形成，该第二半导体层由P型半导体形成。
11.权利要求9所述的多束激光设备，其中该第一半导体层和该隔离单元由P型半导体形成，该第二半导体层由N型半导体层形成。
12.权利要求9所述的多束激光设备，其中该第一和第二半导体层的至少一个包括氮化物半导体层。
13.权利要求1所述的多束激光设备，还包括与该隔离单元的下表面接触的绝缘体基板。
14.权利要求13所述的多束激光设备，其中该公共电极单元包括：
形成于该隔离单元上表面一部分区域上的第一公共电极，以及
形成于该隔离单元上表面内与该第一公共电极隔开的另一部分内的第二公共电极。
15.权利要求14所述的多束激光设备，其中该多个光源单元包括：
位于该第一和第二公共电极之间并由该第一公共电极驱动的第一光源单元；
位于该第一和第二公共电极之间并由该第二公共电极驱动的第二光源单元；以及
位于该第一和第二公共电极之间并由该第一公共电极或该第二公共电极驱动的第三光源单元。
16.权利要求15所述的多束激光设备，其中
该至少两个沟槽防止该第一、第二和第三光源单元相邻两个之间的干扰。
17.权利要求16所述的多束激光设备，其中该至少两个沟槽从该光源单元的上表面之间的位置延伸到该隔离单元内。
18.权利要求9所述的多束激光设备，其中该公共电极单元和该多个光源单元中的至少一个在该隔离单元的上表面上形成直角图案。
19.权利要求18所述的多束激光设备，其中
各个该多个光源单元的有源层、第二半导体层和电极层具有在相同对应位置形成为预定形状的至少一个相应槽口。
20.权利要求15所述的多束激光设备，其中各个该第一和第二公共电极在该隔离单元的上表面上形成条形，且各个该第一、第二和第三光源单元在该隔离单元的上表面上形成直角图案。
21.一种使用多束激光设备的图像形成装置，该多束激光设备包括：
公共电极单元；
使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及
隔离单元，依据变化的掺杂浓度而互连该公共电极单元和该多个光源单元，并依据深度变化的至少两个沟槽防止该多个光源单元之间的干扰。
22.一种多束激光设备，包括：
公共电极单元；
由该公共电极驱动而发光的多个光源单元；
将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元，
其中该隔离单元掺杂有掺杂剂，该掺杂剂沿远离该公共电极的方向沿横向距离浓度增大以对应于各个光源单元。
23.一种多束激光设备，包括：
公共电极单元；
由该公共电极驱动而发光的多个光源单元；
具有表面的基板；
位于该基板的表面上的隔离单元，该隔离单元互连该公共电极单元和该多个光源单元，
其中该多个光源单元被延伸到该隔离单元内的一个或多个沟槽隔离，且
其中一个或多个槽口形成于至少一个该光源单元内以及该隔离单元内，从而允许在该基板的表面上沉积高反射介电涂层。
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