CN101925837A - 用于duv元件的致密均匀氟化物膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用致密均匀氟化物膜涂覆的光学元件，还涉及制造这种涂覆的元件的方法。所述涂料是共同蒸发形成L-H涂料的涂层的高(“H”)折射率氟化物材料和低(“L”)折射率材料(L和H材料的一种共同沉积的涂层)。镧系金属(例如钕、镧、镝、钇和钆，以及它们的组合)的氟化物是用作高折射率材料的优选的金属氟化物，特别优选氟化镧(LaF3)和氟化钆(GdF3)。氟化铝(AlF3)和碱土金属氟化物(钙、镁、钡和锶的氟化物)是优选的低折射率材料，氟化镁(MgF2)是优选的碱土金属氟化物。

Description

用于DUV元件的致密均匀氟化物膜及其制备方法
相关申请交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2007年11月30日提交的美国临时申请序列第61/004784号的优先权。
技术领域
本发明涉及涂覆的表面和元件，例如用于激光系统中的镜子，具体涉及通过用高折射率材料和低折射率材料的涂层共同沉积而同时涂覆的用于小于200纳米激光系统如ArF激光器的元件表面。
背景技术
基于微型光刻技术的ArF准分子激光器已经被半导体工业广泛用于大规模生产图案化的硅晶片。该工业不断要求准分子激光源产生更高的性能。所以对准分子激光器光学部件不断提出更高的要求，例如，用于193纳米波长的高重复率的准分子激光器中的高反射镜。
随着半导体加工已经从65纳米发展到45纳米节点和更高水平，光学涂料在远紫外光谱范围中的应用已经得到推广，目前已经用于激光光学部件(与基于准分子激光器的系统连接使用的光学部件；例如用于193纳米波长的高重复率的准分子激光器中的高反射镜)和精密光学部件(例如标线检查物镜)。关于激光光学部件，这些光学部件暴露于高的激光影响。所以，激光光学部件的激光耐久性是该工业的一项重要挑战。另一方面对于精密光学部件，物镜或投射系统包括许多具有不同表面曲率的透镜，低损耗的减反射(AR)涂层对于这种应用至关重要。一般来说，要制造193纳米的光学涂层，至少需要一种高折射率和一种低折射率氟化物材料。
在可用于这些镜子的数量非常有限的材料中，GdF3和LaF3被认为是高折射率材料，MgF2和AlF3是可用于小于200纳米波长的低折射率材料。[参见D.Ristau等人，“通过离子束溅射以及舟和电子束蒸发沉积的MgF2和LaF3涂层的紫外光学和微观结构性质(Ultraviolet optical and microstructural properties of MgF2and LaF3 coating deposited by ion-beam sputtering and boat and electron-beamevaporation)”，Applied Optics 41，3196-3204(2002)；R.Thielsch等人，“用于UV应用的氟化物多层中机械应力的产生(Development of mechanical stress in fluoride multi-layers for UV-applications)”，Proc.SPIE 5250，127-136(2004)；C.C.Lee等人，“热蒸发的AlF3薄膜在193纳米的表征(Characterization of AlF3thin films at 193nm by thermal evaporation)”，Applied Optics 44，7333-7338(2005)；R.Thielsch等人，“在无定型基材上生长的三氟化钆薄膜的光学、结构和机械性质(Optical，structural and mechanical properties ofgadol inium tri-fluoride thin films grown on amorphous substrates)”，Proc.SPIE 5963，59630○1-12(2005)；和Jue Wang等人，“通过可变角分光椭圆偏振法评价GdF3薄膜的纳米结构(Nano-structure of GdF3 thin film evaluated by variable angle spectroscopic ellipsometry)”，Proc.SPIE 6321，p6321071-10(2006)]。
目前对用于ArF激光光学应用的宽带隙氟化物薄膜重新产生了研究兴趣。载能沉积法的应用，如等离子体离子辅助沉积(PIAD)、离子辅助沉积(IAD)和离子束溅射(IBS)，局限于氟化物材料，原因在于氟化物材料的性质。所以，该工业已经接受将热电阻蒸发(TRE)用于氟化物薄膜沉积而不会引起氟贫化。但是，将热电阻蒸发用作薄膜沉积方法时，得到的氟化物膜的装填密度低(即，是多孔的)，膜结构是不均匀的。这两种情况都是不利的，因为多孔结构会藏匿环境污染物并增大散射损耗。已经采用多种措施来改进氟化物膜的结构，包括基材温度和沉积速率。近来，还考虑到基材晶体取向的效果，但是没有报告显著的进步。[参见Y.Taki和K.Muramatsu，“LaF3在CaF2上的异向外延生长和光学性质(Hetero-epitaxial growth and optical properties of LaF3 on CaF2)”，Thin Solid Films 420-421，30-37(2002)；和Y.Taki等人的美国专利200302276670A1，题为“配备有氟化镧膜的光学元件(Optical Element Equipped with Lanthanum Fluoride Film)”]。
另一个问题产生于以下事实，要在193纳米获得高反射率，例如在高反射镜中，需要许多高折射和低折射层的周期(一个周期等于一个高折射率层和一个低折射率层)。但是，随着层的数量增大以及总厚度增大，表面/界面粗糙度和不均匀性增大。对于在193纳米获得高反射性，对多层氟化物膜结构的控制非常关键。除了在微型光刻技术中的用途以外，在那些ArF准分子激光具有其他非光刻应用的领域中也需要氟化物涂覆的镜子，例如微创大脑、血管和眼睛手术；超精密机加工和测量；大规模集成电路器件；和用于通讯的部件。考虑到目前用于小于200纳米(如193纳米)光刻技术中的氟化物涂覆的元件(例如镜子和其他激光系统光学元件)的问题，需要克服了这些问题的具有氟化物涂层的元件。除了镜子以外，本发明还可应用于分束器、棱镜、透镜、输出耦合器以及用于小于200纳米激光系统中的类似元件。
发明内容
本发明涉及涂覆有致密均匀氟化物膜的光学元件，还涉及制造这种涂覆的元件的方法。该涂料是共同蒸发从而形成L-H混合涂料的涂层(共同沉积的L-H材料的涂层)的高(“H”)折射率氟化物材料和低(“L”)折射率材料。镧系金属氟化物是优选的用作高折射率材料的金属氟化物，氟化镧(LaF3)和氟化钆(GdF3)是特别优选的。氟化铝(AlF3)和碱土金属氟化物是优选的低折射率材料，氟化镁(MgF2)是优选的碱土金属氟化物。本发明的光学元件具有一层或多层沉积在选择的基材上的共同沉积的L-H膜，各层厚度为5-70纳米。共同沉积的膜中低折射率材料的含量为2-30重量％，剩余的是高折射率材料，其含量为70-98重量％。选择的基材来自下组：Si(硅)、SiO2(氧化硅)、熔凝SiO2、HPFSTM(来自康宁公司(Corning Incorporated)的高纯度熔凝氧化硅)、F-SiO2(氟掺杂的熔凝氧化硅)、CaF2单晶的(111)晶面和CaF2单晶的非-(111)晶面，后两者在本文中表示为(111)CaF2单晶和非-(111)CaF2。
在本发明一个方面中，共同沉积的膜是沉积在基材上的AlF3-GdF3 AlF3-LaF3，基材选自SiO2、熔凝SiO2、HPFSTM(来自康宁公司的高纯度熔凝氧化硅)、F-SiO2(氟掺杂的熔凝氧化硅)、(111)CaF2和非-(111)CaF2。
在本发明另一个方面中，光学元件在沉积一个或多个共同沉积的L-H材料的层之前，在基材上已经沉积有一层低折射率材料L。共同沉积的L-H层的厚度为5-70纳米。无论L(唯一的)层是在施加共同沉积的L-H层之前沉积在基材(光学元件)上还是施加在共同沉积的L-H层顶上，所述L(唯一的)层的厚度都为5-70纳米。在进一步的方面中，低折射率材料选自AlF3和MgF2。在另一个方面中，将一层低折射率材料沉积在共同沉积的L-H层的顶上，或者将一层低折射率材料沉积在由多个L-H层组成的叠层的顶上。在另一个方面中，沉积一种材料的顶层或密封层，该材料选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度熔凝氧化硅和氟掺杂的熔凝氧化硅，将这种顶层或密封层作为L-H层或L/(L-H)层的叠层的顶上的最后层。另外，在L/(L-H)层的叠层之间插入一种材料的一个或多个界面平化层，该材料选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度熔凝氧化硅和氟掺杂的熔凝氧化硅。
在另一个方面中，本发明涉及一种光学元件，其具有沉积在该光学元件上的L-H层以及沉积在该L-H层顶上的L层。
在一个方面中，本发明涉及一种包括共同蒸发AlF3和一种高折射率金属氟化物材料的方法，使用AlF3来控制高折射率氟化物材料；例如，LaF3.GdF3和其他高折射率膜的膜结构。
一种涂覆光学元件以形成涂覆的光学元件的方法，所述方法包括：
提供一种光学元件；
通过以下方式涂覆所述光学元件，得到至少一个涂覆叠层：
(a)共同沉积至少一个膜层，该膜层由高折射率镧系金属氟化物和低折射率金属氟化物组成，从而形成L-H层，和
(b)用低折射率材料的涂层涂覆所述共同沉积的膜层，形成L层；
其中所述层(a)和(b)各自独立地具有5-70纳米的厚度，(a)的L-H层和(b)的L层一起形成叠层。
附图说明
图1说明在SiO2基材上生长的GdF3膜的折射率-深度曲线。
图2是在SiO2基材上生长的GdF3膜的AFM图象。
图3是在SiO2基材上生长的GdF3膜的XRD图象。
图4说明在SiO2基材上生长的GdF3膜的SEM横截面。
图5说明在SiO2基材上共同蒸发的AlF3-GdF3膜的折射率-深度曲线。
图6是在SiO2基材上共同蒸发的AlF3-GdF3膜的AFM图象。
图7说明一种2层AR涂层，该涂层具有在SiO2或CaF2基材上共同蒸发的AlF3-GdF3的第一涂层，以及覆盖该共同蒸发的AlF3-GdF3层的AlF3的第二涂层。
图8说明一种3层AR涂层，其中第一涂层是在SiO2或CaF2基材上沉积的AlF3，第二涂层中的涂料是在第一涂层顶上沉积的共同蒸发的AlF3-GdF3，第三涂层是在共同蒸发的AlF3-GdF3顶上沉积的AlF3。
图9说明图7的2层涂层，其具有任选的施加在第二涂层顶上的“顶部密封剂”。
图10说明图8的3层涂层，其具有任选的施加在第三涂层顶上的“顶部密封剂”。
图11说明AR、PR和HR涂层，这些涂层使用SiO2或CaF2基材上的L/(L-H)氟化物叠层，其中具有至少一个界面平化(“IS”)层和顶部密封剂(“TS”)。
图12说明在高真空室中的共同蒸发法的布置，其中待涂覆的DUV元件位于顶部，TRE 1和TRE 2位于底部。使用TRE 1和TRE 2来蒸发高纯度的氟化物材料。H基质中共同蒸发的L的重量百分数通过蒸气通量比确定。
具体实施方式
本发明涉及用致密均匀氟化物膜涂覆的光学元件(也称为基材)，还涉及制造这种涂覆的元件的方法。涂料是共同蒸发以形成L-H混合物的涂层(L-H层，共同沉积的L和H材料的涂层)的高(“H”)折射率氟化物材料和低(“L”)折射率材料。镧系金属(如钕、镧、镝、钇和钆，以及它们的组合)的氟化物是优选的用作高折射率材料的金属氟化物，氟化镧(LaF3)和氟化钆(GdF3)是特别优选的。氟化铝(AlF3)和碱土金属氟化物(钙、镁、钡和锶的氟化物)是优选的低折射率材料，氟化镁(MgF2)是优选的碱土金属氟化物。高折射率材料的折射率为1.55-1.75。低折射率材料的折射率为1.35-1.45。
如本文所用，术语“周期”表示L/(L-H)层对。术语“叠层”表示多个氟化物层。可以在基材上施加多个周期以形成涂覆的光学元件。另外，可以在共同沉积L-H层之前先在基材上施加一层低折射率材料，然后再沉积L层以形成单独一个周期或者多个周期中的第一周期。在基材上施加多个L/(L-H)周期以形成完整的氟化物叠层的时候，可以在两个或更多个氟化物叠层之间施加如本文所述的任选的“平化层”。另外同样如本文所述，在本发明的全部实施方式中，可以施加任选的密封层作为最后层。
本发明的光学元件具有一层或多层在选择的基材上共同沉积的L-H膜，各层的厚度为5-70纳米。共同沉积的膜中低折射率材料的含量为2-30％，剩余的是高折射率材料。选择的基材来自下组：Si(硅)、SiO2(氧化硅)、熔凝SiO2、HPFSTM(来自康宁公司的高纯度熔凝氧化硅)、F-SiO2(氟掺杂的熔凝氧化硅)、CaF2单晶的(111)晶面和CaF2单晶的非-(111)晶面，后两者在本文中表示为(111)CaF2单晶和非-(111)CaF2。可通过本领域已知的方法沉积共同沉积的膜；例如等离子体离子辅助沉积(PIAD)、离子辅助沉积(IAD)、离子束溅射(IBS)和热电阻蒸发(TRE)。优选的沉积方法是TRE。
一般来说，要在主体基材的表面上获得光学功能涂层，需要至少两种具有不同折射率的氟化物材料。所述涂层包括例如减反射(AR)涂层，形成部分反射体的涂层(PR)，和形成高反射体或镜子的涂层(HR)。部分反射体将投射到涂覆的元件的一部分入射光反射，使一部分入射光通过该元件。高反射体(镜子)反射全部或基本上全部的入射光。如上所述，材料GdF3和LaF3在作为层沉积在基材上的时候，被认为是高折射率层，材料AlF3和MgF2在作为层沉积在基材上的时候，被认为是低折射率层。在这些材料中，AlF3是无定型的。[SiO2膜也是无定型的]。但是，LaF3、GdF3和MgF2膜是晶体性质的，根据膜生长条件各自具有不同的晶体结构。涂覆了氟化物的元件的总体性能与选择的氟化物材料对(例如，GdF3/AlF3、GdF3/MgF2、LaF3/AlF3和LaF3/MgF2)，与基材种类(例如SiO2和CaF2)，以及与基材晶体取向(例如(111)CaF2基材表面或非-(111)CaF2基材表面)有关。还已经观察到，高折射率氟化物层(如LaF3和GdF3层)的微观结构对光学元件性能的影响大于低折射率氟化物层(如MgF2和AlF3)的影响。换言之，高折射率氟化物层的结构控制对于改进光学元件的性能非常关键。所以，已经努力控制LaF3层的结构[Y.Taki等人，“LaF3在CaF2上的异相外延生长和光学性质(Hetero-epitaxial growth and optical properties of LaF3 on CaF2)”，Thin Solid Films，第420-421卷(2002)，第30-37页；和美国专利申请公开第2003/0227670A1号]；控制GdF3层的结构[J.Wang等人，“通过可变角分光椭圆偏振法评价GdF3薄膜的纳米多孔结构(Nanoporous structure of a GdF3 thin film evaluated by variable angle spectroscopic ellipsometry)”，Applied Optics，第46卷，第16期，第3221-3226页；和J.Wang等人，“氟化物涂层的挑战(Challenge of fluoride coatings)”，光学涂层技术和应用国际会议(International Conference on Optical Coating Technology and Applications)，苏州(Suzou)，中国，2007年5月8-10日]；以及平化氟化物涂层的叠层。
一般来说，要制造193纳米的光学涂层，要求至少一种高折射率材料(如GdF3和LaF3)和一种低折射率氟化物材料(如AlF3和MgF2)。除了AlF3以外，大多数常用的氟化物在膜生长过程中优先形成晶体结构。在本发明制造过程中得到的结果显示，在AlF3/LaF3、MgF2/GdF3和MgF2/LaF3中，AlF3/GdF3是最好的L/H氟化物组合。GdF3在CaF2(111)晶面上的异相外延生长使得我们能够针对激光光学应用改进GdF3膜的结构，在大多数情况下，在CaF2(111)晶面上沉积氟化物膜。对于精密光学应用，必须在非(111)CaF2晶面上或在无定型SiO2基材中沉积氟化物膜。
图1显示在SiO2基材上生长的GdF3膜的折射率-深度曲线(193纳米波长)。折射率与膜的装填密度成正比；即，致密膜产生高折射率，而多孔的膜结构产生对应的低折射率。如图1可知，在GdF3膜开始生长时，在基材上形成致密膜，导致产生高折射率。随着膜厚度增大，随机取向的晶体微观结构在晶粒之间引入间隙。这些间隙导致的结果是，随着层厚度(与基材的距离)增大，膜的密度减小，最终得到非常粗糙的层表面。通过图2所示的AFM(原子力显微镜)测量进一步确认了粗糙的表面形态。
在5微米×5微米的面积上，以RMS(均方根)表示的表面粗糙度为9.1纳米。图3显示在SiO2基材上生长的GdF3膜的X射线衍射(XRD)图谱。该晶体结构(XRD尖峰或峰)与SiO2基材产生的无定型背景重叠。XRD峰显示SiO2基材上几乎随机取向的多晶GdF3膜。如图4所示的扫描电子显微镜(SEM)横截面图象也显示了该多晶结构，GdF3层用附图标记20表示，SiO2基材用附图标记30表示。在非-(111)CaF2基材和无定型SiO2基材上生长的GdF3膜的非均匀的膜结构以及粗糙表面使得散射损耗增大，并增加了污染的风险(受到填充膜表面中的缝隙的污染材料的污染)。这种情况导致例如用于精密光学应用的氟化物(AR)涂层性能降低。
根据本发明，为了减小散射损耗并尽可能降低污染风险，采用一种共同沉积技术来控制GdF3晶体的生长尺寸，并且用无定型AlF3填充GdF3晶粒之间的空隙。已经通过实验确认了这种想法，如图5中所示，该图显示在SiO2基材上共同沉积的AlF3/GdF3膜的折射率(193纳米波长)-深度曲线。膜的组成是90％的GdF3和10％的AlF3。层的总厚度非常接近于图1中所示的GdF3膜。与图1的GdF3膜相比，共同沉积的AlF3-GdF3膜的非均匀性明显降低。共同沉积的AlF3-GdF3膜的表面也比只有GdF3的膜更平滑，通过分别对图5和图1中折射率曲线的右侧进行比较可以显示这一点。图6的AFM图象显示了共同沉积的膜的形态。图6和图2之间的区别非常清楚。共同蒸发的AlF3使GdF3晶体结构断裂，并填充GdF3晶粒之间的空隙。所以，只能形成小的GdF3晶粒，共同沉积的AlF3/GdF3膜是致密、均匀和平滑的。通过AFM测得图6的共同沉积的膜的表面粗糙度为1.2纳米，小于图2的GdF3的膜的粗糙度的1/7.6。在非-(111)CaF2透镜和无定型SiO2透镜上开发具有大的表面曲率的AR涂层的工作也已经证明了使用共同蒸发技术来控制氟化物膜的结构的优点。
本发明的一些应用的非限制性实施例如图7-10中所示。图7说明一种使用氟化物层对的2层AR涂层，在SiO2或CaF2基材100上，一个层是共同沉积的AlF3-GdF3层50，另一个层是AlF3层40。图8说明一种使用氟化物层对的3层AR涂层，包括位于SiO2或CaF2基材100上的AlF3层40顶上的共同沉积的AlF3-GdF3层50，和位于AlF3-GdF3层50上的顶部AlF3层。图9说明图7的2层涂层，其具有位于低折射率AlF3层40顶上的顶部密封剂层70(以下段落中讨论)。图10说明图8的3层涂层，其具有顶部密封剂层70。应该理解，以上涂层中使用的高折射率和低折射率材料可以使用本文所述的其他高折射率或低折射率材料替换。
在共同转让的美国临时申请第60/904132号中揭示了使用顶部密封剂(图9-10中的附图标记70)的方法，其中使用致密平滑的SiO2(氧化硅、熔凝氧化硅和高纯度熔凝氧化硅)或F-SiO2层作为密封剂。图7-10中所示的共同蒸发的AlF3-GdF3层可以用共同蒸发的AlF3-LaF3层替换。图7-10中所示的AlF3层也可以用共同蒸发的AlF3-MgF2层替换。共同蒸发的膜的层厚度为5-70纳米。
一般来说，用于氟化物膜结构控制的共同蒸发方法可以应用于任何氟化物相关的AR(减反射)、PR(部分反射体)和HR(高反射体或镜子)涂层。图11显示了位于SiO2或CaF2基材上的AR、PR和HR涂层的示意图，这些涂层使用共同沉积的L-H和L层的氟化物对，还具有界面平化(IS)层和顶部密封剂(TS)层。标签L-H表示一层共同蒸发的AlF3-GdF3或AlF3-LaF3。标签L表示一层AlF3或共同蒸发的AlF3-MgF2。图11中的层的顺序根据涂层设计可以排列成不同的顺序。另外，应该理解，以上涂层中使用的高折射率和低折射率材料可以用段落[0024]中已经描述的其他高折射率或低折射率材料替换。
图12显示在高真空室中的共同蒸发法的布置，其中待涂覆的DUV单元位于顶部，TRE 1和TRE 2位于底部。使用TRE 1和TRE 2蒸发高纯度的氟化物材料，该材料放置在分开的舟形热电阻源中，这些热电阻源由钼(Mo)或铂(Pt)制成。通过相关蒸气的通量比确定H基质中共同蒸发的L的重量百分数，该通量比根据通过舟的流量控制。例如，舟TRE 1可装有高折射率材料，舟TRE 2可装有低折射率材料。通过石英-晶体监视器或光学技术可以原位监控蒸气通量。D.L.Smith在“薄膜沉积：原理和实践(Thin-Film Deposition：Principles & Practice)”McGraw-Hill公司(1995)的第4章中描述了热电阻蒸发的技术细节。
虽然已经就有限数量的实施方式描述了本发明，但是本领域普通技术人员在了解本文揭示内容之后，能够设计不偏离本文所揭示的本发明范围的其他实施方式。因此，本发明范围应当仅由所附权利要求限制。

Claims (14)

1.一种涂覆的光学元件，所述光学元件包括基材，该基材具有至少一个均匀的共同沉积的L-H层和在所述共同沉积的L-H层顶上沉积的一个L层，所述L-H层由沉积在所述基材上的高折射率镧系金属氟化物材料和低折射率金属氟化物材料组成，所述L层是低折射率金属氟化物材料。
2.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述高折射率镧系金属氟化物中的金属选自钕、镧、镝、钇和钆。
3.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述高折射率镧系金属氟化物中的金属选自镧和钆。
4.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述低折射率金属氟化物中的金属选自氟化铝以及钙、镁、钡和锶的氟化物。
5.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述低折射率金属氟化物中的金属选自氟化铝和氟化镁。
6.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述基材选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度的熔凝氧化硅和氟化钙单晶基材。
7.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述基材选自高纯度的熔凝氧化硅和氟化钙。
8.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述光学元件任选地进一步包括密封层，该密封层作为在涂覆的光学元件的顶上的最后层施加，所述密封层选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度的熔凝氧化硅和氟掺杂的熔凝氧化硅，密封层的厚度为5-70纳米。
9.如权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述光学元件包括多个L/(L-H)层对，而且，
在叠层的至少一对层之间任选地插有至少一个界面平化层，所述平化层选自氧化硅、熔凝氧化硅、高纯度的熔凝氧化硅和氟掺杂的熔凝氧化硅。
10.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述共同沉积的层由2-30重量％的低折射率金属氟化物和70-98重量％的高折射率材料组成。
11.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述共同沉积的L-H层的厚度为5-70纳米。
12.如权利要求1所述的涂覆的光学元件，其特征在于，所述L层的厚度为5-70纳米。
13.一种涂覆光学元件的方法，所述方法包括：
提供一种光学元件，
通过以下方式涂覆至少一个涂层叠层：
(a)共同沉积至少一个膜层，该膜层由高折射率镧系金属氟化物和低折射率金属氟化物组成，以形成L-H层，和
(b)用低折射率材料的涂层涂覆所述共同沉积的膜层，以形成L层；
其中，所述层(a)和(b)各自独立地具有5-70纳米的厚度，和
(a)的L-H层和(b)的L层一起形成叠层。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在最后叠层的顶上施加密封层。
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