CN101872096A - 一种液晶显示器的像素结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种液晶显示器的像素结构及其制造方法。在一个具体实施方式中，像素结构包含形成于基板上的扫描线和形成于基板上的数据线，并以此定义像素区。开关形成于基板上的像素区之内。遮蔽电极形成于开关之上。一平面有机层形成于数据线与像素区之上，并且未与遮蔽电极重叠。像素电极具有第一部份和延伸自第一部份的第二部份，形成于像素区内的遮蔽电极与平面有机层之上，其中像素电极的第一部份与遮蔽电极重叠，以定义出其间的储存电容器，并且第二部份覆盖平面有机层，而未与数据线重叠。

Description

一种液晶显示器的像素结构及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种液晶显示器(liquid crystal display，LCD)，且特别是有关于一种利用像素设计(pixel design)以增进开口率(aperture ratio)的液晶显示器的像素结构及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)包含液晶显示器(LCD)面板，其中负责趋动薄膜晶体管阵列基板(TFT array substrate)，是由复数个像素结构(pixel structure)所组成，每一像素结构具有扫描线(scan line)、像素电极(pixelelectrode)和开关(switch)；开关具有栅极、源极、和一漏极，分别电性连接至扫描线、数据线(data line)和像素电极。一般而言，像素的开口率(aperture ratio)直接影响背光源的利用和LCD面板亮度。在像素结构之中，一个主要影响开口率的因素是介于像素电极和数据线之间的寄生电容。寄生电容是由像素电极和数据线之间的距离来决定。像素电极和数据线的距离愈近，寄生电容的值就愈大，此时像素电极上的电压，容易受数据线的影响而产生串音(cross-talk)现象，影响LCD的显示质量。一般而言，数据线会设计成与像素电极间隔一段距离以避免串音。然而，数据线和像素电极的间隔距离愈大，像素的开口率减少的幅度也愈大。
为了减少像素结构内的串音，并将像素结构的开口率保持在一定程度，已发展出了各种像素结构的设计。例如，其中一个像素设计为在像素电极和数据线之间设置一遮蔽电极以减少寄生电容的效应。
在图5所示的像素设计500中，遮蔽电极540形成于数据线520和开关550之上，但位于像素电极510之下。这种遮蔽电极540的一区域560与像素电极510周围一部份彼此重叠。这种像素设计是利用在遮蔽电极540与像素电极510周围部份重叠区域560间产生储存电容，相较于没有遮蔽电极的像素设计而言，这种方式可改善其的开口率。然而，因为阻抗的原因，遮蔽电极540通常以不透明的导电材料制成。所以，当使用遮蔽电极540与像素电极510周围部分重叠区域560所产生的储存电容时，本身也会造成某种程度的开口率下降。
另外，如图6所示，某些像素设计也会利用梳状像素电极610来辅助液晶的定向。在像素设计600中，由遮蔽电极640与像素电极610周围部分彼此重叠所产生的储存电容区域660，会因像素电极610的梳状结构而减少。利用增加储存电容区面积来增加储存电容的方式，也会使孔径比减少。
因此，为了解决前述的匮乏和不足之处，此技术中存在一个迄今为止尚未解决的需求。
发明内容
本发明的一个面向是关于一种用于液晶显示器(LCD)的像素结构。在一个具体实施例方式中，像素结构具有形成于基板上的扫描线，和形成于基板上的数据线，以及由该数据线和该扫描线相关(associated with)的像素区。像素结构也具有形成于基板上的像素区内的开关。
像素结构亦具有形成于开关上的遮蔽电极。在一实施例中，像素电极以透明的导电性材料制成。
另外，像素结构具有一平面有机层，其形成于数据线与像素区之上，并且未与遮蔽电极重叠。平面有机层用以减少由数据线所引起的寄生电容，并且平面有机层由一有机材料所形成的，而有机材料则是具有范围介于0.5-3.7的一介电常数。
此外，像素结构具有像素电极，具有第一部份和延伸自第一部份的第二部份，形成于该像素区中的遮蔽电极与平面有机层之上，其中第一部份与遮蔽电极重叠，以定义一储存电容器于其间，并且第二部份覆盖平面有机层，而未与数据线重叠。在一个具体实施方式中，像素电极为梳状电极。该像素电极以透明的导电性材料制成。
像素结构也具有第一绝缘层，形成于该扫描线和该数据线之间；第二绝缘层，形成于该数据线和该遮蔽电极之间；和第三绝缘层，形成于该遮蔽电极和该像素电极之间。
开关具有栅极、源极、漏极，分别电性连接于该扫描线、该数据线和该像素电极。开关的栅极形成于基板上，开关的源极和漏极形成于该第一绝缘层和该第二绝缘层之间。
在一个具体实施方式中，开关更包含半导体层，形成于源极、漏极和第一绝缘层之间。该半导体层包含形成于第一绝缘层之上的通道层，和一形成于该通道层之上的欧姆接触层。在一个具体实施方式中，通道层以非晶硅(amorphous silicon)形成，欧姆接触层以N+掺杂或化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)的半导体形成。开关等同于一薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。
本发明另一实施例是关于液晶显示器(LCD)，包含以矩阵方式排列的复数个像素结构。
本发明又一实施例是关于一种制造像素结构的方法。在一个具体实施方式中，此方法包含下列步骤：首先，提供基板，并于此基板上形成扫描线和栅极，所形成的栅极电性连接至扫描线。其次，在基板上形成第一绝缘层，并与扫描线和栅极部分重叠。
之后，半导体层形成在第一绝缘层之上，并与栅极部分重叠。在一个具体实施方式中，形成半导体层的步骤包含下列步骤：形成通道层在第一绝缘层之上，形成欧姆接触层在通道层之上，并图形化通道层和欧姆接触层以形成半导体层，欧姆接触层被图形化以具有第一部份和与第一部份分离的第二部份。其次，数据线形成于第一绝缘层之上。同时，分别在欧姆接触层的第一部份和第二部份之上形成源极和漏极。在另一步骤中，在形成通道层和欧姆接触层之后，可在通道层和欧姆接触层上进行前图形化步骤以定义通道层的形状。在形成源极和漏极之后，可进行图形化通道层和欧姆接触层的步骤，其中欧姆接触层被图形化以形成第一部份和与第一部份分离的第二部份，源极和漏极分别实质接触欧姆接触层的第一部份和第二部份。在另一步骤中，使用了半色调(half-tone)制程。在形成源极和漏极之后，可使用半色调光罩(half-tone mask)进行通道层和欧姆接触层的图形化步骤，其中欧姆接触层被图形化以形成第一部份和与第一部份分离的第二部份，且源极和漏极分别实质接触欧姆接触层的第一部份和第二部份。该栅极、通道层、欧姆接触层、源极和漏极定义一开关。
下一步骤为在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，与数据线和开关部分重叠。遮蔽电极形成于第二绝缘层之上以及开关之上。
接下来，第三绝缘层形成于第二绝缘层之上，覆盖(overlays)遮蔽电极。平面有机层依序形成于第三绝缘层上，使得平面有机层定位于数据线与像素区之上，并且未与遮蔽电极重叠。平面有机层包含一有机材料，并且其介电常数范围介于0.5-3.7之间。
之后，像素电极形成在第三绝缘层与平面有机层之上，其中像素电极具有第一部份，与遮蔽电极的第一部份重叠，用以定义其间的储存电容器；以及延伸自第一部份的第二部份，其覆盖平面有机层，而未与遮蔽电极的第二部份重叠。
开关的源极和漏极分别电性连接至数据线和像素电极。
通道层以非晶硅(amorphous silicon)形成，欧姆接触层以N+掺杂或化学气相沉积的半导体形成。
在一个具体实施方式中，遮蔽电极包含不透明的导电性材料。
像素电极为梳状电极。像素电极以透明的导电性材料制成。
在下面对于较佳的具体实施方式和其附图的叙述中，将可了解本发明的上述和其它的面向，在不偏离所揭露的新概念的精神和范围的情况下，可能有各种变更和修正。
附图说明
附图绘示了本发明的一或多个具体实施方式，并且与上述说明书内容共同解释本发明的原则。在附图中，相同的参考数字代表具体实施方式中相同或相似的元件，其中：
图1A-图1C为依据本发明的一具体实施方式所分别绘示一种像素结构的俯视图、强调储存电容的俯视图以及剖面图；
图2A-图2B为依据本发明的另一具体实施方式所分别绘示一种像素结构的俯视图以及强调储存电容的俯视图；
图3A-图3I为绘示图1A-图1C的像素结构，沿着线A-A’与线B-B’的制造像素结构的方法剖面图；
图4A-图4C为绘示图1A-图1C的像素结构，沿着线C-C’的制造像素结构的方法剖面图；
图5A和图5B所示为一般像素结构的简图，图5A为俯视图，图5B为特别强调储存电容的俯视图；及
图6A和图6B所示为另一现有的像素结构的简图，图6A为俯视图，图6B为特别强调储存电容的俯视图。
附图标号：
100像素结构       340像素电极
101扫描线         342第一部份
105像素区         344第二部份
110扫描线         350开关
120数据线         351栅极
122数据线         352通道层
130遮蔽电极       353接触部份
140像素电极       354接触部份
142第一部份        355源极
144第二部份        356漏极
150开关            358接触层
151栅极            359半导体层
152通道层          360储存电容器
153欧姆接触层      372绝缘层
154欧姆接触层      374绝缘层
155源极            376绝缘层
156漏极            500像素设计
160储存电容器      510像素电极
172绝缘层          520数据线
174绝缘层          530扫描线
176绝缘层          540遮蔽电极
180平面有机层      550开关
200像素结构        560区域
240像素电极        600像素设计
301基板            610像素电极
310扫描线          640遮蔽电极
320数据线          660储存电容区
330遮蔽电极
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，以让熟悉此技术者将能清楚明白其中的差异与变化，可参照以下所述的实施例。在下列段落中，对于本发明的各种实施方式予以详细叙述。所附的图式中，相同的号码代表相同或相似的元件。另外，于实施方式与申请专利范围中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则“一”与“该”可泛指单一个或复数个。并且，于实施方式与申请专利范围中，除非本文中有所特别限定，否则所提及的“在...中”也包含“在...里”与“在...上”的涵意。
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，可参照所附的图式及以下所述各种实施例，图式中相同的号码代表相同或相似的元件。另一方面，众所周知的元件与步骤并未描述于实施例中，以避免造成本发明不必要的限制。
关于本文中所使用的“约”、“大约”或“大致约”一般通常指数值的误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，而更佳地则是于百分之五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，即如“约”、“大约”或“大致约”所表示的误差或范围。
然而，至于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”及相似词汇，皆认定为开放式连接词。例如，“包含”表示元件、成分或步骤的组合中不排除权利要求未记载的元件、成分或步骤。
下列将对于本发明的实施方式及所对应的图1-图4，予以详细说明。根据本揭露的目的，以更具体且广泛地来阐述本发明的一种态样，即为关于一种与像素结构有关，以及包含多个以矩阵形式排列的像素结构的液晶显示器。请参考图1A-图1C，像素结构100具有扫描线110、数据线120、像素区105(定义为介于数据线120和相邻像素结构(未绘示)的数据线122之间)、开关150、遮蔽电极130、平面有机层180和像素电极140。开关150和像素电极140形成于像素区105之内。像素结构100更包含第一绝缘层172，第二绝缘层174和第三绝缘层176。开关150具有栅极151、源极155和漏极156，分别电性连接至扫描线110、数据线120和像素电极140。另外，开关150也包含通道层152、欧姆接触层153/154(形成于栅极151和源极155/漏极156之间)。在一个具体实施方式中，通道层152以非晶硅(amorphous silicon，a-Si)形成，欧姆接触层153/154以N+掺杂或化学气相沉积(CVD)半导体形成。开关150等同于薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。
栅极151、数据线120和扫描线110间隔形成于基板101之上。栅极151定义开关区域的范围。第一绝缘层172形成在基板101之上，并覆盖扫描线110和栅极151。通道层152形成在第一绝缘层172之上。通道层152层与栅极151部分重叠。欧姆接触层153/154形成在通道层152之上。欧姆接触层153/154具有第一部份153和一与第一部份153分离的第二部份154。数据线120和源极155、漏极156为同时形成。源极155和漏极156分别形成于欧姆接触层153/154的第一部份153和第二部份154之上。
第二绝缘层174形成在第一绝缘层172之上，并覆盖数据线120和开关150。遮蔽电极130形成在第二绝缘层174之上，且与开关150重叠。第三绝缘层176形成于第二绝缘层174之上，且覆盖遮蔽电极130。考虑到像素的阻抗，遮蔽电极130通常以不透明的导电性材料制成。
平面有机层180形成于第三绝缘层176上，使得平面有机层180定位于数据线120、扫描线110与像素区105之上，并且未与遮蔽电极130重叠。平面有机层180用以减少由像素电极140和数据线120之间所引起的寄生电容，并且平面有机层180包含一有机材料，其介电常数范围介于0.5-3.7之间。有机材料包含，丙烯酰基有机化合物(acryl organic compound)、BCB或PFCB，惟不以此为限。
像素电极140形成在第三绝缘层176与平面有机层180之上。像素电极包含与遮蔽电极130的第一部份132重叠的一第一部份142，以及延伸自第一部份142的一第二部份144。第一部分142与遮蔽电极130重叠。第二部份144覆盖平面有机层180，而未与遮蔽电极130以及数据线120重叠。像素电极140以透明的导电性材料制成，例如氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、非晶氧化铟锡(amorphous indium tin oxide，ITO)、多晶氧化铟锡(polymorphousindium tin oxide，poly ITO)，或其它类似物。
依据本发明，开关150形成于像素区105之内。遮蔽电极130、像素电极140的第一部份142、以及介于遮蔽电极130和像素电极140的第一部份142之间的第三绝缘层176，三者构成储存电容器160，适以产生储存电容。即，储存电容区160定义为：遮蔽电极130、像素电极140、和介于遮蔽电极130和像素电极140的第三绝缘层176，且位于开关150之上的区域。
如图1A和图1C所示，像素电极140的第二部份144覆盖平面有机层，而并未与遮蔽电极130以及数据线120重叠。因此，像素区105可用于最佳化传送光线，穿透像素电极140的第二部份144，并藉此增加像素的开口率。
在此例示的具体实施方式中，开关150形成于像素区105的中间区域。在实际应用中，开关150也可形成于像素区105其它区域的内部。
请参照图2A-图2B，其为依据本发明的一具体实施方式所绘示的像素结构200。像素结构200相似于图1A-图1C中所示的像素结构100，除了像素电极240具有梳状结构之外。因此，之于如像素结构200的设计，其像素的开口率方得以改善。
请参照图3A-图3I与图4A-图4C，其依据本发明的另一实施方式所绘示的一种用以制造一像素结构的方法/步骤。此方法包含下列步骤：首先，提供基板301。第一基板301的材质为玻璃、塑料，或其它类似物。之后，在基板301之上间隔形成扫描线310和栅极351。栅极351的材质为金属，例如Al、Mo、Cr、Ta或合金。栅极351电性连接于扫描线310。
第一绝缘层(栅绝缘层)372形成在基板301之上，且覆盖扫描线310和栅极351。第一绝缘层372的材质为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、或氮氧化硅(SiON)等。
之后，在第一绝缘层372上形成半导体层359。半导体层359包含通道层352(形成于第一绝缘层372之上，并与栅极351部分重叠)。在通道层352上形成欧姆接触层358，并图形化欧姆接触层358以形成第一接触部份353，和与第一接触部份353分离的第二接触部份354。通道层352可以非晶硅(a-Si)或其它类似物形成。接触层358可以掺杂的非晶硅形成，例如掺杂N+的非晶硅。在一个具体实施方式中，通道层352和接触层358的形成方式为，非晶硅(a-Si)和掺杂的非晶硅(N+掺杂a-Si或P+掺杂a-Si)先后以电浆辅助化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)沉积，之后再进行图形化。接着，形成数据线320、源极355和漏极356。源极355和漏极356分别形成于欧姆接触层的第一部份353和第二部份354之上。在另一步骤中，在形成通道层352和欧姆接触层358之后，可进行通道层352和欧姆接触层358的前图形化的步骤，以定义通道层352的形状。在形成源极355和漏极356之后，可进行通道层352和欧姆接触层358的图形化步骤，其中图形化欧姆接触层358以形成第一接触部份353，以及与第一接触部份353分离的第二接触部份354。源极355和漏极356分别实质接触于欧姆接触层358的第一接触部份353和第二接触部份354。在其它的步骤中则使用了半色调(half-tone)制程：在形成源极355和漏极356之后，以半色调光罩进行通道层352和欧姆接触层358的图形化步骤。其中，欧姆接触层358被图形化而形成第一接触部份353，和与第一接触部份353分离的第二接触部份354。源极355和漏极356分别实质接触于欧姆接触层358的第一接触部份353和第二接触部份354。
开关350的源极355和漏极356电性连接于数据线320和像素电极340。栅极351、栅绝缘层372、通道层352欧姆接触层358、源极355和漏极356定义出的开关350，其等同于一个薄膜晶体管(TFT)。
之后，第二绝缘层374形成于第一绝缘层372之上，并覆盖数据线320和开关350。接着，遮蔽电极330形成于第二绝缘层374之上。遮蔽电极330与开关350重叠。遮蔽电极330以不透明的导电性材料制成。
下一步骤为在第二绝缘层374之上形成覆盖遮蔽电极330的第三绝缘层376。
之后，平面有机层380形成于第三绝缘层376上，使得平面有机层380定位于数据线320、扫描线310与像素区之上，并且未与遮蔽电极330重叠。平面有机层380用以减少由像素电极340和数据线320之间所引起的寄生电容。平面有机层包含一有机材料，并且其介电常数范围介于0.5-3.7之间。有机材料包含，丙烯酰基有机化合物(acryl organic compound)、BCB或PFCB，惟不以此为限。
如图4A-图4C所示，首先，像素电极340形成在第三绝缘层376与平面有机层380之上。像素电极340具有第一部份342和延伸自第一部份342的第二部份344。像素电极340的第一部份342与遮蔽电极330重叠，进而与第三绝缘层376于其间定义出储存电容器360。像素电极340的第二部份344未与遮蔽电极330与数据线320重叠。像素电极340以透明的导电性材料制成。于此像素结构中，由于没有遮蔽电极重叠于数据线，因此功率负载得以实质地消除，从而降低其功率损耗。
综上所述，本发明主要详列出了一像素结构，包含开关、遮蔽电极、平面有机层和一个在多层结构的像素区内中所形成的像素电极。位于开关上的遮蔽电极和像素电极的第一部份，以及二者间的第三绝缘层，三者做为储存电容器以产生储存电容。另外，像素电极的第二部份未与遮蔽电极以及数据线重叠。基于此，像素区可使穿过像素电极的光线使用最佳化，并藉此增加像素的开口率。再者，由于平面有机层用以减少由像素电极和数据线之间所引起的寄生电容，并且没有遮蔽电极重叠于数据线，因此功率负载得以实质地消除，从而降低其功率损耗。
以上对于本发明典型的具体实施方式的叙述仅为了以图标和文字叙述本发明，并非为了彻底描述本发明或将本发明完全限制于所揭露的形式。由上述所教示的内容可启发各种修正和改良。
所选择并描述的具体实施方式是为了解释本发明的原则和其实际的应用，藉此促使其它在本技术中具有通常知识者可利用本发明和其各种具体实施方式，并通过各种具体的实施方式思考出合适的特定的使用模式。在维持本发明且没有悖离其精神和范围的情况下，此技术中具有通常知识者可发现其它的具体实施方式。基于此，本发明的范围由权利要求范围定义，而非由上述例示的具体实施方式的叙述定义。

Claims (22)

1.一种用于液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述的像素结构包含：
(a)一扫描线，形成于一基板之上；
(b)一数据线，形成于所述的基板之上；
(c)一像素区，与所述的扫描线和所述的数据线相关连；
(d)一开关，形成于所述的基板上的所述的像素区内部；
(e)一遮蔽电极，形成于所述的开关之上；
(f)一平面有机层，形成于所述的数据线与所述的像素区之上，并且未与所述的遮蔽电极重叠；及
(g)一像素电极，具有一第一部份和一延伸自所述的第一部份的第二部份，并形成于所述的像素区内的所述的遮蔽电极与所述的平面有机层之上，其中所述的第一部份与所述的遮蔽电极重叠，以定义一储存电容器于其间，并且所述的第二部份覆盖所述的平面有机层，而未与所述的数据线重叠，
其中所述的开关具有一栅极、一源极、和一漏极，分别电性连接至所述的扫描线、所述的数据线和所述的像素电极。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构更包含：
(a)一第一绝缘层，形成于所述的扫描线和所述的数据线之间；
(b)一第二绝缘层，形成于所述的数据线和所述的遮蔽电极之间；及
(c)一第三绝缘层，形成于所述的遮蔽电极和所述的像素电极之间。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，其中所述的开关的所述的栅极形成于所述的基板上，且所述的开关的所述的源极和所述的漏极形成于所述的第一绝缘层和所述的第二绝缘层之间。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，其中所述的开关更包含一半导体层，形成所述的源极和所述的漏极与所述的第一绝缘层之间。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，其中所述的半导体层包含一形成于所述的第一绝缘层之上的通道层，和一形成于所述的通道层之上的欧姆接触层。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，其中所述的通道层以非晶硅制成，且其中所述的欧姆接触层以N+掺杂或以化学气相沉积的半导体制成。
7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中所述的开关包含一薄膜晶体管。
8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中所述的平面有机层是用以减少，由所述的像素电极和所述的数据线之间所引起的寄生电容。
9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，其中所述的平面有机层是由一有机材料所形成的，并且所述的有机材料具有范围介于0.5-3.7的一介电常数。
10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中所述的遮蔽电极以不透明的导电性材料制成。
11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中所述的像素电极为梳状电极。
12.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中所述的像素电极以透明的导电性材料制成。
13.一种液晶显示器，其特征在于，所述的液晶显示器包含复数个以矩阵方式排列的如权利要求1所述的像素结构。
14.一种制造像素结构的方法，其特征在于，所述的方法包含下列步骤：
(a)提供一基板；
(b)形成一扫描线和一栅极于所述的基板上，其中所述的栅极电性连接至所述的扫描线；
(c)形成一第一绝缘层于所述的基板上，覆盖所述的扫描线和所述的栅极；
(d)形成一半导体层于所述的第一绝缘层之上，其中所述的半导体层与所述的栅极部分重叠；
(e)分别形成一源极和一漏极于所述的半导体层之上，和形成一数据线于所述的第一绝缘层之上，其中所述的源极电性连接至所述的数据线，且其中所述的栅极、所述的半导体层、所述的源极和所述的漏极定义出一开关；
(f)形成一第二绝缘层在所述的第一绝缘层之上，覆盖所述的数据线和所述的开关；
(g)形成一遮蔽电极于所述的开关之上；
(h)形成一第三绝缘层在所述的第二绝缘层之上，以覆盖所述的遮蔽电极；
(i)形成一平面有机层于所述的第三绝缘层之上，使得所述的平面有机层定位于所述的数据线与一像素区之上，并且未与所述的遮蔽电极重叠，其中所述的像素区，与所述的扫描线和所述的数据线相关连；及
(j)形成一像素电极于所述的第三绝缘层与所述的平面有机层之上，其中所述的像素电极具有一第一部份，与所述的遮蔽电极的第一部份重叠，以定义一储存电容器于其间，以及一延伸自所述的第一部份的第二部份，其中所述的像素电极的第二部份覆盖所述的平面有机层，而未与所述的遮蔽电极的第二部份重叠，
其中所述的开关的所述的源极和所述的漏极分别电性连接至所述的数据线和所述的像素电极。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中形成所述的半导体层的步骤包含下列步骤：
(a)形成一通道层于所述的第一绝缘层之上；
(b)形成一欧姆接触层于所述的通道层之上；及
(c)图形化所述的通道层和所述的欧姆接触层，以形成所述的用来形成所述的源极和所述的漏极的半导体层。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述的通道层以非晶硅制成，且其中所述的欧姆接触层以N+掺杂或化学气相沉积的半导体形成。
17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，其中所述的欧姆接触层被图形化以形成一第一部份和一与所述的第一部份分离的第二部份，且所述的源极和漏极分别实质接触所述的欧姆接触层的所述的第一部份和所述的第二部份。
18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述的遮蔽电极包含不透明的导电材料。
19.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述的平面有机层包含一有机材料，并且所述的有机材料具有范围介于0.5-3.7的一介电常数。
20.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述的像素电极为梳状电极。
21.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述的像素电极以透明的导电材料制成。
22.如权利要求14项所述的方法，其特征在于，其中形成一平面有机层的所述的步骤，更包含蚀刻于所述的遮蔽电极的上方的所述的平面有机层的所述的区域。
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