CN101989015A - 一种tft阵列结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露了一种TFT阵列结构及其制造方法，所述TFT阵列结构包括：基板；形成于基板上的栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极；形成于栅电极上的栅电极绝缘层；形成于栅电极绝缘层上的半导体有源层；形成于栅电极绝缘层上的数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，其中漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；形成于栅电极绝缘层上的公共电极；形成于数据线、漏电极、源电极和公共电极上的钝化层，并在漏电极上形成钝化层过孔；形成于钝化层上的像素电极，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；其中，公共电极至少部分采用透明材料。本发明提供的TFT阵列结构可以兼顾开口率的提高、存储电容的优化和引线电阻的降低。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列结构及其制造方法。
背景技术
随着对信息显示的关注和对便携式信息介质的需求的增加，对平板显示技术的研究正在蓬勃展开。其中，薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)由于具有微功耗、低工作电压、无X射线辐射、高清晰度、小体积等优点，目前广泛应用于手机、掌上电脑(Personal DigitalAssistant，PDA)等便携式电子产品中。随着显示屏的尺寸、分辨率以及显示颜色种类的不断增加，实现低功耗和高亮度显示是目前TFT-LCD的主要发展方向，这就对TFT阵列的结构和制造工艺提出了更高的要求。
降低功耗，提高显示屏亮度，对显示像素来讲就是提高像素的开口率，优化像素存储电容Cs，减小像素占据的显示面积。因此，TFT阵列的设计需要兼顾提高开口率、优化存储电容和保证显示性能等多方面因素。为了提高开口率以满足高分辨率液晶屏对显示亮度的要求，人们提出了栅电极扫描线上存储电容(Cs-on-gate)方式。栅电极扫描线上存储电容是利用透明像素电极薄膜延伸至栅电极扫描线上方形成像素存储电容。图1为现有技术的采用此电容的TFT阵列结构的俯视图。图中，TFT阵列结构包括栅电极扫描线11和与之相交的数据线12，TFT 13形成于所述栅电极扫描线11与所述数据线12的交点处，透明像素电极薄膜14延伸至栅电极扫描线11上方，交叠的部分形成像素存储电容15。这种方式虽然能较好地改善开口率，但是由于增大了栅电极扫描线和数据线与存储电容间的交叠面积，一方面易于引起阵列中的点或线缺陷，另一方面增大了信号线上的寄生电容，加重了信号传输中的延迟现象。此外，存储电容的下电极(即栅电极扫描线)为遮光材料，因此无法兼顾开口率的提高和存储电容的优化这两个方面。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种TFT阵列结构及其制造方法，可同时实现开口率的提高以及存储电容的优化。
本发明提供一种TFT阵列结构，包括：
基板；
栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极，形成于所述基板上；
栅电极绝缘层，形成于所述栅电极扫描线和栅电极上；
半导体有源层，形成于所述栅电极绝缘层上；
数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，形成于所述栅电极绝缘层上，其中，漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；
公共电极，形成于所述栅电极绝缘层上；
钝化层，形成于所述数据线、漏电极、源电极和公共电极上，并在所述漏电极上形成钝化层过孔；
像素电极，形成于钝化层上，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；
其中，所述公共电极至少部分采用透明材料。
进一步的，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，其中，所述第一公共电极与所述像素电极相交叠以形成存储电容，所述第二公共电极作为引线以连接位于同一行的或同一列的相邻的所述第一公共电极。
进一步的，所述第一公共电极的面积比所述第二公共电极面积大。
进一步的，所述公共电极包括一段所述第一公共电极。
进一步的，所述公共电极包括至少两段所述第一公共电极。
进一步的，第一公共电极采用透明材料，第二公共电极采用不透明材料。
进一步的，所述第二公共电极为双层薄膜结构。
进一步的，所述数据线、漏电极和源电极为双层薄膜结构。
进一步的，所述双层薄膜结构由透明导电薄膜和不透明导电薄膜所构成。
进一步的，所述透明导电薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述不透明导电薄膜材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。
进一步的，所述公共电极全部采用透明材料。
进一步的，所述透明材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
进一步的，所述TFT阵列结构还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层形成于所述半导体有源层之上，且位于所述源电极和所述漏电极之下。
进一步的，所述欧姆接触层材料为掺杂非晶硅或掺杂多晶硅。
进一步的，所述TFT阵列结构还包括有机膜层，所述有机膜层形成于钝化层之上，且位于所述像素电极之下。
进一步的，所述有机膜层材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺。
进一步的，所述栅电极扫描线材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。
进一步的，所述半导体有源层材料为非晶硅或多晶硅。
进一步的，所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
进一步的，所述栅电极绝缘层材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。
进一步的，所述钝化层材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。
本发明还提供了一种TFT阵列结构的制造方法，包括：
步骤1，在基板上沉积栅金属层薄膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成栅电极扫描线和栅电极；
步骤2，在完成步骤1的基板上依次沉积栅电极绝缘层薄膜、半导体层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成栅电极绝缘层、半导体有源层和欧姆接触层；
步骤3，在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和不透明导电薄膜，采用半色调掩模板，通过光刻、刻蚀和去胶工艺形成数据线、漏电极、源电极和公共电极；
步骤4，在完成步骤3的基板上沉积钝化层薄膜后，涂覆有机膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成钝化层、有机膜层和露出漏电极的开孔；
步骤5，在完成步骤4的基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成像素电极和连通至漏电极的钝化层过孔；
其中，所述公共电极至少部分采用透明材料。
进一步的，所述有机膜层材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺。
进一步的，所述步骤3具体包括以下步骤：在所述基板上依次沉积所述透明导电薄膜、不透明导电薄膜和光刻胶膜；采用半色调掩模板，经过曝光形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有与位置相关的厚度，刻蚀未被光刻胶膜覆盖的不透明导电薄膜、透明导电薄膜和欧姆接触层，形成导电沟道；减小所述光刻胶图形的高度，以露出与像素电极交叠的公共电极区域上的不透明导电薄膜；刻蚀所述与像素电极交叠的公共电极区域上的不透明导电薄膜后，去除剩余的光刻胶，形成数据线、漏电极、源电极、公共电极。
进一步的，所述透明导电薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述不透明导电薄膜材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。
与现有技术相比，本发明提出的TFT阵列结构及其制造方法，利用半色调掩模板，在像素电极的下方形成至少部分透明的公共电极，从而用透明的公共电极代替不透明的公共电极与像素电极形成存储电容结构，大幅度提高了开口率，同时可以通过增加透明的公用电极的宽度，在不影响开口率的情况下增加存储电容，此外，作为引线用的公共电极为双层薄膜结构，可以降低引线电阻，达到兼顾开口率、存储电容和引线电阻的优化设计。
附图说明
图1为现有技术的采用栅极线上存储电容的TFT阵列结构的俯视图；
图2A为本发明第一实施例提出的TFT阵列结构的俯视图；
图2B为图1A中A-A向的截面图；
图3A至3G为本发明第一实施例提出的TFT阵列结构的制造方法的各步骤
相应结构的剖面示意图；
图4为本发明第二实施例提出的TFT阵列结构的俯视图；
图5为本发明第三实施例提出的TFT阵列结构的俯视图；
图6为本发明第四实施例提出的TFT阵列结构的俯视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。
在背景技术中已经提及，现有TFT阵列结构中存储电容的下电极(即公共电极)均为遮光材料，因此无法兼顾开口率的提高和存储电容的优化这两个方面。
本发明的核心思想在于，利用半色调掩模板，在像素电极的下方形成至少部分透明的公共电极，从而用透明的公共电极代替不透明的公共电极与像素电极形成存储电容结构，可以大幅度提高开口率，同时可以通过增加透明的公用电极的宽度，在不影响开口率的情况下增加存储电容，达到兼顾开口率的提高和存储电容的优化的目的。
图2A和图2B给出了本发明第一实施例提出的TFT阵列结构俯视图和A-A向的截面图。如图所示，TFT阵列结构100包括：基板110；形成于基板110上的栅电极扫描线121和与所述栅电极扫描线121一体的栅电极122；形成于栅电极122上的栅电极绝缘层131；形成于栅电极绝缘层131上的半导体有源层141；形成于栅电极绝缘层131上的数据线132、漏电极162、与所述数据线132一体的源电极161，其中漏电极162和源电极161部分搭接到所述半导体有源层141上；形成于栅电极绝缘层131上的公共电极133(图2A中虚线框部分)；形成于数据线132、漏电极162、源电极161和公共电极133上的钝化层171，并在漏电极162上形成钝化层过孔172；形成于钝化层171上的像素电极191，并通过所述漏电极162上的钝化层过孔172与所述漏电极162相连；其中，公共电极133至少部分采用透明材料。
较佳的，公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，其中，第一公共电极与像素电极相交叠以形成存储电容，而第二公共电极作为引线以连接位于同一行的或同一列的相邻的第一公共电极。较佳的，第一公共电极的面积比第二公共电极面积大。在本实施例中，公共电极133包括一段第一公共电极133A和两段第二公共电极133B1、133B2，其中，第一公共电极133A采用透明材料，第二公共电极133B1、133B2采用不透明材料。
较佳的，所述TFT阵列结构100还包括欧姆接触层151，所述欧姆接触层151形成于所述半导体有源层141之上，且位于所述源电极161和所述漏电极162之下。
较佳的，所述TFT阵列结构100还包括有机膜层181，所述有机膜层181形成于钝化层171之上，且位于所述像素电极191之下。
下面将结合剖面示意图对本发明提供的TFT阵列结构及其制造方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此下列描述并不作为对本发明的限制。
图3A至图3G为本发明第一实施例提出的TFT阵列结构的制造方法的各步骤相应结构的剖面示意图。
首先，在基板110上，通过物理气相沉积(PVD)或者化学气相沉积(CVD)的方式沉积栅金属层薄膜，采用栅极掩模板(未图示)，通过光刻和刻蚀工艺，在基板上形成栅电极扫描线(未图示)和栅电极122。接着，在形成有栅电极扫描线和栅电极122的基板上通过化学气相沉积(CVD)的方式连续沉积栅电极绝缘层薄膜、半导体有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，采用半导体有源层的掩模板(未图示)，通过光刻和刻蚀工艺，顺序形成栅电极绝缘层131、半导体有源层141和欧姆接触层151，如图3A所示。其中，欧姆接触层151用于减小源电极和漏电极与半导体有源层的源区和漏区之间的接触电阻。
优选的，基板110为玻璃、石英或塑料等绝缘材质。所述栅金属层薄膜的材料可以为诸如Mo、Cr、W、Ti、Ta、Al、或Cu中的一种或至少两种以上组合所形成的合金。所述栅电极绝缘层薄膜的材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。所述半导体有源层薄膜的材料为非晶硅(简写成“a-Si”)或多晶硅。所述欧姆接触层薄膜的材料为掺杂非晶硅或掺杂多晶硅。具体地，在本发明第一实施例中所述半导体有源层薄膜的材料为氢化非晶硅，所述欧姆接触层薄膜的材料为掺杂氢化非晶硅。
其中，栅金属层薄膜、栅电极绝缘层薄膜、半导体有源层薄膜以及欧姆接触层薄膜的厚度根据实际的需要设定，本领域技术人员可以通过实验获得具体的工艺参数，例如，栅金属层薄膜的厚度为2500埃，栅电极绝缘层薄膜的厚度为2000埃，半导体有源层薄膜的厚度为2500埃，欧姆接触层薄膜的厚度为1000埃。
接着，通过物理气相沉积(PVD)的方式连续沉积透明导电薄膜160A和不透明导电薄膜160B，如图3B所示。所述透明导电薄膜160A的材料为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，所述不透明导电薄膜160B的材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或至少两种以上组合所形成的合金。
接下来，如图3C所示，在不透明导电薄膜160B上沉积一定厚度的光刻胶膜，通过半色调掩模板(HalfTone Mask)使所述光刻胶曝光并显影，形成光刻胶图形，露出不透明导电薄膜160B的一部分。所述半色调掩模板包括透明基板112以及局部形成于透明基板112上的可以部分传输紫外光UV的半色调图案113A和113B。其中，半色调图案113A为半色调材料A构成的单层半色调层，半色调图案113B为半色调材料A和半色调材料B构成的双层半色调层。半色调材料A和半色调材料B构成的双层半色调层比仅由半色调材料A构成的单层半色调层具有更低的透光率，因此，紫外光透过半色调图案113A后比透过半色调图案113B具有更高的光能量，从而使得显影后的光刻胶图形对应于半色调图案113A和113B的区域分别具有不同的厚度h1和h2。其中，厚度为h1的较薄的光刻胶区对应于第一公共电极133A的位置，厚度为h2的较厚的光刻胶区对应于数据线、漏电极和源电极的位置。
然后，刻蚀未被光刻胶覆盖的不透明导电薄膜160B、透明导电薄膜160A和欧姆接触层151，形成导电沟道。通过光刻胶挥发工艺去除h1厚度的光刻胶，露出对应于第一公共电极133A的位置上的不透明导电薄膜160B，并保留对应于数据线、漏电极和源电极的位置上的光刻胶，其光刻胶厚度从h2减小为h2-h1，如图3D所示。
继续参考图3D和3E，刻蚀原较薄的光刻胶区保护的不透明导电薄膜160B，露出透明导电薄膜160A，再去除剩余的光刻胶，形成双层薄膜结构的数据线132、双层薄膜结构的漏电极162、双层薄膜结构的源电极161和双层薄膜结构的不透明的第二公共电极133B1、133B2(参考图2A)，以及单层薄膜结构的透明的第一公共电极133A。
之后，通过化学气相沉积的方式沉积钝化层薄膜，再通过旋涂方法或狭缝涂布方法涂覆有机膜，通过光刻和刻蚀工艺，形成钝化层171、有机膜层181和露出漏电极162的开孔，如图3F所示。其中，所述钝化层薄膜的材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物，所述有机膜的材料为丙烯酸树脂(Acrylic Resin)或聚酰亚胺(Polymide)。
最后，如图3G所示，沉积像素电极薄膜，采用像素电极掩模板(未图示)，通过光刻和刻蚀工艺，形成像素电极191和连通至漏电极162的钝化层过孔172。所述像素电极191的材料为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，且通过所述漏电极162上的钝化层过孔172与所述漏电极162相连。其中，像素电极191与第一公共电极133A相交叠，构成存储电容。
综上所述，所述TFT阵列结构100包括栅电极扫描线121和与之相交的数据线132，TFT形成于所述栅电极扫描线121与所述数据线132的交点处，像素电极191与TFT的漏电极162相连，像素电极191和透明的第一公共电极133A构成存储电容。
本发明第一实施例所提供的TFT阵列结构及其制造方法，利用半色调掩模板，在与像素电极相交叠的区域形成透明的第一公共电极，从而用透明的公共电极代替不透明的公共电极与像素电极形成存储电容结构，大幅度提高了开口率，同时可以通过增加透明的公用电极的宽度，在不影响开口率的情况下增加存储电容，而且第二公共电极为双层薄膜结构，可以降低引线电阻，达到兼顾开口率、存储电容和引线电阻的优化设计。
图4为本发明第二实施例提出的TFT阵列结构的俯视图，其与第一实施例的相同部分就不再赘述。TFT阵列结构200的公共电极233(虚线框部分)可以包括至少两段第一公共电极。本实施例中，公共电极233包括两段第一公共电极233A1、233A2和三段第二公共电极233B1、233B2、233B3，第二公共电极233B2作为引线连接第一公共电极233A1和233A2。其中，第一公共电极233A1、233A2采用透明材料，第二公共电极233B1、233B2、233B3采用不透明材料。
图5为本发明第三实施例提出的TFT阵列结构的俯视图，其与第一实施例的相同部分就不再赘述。在本实施例中，TFT阵列结构300的公共电极333(虚线框部分)包括一段第一公共电极333A和两段第二公共电极333B1、333B2。其中，公共电极333全部采用透明材料。
图6为本发明第四实施例提出的TFT阵列结构的俯视图，其与第一实施例的相同部分就不再赘述。TFT阵列结构400的公共电极433(虚线框部分)可以包括至少两段第一公共电极。本实施例中，公共电极433包括两段第一公共电极433A1、433A2和三段第二公共电极433B1、433B2、433B3，第二公共电极433B2作为引线连接第一公共电极433A1和433A2。其中，公共电极433全部采用透明材料。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (25)
1.一种TFT阵列结构，其特征在于，包括：
基板；
栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极，形成于所述基板上；
栅电极绝缘层，形成于所述栅电极扫描线和栅电极上；
半导体有源层，形成于所述栅电极绝缘层上；
数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，形成于所述栅电极绝缘层上，其中，漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；
公共电极，形成于所述栅电极绝缘层上；
钝化层，形成于所述数据线、漏电极、源电极和公共电极上，并在所述漏电极上形成钝化层过孔；
像素电极，形成于钝化层上，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；
其中，所述公共电极至少部分采用透明材料。
2.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，其中，所述第一公共电极与所述像素电极相交叠以形成存储电容，所述第二公共电极作为引线以连接位于同一行的或同一列的相邻的所述第一公共电极。
3.如权利要求2所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述第一公共电极的面积比所述第二公共电极面积大。
4.如权利要求2中任一项所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述公共电极包括一段所述第一公共电极。
5.如权利要求2中任一项所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述公共电极包括至少两段所述第一公共电极。
6.如权利要求2～5中任一项所述的TFT阵列结构，其特征在于，第一公共电极采用透明材料，第二公共电极采用不透明材料。
7.如权利要求6所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述第二公共电极为双层薄膜结构。
8.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述数据线、漏电极和源电极为双层薄膜结构。
9.如权利要求7或8中任一项所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述双层薄膜结构由透明导电薄膜和不透明导电薄膜所构成。
10.如权利要求9所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述透明导电薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述不透明导电薄膜材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。
11.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述公共电极全部采用透明材料。
12.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述透明材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
13.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述TFT阵列结构还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层形成于所述半导体有源层之上，且位于所述源电极和所述漏电极之下。
14.如权利要求13所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述欧姆接触层材料为掺杂非晶硅或掺杂多晶硅。
15.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述TFT阵列结构还包括有机膜层，所述有机膜层形成于钝化层之上，且位于所述像素电极之下。
16.如权利要求15所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述有机膜层材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺。
17.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述栅电极扫描线材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。
18.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述半导体有源层材料为非晶硅或多晶硅。
19.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
20.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述栅电极绝缘层材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。
21.如权利要求1所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述钝化层材料为氧化物、氮化物或氧氮化合物。
22.一种TFT阵列结构的制造方法，包括：
步骤1，在基板上沉积栅金属层薄膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成栅电极扫描线和栅电极；
步骤2，在完成步骤1的基板上依次沉积栅电极绝缘层薄膜、半导体层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成栅电极绝缘层、半导体有源层和欧姆接触层；
步骤3，在完成步骤2的基板上依次沉积透明导电薄膜和不透明导电薄膜，采用半色调掩模板，通过光刻、刻蚀和去胶工艺形成数据线、漏电极、源电极和公共电极；
步骤4，在完成步骤3的基板上沉积钝化层薄膜后，涂覆有机膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成钝化层、有机膜层和露出漏电极的开孔；
步骤5，在完成步骤4的基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻、刻蚀和去胶工艺，形成像素电极和连通至漏电极的钝化层过孔；
其中，所述公共电极至少部分采用透明材料。
23.如权利要求22所述的TFT阵列结构，其特征在于，所述有机膜层材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺。
24.如权利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括以下步骤：
在所述基板上依次沉积所述透明导电薄膜、不透明导电薄膜和光刻胶膜；
采用半色调掩模板，经过曝光形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有与位置相关的厚度，刻蚀未被光刻胶膜覆盖的不透明导电薄膜、透明导电薄膜和欧姆接触层，形成导电沟道；
减小所述光刻胶图形的高度，以露出与像素电极交叠的公共电极区域上的不透明导电薄膜；
刻蚀所述与像素电极交叠的公共电极区域上的不透明导电薄膜后，去除剩余的光刻胶，形成数据线、漏电极、源电极、公共电极。
25.如权利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述透明导电薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述不透明导电薄膜材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。
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