CN101870037A - 激光加工装置 - Google Patents
激光加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101870037A CN101870037A CN201010162652A CN201010162652A CN101870037A CN 101870037 A CN101870037 A CN 101870037A CN 201010162652 A CN201010162652 A CN 201010162652A CN 201010162652 A CN201010162652 A CN 201010162652A CN 101870037 A CN101870037 A CN 101870037A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- laser beam
- cover
- chuck table
- accommodated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/1224—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明提供一种激光加工装置,其能够向被加工物的预定位置可靠地照射激光束,并且能够防止因照射激光束而产生的碎屑的影响。所述激光加工装置是具有保持被加工物的卡盘工作台和向保持于卡盘工作台的被加工物照射激光束的激光束照射构件的激光加工装置,该激光加工装置包括:水收容罩,其具有环状侧壁和顶壁,并且具有供水孔和排水孔,环状侧壁围绕着保持于卡盘工作台的被加工物,顶壁由封闭环状侧壁的上表面的透明部件形成;水收容罩定位构件,其将水收容罩有选择地定位于待机位置和作用位置,待机位置是水收容罩离开卡盘工作台的位置,作用位置是水收容罩包围保持于卡盘工作台的被加工物的位置;以及供水构件,其与供水孔连接。
Description
技术领域
本发明涉及向被加工物的预定区域照射激光束来实施预定的激光加工的激光加工装置。
背景技术
在半导体器件制造工序中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面,通过呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域形成IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(Large-scaleIntegration大规模集成电路)等器件。然后,通过将半导体晶片沿间隔道切断,来对形成有器件的区域进行分割,从而制造出一个个器件。此外,对于在蓝宝石基板的表面层叠氮化镓类化合物半导体等而成的光器件晶片,也通过沿着间隔道进行切断来分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件,并广泛应用于电气设备。
作为沿着间隔道分割上述半导体晶片或光器件晶片等晶片的方法,提出有这样的方法:通过沿着形成于晶片的间隔道照射脉冲激光束来形成激光加工槽,并沿着该激光加工槽进行断裂(例如,参照专利文献1)。
但是,存在这样的问题:当沿着晶片的间隔道照射激光束时,热能集中于被照射的区域,从而产生碎屑(debris),该碎屑附着在器件的表面,从而使器件的品质降低。
为了防止因向被加工物照射上述激光束而产生的碎屑的影响,提出有这样的激光加工方法:在照射激光束之前,在被加工物的表面利用聚乙烯醇等液态树脂覆盖保护覆膜,在透过该保护覆膜向被加工物照射了激光束后,除去覆盖于被加工物表面的保护覆膜(例如,参照专利文献2)。
但是,根据上述专利文献2中记载的激光加工方法,当在被加工物表面覆盖了保护覆膜后,需要有使保护覆膜干燥的工序,并且在透过保护覆膜向被加工物照射了激光束后,必须除去覆盖于被加工物表面的保护覆膜,存在生产效率差的问题。此外,形成保护覆膜的聚乙烯醇等液态树脂价格较高、不经济。
为了消除上述问题,在下述专利文献3中公开了这样的激光加工方法:在保持于卡盘工作台的被加工物的表面形成水层,向被激光束照射构件照射激光束的被加工物的被照射部喷射压缩空气,来除去被照射部的水层,并同时从激光束照射构件照射激光束,从而对被加工物实施激光加工。
专利文献1:日本特开平10-305420号公报
专利文献2:日本特开2004-188475号公报
专利文献3:日本特开2007-181856号公报
但是,由于保持被加工物的卡盘工作台相对于激光束照射构件在加工方向移动,所以水移动,从而水会流入被喷射过压缩空气的被照射部,所以难以可靠地除去被照射部的水层。当在水局部残留于被照射部的状态下照射激光束时,激光束的聚光点位置由于折射率的关系而发生变化,存在无法向被加工物的预定位置照射激光束的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供一种激光加工装置,该激光加工装置能够向被加工物的预定位置可靠地照射激光束,并且能够防止因照射激光束而产生的碎屑的影响。
为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种激光加工装置,该激光加工装置包括:卡盘工作台,其保持被加工物;以及激光束照射构件,其向保持于所述卡盘工作台的被加工物照射激光束,所述激光加工装置的特征在于,该激光加工装置还包括:水收容罩,其具有环状侧壁和顶壁,并且具有供水孔和排水孔,所述环状侧壁围绕着保持于所述卡盘工作台的被加工物,所述顶壁由封闭所述环状侧壁的上表面的透明部件形成;水收容罩定位构件,其将所述水收容罩有选择地定位于待机位置和作用位置,所述待机位置是所述水收容罩离开所述卡盘工作台的位置,所述作用位置是所述水收容罩将保持于所述卡盘工作台的被加工物包围起来的位置;以及供水构件,其与所述供水孔连接,在所述激光加工装置中,使所述水收容罩定位构件工作以将所述水收容罩定位于所述作用位置,使所述供水构件工作从而用水充满所述水收容罩内并且使水从排水孔排出,同时使所述激光束照射构件工作,从而透过所述水收容罩的所述顶壁和该水收容罩内的水向被加工物照射激光束。
根据本发明,使水收容罩定位构件工作,以将水收容罩定位于作用位置,使供水构件工作从而用水充满水收容罩内并且使水从排水孔排出,同时使激光束照射构件工作,从而透过水收容罩的顶壁和水收容罩内的水向被加工物照射激光束,所以即使卡盘工作台移动,水的表面也很稳定而不会发生变化,因此激光束的聚光点不会变动。此外,热能集中于被照射了激光束的区域,产生碎屑并且该碎屑飞溅,但是由于飞溅的碎屑浮游于水中而从排水孔排出,所以不会附着于被加工物的表面。
附图说明
图1是按照本发明构成的激光加工装置的立体图。
图2是装备于图1所示的激光加工装置的卡盘工作台的剖视图。
图3是构成装备于图1所示的激光加工装置的水收容罩机构的水收容罩的剖视图。
图4是表示作为被加工物的半导体晶片粘贴在安装于环状框架的粘接带上的状态的立体图。
图5是表示使构成图3所示的水收容罩机构的水收容罩围绕保持于卡盘工作台的作为被加工物的半导体晶片地进行了定位的状态的剖视图。
图6是通过图1所示的激光加工装置实施的激光束照射工序的说明图。
图7是表示在图6所示的激光束照射工序中照射的激光束的聚光点的说明图。
图8是实施了图6所示的激光束照射工序的作为被加工物的半导体晶片的主要部分的放大剖视图。
标号说明
2:静止基座;3:卡盘工作台机构;31、31:一对导轨;32:第一滑动块;33:第二滑动块;36:卡盘工作台;37:加工进给构件;38:第一分度进给构件;4:激光束照射单元支承机构;41、41:一对导轨;42:可动支承基座;43:第二分度进给构件;5:激光束照射单元;51:单元保持架;52:激光束照射构件;522:聚光器;6:摄像构件;7:水收容罩机构;71:水收容罩;72:支承臂;73:空气缸;74:电动马达;10:半导体晶片;11:环状框架;12:粘接带。
具体实施方式
下面,参照附图,对按照本发明构成的激光加工装置的优选实施方式进行详细说明。
在图1中示出了按照本发明构成的激光加工装置的立体图。图1所示的激光加工装置包括:静止基座2;卡盘工作台机构3,其以能够在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)移动的方式配设于所述静止基座2,卡盘工作台机构3用于保持被加工物;激光束照射单元支承机构4,其以能够在与上述箭头X所示的方向(X轴方向)垂直的箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设于静止基座2;以及激光束照射单元5,其以能够在箭头Z所示的聚光点位置调整方向(Z轴方向)移动的方式配设于所述激光束照射单元支承机构4。
上述卡盘工作台机构3包括:一对导轨31、31,它们沿着箭头X所示的加工进给方向平行地配设在静止基座2上;第一滑动块32,其以能够在X轴方向移动的方式配设在所述导轨31、31上;第二滑动块33,其以能够在Y轴方向移动的方式配设在所述第一滑动块32上;罩体工作台35,其通过圆筒部件34支承在所述第二滑动块33上;以及作为被加工物保持构件的卡盘工作台36。
参照图2,对上述卡盘工作台36进行说明。
图2所示的卡盘工作台36由吸附卡盘362和圆柱状的主体361构成,该吸附卡盘362配设于该圆柱状主体361的上表面、且由具有通气性的多孔陶瓷形成。主体361由不锈钢等金属材料形成,在该主体361的上表面设置有圆形的配合凹部361a。在该配合凹部361a设置有环状的载置架361b,吸附卡盘362被载置于该载置架361b的底面的外周部。此外,在主体361设置有向配合凹部361a开口的抽吸通道361c,该抽吸通道361c与未图示的抽吸构件连通。因此,当未图示的抽吸构件工作时,经由抽吸通道361c对配合凹部361a作用有负压。该负压作用于由多孔陶瓷形成的吸附卡盘362的表面,从而抽吸保持在吸附卡盘362上载置的被加工物。这样构成的卡盘工作台36构成为:主体361经轴承363以能够旋转的方式支承在配设于上述第二滑动块33的上表面的圆筒状的支承筒体34,卡盘工作台36能够通过未图示的旋转驱动构件而适当转动。另外,在支承筒体34的上端配设有罩体工作台35。在构成上述卡盘工作台36的主体361的上部形成有环状槽361d。在该环状槽361d内配设有四个夹紧器364的基部,该夹紧器364的基部通过适当的固定构件安装于主体361。
上述第一滑动块32在其下表面设置有与上述一对导轨31、31配合的一对被引导槽321、321,并且在其上表面设置有沿着Y轴方向平行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第一滑动块32通过被引导槽321、321与一对导轨31、31配合而构成为能够沿着一对导轨31、31在X轴方向移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有加工进给构件37,该加工进给构件37用于使第一滑动块32沿着一对导轨31、31在X轴方向移动。加工进给构件37包括:平行地配设于上述一对导轨31和31之间的外螺纹杆371;以及用于驱动该外螺纹杆371旋转的脉冲马达372等驱动源。外螺纹杆371的一端以能够自如旋转的方式支承在固定于上述静止基座2的轴支承块373,外螺纹杆371的另一端与上述脉冲马达372的输出轴传动连接。另外,外螺纹杆371与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合,该内螺纹块凸出地设置于第一滑动块32的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达372驱动外螺纹杆371正转和反转,第一滑动块32沿着导轨31、31在X轴方向移动。
上述第二滑动块33的X轴方向的一侧向近前侧凸出地形成,该凸出部33a作为配设后述水收容罩机构的载置台而发挥功能。这样形成的第二滑动块33在下表面设置有一对被引导槽331、331,这一对被引导槽331、331与设置于上述第一滑动块32的上表面的一对导轨322、322配合,通过将该被引导槽331、331与一对导轨322、322配合,所述第二滑动块33构成为能够在Y轴方向移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有第一分度进给构件38,该第一分度进给构件38用于使第二滑动块33沿着设置于第一滑动块32的一对导轨322、322在Y轴方向移动。该第一分度进给构件38包括:平行地配设于上述一对导轨322和322之间的外螺纹杆381;以及用于驱动该外螺纹杆381旋转的脉冲马达382等驱动源。外螺纹杆381的一端以能够自如旋转的方式支承在固定于上述第一滑动块32上表面的轴支承块383,外螺纹杆381的另一端与上述脉冲马达382的输出轴传动连接。另外,外螺纹杆381与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合,该内螺纹块凸出地设置于第二滑动块33的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达382驱动外螺纹杆381正转和反转,第二滑动块33沿着导轨322、322在Y轴方向移动。
上述激光束照射单元支承机构4包括:一对导轨41、41,它们沿着Y轴方向平行地配设在静止基座2上;以及可动支承基座42,其以能够在箭头Y所示的方向移动的方式配设在所述导轨41、41上。该可动支承基座42具有:以能够移动的方式配设在导轨41、41上的移动支承部421;以及安装于该移动支承部421的安装部422。安装部422在一个侧面平行地设置有沿Z轴方向延伸的一对导轨423、423。图示的实施方式中的激光束照射单元支承机构4具有第二分度进给构件43,该第二分度进给构件43用于使可动支承基座42沿着一对导轨41、41在Y轴方向移动。该第二分度进给构件43包括:平行地配设于上述一对导轨41和41之间的外螺纹杆431;以及用于驱动该外螺纹杆431旋转的脉冲马达432等驱动源。外螺纹杆431的一端以能够自如旋转的方式支承在固定于上述静止基座2的未图示的轴支承块,外螺纹杆431的另一端与上述脉冲马达432的输出轴传动连接。另外,外螺纹杆431与形成于未图示的内螺纹块的内螺纹孔螺合,该内螺纹块凸出地设置于构成可动支承基座42的移动支承部421的中央部下表面。因此,通过利用脉冲马达432驱动外螺纹杆431正转和反转,可动支承基座42沿着导轨41、41在Y轴方向移动。
图示的实施方式中的激光束照射单元5包括:单元保持架51;以及安装于该单元保持架51的激光束照射构件52。单元保持架51设置有一对被引导槽511、511,这一对被引导槽511、511以能够滑动的方式与设置于上述安装部422的一对导轨423、423配合,通过这些被引导槽511、511与上述导轨423、423配合,所述单元保持架51被支承成能够在箭头Z所示的焦点位置调整方向(Z轴方向)移动。
图示的实施方式中的激光束照射单元5具有第一聚光点位置调整构件53,该第一聚光点位置调整构件53用于使单元保持架51沿着一对导轨423、423在与上述卡盘工作台36的被加工物保持面垂直的方向、即Z轴方向移动。该第一聚光点位置调整构件53包括:配设于一对导轨423和423之间的外螺纹杆(未图示)、以及用于驱动该外螺纹杆旋转的脉冲马达532等驱动源,通过利用脉冲马达532驱动未图示的外螺纹杆正转和反转,来使单元保持架51和激光束照射构件52沿着导轨423、423在Z轴方向移动。另外,在图示的实施方式中,通过驱动脉冲马达532正转,激光束照射构件52向上方移动,通过驱动脉冲马达532反转,激光束照射构件52向下方移动。
图示的激光束照射构件52从聚光器522照射脉冲激光束,该聚光器522安装于实质上水平配置的圆筒形状的壳体521的末端。此外,在构成激光束照射构件52的壳体521的末端部配设有摄像构件6,该摄像构件6用于检测应利用上述激光束照射构件52进行激光加工的加工区域。该摄像构件6包括:照亮被加工物的照明构件、捕捉被所述照明构件照亮的区域的光学系统、以及对由该光学系统捕捉到的像进行拍摄的摄像元件(CCD)等,该摄像构件6将拍摄到的图像数据传送至未图示的控制构件。
图示的实施方式中的激光加工装置具有水收容罩机构7,该水收容罩机构7配设于上述第二滑动块33的凸出部33a,用于有选择地包围保持于卡盘工作台36的被加工物。该水收容罩机构7包括:水收容罩71,其将保持于卡盘工作台36的被加工物包围起来;水收容罩定位构件72,其将所述水收容罩71有选择地定位于待机位置和作用位置,所述待机位置是图1所示的所述水收容罩71离开卡盘工作台36的位置,所述作用位置是所述水收容罩71将保持于卡盘工作台36的被加工物包围起来的位置;以及供水构件73,其向水收容罩71内供水。
参照图3,对构成上述水收容罩机构7的水收容罩71进行说明。图3所示的水收容罩71形成为具有环状侧壁711和封闭该环状侧壁711的上表面的顶壁712的倒扣杯状,该环状侧壁711围绕着保持于上述卡盘工作台36的作为后述被加工物的半导体晶片,在图示的实施方式中,水收容罩71由透明的玻璃或合成树脂一体地形成。另外,水收容罩71只要至少顶壁712由透明部件形成即可。在这样形成的水收容罩71中,在环状侧壁711的上部设置有供水孔711a,并且在环状侧壁711的下部设置有排水孔711b。另外,供水孔711a经挠性软管74与供水构件73连接。
返回图1继续进行说明,构成上述水收容罩机构7的水收容罩定位构件72具有:支承上述水收容罩71的支承臂721、将该支承臂721的基端支承成能够在上下方向移动的空气缸722、以及将该空气缸722支承成能够转动的电动马达723,电动马达723配设于上述第二滑动块33的凸出部33a的上表面。这样构成的水收容罩定位构件72通过使空气缸722和电动马达723工作来使支承臂721在上下方向移动,并且以支承臂721的基端为中心回转,由此将水收容罩71有选择地定位于图1所示的待机位置和将保持于卡盘工作台36的被加工物包围起来的作用位置。
图示的实施方式中的激光加工装置如上所述地构成,下面对其作用进行说明。
此处,参照图4,对利用上述激光加工装置实施激光加工的作为被加工物的半导体晶片进行说明。图4所示的半导体晶片10由硅晶片构成,在其表面10a呈矩阵状地形成有多个器件101。并且,各器件101被呈格子状形成的间隔道102划分开来。该半导体晶片10以作为加工面的表面10a朝上的方式将背面粘贴在安装于环状框架11的粘接带12上。另外,在从背面对半导体晶片10进行加工的情况下,将半导体晶片10的表面10a粘贴于粘接带12。该粘接带12使用了在例如厚度为100μm的聚烯烃或聚乙烯等合成树脂片材的表面涂敷厚度为5μm左右的丙烯酸类树脂粘接材料而成的粘接带。
在沿着上述半导体晶片10的间隔道102照射激光束、从而沿着间隔道102形成激光加工槽时,将粘贴在安装于环状框架11的粘接带12的表面上的半导体晶片10,经粘接带12载置到卡盘工作台36的吸附卡盘362上。在将半导体晶片10经粘接带12载置到卡盘工作台36上后,通过使未图示的抽吸构件工作,来如上所述地经由抽吸通道361c和配合凹部361a对吸附卡盘362的表面作用负压,从而将半导体晶片10经粘接带12抽吸保持在卡盘工作台36上。此外,经粘接带12支承半导体晶片10的环状框架11被夹紧器364固定。这样,抽吸保持有半导体晶片10的卡盘工作台36通过加工进给构件37而被定位于摄像构件6的正下方。当卡盘工作台36定位于摄像构件6的正下方时,利用摄像单元6和未图示的控制构件来执行校准作业,该校准作业是检测半导体晶片10的应进行激光加工的加工区域的作业。即,摄像构件6和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理,从而完成激光束照射位置的校准,上述图案匹配等图像处理用来进行形成在半导体晶片10的预定方向的间隔道102、与沿着间隔道102照射激光束的激光束照射构件52的聚光器522的位置对准。此外,对于形成于半导体晶片10的沿着与上述预定方向正交的方向延伸的间隔道102,也同样地完成激光束照射位置的校准。
这样,在实施了激光束照射位置的校准作业后,使构成水收容罩机构7的水收容罩定位构件72的电动马达723工作,从而使支承臂721回转,由此将水收容罩71移动至卡盘工作台36的上方,然后使空气缸722工作,使水收容罩71下降,如图5所示使水收容罩71的环状侧壁711的下缘围绕着半导体晶片10地载置于卡盘工作台36上的粘接带12的上表面,由此半导体晶片10被水收容罩71包围起来。接着,使构成水收容罩机构7的供水构件73工作,将纯水经挠性软管74和供水孔711a(参照图1和图4)供给至水收容罩71内,用纯水70充满水收容罩71内。这样,在向水收容罩71内供给纯水70并且使该纯水70从排水孔711b排出的同时,实施以下的激光束照射工序。另外,上述激光束照射位置的校准作业也可以在利用水收容罩71包围半导体晶片10并向水收容罩71内供给纯水70之后实施。
在实施激光束照射工序时,移动卡盘工作台36,如图6所示地将预定的间隔道102的一端(在图6中为左端)定位于聚光器522的正下方。然后,使激光束照射构件52工作,从聚光器522照射相对于硅晶片具有吸收性的例如波长为355nm的脉冲激光束LB,同时使卡盘工作台36在图6中箭头X1所示的方向以预定的加工进给速度移动。然后,在聚光器522的照射位置到达间隔道102的另一端的位置后,停止照射脉冲激光束,并且使卡盘工作台36停止移动。在该激光束照射工序中,从聚光器522照射出的脉冲激光束LB如图7所示地透过水收容罩71的由透明部件构成的顶壁712和纯水70,而将聚光点P定位在保持于卡盘工作台36的半导体晶片10的表面10a(上表面)附近。此时,由于在水收容罩71内充满了纯水70,所以即使卡盘工作台36移动,纯水70的表面也很稳定而不会发生变化,因此脉冲激光束LB的聚光点P不会变动。通过这样实施激光束照射工序,如图8所示在半导体晶片10沿着聚光点102形成了激光加工槽110。在该激光束照射工序中,热能集中于半导体晶片10的表面10a的被照射了脉冲激光束的区域,从而产生碎屑100,并且该碎屑100飞溅。但是,由于飞溅的碎屑100浮游于纯水70中而从排水孔711b排出,所以不会附着于半导体晶片10的表面10a。
另外,上述激光束照射工序中的加工条件在图示的实施方式中如下设定。
光源 :LD激发Q开关Nd:YVO4脉冲激光器
波长 :355nm
平均输出 :5W
聚光点直径 :φ10μm
重复频率 :100kHz
加工进给速度 :100mm/秒
在如上所述地沿着形成于半导体晶片10的预定的间隔道102实施了激光束照射工序后,使卡盘工作台36向图1中箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)以间隔道102的间隔量进行分度进给(分度进给工序),并实施上述激光束照射工序。在这样对在半导体晶片10的第一方向延伸的所有间隔道102完成了激光束照射工序和分度进给工序后,停止利用构成水收容罩机构7的供水构件73供给纯水,并且使空气缸722工作,使水收容罩71上升,然后使卡盘工作台36转动90度,从而使保持于卡盘工作台36的半导体晶片10转动90度。然后,使空气缸722工作,使水收容罩71下降,再次使水收容罩71的环状侧壁711的下缘围绕着半导体晶片10地载置于卡盘工作台36上的粘接带12的上表面,由此半导体晶片10被水收容罩71包围起来。接着,使构成水收容罩机构7的供水构件73工作,从而将纯水供给至水收容罩71内,同时对在与上述第一方向正交的第二方向延伸的各间隔道102执行上述激光束照射工序和分度进给工序,由此能够沿着半导体晶片10的所有的间隔道102形成激光加工槽110。
另外,在上述激光束照射工序中,也可以利用激光加工槽将半导体晶片10沿间隔道102完全切断。
如上所述,在沿着半导体晶片10的所有的间隔道102形成了激光加工槽110后,使水收容罩机构7的供水构件73停止工作。其结果为,水收容罩71内的纯水70被从排水孔711b排出。接着,使卡盘工作台36返回至图1所示的被加工物搬入搬出位置。然后,使构成水收容罩机构7的水收容罩定位构件72的空气缸722和电动马达723工作,使水收容罩71返回至图1所示的待机位置。接着,使未图示的抽吸构件停止工作,从而解除保持于卡盘工作台36的半导体晶片10的抽吸保持。然后,解除夹紧器364对环状框架11的固定。接着,在半导体晶片10没有沿间隔道102完全切断的情况下,将半导体晶片10在经粘接带12保持于环状框架11的状态下搬送至作为下一工序的分割工序。在分割工序中,通过沿着形成于半导体晶片10的激光加工槽110施加外力,来将半导体晶片10分割成一个个器件。
Claims (1)
1.一种激光加工装置,其特征在于,
所述激光加工装置包括:
卡盘工作台,其保持被加工物;
激光束照射构件,其向保持于所述卡盘工作台的被加工物照射激光束;
水收容罩,其具有环状侧壁和顶壁,并且具有供水孔和排水孔,所述环状侧壁围绕着保持于所述卡盘工作台的被加工物,所述顶壁由封闭所述环状侧壁的上表面的透明部件形成;
水收容罩定位构件,其将所述水收容罩有选择地定位于待机位置和作用位置,所述待机位置是所述水收容罩离开所述卡盘工作台的位置,所述作用位置是所述水收容罩将保持于所述卡盘工作台的被加工物包围起来的位置;以及
供水构件,其与所述供水孔连接,
在所述激光加工装置中,使所述水收容罩定位构件工作以将所述水收容罩定位于所述作用位置,使所述供水构件工作从而用水充满所述水收容罩内并且使水从排水孔排出,同时使所述激光束照射构件工作,从而透过所述水收容罩的所述顶壁和该水收容罩内的水向被加工物照射激光束。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-105132 | 2009-04-23 | ||
JP2009105132A JP5436917B2 (ja) | 2009-04-23 | 2009-04-23 | レーザー加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101870037A true CN101870037A (zh) | 2010-10-27 |
Family
ID=42979289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010162652A Pending CN101870037A (zh) | 2009-04-23 | 2010-04-16 | 激光加工装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100270273A1 (zh) |
JP (1) | JP5436917B2 (zh) |
CN (1) | CN101870037A (zh) |
DE (1) | DE102010015739B4 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105374710A (zh) * | 2014-08-13 | 2016-03-02 | 株式会社迪思科 | 封装基板的加工方法 |
CN107803604A (zh) * | 2016-09-06 | 2018-03-16 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台、多孔陶瓷吸引板的制造方法和吸引保持系统 |
CN110614444A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 株式会社迪思科 | 激光加工装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102794569B (zh) * | 2012-08-31 | 2015-05-20 | 昆山市和博电子科技有限公司 | 晶片电阻激光自动划线设备 |
JP6297174B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-03-20 | 株式会社牧野フライス製作所 | レーザ加工機およびレーザ加工方法 |
JP6784527B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-11-11 | 株式会社ディスコ | 静電チャックテーブル、レーザー加工装置及び被加工物の加工方法 |
JP2019069465A (ja) | 2017-10-11 | 2019-05-09 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6985102B2 (ja) | 2017-10-31 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6998177B2 (ja) | 2017-11-02 | 2022-01-18 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
USD918972S1 (en) * | 2018-08-01 | 2021-05-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co. Ltd | Laser resonator |
USD908148S1 (en) * | 2018-08-01 | 2021-01-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co. Ltd | Laser engine with multiple resonators |
USD908751S1 (en) * | 2018-08-01 | 2021-01-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co. Ltd | Laser engine with multiple resonators |
USD985635S1 (en) * | 2020-04-30 | 2023-05-09 | Raylase Gmbh | Mirror-symmetric laser module |
USD941894S1 (en) * | 2020-06-11 | 2022-01-25 | Panasonic intellectual property Management co., Ltd | Laser beam-combining engine with beam-shaping module |
USD941895S1 (en) * | 2020-06-11 | 2022-01-25 | Panasonic intellectual property Management co., Ltd | Laser beam-combining engine with fiber optic module |
CN114082679B (zh) * | 2021-11-17 | 2023-07-21 | 佛山中科灿光微电子设备有限公司 | 全自动测阻仪 |
CN118143427B (zh) * | 2024-05-11 | 2024-07-26 | 广东原点智能技术有限公司 | 一种激光加工机床 |
CN118577851A (zh) * | 2024-08-01 | 2024-09-03 | 常州朱美拉模具技术有限公司 | 一种饲料模具钻孔机 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040112880A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Kazuma Sekiya | Laser machining method |
US20040211762A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Kazuma Sekiya | Laser beam processing machine |
CN1751837A (zh) * | 2005-08-31 | 2006-03-29 | 江苏大学 | 水下激光冲击成形的方法和装置 |
CN1920674A (zh) * | 2001-03-09 | 2007-02-28 | 株式会社东芝 | 电子装置的制造系统 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5157283A (en) * | 1974-11-15 | 1976-05-19 | Nippon Electric Co | Handotaikibanno bunkatsuhoho |
JPS63180393A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-25 | Toshiba Corp | レ−ザ光による金属膜の除去方法 |
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP3660294B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6720522B2 (en) * | 2000-10-26 | 2004-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining |
CN1286146C (zh) * | 2001-03-09 | 2006-11-22 | 株式会社东芝 | 电子装置的制造系统 |
JP2004106048A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | 加工方法、及び加工装置 |
JP2004114075A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Laser Solutions Co Ltd | レーザ加工装置 |
JP2007029973A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法 |
JP2007181856A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
JP5118324B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2013-01-16 | 富士重工業株式会社 | レーザピーニング装置 |
-
2009
- 2009-04-23 JP JP2009105132A patent/JP5436917B2/ja active Active
-
2010
- 2010-04-16 CN CN201010162652A patent/CN101870037A/zh active Pending
- 2010-04-19 US US12/762,662 patent/US20100270273A1/en not_active Abandoned
- 2010-04-21 DE DE102010015739.2A patent/DE102010015739B4/de active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1920674A (zh) * | 2001-03-09 | 2007-02-28 | 株式会社东芝 | 电子装置的制造系统 |
US20040112880A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Kazuma Sekiya | Laser machining method |
US20040211762A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Kazuma Sekiya | Laser beam processing machine |
CN1751837A (zh) * | 2005-08-31 | 2006-03-29 | 江苏大学 | 水下激光冲击成形的方法和装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105374710A (zh) * | 2014-08-13 | 2016-03-02 | 株式会社迪思科 | 封装基板的加工方法 |
CN105374710B (zh) * | 2014-08-13 | 2019-09-06 | 株式会社迪思科 | 封装基板的加工方法 |
CN107803604A (zh) * | 2016-09-06 | 2018-03-16 | 株式会社迪思科 | 卡盘工作台、多孔陶瓷吸引板的制造方法和吸引保持系统 |
CN110614444A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 株式会社迪思科 | 激光加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100270273A1 (en) | 2010-10-28 |
DE102010015739B4 (de) | 2021-04-01 |
JP2010253499A (ja) | 2010-11-11 |
JP5436917B2 (ja) | 2014-03-05 |
DE102010015739A1 (de) | 2010-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101870037A (zh) | 激光加工装置 | |
JP4648056B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
CN102013404B (zh) | 保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置 | |
US7265033B2 (en) | Laser beam processing method for a semiconductor wafer | |
CN100408249C (zh) | 激光加工机床 | |
CN1669720B (zh) | 用于激光束加工机中的卡盘工作台 | |
US7981770B2 (en) | Wafer machining method for preparing a wafer for dicing | |
CN101131921B (zh) | 晶片的加工方法 | |
TWI411029B (zh) | Laser processing device | |
US20090011571A1 (en) | Wafer working method | |
CN101172318A (zh) | 激光加工装置 | |
CN109676259B (zh) | 激光加工装置 | |
CN102672347B (zh) | 激光加工装置 | |
US10940560B2 (en) | Laser processing apparatus | |
CN101170075A (zh) | 晶片的分割方法以及分割装置 | |
CN102019648A (zh) | 切削装置 | |
CN103367250A (zh) | 器件晶片的分割方法 | |
CN101859851A (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2012186287A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
CN105390405B (zh) | 保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置 | |
JP2007149860A (ja) | 基板の分割方法および分割装置 | |
TW201343302A (zh) | 雷射加工方法 | |
US6861654B2 (en) | Cutting device | |
JP2011187829A (ja) | レーザー加工溝の確認方法 | |
CN101456222A (zh) | 晶片的分割方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20101027 |