JP2007181856A - レーザー加工方法およびレーザー加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する被加工物保持手段と、被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、被加工物保持手段に保持された被加工物の表面に水の層を形成し、レーザー光線照射手段によってレーザー光線が照射される被加工物の被照射部に圧縮空気を噴射して被照射部の水の層を除去しつつ、レーザー光線照射手段からレーザー光線を照射して被加工物にレーザー加工を施す。
【選択図】図５

Description

本発明は、被加工物の所定の領域にレーザー光線を照射して所定のレーザー加工を施すレーザー加工方法およびレーザー加工装置に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開平１０−３０５４２０号公報

而して、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。

上述したレーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止するため、レーザー光線を照射する前に被加工物の表面に保護被膜を被覆し、該保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射した後、被加工物の表面に被覆された保護被膜を除去するようにしたレーザー加工方法が提案さている。例えば、特許文献２参照。）
特開２００４―１８８４７５号公報

而して、上記公報に記載されたレーザー加工方法によると、保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射した後に、被加工物の表面に被覆された保護被膜を除去しなければならず、生産性が悪いという問題がある。また、保護被膜が照射されたレーザー光線の照射軌跡に沿って溶融し、被加工物に形成されたレーザー加工溝に沿って付着するため、保護被膜を確実に除去することが困難になるという問題もある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、レーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供することである。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、
該被加工物保持手段に保持された被加工物の表面に水の層を形成し、該レーザー光線照射手段によってレーザー光線が照射される被加工物の被照射部に圧縮空気を噴射して該被照射部の水の層を除去しつつ、該レーザー光線照射手段からレーザー光線を照射して被加工物にレーザー加工を施す、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。

また、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置において、
被加工物保持手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の表面に水の層を形成する水層形成手段を備えており、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該被加工物保持手段に保持された被加工物におけるレーザー光線が照射される被照射部に圧縮空気を噴射して該被照射部の水の層を除去する圧縮空気噴射手段とを具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。

上記圧縮空気噴射手段は、上記集光器の下端に設けられレーザー光線が通過する細孔を有する圧縮空気噴射ノズルを備えている。

本発明によれば、被加工物保持手段に保持された被加工物の表面に水の層を形成し、レーザー光線が照射される被加工物の被照射部に圧縮空気を噴射して該被照射部の水の層を除去しつつ、レーザー光線を照射して被加工物にレーザー加工を施すので、レーザー光線の照射によって発生するデブリが飛散しても、このデブリは被加工物の表面に形成された水の層に落下し直ちに冷却されるため、被加工物の表面に付着することはない。

以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構６と、該レーザー光線ユニット支持機構６に矢印Ｚで示す焦点位置調整方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット７とを具備している。

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物を保持するチャックテーブル４を具備している。

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。

次に、上記チャックテーブル４について、図２を参照して説明する。
図２に示すチャックテーブル４は、円柱状の本体４１と、該本体４１の上面に配設された通気性を有するポーラスなセラミックスによって形成された吸着チャック４２とからなっている。本体４１はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、その上面には円形の嵌合凹部４１１が設けられている。この嵌合凹部４１１には、底面の外周部に吸着チャック４２が載置される環状の載置棚４１２が設けられている。また、本体４１には嵌合凹部４１１に開口する吸引通路４１３が設けられており、この吸引通路４１３は図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、吸引通路４１３を通して嵌合凹部４１１に負圧が作用せしめられる。このように構成されたチャックテーブル４は、本体４１が上記第２の滑動ブロック３３の上面に配設された円筒状の支持筒体３４に軸受３４０を介して回転可能に支持され、図示しない回転駆動手段によって適宜回動せしめられるように構成されている。なお、支持筒体３４の上端には、カバーテーブル３５が配設されている。

上記チャックテーブル４を構成する本体４１の上部には、環状の溝４１４が形成されている。この環状の溝４１４内には４個のクランプ４３の基部が配設され、このクランプ４３の基部が本体４１に適宜の固定手段によって取付けられている。

また、チャックテーブル４を構成する本体４１の上部における環状の溝４１４の下側には、チャックテーブル４の上部およびクランプ４３を包囲して配設されチャックテーブル４に保持された被加工物表面に水の層を形成する水層形成手段５を具備している。水層形成手段５は、図示の実施形態においては円形状の水槽５１からなっている。この水槽５１は、環状の底壁５１１と、該底壁５１１の外周縁から立設して形成された外周壁５１２とからなっており、底壁５１１の内周面がチャックテーブル４を構成する本体４１１の外周面にロー付け等の固着手段によって固着されている。このように形成された水槽５１の底壁５１１には、給排水口５１３が設けられている。この給排水口５１３は給配水管５２によって給水手段５３に接続されており、給配水管５２中には３方向弁からなる給排水弁５４が配設されている。

なお、上記カバーテーブル３５の図１において加工送り方向(X)両端には、図示しない蛇腹カバーが装着され上記加工送り手段３７の上方を覆っている。従って、上記水層形成手段５を構成する水槽５１内の水が飛散しても加工送り手段３７に付着することはない。

図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射ユニット支持機構６は、静止基台２上に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール６１、６１と、該案内レール６１、６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台６２を具備している。この可動支持基台６２は、案内レール６１、６１上に移動可能に配設された移動支持部６２１と、該移動支持部６２１に取り付けられた装着部６２２とからなっている。装着部６２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール６２３、６２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構６は、可動支持基台６２を一対の案内レール６１、６１に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための第２の割り出し送り手段６３を具備している。第２の割り出し送り手段６３は、上記一対の案内レール６１、６１の間に平行に配設された雄ネジロッド６３１と、該雄ねじロッド６３１を回転駆動するためのパルスモータ６３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド６３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ６３２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド６３１は、可動支持基台６２を構成する移動支持部６２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ６３２によって雄ネジロッド６３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台６２は案内レール６１、６１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット７は、ユニットホルダ７１と、該ユニットホルダ７１に取り付けられたレーザー光線照射手段７２を具備している。ユニットホルダ７１は、上記装着部６２２に設けられた一対の案内レール６２３、６２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝７１１、７１１が設けられており、この被案内溝７１１、７１１を上記案内レール６２３、６２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。

図示のレーザー光線照射手段７２は、上記ユニットホルダ７１に固定され実質上水平に配置された円筒形状のケーシング７２１と、図３に示すようにケーシング７２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段７２２と、伝送光学系７２３と、上記ケーシング７２１の先端に配設され上記パルスレーザー光線発振手段７２から発振されたレーザー光線を集光する集光器７３を具備している。集光器７３は、円筒状のケース７３１と、該ケース７１４内に配設されパルスレーザー光線発振手段７２２から発振され伝送光学系７２３を介して照射されるパルスレーザー光線を図３において下方に偏向する方向変換ミラー７３２と、該方向変換ミラー７３２によって偏向されたパルスレーザー光線を集光する集光レンズ７３３を具備している。ケース７３１の下端には、上記チャックテーブル４に保持された被加工物におけるレーザー光線が照射される被照射部に圧縮空気を噴射して該被噴射部の水の層を除去する圧縮空気噴射手段７４が設けられている。圧縮空気噴射手段７４は、ケース７３１の下端に設けられた圧縮空気噴射ノズル７４１を備えている。この圧縮空気噴射ノズル７４１は、ケース７３１の下端から下方に向けて縮径して形成された下壁７４１aに設けられた細孔７４１bと、下壁７４１aと上記集光レンズ７３３との間に形成される空気導入室７４１ｃに開口する空気導入穴７４１dを備えている。細孔７４１bは、直径が０．５〜１mmに形成されており、上記パルスレーザー光線および後述する圧縮空気が通過するようになっている。上記空気導入穴７４１dは、圧縮空気供給手段７４２に連通されている。なお、圧縮空気供給手段７４２は、５００kPa程度の圧縮空気を供給する。

図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段７２を構成するケーシング７２１の前端部には、上記レーザー光線照射手段７２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段８が配設されている。この撮像手段８は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット７は、ユニットホルダ７１を一対の案内レール６２３、６２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段７４を具備している。移動手段７４は、一対の案内レール６２３、６２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ７４２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ７４２によって図示しない雄ネジロッドを正転または逆転駆動することにより、ユニットホルダ７１およびレーザー光線照射手段７２を一対の案内レール６２３、６２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においては、パルスモータ７４２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段７２を上方に移動し、パルスモータ７４２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段７２を下方に移動するようになっている。

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
ここで、上記レーザー加工装置によってレーザー加工が施される被加工物としての半導体ウエーハについて、図４を参照して説明する。図４に示す半導体ウエーハ１０はシリコンウエーハからなり、その表面１０aには複数のデバイス１０１がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス１０１は、格子状に形成されたストリート１０２によって区画されている。この半導体ウエーハ１０は、環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２に加工面である表面１０ａを上側にして裏面が貼着される。なお、半導体ウエーハ１０に裏面から加工する場合には、半導体ウエーハ１０の表面１０ａを粘着テープ１２に貼着する。この粘着テープ１２は、例えば厚さが１００μmのポリオレフィンやポリエチレン等の合成樹脂シートの表面にアクリル系樹脂粘着材が厚さ５μm程度敷設されたテープが用いられている。

上述した半導体ウエーハ１０のストリート１０２に沿ってレーザー光線を照射し、ストリート１０２に沿ってレーザー加工溝を形成するには、環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２の表面に貼着された半導体ウエーハ１０を、チャックテーブル４の吸着チャック４２上に粘着テープ１２を介して載置する。チャックテーブル４上に半導体ウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル４上に吸引保持する。このように、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル４は、加工送り手段３７によって撮像手段８の直下に位置付けられる。チャックテーブル４が撮像手段８の直下に位置付けられると、撮像手段８および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段８および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０２と、ストリート１０２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７の集光器７４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート１０２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。

このようにして、アライメント作業を実施したならば、給水手段５３と給排水弁５４を作動して被加工物保持手段を構成する水層形成手段５の水槽５１に純水２０を供給する。そして、図５に示すようにチャックテーブル４に保持された半導体ウエーハ１０を水没される。このとき、純水２０の水面が半導体ウエーハ１０の表面より１mm程度高い位置になるように給排水弁５４を制御して貯水する。従って、半導体ウエーハ１０の表面には厚さが１mm程度の水２０の層が形成される。

次に、チャックテーブル４を移動して図５の（ａ）で示すように所定の分割予定ライン１０２の一端（図５の（ａ）において左端）を集光器７３の直下に位置付ける。そして、圧縮空気供給手段７４２を作動し、圧縮空気噴射手段７４の圧縮空気噴射ノズル７４１の構成する空気導入穴７４１dから空気導入室７４１ｃに圧縮空気を供給する。空気導入室７１ｃに供給された圧縮空気は、細孔７４１bからチャックテーブル４に保持された半導体ウエーハ１０の表面１０aに向けて噴射される。この結果、図５の(b)に示すように半導体ウエーハ１０におけるレーザー光線が照射される被照射部１０３に圧縮空気が噴射され、該被噴射部１０３の水２０の層が除去される。

このようにして、半導体ウエーハ１０のレーザー光線が照射される被照射部１０３の水２０の層を除去するとともに、集光器７３からシリコンウエーハに対して吸収性を有する例えば３５５nmの波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図6の（a）で示すように集光器７３の照射位置がストリート１０２の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４の移動を停止する。この結果、図6の (b)で示すようにストリート１０２に沿ってレーザー加工溝１１０が形成される（レーザー光線照射工程）。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の表面１０a（上面）付近に合わせる。このレーザー光線照射工程においては、半導体ウエーハ１０の表面１０aにおけるパルスレーザー光線が照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリ１００が発生し、このデブリ１００が飛散する。しかるに、飛散されたデブリ１００は、半導体ウエーハ１０の表面１０a上に形成された水２０の層に落下し直ちに冷却されるため、半導体ウエーハ１０の表面１０aに付着することはない。

なお、上記レーザー光線照射工程における加工条件は、図示の実施形態においては次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４スレーザー
波長 ：３５５ｎｍのパルスレーザー
パルス出力 ：１４μＪ
集光スポット径 ：φ１３μｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒

上述したように所定のストリート１０２に沿ってレーザー光線照射工程を実施したならば、チャックテーブル４を図１において矢印Ｙで示す方向にストリート１０２の間隔だけ割り出し送りし（割り出し工程）、上記レーザー光線照射工程を実施する。このようにして半導体ウエーハ１０の所定方向に延在する全てのストリート１０２についてレーザー光線照射工程と割り出し工程を遂行したならば、チャックテーブル４を９０度回動させてこれに保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動せしめ、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート１０２に沿って上記レーザー光線照射工程と割り出し工程を実行することにより、半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０２に沿ってレーザー加工溝１１０を形成することができる。

以上のようにして、半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０２に沿ってレーザー加工溝１１０を形成したならば、チャックテーブル４を図１に示す被加工物搬入搬出位置に戻す。次に、上記水層形成手段５の排水弁５４を作動して水槽５１内の水を排出するとともに、図示しない吸引手段の作動を停止して半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、クランプ４３による環状のフレーム１１の固定を解除する。次に、半導体ウエーハ１０は粘着テープ１２を介して環状のフレーム１１に保持された状態で次工程である分割工程に搬送される。分割工程においては、半導体ウエーハ１０に形成されたレーザー加工溝１１０に沿って外力を付与することによって、半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップに分割する。

以上、本発明を図示の実施形態に基いて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においては、チャックテーブル４を加工送り方向(X)に移動可能に構成した例を示したが、チャックテーブル４を固定しレーザー光線照射手段７２を加工送り方向(X)に移動可能に構成することにより、水層形成手段５を構成する水槽５１内の水の変動を防ぐことができる。

本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図１に示すレーザー加工装置に装備されるチャックテーブルの断面図。 図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の要部断面図。 被加工物としての半導体ウエーハを環状のフレームに装着された粘着テープに貼着した状態を示す斜視図。 図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー光線照射工程の説明図。 図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー光線照射工程の説明図。

符号の説明

２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１、３１：一対の案内レール
３２：第一の滑動ブロック
３３：第２の滑動ブロック
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：チャックテーブル
４１：チャックテーブルの本体
４２：吸着チャック
４３：クランプ
５：水層形成手段
５１：水槽
５２：給配水管
５３：給水手段
５４：給排水弁
６：レーザー光線照射ユニット支持機構
６１、６１：一対の案内レール
６２：可動支持基台
６３：第２の割り出し送り手段
７：レーザー光線照射ユニット
７１：ユニットホルダ
７２：レーザー光線照射手段
７３：集光器
７４：圧縮空気噴射手段
７４１：圧縮空気噴射ノズル
７４２：圧縮空気供給手段
８：撮像手段
１０：半導体ウエーハ
１１：環状のフレーム
１２：粘着テープ

Claims (3)

1. 被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、
   該被加工物保持手段に保持された被加工物の表面に水の層を形成し、該レーザー光線照射手段によってレーザー光線が照射される被加工物の被照射部に圧縮空気を噴射して該被照射部の水の層を除去しつつ、該レーザー光線照射手段からレーザー光線を照射して被加工物にレーザー加工を施す、
   ことを特徴とするレーザー加工方法。
2. 該被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置において、
   被加工物保持手段は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の表面に水の層を形成する水層形成手段を備えており、
   該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該被加工物保持手段に保持された被加工物におけるレーザー光線が照射される被照射部に圧縮空気を噴射して該被照射部の水の層を除去する圧縮空気噴射手段とを具備している、
   ことを特徴とするレーザー加工装置。
3. 該圧縮空気噴射手段は、該集光器の下端に設けられレーザー光線が通過する細孔を有する圧縮空気噴射ノズルを備えている、請求項２記載のレーザー加工装置。

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