CN101826794A - 逆流防止电路以及电源切换装置 - Google Patents

逆流防止电路以及电源切换装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101826794A
CN101826794A CN201010128665A CN201010128665A CN101826794A CN 101826794 A CN101826794 A CN 101826794A CN 201010128665 A CN201010128665 A CN 201010128665A CN 201010128665 A CN201010128665 A CN 201010128665A CN 101826794 A CN101826794 A CN 101826794A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mos transistor
switch
input end
voltage
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010128665A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101826794B (zh
Inventor
田渊仁之
永井富幸
川越治
花轮大佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
Publication of CN101826794A publication Critical patent/CN101826794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101826794B publication Critical patent/CN101826794B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
    • H03K17/302—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0018—Special modifications or use of the back gate voltage of a FET

Abstract

本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以防止逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中，设置：第一MOS晶体管(M2)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管(M1)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间，对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间，对该晶体管的基片施加接地电位。

Description

逆流防止电路以及电源切换装置
技术领域
本发明涉及传递直流电压的晶体管的逆流防止技术，并且还涉及选择来自从多个直流电源中的某一个直流电源的直流电压来提供给负载的电源切换装置中的逆流防止技术，例如，涉及在选择来自电池或AC适配器的直流电压的电源切换用IC(半导体集成电路)中使用的有效的技术。
背景技术
在游戏机或便携音乐播放器等便携电子设备的电源中广泛使用电池。在该便携电子设备中，当电池余量减少时停止工作。因此，用户有时不更换电池地连接AC适配器继续进行操作，但此时对于内部电路来说，代替来自电池的电源电压使用来自AC适配器的直流电压进行工作，从稳定性的观点出发是不希望的。
因此，目前提供了一种具有选择多个直流电源中的某一个直流电源的直流电压来提供给负载的功能的电源切换装置。在该电源切换装置中的切换开关中，使用MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管，以下称为MOS晶体管)这样的晶体管。
在MOSFET中存在P沟道型和N沟道型，但是在电源切换装置中，当把N沟道MOSFET用作用于传递/切断直流电压的开关元件时，因为开关MOSFET在导通状态下，源极以及漏极的电位接近电源电压的状态下沟道导通，所以当使栅极电压不高于电源电压时，导通电阻增大，损失增加，因此需要设置电荷泵，存在电路规模相应增大的课题。
另一方面，在将P沟道MOSFET用作用于传递/切断直流电压的开关元件时，因为可以通过对栅极端子施加接地电位来使沟道导通，所以不需要电荷泵，但是由于P沟道MOSFET使空穴作为载流子，所以在相同尺寸的情况下，导通电阻比使电子作为载流子的N沟道MOSFET大。因此，必须使用尺寸大的元件，开关元件的占有面积变大，由此导致的芯片尺寸的增加量大于通过节省电荷泵而引起的芯片尺寸的减小量，所以在总体考虑时也存在芯片尺寸增大的课题。
此外，在将P沟道型MOSFET和N沟道型MOSFET中的某一种MOSFET用作开关元件时，还需要花费工夫来防止在截止状态的期间经由存在于源极·漏极区域和基片之间的寄生二极管流过逆流。目前提出了以下的发明：在作为传递/切断用开关元件使用了P沟道MOSFET的电源装置(稳压器)中，作为衬底偏置电压对基片(阱区域)施加输入电压或输出电压中的较高的一方的电压，由此来防止反方向的电流(专利文献1、专利文献2)。
但是，专利文献1以及2中记载的发明中的逆流防止技术都使用P沟道MOSFET，通过作为衬底偏置电压施加输入电压或输出电压中的较高的一方的电压，可以有效地防止逆流。本发明的发明人研究了作为电压传递/切断用开关元件使用N沟道MOSFET时的逆流防止。
N沟道的MOSFET的基片为P沟道，所以当预先把源极与基片(背栅)连接以便在截止状态时不会经由寄生二极管从输入端子向输出端子流过电流时，即使在输出电压高于输入电压时为截止状态，也会像图5(A)那样，经由寄生二极管流过逆流。因此，还考虑作为衬底偏置电压施加输入电压或输出电压中的较低的一方的电压。
但是，为了对基片施加较低的一方的电压，需要检测输入电压或输出电压哪一方较低的电路，在电源切换装置中至少具有两个开关MOSFET，所以必须设置多个电压检测电路，电路规模增大。因此，考虑如图5(B)那样，对N沟道MOSFET的基片始终施加电路中的电位最低的接地电位。
如此，如果对MOSFET的基片施加接地电位，则即使源极侧或漏极侧中的任意一方的电位升高也不会流过逆流，因此还不需要切换电路。但是，在对N沟道MOSFET的基片始终施加接地电位的情况下，可知存在以下课题：在使FET导通时，阈值电压由于衬底偏置效应而升高，导通电阻增加损失增大，并且变得难以截止(延迟成为完全截止状态)。
【专利文献1】特开昭63-307510号公报
【专利文献2】特开2004-280704号公报
发明内容
本发明是着眼于上述的课题而作出的，其目的在于，在作为输入端子和输出端子之间设置的电压传递/切断用开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，即使输出电压高于输入电压也不会流过逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高，导通电阻增加损失增大。
本发明的其他目的在于，在作为输入端子和输出端子之间设置的电压传递/切断用开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以几乎不增大电路规模地防止输出电压高于输入电压时的逆流。
为了解决上述目的，本发明在连接在电压输入端子和输出端子之间，控制所述电压输入端子和输出端子之间的导通状态的N沟道型的开关MOS晶体管的逆流防止电路中，具备：第一MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使所述开关MOS晶体管为导通状态的期间，对该开关MOS晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使所述开关MOS晶体管为截止状态的期间，对该开关MOS晶体管的基片施加接地电位。
更具体地说，在连接在电压输入端子和输出端子之间，控制所述电压输入端子和输出端子之间的导通状态的N沟道型的开关MOS晶体管的逆流防止电路中，具备：第一MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和所述输出端子或所述电压输入端子之间，在使所述开关MOS晶体管为导通状态的期间，使所述第一MOS晶体管为截止状态，使所述第二MOS晶体管为导通状态，在使所述开关MOS晶体管为截止状态的期间，使所述第一MOS晶体管为导通状态，使所述第二MOS晶体管为截止状态。
根据以上的手段，即使输出电压高于输入电压也不会流过逆流，并且可以避免由于衬底偏置效应开关MOS晶体管的阈值电压升高，导通电阻增加损失增大。
在此，希望所述第一MOS晶体管是N沟道型MOS晶体管，所述第二MOS晶体管是P沟道型MOS晶体管，对所述第一以及第二MOS晶体管的栅极端子施加与对所述开关MOS晶体管的栅极端子施加的控制信号反相的信号。由此，可以简单地得到用于控制MOS晶体管的信号，该MOS晶体管选择性地提供施加给开关MOS晶体管的基片的电位，可以抑制电路规模的增大。
此外，本申请的另一发明是一种电源切换装置，其具备：N沟道型的第一开关MOS晶体管，其连接在输入第一直流电压的第一电压输入端子和输出端子之间，控制所述第一电压输入端子和输出端子之间的导通状态；N沟道型的第二开关MOS晶体管，其连接在输入第二直流电压的第二电压输入端子和输出端子之间，控制所述第二电压输入端子和输出端子之间的导通状态；对应所述第一开关MOS晶体管设置的第一逆流防止电路；以及控制电路，对应所述第一电压输入端子的电压以及所述第二电压输入端子的电压，生成施加给所述第一以及第二开关MOS晶体管的栅极端子的控制信号，所述电源切换装置选择所述第一电压输入端子或所述第二电压输入端子中的某一方的电压来提供给所述输出端子，所述第一逆流防止电路具备：第一MOS晶体管，其连接在所述第一开关MOS晶体管的基片和接地点之间；以及第二MOS晶体管，其连接在所述第一开关MOS晶体管的基片和所述输出端子或所述电压输入端子之间，在使所述第一开关MOS晶体管为导通状态的期间，使所述第一MOS晶体管为截止状态，使所述第二MOS晶体管为导通状态，在使所述第一开关MOS晶体管为截止状态的期间，使所述第一MOS晶体管为导通状态，使所述第二MOS晶体管为截止状态。
根据以上的手段，即使输出电压高于输入电压也不会流过逆流，并且可以避免由于衬底偏置效应开关MOS晶体管的阈值电压升高，导通电阻增加损失增大。
在此，希望还具备对应所述第二MOS晶体管设置的第二逆流防止电路，所述第二逆流防止电路具备：第三MOS晶体管，其连接在所述第二开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第四MOS晶体管，其连接在所述第二开关MOS晶体管的基片和所述输出端子或所述电压输入端子之间，在使所述第二开关MOS晶体管为导通状态的期间，使所述第三MOS晶体管为截止状态，使所述第四MOS晶体管为导通状态，在使所述第二开关MOS晶体管为截止状态的期间，使所述第三MOS晶体管为导通状态，使所述第四MOS晶体管为截止状态。由此，在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的两个开关MOS晶体管的电源切换装置中，可以防止双方的开关MOS晶体管的逆流。
此外，希望所述第一MOS晶体管以及所述第三MOS晶体管为N沟道型MOS晶体管，所述第二MOS晶体管以及所述第四MOS晶体管为P沟道型MOS晶体管，对所述第一以及第二MOS晶体管的栅极端子施加与对所述第一开关MOS晶体管的栅极端子施加的第一控制信号反相的信号，对所述第三以及第四MOS晶体管的栅极端子施加与对所述第二开关MOS晶体管的栅极端子施加的第二控制信号反相的信号。由此，可以简单地得到用于控制MOS晶体管的信号，该MOS晶体管选择性地提供施加给开关MOS晶体管的基片的电位，可以抑制电路规模的增大。
并且，希望具备对已输入给所述第一电压输入端子或所述第二电压输入端子的直流电压进行升压的升压电路，所述第一控制信号及其反相的信号以及第二控制信号及其反相的信号，是通过所述升压电路对高电平进行升压后的电压的电位。由此，可以减小使开关MOS晶体管导通时的电阻。
根据本发明，在作为设置在输入端子和输出端子之间的电压传递/切断用开关元件而使用N沟道MOSFET的电源切换装置中，即使输出电压高于输入电压也不会流过逆流，并且可以避免由于衬底偏置效应开关元件的阈值电压升高，导通电阻增加损失增大。此外，具有以下的效果：可以几乎不增大电路规模地防止输出电压高于输入电压时的逆流。
附图说明
图1是表示应用本发明的恰当的电源切换装置的一个实施方式的概要结构图。
图2是表示本发明的电源切换装置中的基片电位切换电路的一个实施例的电路图。
图3(A)是表示图2的基片电位切换电路中的开关MOS晶体管为导通状态的衬底电位传递路径的电路说明图，(B)是表示图2的基片电位切换电路中的开关MOS晶体管为截止状态的衬底电位传递路径的电路说明图。
图4是表示图2的基片电位切换电路的变形例的电路图。
图5(A)、(B)是表示在本发明之前研究出的N沟道型MOSFET中的逆流防止对策的例子的电路说明图。
符号说明
10电源切换装置(电源切换用IC)；11控制电路；12电荷泵；13a、13b基片电位切换电路；21外部直流电源(AC适配器)；22一次电池；Q1、Q2由N沟道MOSFET形成的开关MOS晶体管；M1、M2构成基片电位切换电路的MOS晶体管
具体实施方式
以下根据附图说明本发明的优选的实施方式。
图1表示应用了本发明的电源切换装置的一个实施方式的概要结构。在该实施方式中并没有特别的限定，但在一个半导体芯片上形成构成电源切换装置的各个元件，来构成半导体集成电路(电源切换用IC)。
如图1所示，该实施方式的电源切换用IC10具备：输入来自AC适配器那样的外部直流电源21的直流电压的第一电压输入端子VIN1；连接碱性电池那样的一次电池22的第二电压输入端子VIN2；连接负载的输出端子OUT；设置在所述第一电压输入端子VIN1和输出端子OUT之间的由N沟道MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管，以下称为MOS晶体管)构成的第一开关MOS晶体管Q1；设置在所述第二电压输入端子VIN2和输出端子OUT之间的由N沟道MOSFET构成的第二开关MOS晶体管Q2。
此外，电源切换用IC 10具有：监视输入端子VIN1和VIN2的电压，生成对所述开关MOS晶体管Q1、Q2进行导通、截止控制的控制信号S1、S2的控制电路11；用于将从该控制电路11输出的控制信号S1、S2的高电平提高到输入电压以上，来减小导通电阻的电荷泵12；对应Q1、Q2的导通、截止状态切换开关MOS晶体管Q1以及Q2的基片电位的基片电位切换电路13a、13b。
根据通过反相器INV1使控制信号S1反相后的信号控制上述基片电位切换电路13a，此外，根据通过反相器INV2使控制信号S2反相后的信号控制基片电位切换电路13b。作为电源电压，还对这些反相器INV1、IVN2供给通过上述电荷泵12升压后的电压。
在该实施方式中，上述控制电路11在仅对输入端子VIN1输入了直流电压的情况下，输出使开关MOS晶体管Q1导通、使Q2截止的控制信号S1、S2，在仅对输入端子VIN2输入了直流电压的情况下，输出使开关MOS晶体管Q1截止、使Q2导通的控制信号S1、S2。
而且，控制电路11，在同时对输入端子VIN1和VIN2输入了直流电压的情况下，输出使开关MOS晶体管Q1导通、使Q2截止的控制信号S1、S2，由此优先向输出端子OUT传输作为外部直流电源的AD适配器21的直流电压。为了能够进行该控制，在控制电路11中设置检测电路，其检测是否对输入端子VIN1和VIN2施加了来自AD适配器21的电压或来自电池22的电压。
在图2中表示了上述基片电位切换电路13a和13b的具体的电路例子。
如该图所示，基片电位切换电路13a(13b)由在输出端子OUT和接地点之间串联连接的P沟道MOS晶体管M1以及N沟道MOS晶体管M2形成，对M1、M2的栅极端子施加将控制信号S1(S2)反相的反相器INV1(INV2)的输出。此外，在晶体管M1、M2的公共的漏极上连接了开关MOS晶体管Q1(Q2)的基片(背栅)。
由此，在通过控制信号S1(S2)使开关MOS晶体管Q1(Q2)为导通状态时，使基片电位切换电路13a(13b)的P沟道MOS晶体管M1为导通状态，如图3(A)中的粗线所示，对Q1(Q2)的基片施加输出端子OUT侧的电压。结果，不存在衬底偏置效应导致的阈值电压的变化，可以防止导通电阻的增加。
另一方面，在通过控制信号S1(S2)使开关MOS晶体管Q1(Q2)为截止状态时，使基片电位切换电路13a(13b)的N沟道MOS晶体管M2为导通状态，如图3(B)中的粗线所示，对Q1(Q2)的基片施加接地电位。结果，假使输出端子OUT侧的电压高于输入端子VIN侧的电压，也可以防止经由存在于基片和源极与漏极区域之间的寄生二极管流过逆流。
图4表示所述实施方式的基片电位切换电路13a(13b)的变形例。该变形例为：将P沟道MOS晶体管M1的源极端子不连接在输出端子OUT上而是连接在输入端子VIN上，在使开关MOS晶体管Q1(Q2)成为导通状态时，对Q1(Q2)的基片施加输入端子VIN侧的电压。即便如此构成，也和图2的实施例的基片电位切换电路相同，不会因为衬底偏置效应使阈值电压变化，可以防止导通电阻的增加。
但是，如图4那样，当把P沟道MOS晶体管M1的源极端子连接在输入端子VIN上时，还考虑到例如在使开关MOS晶体管Q1(Q2)为截止状态时，反相器INV1(INV2)的输出中承载有噪音，从而错误地使M1导通，从输入端子经由寄生二极管向输出端子OUT一侧流过电流的情形，所以如图2的实施例那样，希望使P沟道MOS晶体管M1的源极端子连接在输出端子OUT上。
以上对本发明的一个实施方式进行了叙述，但本发明并不限于上述的实施方式，根据本发明的技术思想可以进行各种变更。例如，在图1的实施方式的电源切换装置中说明了设置两个直流输入端子，但也适用于设置了三个以上的直流输入端子的电源切换装置。
此外，在所述实施方式的电源切换装置中，设置了生成开关MOS晶体管Q1、Q2的基片电位切换电路13a、13b的控制信号的反相器INV1、INV2，但是因为不存在Q1、Q2同时成为导通状态的情形，所以通过对M2的栅极端子施加Q1的栅极控制信号S1，对M1的栅极端子施加Q2的栅极控制信号S2，还能够省略反相器INV1、INV2。
并且，在图1的实施方式中，在输入端子VIN1或VIN2上，当电压中的某一方与另一方相比非常高时，可以在基片电位切换电路13a和13b中仅设置与输入电压低的一方连接的开关MOS晶体管所对应的基片电位切换电路，省略另一方的基片电位切换电路。
另外，在以上的说明中，说明了将本发明应用于电源切换装置的例子，但本发明不限定于此，也可以利用于串联稳压器那样的直流电源电路中。

Claims (7)

1.一种逆流防止电路，其是连接在电压输入端子和输出端子之间，控制所述电压输入端子和输出端子之间的导通状态的N沟道型的开关MOS晶体管的逆流防止电路，其特征在于，
具备：第一MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；以及
第二MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，
在使所述开关MOS晶体管为导通状态的期间，对该开关MOS晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，
在使所述开关MOS晶体管为截止状态的期间，对该开关MOS晶体管的基片施加接地电位。
2.一种逆流防止电路，其是连接在电压输入端子和输出端子之间，控制所述电压输入端子和输出端子之间的导通状态的N沟道型的开关MOS晶体管的逆流防止电路，其特征在于，
具备：第一MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；以及
第二MOS晶体管，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和所述输出端子或所述电压输入端子之间，
在使所述开关MOS晶体管为导通状态的期间，使所述第一MOS晶体管为截止状态，使所述第二MOS晶体管为导通状态，
在使所述开关MOS晶体管为截止状态的期间，使所述第一MOS晶体管为导通状态，使所述第二MOS晶体管为截止状态。
3.根据权利要求1或2所述的逆流防止电路，其特征在于，
所述第一MOS晶体管是N沟道型MOS晶体管，所述第二MOS晶体管是P沟道型MOS晶体管，对所述第一以及第二MOS晶体管的栅极端子施加与对所述开关MOS晶体管的栅极端子施加的控制信号反相的信号。
4.一种电源切换装置，其具备：N沟道型的第一开关MOS晶体管，其连接在输入第一直流电压的第一电压输入端子和输出端子之间，控制所述第一电压输入端子和输出端子之间的导通状态；
N沟道型的第二开关MOS晶体管，其连接在输入第二直流电压的第二电压输入端子和输出端子之间，控制所述第二电压输入端子和输出端子之间的导通状态；
对应所述第一开关MOS晶体管设置的第一逆流防止电路；以及
控制电路，其对应所述第一电压输入端子的电压以及所述第二电压输入端子的电压，生成施加给所述第一以及第二开关MOS晶体管的栅极端子的控制信号，
所述电源切换装置选择所述第一电压输入端子或所述第二电压输入端子中的某一方的电压来提供给所述输出端子，
所述电源切换装置的特征在于，
所述第一逆流防止电路具备：第一MOS晶体管，其连接在所述第一开关MOS晶体管的基片和接地点之间；以及
第二MOS晶体管，其连接在所述第一开关MOS晶体管的基片和所述输出端子或所述电压输入端子之间，
在使所述第一开关MOS晶体管为导通状态的期间，使所述第一MOS晶体管为截止状态，使所述第二MOS晶体管为导通状态，
在使所述第一开关MOS晶体管为截止状态的期间，使所述第一MOS晶体管为导通状态，使所述第二MOS晶体管为截止状态。
5.根据权利要求4所述的电源切换装置，其特征在于，
还具备对应所述第二MOS晶体管设置的第二逆流防止电路，
所述第二逆流防止电路具备：第三MOS晶体管，其连接在所述第二开关MOS晶体管的基片和接地点之间；以及
第四MOS晶体管，其连接在所述第二开关MOS晶体管的基片和所述输出端子或所述电压输入端子之间，
在使所述第二开关MOS晶体管为导通状态的期间，使所述第三MOS晶体管为截止状态，使所述第四MOS晶体管为导通状态，
在使所述第二开关MOS晶体管为截止状态的期间，使所述第三MOS晶体管为导通状态，使所述第四MOS晶体管为截止状态。
6.根据权利要求4或5所述的电源切换装置，其特征在于，
所述第一MOS晶体管以及所述第三MOS晶体管为N沟道型MOS晶体管，所述第二MOS晶体管以及所述第四MOS晶体管为P沟道型MOS晶体管，
对所述第一以及第二MOS晶体管的栅极端子施加与对所述第一开关MOS晶体管的栅极端子施加的第一控制信号反相的信号，
对所述第三以及第四MOS晶体管的栅极端子施加与对所述第二开关MOS晶体管的栅极端子施加的第二控制信号反相的信号。
7.根据权利要求6所述的电源切换装置，其特征在于，
具备对已输入给所述第一电压输入端子或所述第二电压输入端子的直流电压进行升压的升压电路，所述第一控制信号及其反相的信号以及第二控制信号及其反相的信号是通过所述升压电路对高电平进行升压后的电压的电位。
CN201010128665.2A 2009-03-05 2010-03-04 逆流防止电路以及电源切换装置 Expired - Fee Related CN101826794B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-051704 2009-03-05
JP2009051704A JP5338387B2 (ja) 2009-03-05 2009-03-05 電源切換え装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101826794A true CN101826794A (zh) 2010-09-08
CN101826794B CN101826794B (zh) 2015-04-08

Family

ID=42340765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010128665.2A Expired - Fee Related CN101826794B (zh) 2009-03-05 2010-03-04 逆流防止电路以及电源切换装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8183715B2 (zh)
EP (1) EP2226939A2 (zh)
JP (1) JP5338387B2 (zh)
KR (1) KR20100100577A (zh)
CN (1) CN101826794B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102916460A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 拉碧斯半导体株式会社 电源供给控制系统以及半导体集成电路
CN103023470A (zh) * 2011-09-28 2013-04-03 上海岭芯微电子有限公司 三电极单向导通场效应管
CN104883057A (zh) * 2015-06-18 2015-09-02 深圳市华芯邦科技有限公司 升压与线性充电共用功率器件的移动电源转换器
CN105700610A (zh) * 2016-01-29 2016-06-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Ldo电路
CN109346123A (zh) * 2018-10-24 2019-02-15 上海华力微电子有限公司 一种新型测试端口外部高压切换电路
CN110045777A (zh) * 2018-01-15 2019-07-23 艾普凌科有限公司 逆流防止电路以及电源电路
CN110632967A (zh) * 2018-06-25 2019-12-31 艾普凌科有限公司 逆流防止电路和电源电路
CN111756234A (zh) * 2020-07-06 2020-10-09 深圳天邦达科技有限公司 基于直流转换器的电路控制方法、装置以及电子设备
CN112968518A (zh) * 2021-03-11 2021-06-15 湖南国科微电子股份有限公司 一种包括后备电源的供电系统

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2487773A1 (en) 2011-02-10 2012-08-15 ST-Ericsson SA Method and electrical interface circuit enabling multiplexing
JP5885589B2 (ja) * 2012-05-28 2016-03-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路およびその動作方法
US9283864B2 (en) * 2014-02-21 2016-03-15 Infineon Technologies Ag Circuit, electric power train and method for charging a battery
JP6441619B2 (ja) 2014-09-03 2018-12-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6407071B2 (ja) * 2015-03-16 2018-10-17 株式会社東芝 電圧切替回路および電源装置
US10700527B2 (en) * 2016-03-25 2020-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Power generation system, power conditioner, power control device, power control method, and power control program
JP6610439B2 (ja) * 2016-05-31 2019-11-27 株式会社オートネットワーク技術研究所 電源装置
KR20180020787A (ko) * 2016-08-19 2018-02-28 삼성전자주식회사 전자 장치와 이의 동작 방법
US10879691B2 (en) 2018-03-27 2020-12-29 Veoneer Us Inc. Unlockable switch inhibitor
TWI664785B (zh) * 2018-05-02 2019-07-01 晨星半導體股份有限公司 用於電子裝置的保護電路及相關的保護方法
CN213717633U (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 华为技术有限公司 一种充电保护电路、充电电路以及电子设备
CN111682869B (zh) * 2020-07-03 2024-02-09 上海艾为电子技术股份有限公司 一种防倒灌电流的负载开关及电子设备
CN114498572B (zh) * 2022-02-17 2022-10-04 甘肃省科学院传感技术研究所 一种cmos工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63307510A (ja) * 1987-06-09 1988-12-15 Seiko Instr & Electronics Ltd シリ−ズボルテ−ジレギュレ−タ逆流防止回路
JP2004280704A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Seiko Epson Corp 電源装置の逆流防止回路
CN1885561A (zh) * 2005-06-22 2006-12-27 三洋电机株式会社 绝缘栅型半导体装置、制造方法及保护电路
JP2009017749A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Fujitsu Ten Ltd 電源回路、電源制御装置、及び、電源装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03243119A (ja) * 1990-02-19 1991-10-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> オア回路
JPH0769749B2 (ja) * 1990-10-25 1995-07-31 関西日本電気株式会社 直流電源回路
US5422583A (en) * 1994-03-08 1995-06-06 Analog Devices Inc. Back gate switched sample and hold circuit
US5644266A (en) * 1995-11-13 1997-07-01 Chen; Ming-Jer Dynamic threshold voltage scheme for low voltage CMOS inverter
JP3814385B2 (ja) * 1997-10-14 2006-08-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JPH11355123A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Mitsubishi Electric Corp 動的しきい値ｍｏｓトランジスタを用いたバッファ
JP4439031B2 (ja) * 1999-04-15 2010-03-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP3696470B2 (ja) * 2000-02-22 2005-09-21 富士通株式会社 Ｄｃ−ｄｃ変換回路、電源選択回路、および機器装置
JP3977144B2 (ja) * 2002-05-27 2007-09-19 ローム株式会社 電源回路およびこの電源回路を有する携帯用電子機器
US7233179B2 (en) * 2005-10-28 2007-06-19 Analog Devices, Inc. Output stage interface circuit for outputting digital data onto a data bus
JP5047653B2 (ja) * 2007-03-13 2012-10-10 三菱電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63307510A (ja) * 1987-06-09 1988-12-15 Seiko Instr & Electronics Ltd シリ−ズボルテ−ジレギュレ−タ逆流防止回路
JP2004280704A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Seiko Epson Corp 電源装置の逆流防止回路
CN1885561A (zh) * 2005-06-22 2006-12-27 三洋电机株式会社 绝缘栅型半导体装置、制造方法及保护电路
JP2009017749A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Fujitsu Ten Ltd 電源回路、電源制御装置、及び、電源装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102916460A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 拉碧斯半导体株式会社 电源供给控制系统以及半导体集成电路
CN102916460B (zh) * 2011-08-03 2016-11-09 拉碧斯半导体株式会社 电源供给控制系统以及半导体集成电路
CN103023470A (zh) * 2011-09-28 2013-04-03 上海岭芯微电子有限公司 三电极单向导通场效应管
CN103023470B (zh) * 2011-09-28 2016-02-10 上海岭芯微电子有限公司 三电极单向导通场效应管
CN104883057A (zh) * 2015-06-18 2015-09-02 深圳市华芯邦科技有限公司 升压与线性充电共用功率器件的移动电源转换器
CN105700610A (zh) * 2016-01-29 2016-06-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Ldo电路
CN110045777A (zh) * 2018-01-15 2019-07-23 艾普凌科有限公司 逆流防止电路以及电源电路
CN110632967A (zh) * 2018-06-25 2019-12-31 艾普凌科有限公司 逆流防止电路和电源电路
TWI818034B (zh) * 2018-06-25 2023-10-11 日商艾普凌科有限公司 逆流防止電路以及電源電路
CN109346123A (zh) * 2018-10-24 2019-02-15 上海华力微电子有限公司 一种新型测试端口外部高压切换电路
CN111756234A (zh) * 2020-07-06 2020-10-09 深圳天邦达科技有限公司 基于直流转换器的电路控制方法、装置以及电子设备
CN112968518A (zh) * 2021-03-11 2021-06-15 湖南国科微电子股份有限公司 一种包括后备电源的供电系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP5338387B2 (ja) 2013-11-13
KR20100100577A (ko) 2010-09-15
US8183715B2 (en) 2012-05-22
EP2226939A2 (en) 2010-09-08
CN101826794B (zh) 2015-04-08
JP2010207008A (ja) 2010-09-16
US20100225169A1 (en) 2010-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101826794A (zh) 逆流防止电路以及电源切换装置
TWI431898B (zh) Power switching circuit
TWI538399B (zh) 用於高速類比開關的低漏動態雙向本體-攫取方法
US9479154B2 (en) Semiconductor integrated circuit
KR20150071339A (ko) 게이트 구동 회로
US10355685B2 (en) Output circuit
KR101297460B1 (ko) 게이트 구동 장치
KR20080080027A (ko) 차지 펌프 회로
US9669427B2 (en) Methods and systems for ultrasound control with bi-directional transistor
KR100232661B1 (ko) 아날로그 스위치회로
US20100102856A1 (en) Inverter circuit
CN102761327A (zh) 传输门
US10903840B2 (en) Pad tracking circuit for high-voltage input-tolerant output buffer
US8742829B2 (en) Low leakage digital buffer using bootstrap inter-stage
CN101236965B (zh) 半导体集成电路装置
CN115940110A (zh) 电压选择电路、电压选择系统及电子设备
KR101171679B1 (ko) 저누설 전력 검출 회로, 검출 시스템 및 검출 방법
JP2006042402A (ja) 電源制御回路
US20090284287A1 (en) Output buffer circuit and integrated circuit
US7352228B2 (en) Method and apparatus of a level shifter circuit with duty-cycle correction
CN103516340A (zh) 一种最大电压选择电路、方法及子选择电路
JP3624629B2 (ja) 両極性レベルシフト回路
US11502600B2 (en) Power supply control circuit
US6731156B1 (en) High voltage transistor protection technique and switching circuit for integrated circuit devices utilizing multiple power supply voltages
JP3271269B2 (ja) 出力駆動回路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150408

Termination date: 20190304

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee