JP5885589B2 - 半導体集積回路およびその動作方法 - Google Patents
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Description
まず、本願において開示される代表的な実施の形態についてその概要を説明する。代表的な実施の形態の概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
《多機能携帯電話の構成》
図1は、実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212が搭載された多機能携帯電話の構成を示す図である。
図1に示したように、ワイヤレス電力伝送システムの送信側の送電回路1にはACアダプタ10を介してAC電源が供給される。送電回路1は、マイクロコントローラユニット(MCU)11と送電制御回路12とによって構成され、マイクロコントローラユニット(MCU)11は認証処理機能111と暗号処理機能112とを有し、送電制御回路12は整流回路121とRFドライバ122を含み、RFドライバ122は送電側アンテナコイル13と接続される。
図1に示したように、ワイヤレス電力伝送システムの受信側の受電回路2は受電制御回路21とマイクロコントローラユニット(MCU)22とによって構成され、マイクロコントローラユニット(MCU)22は認証処理機能221と暗号処理機能222を有し、受電制御回路21は整流回路211とバッテリー充電制御のための半導体集積回路212とを含むものである。
図2は、図1に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の構成を示す図である。
図3は、図2に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の外部端子の機能を示す図である。
図4は、本発明の比較参考例として本発明に先立って本発明者によって検討された半導体集積回路212の起動時の動作モード選択のための入力電圧検出回路2124の構成を示す図である。
図6は、図2に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の起動時の動作モード選択のための入力電圧検出回路2124の構成を示す図である。
図7は、図6に示す実施の形態1による入力電圧検出回路2124の動作を説明するための入力電圧検出回路2124の各部の波形を示す図である。
図9は、図2と図4とに示した実施の形態1による半導体集積回路212による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。
《使用電圧のその他の自動選択動作》
図10は、図2と図4とに示す実施の形態2による半導体集積回路212による複数の電源から使用電源を自動選択する動作を示す図である。
2…受電回路
3…受電側システム
10…ACアダプタ
11…マイクロコントローラユニット(MCU)
111…認証処理機能
112…暗号処理機能
12…送電制御回路
121…整流回路
122…RFドライバ122
13…送電側アンテナコイル
21…受電制御回路
211…整流回路
22…マイクロコントローラユニット(MCU)
221…認証処理機能
222…暗号処理機能
23…USB接続インターフェース
24…AC電源接続インターフェース24
25…受電側アンテナコイル
26…2次電池
212…半導体集積回路
T1〜T10…端子
D1、D2…ショットキーダイオード
2121…降圧DC−DCコンバータ
2122…リニア・レギュレータ
2123…USB種別検出回路
2124…入力電圧検出回路
2125…外部インターフェース
2126…内蔵レギュレータ
2127…ゲート駆動制御回路
Mp0…PチャネルMOSトランジスタ
SW1、SW2、SW3、SW4…スイッチ
L1…インダクター
C1…容量
21241…リニア・レギュレータ
21242…入力電圧選択スイッチ
21243…電圧比較・選択回路
2124X…パワーオンリセット補助回路2124X
Ref_Gen1…第1基準電圧発生回路
Ref_Gen2…第2基準電圧発生回路
Ref_Gen3…第3基準電圧発生回路
Ref_Gen4…第4基準電圧発生回路
DA1…差動増幅器
DA2…差動増幅器
DA3…差動増幅器
DA4…差動増幅器
BA1…第1バッファ回路
BA2…第2バッファ回路
21244…パワーオンリセット回路
21245…制御ロジック回路
21246…入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路
21247…クロック発生回路
21248…入力電圧検出回路
21249…ゲート駆動回路
2128…アナログ回路
Mn1、Mn2…NチャネルMOSトランジスタ
Claims (20)
- 半導体集積回路は、第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路と、第1電源スイッチと、第2電源スイッチとを具備して、
前記入力電圧選択回路は、パワーオンリセット回路と入力電圧検出回路と制御回路とパワーオンリセット補助回路とを含み、
前記パワーオンリセット回路は、前記第1供給端子への前記第1の電源電圧と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧とのうちの少なくともいずれか一方の供給開始に応答して、パワーオンリセット信号を生成するパワーオンリセット動作を開始し、
前記パワーオンリセット動作の終了時に前記第1と第2のいずれかの電源電圧の前記第1と第2のいずれかの供給端子への供給を前記入力電圧検出回路が検出する場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御して、
前記パワーオンリセット動作の終了時に前記第1および第2の電源電圧の両者の前記第1および第2の供給端子の両者への供給を前記入力電圧検出回路が検出する場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順位の高い優先順位を持った電源スイッチをオン状態に制御して、
前記高い優先順位を持った前記電源スイッチが前記オン状態に制御された後に、前記パワーオンリセット補助回路は前記第1および第2の電源電圧のうちの前記高い優先順位を持った前記電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものであり、
前記パワーオンリセット補助回路による前記停電の検出結果に応答して、前記パワーオンリセット回路は前記パワーオンリセット動作終了後に再度前記パワーオンリセット信号を生成する他のパワーオンリセット動作を実行するものであり、
前記パワーオンリセット回路の前記他のパワーオンリセット動作の終了時において、前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうち前記事前に設定された優先順位の低い優先順位を持った電源スイッチをオン状態に制御する
半導体集積回路。 - 請求項1において、
前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の供給と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の供給とに応答して、前記パワーオンリセット回路は、前記パワーオンリセット信号を生成して、
前記入力電圧検出回路は前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給に応答して第1電圧検出出力信号を生成して、前記入力電圧検出回路は前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給に応答して第2電圧検出出力信号を生成して、
前記制御回路は、前記パワーオンリセット信号と前記第1電圧検出出力信号と前記第2電圧検出出力信号とに応答して、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとを制御して、
前記パワーオンリセット動作の終了に応答する前記パワーオンリセット信号のレベル変化のタイミングでは、前記入力電圧検出回路は前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給とを検出して、
前記レベル変化の前記タイミングで、前記入力電圧検出回路が前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給を検出するが前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給を検出しない第1の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第1電源スイッチは前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧を負荷に供給して、
前記レベル変化の前記タイミングで、前記入力電圧検出回路が前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給を検出するが前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給を検出しない第2の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第2電源スイッチは前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧を前記負荷に供給して、
前記レベル変化の前記タイミングで、前記入力電圧検出回路が前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給とを検出する第3の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの一方と他方をそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
前記第3の場合に、前記制御回路に前記事前に設定された優先順位に従って前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御され、
前記高い優先順位を持った前記電源スイッチである前記オン状態に制御された前記一方は、前記第1供給端子または前記第2供給端子に供給される前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を前記負荷に供給する
半導体集積回路。 - 請求項2において、
前記パワーオンリセット補助回路は、第1と第2の基準電圧発生回路と第1と第2の差動増幅器と第1と第2のNチャネルMOSトランジスタとを含むものであり、
前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧が動作電源電圧として前記第1の基準電圧発生回路と前記第1の差動増幅器とに供給され、前記第1の基準電圧発生回路から生成される第1の基準電圧が前記第1の差動増幅器の非反転入力端子に供給され、前記第1の差動増幅器の反転入力端子は前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧に応答して、
前記第1の差動増幅器の出力信号によって前記第1のNチャネルMOSトランジスタのゲートが駆動され、前記第1のNチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは接地電位と前記パワーオンリセット回路とにそれぞれ接続され、
前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧が動作電源電圧として前記第2の基準電圧発生回路と前記第2の差動増幅器とに供給され、前記第2の基準電圧発生回路から生成される第2の基準電圧が前記第2の差動増幅器の非反転入力端子に供給され、前記第2の差動増幅器の反転入力端子は前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧に応答して、
前記第2の差動増幅器の出力信号によって前記第2のNチャネルMOSトランジスタのゲートが駆動され、前記第2のNチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは前記接地電位と前記パワーオンリセット回路とにそれぞれ接続され、
前記第2供給端子の前記第2の電源電圧が前記第1の基準電圧発生回路と前記第1の差動増幅器とに前記動作電源電圧として供給される状態の前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧の停電による前記第1の電源電圧の低下に応答して、前記第1の差動増幅器の前記出力信号は前記第1のNチャネルMOSトランジスタをオフ状態からオン状態に制御するものであり、
前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧の前記停電によって前記第1のNチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御されることに応答して、前記パワーオンリセット回路は前記他のパワーオンリセット動作を実行するものであり、
前記第1供給端子の前記第1の電源電圧が前記第2の基準電圧発生回路と前記第2の差動増幅器とに前記動作電源電圧として供給される状態の前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧の停電による前記第2の電源電圧の低下に応答して、前記第2の差動増幅器の前記出力信号は前記第2のNチャネルMOSトランジスタをオフ状態からオン状態に制御するものであり、
前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧の前記停電によって前記第2のNチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御されることに応答して、前記パワーオンリセット回路は前記他のパワーオンリセット動作を実行する
半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記半導体集積回路は、前記負荷としての第1外部負荷と第2外部負荷とに前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧をそれぞれ供給する第1外部出力端子と第2外部出力端子を更に具備して、
前記半導体集積回路は、前記第1外部出力端子と前記第2外部出力端子との間に接続された出力PチャネルMOSトランジスタを更に具備して、
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路により前記出力PチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御され、
前記出力PチャネルMOSトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧が前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とを介して供給可能とされた
半導体集積回路。 - 請求項4において、
前記第1外部出力端子は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第1外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものであり、
前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とは、バッテリーである前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成された
半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記入力電圧選択回路は、入力電圧選択スイッチと、ゲート駆動回路とを更に含み、
前記入力電圧選択スイッチは第1入力PチャネルMOSトランジスタと第2入力PチャネルMOSトランジスタを含み、前記第1入力PチャネルMOSトランジスタのソースが前記第1供給端子と接続され、前記第2入力PチャネルMOSトランジスタのソースが前記第2供給端子と接続され、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット期間において、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタとの両者をオン状態に制御して、
前記パワーオンリセット期間において、前記第1入力PチャネルMOSトランジスタのドレインもしくは前記第2入力PチャネルMOSトランジスタのドレインから、前記パワーオンリセット回路に供給される動作電圧が生成される
半導体集積回路。 - 請求項6において、
前記第1の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御して、
前記第2の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御して、
前記第3の場合には、前記制御回路に事前に設定された前記優先順位に従って、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタの一方と他方をオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する
半導体集積回路。 - 請求項7において、
前記入力電圧選択回路は、第1入力端子と第2入力端子と出力端子を持つ電圧比較・選択回路を更に含み、
前記電圧比較・選択回路の前記第1入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタの前記ドレインに接続され、
前記電圧比較・選択回路の前記第2入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第2入力PチャネルMOSトランジスタの前記ドレインに接続され、
前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧が生成され、
前記電圧比較・選択回路は前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧として出力する
半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記第1の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の供給を検出する第4の場合が発生して、
前記第4の場合の発生に応答して、前記第3の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順位に従って前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御して、
前記第2の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の供給を検出する第5の場合が発生して、
前記第5の場合の発生に応答して、前記第3の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順位に従って前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御して、
前記第3の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の供給を検出する第6の場合が発生して、
前記第6の場合の発生に応答して、前記第3の場合と同様に前記制御回路は、前記制御回路に事前に設定された前記優先順位に従って前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とをそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御する
半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記第1の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の供給を検出する第4の場合が発生して、
前記第4の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第1外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第4の場合の発生を通知することが可能とされ、
前記第4の場合の前記発生の第1の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第1の指示に従って、前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとを制御するものであり、
前記第1の指示に従って、前記制御回路は、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御するか、もしくは前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
前記第2の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の供給を検出する第5の場合が発生して、
前記第5の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第1外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第5の場合の発生を通知することが可能とされ、
前記第5の場合の前記発生の第2の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第2の指示に従って、前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとを制御するものであり、
前記第2の指示に従って、前記制御回路は、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態とに制御するか、もしくは前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
前記第3の場合の発生により、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態とに制御された後に、前記入力電圧検出回路が前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の供給を検出する第6の場合が発生して、
前記第6の場合の発生に応答して、前記半導体集積回路は前記第1外部負荷としての前記他の半導体集積回路に前記第6の場合の発生を通知することが可能とされ、
前記第6の場合の前記発生の第3の通知に応答して、前記他の半導体集積回路から前記半導体集積回路に供給される第3の指示に従って、前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとを制御するものであり、
前記第3の指示に従って、前記制御回路は、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態とに制御するか、もしくは前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御する
半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記半導体集積回路は、前記第1供給端子と前記第1電源スイッチとの間に並列接続された降圧DC−DCコンバータとリニア・レギュレータを更に具備して、
前記リニア・レギュレータは、前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものであり、
前記降圧DC−DCコンバータは、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する
半導体集積回路。 - 請求項11において、
前記第1供給端子に第1ショットキーダイオードを介してワイヤレス給電の電源電圧と第2ショットキーダイオードを介してAC電源接続インターフェースのAC−DC変換電源電圧とが供給可能なように、前記第1供給端子が構成されたものであり、
前記第2供給端子にUSB接続インターフェースのUSB電源電圧が供給可能なように、前記第2供給端子が構成された
半導体集積回路。 - 第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路と、第1電源スイッチと、第2電源スイッチとを具備する半導体集積回路の動作方法であって、
前記入力電圧選択回路は、パワーオンリセット回路と入力電圧検出回路と制御回路とパワーオンリセット補助回路とを含み、
前記パワーオンリセット回路は、前記第1供給端子への前記第1の電源電圧と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧とのうちの少なくともいずれか一方の供給開始に応答して、パワーオンリセット信号を生成するパワーオンリセット動作を開始し、
前記パワーオンリセット動作の終了時に前記第1と第2のいずれかの電源電圧の前記第1と第2のいずれかの供給端子への供給を前記入力電圧検出回路が検出する場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御して、
前記パワーオンリセット動作の終了時に前記第1および第2の電源電圧の両者の前記第1および第2の供給端子の両者への供給を前記入力電圧検出回路が検出する場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順位の高い優先順位を持った電源スイッチをオン状態に制御して、
前記高い優先順位を持った前記電源スイッチが前記オン状態に制御された後に、前記パワーオンリセット補助回路は前記第1および第2の電源電圧のうちの前記高い優先順位を持った前記電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものであり、
前記パワーオンリセット補助回路による前記停電の検出結果に応答して、前記パワーオンリセット回路は前記パワーオンリセット動作終了後に再度前記パワーオンリセット信号を生成する他のパワーオンリセット動作を実行するものであり、
前記パワーオンリセット回路の前記他のパワーオンリセット動作の終了時において、前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうち前記事前に設定された優先順位の低い優先順位を持った電源スイッチをオン状態に制御する
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項13において、
前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の供給と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の供給とに応答して、前記パワーオンリセット回路は、前記パワーオンリセット信号を生成して、
前記入力電圧検出回路は前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給に応答して第1電圧検出出力信号を生成して、前記入力電圧検出回路は前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給に応答して第2電圧検出出力信号を生成して、
前記制御回路は、前記パワーオンリセット信号と前記第1電圧検出出力信号と前記第2電圧検出出力信号とに応答して、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとを制御して、
前記パワーオンリセット動作の終了に応答する前記パワーオンリセット信号のレベル変化のタイミングでは、前記入力電圧検出回路は前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給とを検出して、
前記レベル変化の前記タイミングで、前記入力電圧検出回路が前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給を検出するが前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給を検出しない第1の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第1電源スイッチは前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧を負荷に供給して、
前記レベル変化の前記タイミングで、前記入力電圧検出回路が前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給を検出するが前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給を検出しない第2の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとをそれぞれオフ状態とオン状態に制御して、
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチとがそれぞれ前記オフ状態と前記オン状態に制御されることにより、前記オン状態に制御された前記第2電源スイッチは前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧を前記負荷に供給して、
前記レベル変化の前記タイミングで、前記入力電圧検出回路が前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給と前記第2供給端子への前記第2の電源電圧の前記供給とを検出する第3の場合には、前記パワーオンリセット動作終了の後に前記制御回路は前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの一方と他方をそれぞれオン状態とオフ状態に制御して、
前記第3の場合に、前記制御回路に前記事前に設定された優先順位に従って前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチの前記一方と前記他方とがそれぞれ前記オン状態と前記オフ状態に制御され、
前記高い優先順位を持った前記電源スイッチである前記オン状態に制御された前記一方は、前記第1供給端子または前記第2供給端子に供給される前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を前記負荷に供給する
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項14において、
前記パワーオンリセット補助回路は、第1と第2の基準電圧発生回路と第1と第2の差動増幅器と第1と第2のNチャネルMOSトランジスタとを含むものであり、
前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧が動作電源電圧として前記第1の基準電圧発生回路と前記第1の差動増幅器とに供給され、前記第1の基準電圧発生回路から生成される第1の基準電圧が前記第1の差動増幅器の非反転入力端子に供給され、前記第1の差動増幅器の反転入力端子は前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧に応答して、
前記第1の差動増幅器の出力信号によって前記第1のNチャネルMOSトランジスタのゲートが駆動され、前記第1のNチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは接地電位と前記パワーオンリセット回路とにそれぞれ接続され、
前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧が動作電源電圧として前記第2の基準電圧発生回路と前記第2の差動増幅器とに供給され、前記第2の基準電圧発生回路から生成される第2の基準電圧が前記第2の差動増幅器の非反転入力端子に供給され、前記第2の差動増幅器の反転入力端子は前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧に応答して、
前記第2の差動増幅器の出力信号によって前記第2のNチャネルMOSトランジスタのゲートが駆動され、前記第2のNチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは前記接地電位と前記パワーオンリセット回路とにそれぞれ接続され、
前記第2供給端子の前記第2の電源電圧が前記第1の基準電圧発生回路と前記第1の差動増幅器とに前記動作電源電圧として供給される状態の前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧の停電による前記第1の電源電圧の低下に応答して、前記第1の差動増幅器の前記出力信号は前記第1のNチャネルMOSトランジスタをオフ状態からオン状態に制御するものであり、
前記第1供給端子に供給される前記第1の電源電圧の前記停電によって前記第1のNチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御されることに応答して、前記パワーオンリセット回路は前記他のパワーオンリセット動作を実行するものであり、
前記第1供給端子の前記第1の電源電圧が前記第2の基準電圧発生回路と前記第2の差動増幅器とに前記動作電源電圧として供給される状態の前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧の停電による前記第2の電源電圧の低下に応答して、前記第2の差動増幅器の前記出力信号は前記第2のNチャネルMOSトランジスタをオフ状態からオン状態に制御するものであり、
前記第2供給端子に供給される前記第2の電源電圧の前記停電によって前記第2のNチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御されることに応答して、前記パワーオンリセット回路は前記他のパワーオンリセット動作を実行する
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項15において、
前記半導体集積回路は、前記負荷としての第1外部負荷と第2外部負荷とに前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧をそれぞれ供給する第1外部出力端子と第2外部出力端子を更に具備して、
前記半導体集積回路は、前記第1外部出力端子と前記第2外部出力端子との間に接続された出力PチャネルMOSトランジスタを更に具備して、
前記パワーオンリセット動作終了の後に前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路により前記出力PチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御され、
前記出力PチャネルMOSトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧が前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とを介して供給可能とされた
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項16において、
前記第1外部出力端子は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第1外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものであり、
前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とは、バッテリーである前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成された
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項15において、
前記入力電圧選択回路は、入力電圧選択スイッチと、ゲート駆動回路とを更に含み、
前記入力電圧選択スイッチは第1入力PチャネルMOSトランジスタと第2入力PチャネルMOSトランジスタを含み、前記第1入力PチャネルMOSトランジスタのソースが前記第1供給端子と接続され、前記第2入力PチャネルMOSトランジスタのソースが前記第2供給端子と接続され、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット期間において、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタとの両者をオン状態に制御して、
前記パワーオンリセット期間において、前記第1入力PチャネルMOSトランジスタのドレインもしくは前記第2入力PチャネルMOSトランジスタのドレインから、前記パワーオンリセット回路に供給される動作電圧が生成される
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項18において、
前記第1の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御して、
前記第2の場合には、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御して、
前記第3の場合には、前記制御回路に事前に設定された前記優先順位に従って、前記ゲート駆動回路は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタと前記第2入力PチャネルMOSトランジスタの一方と他方をオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する
半導体集積回路の動作方法。 - 請求項19において、
前記入力電圧選択回路は、第1入力端子と第2入力端子と出力端子を持つ電圧比較・選択回路を更に含み、
前記電圧比較・選択回路の前記第1入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第1入力PチャネルMOSトランジスタの前記ドレインに接続され、
前記電圧比較・選択回路の前記第2入力端子は、前記入力電圧選択スイッチの前記第2入力PチャネルMOSトランジスタの前記ドレインに接続され、
前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧が生成され、
前記電圧比較・選択回路は前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路に供給される前記動作電圧として出力する
半導体集積回路の動作方法。
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