CN101760724B - 超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，采用化学气相沉积法，将设置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内，通入碳氢化合物催化分解，在金属箔片上得石墨烯薄膜；在上述产物上附着有机胶体，得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体；用金属箔片腐蚀液除去金属箔片，得有机胶体/石墨烯结合体；再用基片将上述步骤产物取出，放入去离子水中，清洗、烘干，得有机胶体/石墨烯/基片结合体；最后，用有机溶剂除去有机胶体，取出，自然干燥，得位于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。本方法操作步骤简单，所得产品面积大，原料成本低，高导电性，高透光率。主要用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种电极材料的制备方法，特别是涉及一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法。
背景技术
目前，普遍使用的透明电极材料为氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜，其 透光率达90％，但由于材料中铟元素是稀贵金属，且ITO薄膜的生长需要高真空度及较高温度，同时获得的ITO薄膜较脆，不易制成柔性电极。近年来，发现的石墨烯是一种单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状结构的碳质新材料，其导电率可与ITO媲美，透光率可达97％，且生产成本较低，不需高温、高压。已研究的石墨薄膜的制备方法主要有微机械剥离法、液相化学法、热解SiC法及化学气相沉积法等。其中，微机械剥离法、液相化学法所得石墨烯薄膜面积小，约数十平方微米，很难应用于透明电极中。热解SiC法成本高且由于SiC耐腐蚀，使获得的石墨烯薄膜难以转移，因而较难应用于透明电极领域。中国专利CN101285175A公开了一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法，其步骤包括将带有催化剂的衬底放入无氧反应器中，使衬底温度达500～1200℃，然后向反应器中通入含碳物质，得石墨烯，最后进行纯化处理，除去催化剂。其中，催化剂是金属或金属化合物，含碳物质是一氧化碳、甲烷、乙炔、乙醇、苯、甲苯、环己烷和酞菁中的一种或其任意组合。本方法中带催化剂的衬底可用两种式获得，其一是将金属粉末或金属化合物粉末放在衬底上；其二是用化学气相沉积法、物理气相沉积法、真空热蒸镀法、磁控溅射法、等离子体增强化学气相沉积法和印刷法将金属或金属化合物附着在衬底上。采用前者方式所得衬底上的催化剂粉末颗粒小，其上形成的石墨烯面积小，难以通过附着有机胶体的方式实现石墨烯薄膜的转移。采用后者方式所得衬底上的催化剂晶粒小，质量差，其上形成的石墨烯薄膜质量差，且主要形成多层石墨烯薄膜，难以形成单层高质量石墨烯薄膜。且由于受基片尺寸和CVD反应器空间尺寸的限制，使生成的石墨烯薄膜面积小，从而大大限止了石墨烯的应用。
发明内容
本发明的目的在于克服上述缺点，提供一种操作简单，易于控制，成本低，所得产品面积大、导电率高，透光率高的超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法。
本发明超大面积离质量石墨烯薄膜电极的制备方法其步骤如下：
1)将放置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内，通入氢气1～1000Pa，加热至700～1000℃，保温0～60分钟，然后再通入碳氢化合物气体0.1～100000Pa，再保温1～60分钟，之后以5～100℃/分钟的速度降温至室温，关闭氢气和碳氢化合物气体，在金属箔片上得石墨烯薄膜。其中，金属箔片是铜箔片、镍箔片、铁箔片、钴箔片中的一种，其厚度一般为20～100微米；碳氢化合物气体是甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、甲醇、乙醇中的一种或一种以上任意比例混合物。
2)在石墨烯薄膜上通过旋涂或喷涂或流延或直接滴有机胶体，于80～180℃温度下烘1～20分钟，得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体。其中，有机胶体是光刻胶、电子蚀刻胶(PMMA)、聚酰亚胺中的一种。
3)将步骤2)所得产物浸渍于金属箔片腐蚀液中，除去金属箔片，得有机胶体/石墨烯结合体。其中，金属箔片腐蚀液为可溶解该种金属箔片的腐蚀液，其浓度按质量％计是10～40％水溶液。
4)用基片将步骤3)产物从金属箔片腐蚀液中取出，放入去离子水中，清洗后置于基片上，于80～180℃温度下烘1～20分钟，得有机胶体/石墨烯/基片结合体。其中，基片是透明塑料片、玻璃片、打印纸、硅片、二氧化硅片中的一种。
5)将步骤4)所得产物放入去胶溶剂丙酮、乙醇、异丙醇中的一种或一种以上任意比例混合物，除去有机胶体，取出，自然干燥，得附着于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。其中，步骤4)所得产物可浸渍于去胶溶剂中除去有机胶体；也可以置于去胶溶剂的蒸汽中除去胶体。
为了降低石墨烯薄膜电极的电阻率，可进行多次转移，形成多层并联结构的石墨烯薄膜电极。其具体方法是用步骤5)所得产物重复进行步骤4)和步骤5)操作1～5次，便可得到附着在基片上2～6层石墨烯薄膜，从而得到附着在基片上的多层并联结构的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
本发明超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法的优点在于操作简单，易控制，成本低。由于采用金属箔片作催化剂，金属箔片本身尺寸不受限制，并置于螺旋型或S型石英槽内，从而能在有限的反应器空间内得到超大面积的石墨烯薄膜电极；另一方面，采用步骤2)可以转移大面积石墨烯薄膜至任意基片上，且不损伤石墨烯薄膜；再者，采用多次转移石墨烯薄膜 可以获得多层并联结构的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。本发明方法所得产品面积大，可达数十英寸，导电性高，电阻值达30～60欧姆。透光率高达90～96％。大大拓宽了石墨烯薄膜电极的使用领域，可广泛用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。
附图说明
图1：实施例1生成有石墨烯薄膜铜箔片的照片
图2：实施例1超大面积高质量石墨烯薄膜电极照片
具体实施方式
实施例1：本发明超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法其步骤如下：
1)将放置有铜箔片(厚度为20微米、尺寸为20×10cm)的螺旋型石英槽置于反应器内，通入氢100Pa，加热至1000℃，保温20分钟，然后再通入甲烷气体10Pa，再保温20分钟后以10℃/分钟的速度降温至窒温，关闭氢气和甲烷气体，在铜箔片上得石墨烯薄膜。。
2)在石墨烯薄膜上通过喷涂光刻胶，于180℃温度下烘5分钟，得光刻胶体/石墨烯/铜箔片结合体。
3)将步骤2)所得产物浸渍于10％(质量)的硝酸铁溶液中，除去铜箔片，得光刻胶体/石墨烯结合体。
4)用玻璃片将步骤3)产物从硝酸铁溶液中取出，放入去离子水中，清洗两次后置于基片上，于100℃温度下烘5分钟，得光刻胶体/石墨烯/玻璃片结合体。
5)将步骤4)所得产物放入丙酮液体中，除去光刻胶，取出，自然干燥，得附着于玻璃片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
实施例2：本发明超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法其步骤如下：
1)将放置有镍箔片(厚度为25微米、尺寸为20×20cm)的螺旋型石英槽置于反应器内，通入氢1000Pa，加热至800℃，保温60分钟，然后再通入甲烷、乙烷混合气体10000Pa，再保温1分钟后以100℃/分钟的速度降温至室温，关闭氢气和甲烷、乙烷混合气体，在镍箔片上得石墨烯薄膜。
2)在石墨烯薄膜上通过旋涂PMMA，于100℃温度下烘10分钟，得PMMA胶体/石墨烯/镍箔片结合体。
3)将步骤2)所得产物浸渍于40％(质量)的硝酸铁溶液中，除去镍箔片，得PMMA胶体/石墨烯结合体。
4)用塑料片将步骤3)产物从硝酸铁溶液中取出，放入去离子水中，清 洗两次后置于基片上，于180℃温度下烘5分钟，得PMMA胶体/石墨烯/塑料片结合体。
5)将步骤4)所得产物放入丙酮、乙醇混合液体中，除去PMMA，取出，自然干燥，得附着于塑料片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
实施例3：本发明超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法其步骤如下：
1)将放置有钴箔片(厚度为20微米、尺寸为20×20cm)的S型石英槽置于反应器内，通入氢1Pa，加热至700℃，保温0分钟，然后再通入乙醇气体0.1Pa，再保温1分钟后以5℃/分钟的速度降温至室温，关闭氢气和乙醇气体，在钴箔片上得石墨烯薄膜。
2)在石墨烯薄膜上通过旋涂聚酰亚胺，于80℃温度下烘20分钟，得聚酰亚胺胶体/石墨烯/钴箔片结合体。
3)将步骤2)所得产物浸渍于25％(质量)的盐酸溶液中，除去钴箔片，得聚酰亚胺胶体/石墨烯结合体。
4)用打印纸片将步骤3)产物从盐酸溶液中取出，放入去离子水中，清洗两次后置于基片上，于80℃温度下烘10分钟，得聚酰亚胺胶体/石墨烯/打印纸片结合体。
5)将步骤4)所得产物放入丙酮蒸汽中，除去聚酰亚胺，取出，自然干燥，得附着于打印纸片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
实施例4：本发明超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法其步骤如下：
1)将放置有铁箔片(厚度为30微米、尺寸为10×20cm)的S型石英槽置于反应器内，通入氢1Pa，加热至900℃，保温30分钟，然后再通入甲烷、甲醇混合气体0.1Pa，再保温60分钟后以20℃/分钟的速度降温至室温，关闭氢气和甲烷、甲醇混合气体，在铁箔片上得石墨烯薄膜。。
2)在石墨烯薄膜上通过旋涂PMMA，于180℃温度下烘5分钟，得PMMA胶体/石墨烯/铁箔片结合体。
3)将步骤2)所得产物浸渍于35％(质量)的盐酸溶液中，除去铁箔片，得PMMA胶体/石墨烯结合体。
4)用二氧化硅片将步骤3)产物从盐酸溶液中取出，放入去离子水中，清洗两次后置于基片上，于120℃温度下烘10分钟，得PMMA胶体/石墨烯/二氧化硅片结合体。
5)将步骤4)所得产物放入丙酮、异丙醇混合液体中，除去PMMA，取出，自然干燥，得附着于二氧化硅片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
6)将步骤5)所得产物重复进行步骤4)及步骤5)操作3次，得到附着在二氧化硅片上的4层并联结构的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
Claims (6)
1.一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤如下：
1)将放置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内，通入氢气1～1000Pa，加热至700～1000℃，保温0～60分钟，然后再通入碳氢化合物气体0.1～10000Pa，再保温1～60分钟，之后以5～100℃/分钟的速度降温至室温，关闭氢气和碳氢化合物气体，在金属箔片上得石墨烯薄膜；
2)在石墨烯薄膜上通过旋涂或喷涂或流延或直接滴有机胶体，于80～180℃温度下烘1～20分钟，得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体；
3)将步骤2)所得产物浸渍于金属箔片腐蚀液中，除去金属箔片，得有机胶体/石墨烯结合体；
4)用基片将步骤3)产物从金属箔片腐蚀液中取出，放入去离子水中，清洗后置于基片上，于80～180℃温度下烘1～20分钟，得有机胶体/石墨烯/基片结合体；
5)将步骤4)所得产物放入去胶溶剂丙酮、乙醇、异丙醇中的一种或一种以上，除去有机胶体，取出，自然干燥，得附着于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。
2.如权利要求1所述的超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于金属箔片是铜箔片、镍箔片、铁箔片、钴箔片中的一种。
3.如权利要求1所述的超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于碳氢化合物气体是甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、甲醇、乙醇中的一种或一种以上。
4.如权利要求1所述的超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于有机胶体是光刻胶、电子蚀刻胶、聚酰亚胺中的一种。
5.如权利要求1所述的超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于金属箔片腐蚀液的浓度按质量％计是10～40％水溶液。
6.如权利要求1所述的超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于基片是透明塑料片、玻璃片、打印纸、硅片、二氧化硅片中的一种。
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Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102056361B (zh) * | 2010-09-16 | 2012-11-14 | 电子科技大学 | 石墨烯电致发光显示器件及其制造方法 |
| CN102064189A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-05-18 | 苏州纳维科技有限公司 | 金属-半导体电极结构及其制备方法 |
| CN102148099B (zh) * | 2010-12-20 | 2012-09-12 | 电子科技大学 | 石墨烯染料敏化太阳能电池及其生产方法 |
| CN102592964B (zh) * | 2011-01-07 | 2014-05-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种石墨烯薄膜的衬底转移方法 |
| TWI431640B (zh) * | 2011-03-17 | 2014-03-21 | Ritedia Corp | 透明電極之製造方法、透明電極結構 |
| CN102154694B (zh) * | 2011-03-18 | 2013-03-27 | 昆明物理研究所 | 一种氢氧共掺杂石墨烯的制备方法 |
| CN102645814B (zh) * | 2011-05-23 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶透镜及其制作、使用方法和光电设备 |
| CN102795613B (zh) | 2011-05-27 | 2014-09-10 | 清华大学 | 石墨烯-碳纳米管复合结构的制备方法 |
| CN102796991B (zh) | 2011-05-27 | 2014-08-20 | 清华大学 | 石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法 |
| CN102800419B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-07-09 | 清华大学 | 石墨烯导电膜结构的制备方法 |
| CN102802109B (zh) | 2011-05-27 | 2014-10-08 | 清华大学 | 热致发声元件的制备方法 |
| CN102794945B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-08-20 | 清华大学 | 石墨烯碳纳米管复合膜结构的制备方法 |
| CN102220566A (zh) * | 2011-06-09 | 2011-10-19 | 无锡第六元素高科技发展有限公司 | 一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法 |
| CN102337513B (zh) * | 2011-10-31 | 2012-12-05 | 杭州电子科技大学 | 石墨烯透明导电薄膜的制备方法 |
| CN102522434B (zh) * | 2011-12-15 | 2015-04-15 | 香港中文大学 | 铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法 |
| CN102522437B (zh) * | 2011-12-15 | 2014-05-21 | 香港中文大学 | 铜铟镓硒太阳能电池装置及其制备方法 |
| CN102529297B (zh) * | 2011-12-26 | 2014-09-24 | 常州二维碳素科技有限公司 | 一种生产石墨烯复合薄膜的装置和方法及其制品 |
| CN102517633B (zh) * | 2011-12-26 | 2015-05-20 | 常州二维碳素科技有限公司 | 一种生长石墨烯的支架及方法 |
| CN102583352B (zh) * | 2012-03-02 | 2013-12-11 | 浙江大学 | 一种石墨烯薄膜的热转移方法 |
| CN102592973B (zh) * | 2012-03-02 | 2014-04-02 | 山东师范大学 | 一种大面积石墨烯的转移方法 |
| CN102719803B (zh) * | 2012-07-09 | 2014-05-07 | 深圳市贝特瑞纳米科技有限公司 | 一种石墨烯透明薄膜的制备和转移方法 |
| JP5865211B2 (ja) * | 2012-08-16 | 2016-02-17 | Jx日鉱日石金属株式会社 | グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法 |
| CN102942178A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-02-27 | 武汉大学 | 一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法 |
| CN103028737B (zh) * | 2012-12-21 | 2014-10-08 | 中国科学院半导体研究所 | 制备石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的方法 |
| CN103072976B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-01-14 | 同济大学 | 一种石墨烯或氧化石墨烯薄膜的转移方法 |
| CN103130215B (zh) * | 2013-03-05 | 2014-10-15 | 电子科技大学 | 一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法 |
| TWI501922B (zh) * | 2013-04-26 | 2015-10-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | 在多孔洞基材形成大面積石墨烯層之方法 |
| CN104183698A (zh) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种柔性透明导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用 |
| CN103512875A (zh) * | 2013-09-23 | 2014-01-15 | 武汉大学 | 一种表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法 |
| CN104030274B (zh) * | 2014-05-28 | 2016-01-20 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法 |
| CN104317162A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-01-28 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种石墨烯的化学图形化方法 |
| CN104485385A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-04-01 | 广西智通节能环保科技有限公司 | 一种太阳能电池透明石墨烯薄膜电极的制备方法 |
| CN104851521A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-08-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 石墨烯导电薄膜及其制备方法 |
| CN104681789B (zh) * | 2015-02-06 | 2017-04-26 | 哈尔滨工业大学 | 一种氮掺杂石墨烯膜与多孔碳一体材料的制备方法 |
| CN105576153B (zh) * | 2015-12-28 | 2017-11-17 | 哈尔滨工业大学 | 一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的制备方法 |
| CN105695916A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-06-22 | 镇江博昊科技有限公司 | 一种柔性多层石墨烯复合材料的制备方法 |
| CN107541714B (zh) * | 2016-06-24 | 2020-02-04 | 北京石墨烯研究院有限公司 | 一种大尺寸石墨烯玻璃的快速生长方法 |
| CN106298466A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-01-04 | 西安电子科技大学 | 基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法 |
| CN106684700A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-05-17 | 长春理工大学 | 一种半导体激光器热沉 |
| CN107221577A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-29 | 合肥工业大学 | 一种基于ZnSe薄膜/石墨烯异质结的大面积柔性图像传感器的制备方法 |
| CN108428794B (zh) * | 2018-01-26 | 2019-08-02 | 吉林大学 | 利用光刻胶支撑层无损转移并图案化石墨烯的方法及应用 |
| CN108971480A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-12-11 | 西安交通大学 | 一种石墨烯包覆金属纳米线的制备方法 |
| CN108502872A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-09-07 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种批量制备石墨烯和掺杂石墨烯的方法 |
| CN108996916B (zh) * | 2018-09-05 | 2021-06-08 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种石英管内壁镀膜的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101442105A (zh) * | 2007-11-21 | 2009-05-27 | 中国科学院化学研究所 | 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法 |
| CN101462717A (zh) * | 2007-12-17 | 2009-06-24 | 三星电子株式会社 | 单晶石墨烯片及其制备工艺和透明电极 |
| CN101474898A (zh) * | 2009-01-16 | 2009-07-08 | 南开大学 | 基于石墨烯的导电碳膜及制备方法和应用 |
-
2010
- 2010-01-26 CN CN2010101012173A patent/CN101760724B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101442105A (zh) * | 2007-11-21 | 2009-05-27 | 中国科学院化学研究所 | 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法 |
| CN101462717A (zh) * | 2007-12-17 | 2009-06-24 | 三星电子株式会社 | 单晶石墨烯片及其制备工艺和透明电极 |
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