CN101752217A - 半导体装置制造用薄膜及其制造方法 - Google Patents

半导体装置制造用薄膜及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种半导体装置制造用薄膜，其是在层叠薄膜上贴合覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其特征在于，相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内。

Description

半导体装置制造用薄膜及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种在半导体装置的制造中使用的半导体装置制造用薄膜及其制造方法。
背景技术
形成了电路图案的半导体晶片(wafer)在根据需要利用背面研磨调整厚度之后，被切割成半导体芯片(chip)(切割工序)。接着，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着于引线框(lead frame)等粘附物上(芯片粘附(die attach)工序)，然后，移至接合(bonding)工序。在所述芯片粘附工序中，是将胶粘剂(接着剤)涂敷于引线框或半导体芯片上来进行的。但是，难以利用该方法实现胶粘剂层的均一化，另外，胶粘剂的涂布还必需特殊装置或很长的时间。因此，提出了在切割工序中粘接保持半导体晶片并同时还赋予装载(mount)工序所必需的芯片固着用的胶粘剂层的切割·芯片接合薄膜(例如参照特开昭60-57642号公报)。
在特开昭60-57642号公报中记载的切割·芯片接合薄膜是依次层叠粘合剂(粘着剤)层及胶粘剂层并可剥离地设置该胶粘剂层而成的薄膜。即，在胶粘剂层的保持下切割半导体晶片，然后拉伸基材，与胶粘剂层一起剥离半导体芯片，分别地将其回收并借助该胶粘剂层使其固着于引线框等粘附物上。
此种切割·芯片接合薄膜如果被置于高温·高湿的环境下，或者在施加负荷的状态下长期保存，则有时会发生固化。结果，会引起胶粘剂层的流动性或相对半导体晶片的保持力的降低、切割后的剥离性的降低。因此，切割·芯片接合薄膜大多边在-30～-10℃的冷冻或-5～10℃的冷藏状态下保存边输送，这样，长期保存薄膜特性成为可能。
但是，从制造工序上的限制出发，以往的切割·芯片接合薄膜是在分别制作切割薄膜和芯片接合薄膜的基础上贴合二者来制作的。因此，从防止在各薄膜制作工序中发生松弛或卷偏离、位置偏离、皱纹等观点出发，在利用辊输送时边向各薄膜施加拉伸张力边进行该制作。结果，存在的问题在于，在制作的切割·芯片接合薄膜中残存残余应力，这样，在前述的低温状态下的输送或长时间的保管之后，在粘合剂层与胶粘剂层的界面上发生二者的剥离。另外，还存在切割·芯片接合薄膜的收缩导致的薄膜浮起现象的问题。
发明内容
本发明正是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于，提供一种即使在低温状态下的输送或长时间的保管之后也可防止粘合剂层与胶粘剂层的界面上的二者的剥离或所谓的薄膜浮起现象的发生的半导体装置制造用薄膜及其制造方法。
本发明人等为了解决上述以往的问题点，对半导体装置制造用薄膜及其制造方法进行了探讨。结果发现，在向层叠薄膜上贴合覆盖薄膜时，通过在已拉伸该覆盖薄膜的状态下进行，即使在低温状态下的输送或长时间的保管之后，也可防止粘合剂层与胶粘剂层的界面上的剥离或所谓的薄膜浮起现象的发生，以至完成本发明。
即，本发明中的半导体装置制造用薄膜为了解决上述的课题，其是在层叠薄膜上贴合了覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其特征在于，相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内。
层叠薄膜例如通过在利用辊的输送中已被拉伸，则如果在残存残余应力的状态下贴合覆盖薄膜，则在-30～-10℃的冷冻或-5～10℃的低温状态下输送或长时间保管之后，有时在层叠的薄膜之间发生该残余应力导致的界面剥离。另外，层叠薄膜收缩有时会发生覆盖薄膜的薄膜浮起现象。但是，像上述构成那样，通过使剥离覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率相对贴合覆盖薄膜前的层叠薄膜处于0～2％的范围内，可防止残余应力导致的薄膜间的界面剥离或薄膜浮起的发生。另外，本发明中的“层叠薄膜”是指层叠了至少2层薄膜的层叠薄膜。
在上述构成中，优选所述层叠薄膜是在基材上设置有粘合剂层的切割薄膜的该粘合剂层上设置胶粘剂层的层叠薄膜。如果层叠薄膜是切割·芯片接合薄膜，则可防止残存的残余应力导致二者在粘合剂层与胶粘剂层的界面上剥离或者发生薄膜浮起现象。
在上述构成中，优选所述胶粘剂层中的高分子树脂成份的玻璃化温度处于-20～50℃的范围内，固化前的23℃下的拉伸贮存弹性模量处于50～2000MPa的范围内。通过使高分子树脂成份的玻璃化温度处于-20℃以上，可抑制B阶段(stage)状态下的胶粘剂层的粘合性变大，从而维持良好的操作性。另外，在切割时，可防止粘合剂层的一部分熔融从而粘合剂附着于半导体芯片上。结果，可维持半导体芯片的良好的拾取(ピツクアツプ，pick-up)性。另一方面，通过处于50℃以下，可防止胶粘剂层的流动性的降低。另外，还可维持与半导体晶片的良好的粘接性。进而，通过使所述拉伸贮存弹性模量处于50MPa以上，在切割时，可防止粘合剂层的一部分熔融从而粘合剂附着于半导体芯片上。另一方面，通过使拉伸贮存弹性模量成为2000MPa以下，还可维持与半导体晶片或基板的良好的粘接性。
另外，在上述构成中，优选所述切割薄膜的粘合剂层为紫外线固化型，使所述粘合剂层发生紫外线固化之后的23℃下的切割薄膜的拉伸弹性模量处于1～170MPa的范围内。通过使切割薄膜的拉伸弹性模量处于1MPa以上，可维持良好的拾取性。另一方面，通过使拉伸弹性模量处于170MPa以下，可防止切割时的芯片飞起的发生。
本发明中的半导体装置制造用薄膜的制造方法为了解决上述的课题，其是在层叠薄膜上层叠了覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其特征在于，通过对所述覆盖薄膜在其长边方向施加拉伸张力并在使其已被拉伸的状态下贴合于所述层叠薄膜，从而将剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率调节成相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜处于0～2％的范围内。
如果为上述方法，则由于在对覆盖薄膜在其长边方向施加拉伸张力的状态下将该覆盖薄膜贴合于层叠薄膜上，所以可减低在层叠薄膜中存在的残余应力的影响。这样，即使在-30～-10℃的冷冻或-5～10℃的低温状态下输送或长时间保管之后，也可制造在层叠的薄膜之间没有该残余应力导致的界面剥离或薄膜浮起的半导体装置制造用薄膜。
在上述的方法中，优选所述层叠薄膜是将在基材上层叠有粘合剂层的切割薄膜与在基材隔膜上层叠有胶粘剂层的芯片接合薄膜贴合成所述粘合剂层与胶粘剂层成为贴合的面，进而，从所述胶粘剂层剥离所述基材隔膜，从而制作的层叠薄膜。作为层叠薄膜，通过采用在上述芯片接合薄膜上层叠胶粘剂层的层叠薄膜，作为半导体装置制造用薄膜的切割·芯片接合薄膜的制造成为可能。在此，如果为上述构成的层叠薄膜，则在从胶粘剂层剥离基材隔膜时，变成只有基材作为支撑体来维持薄膜的形状及层叠结构。因此，层叠薄膜在输送中变得容易被拉伸，结果，容易在层叠薄膜中产生残余应力。但是，如果为上述方法，则即使在这样的切割·芯片接合薄膜的制造中，也可通过在已使覆盖薄膜拉伸的状态下贴合，来防止所述残余应力导致的粘合剂层与胶粘剂层的界面上的剥离及覆盖薄膜的薄膜浮起现象，从而制造。
另外，在上述的方法中，优选将所述覆盖薄膜拉伸成在长边方向上相对其初期状态为1.001～1.1倍后，贴合于所述层叠薄膜。通过在该数值范围内对覆盖薄膜在其长边方向上施加拉伸张力，可防止层叠薄膜中的薄膜间的剥离或覆盖薄膜的薄膜浮起现象。
本发明利用上述说明的手段来发挥如下所述的效果。
即，如果利用本发明的半导体装置制造用薄膜，则相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，通过使剥离覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的在长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内，即使在-30～-10℃的冷冻或-5～10℃的低温状态下输送或长时间保管之后，也可防止残余应力导致的薄膜间的界面剥离、薄膜浮起现象的发生。结果，能够提供可提高成品率来制造半导体装置的半导体装置制造用薄膜。
另外，如果利用本发明的半导体装置制造用薄膜的制造方法，则由于在对覆盖薄膜在其长边方向施加拉伸张力的状态下，将该覆盖薄膜贴合于层叠薄膜，所以可减低在层叠薄膜中存在的残余应力的影响。结果，可制造即使在所述低温状态下的输送或长时间的保管之后在层叠的薄膜间也没有残余应力导致的界面的剥离或覆盖薄膜的薄膜浮起现象的半导体装置制造用薄膜。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式中的切割·芯片接合薄膜的概略情况的截面图。
图2是用于说明所述切割·芯片接合薄膜的制造过程的概略图。
图3是用于说明层叠薄膜与覆盖薄膜的贴合工序的示意图。
图4是表示向所述覆盖薄膜施加拉伸张力的状态的示意图。
具体实施方式
在本实施方式中的半导体装置制造用薄膜中，以下以切割·芯片接合薄膜为例进行说明。图1是表示本实施方式中的切割·芯片接合薄膜的概略情况的截面图。图2是用于说明所述切割·芯片接合薄膜的制造过程的概略图。图3是用于说明层叠薄膜与覆盖薄膜的贴合工序的示意图。图4是表示向所述覆盖薄膜施加拉伸张力的状态的示意图。
如图1所示，本实施方式中的切割·芯片接合薄膜10是在切割薄膜11上依次层叠胶粘剂层12及覆盖薄膜2而成的结构。另外，切割薄膜11是在基材13上层叠有粘合剂层14的结构(参照图2(a))。
切割薄膜11例如按照如下所述的过程制作。首先，基材13可利用以往公知的制膜方法制膜。作为该制膜方法，例如可例示压延(calender)制膜法、在有机溶媒中的浇注(casting)法、在密闭体系中的膨胀(inflation)挤压法、T模头(die)挤压法、共挤压法、干式干燥(dry laminate)法等。
接着，在基材13上涂布粘合剂组合物溶液形成涂布膜，然后在规定条件下使该涂布膜干燥(根据需要使其加热交联)，形成粘合剂层14。作为涂布方法，没有特别限定，例如可举出辊涂敷、网版(screen)涂敷、凹版印刷(gravure)涂敷等。另外，作为干燥条件，可对应涂布膜的厚度或材料等适当地设定。具体而言，例如在干燥温度80～150℃、干燥时间0.5～5分钟的范围内进行。另外，也可在第1隔膜21上涂布粘合剂组合物，形成涂布膜，然后在所述干燥条件下使涂布膜干燥来形成粘合剂层14。之后，在基材13上与第1隔膜21一起贴合粘合剂层14。由此，制作利用第1隔膜21保护粘合剂层14的切割薄膜11(参照图2(a))。
作为粘合剂层14，在采用包括紫外线固化型粘合剂在内且已被预先紫外线固化的粘合剂层的情况下，如下所述地进行形成。即，在基材13上涂布紫外线固化型的粘合剂组合物，形成涂布膜，然后在规定条件下使该涂布膜干燥(根据需要使其加热交联)，形成粘合剂层前体。涂布方法、涂布条件及干燥条件可与上述同样地进行。另外，也可在第1隔膜21上涂布紫外线固化型的粘合剂组合物，形成涂布膜，然后利用所述干燥条件使涂布膜干燥，从而形成粘合剂层前体。之后，向基材13上转印粘合剂层前体。这样地进行形成的粘合剂层前体在规定条件下照射紫外线，由此形成粘合剂层14。作为紫外线的照射条件，优选使其积算光量处于30～1000mJ/cm2的范围内，更优选处于100～500mJ/cm2的范围内。如果紫外线的照射不到30mJ/cm2，则有时粘合剂层14的固化变得不充分。结果，与芯片接合薄膜的粘附性增大，从而引起拾取性的降低。另外，在拾取之后，有时在芯片接合薄膜上残留糊。相反，如果积算光量超过1000mJ/cm2，则有时会热损伤(damage)基材13。另外，粘合剂层14的固化过度地进行从而拉伸弹性模量变得过大，进而膨胀(expand)性降低。进而，有时粘着力过度地降低，从而在进行半导体晶片的切割时发生芯片飞起。
所述胶粘剂层12首先在制作图2(b)所示的芯片接合薄膜24之后，在切割薄膜11的粘合剂层上转印、层叠。芯片接合薄膜24例如具有在基材隔膜22上依次层叠粘合剂层12及第2薄膜23的结构。
所述芯片接合薄膜24例如如下所述地进行制作。
即，在基材隔膜22上，将用于形成胶粘剂层12的胶粘剂组合物溶液涂布成规定厚度，形成涂布膜，然后在规定条件下干燥该涂布膜，形成胶粘剂层12。作为涂布方法，没有特别限定，例如可举出辊涂敷、网版涂敷、凹版印刷涂敷等。另外，作为干燥条件，可对应涂布膜的厚度或材料等适当地设定。具体而言，例如在干燥温度70～160℃、干燥时间1～5分钟的范围内进行。另外，也可在第2隔膜23上涂布粘合剂组合物，形成涂布膜，然后在所述干燥条件下使涂布膜干燥从而形成胶粘剂层12。之后，在基材隔膜22上与第2隔膜23一起贴合胶粘剂层12。由此，制作在基材隔膜22上依次层叠有胶粘剂层12及第2隔膜23的芯片接合薄膜24(参照图2(b))。
本实施方式中的切割·芯片接合薄膜10是贴合切割薄膜11与芯片接合薄膜24从而制作的。具体而言，如下所述。
即，从切割薄膜11剥离第1隔膜21，同时从芯片接合薄膜24剥离第2隔膜23，贴合二者，并使胶粘剂层12与粘合剂层14贴合(参照图2(c))。可利用例如压粘进行胶粘剂层12与粘合剂层14的贴合。此时，对层压温度没有特别限定，例如优选为30～50℃，更优选为35～45℃。另外，对线压也没有特别限定，例如优选为0.1～20kgf/cm，更优选为1～10kgf/cm。
接着，剥离胶粘剂层12上的基材隔膜22，从而得到在基材13上依次层叠有粘合剂层14及胶粘剂层12的层叠薄膜1。接着，在该层叠薄膜1的胶粘剂层12上贴合覆盖薄膜(参照图3)。在此，层叠薄膜1优选在其长边方向上没有极力地施加拉伸张力的状态下输送。这是因为，成为只有基材13作为支撑体维持切割·芯片接合薄膜的薄膜形状及层叠结构的结构，结果，处于容易被拉伸的状态。所述拉伸张力具体优选处于10～25N的范围内。
所述覆盖薄膜2从该覆盖薄膜2卷成辊状的卷出辊31送出，被导辊(guide roll)32、33边曲折边输送。所述导辊32、33不限定于辊状，例如也可为非旋转的固定式。进而，对导辊32、33的形状没有特别限定，只要与覆盖薄膜2接触的面至少为曲面即可。因而，例如也可为横截面半圆形、椭圆形、扇形等形状。通过成为这些形状，防止覆盖薄膜2与导辊32、33的接触面上的摩擦力过度地变大，从而容易输送覆盖薄膜2。
覆盖薄膜2在层叠薄膜1上的贴合是在预先在其长边方向施加规定的拉伸张力使其拉伸的状态下进行的。另外，贴合例如优选利用压粘进行。作为向覆盖薄膜2施加拉伸张力的方法，没有特别限定，例如可举出使用图4所示的松紧调节辊(dancer roll)36的方法。松紧调节辊36通过被配置于一对固定辊37之间而且可在上下方向上移动，使得向覆盖薄膜2的长边方向上施加拉伸张力成为可能。覆盖薄膜2的拉伸优选在相对其初期状态处于1.001～1.1倍、优选为1.001～1.01倍的范围内进行。如果拉伸的倍率不到1.001倍，则有时不能得到本发明的效果。相反，如果超过1.1倍，则有时拉伸使得覆盖薄膜2变形，从而发生皱纹或卷曲。另外，所述“长边方向”是指薄膜的MD(纵向(machine direction))方向，后述的“宽度方向”是指与其直行的TD(横向(transverse direction))方向。
另外，覆盖薄膜2在层叠薄膜1上的贴合例如可利用夹持辊(nip roll)34进行。所述夹持辊34呈自由旋转的辊形状。对层压温度没有特别限定，例如优选为18～28℃，更优选为20～25℃。另外，对贴合的压力(夹持压)没有特别限定，例如优选为0.1～0.5MPa，更优选为0.1～0.4MPa。由此制作本实施方式中的切割·芯片接合薄膜10。
之后，所述切割·芯片接合薄膜10经由导辊35被输送，被卷曲辊38卷绕成辊状。这样地进行制作的切割·芯片接合薄膜10在覆盖薄膜2的贴合前后被抑制收缩，其收缩率在长边方向及宽度方向上分别处于0～2％的范围内。即，如果为本实施方式中的制造方法，则切割·芯片接合薄膜的形状稳定性出色。如果长边方向或宽度方向的收缩率不到0％，即切割·芯片接合薄膜10伸长，则在装载半导体晶片时，发生切割·芯片接合薄膜10的松弛或位置偏离。另一方面，如果所述收缩率大于2％，则在胶粘剂层12与粘合剂层14的界面上发生二者的剥离。结果，例如在半导体晶片的切割时，不能充分地粘接固定已制作的半导体芯片，发生芯片飞起或制作芯片(chiping)引起的半导体芯片的破损，从而成品率降低。另外，长边方向及宽度方向的收缩率更优选为0～1％，特别优选为0～0.5％。
另外，如下所述地进行算出所述收缩率。在贴合覆盖薄膜2前的层叠薄膜中，分别测定MD方向的长度及TD方向的宽度，而且，向基材13的背面侧(粘合剂层14的形成面的相反侧的面)标记(marking)。接着，在温度23±2℃、相对湿度55±5％的环境下，从切割·芯片接合薄膜10剥离覆盖薄膜2，放置24小时。之后，分别测定切割·芯片接合薄膜10的MD方向的长度及TD方向的宽度。从得到的测定值，利用下式，分别算出MD方向及TD方向的收缩率。
收缩率(％)＝[(贴合前的MD方向或TD方向的距离)-(贴合后的MD方向或TD方向的距离)/(贴合前的MD方向或TD方向的距离)]×100
接着，对构成切割·芯片接合薄膜10的各构件进行说明。
所述基材13是成为切割·芯片接合薄膜10或切割薄膜11的强度母体的基材。更具体而言，例如可举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚碳酸酯，聚酰亚胺，聚醚醚酮，聚醚酰亚胺，聚酰亚胺，全芳香族聚酰胺，聚苯硫醚，芳香族聚酰胺(aramid)(纸)，玻璃，玻璃布(glass cloth)，氟树脂，聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯，纤维素系树脂，硅树脂，金属(箔)，纸等。另外，在粘合剂层14为紫外线固化型的情况下，作为基材13，优选上述例示的物质中的具有紫外线透过性的物质。
另外，作为基材13的材料，可举出所述树脂的交联体等的聚合物。所述塑料薄膜可在无拉伸下使用，也可使用根据需要实施了单向或双向的拉伸处理的材料。如果利用已用拉伸处理等赋予热收缩性的树脂片材，则可通过在切割后使该基材13热收缩而使粘合剂层14与胶粘剂层12的粘接面积降低，来实现半导体芯片的回收的容易化。
为了提高与相邻的层的粘附性、保持性等，基材13的表面也可实施铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学或物理处理，利用底涂剂(例如后述的贴合物质)的涂敷处理。
所述基材13可适当地选择使用同种或不同种的物质，也可使用根据需要掺杂了数种物质的基材。另外，基材13可为了赋予防静电干扰能而在上述的基材13上设置包括金属、合金、它们的氧化物等在内的厚度为30～
Figure G200910246390XD0000091
左右的导电性物质的蒸镀层。基材13可为单层或2种以上的多层。
对所述基材13的厚度没有特别限制，可适当地设定，例如为5～200μm左右。只要是耐得住所述热收缩引起的胶粘剂层12的张力的厚度即可，没有特别限制。
作为在所述粘合剂层14的形成中使用的粘合剂，没有特别限制，例如可使用丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等普通的压敏性粘合剂。作为所述压敏性粘合剂，从半导体晶片或玻璃等不能有污染的电子零件的利用超纯水或酒精等有机溶剂的净化洗涤性等点出发，优选以丙烯酸系聚合物作为基质聚合物(base polymer)的丙烯酸系粘合剂。
作为所述丙烯酸系聚合物，例如可举出将(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己基酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子数1～30、特别是碳原子数4～18的直链状或分支链状的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)的1种或2种以上用作单体成份的丙烯酸系聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，与本发明的(甲基)的意义完全相同。
所述丙烯酸系聚合物也可含有以凝聚力、耐热性等的改性为目的且根据需要含有的与可与所述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成份对应的单元。作为这样的单体成份，例如可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酐、衣康酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些可共聚的单体成份可使用1种或2种以上。这些可共聚的单体的使用量优选为全部单体成份的40重量％以下。
进而，所述丙烯酸系聚合物为了使其交联也可根据需要含有多官能性单体等作为共聚用单体成份。作为这样的多官能性单体，例如可举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可使用1种或2种以上。从粘合特性等点出发，多官能性单体的使用量优选为全部单体成份的30重量％以下。
所述丙烯酸系聚合物可通过将单一单体或2种以上的单体混合物交付聚合来得到。聚合也可以溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式进行。从防止对净化的粘附物的污染等点出发，优选低分子量物质的含量小。从该点出发，丙烯酸系聚合物的数均分子量优选为30万以上，更优选为40万～300万左右。
另外，为了提高作为基质聚合物的丙烯酸系聚合物等的数均分子量，所述粘合剂也可适当地采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可举出添加聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂并使其反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，其使用量可根据与应交联的基质聚合物之间的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途来适当地决定。通常，相对所述基质聚合物100重量份，优选配合5重量份左右以下，进而优选配合0.1～5重量份。进而，也可根据需要，除了所述成分以外，使用以往公知的各种增粘剂、防老化剂等添加剂。
粘合剂层14可由紫外线固化型粘合剂形成。紫外线固化型粘合剂可利用紫外线的照射来增大交联度从而容易地降低其粘合力，可通过只对粘合剂层14的半导体晶片贴附部分照射紫外线来设置与其他部分的粘合力的差。
使所述粘合剂层14发生紫外线固化后的23℃下的切割薄膜11的拉伸弹性模量优选处于1～170MPa的范围内。通过使拉伸弹性模量处于1MPa以上，可维持良好的拾取性(ピツクアツプ性)。相反，通过使拉伸弹性模量处于170MPa以下，可防止切割时的芯片飞起的发生。另外，紫外线的照射优选例如以30～1000mJ/cm2的紫外线照射积算光量进行。通过使紫外线照射积算光量处于30mJ/cm2以上，可充分地使粘合剂层14固化，从而可防止与粘合剂层12的过度的粘附。结果，在拾取半导体芯片时，可示出良好的拾取性。另外，可防止在拾取之后在胶粘剂层12上附着粘合剂层14的粘合剂(所谓的糊残留)。相反，通过使紫外线照射积算光量处于1000mJ/cm2以下，可防止粘合剂层14的粘合力的极度降低，因而防止与粘合剂层12之间发生剥离进而发生被装载的半导体晶片的脱落。另外，在半导体晶片的切割时，可防止发生形成的半导体芯片的芯片飞起。
所述拉伸弹性模量的值是利用下面的测定方法算出的值。即，从切割薄膜11切下长10.0mm、宽2mm、截面积0.1～0.5mm2的样本。对该样本，以测定温度23℃、夹具(chuck)间距离50mm、拉伸速度50mm/min，在MD方向上，进行张力试验，测定该样本伸长引起的其变化量(mm)。由此，在得到的S-S(拉伸-张力(Strain-Strength))曲线中，在其初期的上升的部分引出切线，用切割薄膜11的截面积除该切线相当于100％伸长时的抗拉强度，将得到的值作为拉伸弹性模量。
在此，胶粘剂层12也可为对应半导体晶片的俯视形状而只在其贴附部分形成的构成。这种情况下，可通过对应胶粘剂层12的形状来使紫外线固化型的粘合剂层14固化，从而容易地降低对应半导体晶片贴附部分的部分的粘合力。由于粘合力降低的所述部分贴附有胶粘剂层12，所以粘合剂层14的所述部分与胶粘剂层12的界面在拾取时具有容易剥脱的性质。另一方面，没有照射紫外线的部分具有足够的粘合力。
如上所述，在切割·芯片接合薄膜10的粘合剂层14中，利用未固化的紫外线固化型粘合剂形成的所述部分与胶粘剂层12粘合，从而可保证切割时的保持力。这样，紫外线固化型粘合剂可在良好地保持粘接·剥离的平衡的状态下支持用于在基板等粘附物上固着芯片状半导体晶片(半导体芯片等)的胶粘剂层12。在只在半导体晶片的贴附部分层叠胶粘剂层12的情况下，在没有层叠胶粘剂层12的区域，切片(wafering)被固定。
紫外线固化型粘合剂可没有特别限制地使用具有碳-碳双键等紫外线固化性的官能团而且示出粘合性的粘合剂。作为紫外线固化型粘合剂，例如可例示在所述丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等通常的压敏性粘合剂中配合紫外线固化性的单体成份或寡聚物成分的添加型的紫外线固化型粘合剂。
作为配合的紫外线固化性的单体成份，例如可举出聚氨酯寡聚物、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外线固化性的寡聚物成分可举出聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种寡聚物，其适当的分子量为100～30000左右的范围。紫外线固化性的单体成分或寡聚物成分的配合量可对应所述粘合剂层的种类适当地决定可降低粘合剂层的粘合力的量。通常相对构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基质聚合物100重量份，例如为5～500重量份，优选为40～150重量份左右。
另外，作为紫外线固化型粘合剂，除了所述说明的添加型的紫外线固化型粘合剂以外，可举出使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有碳-碳双键的聚合物作为基质聚合物的内在型的紫外线固化型粘合剂。内在型的紫外线固化型粘合剂由于不必含有或者不含有很多作为低分子量成分的寡聚物成分等，所以寡聚物成分等不会经时地在粘合剂中移动，从而可形成稳定的层构成的粘合剂层，因而优选。
具有所述碳-碳双键的基质聚合物可没有特别限制地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的基质聚合物。作为这样的基质聚合物，优选以丙烯酸系聚合物作为基本骨架的基质聚合物。作为丙烯酸系聚合物的基本骨架，可举出上述例示的丙烯酸系聚合物。
对碳-碳双键向所述丙烯酸系聚合物中的导入法，没有特别限制，可采用各种方法，而碳-碳双键容易进行向聚合物侧链中导入的分子设计。例如可举出在预先向丙烯酸系聚合物共聚具有官能团的单体之后，在维持碳-碳双键的紫外线固化性的状态下，缩合或加成反应具有可与该官能团反应的官能团及碳-碳双键的化合物的方法。
作为这些官能团的组合的例子，可举出羧基与环氧基、羧酸基与乙撑亚胺基(アジリジル)、羟基与异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从反应追踪的容易程度出发，羟基与异氰酸酯基的组合是优选的。另外，只要是利用这些官能团的组合生成所述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物的组合即可，官能团可位于丙烯酸系聚合物与所述化合物的任意一侧，但所述优选的组合最好是丙烯酸系聚合物具有羟基、所述化合物具有异氰酸酯基的情况。这种情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可以举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸系聚合物，可使用所述例示的含羟基单体或共聚2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二甘醇一乙烯基醚的醚系化合物等的聚合物。
所述内在型的紫外线固化型粘合剂可单独使用所述具有碳-碳双键的基质聚合物(特别是丙烯酸系聚合物)，但也可在不使特性恶化的程度内配合所述紫外线固化性的单体成份或寡聚物成分。紫外线固化性的寡聚物成分等通常相对基质聚合物100重量份，处于30重量份的范围内，优选处于0～10重量份的范围。
在利用紫外线等使其固化的情况下，在所述紫外线固化型粘合剂中含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)甲酮、α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基酮缩醇等酮缩醇系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯并-1，1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯酰苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基膦氧化物；膦酸酰基酯等。光聚合引发剂的配合量相对构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基质聚合物100重量份，例如为0.05～20重量份左右。
另外，作为紫外线固化型粘合剂，例如可举出在特开昭60-196956号公报中公开的含有具有2个以上不饱和键的加聚性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物和羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂的橡胶系粘合剂或丙烯酸系粘合剂等。
也可根据需要在所述紫外线固化型的粘合剂层14中含有在紫外线照射下着色的化合物。可通过在粘合剂层14中含有利用照射紫外线来着色的化合物，而只在紫外线照射的部分着色。这样，可立即通过目视判断是否向粘合剂层14照射了紫外线，从而容易识别半导体晶片贴附部分，容易进行半导体晶片的贴合。另外，在利用光传感器(sensor)等检测出半导体芯片时，其检测精密度提高，从而不会在拾取半导体芯片时发生误动作。
利用紫外线照射着色的化合物是在紫外线照射前是无色或浅色而在紫外线照射时成为有色的化合物。作为此类化合物的优选具体例，可举出无色染料。作为无色染料，可优选使用惯用的三苯甲烷系、荧烃系、吩噻嗪系、金胺系、螺吡喃(spiropyran)系的无色染料。可具体举出3-[N-(对甲苯基氨基)]-7-苯胺基荧烃、3-[N-(对甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基荧烃、3-[N-(对甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基荧烃、3-乙胺基-6-甲基-7-苯胺基荧烃、结晶紫内酯、4，4’，4”-三二甲胺基三苯基甲醇、4，4’，4”-三二甲胺基三苯基甲烷等。
作为与这些无色染料一起优选使用的显色剂，可举出以往使用的苯酚甲醛(phenol formalin)树脂的初聚合物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等电子受体，进而，在改变色调的情况下，也可组合使用各种公知的发色剂。
这样的利用紫外线照射而着色的化合物可在暂时溶解于有机溶媒等中之后在紫外线固化型胶粘剂中含有，另外，也可以成为微粉末状从而在该粘合剂中含有。该化合物的使用比例在粘合剂层14中为10重量％以下，优选为0.01～10重量％，进而优选为0.5～5重量％。如果该化合物的比例超过10重量％，则向粘合剂层14照射的紫外线被该化合物过度地吸收，所以对应粘合剂层14中的半导体晶片贴附部分的部分的固化变得不充分，从而有时粘合力没有充分地降低。另一方面，为了使其充分地着色，优选使该化合物的比例为0.01重量％以上。
另外，在利用紫外线固化型粘合剂形成粘合剂层14的情况下，可形成如下所述的所述部分，即为：使用基材13的至少单面的已将对应半导体晶片贴附部分的部分以外的部分的全部或一部分遮光的基材，在其上形成紫外线固化型的粘合剂层14，然后照射紫外线，使对应半导体晶片贴附部分的部分固化，从而使其粘合力降低的所述部分。作为遮光材料，可利用印刷或蒸镀等，在支承薄膜上作成可成为光掩模(photomask)的材料。如果利用此制造方法，则可有效地制造本发明的切割·芯片接合薄膜10。
另外，在照射紫外线时，在发生利用氧的固化妨碍的情况下，优选利用某种方法，从紫外线固化型的粘合剂层14的表面隔离氧(空气)。例如，可举出用隔膜(separator)覆盖所述粘合剂层14的表面的方法或在氮气气氛中进行紫外线照射的方法等。
对粘合剂层14的厚度没有特别限定，而从芯片切断面的缺口防止或粘接层的固定保持的兼顾性等点出发，优选为1～50μm左右。优选为2～30μm，进而优选为5～25μm。
所述粘接层12是具有粘接功能的层，作为其构成材料，可并用热塑性树脂与热固性树脂，也可单独使用热塑性树脂。
胶粘剂层12的玻璃化温度优选处于-20～50℃的范围内。如果玻璃化温度处于-20℃以上，则可防止在B阶段状态下的胶粘剂层12的粘合性变大从而其操作性降低。另外，在半导体晶片的切割时，可防止由于与切割刀的摩擦而发生热熔融的胶粘剂附着于半导体芯片上从而成为拾取不良的原因。另一方面，使玻璃化温度成为50℃以下，可防止流动性或与半导体晶片的粘附性降低。
胶粘剂层12的固化前的23℃下的拉伸贮存弹性模量优选处于50～2000MPa的范围内。通过使拉伸贮存弹性模量处于50MPa以上，在半导体晶片的切割时，可防止由于与切割刀的摩擦而发生热熔融的胶粘剂附着于半导体芯片上从而成为拾取不良的原因。另一方面，使拉伸贮存弹性模量处于2000MPa以下，可使其与将装载的半导体晶片或将进行芯片粘结的基板等的粘附性良好。
所述拉伸贮存弹性模量的值是利用以下测定方法测定的值。即，在已实施脱模处理的剥离衬垫(liner)上涂布胶粘剂组合物的溶液，干燥，形成厚度100μm的胶粘剂层12。在150℃下，将该胶粘剂层12放置于烘箱(oven)中1小时，然后使用粘弹性测定装置(レオメトリツクス公司制：型式：RSA-II)，测定胶粘剂层12的固化后的200℃下的拉伸贮存弹性模量。更具体而言，使样本尺寸成为长30.0×宽5.0×厚0.1mm，将测定样品安装(set)于薄膜拉伸测定用治具，在50℃～250℃的温度区域内，在频率1.0Hz、变形0.025％、升温速度10℃/分的条件下测定。
作为所述热塑性树脂，可举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧树脂、丙烯酸树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂等。这些热塑性树脂可单独或并用2种以上使用。在这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少且耐热性高、能够保证半导体装置的可靠性的丙烯酸树脂。
作为所述丙烯酸树脂，没有特别限定，可举出将具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4～18的直链或分支的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物等。作为所述烷基，例如可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂酰基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，作为形成所述聚合物的其他单体，没有特别限定，例如可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等之类的含羧基单体，马来酐或衣康酐等之类的酸酐单体，(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)-甲酯等之类的含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之类的含磺酸基单体或2-羟乙基丙烯酰磷酸酯等之类的含磷酸基单体。
作为所述热固性树脂，可举出酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、或热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可单独或并用2种以上使用。尤其优选很少含有使半导体芯片腐蚀的离子性杂质等的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
所述环氧树脂只要是通常被用作胶粘剂组合物的环氧树脂即可，没有特别限定，例如可使用双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、加氢双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂或者己内酰脲型、三缩水甘油三聚异氰酸酯型或缩水甘油胺型等环氧树脂。它们可单独或并用2种以上使用。在这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型树脂或四苯酚基乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等出色。
进而，所述酚醛树脂是发挥作为所述环氧树脂的固化剂的作用的树脂，例如可举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，甲酚型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。它们可单独或并用2种以上使用。在这些酚醛树脂中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为，可提高半导体装置的接续可靠性。
所述环氧树脂与酚醛树脂的适当的配合比例为例如在所述环氧树脂成分中的每1当量环氧基中，将酚醛树脂中的羟基配合成为0.5～2.0当量。更优选0.8～1.2当量。这是因为，即，如果二者的配合比例不在所述范围，则不会充分地进行固化反应，环氧树脂硬化物的特性变得容易劣化。
另外，在本实施方式中，特别优选含有环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸树脂的胶粘剂层12。这些树脂由于离子性杂质少且耐热性高，所以可保证半导体芯片的可靠性。这种情况下的配合比为：相对丙烯酸树脂成分100重量份，环氧树脂与酚醛树脂的混合量为10～200重量份。
本实施方式的胶粘剂层12由于预先使其在某种程度上进行了交联，所以也可将与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂添加。这样，可提高在高温下的粘接特性，从而改善耐热性。
作为所述交联剂，可采用以往公知的交联剂。尤其更优选亚苄基二异氰酸酯、二异氰酸二苯基甲烷、对亚苯基二异氰酸酯、1，5-萘二异氰酸酯、多元醇与二异氰酸酯的加成物等聚异氰酸酯化合物。作为交联剂的添加量，相对所述的聚合物100重量份，通常优选为0.05～7重量份。如果交联剂的量多于7重量份，则粘接力降低，故不优选。相反，如果少于0.05重量份，则凝聚力不足，故不优选。另外，也可与这样的聚异氰酸酯化合物一起，根据需要，含有环氧树脂等其他多官能性化合物。
另外，也可根据其用途，适当地在胶粘剂层12中配合无机填充剂。无机填充剂的配合使得导电性的赋予或热传导性的提高、弹性率等的调节等成为可能。作为所述无机填充剂，例如可举出二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类，铝、铜、银、金、镍、铬、铃、锡、锌、钯、焊锡等金属或合金类，其他包括碳等在内的各种无机粉末。它们可单独或并用2种以上使用。其中，特别优选使用二氧化硅，尤其是熔融二氧化硅。另外，无机填充剂的平均粒径优选处于0.1～80μm的范围内。
所述无机填充剂的配合量相对有机树脂成份100重量份，优选设定成0～80重量份，更优选设定成0～70重量份。
另外，也可根据需要在胶粘剂层12中适当地配合其他添加剂。作为其他添加剂，例如可举出阻燃剂、硅烷偶合剂或离子陷阱剂等。作为所述阻燃剂，例如可举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。它们可单独或并用2种以上使用。作为所述硅烷偶合剂，例如可举出β-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可单独或并用2种以上使用。作为所述离子陷阱剂，例如可举出水滑石类、氢氧化铋等，它们可单独或并用2种以上使用。
对胶粘剂层12的厚度没有特别限定，例如为5～100μm左右，优选为5～50μm左右。
可使切割·芯片接合薄膜10具有防静电干扰能。这样，可防止其粘接时及剥离时的静电的发生或由于由此引起的半导体晶片等的带电对电路的破坏等。防静电干扰能的赋予可利用在基材13、粘合剂层14或胶粘剂层12中添加防静电剂或导电性物质的方法，包括电子传递络合物或金属膜等在内的导电层向基材13的附设等适当的方式进行。作为这些方式，优选难以发生可能会使半导体晶片变质的杂质离子的方式。作为以导电性的赋予、热传导性的提高等为目的配合的导电性物质(导电填充剂)，可举出银、铝、金、铜、镍、导电性合金等球状、针状、薄片状的金属粉，氧化铝等金属氧化物，无定形炭黑，石墨等。其中，从可没有电方面的泄漏的点出发，优选所述胶粘剂层12为非导电性。
利用覆盖薄膜2保护所述切割·芯片接合薄膜的胶粘剂层12。覆盖薄膜2具有作为在提供到实用之前保护胶粘剂层12的保护材料的功能。覆盖薄膜2在切割·芯片接合薄膜的胶粘剂层12上粘着半导体晶片时被剥离。作为覆盖薄膜2，还可使用利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或氟系剥离剂、长链丙烯酸烷基酯系剥离剂等剥离剂涂敷表面的塑料薄膜或纸等。
对覆盖薄膜2的厚度没有特别限定，例如优选处于0.01～2mm的范围内，更优选处于0.01～1mm的范围内。
作为在切割薄膜11的粘合剂层14上贴合的第1隔膜21、芯片接合薄膜24的基材隔膜22及在该胶粘剂层12上贴合的第2个23，没有特别限定，可使用以往公知的已被脱模处理的薄膜。第1隔膜21及第2隔膜23分别具有作为保护材料的功能。另外，基材隔膜22具有在切割薄膜11的粘合剂层14上转印胶粘剂层12时作为基材的功能。作为构成这些各薄膜的材料，没有特别限定，可采用以往公知的材料。具体而言，例如可举出利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或氟系剥离剂、长链丙烯酸烷基酯系剥离剂等剥离剂涂敷表面的塑料薄膜或纸等。
另外，在本实施方式中，作为半导体装置制造用薄膜，以切割·芯片接合薄膜为例进行了说明，但本发明不限定于此。例如，半导体装置制造用薄膜也可为在基材上至少层叠粘合剂层及第1隔膜的切割薄膜。另外，也可为在基材隔膜上至少层叠胶粘剂层及第2隔膜的芯片接合薄膜。
以下例示并详细说明本发明的优选实施例。其中，在该实施例中记载的材料或配合量等只要没有特别限定的记载，则不将本发明的范围限定于这些实施例。另外，在各例中，只要没有特殊记载，份均为重量标准。
(实施例1)
<切割薄膜的制作>
在具备冷却管、氮导入管、温度计及搅拌装置的反应容器中，加入丙烯酸2-乙基己基酯(以下称为“2EHA”。)88.8份、丙烯酸-2-羟乙酯(以下称为“HEA”。)11.2份、过氧化苯甲酰0.2份及甲苯65份，在氮气流中，以61℃聚合处理6小时，得到重均分子量85万的丙烯酸系聚合物A。2EHA与HEA的摩尔比为100mol比20mol。重均分子量的测定如后所述。
在该丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下称为“MOI”)12份(相对HEA，80mol％)，在空气气流中，以50℃加成反应处理48小时，得到丙烯酸系聚合物A’。
接着，相对丙烯酸系聚合物A’100份，加入异氰酸酯系交联剂(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯(株)制)8份及光聚合引发剂(商品名“Irgacure651”，汽巴精细化学品公司制)5份，制作粘合剂溶液。
在PET剥离衬垫(第1隔膜)的已实施硅处理的面上，涂布在上述配制的粘合剂溶液，在120℃下加热交联2分钟，形成厚10μm的粘合剂层前体。接着，在该粘合剂层前体面上形成厚10μm的聚烯烃薄膜(基材)。然后，在50℃下保存24小时。另外，在聚烯烃薄膜上，在其背面侧(粘合剂层的转印面的相反侧的面)，分别测定MD方向的长度及TD方向的宽度，标记。测定的结果，MD方向的长度为220mm，TD方向的宽度为300mm。
进而，剥离所述PET剥离衬垫，只向相当于粘合剂层前体的半导体晶片贴附部分(直径200mm的圆形状)的部分(直径200mm的圆形状)直接照射紫外线，形成粘合剂层。这样，制作本实施例中的切割薄膜。另外，照射条件如下所述。另外，利用后述的方法，对粘合剂层的拉伸弹性模量进行测定，结果拉伸弹性模量为20MPa。
<重均分子量Mw的测定>
利用GPC(凝胶渗透色谱)进行重均分子量Mw的测定。测定条件如下所述。另外，利用聚苯乙烯换算算出重均分子量。
测定装置：HLC-8120GPC(制品名，东曹公司制)
柱：TSKgel GMH-H(S)×2(件号，东曹公司制)
流量：0.5ml/min
注入量：100μl
柱温度：40℃
洗提液：THF
注入样品浓度：0.1重量％
检测器：示差折射计
<紫外线的照射条件>
紫外线(UV)照射装置：高压水银灯
紫外线照射积算光量：500mJ/cm2
输出功率：120W
照射强度：200mW/cm2
<芯片接合薄膜的制作>
相对以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工业(株)制，商品名：パラクロンW-197CM，Tg：18℃)100份，将异氰酸酯系交联剂(日本聚氨酯(株)制，商品名Coronate HX)3份、环氧树脂(JER(株)制，Epikote 1001)25份、酚醛树脂(三井化学(株)制，商品名：ミレツクスXLC-4L)26份、作为无机填充剂的球状二氧化硅(Admatechs(株)制，商品名：SO-25R，平均粒径0.5μm)60份溶解于甲基乙基甲酮中，配制成浓度21.4重量％。
在脱模处理薄膜(基材隔膜)上，利用喷涂器(fountain coater)，涂布该胶粘剂组合物的溶液，形成涂布层，对该涂布层，直接喷射2分钟150℃、10m/s的热风，使其干燥。这样，制作在脱模处理薄膜上层叠了厚25μm的胶粘剂层的芯片接合薄膜。另外，作为脱模处理薄膜，使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚50μm)上进行了硅脱模处理的脱模处理薄膜。
<切割·芯片接合薄膜的制作>
接着，贴合所述切割薄膜和芯片接合薄膜，使粘合剂层与胶粘剂层成为贴合的面。贴合使用夹持辊，贴合条件为层压温度40℃、线压3kgf/cm。进而，剥离胶粘剂层上的基材隔膜，制作层叠薄膜。
相对该层叠薄膜，在所述胶粘剂层上贴合包括聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚38μm)在内的覆盖薄膜。贴合使用夹持辊，在层压温度25℃、夹持压0.3MPa下进行。另外，是在使用松紧调节辊(dancer roll)向覆盖薄膜施加17N拉伸张力从而从初期状态拉伸至1.003倍的状态下进行的。由此制作本实施例中的切割·芯片接合薄膜。另外，将切割·芯片接合薄膜卷绕成辊状，此时的卷绕张力为贴合覆盖薄膜前的层叠薄膜没有拉伸的程度，具体而言，为13N。
(实施例2)
<切割薄膜的制作>
本实施例中的切割薄膜使用与所述实施例1相同的切割薄膜。
<芯片接合薄膜的制作>
相对以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主要成分的丙烯酸酯系聚合物(根上工业(株)制，商品名：パラクロンW-197CM，Tg：18℃)100份，将异氰酸酯系交联剂(日本聚氨酯(株)制，商品名Coronate HX)2份、环氧树脂(JER(株)制，Epikote 1001)35份、酚醛树脂(三井化学(株)制，商品名：ミレツクスXLC-4L)37份、作为无机填充剂的球状二氧化硅(Admatechs(株)制，商品名：SO-25R，平均粒径0.5μm)30份溶解于甲基乙基甲酮中，配制成浓度21.4重量％。
在脱模处理薄膜(基材隔膜)上，利用喷涂器涂布该胶粘剂组合物的溶液，形成涂布层，对该涂布层，直接喷射2分钟150℃、10m/s的热风，使其干燥。这样，制作在脱模处理薄膜上层叠了厚25μm的胶粘剂层的芯片接合薄膜。另外，作为脱模处理薄膜，使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚50μm)上进行了硅脱模处理的脱模处理薄膜。
<切割·芯片接合薄膜的制作>
切割·芯片接合薄膜是贴合所述切割薄膜和芯片接合薄膜，使粘合剂层与胶粘剂层成为贴合的面而成的。贴合条件为层压温度40℃、线压3kgf/cm。接着，剥离胶粘剂层上的基材隔膜，同时在所述胶粘剂层上贴合包括聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚38μm)在内的覆盖薄膜。贴合使用夹持辊，在层压温度25℃、夹持压0.3MPa下进行。另外，是在使用松紧调节辊向覆盖薄膜施加17N拉伸张力从而从初期状态拉伸至1.01倍的状态下进行的。由此制作本实施例中的切割·芯片接合薄膜。另外，将切割·芯片接合薄膜卷绕成辊状，此时的卷绕张力为贴合覆盖薄膜前的层叠薄膜没有拉伸的程度，此时的卷绕张力为23N。
(比较例1)
<切割薄膜的制作>
本比较例中的切割薄膜使用与所述实施例1相同的切割薄膜。
<芯片接合薄膜的制作>
本比较例中的芯片接合薄膜使用与所述实施例2相同的芯片接合薄膜。
<切割·芯片接合薄膜的制作>
本比较例中的切割·芯片接合薄膜使对覆盖薄膜的拉伸张力为12N、在与其初期状态大致相同的状态下贴合于胶粘剂层上，使将得到的切割·芯片接合薄膜卷绕成辊状时的卷绕张力为28N，除此以外，与所述实施例2同样地进行、制作。
(比较例2)
<切割薄膜的制作>
本比较例中的切割薄膜使用与所述实施例1相同的切割薄膜。
<芯片接合薄膜的制作>
相对以丙烯酸丁酯为主要成分的聚合物(根上工业(株)制，商品名：パラクロンAS-3000，Tg：-36℃)100份，将异氰酸酯系交联剂(日本聚氨酯(株)制，商品名Coronate HX)5份、环氧树脂(JER(株)制，Epikote 1001)45份、酚醛树脂(三井化学(株)制，商品名：ミレツクスXLC-4L)47份、作为无机填充剂的球状二氧化硅(Admatechs(株)制，商品名：SO-25R，平均粒径0.5μm)20份溶解于甲基乙基甲酮中，配制成浓度21.4重量％。
在脱模处理薄膜(基材隔膜)上，利用喷涂器涂布该胶粘剂组合物的溶液，形成涂布层，对该涂布层，直接喷射2分钟150℃、10m/s的热风，使其干燥。这样，制作在脱模处理薄膜上层叠了厚25μm的胶粘剂层的芯片接合薄膜。另外，作为脱模处理薄膜，使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚50μm)上进行了硅脱模处理的脱模处理薄膜。
<切割·芯片接合薄膜的制作>
本比较例中的切割·芯片接合薄膜与所述比较例1同样地进行、制作。
(参考例1)
<切割薄膜的制作>
本参考例中的切割薄膜使用与所述实施例1相同的切割薄膜。
<芯片接合薄膜的制作>
本参考例中的切割薄膜将无机填充剂的添加量变更成95份，除此以外，与所述实施例1同样地进行、制作。
<切割·芯片接合薄膜的制作>
本参考例中的切割·芯片接合薄膜与所述实施例1同样地进行、制作。
(粘合剂层的拉伸弹性模量的测定方法)
从各实施例及比较例中的切割薄膜，切下长10.0mm、宽2mm、截面积0.1～0.5mm2的样本。对该样本，以测定温度23℃、夹具间距离50mm、拉伸速度50mm/min，在MD方向上，进行张力试验，测定该样本伸长引起的其变化量(mm)。由此，在得到的S-S(拉伸-张力(Strain-Strength))曲线中，在其初期的上升的部分引出切线，用各切割薄膜的截面积除该切线相当于100％伸长时的抗拉强度，将得到的值作为拉伸弹性模量。
(胶粘剂层的拉伸弹性模量的测定方法)
在150℃下，将各实施例及比较例中的芯片接合薄膜放置于烘箱中1小时，然后使用粘弹性测定装置(レオメトリツクス公司制：型式：RSA-II)，测定胶粘剂层的固化后的200℃下的拉伸弹性模量。更具体而言，使样本尺寸成为长30.0×宽5.0×厚0.1mm，将测定样品安装于薄膜拉伸测定用治具，在50℃～250℃的温度区域内，在频率1.0Hz、变形0.025％、升温速度10℃/分的条件下测定。
(收缩率)
如下所述地进行，求得在各实施例及比较例中得到的切割·芯片接合薄膜的MD方向及TD方向的收缩率。即，在温度23±2℃、相对湿度55±5％的环境下，从各切割·芯片接合薄膜分别剥离覆盖薄膜，放置24小时。接着，分别测定覆盖薄膜剥离后的切割·芯片接合薄膜的MD方向的长度及TD方向的宽度。进而，从得到的测定值，利用下式，分别算出MD方向及TD方向的收缩率。将结果示于下述表1。
收缩率(％)＝[(贴合前的MD方向或TD方向的距离)-(贴合后的MD方向或TD方向的距离)/(贴合前的MD方向或TD方向的距离)]×100
(薄膜浮起)
如下所述地进行在各实施例及比较例中得到的切割·芯片接合薄膜的薄膜浮起的确认。即，在温度23±2℃、相对湿度55±5％的环境下，放置120小时各切割·芯片接合薄膜。然后，在粘合剂层与胶粘剂层的界面上确认二者的剥离的有无。薄膜浮起的评价标准为：目视时没有观察到薄膜的浮起为○，观察到时为×。
(空隙的有无)
如下所述地进行来确认在各实施例及比较例中得到的切割·芯片接合薄膜的空隙的有无。即，从各切割·芯片接合薄膜分别剥离覆盖薄膜，在胶粘剂层上进行半导体晶片的装载。作为半导体晶片，使用大小为8英寸、厚75μm的半导体晶片。半导体晶片的装载条件如下所述。
<贴合条件>
贴合装置：ACC(株)制，商品名：RM-300
贴合速度计：50mm/sec
贴合压力：0.2MPa
贴合温度：50℃
接着，利用显微镜确认在切割·芯片接合薄膜与半导体晶片的贴合面上的空隙(气泡)的有无。将结果示于下述表1。
(拾取性的评价)
分别从各切割·芯片接合薄膜剥离覆盖薄膜，在胶粘剂层上进行半导体晶片的装载。作为半导体晶片，使用大小为8英寸、厚75μm的半导体晶片。半导体晶片的装载条件与上述相同。
接着，进行半导体晶片的切割，然后与胶粘剂层一起，拾取形成的半导体芯片。拾取是对30个半导体芯片(纵5mm×横5mm)进行的，计算(count)没有破损且半导体芯片的拾取成功的情况，算出成功率。切割条件及拾取条件如下所述。
<切割条件>
切割方法：单切(single cut)
切割装置：DISCO DFD651(商品名，株式会社DISCO制)
切割速度：30mm/sec
切割刀：2050-HECC
切割刀旋转数：40,000rpm
切割保护胶带(tape)切入深度：20μm
晶片芯片尺寸：5mm×5mm
<拾取条件>
拾取装置：CPS-100(NESマシナリ-公司制)
针(needle)数：9根
顶出量：300μm
顶出速度：10mm/秒
拉下量：3mm
(结果)
从下述表1可知，如果为实施例1及2的切割·芯片接合薄膜，则没有粘合剂层与胶粘剂层的界面上的剥离，没有确认到薄膜浮起的现象。另外，由于可抑制MD方向及TD方向的收缩率，所以在半导体晶片的装载之后，也没有发生空隙或皱纹。进而，在半导体晶片的切割时，没有发生半导体芯片的芯片飞起，而且，拾取性也良好。与此相对，如果为比较例1及2的切割·芯片接合薄膜，则在粘合剂层与胶粘剂层的界面上发生剥离，确认到薄膜浮起的现象。另外，MD方向及TD方向的收缩率也有些超过2％，在半导体晶片的装载之后，可见空隙或皱纹的发生。进而，还在半导体芯片上发生裂开或缺口等破损，拾取成功率有些低。另外，切割时，还可见半导体芯片的芯片飞起。
表1
  实施例1   实施例2   比较例1   比较例2   参考例1
  粘合剂层的拉伸弹性模量(MPa)   20   20   20   20   20
  23℃下的胶粘剂层的拉伸贮存弹性模量(MPa) 1860 770 770 40 2600
  MD方向的收缩率(％)   1.2   1.8   2.8   2.4   0.8
  TD方向的收缩率(％)   1.0   1.5   2.3   2.1   0.5
  薄膜的浮起   ○   ○   ×   ×   ×
  空隙的有无   无   无   有   有   有
  拾取的成功率(％)   100   100   60   20   0

Claims (7)

1.一种半导体装置制造用薄膜，其特征在于，其是在层叠薄膜上贴合了覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其中，
相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的在长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用薄膜，其中，
所述层叠薄膜为：在基材上设置有粘合剂层的切割薄膜的该粘合剂层上设置有胶粘剂层的层叠薄膜。
3.根据权利要求2所述的半导体装置制造用薄膜，其中，
所述胶粘剂层中的高分子树脂成份的玻璃化温度处于-20～50℃的范围内，固化前的23℃下的拉伸贮存弹性模量处于50～2000MPa的范围内。
4.根据权利要求2所述的半导体装置制造用薄膜，其中，
所述切割薄膜的粘合剂层为紫外线固化型，使所述粘合剂层发生紫外线固化之后的23℃下的切割薄膜的拉伸弹性模量处于1～170MPa的范围内。
5.一种半导体装置制造用薄膜的制造方法，其是在层叠薄膜上层叠了覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其特征在于，
对所述覆盖薄膜在其长边方向上施加拉伸张力并在其已被拉伸的状态下将其贴合于所述层叠薄膜，从而将剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的在长边方向及宽度方向的收缩率调节成相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜处于0～2％的范围内。
6.根据权利要求5所述的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其中，
所述层叠薄膜是通过如下步骤制作的：将在基材上层叠有粘合剂层的切割薄膜与在基材隔膜上层叠有胶粘剂层的芯片接合薄膜贴合成所述粘合剂层与胶粘剂层成为相贴合的面，进而，从所述胶粘剂层剥离所述基材隔膜，从而制作层叠薄膜。
7.根据权利要求5所述的半导体装置制造用薄膜的制造方法，其中，
将所述覆盖薄膜拉伸成在长边方向上相对其初期状态成为1.001～1.1倍后，贴合于所述层叠薄膜。
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