CN101720501B - 基片处理的方法和装置 - Google Patents

基片处理的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101720501B
CN101720501B CN2008800223430A CN200880022343A CN101720501B CN 101720501 B CN101720501 B CN 101720501B CN 2008800223430 A CN2008800223430 A CN 2008800223430A CN 200880022343 A CN200880022343 A CN 200880022343A CN 101720501 B CN101720501 B CN 101720501B
Authority
CN
China
Prior art keywords
edge ring
substrate
electric power
chuck
sections
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008800223430A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101720501A (zh
Inventor
拉金德尔·德辛德萨
阿列克谢·马拉赫塔诺夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN101720501A publication Critical patent/CN101720501A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101720501B publication Critical patent/CN101720501B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

提供了一种在等离子体处理室中处理等离子体的方法。晶片设置在夹盘的上方并被边缘环包围。该边缘环与夹盘电绝缘。本方法包括向夹盘提供第一RF电力。本方法还包括边缘环RF电压控制装置。边缘环RF电压控制装置与边缘环相耦合以向边缘环提供第二RF电力，从而导致边缘环具有边缘环电压。本方法进一步包括在等离子体处理室内生成等离子体以处理基片。在处理基片时，边缘环RF电压控制装置使边缘环电压基本上与基片的直流电压相等。

Description

基片处理的方法和装置
背景技术
[第1段]在等离子体处理方面的发展已经促进了半导体产业的发展。由于半导体产业是高度竞争性的，器件制造商大体上都想最大化地生产和有效地利用基片上可得到的空间。在基片的等离子体处理过程中，多个参数需要被控制以确保正在处理的器件的高产。有缺陷的器件的一个通常原因是在基片处理过程中缺少一致性。可以影响一致性的因素是基片边缘效应。缺陷器件的另一个原因归咎于在运输过程中，聚合的副产品从一个基片的背面脱落到另一个基片上。
[第2段]为了器件更高性能的需要，进一步减少基片特征尺寸的压力，还有更新的尽可能完善的基片材料的实现，已经给现在的制造工艺带来了挑战。例如，从更大基片(例如，＞300mm)的中心到边缘保持工艺结果的一致性变得越来越困难。总的来说，对于一个给定特征尺寸，随着基片尺寸的变大，在基片上靠近边缘的器件数量也增加了。同样地，对于给定的基片尺寸，随着器件的特征尺寸减少，基片上靠近边缘的器件数量会增加。例如，通常超过20％的在基片上的器件的总数被设置在基片的圆周附近。
[第3段]由于边缘效应，如电场、等离子体温度和工艺化学制剂的负载效应，靠近基片边缘的处理结果会与基片其余(中心)区域不同。例如，等离子体包层(sheath)的等势线会被干扰，在基片的边缘形成不均匀的离子角分布。一般说来，为了保持处理的均匀性和垂直刻蚀的轮廓外形，需要电场在基片的整个表面基本上保持恒定。
[第4段]另外，在刻蚀工艺过程中，聚合物副产品(如，氟化聚合物，等等)在基片的背面和/或在基片边缘的周围形成是常见的。氟化聚合物基本上由事先暴露于刻蚀化学物质的光致抗蚀剂或在碳氟化合物刻蚀工艺中沉积的聚合物副产品组成。总的来说，氟化聚合物是一种化学式为CxHyFz的物质，其中x，z是大于0的整数，且y是大于或等于0的整数(如，CF4，C2F6，CH2F2，C4F8，C5F8，等等)。
[第5段]然而，由于数个不同的刻蚀工艺导致的在边缘区域沉积的连续的聚合物层，在运输过程中，通常结实的和有黏性的有机结合物会最终减弱并剥落(peel)或脱落(flake off)到另一个基片上。例如，基片通常在基片处理系统中通过基本上干净的通常称作盒子(cassette)的容器成组移动。由于精确设置的基片在容器中被重新配置，聚合物层的一部分会脱落到下面基片上(其中有晶粒存在)，潜在地影响了器件产量。
[第6段]图1示出了一个简化的基片图，其中示出了一组边缘聚合物沉积在平坦的背面上。由上所述，在刻蚀工艺中，聚合物副产品(边缘聚合物)在基片上形成是常见的。在本例中，聚合物副产品在平坦的背面沉积，也就是，基片上远离等离子体的一面。例如，聚合物厚度可以是大约70°下大约250nm(102)、大约45°下为大约0nm(104)和大约0°下为大约120nm(106)。一般说来，聚合物的厚度越厚，一部分聚合物脱落并落到另一个基片或夹盘上的可能性越高，潜在地影响了生产产量。
[第7段]图2示出了电容耦合等离子体处理系统的简化图，其中边缘环的直流电势远远大于基片的直流电势。一般说来，由射频发生器源210产生的射频(RF)源通常被用于生成等离子体以及通过电容耦合来控制等离子体密度。相对于下电极，特定的刻蚀应用要求上电极接地，下电极由RF供电。RF电源至少是2MHz、27MHz和60MHz中的一个。其它刻蚀应用会要求均由RF供电的上电极和下电极使用相似的RF频率。
[第8段]通常，一组适当的气体通过入口流入上电极202。为了处理(如，刻蚀或沉积)基片206的暴露区域，该气体随后被电离成等离子体204，例如半导体基片或玻璃平板，其在也作为通电电极的静电夹盘(ESC)208上设有热边缘环(HER)212(如，硅，等)。
[第9段]热边缘环212通常执行很多功能，包括在ESC208上布置基片206和防止不被基片本身保护的下层部件被等离子体的离子损坏。热边缘环212可进一步位于耦合环220(如，石英，等)上，其通常被用于提供从夹盘208到热边缘环212的电流通路。一般说来，可配置的直流电源(DC power source)216通过RF过滤器214与热边缘环212相耦合。
[第10段]RF过滤器214通常被用于在不引起直流电源216损失的情况下提供不需要的RF电力的衰减。RF过滤器214包括允许选择正或负电流极性的转换单元和接地路径。RF过滤器214包括真空继电器。RF谐波(RF harmonics)在等离子体放电中产生并被RF过滤器防止返回到直流电源。
[第11段]如果直流电源216是正压，在一个典型的等离子体工艺中，边缘环的直流电势远远高于基片的直流电势。那么，角离子分布状况基本上是不均匀的，带有指向低电势区域(如基片边缘)的一组向量。如前所述，该应用对将聚合物从基片边缘移除非常有用。
[第12段]又如果直流电源216是正压，边缘环的直流电势基本上与基片的相似(如，V基片-V边缘环≈0)。在处理过程中基片上的直流电势趋向于负的(相对于地)，因此当边缘环被连接来接收负电势(相对于地)，边缘环的直流电势和基片的直流电势基本上相等。所以，角离子分配基本上是均匀的，带有一组基本上垂直于基片的在位于基片和边缘环上方的等离子包层区域上的向量。如前所述，该垂直角分布对各向异性的刻蚀应用是有用的，如高纵横比的刻蚀触点和沟槽。
[第13段]例如，连接直流电源的接地端也是可能的，如此，边缘环会有一个比基片的直流电势(在一个具体实施方式中，在处理过程中基本上是负的)更高的电势(接地端)。如此，角离子分布也会趋向基片边缘，即使程度比边缘环被连接以从直流电源的负极接收电压的程度要小。
[第14段]然而，前面提到的在热边缘环上采用直流控制的现有技术方法要求基本上直流电以维持需要的电压，给器件的制造增加了成本。另外，晶片(wafer)边缘和热边缘环之间的电弧会导致基片边缘的蚀损斑和对器件的损害，因而降低了产量。
发明内容
[第15段]在一个实施方式中，本发明涉及一种在等离子体处理室中处理基片的方法。基片设置于夹盘上方并被边缘环包围。边缘环电绝缘于夹盘。该方法包括向夹盘提供第一RF电力。该方法还包括提供边缘环RF电压控制装置。边缘环RF电压控制装置与边缘环相连以向边缘环提供第二RF电力。被传送到边缘环的第二RF电力具有大约20KHz到大约10MHz的频率，导致边缘环有一个边缘环电势。该方法进一步包括在等离子体处理室内生成等离子体以处理基片。基片被处理的同时，边缘环RF电压控制装置被配置为使边缘环电势与基片的直流电势基本相等。
[第16段]上述简要说明仅仅涉及在此公开的本发明的许多具体实施方式中的一个，并不意在用于限制本发明的在此权利要求书中所述的保护范围。本发明的这些和其它特征将在下面的本发明的具体实施方式中并结合附图做更为详细的描述。
附图说明
[第17段]本发明通过举例的方式进行说明，并非用于限制，在附图中标号和相似的标号代表相似的元件，其中：
[第18段]图1示出了基片的简化图，其中示出了在平坦的背面上沉积的一组边缘聚合物。
[第19段]图2示出了电容耦合等离子体处理系统的简化图，其中边缘环的直流电势远远高于基片的直流电势。
[第20段]图3根据本发明的一个具体实施方式示出了，带有独立低频(LF)RF电压控制装置的电容耦合等离子体处理系统的简化示意图。
[第21段]图4根据本发明的一种具体实施方式示出了，带有来自RF发生器的低频RF的多频电容耦合等离子体处理系统。
[第22段]图5根据本发明的一种具体实施方式示出了，分段的HER和传送到各段的低频RF电力的分配的简化示意图。
[第23段]图6根据本发明的一种具体实施方式概念性地示出了，带有附加的局部气流、温度和/或外部直流电源控制的完整的解决方案的简化示意图。
具体实施方式
[第24段]本发明关于在相应的附图中表示的多个具体实施方式现在将被详细地描述。在以下的描述中，为了彻底理解本发明，大量的特殊的细节被揭示。然而，对于本领域的技术人员，本发明在没有一些或所有这些细节的情况下是可以实施的，是显而易见的。在其它情况下，为了不会不必要地模糊本发明，熟知的处理步骤和/或结构没有详细地描述。
[第25段]在下文中描述了不同的具体实施方式，包括方法和技术。需要记住本发明也可以覆盖包括计算机可读介质的产品，执行本发明技术的具体实施方式的计算机可读指令被存储在计算机可读介质上。计算机可读介质包括，例如，半导体、磁性的、光磁性的、光学的或其它形式的计算机可读介质，来存储计算机可读代码。进一步地，本发明还包括实施本发明的具体实施方式的装置。该装置包括线路、专用的和/或可编程的，以执行本发明具体实施方式的任务。这种装置的实施例包括一般用途的计算机和/或被适当编程的专用的计算装置，且根据本发明的具体实施方式，包括计算机/计算装置和根据不同任务调整的专用/可编程线路的组合。
[第26段]根据本发明的具体实施方式，为设置一个等离子体处理系统提供了方法和装置，以提高对等离子体处理参数的控制。本发明的具体实施方式包括向HER提供低频RF电力以在基片和边缘环之间产生需要的电势差。从而，对于一个给定的等离子体处理，等离子包层的等势线可以被最优化。
[第27段]本发明的一个或更多的具体实施方式中，独立低频RF电源和RF匹配网络通过RF过滤器被用于向HER传送RF电力。本发明的具体实施方式能够相对于在基片上方的RF包层电压区域独立控制在基片边缘环上方的RF包层电压区域，以产生需要的电势差。
[第28段]本发明的另一个实施方式，低频RF电力可以从RF电源被传送到HER，RF电源通常向基片传送多频RF电力。在一个实施例中，可变电容器被用来控制传送到HER的低频RF电力。本发明的具体实施方式能够相对于在基片上方的RF包层电压区域独立控制在基片边缘环上方的RF包层电压区域，以产生需要的电势差。
[第29段]在本发明的一个或多个具体实施方式，HER被设置为具有多个段。HER的每一段通过多个绝缘体与其它段电绝缘。低频RF电力被单独控制并被传送到每一个HER段和共有的RF电源。从共有的RF电源出来的低频RF电力被多个可变器件各自控制。本发明的具体实施方式能够各自控制被发送到HER每一段的RF电力的数量以提高基片边缘周围的等离子体种类的方位角(azimuthal)的一致性。
[第30段]本发明的一个或多个具体实施方式中，一个或多个附加控制被用于在基片处理过程中为提高基片一致性提供一个完整的解决方案。在一个具体实施方式中，不同的气流被用于补偿等离子体种类和化学物质的不同，这种化学物质由从基片到HER的急剧变化引起。在另一个具体实施方式中，可以通过将HER静电夹紧到下电极来单独控制HER的温度。而在另一个具体实施方式中，外部直流电(DC)控制被用于控制HER上的V直流电。
[第31段]本发明的特征和有益效果将在接下来的附图和讨论中被更好地了解。根据本发明的一个具体实施方式，图3示出了带有独立低频(LF)RF电压控制装置的电容耦合等离子体处理系统300的简化示意图。
[第32段]等离子体处理系统300可以是单、双或三频率RF电容放电系统。在一个实施例中，射频包括，但不限于，例如，2MHz、27MHz和60MHz。等离子体处理系统300被设置为包括设置在静电夹盘(ESC)上方的基片306。ESC308，其也作为带电的电极，设置在下电极318上方。
[第33段]考虑到例如基片306正在被处理的情况。在等离子体处理过程中，接地(为了简化附图而没有示出)的多频RF发生器310通过RF匹配网络(为了简化附图而没有示出)向下电极318提供低RF偏置电力。从RF生成器310提供的RF电力与气体(为了简化附图而没有示出)相互作用以在上电极302和基片306之间引发等离子体304。等离子体可被用于刻蚀和/或在基片306上沉积物质以生产电子器件。
[第34段]在图3的执行过程中，某些刻蚀应用要求上电极302相对于由RF供电的下电极接地。RF电力至少是2MHz、27MHz和60MHz中的一个。其它刻蚀应用仍要求上电极和下电极使用相似的RF频率都由RF供电。
[第35段]如图3所示，热边缘环(HER)312通常执行很多功能，包括在ESC308上设置基片306和防止不受基片自身保护的下层部件免受等离子体的离子的破坏。热边缘环312进一步位于耦合环320(例如，石英，等等)上。
[第36段]在现有技术中，可配置的直流电源通过RF过滤器被连接到热边缘环上。不像现有技术的方法，根据本发明的一个具体实施方式，独立低频RF电源322和RF匹配网络316可用于通过RF过滤器314向HER312传送RF电力。在一个实施例中，RF匹配网络316被用于使传送到HER312的RF电力最大化。在一个具体实施方式中，低频RF电力借助包裹在绝缘套管326内的同轴电缆324被传送到HER312。如图3所示，RF过滤器314通常被用于在不引起低频(大约20KHz到大约10MHz)RF电源322损失的前提下提供对不想要的RF电力的衰减。谐波在等离子体放电的过程中产生且通过RF过滤器314被防止返回到低频RF电源322中。
[第37段]在一个具体实施方式中，为了防止RF与基片306相耦合，被传送到HER312的低频RF电源的频率与被传送到偏置电极(例如，ESC308)的频率是不同的。通过与基片306解耦，向HER312供电的低频RF电源主要用于独立控制HER312上感应的V直流电，而非基片306的电压或离子能。
[第38段]在使用低频RF电源来控制HER312上的V直流电时，电力的消耗与高频RF电源相比是相对较低的。由于高频RF倾向于与等离子体相耦合，在HER312上达到相同V直流电控制的情况下，采用高频RF电力来控制电压的电力消耗要更高。类似的，采用可配置的直流电源控制HER312上的电压的现有技术的解决方案也要求更多的电力来达到在HER312上相同的V直流电控制。优选地，低频RF电力允许更容易的RF匹配，从而覆盖处理窗口的整个范围。
[第39段]在图3的执行中，根据一个具体实施方式，相对于在基片332上方的RF包层电压区域，被传送到HER312的低频RF电源332允许在基片边缘环330上方的RF包层电压区域的单独控制，以产生需要的电势差。因此，基片306边缘周围的化学物质和/或等离子体没有受到影响。
[第40段]尽管不希望受理论的束缚，发明人相信离子角分布通过改变基片和边缘环之间的直流电势而被控制，从而对于一个给定的等离子体处理，使等离子体包层的等势线最优化。作为优选实施方案，通过改变边缘环的RF耦合，对基片边缘周围的电场进行改变。在一个具体实施方式中，夹盘基本上电绝缘于边缘环。
[第41段]例如，如果基片边缘的直流电势基本上与边缘环的直流电势相同(如，V基片-V边缘环≈0)，离子角分布大体上是均匀的。所以，在基片和边缘环上方的等离子体包层区域上，形成一组基本上垂直于基片的离子向量。
[第42段]然而，如果基片边缘的直流电势基本上不同于边缘环上的直流电势，离子角分布大体上是不均匀的。所以，在基片和边缘环上的等离子体包层区域，形成一组关于基片和边缘环的表面不均匀的离子向量。
[第43段]作为一种优选方式，边缘环上的直流电势相对于基片的直流电势被独立控制。所以，为了控制基片边缘周围的等离子体内的阳离子的角分布，可以最优化基片的直流电势与边缘环的直流电势的差。
[第44段]除图3讨论的前面提到的方法和装置之外，提供了其它的具体实施方式，其中低频晶片/基片RF电力被用于向HER传送RF电力，以控制RF包层电压。根据本发明的具体实施方式，图4示出了带有来自RF生成器410的低频RF的多频电容耦合等离子体处理系统400。等离子体处理系统400被设置为包括接地的上电极402、基片406、静电夹盘(ESC)408、下电极418、热边缘环(HER)412、同轴电缆424和绝缘套管426。
[第45段]考虑到一情况，例如，其中基片406正在被处理。在气体(为了简化附图未示出)与来自RF电力生成器410的RF电力相互作用时等离子体404被激发。等离子体404被用于在基片406上刻蚀和/或沉积物质以生产电子器件。
[第46段]如上所述，基片边缘效应，如电场、等离子温度和来自工艺化学物质的负载效应，会引起基片边缘附近的处理结果不同于基片其余(中心)区域。例如，等离子体包层的等势线会被扰乱，导致基片边缘周围的离子角分布不均匀。
[第47段]在一个具体实施方式中，通常向基片406传送RF电力的RF电源410，被用于通过高频RF过滤器414和可变电容器416来向HER412传送低频RF电力。在一个实施例中，根据本发明的具体实施方式，可变电容器416被用于控制被传送至HER412的低频RF电力。在一个具体实施方式中，由于低频，来自RF发生器410的RF电力借助于包覆在绝缘套管426内的同轴电缆424传送到HER412。
[第48段]在执行图4时，按照本发明的一个具体实施方式，与HER412相连的低频RF电源410，相对于基片边缘环430上方的RF包层电压区域，会允许基片432边缘上方的RF包层电压区域的有限控制，以产生需要的电势差。有限控制是由于向基片406和/或HER412的RF电力都来自相同的RF发生器410。
[第49段]尽管通过控制对基片406和HER412的RF电力的比率可以控制HER412电压，但是如果更多的RF电力被转向HER412，向基片406的RF电力就会下降。尽管缺少对基片406和/或HER412的RF电力的独立控制，但是通过提供器件制造商通过来自多频RF电源410的低频RF电力来控制HER412上感应的直流电压的能力，以提高刻蚀率均一性，可以对不采用独立RF电源进行补偿。
[第50段]尽管不希望受理论的约束，发明人相信基片的离子轰击可通过改变包层厚度来控制。考虑到这种情况，例如，其中低频RF电力被供给HER，导致包层厚度和阻抗的增加。压降是穿过包层的压降和穿过基片上部的表面的压降的结合。由于较厚包层(也就是较高的阻抗)的较高压降，向基片的离子轰击会更少。在一个具体实施方式中，包层的厚度是通过影响基片上的离子轰击的低频RF电力来调整HER上的电压来控制的。
[第51段]向HER提供低频RF电力的另一个间接影响是与向上电极提供直流电相似的类直流效应。例如，低RF电力会增加以引起HER上感应的V直流电的增加。结果，在上电极上存在一个高压降，引起二级电子被排入等离子体，增加了等离子体密度。因此，等离子体密度通过低频RF电力被HER上的电压控制。
[第52段]一般说来，低频RF电力比高频RF电力更容易传送和控制。在执行图3和图4时，在一个具体实施方式中，低频RF电力被不贵的同轴电缆传送至HER。在现有技术中，当高频RF电力被供给HER上的局限化点，由于HER上的来自高频RF电力的局限化效应(localized effect)，晶片边缘周围的等离子体种类的方位角一致性会较低。在高频RF电力中，来自高频RF电力的能量与等离子体种类相耦合。相对之下，由于低频RF电力没有在HER上产生本地化效应，晶片边缘的方位角的一致性是较高的。低频RF电力影响HER上的电压，而没有与等离子体种类相耦合。此处所采用的术语，方位角(azimuthal)指方向(例如罗盘方向)的水平分量，如沿着水平线的周围测量的。
[第53段]当低频RF电力传送到HER时，方位角的均匀性会较高。晶片边缘的等离子体种类的方位角均匀性可以通过传送给HER的低频RF电力的分段被提高。图5示出了，根据本发明的一个具体实施方式的分段HER及将低频RF电力传送给每一段的布置的简化示意图。
[第54段]在执行图5中，根据本发明的一个具体实施方式中，HER被分成多个段(506A、506B、506C和506D)。每一个HER段与另一段通过多个绝缘体(508A、508B、508C和508D)电绝缘。在一个具体实施方式中，低频RF电力被各自控制并被传送到每一个HER段。在一个具体实施方式中，例如，低频RF电力从一个共用的RF电源502被传送。根据本发明的一个具体实施方式，从共用的RF电源502出来的低频RF电力通过每个HER段的多个可变器件(504A、504B、504C和504D)被控制。这些可变器件通过例如可变匹配被执行。可变器件被用于向HER段提供低频RF电力传送的独立控制。
[第55段]考虑到这种情况，例如，其中在等离子体处理过程中，在HER段506C上存在方位角的不均匀性。低频RF电力通过调整可变器件504B被本地调整，以控制从共用的RF电源502传送到HER段506C的RF电力的数量。因此，晶片边缘的周围的等离子体种类的方位角一致性可以通过单独控制被传送到热边缘环的每一段的RF电力的数量来提高。与HER上传送的RF电力的局限化效应会引起方位角的不均匀性的现有技术相比较，RF电力向HER段的受控传送会在晶片边缘的周围提供更好的方位角一致性。
[第56段]按照本发明的一个或多个具体实施方式，一旦对HER进行电压控制通过低频RF电力完成，一个或多个附加控制就会被引入以在等离子体处理期间为提高基片的均匀性提供一个完整的方案。根据本发明的一个具体实施方式，图6示出了一个简化的示意图，概念性地示出了带有附加的局部气流、温度和/或外部直流电源控制的完整解决方案。
[第57段]考虑到这种情况，例如，其中低频RF电力在等离子体处理过程中被传送到HER 612，以纠正包层电压和/或离子轨迹问题。晶片边缘周围的化学物质由于HER物质的溅蚀而受影响。溅蚀HER物质产生的副产品与临近HER的晶片边缘的局部刻蚀化学物质相互作用和相互干扰。
[第58段]在图6的实施例中，在一个具体实施方式中，不同的气流会通过多个管嘴(602A、602B、602C和602D)被引入以提供不同的刻蚀气体浓度，该管嘴穿过包括基片606和HER 612的区域。因此，不同的等离子体种类存在于穿过基片606和HER 612的不同区域，以弥补由基片606到HER 612的急剧变化引起的等离子体种类和化学物质的不同。
[第59段]概念地，根据一个具体实施方式，为了得到穿过基片606和/或HER 612的不同的气流，来自第一管嘴602A的第一气流速率与来自第二管嘴602B的第二气流速率是不同的，等等。通过每一个喷嘴的气流速率通过使用恰当的流体控制策略和流体控制机构(如，质量流控制器)而被主动控制。因此，等离子体密度被各自控制以补偿由来自HER 612的RF电压控制的HER物质的不想要的溅蚀引起的化学效应。
[第60段]总的来说，基片606和/或HER 612的晶片边缘的温度，如，T基片和/或T边缘环，在等离子体处理过程中会增加。HER 612上的温度的不受控制的增加会对晶片边缘效果带来不利影响。例如，随着HER 612逐渐变热，与HER 612相临近的晶片边缘的等离子体种类的化学特性和反应会改变。发明人在此认识到基片606的温度和/或HER 612需要单独控制以保持在等离子处理过程中的处理均匀性。
[第61段]在一个具体实施方式中，基片606的温度通过将基片606静电夹紧到夹盘(ESC)608来控制。类似地，在一个具体实施方式中，HER 612的温度通过将HER 612静电夹紧到下电极618被单独控制。通过夹紧热传送机构，HER 612的温度将热量从下电极618传送到HER 612。因此，通过采用静电力来夹紧基片606或HER 612，T基片和/或T边缘环被分别控制以允许刻蚀以恰当的速率发生。
[第62段]考虑到这种情况，例如，其中直流电压通过RF过滤器614向HER 612提供低频RF电力，而由外部直流电源616控制。在一个实施例中，直流电在向HER 612提供低频RF电力时被接地。在另一个实施例中，直流电源，如正的或负的V直流电，在向HER 612提供低频RF电力时，被提供。
[第63段]在等离子体处理过程中，当低频RF电力被提供给HER612时，V直流电在HER 612上被引入以将等离子电势推向更高。为了使HER 612上的V直流电维持在零，等离子体电势趋向于转向影响基片606上离子能量。当提供低频RF电力到HER 612时，通过HER 612上外部直流电控制，基片606上离子能量会被独立控制。
[第64段]一般说来，器件的制造趋向于多步骤的处理过程。基片的等离子体处理的处理方法的每一步都有特有的处理参数。例如，在一个具体实施方式中，刻蚀步骤的处理方法会指定一个低频RF电力以被用于HER来控制等离子体包层而在基片边缘得到更好的一致性。然而，如果低频RF电力在等离子体处理过程中没有被提供给HER，由于HER和基片之间的电势差，离子趋向于轰击基片边缘的背面，也就是斜边。由于离子轰击斜边，在斜边的聚合物沉积会通过离子轰击被移除。因此，清除基片的斜边的原地处理步骤会完成。例如，在一个具体实施方式中，原地处理步骤的工艺方法会指定低频RF电力被关掉以允许离子轰击斜边。
[第65段]如前所述，通过控制晶片边缘周围的HER上的包层电压，本发明的具体实施方式为晶片边缘结果的控制提供了方法和装置。通过调整气体和/或静电箝位进行热能控制以及利用低RF HER电压控制的完整解决方案(这些方式可以单独采用或用在任意组合和/或序列中)，晶片边缘结果的等离子体处理被本地化控制以达到被制作器件的更高产量。通过采用带有低RF HER电压控制的外部直流电控制，基片上的离子能量会被独立控制。通过在处理方法的不同步骤中控制HER电压，聚合物沉积的原地清除在斜边上是可能的。另外，若干表明离子能量和等离子体密度的间接结果在等离子体处理过程中也可被控制。
[第66段]尽管本发明以多个优选实施方式的方式进行描述，但是存在落入本发明范围的变更、变换和等同。而且，标题、摘要和简要说明为了方便在此提供，不应该在此被用于解释权利要求的保护范围。还应该注意存在许多实施本发明的方法和装置的替换方式。尽管不同的实施例在此提供，这些实施例意在说明而并非限制本发明。进一步，在此应用中，一组″n″在该组中表示零或更多的项目。因此以下所附的权利要求意在被解释为包括落入本发明的真正精神和范围内的所有这些改变、变换和等同。

Claims (28)

1.在等离子体处理室中处理基片的方法，所述基片设置在夹盘上方且被边缘环包围，所述边缘环电绝缘于所述夹盘，包括：
向所述夹盘提供第一RF电力；
提供边缘环RF电压控制装置，所述边缘环RF电压控制装置与所述边缘环相连以向所述边缘环提供第二RF电力，被传送到所述边缘环的所述第二RF电力的频率为20KHz到10MHz，导致所述边缘环具有边缘环电势；和
在所述等离子体处理室生成等离子体以处理所述基片，所述基片被处理的同时，所述边缘环RF电压控制装置被配置为使所述边缘环电势与所述基片的直流电势大体上相等。
2.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环RF电压控制装置包括RF过滤器装置和RF匹配装置，所述RF过滤器装置设置在所述边缘环和RF电源之间。
3.权利要求2所述的方法，其中所述RF电源是不同于向所述夹盘提供所述第一RF电力所采用的RF发生器的RF发生器。
4.权利要求2所述的方法，其中所述RF电源是RF发生器，所述RF发生器也被用于向所述夹盘提供所述第一RF电力。
5.权利要求2所述的方法，其中所述RF过滤器装置被设置为衰减不需要的谐波RF能量使其不到达所述RF电源。
6.权利要求2所述的方法，其中所述RF匹配装置被配置为使向所述边缘环传送的RF电力最大化。
7.权利要求1所述的方法，其中被传送到所述边缘环的所述第二RF电力的频率与所述第一RF电力的频率不同。
8.权利要求7所述的方法，其中被传送到所述夹盘的所述第一RF电力的频率为2MHz。
9.权利要求7所述的方法，其中被传送到所述夹盘的所述第一RF电力的频率为27MHz。
10.权利要求7所述的方法，其中被传送到所述夹盘的所述第一RF电力的频率为60MHz。
11.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环与所述基片是电分离的。
12.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环是单片单元。
13.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环被设置为包括多个段。
14.权利要求13所述的方法，其中所述边缘环的所述多个段的一个段被设置为电绝缘于所述边缘环的所述多个段的相邻的段。
15.权利要求14所述的方法，其中所述边缘环的所述多个段的至少两个段被设置为独立控制传送给所述多个段的所述至少两个段的每一个的所述第二RF电力。
16.权利要求1所述的方法进一步包含：
生成穿过一区域的不同气流，所述区域包括所述基片和所述边缘环，所述不同气流由多个管嘴提供；
向所述边缘环提供静电夹紧工具以独立控制所述边缘环的温度；和
向所述边缘环提供外部直流电压控制装置以提供直流电。
17.一种等离子体处理系统，其具有为处理基片设置的等离子体处理室，所述基片被设置于夹盘上方且被边缘环包围，所述边缘环电绝缘于所述夹盘，包括：
第一RF电力，其向所述夹盘提供；和
边缘环RF电压控制装置，所述边缘环RF电压控制装置与所述边缘环耦合以向所述边缘环提供第二RF电力，向所述边缘环传送的所述第二RF电力的频率为20KHz到10MHz，导致所述边缘环具有边缘环电势，所述等离子体处理室被设置为激发等离子体来处理所述基片，所述基片被处理的同时，所述边缘环RF电压控制装置被设置为使所述边缘环电势与所述基片的直流电势大体上相等。
18.权利要求17所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环RF电压控制装置包括RF过滤器装置和RF匹配装置，所述RF过滤器装置设置在所述边缘环和所述RF电源之间。
19.权利要求18所述的等离子体处理系统，其中所述RF电源是不同于向所述夹盘提供所述第一RF电力所采用的RF发生器的RF发生器。
20.权利要求18所述的等离子体处理系统，其中所述RF电源是RF发生器，所述RF发生器也被用于向所述夹盘提供所述第一RF电力。
21.权利要求17所述的等离子体处理系统，其中被传送到所述边缘环的所述第二RF电力的频率不同于所述第一RF电力的频率。
22.权利要求21所述的等离子体处理系统，其中被传送到所述夹盘的所述第一RF电力有一组RF频率，包括至少2MHz、27MHz和60MHz中的一个。
23.权利要求17所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环与所述基片电分离。
24.权利要求17所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环是单片单元。
25.权利要求17所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环被设置为包括多个段。
26.权利要求25所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环的所述多个段的一个段被设置为与所述边缘环的所述多个段的相邻的段电绝缘。
27.权利要求26所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环的所述多个段的至少两个段被设置为独立控制传送到所述多个段的所述至少两个段的每一个的所述第二RF电力。
28.权利要求17所述的等离子体处理系统进一步包括：
被设置为穿过一区域的不同气流，所述区域包括所述基片和所述边缘环，所述不同气流由多个管嘴提供；
静电夹紧工具，其被设置为向所述边缘环提供对所述边缘环的独立温度控制；和
外部直流电压控制装置，被设置为向所述边缘环提供直流电。
CN2008800223430A 2007-06-28 2008-06-23 基片处理的方法和装置 Active CN101720501B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/770,637 2007-06-28
US11/770,637 US7758764B2 (en) 2007-06-28 2007-06-28 Methods and apparatus for substrate processing
PCT/US2008/067829 WO2009006062A1 (en) 2007-06-28 2008-06-23 Methods and apparatus for substrate processing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101720501A CN101720501A (zh) 2010-06-02
CN101720501B true CN101720501B (zh) 2011-11-23

Family

ID=40226458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800223430A Active CN101720501B (zh) 2007-06-28 2008-06-23 基片处理的方法和装置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7758764B2 (zh)
JP (1) JP5554705B2 (zh)
KR (1) KR101513752B1 (zh)
CN (1) CN101720501B (zh)
TW (1) TWI446399B (zh)
WO (1) WO2009006062A1 (zh)

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006051550B4 (de) * 2006-10-30 2012-02-02 Fhr Anlagenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Strukturieren von Bauteilen unter Verwendung eines Werkstoffs auf der Basis von Siliziumoxid
US8563619B2 (en) * 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US7758764B2 (en) * 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
JP5227264B2 (ja) * 2009-06-02 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，プログラム
SG178288A1 (en) * 2009-08-31 2012-03-29 Lam Res Corp A multi-peripheral ring arrangement for performing plasma confinement
SG170717A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-30 Lam Res Corp Hot edge ring with sloped upper surface
US8410393B2 (en) 2010-05-24 2013-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support
US8988848B2 (en) 2011-12-15 2015-03-24 Applied Materials, Inc. Extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
US8911588B2 (en) * 2012-03-19 2014-12-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for selectively modifying RF current paths in a plasma processing system
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
JP5970268B2 (ja) 2012-07-06 2016-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置および処理方法
US9252002B2 (en) 2012-07-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Two piece shutter disk assembly for a substrate process chamber
US9449797B2 (en) 2013-05-07 2016-09-20 Lam Research Corporation Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
SG10202002601QA (en) 2014-10-17 2020-05-28 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9851389B2 (en) 2014-10-21 2017-12-26 Lam Research Corporation Identifying components associated with a fault in a plasma system
JP6346855B2 (ja) * 2014-12-25 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法及び基板処理装置
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
JP6539113B2 (ja) * 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10163610B2 (en) * 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
JP6595335B2 (ja) * 2015-12-28 2019-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10109464B2 (en) 2016-01-11 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Minimization of ring erosion during plasma processes
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10685862B2 (en) * 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
US9852889B1 (en) * 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
US10163642B2 (en) * 2016-06-30 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, method and tool of manufacture
JP2018006299A (ja) * 2016-07-08 2018-01-11 東芝メモリ株式会社 プラズマ処理装置用処理対象支持台、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10665433B2 (en) * 2016-09-19 2020-05-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Extreme edge uniformity control
US10032661B2 (en) 2016-11-18 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device, method, and tool of manufacture
US11404249B2 (en) 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US10546724B2 (en) 2017-05-10 2020-01-28 Mks Instruments, Inc. Pulsed, bidirectional radio frequency source/load
TWI766014B (zh) * 2017-05-11 2022-06-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 在溝槽的側壁或平坦表面上選擇性地形成氮化矽膜之方法
CN109216144B (zh) * 2017-07-03 2021-08-06 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器
US10763081B2 (en) 2017-07-10 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
TW201918120A (zh) * 2017-10-26 2019-05-01 財團法人工業技術研究院 聚焦環、應用其之電漿設備及調整電壓之方法
CN109994355B (zh) 2017-12-29 2021-11-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器
CN111095523A (zh) * 2018-01-22 2020-05-01 应用材料公司 利用经供电的边缘环的处理
US11848177B2 (en) * 2018-02-23 2023-12-19 Lam Research Corporation Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates
WO2019169102A1 (en) * 2018-02-28 2019-09-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with multiple radio frequency meshes to control plasma uniformity
US11501953B2 (en) * 2018-03-28 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma processing equipment
CN111373504B (zh) * 2018-04-04 2023-01-06 应用材料公司 偏置操作上的rf定制电压
KR20200135550A (ko) 2018-04-18 2020-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 자기-중심조정 피쳐를 갖는 2-피스 셔터 디스크 조립체
JP7061918B2 (ja) * 2018-04-23 2022-05-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
JP6995008B2 (ja) 2018-04-27 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
KR102500219B1 (ko) 2018-05-12 2023-02-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 통합된 셔터 개라지를 갖는 사전-세정 챔버
KR102207755B1 (ko) * 2018-05-28 2021-01-26 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치
JP7299970B2 (ja) 2018-09-04 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良型研磨パッドのための配合物
KR102111504B1 (ko) * 2018-10-15 2020-05-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7455825B2 (ja) 2018-11-09 2024-03-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理チャンバ用の高周波フィルタシステム
KR102595900B1 (ko) 2018-11-13 2023-10-30 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US11562887B2 (en) * 2018-12-10 2023-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and etching method
CN111383887A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种改善等离子体刻蚀均匀性的装置及方法
JP7345382B2 (ja) 2018-12-28 2023-09-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び制御方法
US11955314B2 (en) 2019-01-09 2024-04-09 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
US10784089B2 (en) 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
CN113439330A (zh) 2019-02-12 2021-09-24 朗姆研究公司 具有陶瓷单体的静电卡盘
KR102256216B1 (ko) * 2019-06-27 2021-05-26 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법
US11894255B2 (en) 2019-07-30 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Sheath and temperature control of process kit
US11887820B2 (en) * 2020-01-10 2024-01-30 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
KR20220134688A (ko) * 2020-02-04 2022-10-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 시스템을 위한 rf 신호 필터 배열
US11646213B2 (en) 2020-05-04 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone platen temperature control
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
KR20220100339A (ko) * 2021-01-08 2022-07-15 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
US11664193B2 (en) * 2021-02-04 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Temperature controlled/electrically biased wafer surround
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US11984306B2 (en) 2021-06-09 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4456694B2 (ja) * 1999-06-22 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2001185542A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法
TW506234B (en) * 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP2002246368A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Anelva Corp ウェハー表面径方向均一プラズマを用いるウェハー処理システム
JP2003100713A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Kawasaki Microelectronics Kk プラズマ電極用カバー
JP2004022822A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理方法および装置
JP3993493B2 (ja) * 2002-09-09 2007-10-17 株式会社日立製作所 プラズマエッチング装置
JP4547182B2 (ja) * 2003-04-24 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2005260011A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Hitachi High-Technologies Corp ウエハ処理装置およびウエハ処理方法
JP4456412B2 (ja) 2004-05-27 2010-04-28 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP4566789B2 (ja) * 2005-03-07 2010-10-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP2006339391A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置
US20070032081A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Jeremy Chang Edge ring assembly with dielectric spacer ring
US7544270B2 (en) * 2005-11-14 2009-06-09 Infineon Technologies Ag Apparatus for processing a substrate
US9184043B2 (en) * 2006-05-24 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge electrodes with dielectric covers
US7758764B2 (en) * 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-246368A 2002.08.30

Also Published As

Publication number Publication date
US20130206337A1 (en) 2013-08-15
US20090071938A1 (en) 2009-03-19
WO2009006062A1 (en) 2009-01-08
US7758764B2 (en) 2010-07-20
CN101720501A (zh) 2010-06-02
JP2010532099A (ja) 2010-09-30
KR101513752B1 (ko) 2015-04-20
JP5554705B2 (ja) 2014-07-23
KR20100035169A (ko) 2010-04-02
US8211324B2 (en) 2012-07-03
TWI446399B (zh) 2014-07-21
TW200908063A (en) 2009-02-16
US20110011535A1 (en) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101720501B (zh) 基片处理的方法和装置
US6288493B1 (en) Antenna device for generating inductively coupled plasma
KR101513322B1 (ko) 튜닝가능한 캐패시턴스를 갖는 플라즈마 프로세싱 시스템을 위한 방법 및 장치
TWI455204B (zh) 基板處理用之邊緣環裝置
CN107452616B (zh) 使用电不对称效应控制等离子体处理空间的系统和方法
US7776156B2 (en) Side RF coil and side heater for plasma processing apparatus
US20070193688A1 (en) Process tuning gas injection from the substrate edge
KR100736218B1 (ko) 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마소스
KR200253559Y1 (ko) 회전방향으로 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키는유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나구조
US7871490B2 (en) Inductively coupled plasma generation system with a parallel antenna array having evenly distributed power input and ground nodes and improved field distribution
US20100065215A1 (en) Plasma generating apparatus
US20030094238A1 (en) Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization
KR100488363B1 (ko) 회전방향으로 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키는유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나구조
KR100391063B1 (ko) 유도결합으로 보강된 축전결합형 플라즈마 발생장치 및플라즈마 발생방법
CN101211687B (zh) 电感耦合线圈及应用该线圈的电感耦合等离子体装置
KR100404723B1 (ko) 낮은 종횡비를 갖는 유도결합형 플라즈마 발생장치
KR102467966B1 (ko) 하이브리드 플라즈마 발생 장치 및 하이브리드 플라즈마 발생 장치의 제어방법
KR101161169B1 (ko) 다중 용량 결합 전극 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치
KR20050087138A (ko) 플라즈마 발생용 하이브리드 안테나
KR20070099742A (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant