CN111373504B - 偏置操作上的rf定制电压 - Google Patents

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Abstract

提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入工艺腔室中的基板支撑件中的电极。响应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子的数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。

Description

偏置操作上的RF定制电压
背景技术
技术领域
本公开内容的实施例总体上涉及控制工艺腔室中的等离子体的方法及系统。
相关技术的描述
工艺腔室常规用于执行基板的等离子体处理，诸如蚀刻或沉积工艺。在蚀刻或沉积工艺期间，粒子可在工艺腔室内的喷头上沉积。在喷头上沉积的材料可以落到基板或下方的基板支撑件上，并且污染基板以及腔室内的处理空间。
由此，存在对控制并减少处理腔室中的粒子产生的需求。
发明内容
本公开内容总体上描述了用于减少来自喷头的粒子产生的方法、系统、及设备。在一个示例中，提供了一种基板处理方法。所述方法包括供应具有第一频率、第一振幅、及第一相位的第一RF(射频)信号。将第一RF信号从RF发生器供应到嵌入在工艺腔室中设置的基板支撑件中的电极。将具有第二频率、第二振幅、及第二相位的第二RF信号从RF发生器供应到电极。所述方法进一步包括相对于第一RF信号调节第二RF信号以产生离子。响应于对第一振幅、第二相位、第二振幅、及第二相位的测量来执行对第二RF信号的调节。
在另一示例中，公开了一种用于处理基板的系统。所述系统包括工艺腔室，所述工艺腔室具有在工艺腔室的处理空间中设置的基板支撑件。喷头设置在工艺腔室的处理空间中的基板支撑件上方。电极嵌入基板支撑件的基板支撑表面中。RF发生器耦合到第一电极以将具有第一频率、第一振幅、及第一相位的第一RF信号以及具有第二频率、第二振幅、及第二相位的第二RF信号供应到第一电极。控制器连接到RF发生器以响应于对第一振幅和第一相位及第二振幅和第二相位的测量来相对于第一RF信号调节第二RF信号，以产生用于蚀刻基板的离子。
在另一示例中，公开了一种用于处理基板的设备。所述设备包括工艺腔室，所述工艺腔室具有在工艺腔室的处理空间中设置的基板支撑件。喷头设置在工艺腔室的处理空间中的基板支撑件上方。电极嵌入基板支撑件的基板支撑表面中。RF发生器耦合到第一电极以将具有第一频率、第一振幅、及第一相位的第一RF信号以及具有第二频率、第二振幅、及第二相位的第二RF信号供应到第一电极。控制器连接到RF发生器以响应于对第一振幅和第一相位及第二振幅和第二相位的测量来相对于第一RF信号调节第二RF信号，以产生邻近基板支撑表面最大化且邻近喷头最小化的离子。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容的上述特征所用方式，对上文所简要概述的本公开内容的更具体描述可参考实施例进行，其中一些实施例在附图中示出。然而，将注意，附图仅示出示例性实施例，并且由此不被认为限制其范围，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施例。
图1描绘了根据本公开内容的一个实施例的处理系统的示意图。
图2示出了根据本公开内容的一个实施例的经计算的RF电压形式。
图3示出了根据本公开内容的一个实施例的经计算的RF电压形式。
图4A示出了根据本公开内容的一个实施例的经计算的DC自给偏置电压形式。
图4B示出了根据本公开内容的一个实施例的经计算的体等离子体电位电压形式。
图5描绘了根据本公开内容的一个实施例的处理系统的示意图。
图6描绘了根据本公开内容的一个实施例的用于通过获得目标RF电压参数来识别RF定制电压的算法的流程图。
图7描绘了根据本公开内容的一个实施例的频率发生器的框图。
图8描绘了根据本公开内容的一个实施例的振幅及相位发生器的框图。
图9描绘了根据本公开内容的一个实施例的RF电压监控器的框图。
图10描绘了根据本公开内容的一个实施例的IQ检测器的框图。
图11描绘了根据本公开内容的一个实施例的控制工艺腔室中的离子轰击的方法。
为了便于理解，相同元件符号在尽可能的情况下已经用于标识附图中共有的相同元件。可以预期，一个实施例的元件及特征可有利地并入其他实施例中，而无需进一步的叙述。
具体实施方式
本公开内容总体上涉及基板的等离子体处理，诸如基板的蚀刻及沉积。在蚀刻及沉积工艺期间，电容耦合等离子体在两个电极之间产生，所述两个电极例如为设置在基板支撑件内的第一电极及喷头中的第二电极。基板支撑件电极连接到RF发生器并且喷头电极连接到电气接地或RF回程(RFreturn)。在工艺腔室内产生的等离子体促进从基板蚀刻材料或将材料沉积到基板上。
本公开内容的方面涉及控制RF信号的相位及电压以同时控制关于基板的沉积或蚀刻，同时减少来自喷头或其他上部电极的粒子产生(例如，剥落)。此外，本文的方面涉及识别频率之间的相位差，以促进关于基板的沉积或蚀刻的增加，同时减少来自喷头或其他上部电极的粒子产生(例如，剥落)。
提供了用于在工艺腔室中的离子轰击工艺期间减少来自喷头的粒子产生的方法和系统。将第一RF信号及第二RF信号从RF发生器供应到嵌入在工艺腔室中设置的基板支撑件中的第一电极。响应于所测量的第一RF信号及第二RF信号的特性(例如，第一RF信号的第一振幅及第一相位以及第二RF信号的第二振幅及第二相位)，相对于第一RF信号调节第二RF信号。在可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的一些实施例中，增加基板上的离子轰击并且减少由喷头产生的粒子数量。本文的方法及系统经由利用离子轰击来实现蚀刻，同时减少由喷头产生的碎屑粒子的量。另外，论述了通过结合来自RF匹配的信息来增加RF电压/电流监控器的准确性的方法。
图1描绘了用于在工艺腔室101中执行多频率偏置操作的处理系统100的示意图。处理系统100包括经由n频率RF匹配102连接到多个RF发生器108的工艺腔室101。工艺腔室101包括设置在其中并且连接到电气接地107(或RF回程)的喷头103。基板支撑件104与喷头103相对地设置在工艺腔室101中。基板137由基板支撑件104支撑。电极105嵌入基板支撑件104内。电极105连接到n频率RF匹配102。针对每个相应频率(fi)，在相应的电压(Vi)及相位(Φi)下，n频率RF匹配102向电极105施加功率。电极105及喷头103促进电容耦合等离子体106的产生。
根据可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的一个实施例，在工艺腔室101中执行多频率偏置操作。在处理期间，电极105经由n频率RF匹配102由多个频率(例如，两个不同频率)偏置，同时喷头103(例如，第二电极)连接到电气接地107以促进RF回程。在一个示例中，由n频率RF匹配102施加的频率可以是另一者的整数倍，例如，RF能量可在13.56MHz的第一频率及27.12MHz的第二频率两者下施加。在可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的一些实施例中，第一频率及第二频率是谐波频率。在可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的一些实施例中，第一频率及第二频率是相邻的谐波频率。
另外，喷头103的表面积大于基板支撑件104的表面积。
当利用多谐波频率来操作工艺腔室101时，利用在基板支撑件104上形成的时间平均的自给偏置DC电压VDC来产生具有时间平均的体等离子体电位Vpla的等离子体106。当使用双频率等离子体产生时，据信，在某一相位值(Φ)下，由|Vpla-VDC|定义的基板137上的离子轰击变得接近最大值。同时，由|Vpla|定义的在等离子体106的接地侧(例如，喷头103)上的离子轰击变得接近最小值。操作工艺腔室由此实现最大化在基板137上的蚀刻，同时最小化来自喷头103的粒子产生。将|Vpla-VDC|调节为接近最大值，同时将|Vpla|调节为接近最小值，此将在后文被称为RF定制电压。
经由n频率RF匹配102，分别在频率f1、f2、......fn下，将电极105连接至RF发生器1081、1082、108n。总体上，在基板支撑件104处的RF电压由等式1表示：
Figure BDA0002500303790000051
其中Vi及Φi分别是在
Figure BDA0002500303790000052
下的电压及相位，并且其中ωi是角频率。为了保持相称的RF周期，频率fi是基本频率f1的第i个谐波频率：
fi＝i·f1其中i＝1、2……n (2)
等式(2)促进定时时钟在硬件中的实现。
在工艺腔室101中，利用时间平均的体等离子体电位Vpla来产生等离子体106。由于在工艺腔室101内的等离子体产生，在基板137的表面上形成时间平均的自给偏置DC电压VDC。
对于建模说明，将等式(1)进一步假设为以下形式：
Figure BDA0002500303790000053
此外，当等式(3)限于n＝2时：
Figure BDA0002500303790000054
在等式3中，谐波的振幅由基本谐波的振幅标准化。随着谐波阶增加，振幅减小，例如，第n个谐波的振幅为基本谐波的1/n。据信，有利的是，主要操作用于处理的基本谐波以及作为调节项的其他谐波，以满足RF定制电压条件，其中|Vpla-VDC|接近最大值，并且|Vpla|接近最小值。
在双频率系统中，例如当f1＝13.56MHz并且f2＝27.12MHz时，在两个频率之间的相位差由以下定义：
φ≡φ2-φ1 (5)
图2及图3示出了根据示例的经计算的RF电压形式。当向图1的几何形状施加自洽等离子体建模(其中V1＝200V，并且Φ1＝0)时，针对Φ＝0°、90°、180°、270°获得电压波形结果以作为在图2及图3中的标准化时间的函数。
图4A示出了根据示例的经计算的DC自给偏置电压形式。将在图1中示出的基板支撑件104上形成的经计算的VDC示出为图4A中的Φ的函数。将经计算的Vpla示出为图4B的Φ的函数。如图4A及图4B所示，在约Φ＝100°下，|Vpla|的最小值为约60V，并且|Vpla-VDC|的最大值为约360V。
由于对电极105及喷头103的离子轰击电压分别由|Vpla-VDC|及|Vpla|给出，在Φ＝100°下的等离子体处理在喷头103上提供接近最小离子轰击，因此减少来自喷头103的粒子产生，并且接近对基板支撑件104上的基板137的最大轰击，由此增强基板137上的离子蚀刻。换言之，在Φ＝100°下操作最大化在基板137上的离子速率，同时最小化来自喷头103的粒子产生。因此，来自喷头103的粒子产生通过在双频率等离子体处理操作期间改变相位差Φ来最小化。
预期到，等离子体处理可利用使用两个以上的不同频率的n频率RF匹配102或利用第二频率发生，所述第二频率为第一频率的整数倍，其中整数倍大于1。例如，在等式4中，较高阶谐波f2可用第三谐波f1(f1为13.56MHz)替换(即，f2＝40.68MHz)。
图5描绘了可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的本公开内容的实施例的处理系统500的示意图。处理系统500类似于处理系统100，但包括单个n频率发生器508、耦合到n频率RF发生器508并且在n频率RF发生器508下游的n频率RF匹配502、以及耦合到n频率RF匹配502并且在n频率RF匹配502下游的电压监控器509。尽管示出了单个RF发生器508，但是预期到，可在处理系统500中采用多个RF发生器。
为了促进对处理参数的更准确控制及调节，电压监控器509检测n频率RF匹配502下游的电压，其对应于由线性关系施加到电极105的电压，所述线性关系由工艺腔室501的几何结构确定(后文描述)。检测n频率RF匹配502下游的电压提供对在工艺腔室501中的条件的更准确指示，因此改进对处理参数进行的调节。
为了促进工艺控制，n频率RF发生器508经由连接510从电压监控器509接收信号。作为响应，在每个频率下，RF发生器508产生RF功率信号，以满足在电极105及103处的RF定制电压条件操作。n频率RF发生器508也可经由连接512从RF匹配502接收信号。
如上文所描述的对相位及幅度调节的确定利用参数Vi及Φi(i＝1、2、…n)，所述参数Vi及Φi在基板支撑件104处定义。然而，在处理系统500中，RF电压及相位应当是后匹配的(即，在RF匹配502下游)，作为Vim及Φim(i＝1、2、…n)。因此，将在等式(1)中导出的值变换到定义为Vim及Φim的后RF匹配502值，所述值由变换矩阵计算：
Figure BDA0002500303790000071
其中将所有值定义为复数。因此，将等式(1)中的值转换为以下形式：
Figure BDA0002500303790000072
对一个示例而言，基于在图2、图3、图4A、及图4B中示出的建模，在基板支撑件104处定义并计算
Figure BDA0002500303790000073
ABCD矩阵可以由工艺腔室501的几何形状计算，并且更具体而言，由一系列传输线及电容器与电感器的一些组合计算。注意到，Φ1具有任意性。因此，可以将Φ1定义为Φ1＝0，而不损失一般性。在操作期间，RF电压参数Vi及Φi后RF匹配502由n频率RF电压监控器509测量，从而将所测量到的值表示为Vime及Φime。对RF电压参数的实验测定实现对RF定制电压的测定。
图6描绘了通过获得目标RF电压参数Vim及Φim来识别RF定制电压的算法的流程图。在一些实施例中，Vim及Φim为使用者定义的目标参数。在其他实施例中，Vim及Φim为第二RF信号的所测量的参数。在操作620期间，实验参数Vime及Φime由n频率RF电压监控器509测量。在操作621期间，确定所测量的实验参数Vime及Φime是否满足等式(8)及(9)的条件：
Vime/V1me≈Vim/V1m (8)
φime-φ1me≈φim-φ1m (9)
若在使用者定义的容差内，所测量的参数Vime及Φime满足等式(8)及(9)，则不对n频率RF发生器508执行调节。使用者定义的容差通常为经验性的。振幅比率(等式8)的使用者定义的容差为约5％，例如，在约3％与约7％之间，诸如在约4％与约6％之间。针对相对角度(等式9)的使用者定义的容差在约3度与约8度之间，例如，在约4度与约6度之间。然而，若Vime及Φime的所测量值不满足操作621的算法，种子RF电压(参见图7)的振幅A'i及相位θ'i经由在微控制单元(micro control unit；MCU)内部执行的负反馈控制(例如，比例积分微分(proportional integral derivative；PID)控制器)在n频率RF发生器508内部产生，如操作622中示出。换言之，PID及MCU促进响应于所测量的值Vime及Φime来调节n频率RF发生器508，以实现在RF匹配502下游的期望的电压和相位。针对每个频率fi执行反馈控制，其中i＝2、3、...n，同时A'1及θ'1是恒定的。
在一个示例中，操作620之后接着操作621。若满足操作621，则在不调节电压及相位的情况下，继续对基板进行处理。若不满足操作621，则执行操作622，并且重复操作620-622直到满足操作621。
在一些示例中，在高于40MHz的频率下，n频率RF电压监控器509可能不是足够精确的，这是因为在RF匹配502下游的RF电压及电流均为相对高的，并且在这两者之间的相位角接近90度。在90度相位角左右，较小差异(例如，1度)致使功率的较大差异，并且可能导致RF电压和/或电流的错误读数。在此情况下，复值的阻抗Zime(在图7中示出)由
Figure BDA0002500303790000081
确定，其中Yime为频率fi下的导纳，Yime由在n频率RF匹配502内部的RF匹配条件导出，并且在等式(10)中可以用于计算Vime：
Figure BDA0002500303790000082
其中Pime为在频率fi下递送到工艺腔室(诸如图5中描绘的工艺腔室501)的功率。对Zime的测量由在RF匹配502中设置的向量网络分析器(未示出)计算。因此，等式(10)为高度准确的。
注意到，n频率RF电压监控器509用于测量相位角Φime，当测量相位角的绝对值时，所述相位角Φime包括系统误差。然而，由等式(9)中的减法清除系统误差。另外，所导出的值的统计误差通过使用时间平均变量来减少，由此改进所导出的结果的准确性。因此，可以减轻等式(9)中的误差影响。
图7为图5所示出的n频率RF发生器508的框图。n频率RF发生器508包括锁相环(phase-locked loop；PLL)电路720、分频器722、MCU 724、使用者界面726、一个或多个发生器728a-728c(示出三个)、以及各自连接到相应的发生器728a-728c的一个或多个功率放大器711(示出三个)。PLL电路720从晶体振荡器或外部时钟发生器710接收信号以产生时钟信号CLK＝N·fn，其中N为任意整数，例如，22-26。将CLK信号发送到分频器722以产生一组CLK信号CLKi(其中i＝1、....n)，其中的各者被发送到相应的发生器728a-728c，所述发生器728a-728c经配置为在频率fi下产生振幅及相位。
CLK信号也被发送到在fi下测量Vime及Φime的n频率RF电压监控器(诸如n频率RF电压监控器509)。如等式(10)所示，Vime可以用在n频率RF匹配502处的电压测量来替换。将值Vime及Φime提供到MCU 724，MCU724经由如图6所示的PID控制器由所测量的值Vime、Φime以及在使用者界面726处由使用者输入的目标值Vim、Φim计算针对种子RF电压的振幅A'i及相位θ'i。振幅A'i及相位θ'i表示对所测量的值Vime及Φime的调节。一旦所测量的值Vime及Φime分别匹配目标值Vim及Φim，就将RF信号施加到图1及图5中示出的电极105。
图8描绘了根据可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的本公开内容的实施例的振幅及相位发生器728a的框图。将理解，类似地配置发生器728b及728c。使用从图7所示的MCU 724接收的信息A'icosθ'i及A'isinθ'i，在CLKi＝N·fi处的同相及正交(In-and-Quadrature；IQ)相位调制操作合成数字种子信号
Figure BDA0002500303790000091
其中p＝0、1、...N-1，最终在数模转换器(digital to analog converter；DAC)830中将数字种子信号转换为模拟种子A′isin(ωit+θ′i)。如图7所示，来自RF发生器的信号A′isin(ωit+θ′i)由功率放大器711放大至Aisin(ωit+θi)。将经放大的信号Aisin(ωit+θi)发送到n频率RF匹配502，其在RF匹配的输出下将经放大的信号转换为Vimesin(ωit+φime)。
图9是从n频率RF发生器508接收基本时钟信号CLK＝N·fn的n频率RF电压监控器509的图。模拟电压检测器902(例如，电容分压器)在频率fi(i＝1、....n)下测量呈V′imesin(ωit+φime)形式的n组RF电压，其中V'ime及Vime与比例因子相关。分频器722产生n组CLKi(i＝1、....n)，以在频率fi下操作相应的IQ检测器936a-936c(示出三个)。IQ检测器936a-936c从输入RF电压V′imesin(ωit+φime)导出Vime及Φime。
图10示出在频率fi(i＝1、....n)下IQ检测器936的框图。模数转换器(analog todigital converter；ADC)1038将模拟输入V′imesin(ωit+φime)从模拟电压检测器902转换为数字值
Figure BDA0002500303790000092
数位值乘以来自ROM 1039的
Figure BDA0002500303790000093
及
Figure BDA0002500303790000094
将经转换的信号发送到低通滤波器(low pass filter；LPF)1040。低通滤波器产生输出
Figure BDA0002500303790000101
及
Figure BDA0002500303790000102
将低通滤波器的输出发送到数字信号处理器(digital signalprocessor；DSP)1041。DSP 1041可包括坐标旋转数字计算机(coordinate rotationdigital computer；CORDIC)。CORDIC算法及其他数字信号处理用于导出Vime及Φime。
图11描述了根据可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的本公开内容的实施例的在工艺腔室中控制离子轰击的方法1100。在操作1110期间，将具有第一频率、第一振幅、及第一相位的第一RF信号从RF发生器发送到嵌入处理腔室中的基板支撑件中的电极。
在操作1120期间，将具有第二频率、第二振幅、及第二相位的第二RF信号从RF发生器发送到电极。在可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第二RF信号具有第一RF信号的频率的谐波频率。在操作1130期间，响应于对第一振幅、第一相位、第二振幅、及第二相位的测量，相对于第一RF信号调节第二RF信号。在可以与上文所描述的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，如上文论述的种子RF电压的振幅及相位基于对第一RF信号及第二RF信号的测量来确定。种子RF电压的振幅及相位可用于调节第二RF信号。在操作1140处，由于RF调制，增加基板上的离子轰击，并且减少在腔室中设置的喷头上的粒子产生。
如上文所示，将方法1100用于等离子体处理通过识别相位Φim(i＝2、...n)来减少由喷头产生的粒子，在所述相位Φim(i＝2、...n)处|Vpla|变得接近最小值。在Φim(i＝2、...n)处，也识别到|Vpla–VDC|变得接近最大值，因此最大化基板上的沉积或蚀刻，同时减少来自喷头的粒子产生。|Vpla–VDC|对应于在蚀刻或沉积期间在基板上的游离的粒子碰撞，并且|Vpla|对应于在喷头上的游离的粒子碰撞。由此，通过识别其中最大化基板支撑件上的电压并最小化喷头上的电压的相位，最小化在喷头处的游离的粒子碰撞(从而减少来自喷头的粒子剥落)，同时在基板处或在基板附近增加和/或最大化沉积和/或蚀刻。
尽管上述内容涉及本公开内容的实施例，但是可在不脱离其基本范围的情况下设计本公开内容的其他及进一步实施例，并且其范围由以下权利要求确定。

Claims (18)

1.一种基板处理方法，包括以下步骤：
将具有第一频率、第一振幅和第一相位的第一RF信号从RF发生器供应到电极，所述电极嵌入在工艺腔室中设置的基板支撑件中；
将具有第二频率、第二振幅和第二相位的第二RF信号从所述RF发生器供应到所述电极；
相对于所述第一RF信号调节所述第二RF信号以产生离子，所述调节响应于对所述第一振幅、所述第一相位、所述第二振幅和所述第二相位的测量来执行；以及
通过改变所述第一相位与所述第二相位之间的相位差，最小化在喷头上的粒子产生。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
在所述基板支撑件上设置的基板的表面上产生时间平均的自给偏置DC电压。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率为谐波。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一频率和所述第二频率为相邻的谐波频率。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板支撑件的表面的表面积小于所述喷头的表面积。
6.如权利要求1所述的方法，其中用于蚀刻的所述离子的数量在基板附近最大化。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
将两个以上的RF信号从所述RF发生器供应到所述电极。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述两个以上的RF信号包括谐波频率。
9.一种用于处理基板的系统，包括：
工艺腔室，在所述工艺腔室中限定工艺空间；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述工艺空间中；
喷头，所述喷头在所述工艺空间中与所述基板支撑件相对地设置；
电极，所述电极嵌入所述基板支撑件中；
RF发生器，所述RF发生器耦合到所述电极，以将具有第一频率、第一振幅和第一相位的第一RF信号以及具有第二频率、第二振幅和第二相位的第二RF信号供应到所述电极；以及
控制器，所述控制器连接到所述RF发生器，以响应于对所述第一振幅、所述第一相位、所述第二振幅和所述第二相位的测量来相对于所述第一RF信号调节所述第二RF信号，以产生用于蚀刻所述基板的离子，其中所述控制器被配置为通过改变所述第一相位与所述第二相位之间的相位差来最小化在所述喷头上的粒子产生。
10.如权利要求9所述的系统，进一步包括：
在所述基板支撑件上设置的所述基板的表面上产生时间平均的自给偏压DC电压。
11.如权利要求9所述的系统，其中所述RF发生器将两个以上的RF信号供应到所述电极。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述两个以上的RF信号包括谐波频率。
13.如权利要求9所述的系统，其中在所述基板支撑件上设置的所述基板附近最大化用于蚀刻的所述离子的数量。
14.如权利要求9所述的系统，其中所述第一频率和所述第二频率是谐波。
15.如权利要求14所述的系统，其中所述第一频率和所述第二频率是相邻的谐波频率。
16.如权利要求9所述的系统，其中所述基板支撑件的表面积小于所述喷头的表面积。
17.一种用于处理基板的设备，包括：
工艺腔室，所述工艺腔室具有在所述工艺腔室的工艺空间中设置的基板支撑件；
喷头，所述喷头在所述工艺腔室的所述工艺空间中与所述基板支撑件相对地设置；
电极，所述电极嵌入所述基板支撑件中；
RF发生器，所述RF发生器耦合到所述电极，以将具有第一频率、第一振幅和第一相位的第一RF信号以及具有第二频率、第二振幅和第二相位的第二RF信号供应到所述电极；以及
控制器，所述控制器连接到所述RF发生器，以响应于对所述第一振幅、所述第一相位、所述第二振幅和所述第二相位的测量来相对于所述第一RF信号调节所述第二RF信号，以产生离子，所述离子的数量在所述基板支撑件附近最大化并且在所述喷头附近最小化，其中所述控制器被配置为通过改变所述第一相位与所述第二相位之间的相位差来最小化在所述喷头上的粒子产生。
18.如权利要求17所述的设备，其中所述第一频率和所述第二频率是谐波。
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