TWI720444B

TWI720444B - 透過偏置操作上的rf定制電壓以處理基板的系統、設備及方法

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Publication number: TWI720444B
Application number: TW108109975A
Authority: TW
Inventors: 小林悟; 田偉; 沙西德羅夫; 金正勳; 壽南朴; 基迪米奇路柏曼斯
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2018-04-04
Filing date: 2019-03-22
Publication date: 2021-03-01
Also published as: KR102370012B1; KR20200074251A; JP2021513183A; JP6977170B2; KR20220028193A; CN111373504B; KR102421082B1; CN111373504A; WO2019194970A1; TW202004827A

Abstract

提供了用於在處理腔室中的離子轟擊製程期間減少噴頭上的粒子產生的方法、系統及設備。將第一及第二RF訊號從RF產生器供應到嵌入處理腔室中的基板支撐件中的電極。回應於對第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的量測，相對於第一RF訊號調節第二RF訊號。最大化在基板上的離子轟擊並且最小化在噴頭上產生的粒子數量。本文描述的方法及系統提供了改進的離子蝕刻特性，同時減少從噴頭產生的碎屑粒子的量。

Description

透過偏置操作上的RF定制電壓以處理基板的系統、設備及方法

本揭示的實施例大體係關於控制處理腔室中的電漿的方法及系統。

處理腔室習知用於執行基板的電漿處理，諸如蝕刻或沉積製程。在蝕刻或沉積製程期間，粒子可在處理腔室內的噴頭上沉積。在噴頭上沉積的材料可以落到基板或下方的基板支撐件上，並且污染基板以及腔室內的處理空間。

由此，存在對控制及減少處理腔室中的粒子產生的需要。

本揭示大體描述了用於減少來自噴頭的粒子產生的方法、系統、及設備。在一個實例中，提供了一種基板處理方法。該方法包括供應具有第一頻率、第一振幅、及第一相位的第一RF(射頻)訊號。將第一RF訊號從RF產生器供應到嵌入在處理腔室中設置的基板支撐件中的電極。將具有第二頻率、第二振幅、及第二相位的第二RF訊號從RF產生器供應到電極。該方法進一步包括相對於第一RF訊號調節第二RF訊號以產生離子。回應於對第一振幅、第二相位、第二振幅、及第二相位的量測來執行對第二RF訊號的調節。

在另一實例中，揭示了一種用於處理基板的系統。該系統包括處理腔室，該處理腔室具有在處理腔室的處理空間中設置的基板支撐件。噴頭設置在處理腔室的處理空間中的基板支撐件之上。電極嵌入基板支撐件的基板支撐表面中。RF產生器耦合到第一電極以將具有第一頻率、第一振幅、及第一相位的第一RF訊號以及具有第二頻率、第二振幅、及第二相位的第二RF訊號供應到第一電極。控制器連接到RF產生器以回應於對第一及第二振幅與相位的量測相對於第一RF訊號調節第二RF訊號，以產生用於蝕刻基板的離子。

在另一實例中，揭示了一種用於處理基板的設備。該設備包括處理腔室，該處理腔室具有在處理腔室的處理空間中設置的基板支撐件。噴頭設置在處理腔室的處理空間中的基板支撐件之上。電極嵌入基板支撐件的基板支撐表面中。RF產生器耦合到第一電極以將具有第一頻率、第一振幅、及第一相位的第一RF訊號以及具有第二頻率、第二振幅、及第二相位的第二RF訊號供應到第一電極。控制器連接到RF產生器以回應於對第一及第二振幅與相位的量測相對於第一RF訊號調節第二RF訊號，以產生鄰近基板支撐表面最大化且鄰近噴頭最小化的離子。

本揭示大體係關於基板的電漿處理，諸如基板的蝕刻及沉積。在蝕刻及沉積製程期間，電容耦合電漿在兩個電極之間產生，該兩個電極例如設置在基板支撐件內的第一電極及噴頭中的第二電極。基板支撐件電極連接到RF產生器並且噴頭電極連接到電氣接地或RF回程。在處理腔室內產生的電漿促進從基板蝕刻材料或將材料沉積到基板上。

本揭示的態樣係關於控制RF訊號的相位及電壓以同時控制關於基板的沉積或蝕刻，同時減少來自噴頭或其他上部電極的粒子產生（例如，剝落）。此外，本文的態樣係關於辨識在頻率之間的相位差，以促進關於基板的沉積或蝕刻增加，同時減少來自噴頭或其他上部電極的粒子產生（例如，剝落）。

提供了用於在處理腔室中的離子轟擊製程期間減少來自噴頭的粒子產生的方法及系統。將第一RF訊號及第二RF訊號從RF產生器供應到嵌入在處理腔室中設置的基板支撐件中的第一電極。回應於所量測的第一及第二RF訊號的特性，例如，第一RF訊號的第一振幅及第一相位以及第二RF訊號的第二振幅及第二相位，相對於第一RF訊號調節第二RF訊號。在可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的一些實施例中，增加基板上的離子轟擊並且減少由噴頭產生的粒子數量。本文的方法及系統經由利用離子轟擊來實現蝕刻，同時減少由噴頭產生的碎屑粒子的量。另外，論述了藉由結合來自RF匹配的資訊來增加RF電壓/電流監控器的準確性的方法。

第1圖描繪了用於在處理腔室101中執行多頻率偏置操作的處理系統100的示意圖。處理系統100包括經由n頻率RF匹配102連接到多個RF產生器108的處理腔室101。處理腔室101包括設置在其中並且連接到電氣接地107（或RF回程）的噴頭103。基板支撐件104與噴頭103相對地設置在處理腔室101中。基板137由基板支撐件104支撐。電極105嵌入基板支撐件104內。電極105連接到n頻率RF匹配102。針對每個相應頻率(f_i )，在相應電壓(V_i )及相位(Φ_i )下，n頻率RF匹配102向電極105施加功率。電極105及噴頭103促進電容耦合電漿106的產生。

根據可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的一個實施例，在處理腔室101中執行多頻率偏置操作。在處理期間，電極105經由n頻率RF匹配102由多個頻率（例如，兩個不同頻率）偏置，同時噴頭103（例如，第二電極）連接到電氣接地107以促進RF回程。在一個實例中，由n頻率RF匹配102施加的頻率可以係另一者的整數倍，例如，RF能量可在13.56 MHz的第一頻率及27.12 MHz的第二頻率兩者下施加。在可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的一些實施例中，第一頻率及第二頻率係諧波頻率。在可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的一些實施例中，第一頻率及第二頻率係相鄰的諧波頻率。

另外，噴頭103的表面積大於基板支撐件104的表面積。

經由n頻率RF匹配102，分別在頻率f₁ 、f₂ 、......f_n 下，電極105連接到RF產生器108₁ 、108₂ 、108_n 。大體上，在基板支撐件104處的RF電壓由等式1表示：

其中V_i 及Φ _i 分別係在

下的電壓及相位，並且其中ω _i 係角頻率。為了保持同量的RF週期，頻率f_i 係基本頻率f ₁ 的第i 個諧波頻率： f_i =i·f₁ 其中i =1、2……n (2) 等式(2)促進時序時鐘在硬體中的實現。

在處理腔室101中，利用時間平均主體電漿電位V_pla 來產生電漿106。由於在處理腔室101內的電漿產生，在基板137的表面上形成時間平均自給偏置DC電壓V_DC 。

對於模型化說明，將等式(1)進一步假設為以下形式：

此外，當等式(3)限於n=2時：

在等式3中，諧波的振幅由基本諧波的振幅標準化。隨著諧波階增加，振幅減小，例如，第n個諧波的振幅係基本諧波的1/n。咸信有利地主要操作用於處理的基本諧波以及作為調節項的其他諧波，以滿足RF定制電壓條件，其中|V_pla -V_DC |接近最大值並且|V_pla |接近最小值。

在雙頻率系統中，例如當f ₁ =13.56 MHz並且f ₂ =27.12 MHz時，在兩個頻率之間的相位差由以下定義：

第2圖及第3圖根據一實例示出經計算的RF電壓形式。當向第1圖的幾何形狀施加自相一致電漿模型化（其中V ₁ =200 V，並且Φ ₁ =0）時，隨著在第2圖及第3圖中的標準化時間變化，獲得針對Φ =0°、90°、180°、270°的電壓波形結果。

第4A圖根據實例示出經計算的DC自給偏置電壓形式。將在第1圖中示出的基板支撐件104上形成的經計算的V_DC 圖示為隨著第4A圖中的Φ 變化。將經計算的V_pla 圖示為隨第4B圖中的Φ 變化。如第4A圖及第4B圖所示，在約Φ =100°下，|V_pla |的最小值係約60 V，並且|V_pla -V_DC |的最大值係約360 V。

由於對電極105及噴頭103的離子轟擊電壓分別由|V_pla -V_DC |及|V_pla |給出，在Φ =100°下的電漿處理在噴頭103上提供接近最小離子轟擊，因此減少來自噴頭103的粒子產生，並且接近到在基板支撐件104上基板137的最大轟擊，由此增強基板137上的離子蝕刻。換言之，在Φ=100°下操作最大化在基板137上的離子速率，同時最小化來自噴頭103的粒子產生。因此，來自噴頭103的粒子產生藉由在雙頻率電漿處理操作期間改變相位差Φ來最小化。

可以預期，電漿處理可利用使用兩個以上的不同頻率的n頻率RF匹配102或利用第二頻率發生，該第二頻率係第一頻率的整數倍，其中整數倍大於1。例如，在等式4中，較高階諧波f ₂可用f ₁(其係13.56MHz)的第三諧波替換(亦即，f ₂=40.68MHz)。

第5圖根據可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的本揭示之一實施例描繪了處理系統500的示意圖。處理系統500類似於處理系統100，但包括單個n頻率產生器508、耦合到n頻率RF產生器508並且在n頻率RF產生器508下游的n頻率RF匹配502、以及耦合到n頻率RF匹配502並且在n頻率RF匹配502下游的電壓監控器509。儘管圖示了單個RF產生器508，可以預期，可在處理系統500中採用多個RF產生器。

為了促進對處理參數的更準確控制及調節，電壓監控器509偵測n頻率RF匹配502下游的電壓，其對應於由線性關係施加到電極105的電壓，該線性關係由處理腔室501的幾何結構決定(後文描述)。偵測n頻率RF匹配502下游的電壓提供對在處理腔室501中的條件的更準確指示，因此改進對處理參數進行的調節。

為了促進處理控制，n頻率RF產生器508經由連接510從電壓監控器509接收訊號。作為回應，在每個頻率下，RF產生器508產生RF功率訊號，以滿足在電極105及103處的RF定制電壓條件操作。n頻率RF產生器508亦可經由連接512從RF匹配502接收訊號。

如上文所描述的對相位及幅度調節的決定利用參數V_i 及Φ_i （i =1、2、…n），該等參數在基板支撐件104處定義。然而，在處理系統500中，RF電壓及相位應當係後匹配的（亦即，在RF匹配502下游），作為V_im 及Φ _im （i =1、2、…n）。因此，將在等式(1)中導出的值變換到定義為V_im 及Φ _im 的後RF匹配502值，該等值由變換矩陣計算：

其中將所有值定義為複數。因此，將等式(1)中的值轉換為以下形式：

對一個實例而言，基於在第2圖、第3圖、第4A圖、及第4B圖中示出的模型化，在基板支撐件104處定義並計算

。ABCD矩陣可以由處理腔室501的幾何形狀計算，並且更具體而言，由一系列傳輸線及電容器與電感器的一些組合計算。注意到，Φ ₁ 具有任意性。因此，可以將Φ ₁ 定義為Φ ₁ =0，而不損失一般性。在操作期間，RF電壓參數V_i 及Φ _i 後RF匹配502由n頻率RF電壓監控器509量測，從而將所量測值表示為V_ime 及Φ _ime 。對RF電壓參數的實驗測定實現對RF定制電壓的測定。

第6圖描繪了藉由獲得靶RF電壓參數V_im 及Φ _im 來辨識RF定制電壓的演算法的流程圖。在一些實施例中，V_im 及Φ _im 係使用者定義的靶參數。在其他實施例中，V_im 及Φ _im 係第二RF訊號的所量測參數。在操作620期間，實驗參數V_ime 及Φ _ime 由n頻率RF電壓監控器509量測。在操作621期間，決定所量測的實驗參數V_ime 及Φ _ime 是否滿足等式(8)及(9)的條件：

若在使用者定義的容差內，所量測參數V_ime 及Φ _ime 滿足等式(8)及(9)，不對n頻率RF產生器508執行調節。使用者定義的容差通常係經驗性的。振幅比率（等式8）的使用者定義的容差係約5%，例如，在約3%與約7%之間，諸如在約4%與約6%之間。針對相對角度（等式9）的使用者定義的容差係在約3度與約8度之間，例如，在約4度與約6度之間。然而，若V_ime 及Φ _ime 之所量測值不滿足操作621的演算法，種子RF電壓（參見第7圖）的振幅A'_i 及相位θ '_i 經由在微控制單元(micro control unit; MCU)內部執行的負反饋控制（例如，比例積分微分(proportional integral derivative; PID)控制器）在n頻率RF產生器508內部產生，如操作622中示出。換言之，PID及MCU促進回應於所量測值V_ime 及Φ _ime 來調節n頻率RF產生器508，以實現在RF匹配502下游的期望電壓及相位。針對每個頻率f_i 執行反饋控制，其中i =2、3、...n，同時A'₁ 及θ '₁ 係恆定的。

在一個實例中，操作620之後接著操作621。若滿足操作621，則在不調節電壓及相位的情況下，繼續對基板進行處理。若不滿足操作621，則執行操作622，並且重複操作620-622直到滿足操作621。

在一些實例中，在高於40 MHz的頻率下，n頻率RF電壓監控器509可能不是足夠精確的，這是因為在RF匹配502下游的RF電壓及電流均係相對高的，並且在該等兩者之間的相位角接近90度。在90度相位角左右，較小差異（例如，1度）致使功率的較大差異，並且可以導致RF電壓及/或電流的錯誤讀數。在此情況下，複值的阻抗Z_ime （在第7圖中圖示）由

決定，其中Y_ime 係頻率f_i 下的導納，Y_ime 由在n頻率RF匹配502內部的RF匹配條件導出，並且在等式(10)中可以用於計算V_ime ：

其中P_ime 係在頻率f_i 下遞送到處理腔室（諸如第5圖中描繪的處理腔室501）的功率。對Z_ime 的量測由在RF匹配502中設置的向量網路分析器（未圖示）計算。因此，等式(10)係高度準確的。

注意到，n頻率RF電壓監控器509用於量測相位角Φ _ime ，當量測相位角的絕對值時，該相位角包括系統誤差。然而，由等式(9)中的減法清除系統誤差。另外，所導出值的統計誤差藉由使用時間平均變數來減少，由此改進所導出結果的準確性。因此，可以減輕等式(9)中的誤差影響。

第7圖係第5圖所示出的n頻率RF產生器508的方塊圖。n頻率RF產生器508包括鎖相迴路(phase-locked loop; PLL)電路720、分頻器722、MCU 724、使用者介面726、一或多個產生器728a-728c（圖示了三個）、以及各者連接到相應的產生器728a-728c的一或多個功率放大器711（圖示了三個）。PLL電路720從晶體振蕩器或外部時鐘產生器710接收訊號以產生時鐘訊號CLK=N ·f_n ，其中N 係任意整數，例如，2² -2⁶ 。將CLK訊號發送到分頻器722以產生一組CLK訊號CLKi （其中i =1、....n），其各者被發送到相應產生器728a-728c，該產生器經構造為在頻率f_i 下產生振幅及相位。

CLK訊號亦被發送到在f_i 下量測V_ime 及Φ _ime 的n頻率RF電壓監控器（諸如n頻率RF電壓監控器509）。如等式(10)所示，V_ime 可以用在n頻率RF匹配502處的電壓量測來替換。將值V_ime 及Φ _ime 提供到MCU 724，MCU 724經由如第6圖所示的PID控制器由所量測值V_ime 、Φ _ime 以及在使用者介面726處由使用者輸入的目標值V_im 、Φ _im 計算針對種子RF電壓的振幅A'_i 及相位θ '_i 。振幅A'_i 及相位θ '_i 表示對所量測值V_ime 及Φ _ime 的調節。一旦所量測值V_ime 及Φ _ime 分別匹配目標值V_im 及Φ _im ，就將RF訊號施加到第1圖及第5圖中示出的電極105。

第8圖根據可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的本揭示之一實施例描繪了振幅及相位產生器728a的方塊圖。將理解，類似地構造產生器728b及728c。使用從第7圖所示的MCU 724接收的資訊A'_i cos θ '_i 及A'_i sin θ '_i ，在CLKi =N·f_i 處的同相及正交(In–and-Quadrature; IQ)相位調製操作合成數位種子訊號

，其中p =0、1、...N-1，最終在數位類比轉換器(digital to analog converter; DAC) 830中將數位種子訊號轉換為類比種子

。如第7圖所示，來自RF產生器的訊號

由功率放大器711放大至

。將經放大訊號

發送到n頻率RF匹配502，其在RF匹配的輸出下將經放大訊號轉換為

。

第9圖係從n頻率RF產生器508接收基本時鐘訊號CLK=N·f_n 的n頻率RF電壓監控器509的圖。類比電壓偵測器902（例如，電容分壓器）在頻率f_i (i =1、....n)下量測呈

形式的n組RF電壓，其中V'_ime 及V_ime 與一比例因數相關。分頻器722產生n組CLKi (i =1、....n)，以在頻率f_i 下操作相應的IQ偵測器936a-936c（圖示了三個）。IQ偵測器936a-936c從輸入RF電壓

導出V_ime 及Φ _ime 。

第10圖示出在頻率f_i (i =1、....n)下IQ偵測器936的方塊圖。類比數位轉換器(analog to digital converter; ADC) 1038將類比輸入

從類比電壓偵測器902轉換為數位值

。數位值乘以來自ROM 1039的

及

。將經轉換訊號發送到低通濾波器(low pass filter; LPF) 1040。低通濾波器產生輸出

及

。將低通濾波器的輸出發送到數位訊號處理器(digital signal processor; DSP) 1041。DSP 1041可包括坐標旋轉數位電腦(coordinate rotation digital computer; CORDIC)。CORDIC演算法及其他數位訊號處理用於導出V_ime 及Φ _ime 。

第11圖根據可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的本揭示之一實施例描繪了在處理腔室中控制離子轟擊的方法1100。在操作1110期間，將具有第一頻率、第一振幅、及第一相位的第一RF訊號從RF產生器發送到嵌入處理腔室中的基板支撐件中的電極。

在操作1120期間，將具有第二頻率、第二振幅、及第二相位的第二RF訊號從RF產生器發送到電極。在可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的一個實施例中，第二RF訊號具有第一RF訊號的頻率的諧波頻率。在操作1130期間，回應於對第一振幅、第一相位、第二振幅、及第二相位的量測，相對於第一RF訊號調節第二RF訊號。在可以與上文所描述的一或多個實施例相結合的一個實施例中，如上文論述的種子RF電壓的振幅及相位基於對第一RF訊號及第二RF訊號的量測來決定。種子RF電壓的振幅及相位可用於調節第二RF訊號。在操作1140處，由於RF調製，增加基板上的離子轟擊，並且減少在腔室中設置的噴頭上的粒子產生。

儘管上述內容涉及本揭示的實施例，可在不脫離其基本範疇的情況下設計本揭示的其他及進一步實施例，並且其範疇由以下申請專利範圍決定。

100‧‧‧處理系統 101‧‧‧處理腔室 102‧‧‧n頻率RF匹配 103‧‧‧噴頭 104‧‧‧基板支撐件 105‧‧‧電極 106‧‧‧電漿 107‧‧‧電氣接地 108-1‧‧‧RF產生器 108-2‧‧‧RF產生器 108-n‧‧‧RF產生器 137‧‧‧基板 500‧‧‧處理系統 501‧‧‧處理腔室 502‧‧‧RF匹配 508‧‧‧RF產生器 509‧‧‧電壓監控器 510‧‧‧連接 512‧‧‧連接 620‧‧‧操作 621‧‧‧操作 622‧‧‧操作 710‧‧‧外部時鐘產生器 711‧‧‧功率放大器 720‧‧‧鎖相迴路(PLL)電路 722‧‧‧分頻器 724‧‧‧微控制電路(MCU) 726‧‧‧使用者介面 728a‧‧‧產生器 728b‧‧‧產生器 728c‧‧‧產生器 830‧‧‧數位類比轉換器(DAC) 936‧‧‧IQ偵測器 936a‧‧‧IQ偵測器 936b‧‧‧IQ偵測器 936c‧‧‧IQ偵測器 1038‧‧‧類比數位轉換器(DAC) 1039‧‧‧ROM 1040‧‧‧低通濾波器LPF 1041‧‧‧數位訊號處理器(DSP) 1100‧‧‧方法 1110‧‧‧操作 1120‧‧‧操作 1130‧‧‧操作 1140‧‧‧操作

為了能夠詳細理解本揭示的上述特徵所用方式，上文所簡要概述的本揭示的更具體描述可參考實施例進行，其中一些實施例在附圖中示出。然而，將注意，附圖僅示出示例性實施例，並且由此不被認為限制其範疇，因為本揭示可允許其他等同有效的實施例。

第1圖根據本揭示之一個實施例描繪了處理系統的示意圖。

第2圖根據本揭示之一個實施例示出經計算的RF電壓形式。

第3圖根據本揭示之一個實施例示出經計算的RF電壓形式。

第4A圖根據本揭示之一個實施例示出經計算的DC自給偏置電壓形式。

第4B圖根據本揭示之一個實施例示出經計算的主體電漿電位電壓形式。

第5圖根據本揭示之一個實施例描繪了處理系統的示意圖。

第6圖根據本揭示之一個實施例描繪了用於藉由獲得靶RF電壓參數來辨識RF定制電壓的演算法的流程圖。

第7圖根據本揭示之一個實施例描繪了頻率產生器的方塊圖。

第8圖根據本揭示之一個實施例描繪了振幅及相位產生器的方塊圖。

第9圖根據本揭示之一個實施例描繪了RF電壓監控器的方塊圖。

第10圖根據本揭示之一個實施例描繪了IQ偵測器的方塊圖。

第11圖根據本揭示之一個實施例描繪了控制處理腔室中的離子轟擊的方法。

為了便於理解，相同元件符號在可能的情況下已經用於標識圖中共有的相同元件。可以預期，一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例中，而無需贅述。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

103:噴頭

104:基板支撐件

105:電極

106:電漿

107:電氣接地

500:處理系統

501:處理腔室

502:RF匹配

508:RF產生器

509:電壓監控器

510:連接

512:連接

Claims

一種基板處理方法，包含以下步驟：將具有一第一頻率、一第一振幅、及一第一相位的一第一RF訊號從一RF產生器供應到嵌入在一處理腔室中設置的一基板支撐件中的一電極；將具有一第二頻率、一第二振幅、及一第二相位的一第二RF訊號從該RF產生器供應到該電極；相對於該第一RF訊號調節該第二RF訊號以產生離子，該調節回應於對該第一振幅、該第一相位、該第二振幅、及該第二相位的一量測來執行；及藉由改變該第一相位及該第二相位之間的一相位差，以將一噴頭上的粒子產生最小化。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在該基板支撐件上設置的一基板的一表面上產生一時間平均自給偏置DC電壓。
如請求項1所述之方法，其中該第一頻率及該第二頻率係諧波。
如請求項3所述之方法，其中該第一頻率及該第二頻率係相鄰的諧波頻率。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：將兩個以上的RF訊號從該RF產生器供應到該電極。
如請求項5所述之方法，其中該等兩個以上的RF訊號包含諧波頻率。
如請求項1所述之方法，其中該等離子用於蝕刻的一數量在一基板附近最大化。
如請求項1所述之方法，其中該基板支撐件的一表面的一表面積小於該噴頭的一表面積。
一種用於處理一基板的系統，包含：一處理腔室，其中定義一處理空間；一基板支撐件，設置在該處理空間中；一噴頭，在該處理空間中與該基板支撐件相對地設置；一電極，嵌入該基板支撐件中；一RF產生器，耦合到該電極以將具有一第一頻率、一第一振幅、及一第一相位的一第一RF訊號以及具有一第二頻率、一第二振幅、及一第二相位的一第二RF訊號供應到該電極；以及一控制器，連接到該RF產生器以回應於對該第一振幅、該第一相位、該第二振幅及該第二相位的一量測來相對於該第一RF訊號調節該第二RF訊號，以產生用於蝕刻該基板的離子，其中該控制器經配置以藉由改變該第一相位及該第二相位之間的一相位差來將該噴頭上的粒子產生最小化。
如請求項9所述之系統，進一步包含：在該基板支撐件上設置的該基板的一表面上產生一時間平均自給偏壓DC電壓。
如請求項9所述之系統，其中該第一頻率及該第二頻率係諧波。
如請求項11所述之系統，其中該第一頻率及該第二頻率係相鄰的諧波頻率。
如請求項9所述之系統，其中該RF產生器將兩個以上的RF訊號供應到該電極。
如請求項13所述之系統，其中該等兩個以上的RF訊號包含諧波頻率。
如請求項9所述之系統，其中在該基板支撐件上設置的該基板附近最大化用於蝕刻的該等離子的一數量。
如請求項9所述之系統，其中該基板支撐件的一表面積小於該噴頭的一表面積。
一種用於處理一基板的設備，包含：一處理腔室，具有在該處理腔室的一處理空間中設置的一基板支撐件；一噴頭，在該處理腔室的該處理空間中與該基板支撐件相對地設置；一電極，嵌入該基板支撐件中；一RF產生器，耦合到該電極以將具有一第一頻率、第一振幅、及一第一相位的一第一RF訊號以及具有一第二頻率、一第二振幅、及一第二相位的一第二RF訊號供應到該電極；以及一控制器，連接到該RF產生器，以回應於對該第一振幅、該第一相位、該第二振幅、及該第二相位的一量測來相對於該第一RF訊號調節該第二RF訊號，以產生離子，該等離子的一數量在該基板支撐件附近最大化並且在該噴頭附近最小化，其中該控制器經配置以藉由改變該第一相位及該第二相位之間的一相位差來將該噴頭上的粒子產生最小化。
如請求項17所述之設備，其中該第一頻率及該第二頻率係諧波。