CN101714568B - 制造光电转换器件的方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010022579 ATP dependent 26S protease Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
Description
本专利申请是优先权日为2006年7月10日、申请号为200710128400.0、发明名称为“光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统”的发明专利申请的分案申请，其在此全部引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种光电转换器件以及一种制造光电转换器件和具有该光电转换器件的摄像系统的方法。
背景技术
在图像输入设备例如数字照相机、摄影机和图像阅读器以及用于其中的焦点检测设备中，使用包括光电转换元件的多个像素排列于其中的光电转换器件。这里光电转换器件包括例如所谓CCD型、双极晶体管型、电场效应晶体管型以及MOS型的光电转换器件。这里光电转换器件易于增加像素。随着像素面积减小，光电转换元件的面积趋向于减小。因此，处理更小电荷的必要性已经出现并且减小噪声的必要性已经出现。
日本专利申请公开2003-258229和2005-142503包括关于MOS型光电转换器件中的噪声的公开内容。日本专利申请公开2003-258229包括关于因MOS型光电转换器件的通道停止区中少数载流子的增加而产生的噪声的公开内容。
另外，日本专利申请公开2005-142503包括关于因通道停止区中少数载流子的增加而在相邻FD区之间产生的电场引起的漏电流的公开内容。这里，日本专利申请公开2005-142503使用通道停止区和浮动扩散区(在下文称作FD区)的排列设计噪声的减小。
另外，日本专利申请公开2001-230409包括关于用于保持一般半导体器件的隔离区中耐压的MOS晶体管结构的公开内容。
但是，因像素的进一步增加而引起的像素面积的减小伴随有元件排列的更低自由度。而且，隔离区中的细度偶尔也在除了通道停止区与FD区之间的区域之外的地点引起漏电流。另外，这里漏电流流到光电转换元件和FD区中以引起信号噪声比的退化。
因此，考虑到上述问题，本发明的目的在于获得一种减小在隔离区中产生的漏电流且信号噪声比提高的光电转换器件和摄像系统。
发明内容
本发明的光电转换器件是包括下列的光电转换器件：第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起形成光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电荷转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极；将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区；以及布置在隔离区上用于将电压施加到栅电极的布线；其中，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
本发明的其他特征和优点将从下面结合附随附图进行的描述中显然，其中类似的参考字符遍及所有附图指定相同或相似的部分。
包含于说明书中并构成说明书一部分的附随附图说明本发明的实施方案，并且与描述一起，用来说明本发明的原理。
本发明的更多特征将参考附加附图从下面实例实施方案的描述中变得明白。
附图说明
图1是第一实施方案中的光电转换器件的示意剖面。
图2A是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。
图2B是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。
图2C是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。
图2D是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。
图3是光电转换器件的像素的一部分的示意平面图。
图4A举例说明光电转换器件的像素电路。
图4B举例说明图4A中说明的光电转换器件的驱动脉冲。
图5说明摄像系统的实例。
具体实施方式
本发明的光电转换器件以半导体区(晶体管的源极或漏极区)与光电转换元件相邻且隔离区位于其间的结构为特征。连接到传输晶体管的栅电极的布线布置在该隔离区上。这种结构以这里半导体区的隔离区一侧上具有低浓度的半导体区为特征。
本发明的构造可以减轻在隔离区的较低部中第一导电类型的半导体区与同光电转换元件相邻的第二导电类型的半导体区之间存在的电场，因此可以减小漏电流。因此，可以提供噪声减小且信号噪声比提高的光电转换器件。
另外，制造本发明的光电转换器件的方法以制造半导体区(晶体管的源极或漏极区)与光电转换元件相邻且隔离区位于其间的方法为特征。连接到传输晶体管的栅电极的布线布置在该隔离区上。这种结构包括形成布置以覆盖光电转换元件、布线、隔离区以及该半导体区的一部分的绝缘薄膜的过程。并且这种结构以形成减轻其具有绝缘薄膜的半导体区的隔离区一侧上的电场的结构为特征。
本发明的制造方法将能够容易地制造漏电流减小的光电转换器件。另外，形成布置在光电转换元件上的绝缘薄膜，从而能够减小制造时对光电转换元件的损坏以及能够进一步减小噪声。因此，可以提供噪声减小且信号噪声比提高的光电转换器件。
在下文，将参考附图具体地描述实施方案。(像素电路及其驱动)
首先，光电转换器件的像素电路构造的实例在图4A中说明并且其驱动在图4B中说明。图4A说明一个像素的电路构造。像素包括光电转换元件或光电二极管201，例如，传输晶体管203，复位晶体管202，放大晶体管204和选择晶体管205。这里，电源线由“Vdd”表示并且输出目的地由“206”表示。
在光电二极管201中，其阳极接地。其阴极连接到传输晶体管203的源极。另外，光电二极管201的阴极可以适合于用作传输晶体管203的源极。传输晶体管203的漏极形成FD区207。另外，传输晶体管203的栅电极(也称作传输栅电极)施加有驱动传输晶体管的电压
而且，复位晶体管202的漏极连接到电源Vdd。其源极形成FD区207。另外，复位晶体管的栅电极施加有驱动复位晶体管的电压
放大晶体管204的漏极连接到电源Vdd；源极连接到选择晶体管205的漏极；以及栅电极连接到FD区207。选择晶体管205的漏极连接到放大晶体管204的源极并且源极连接到输出线路206。并且，选择晶体管205的栅电极连接到由垂直选择电路(附图中没有示出)驱动的垂直选择线路。
具有这种电路构造的像素将例如如图4B中的脉冲图中示出地驱动。高电平的
导通复位晶体管202以向FD区207提供复位电势。同时，
达到高电平以向光电二极管201提供复位电势。然后，达到低电平使得电载流子累积在光电二极管201中。
达到高电平使得基于FD区207的复位电势的输出被输出到输出线路206。在
再次达到高电平之后，光电二极管201的电载流子转移到FD区207，使得在电荷转移到输出线路206之后输出基于FD区207的电势的信号。这里，高电平和低电平指预先确定的电压。例如，+5V和0V等。另外，对于
提供负电压例如-1V例如作为充分切断传输晶体管的电压，使得电载流子累积在光电二极管201中。
本发明将不局限于这里说明的电路构造和驱动，而是例如可适合于缺少传输晶体管的电路构造或者具有共享放大晶体管的多个光电二极管的电路构造。另外，连接部分适合于共享布线连接和杂质区。
另外，半导体衬底作为材料衬底表示为“衬底”，但是其将包括下面描述的材料衬底经历处理的情况。例如，形成一个或多个半导体区等的状态的元件，处于一系列制造过程中间的元件；或者经历一系列制造过程的元件可以称作衬底。而且，隔离区将相邻元件电隔离，换句话说，可理解成电隔离元件的活性区。
在下文，将通过呈现实施方案详细地描述本发明。(第一实施方案)
为了描述本实施方案，图3说明图4A中说明的像素的一部分的平面布置。具体地，图3说明光电二极管201、传输晶体管203、FD区207和放大晶体管204。当以相应方式描述图3和图4时，n型半导体区103适应光电二极管201，并且栅电极包括在传输晶体管203的布线109中。在下文，将采用布线109以简化描述。该栅电极109由选自n型多晶硅和经历硅化的多晶硅的材料形成。n型半导体区104对应于FD区207。另外，作为与光电二极管相邻且隔离区存在于其间的元件，为了描述本实施方案包括放大晶体管204。存在放大晶体管204的漏极105，放大晶体管204的源极204以及放大晶体管204的栅电极106。n型半导体区105作为放大晶体管204的漏极区与n型半导体区103相邻以适应光电二极管，且隔离区存在于其间。这里，该漏极105提供有来自电源Vdd的电压。另外，白色方块表示接触位置。接下来，沿着线A-B-C的示意剖面在图1中说明。存在n型半导体衬底101。存在p型半导体区102和n型半导体区103。n型半导体区103是与p型半导体区102一起形成PN结的光电转换元件的一部分。栅电极109将在光电转换元件中产生并且在n型半导体区103中累积的电荷转移到n型半导体区104。这里，n型半导体区104是FD区并且用作传输晶体管的漏极。并且放大晶体管示出为与光电转换元件相邻的元件。存在放大晶体管的漏极105、源极106和栅电极110。n型半导体区105和106的杂质浓度高于上述n型半导体区103。另外，来自电源Vdd的电压输入到n型半导体区105。隔离区107是LOCOS结构。p型半导体区108的杂质浓度高于p型半导体区102。隔离区107可以是LOCOS(硅的局部氧化)结构或STI(浅槽隔离)结构。可以使p型半导体区108用作通道停止区。n型半导体区113的杂质浓度低于n型半导体区104和105等，并且形成晶体管的LDD(轻掺杂漏)结构。并且，n型半导体区114布置在n型半导体区105和与其相邻的隔离区107之间。这里可以说，n型半导体区114布置在n型半导体区105和通道停止区108之间。这里n型半导体区114的杂质浓度低于n型半导体区105。可以说，n型半导体区105和114适应放大晶体管的漏极。侧壁111在与晶体管的栅电极的通道相对应的区域中形成LDD结构的情况下使用。氧化物薄膜112布置在n型半导体区114、隔离区107、栅电极或向栅电极提供电势的布线109以及n型半导体区103上。氧化物薄膜112可以用来形成n型半导体区114。
这里，将描述本实施方案的问题，也就是漏电流的机制。隔离区趋向于变得更细。在将传输晶体管的栅电极或其布线布置在该隔离区上的情况下，多数载流子偶尔增加以增加其在隔离区的较低部中的半导体区中的有效浓度。然后，大的电场偶尔在构成与光电转换元件相邻的元件并且位于具有增加有效浓度的半导体区与相反导电类型的半导体区之间的半导体区中产生，以产生漏电流。具体地，电子指定为看作光电转换器件的信号的电荷，并且将描述上述晶体管是n型晶体管的情况。
如在先前的描述中，光电转换器件具有在光电转换元件中累积电荷的时期。在该累积时期中，负电压偶尔施加到传输晶体管的栅电极和布线109。在下文，为了简单，栅电极和将电压施加到栅电极的布线将描述成栅电极。栅电极适合于且布置在隔离区107上的这种驱动因栅电极109的电势而产生隔离区107的较低部中的半导体区的有效浓度的变化。在本实施方案中，在P型半导体区的通道停止区108中，作为多数载流子的电子空穴的浓度增加以有效地增加杂质浓度。然后，大的电场在P型半导体区108和n型半导体区105之间产生并且易于产生漏电流。并且该漏电流在与n型半导体区105相邻的n型半导体区103等中流动以用作噪声。这里，本实施方案提供有通道停止区108。但是同样在没有提供通道停止区108的情况下，p型半导体区102的有效浓度在栅电极109布置于其中的隔离区107的较低部中增加，产生类似的问题。而且，在本实施方案中，电压从电源Vdd输入到n型半导体区105。在这种情况下，产生更大的电场以产生更大的漏电流。另外，栅电极109的材料偶尔增加P型半导体区108的有效浓度。其材料选自例如上述n型多晶硅和多晶硅的硅化物。
因此，在本实施方案中布置杂质浓度低于n型半导体区105的n型半导体区114。n型半导体区114和n型半导体区105以及形成LDD结构的n型半导体区113形成漏极。也就是，换句话说，构造晶体管的漏极或源极的n型半导体区以包括除了通道侧上的LDD结构之外存在于隔离区一侧上具有低杂质浓度的部分。该n型半导体区114将能够减轻具有有效增强浓度的p型半导体区108和n型半导体区105之间的电场并且减小漏电流。漏极或源极的一部分包含具有低杂质浓度的n型半导体区。从而，接触孔偶尔在接触形成时在具有低杂质浓度的n型半导体区上形成。然后，偶尔影响接触电阻。因此，仅在特别有效的位置，期望地形成具有低杂质浓度的n型半导体区。例如，像本实施方案中一样电源电压施加到的n型半导体区105是期望的。
另外，同时，n型半导体区113具有LDD结构，从而可以减小短通道效应，而且可以减小噪声。
这里，在其栅电极109的电势为负的情况下，漏电流更易于产生。因此，布置n型半导体区114是有效的。另外，栅电极109的材料是包括隔离区107的较低部中功函数差异的材料的情况，以及通道停止区108存在于隔离区107的较低部中的情况是类似的。
这里，在栅电极109提供有导通晶体管的电压的情况下，通道停止区108位于隔离区107的较低部中的情况也将能够降低噪声。因此，通道停止区108和n型半导体区114的布置将能够提供噪声因栅电极109的电势而减小的光电转换器件。(第二实施方案)
图2D说明第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。并且，图2A-2D说明描述制造方法的示意剖面。不像图1中的第一实施方案，图2D特征在于使用相同的过程形成n型半导体区113和114。另外，包括相同功能的构造共享相同的符号并且以相同的表达描述。
将以从图2A开始的顺序描述制造过程。首先，p型半导体区102在n型半导体衬底101中形成并且氧化物薄膜在表面上生长例如15nm-25nm。而且，氮化硅薄膜沉积例如100nm-200nm。此后，氮化硅薄膜通过对隔离区使用掩模由光刻法经历图案形成。并且，硼离子例如以自对准方式注入到其图案以形成P型半导体区的通道停止区108。此后，使用普通LOCOS方法生长隔离区107例如300nm-500nm。以及，沉积多晶硅薄膜250nm-350nm以使用光刻法形成晶体管的栅电极或布线109或110，并且过程转到图2A。这里，在形成隔离区107之后在穿透隔离区107的条件下，通道停止区108可以由离子注入形成。这里隔离区107的薄膜厚度最终将是大约220nm-270nm。
并且光刻胶掩模通过光刻法经历图案形成从而由离子注入形成构成光电二极管的n型半导体区103。而且，注入例如磷离子以形成具有低杂质浓度的n型半导体区113和114，它们形成晶体管中的LDD结构。
此后，形成作为绝缘薄膜的氧化物薄膜。使用TEOS(四乙氧基甲硅烷)气体等，使用CVD(化学汽相沉积)方法形成例如100nm-300nm的氧化物薄膜115，以获得图2B中的形状。这里氧化物薄膜115经历图案形成并且用作掩模，使得可以形成具有高杂质浓度的区域104和105。而且，保护构成光电二极管的n型半导体区103是可能的。下面将描述细节。
掩模材料(附图中没有示出)例如光刻胶等在氧化物薄膜115上形成并且经历图案形成以提供掩模。并且，氧化物薄膜115使用该掩模经历图案形成以形成图2C中晶体管的栅电极109和110的侧壁111以及氧化物薄膜112。侧壁111可以在用于形成杂质浓度高于n型半导体区113的n型半导体区104、105和106的离子注入的情况下用作掩模。另外，氧化物薄膜112延伸到形成晶体管的漏极或源极的部分以覆盖栅电极109和隔离区107。在形成n型半导体区105的情况下，氧化物薄膜112用作掩模。并且在氧化物薄膜112延伸的较低部中可以容易地形成具有杂质浓度低于n型半导体区105的n型半导体区114的结构。这里离子注入的过程在图2C中说明。离子注入的部分由箭头指示。具体地，使用氧化物薄膜112和侧壁111作为掩模，砷离子例如以自对准方式注入。在该情况下，以比上述磷离子注入的情况下更大的剂量执行砷离子注入。从而，晶体管的漏极在包括n型半导体区104、105和106以及杂质浓度低于n型半导体区104、105和106的n型半导体区113和114的结构中形成。
而且，作为此后的过程，其氧化物薄膜112被覆盖并且层间绝缘薄膜在半导体衬底上形成。接触开口(所谓接触孔)在层间绝缘薄膜中形成。导电材料在接触孔中形成。并且连接到n型半导体区105等的接触。在经历形成布线、滤色器等的过程，形成光电转换器件。
这里，该氧化物薄膜112不仅布置在n型半导体区104、栅电极109和隔离区107上，而且也布置在n型半导体区103上。从而，保护构成光电二极管的n型半导体区103免受例如干法刻蚀的损坏是可能的。另外，氮化物薄膜可以布置在氧化物薄膜112与n型半导体区103之间。该层叠可以是相反的次序，但是用作反射减小。在该情况下，可以提供厚度为40nm-60nm的氮化物薄膜以及提供厚度大约为150nm-200nm的氧化物薄膜。
另外，在隔离区107的宽度较短的情况下，层叠隔离区107的图案和栅电极109的图案的准确度将偶尔导致使得栅电极109变得更接近n型半导体区105。因此，可以使隔离区107上的氧化物薄膜112扩展到不小于0.2μm，并且如果可能的话，从隔离区107的端截面到n型半导体区105一侧大约0.3μm-0.4μm。从而，使栅电极109和n型半导体区105分离是可能的。同样在栅电极109的图案形成时位移发生的情况下，噪声的减小将变得可行。
本实施方案提供有通道停止区108，但是它可能消除。另外，通道停止区108的至少一部分可以提供有杂质浓度高于通道停止区108的p型半导体区。在该情况下，将可获得光电转换器件的电荷的驱动调用转移中噪声的减小。
另外，在本实施方案中，晶体管的LDD结构中隔离区107一侧上具有低杂质浓度的n型半导体区113和具有低杂质浓度的n型半导体区114通过相同的过程形成。从而，简化过程同时可以提高晶体管的性能，并且将可获得具有较少噪声的光电转换器件。当然，n型半导体区113和n型半导体区114可以使用另一个过程形成。
但是，使用本实施方案的制造方法，在隔离区107和n型半导体区105之间不形成n型半导体区114是可能的。例如，在形成n型半导体区114的情况下，使覆盖n型半导体区103的光刻胶掩模延伸以到达隔离区107和栅电极110之间的活性区的一部分。以及，执行形成n型半导体区114的离子注入。以及形成图2B中说明的绝缘薄膜115并且随后的过程继续。经历这种过程之后，形成结构以在隔离区107和n型半导体区105之间不形成n型半导体区114也是可能的。而且，该结构可以减轻栅电极109与n型半导体区105之间的电场。
至此，已经描述了本实施方案。与第一实施方案类似，本实施方案的光电转换器件包括布置在隔离区107上的传输晶体管的栅电极以及向栅电极提供电势的布线109。在该情况下，n型半导体区114在隔离区107与同隔离区107相邻的n型半导体区105之间形成，从而噪声的减小将变得可行。
另外，因为晶体管具有LDD结构，可以减小短通道效应，而且，可以提供噪声进一步减小的光电转换器件。另外，LDD结构中的n型半导体区113和n型半导体区114可以相同的过程形成，从而能够减少过程。另外，在形成n型半导体区113和n型半导体区114的情况下用作掩模的侧壁111，以及氧化物薄膜112可以由相同的氧化物薄膜115形成。另外，氧化物薄膜112布置到n型半导体区103上，从而可以减小制造期间因刻蚀等对n型半导体区103的损坏。因此，可以形成具有更少噪声的光电转换元件的光电转换器件。(应用于摄像系统)
图5是作为将在上述实施方案中描述的光电转换器件应用于摄像系统的实例，应用于数字静止照相机的情况下的框图。
包括快门1、摄像透镜2和光圈3的光学系统14是将光取入光电转换器件4中以形成图像的构造。快门1控制到光电转换器件4的曝光。入射光使用摄像透镜2聚焦到光电转换器件4上。在该情况下，使用光圈3控制光量。快门1等可以消除。
从光电转换器件4输出的与入射光相对应的信号在图像信号处理电路5中经历处理并且使用模拟/数字转换器(A/D转换器)6从模拟信号转换到数字信号。而且，输出的数字信号在信号处理单元7中经历算术运算以产生拍摄的图像数据。与摄影师的操作模式设置相对应，拍摄的图像数据可以累积到安装于数字静止照相机中的存储器10中，并且可以通过外部接口(I/F)单元13传送到外部设备例如计算机、打印机等。另外，拍摄的图像数据可以通过控制记录介质的接口(I/F)单元11存储在数字静止照相机中的可拆卸存储介质12中。
使用定时发生器8控制光电转换器件4、图像信号处理电路5、A/D转换器6和信号处理单元7。另外，使用控制单元和算术运算单元9控制整个系统。另外，那些系统可以通过相同的过程在与光电转换器件4相同的半导体衬底上形成。
因此，本发明的光电转换器件在摄像系统中使用，从而提供具有良好信号噪声比的噪声减小的摄像系统将变得可能。另外，因为噪声也在精细像素中减小，因此，可以使用具有更多像素的光电转换器件或小型光电转换器件，并且可以提供更高性能的摄像系统。这里，存在其他摄像系统例如摄影机和传真机等。
如上所述，根据本发明，噪声减小且SN比提高的光电转换器件将变得可获得。另外，因为噪声也在精细像素中减小，因此，可以使用具有更多像素的光电转换器件或小型光电转换器件，并且可以提供更高性能的摄像系统。
另外，在本发明的实施方案中，导电类型和制造方法将不局限于各个实施方案。例如，半导体衬底的导电类型和像素构造将不局限于上述实施方案。例如，各个半导体区可以根据其制造过程由多个半导体区制成，只要可以提供类似的功能。
虽然已经参考实例实施方案描述了本发明，但是应当理解，本发明并不局限于公开的实例实施方案。下面权利要求的范围将与最广泛的解释一致，以便包括所有这种修改以及等价的结构和功能。
Claims (11)
1.一种制造光电转换器件的方法，该光电转换器件包括：
第一导电类型的第一半导体区；
第二导电类型的第二半导体区，用于与第一半导体区的一部分一起形成光电转换元件；
传输栅电极，将在光电转换元件中产生的电荷转移到第二导电类型的第三半导体区；
元件隔离区，用于将光电转换元件与同光电转换元件相邻的晶体管电隔离；
第二导电类型的第四半导体区，被布置成将元件隔离区夹在第四半导体区和第二半导体区之间，以使得第四半导体区形成同光电转换元件相邻的晶体管的源极或漏极；以及
布置在元件隔离区上用于将电压施加到传输栅电极的布线，
其中，所述方法包括：
第一步骤，形成所述传输栅电极、所述布线以及同光电转换元件相邻的晶体管的栅电极；
第二步骤，在第一半导体区中形成第二半导体区和第三半导体区；
第三步骤，形成绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖第二半导体区、所述布线、整个的元件隔离区、通过元件隔离区与光电转换元件相邻的活性区的一部分；以及
第四步骤，通过以所述绝缘薄膜作为掩模将第二导电类型的杂质离子注入到所述活性区的一部分，以形成第四半导体区，以使得第四半导体区域与元件隔离区域分离开。
2.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，还包括：
第五步骤，形成覆盖所述绝缘薄膜的层间绝缘薄膜，以及在层间绝缘薄膜中形成与第四半导体区对应的用于接触的开口。
3.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第二步骤期间，至少在所述活性区的一部分上形成第二导电类型的第五半导体区；以及
在第四步骤期间，将栅电极的侧壁用作掩模来执行离子注入以形成第四半导体区，从而使得第四半导体区的杂质浓度高于第五半导体区的杂质浓度。
4.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第三步骤期间，所述绝缘薄膜在同光电转换元件相邻的晶体管的栅电极处形成侧壁。
5.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第二步骤期间，由多晶硅形成所述传输栅电极、所述布线和同光电转换元件相邻的晶体管的栅电极。
6.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第三步骤期间，所述绝缘薄膜是氧化物薄膜。
7.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第四步骤期间，所述第二导电类型的杂质包括砷。
8.根据权利要求3所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第四步骤期间，所述第二导电类型的杂质是砷。
9.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：
还将所述绝缘薄膜布置在光电转换元件上。
10.根据权利要求3所述的制造光电转换器件的方法，其中：
还将所述绝缘薄膜布置在光电转换元件上。
11.根据权利要求6所述的制造光电转换器件的方法，其中：
在第三步骤之前形成氮化物薄膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006189244A JP5116264B2 (ja) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法および光電変換装置を用いた撮像システム |
| JP2006-189244 | 2006-07-10 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710128400A Division CN100580942C (zh) | 2006-07-10 | 2007-07-10 | 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101714568A CN101714568A (zh) | 2010-05-26 |
| CN101714568B true CN101714568B (zh) | 2012-01-04 |
Family
ID=38544188
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009102526453A Expired - Fee Related CN101714568B (zh) | 2006-07-10 | 2007-07-10 | 制造光电转换器件的方法 |
| CN200710128400A Expired - Fee Related CN100580942C (zh) | 2006-07-10 | 2007-07-10 | 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200710128400A Expired - Fee Related CN100580942C (zh) | 2006-07-10 | 2007-07-10 | 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7459760B2 (zh) |
| EP (2) | EP2445009A3 (zh) |
| JP (1) | JP5116264B2 (zh) |
| CN (2) | CN101714568B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5180537B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びマルチチップイメージセンサ |
| JP2010206172A (ja) | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 撮像装置およびカメラ |
| JP2010206174A (ja) | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置およびその製造方法ならびにカメラ |
| JP2010206173A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置およびカメラ |
| JP2010212319A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法 |
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| JP5568969B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001230409A (ja) | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Victor Co Of Japan Ltd | Ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| JP2002190586A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4282049B2 (ja) | 2002-02-28 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、光電変換装置及びカメラ |
| JP4117540B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の制御方法 |
| JP3794637B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2006-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4297416B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2009-07-15 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、その駆動方法およびカメラ |
| JP4514188B2 (ja) | 2003-11-10 | 2010-07-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
| US7214575B2 (en) * | 2004-01-06 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors |
| JP3729826B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP4230406B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-02-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2006032681A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Sony Corp | 半導体装置および物理情報取得装置並びに半導体装置の駆動方法 |
| JP4756839B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
| JP4604621B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR100630704B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-07-10 JP JP2006189244A patent/JP5116264B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-25 US US11/767,779 patent/US7459760B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-04 EP EP11195883.1A patent/EP2445009A3/en not_active Withdrawn
- 2007-07-04 EP EP07111743A patent/EP1879231A3/en not_active Withdrawn
- 2007-07-10 CN CN2009102526453A patent/CN101714568B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-10 CN CN200710128400A patent/CN100580942C/zh not_active Expired - Fee Related
-
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- 2008-10-28 US US12/259,347 patent/US7749790B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP特开2003-258229A 2003.09.12 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1879231A3 (en) | 2011-03-16 |
| CN101106149A (zh) | 2008-01-16 |
| CN100580942C (zh) | 2010-01-13 |
| JP5116264B2 (ja) | 2013-01-09 |
| EP1879231A2 (en) | 2008-01-16 |
| US20090053849A1 (en) | 2009-02-26 |
| EP2445009A3 (en) | 2013-11-13 |
| CN101714568A (zh) | 2010-05-26 |
| US20080006892A1 (en) | 2008-01-10 |
| US7459760B2 (en) | 2008-12-02 |
| US7749790B2 (en) | 2010-07-06 |
| EP2445009A2 (en) | 2012-04-25 |
| JP2008016771A (ja) | 2008-01-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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