KR20100079384A - 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 - Google Patents
이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100079384A KR20100079384A KR1020080137852A KR20080137852A KR20100079384A KR 20100079384 A KR20100079384 A KR 20100079384A KR 1020080137852 A KR1020080137852 A KR 1020080137852A KR 20080137852 A KR20080137852 A KR 20080137852A KR 20100079384 A KR20100079384 A KR 20100079384A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- floating diffusion
- diffusion region
- semiconductor substrate
- gate
- image sensor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 반도체 기판 상에 형성된 게이트; 상기 게이트 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 형성된 포토다이오드; 상기 게이트 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 형성된 제1 플로팅 확산영역; 상기 제1 플로팅 확산영역과 연결되도록 상기 반도체 기판에 형성된 제2 플로팅 확산영역을 포함한다.
이미지센서, 단위화소
Description
실시예는 이미지센서의 단위픽셀에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상((optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시키는 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
이러한 씨모스 이미지센서의 단위픽셀은 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드(Photodiode)의 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
도 1은 일반적은 4T형 단위픽셀의 레이아웃을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하여, 이미지 센서의 단위픽셀(Unit Pixel)은 하나의 포토다이오 드(Photodiode:PD)와 네 개의 NMOS로 구성된다. 구체적으로, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(PD)와, 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Transfer transistor:Transfer Tr), 원하는 값으로 플로팅 확산영역의 전위를 세팅하고 전하(Cpd)를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋(Reset)시키기 위한 리셋 트랜지스터(Reset transistor:ResetTr), 소오스 팔로워-버퍼증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Drive transistor:Drive Tr), 스위칭역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Select transistor:Select Tr)로 구성된다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 2를 참조하여, P형의 반도체 기판(1)에 소자분리를 위한 STI 구조의 필드산화막(2)이 형성되고, 상기 반도체 기판(1) 상에 게이트 절연막 및 게이트 전도막이 적층된 게이트(4)가 적층되고, 상기 게이트(4)의 일측에 정렬되어 상기 반도체 기판(1)에 포토다이오드(5)가 형성되고, 상기 게이트(4)의 타측에 정렬되어 상기 반도체 기판(1)에 플로팅 확산영역(6)이 형성된다.
상기 이미지센서의 동작은 상기 포토다이오드(5)로 광이 입사되어 광전하가 발생되면, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트(4)가 턴온된다. 그러면 채널(3)에 의해 조절되는 문턱전압이 낮아져 상기 포토다이오드(5)에서 생성된 광전하는 채널을 통해 플로팅 확산영역(6)으로 전달될 수 있다. 그리고 이 광전하는 리셋 트랜지스터(Rx)의 턴온에 의해 생성된 리셋신호와 함께 드라이브 트랜지스터(Dx)의 전압 버퍼를 거쳐 출력신호로 나가게 되며 뒤이어 CDS 회로에서 두 신호의 차이신호가 양자화(Quantization)되어 신호처리가 이루어지게된다.
이러한 이미지센서의 단위픽셀에서 상기 플로팅 확산영역(6)은 한정되어 있기 때문에 조도가 높아지면 신호가 더이상 증가하지 영역이 발생하게 된다. 즉, 입사광이 증가되어 상기 포토다이오드(5)에서 신호전자가 많이 발생하여 포화상태가 되면 수광부의 용량을 초과하게 된다. 이와 같이 포토다이오드(5)의 수광용량을 초과한 전자는 전원을 통해 빠져 나가게 되고, 그 후 발생하는 전자는 신호전압에 기여할 수 없게 되는 문제가 있다.
실시예에서는 단위픽셀의 제1 플로팅 확산영역의 일측에 제1 플로팅 확산영역을 형성함으로써 제1 플로팅 확산영역의 포화를 방지하고 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 반도체 기판 상에 형성된 게이트; 상기 게이트 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 형성된 포토다이오드; 상기 게이트 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 형성된 제1 플로팅 확산영역; 상기 제1 플로팅 확산영역과 연결되도록 상기 반도체 기판에 형성된 제2 플로팅 확산영역을 포함한다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 제조방법은, 반도체 기판 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 게이트 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 제1 플로팅 확산영역을 형성하는 단계; 및 상기 제1 플로팅 확산영역과 연결되도록 상기 반도체 기판에 제2 플로팅 확산영역 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 플로팅 확산영역과 연결되도록 보조 플로팅 확산영역을 형성함으로써 고조도에서 포화되지 않고 빛에 따라 증가하는 출력신호를 내주어 넓은 동작범위를 가질 수 있다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(On/Over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도 3은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀을 나타내는 레이아웃이다.
도 3을 참조하여, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(PD)(50)와, 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 제1 및 제2 플로팅확산영역(71,72)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Transfer transistor:Transfer Tr), 원하는 값으로 제1 및 제2 플로팅 확산영역(71,72)의 전위를 세팅하고 전하(Cpd)를 배출하여 제1 및 제2 플로팅 확산영역(71,72)을 리셋(Reset)시키기 위한 리셋 트랜지스터(Reset transistor:ResetTr), 소오스 팔로워-버퍼증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Drive transistor:Drive Tr), 스위칭역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Select transistor:Select Tr)로 구성된다.
실시예는 포토다이오드의 광전하를 전달받는 제1 플로팅 확산영역(71)에서 연장된 제2 플로팅 확산영역(72)이 형성되어 플로팅 확산영역의 전체면적을 증가시킬 수 있다.
도 7은 도 3의 B-B'선 단면도이다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 반도체 기판(10) 상에 형성된 게이트(40)와, 상기 게이트(40) 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판(10)에 형성된 포토다이오드(50)와, 상기 게이트(40) 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판(10)에 형성된 제1 플로팅 확산영역(71)과, 상기 제1 플로팅 확산영역(71)과 연결되도록 상기 반도체 기판(10)에 형성된 제2 플로팅 확산영역(72)을 포함한다.
상기 제1 플로팅 확산영역(71)과 제2 플로팅 확산영역(72) 사이에는 커넥션부(60)가 형성되어 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 플로팅 확산영역(71), 제2 플로팅 확산영역(72) 및 커넥션부(60)는 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 플로팅 확산영역(71), 제2 플로팅 확산영역(72) 및 커넥션부(60)는 n형 불순물로 형성될 수 있다.
상기 제1 플로팅 확산영역(71)의 너비(D1)는 상기 제2 플로팅 확산영역(72)의 너비(D2)보다 넓게 형성될 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 플로팅 확산영역(71) 및 제2 플로팅 확산영역(72)의 전위레벨을 개략적으로 나타내는 것이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 플로팅 확산영역(71)과 제2 플로팅 확산영역(72)은 커넥션부(60)통해 연결되어 전체 면적이 증가된 것을 알 수 있다.
따라서, 단위픽셀의 전체 플로팅 확산영역의 포화레벨을 높여줄 수 있어 빛의 양이 증가되어도 동작이 가능하며 결과적으로 동작범위를 향상시킬 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
도 5를 참조하여, 반도체 기판(10) 상에 게이트(40)가 형성된다.
상기 반도체 기판(10)은 단결정 또는 다결정의 실리콘 기판이며, p형 불순물 또는 n형 불순물이 도핑된 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 기판(10)은 p형(p+) 기판이고 상기 반도체 기판(10) 상에 에피택셜(epitaxial) 공정을 실시하여 저농도의 p형 에피층(p-epi)이 형성될 수 있다.
상기 반도체 기판(10)에 액티브 영역을 정의하기 위한 소자분리막(20)이 형성된다. 상기 소자분리막(20)은 STI 공정에 의하여 형성될 수 있다.
그리고, 상기 반도체 기판(10)의 표면에 게이트의 문턱전압을 조절하고 전하를 동시키기 위하여 채널영역(30)이 형성된다. 상기 채널영역(30)은 상기 액티브 영역에 해당하는 상기 반도체 기판(10)의 표면에 p형 불순물을 이온주입하여 형성될 수 있다.
상기 게이트(40)는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 일 수 있다. 상기 게이트(40)는 상기 반도체 기판(10) 상에 게이트 산화막 및 게이트 전도막을 증착한 다음 패터닝하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전도막은 폴리실리콘, 금속 및 실리사이드가 단층 또는 복층의 구조로 형성될 수 있다.
상기 게이트(40)의 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판(10)에 포토다이오드(50)가 형성된다. 예를 들어, 상기 포토다이오드(50)는 상기 게이트(40)의 일측에 해당하는 상기 반도체 기판(10)을 노출시키는 마스크 패턴(미도시)을 형성한 후 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 제1 불순물을 이온주입하여 제1 도핑영역(n-)을 형성한다. 그리고, 상기 제1 도핑영역(n-)과 접하도록 상기 반도체 기판(10)의 얕은 영역에 제2 불순물을 이온주입하여 제2 도핑영역(p-)을 형성한다. 따라서, 상기 포토다이오드(50)는 pnp 접합을 가질 수 있다.
다음으로, 상기 게이트(40) 타측에 해당하는 반도체 기판(10)의 얕은 영역에 커넥션부(60)가 형성된다. 상기 커넥션부(60)는 저농도의 n형 불순물(n-)로 형성될 수 있다. 상기 커넥션부(60)는 상기 게이트(40) 타측에 해당하는 상기 반도체 기판(10)을 선택적으로 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴(100)을 이온주입 마스크로 사용하는 이온주입 공정에 의하여 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 커넥션부(60)는 로직영역의 LDD영역을 형성할 때 동시에 형성될 수도 있다.
이후, 상기 제1 포토레지스트 패턴(100)은 애싱공정에 의하여 제거될 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 반도체 기판(10) 상에 제2 포토레지스트 패턴(200)이 형성된다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(200)은 상기 포토다이오드(50) 및 상기 커넥션부(60)의 중앙영역만을 선택적으로 가리고 나머지 영역을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 포토레지스트 패턴(200)의 제1 개구부(210)는 상기 게이트(40)와 인접하는 상기 커넥션부(60)의 일부영역을 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 포토레지스트 패턴(200)의 제2 개구부(220)는 상기 소자분리막(20)에 인접한 상기 커넥션부(60)의 일부영역을 노출시킬 수 있다. 상기 제1 개구부(210)는 제2 개구부(220) 보다 넓은 너비를 가질 수 있다.
다음으로 상기 게이트(40)의 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 제1 플로팅 확산영역(71)이 형성된다. 그리고, 상기 게이트(40) 타측영 역의 소자분리막(20)에 정렬되도록 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 제2 플로팅 확산영역(72)이 형성된다.
상기 제1 및 제2 플로팅 확산영역(71,72)은 상기 커넥션부(60)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 플로팅 확산영역(71,72)은 고농도의 n형 불순물(n+)로 형성될 수 있다.
상기 제1 플로팅 확산영역(71) 및 제2 플로팅 확산영역(72)은 상기 제2 포토레지스트 패턴(100)을 이온주입 마스크로 사용하는 이온주입 공정에 의하여 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 형성되어 상기 커넥션부(60)와 접하도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 포토레지스트 패턴(100)의 제1 개구부(210)를 통하여 제1 플로팅 확산영역(71)이 형성되고 상기 제2 개구부(220)를 통하여 제2 플로팅 확산영역(72)이 형성된다.
상기 제1 플로팅 확산영역(71)은 제1 너비(D1)로 형성되고 상기 제2 플로팅 확산영역(72)은 제1 너비(D1)보다 좁은 제2 너비(D2)로 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 제1 플로팅 확산영역(71)과 제2 플로팅 확산영역(72)은 동일한 너비로 형성될 수도 있다.
실시예는 게이트(40)와 인접하는 제1 플로팅 확산영역(71)과 커넥션부(60)에 의해 연결되도록 제2 플로팅 확산영역(72)을 형성함으로써 단위픽셀의 플로팅 확산영역의 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 저조도와 고조도에서의 단위픽셀의 반응을 모두 개선할 수 있다.
즉, 저조도인 경우 상기 포토다이오드(50)에서 전달된 광전하를 상기 제1 플 로팅 확산영역(71)만을 사용함으로써 신호를 출력할 수 있다. 또한, 고조도인 경우 상기 포토다이오드(50) 수광량이 증가하여 광전하가 발생량이 증가하면 상기 제1 플로팅 확산영역(71) 및 제2 플로팅 확산영역(72)을 사용함으로써 플로팅 확산영역의 포화레벨을 높여주게 되어 더 큰 빛에서도 동작이 가능하여 이미지센서의 동작범위를 향상시킬 수 있다. 이에 따라 조도가 높아질 수록 감도가 줄어들어서 더 높은 빛까지도 포화되지 않고 빛에 따라 증가하는 출력신호를 내주어 넓은 동작 범위를 가지는 이미지 센서를 제조할 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는, 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 일반적인 이미지센서의 단위픽셀을 나타내는 레이아웃 도면이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀을 나타내는 레이아웃 도면이다.
도 4는 도 3의 플로팅 확산영역의 전위 분포를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 이미지센서의 제조공정을 나타내는 도면이다.
Claims (10)
- 반도체 기판 상에 형성된 게이트;상기 게이트 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 형성된 포토다이오드;상기 게이트 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 형성된 제1 플로팅 확산영역; 및상기 제1 플로팅 확산영역과 연결되도록 상기 반도체 기판에 형성된 제2 플로팅 확산영역을 포함하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 제1항에 있어서,상기 제1 플로팅 확산영역과 제2 플로팅 확산영역 사이에는 커넥션부가 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 제2항에 있어서,상기 제1 플로팅 확산영역, 제2 플로팅 확산영역 및 커넥션부는 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 제1항에 있어서,상기 제1 플로팅 확산영역의 너비는 상기 제2 플로팅 확산영역의 너비보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 반도체 기판 상에 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트 일측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 게이트 타측에 정렬되도록 상기 반도체 기판에 제1 플로팅 확산영역을 형성하는 단계; 및상기 제1 플로팅 확산영역과 연결되도록 상기 반도체 기판에 제2 플로팅 확산영역 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1 플로팅 확산영역과 제2 플로팅 확산영역이 연결되도록 그 사이에 커넥션부가 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1 플로팅 확산영역 및 제2 플로팅 확산영역은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 제1 및 제2 플로팅 확산영역을 형성하는 단계는,상기 게이트의 타측에 해당하는 상기 반도체 기판에만 선택적으로 이온주입 공정을 진행하여 제1 깊이를 커넥션부를 형성하는 단계; 및상기 커넥션부 보다 깊은 제2 깊이를 가지도록 상기 커넥션부의 중앙을 기준으로 양측에 해당하는 상기 반도체 기판에 제1 플로팅 확산부 및 제2 플로팅 확산부를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 커넥션부는 저농도의 제1 불순물로 형성되고 상기 제1 및 제2 플로팅 확산부는 고농도의 제1 불순물로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1 플로팅 확산부의 너비는 제2 플로팅 확산부의 너비보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080137852A KR20100079384A (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080137852A KR20100079384A (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100079384A true KR20100079384A (ko) | 2010-07-08 |
Family
ID=42640487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080137852A KR20100079384A (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20100079384A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170018206A (ko) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 |
-
2008
- 2008-12-31 KR KR1020080137852A patent/KR20100079384A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170018206A (ko) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 |
| US10128288B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and image processing devices including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100278285B1 (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100819711B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US7772624B2 (en) | Image sensors and methods of fabricating same | |
| KR100746222B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법들 | |
| KR100760913B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR100959435B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100672701B1 (ko) | 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR20070071040A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR100606910B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR20050018512A (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100660345B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| KR20110000853A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| US7994551B2 (en) | Image sensor and method of fabricating the same | |
| KR100760914B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100672668B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR20100079384A (ko) | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 | |
| US20080048221A1 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
| KR20040065332A (ko) | 이온주입영역을 소자분리막으로 사용한 시모스 이미지센서및 그 제조방법 | |
| KR20080062063A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20070033694A (ko) | 시모스 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100672700B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR20100076413A (ko) | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 | |
| KR100936103B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20100076429A (ko) | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 | |
| KR20100076422A (ko) | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |