KR20100076413A - 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 원형의 필드 영역에 의하여 반도체 기판에 형성된 원형의 액티브 영역; 상기 액티브 영역에 트랜지스터 예정영역이 정의되도록 상기 필드 영역의 일측에서 상기 액티브 영역의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비로 이격된 제1 소자분리막 및 제2 소자분리막; 상기 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액티브 영역의 중앙에 링 형태로 형성된 트랜스퍼 트랜지스터; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 형성된 포토다이오드; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 형성된 플로팅 확산영역을 포함한다.
이미지센서, 단위픽셀, 포토다이오드
Description
실시예는 이미지센서의 단위픽셀에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상((optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시키는 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
이러한 씨모스 이미지센서의 단위픽셀은 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드(Photodiode)의 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
도 1은 일반적은 4T형 단위픽셀의 회로도이고, 도 2는 도 1에 도시된 단위픽셀을 레이아웃을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하여, 이미지 센서의 단위픽셀(Unit Pixel)은 하나의 포토다이오드(Photodiode:PD)와 네 개의 NMOS로 구성된다. 구체적으로, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(PD)와, 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Transfer transistor:Transfer Tr), 원하는 값으로 플로팅 확산영역의 전위를 세팅하고 전하(Cpd)를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋(Reset)시키기 위한 리셋 트랜지스터(Reset transistor:ResetTr), 소오스 팔로워-버퍼증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Drive transistor:Drive Tr), 스위칭역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Select transistor:Select Tr)로 구성된다. 단위픽셀 밖에는 출력신호(Output Signal)을 읽을 수 잇도록 로드(Load) 트랜지스터가 형성되어 있다.
도 2를 참조하여, 필드영역(B)에 의하여 정의된 액티브 영역(A)에 포토다이오드(PD), 플로팅 확산영역(FD) 및 트랜지스터(Tx,Rx,Dx,Sx)들이 형성되어 있다. 상기 포토다이오드(PD)는 정방형을 이루고 있고, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트가 포토다이오드(PD)의 일측면에 접하여 구성되어 있다.
즉, 4T 픽셀 구조에서 단위픽셀의 내부 영역을 최대한 활용하기 위하여 사각모양의 포토다이오드(PD)에 시그널 프로세싱(Signal Processing)을 위한 4개의 트랜지스터(Tx,Rx,Dx,Sx)가 놓일 수 있도록 액티브 라인(A)이 길게 연결되는 형태로 형성될 수 있다.
하지만 상기와 같은 사각형의 포토다이오드(PD)는 그 면적을 최대한 활용할 수 있다는 장점이 있긴 하나, 포토다이오드(PD) 내에 공핍(depletion) 영역을 만들어 주기 위해 바이어스(bias)가 인가될 때 바이어스 소스(bias source) 역할을 하는 부분이 일측 모서리 쪽에 너무 치우쳐 있어 반대 방향 모서리 영역(C1,C2)에는 바이어스(bias)가 미치지 못하여 공핍영역이 제대로 형성되지 않게 된다. 이러한 모서리 영역(C1,C2)에서는 빛이 입사되어 전자-홀 페어(electron-hole pair)가 생성되더라도 다시 재결합(recombination)되어 사라지게 되므로 시그널(singal)로써 역할을 하지 못하는 문제가 잇다.
따라서, 단위픽셀 내에 포토다이오드(PD)의 구조는 시그널(signal)로 연결될 수 있도록 전자-홀 페어(electron-hole pair)가 생성되는 공핍영역이 최대한 확장시켜주는 것이 요구된다.
실시예에서는 포토다이오드를 원형으로 형성하고 리셋(reset) 시 포토다이오드로 바이어스를 인가하는 플로팅 확산영역을 상기 포토다이오드의 중앙에 형성함으로써 포토다이오드 전체로 바이어스가 균일하게 인가될 수 있는 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 원형의 필드 영역에 의하여 반도체 기판에 형성된 원형의 액티브 영역; 상기 액티브 영역에 트랜지스터 예정영역이 정의되도록 상기 필드 영역의 일측에서 상기 액티브 영역의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비로 이격된 제1 소자분리막 및 제2 소자분리막; 상기 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액티브 영역의 중앙에 링 형태로 형성된 트랜스퍼 트랜지스터; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 형성된 포토다이오드; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 형성된 플로팅 확산영역을 포함한다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 형성방법은, 원형의 필드 영역에 의하여 반도체 기판에 원형의 액티브 영역을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역에 트랜지스터 예정영역이 정의되도록 상기 필드 영역의 일측에서 상기 액티브 영역의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비로 이격된 제1 소자분리막 및 제2 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액 티브 영역의 중앙에 링 형태의 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 포토다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 플로팅 확산영역을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, 단위픽셀의 포토다이오드 구조를 원형으로 형성하고 플로팅 확산영역이 상기 포토다이오드 내부에 배치됨으로써 포토다이오드 전체 영역으로 균일하게 바이어스(bias)가 인가되도록 할 수 있다. 따라서 상기 포토다이오드의 전자-홀 페어(electron-hole pair)가 생성되어 시그널로 활용될 수 있는 공핍(depletion) 영역을 최대화하여 포토다이오드의 정전용량(capacity)를 증대시킬 수 있다.
또한, 상기 포토다이오드가 단위픽셀의 트랜지스터들을 둘러싼 형태로 형성되어 포토다이오드의 면적 증가에 의하여 필팩터를 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(On/Over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도 3은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀을 나타내는 평면도이다.
도3을 참조하여, 실시예에 따른 이미지 센서의 단위픽셀은 원형의 필드 영역(20)에 의하여 반도체 기판(10)에 형성된 원형의 액티브 영역(30)과, 상기 액티브 영역(30)에 트랜지스터 예정영역이 정의되도록 상기 필드 영역(20)의 일측에서 상기 액티브 영역(30)의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비(H)로 이격된 제1 소자분리막(21) 및 제2 소자분리막(22)과, 상기 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액티브 영역(30)의 중앙에 링 형태로 형성된 트랜스퍼 트랜지스터(50)와, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역(30)에 형성된 포토다이오드(90)와, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역(30)에 형성된 플로팅 확산영역(110)을 포함한다.
즉, 상기 포토다이오드(90)가 원형으로 형성되고 상기 플로팅 확산영역(110)은 그 중앙에 배치됨으로써 상기 포토다이오드(90) 전체 영역에 대하여 원활한 바이어스의 인가가 가능해질 수 있다. 따라서, 상기 포토다이오드(90) 전체영역에 대하여 바이어스(bias)가 인가될 수 있으므로 전자-홀 페어(electron-hole pair)가 생성되는 공핍영역(Depletion area)이 최대한 확장될 수 있다.
상기 제1 소자분리막(21)과 제2 소자분리막(22) 사이의 상기 액티브 영역(30) 상에 리셋 트랜지스터(60), 드라이브 트랜지스터(70) 및 셀렉트 트랜지스터(80)가 형성되어 있다. 또한, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50), 리셋 트랜지스터(60), 드라이브 트랜지스터(70) 및 셀렉트 트랜지스터(80)는 상기 포토다이오드(90)에 의해 둘러싸이도록 형성되어 있다.
즉, 상기 단위픽셀에 해당하는 액티브 영역(30)에 형성된 트랜지스 터(50,60,70,80)들을 둘러싸도록 상기 포토다이오드(90)가 형성되어 상기 포토다이오드(90)의 수광면적이 극대화될 수 있다. 이에 따라 상기 포토다이오드의 필팩터를 향상시킬 수 있다.
상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)는 상기 포토다이오드(90)에 의해 둘러싸이도록 형성되어 있다. 또한, 상기 플로팅 확산영역(110)은 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)에 의해 둘러싸이도록 형성되어 있다.
상기와 같이 포토다이오드(90)의 구조를 원형으로 형성하고 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50) 및 플로팅 확산영역(110)이 포토다이오드(90)의 중앙에 원형으로 형성됨으로써 포토다이오드(90) 전영역에 바이어스(bias)의 인가가 원활해지게 된다. 이에 따라, 전자-홀 페어(electorn-hole pair)가 생성되어 시그널(signal)로 활용될 수 있는 공핍영역을 최대화하여 포토다이오드(90)의 정전용량(Capacity)를 최대한 증가시킬 수 있다.
도 4는 도 3의 D-D'선 단면도이다.
상기 반도체 기판(10)은 필드 영역(20)에 의하여 액티브 영역(30)이 정의된다. 그리고 상기 액티브 영역(30)에 빛을 받아 광전하를 생성하는 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(90)와, 상기 포토다이오드(90)에서 모아진 광전하를 플로팅 확산영역(110)으로 전송하는 트랜스퍼 트랜지스터(50)와, 상기 플로팅 확산영역(110)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(60)와, 소오스 팔로워-버퍼증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(70) 및 스위칭역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(80)가 형성되어 있다. 또한, 상기 각 트랜지스터에 대한 소스/드레인 영역(110,120,130,140)을 포함하는 이온주입영역(100)이 형성되어 있다.
도 3 및 도 4의 도면부호 중 미설명 도면부호는 이하 제조방법에서 설명하기로 한다.
도 5 내지 도 7을 참조하여 실시예에 따른 이미지센서의 단위화소 제조방법을 설명한다.
도 5를 참조하여, 반도체 기판(10) 상에 단위픽셀에 해당하는 액티브 영역(30)을 정의하기 위한 필드 영역(20)이 형성된다. 상기 필드 영역(20)은 STI 공정에 의하여 형성되어 상기 액티브 영역(30)을 원형으로 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 기판(10)은 P형의 단결정 또는 다결정의 실리콘 기판일 수 있다.
상기 액티브 영역(30)의 일측에 상기 액티브 영역(30)의 중앙영역을 향해 일정길이 연장되도록 핑거 타입(finger type)의 제1 및 제2 소자분리막(21,22)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22)은 상기 필드 영역(20)의 일측에서 상기 액티브 영역(30)의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비(H)로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22) 사이에 해당하는 상기 액티브 영역(30)의 제1 너비(H)는 트랜지스터 예정영역일 수 있다.
한편, 설명의 편의를 위하여 상기 필드 영역(20) 및 제1, 제2 소자분리막(22)을 별도로 형성하였지만, 상기 필드 영역(20)을 형성할 때 상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22)이 동시에 형성될 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22) 사이의 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액티브 영역(30)의 중앙에 링 형태의 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트가 형성된다. 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트가 링형태로 형성되므로 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트 바깥쪽 및 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역(30)은 노출될 수 있다.
한편, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)가 형성되기 전에 상기 액티브 영역(30)에 채널 및 웰 형성을 위한 이온주입 공정이 진행될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트는 상기 반도체 기판(10) 전면에 게이트 절연막 및 도전층을 증착한다. 그리고 상기 도전층 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트를 형성한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 링 형태로 패터닝 되어 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50) 게이트도 링 형태로 형성될 수 있다.
상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트는 상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22)에 의하여 그 끝단이 분리될 수 있다.
한편, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트가 형성될 때 상기 트랜지스터 예정영역에 리셋 트랜지스터(60), 드라이브 트랜지스터(70) 및 셀렉트 트랜지스터(80)의 게이트가 형성될 수 있다. 즉, 상기 리셋 트랜지스터(60), 드라이브 트랜지스터(70) 및 셀렉트 트랜지스터(80)의 게이트는 상기 제1 소자분리막(21)과 제2 소자분리막(22) 사이에 해당하는 상기 액티브 영역(30) 상에 형성될 수 있다. 특 히, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 게이트와 상기 리셋 트랜지스터(60)의 게이트는 상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22)에 의하여 이격될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역(30)에 포토다이오드(90)가 형성된다.
상기 포토다이오드(90)는 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50) 및 트랜지스터 예정영역을 선택적으로 가리는 제1 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후 상기 제1 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 N형 불순물을 이온주입한 후, 상기 N형 불순물과 접하도록 상기 반도체 기판(10)의 얕은 영역에 P+형 불순물을 이온주입하여 형성될 수 있다.
따라서, 상기 포토다이오드(90)는 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50), 리셋 트랜지스터(60), 드라이브 트랜지스터(70) 및 셀렉트 트랜지스터(80)를 둘러싼 형태로 형성될 수 있다.
다음으로 링 형태의 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역(30)에 플로팅 확산영역(110)이 형성된다.
상기 플로팅 확산영역(110)은 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)의 내측에 해당하는 상기 액티브 영역(30)만을 선택적으로 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한 후 상기 제2 포토레지스트 패턴을 이온주입마스크로 사용하여 상기 반도체 기판(10)에 고농도의 N형 불순물을 이온주입하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 플로팅 확산영역(110)이 형성될 때 상기 리셋 트랜지스터(60), 드라이브 트랜지스터(70) 및 셀렉트 트랜지스터(80)에 대한 소스/드레 인(120,130,140)을 포함하는 이온주입영역(100)이 함께 형성될 수 있다.
따라서, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(50)가 상기 플로팅 확산영역(110)을 둘러싼 형태로 형성될 수 있다.
상기와 같이 트랜스퍼 트랜지스터(50)가 링 형태로 형성되고 그 안쪽에 플로팅 확산영역(110)이 형성되고 그 바깥쪽에 포토다이오드(90)가 형성됨으로써 바이어스(bias) 전압을 상기 포토다이오드(90) 전체로 균일하게 인가될 수 있게 된다.
또한, 상기 포토다이오드(90)가 상기 트랜지스터들(50,60,70,80)을 둘러싼 형태로 형성되어 단위픽셀의 포토다이오드(90) 면적이 확장되어 필팩터를 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는, 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 일반적인 이미지 센서의 단위픽셀를 나타내는 회로도이다.
도 2는 도 1의 이미지센서의 단위픽셀을 나타내는 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 D-D'선 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀의 제조공정을 나타내는 평면도들이다.
Claims (10)
- 원형의 필드 영역에 의하여 반도체 기판에 형성된 원형의 액티브 영역;상기 액티브 영역에 트랜지스터 예정영역이 정의되도록 상기 필드 영역의 일측에서 상기 액티브 영역의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비로 이격된 제1 소자분리막 및 제2 소자분리막;상기 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액티브 영역의 중앙에 링 형태로 형성된 트랜스퍼 트랜지스터;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 형성된 포토다이오드; 및상기 트랜스퍼 트랜지스터의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 형성된 플로팅 확산영역을 포함하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 제1항에 있어서,상기 제1 소자분리막과 제2 소자분리막 사이의 상기 액티브 영역 상에 형성된 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서의 단위픽셀.
- 제1항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터는 상기 포토다이오드에 의해 둘러싸이도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 제1항에 있어서,상기 플로팅 확산영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 의해 둘러싸히도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 제2항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터는 상기 포토다이오드에 의해 둘러싸이도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
- 원형의 필드 영역에 의하여 반도체 기판에 원형의 액티브 영역을 형성하는 단계;상기 액티브 영역에 트랜지스터 예정영역이 정의되도록 상기 필드 영역의 일측에서 상기 액티브 영역의 내부로 일정길이 연장되고 상호 수평을 이루도록 제1 너비로 이격된 제1 소자분리막 및 제2 소자분리막을 형성하는 단계;상기 트랜지스터 예정영역을 제외한 상기 액티브 영역의 중앙에 링 형태의 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 트랜스퍼 트랜지스터의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 포토다이오드를 형성하는 단계; 및상기 트랜스퍼 트랜지스터의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 플로팅 확산영역을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터가 형성될 때, 상기 제1 소자분리막과 제2 소자분리막 사이의 상기 액티브 영역 상에 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 포토다이오드를 형성하는 단계는,상기 트랜스퍼 트랜지스터의 바깥쪽에 해당하는 상기 액티브 영역의 깊은 영역에 제1 불순물을 이온주입하는 단계; 및상기 제1 불순물과 접하도록 상기 액티브 영역의 얕은 영역에 제2 불순물을 이온주입하는 단계를 포함하고,상기 포토다이오드는 상기 트랜스퍼 트랜지스터를 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 플로팅 확산영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 안쪽에 해당하는 상기 액티브 영역에 제2 도전형 불순물을 이온주입하여 형성되고,상기 플로팅 확산영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 의하여 둘러싸이도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 플로팅 확산영역이 형성될 때 상기 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터의 양측에 소스/드레인이 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
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KR1020080134439A KR20100076413A (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 |
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Cited By (1)
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CN109842766A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-06-04 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种极坐标图像传感器及其进行图像处理的方法 |
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2008
- 2008-12-26 KR KR1020080134439A patent/KR20100076413A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
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CN109842766A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-06-04 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种极坐标图像传感器及其进行图像处理的方法 |
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