KR20100076422A - 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 액티브 영역을 정의하기 위해 반도체 기판에 상호 이격되어 형성된 제1 및 제2 소자분리막; 상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트; 상기 게이트 일측의 상기 반도체 기판 깊은영역에 형성되고 상기 게이트와 부분적으로 오버레이되도록 제1 불순물로 형성된 제1 도핑영역; 상기 제1 도핑영역과 상기 제1 소자분리막 사이에 해당하는 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 형성되고 상기 제1 도핑영역보다 고농도의 제1 불순물로 형성된 제2 도핑영역; 상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역과 접하도록 상기 반도체 기판은 얕은 영역에 제2 불순물로 형성된 제3 도핑영역; 및 상기 게이트 타측의 상기 반도체 기판의 내부에 형성된 플로팅 확산영역을 포함한다.
이미지센서, 단위픽셀, 포토다이오드

Description

이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법{Unit Pixel in Image Sensor and Method for Manufacturing Thereof}
실시예는 이미지센서의 단위픽셀에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상((optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시키는 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
이러한 씨모스 이미지센서의 단위픽셀은 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드(Photodiode)의 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
도 1은 일반적은 4T형 단위픽셀의 회로도이고, 도 2는 도 1에 도시된 단위픽셀을 레이아웃을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하여, 이미지 센서의 단위픽셀(Unit Pixel)은 하나의 포토다이오드(Photodiode:PD)와 네 개의 NMOS로 구성된다. 구체적으로, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(PD)와, 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Transfer transistor:Transfer Tr), 원하는 값으로 플로팅 확산영역의 전위를 세팅하고 전하(Cpd)를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋(Reset)시키기 위한 리셋 트랜지스터(Reset transistor:ResetTr), 소오스 팔로워-버퍼증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Drive transistor:Drive Tr), 스위칭역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Select transistor:Select Tr)로 구성된다. 단위픽셀 밖에는 출력신호(Output Signal)을 읽을 수 잇도록 로드(Load) 트랜지스터가 형성되어 있다.
도 2를 참조하여, 단위픽셀에 해당하는 액티브 영역(A)에 포토다이오드(PD), 플로팅 확산영역(FD) 및 트랜지스터(Tx,Rx,Dx,Sx)들이 형성되어 있다. 상기 포토다이오드(PD)는 정방형을 이루고 있고, 상기 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트가 포토다이오드(PD)의 일측면에 접하여 구성되어 있다. 상기 포토다이오드는 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 형성 후 상기 게이트의 일측의 반도체 기판의 깊은영역에 N형 불순물을 이온주입하고 얕은 영역 P형 불순물을 이온주입하여 형성될 수 있다. 상기 플로팅 확산영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 타측의 반도체 기판에 고농도 이온을 주입하여 형성될 수 있다.
상기 트랜스퍼 트랜지스터의 동작을 개략적으로 설명하면, 포토다이오드로 광이 입사되어 광전하가 발생되면, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트가 턴온된다. 그러면 채널에 의해 조절되는 문턱전입아 낮아져 상기 포토다이오드에서 생성된 저하는 채널을 통해 플로팅 확산영역으로 전달될 수 있다.
이미지센서에 있어서 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터의 계면이 픽셀의 특성을 좌우할 수 있는 중요한 부분이다.
즉, 상기 포토다이오드의 P형 불순물 농도가 증가할 수록 전위장벽이 높아지게 되어 래그 현상을 야기시킬 수 있다. 또한 포토다이오드의 캐패시티(capacity)를 증가시키기 위하여 N형 불순물의 도즈량을 증가시킬 경우 트랜스퍼 트랜지스터의 채널영역의 전위(potential)가 낮아져 다크 시그널(dark signal)이 증가될 수 있다.
실시예에서는 포토다이오드의 도핑영역의 조정을 통해 광전하 전송특성 및 포토다이오드의 캐패시티(capacity)를 증가시킬 수 있는 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 액티브 영역을 정의하기 위해 반도체 기판에 상호 이격되어 형성된 제1 및 제2 소자분리막; 상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트; 상기 게이트 일측의 상기 반도체 기판 깊은영역에 형성되고 상기 게이트와 부분적으로 오버레이되도록 제1 불순물로 형성된 제1 도핑영역; 상기 제1 도핑영역과 상기 제1 소자분리막 사이에 해당하는 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 형성되고 상기 제1 도핑영역보다 고농도의 제1 불순물로 형성된 제2 도핑영역; 상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역과 접하도록 상기 반도체 기판은 얕은 영역에 제2 불순물로 형성된 제3 도핑영역; 및 상기 게이트 타측의 상기 반도체 기판의 내부에 형성된 플로팅 확산영역을 포함한다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 제조방법은, 액티브 영역을 정의하기 위해 반도체 기판에 상호 이격되도록 제1 및 제2 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트 일측의 상기 반도체 기판 깊은영역에 상기 게이트와 부분적으로 오버레이되도록 제1 불순물을 이온주입하여 제1 도핑영역을 형성하는 단계; 상기 제1 도핑영역과 상 기 제1 소자분리막 사이에 해당하는 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 상기 제1 도핑영역보다 고농도의 제1 불순물을 이온주입하여 제2 도핑영역을 형성하는 단계; 상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역과 접하도록 상기 반도체 기판은 얕은 영역에 제2 불순물을 이온주입하여 제3 도핑영역을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 타측의 상기 반도체 기판의 내부에 플로팅 확산영역을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따르면, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트와 인접하는 영역에 저농도의 도핑영역을 형성하고 상기 게이트와 이격되는 영역에 고농도의 도핑영역을 형성함으로써 광전하의 전송특성에는 영향을 주지않으면서 포토다이오드의 캐패시티를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(On/Over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도 5 및 도 8을 참조하여, 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀을 설명한다. 도 5는 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀의 레이아웃 도면이고, 도 8은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀의 단면도이다.
실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀은, 액티브 영역(AA)을 정의하기 위해 반도체 기판(10)에 상호 이격되어 형성된 제1 및 제2 소자분리막(21,22)과, 상기 반도체 기판(10) 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트(30)와, 상기 게이트(30) 일측의 상기 반도체 기판(10) 깊은 영역에 형성되고 상기 게이트(30)와 부분적으로 오버레이되도록 제1 불순물로 형성된 제1 도핑영역(40)과, 상기 제1 도핑영역(40)과 상기 제1 소자분리막(21) 사이에 해당하는 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 형성되고 상기 제1 도핑영역(40)보다 고농도의 제1 불순물로 형성된 제2 도핑영역(50)과, 상기 제1 도핑영역(40) 및 제2 도핑영역(50)과 접하도록 상기 반도체 기판(10)은 얕은 영역에 제2 불순물로 형성된 제3 도핑영역(60)과, 상기 게이트(30) 타측의 상기 반도체 기판(10)의 내부에 형성된 플로팅 확산영역(70)을 포함한다.
상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트(30)와 이격형성된 제2 도핑영역(50)이 제1 도핑영역(40)보다 고농도의 불순물로 형성되 상기 포토다이오드(PD)의 정전용량(Capacity)이 증가될 수 있다. 또한, 상기 게이트(30)와 접하는 제1 도핑영역(40)은 상기 제2 도핑영역(50)보다 저농도의 불순물로 형성되어 상기 플로팅 확산영역(70)으로의 광전하 전송(Photo charge transfer) 특성은 향상될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도핑영역(40)은 N형 불순물(N-)로 형성되고, 상기 제2 도핑영역(50)은 고농도의 N형 불순물(N+)로 형성되고, 상기 제3 도핑영역은 P형 불순물(P0)로 형성될 수 있다.
상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)보다 넓은 면적을 가지도록 형성된다. 따라서, 제한된 단위픽셀의 면적에서 상기 포토다이오드(PD)의 면적이 확장되므로 수광량 증가에 따른 광전하 생성률이 향상될 수 있다.
도 8의 도면부호 중 미설명 도면부호는 이하 제조방법에서 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 제조방법을 설명한다.
도 3은 실시예에 따른 단위픽셀에 게이트 및 제1 도핑영역이 형성된 것을 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 B-B'선 단면도이다.
도 5는 실시예에 따른 단위픽셀에 제2 도핑영역이 형성된 것을 도시한 평면도이고, 도 6은 도 5의 C-C'선 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하여, 반도체 기판(10)에 액티브 영역(AA)을 정의하는 제1 및 제2 소자분리막(21,22)이 형성된다.
상기 반도체 기판(10)은 단결정 또는 다결정의 실리콘 기판이며, P형 불순물 및 N형 불순물이 도핑된 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 기판(10)은 P형(P++) 기판이고, 상기 반도체 기판(10) 상에는 에피택셜(epitaxial) 공정을 실시하여 저농도의 P형 에피층(P-epi)이 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 소자분리막(21,22)은 단위픽셀이 형성되는 액티브 영역(AA)을 정의하기 위한 것으로 STI 공정에 의하여 형성될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 반도체 기판(10)의 액티브 영역(AA) 상에 채널형성을 위한 이온주입공정을 실시하여 채널영역이 형성될 수 있다.
다음으로 상기 반도체 기판(10) 상에 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트(30)가 형성된다. 상기 게이트(30)는 게이트 절연막과 게이트 전도막을 증착한 다음 패 터닝하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전도막은 폴리실리콘과 같은 전도성 물질, 텅스텐과 같은 금속물질, 금속 실리사이드가 단층 또는 복층으로 형성될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트(30)가 형성될 때 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx)도 상기 액티브 영역(AA) 상에 형성될 수 있다.
다음으로 상기 반도체 기판(10) 상에 제1 마스크 패턴(110)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 마스크 패턴(110)은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
상기 제1 마스크 패턴(110)은 상기 게이트(30) 타측의 반도체 기판(10)은 완전히 가릴 수 있다. 또한, 상기 제1 마스크 패턴(110)은 상기 게이트(30) 일측의 상기 제1 소자분리막(21)에 인접하는 상기 반도체 기판(10)은 가리고 상기 게이트(30) 일측의 상기 반도체 기판(10)을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 즉 상기 제1 마스크 패턴(110)은 상기 게이트(30)와 인접하는 상기 반도체 기판(10)만을 선택적으로 노출 시킬 수 있다.
상기 제1 마스크 패턴(110)을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 제1 불순물을 이온주입하여 제1 도핑영역(40)을 형성한다. 상기 제1 도핑영역(40)은 저농도의 N형 불순물(N-)로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 게이트(30) 일측에 해당하는 상기 반도체 기판(10)의 깊은영역에 제1 도핑영역(40)이 형성된다. 특히, 상기 제1 도핑영역(40)은 상기 게이트(30)와 오버레이되도록 상기 게이트(30) 하부 영역에 해당하는 반도체 기판(10)으로 확 산될 수 있다.
이후, 상기 제1 마스크 패턴(110)은 애싱공정에 의하여 제거될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 게이트(30)와 인접한 반도체 기판(10)을 선택적으로 노출시키는 제1 마스크 패턴(110)에 의하여 상기 게이트(30)에 인접하는 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 저농도의 제1 도핑영역(40)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 반도체 기판(10) 상에 제2 마스크 패턴(120)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제2 마스크 패턴(120)은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
상기 제2 마스크 패턴(120)은 상기 제1 소자분리막(21)과 상기 제1 도핑영역(40) 사이에 해당하는 상기 반도체 기판(10)을 선택적으로 노출시키도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 마스크 패턴(120)에 의하여 상기 제1 도핑영역(40), 게이트(30) 및 상기 게이트(30) 타측에 해당하는 반도체 기판(10)은 가려지게 된다.
도 5 및 도 6을 참조하여, 상기 제2 마스크 패턴(120)을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 제1 불순물을 이온주입하여 제2 도핑영역(50)을 형성한다. 상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)보다 고농도의 제1 불순물로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)보다 깊은 영역을 가지도록 상기 반도체 기판(10)으로 이온주입될 수 있다. 또한, 상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도핑영역(50)은 고농도의 N형 불순물(N+)로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)에 의하여 상기 게이트(30)와 이격되어 형성될 수 있다.
이후, 상기 제2 마스크 패턴(120)은 애싱공정에 의하여 제거될 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 도핑영역(40)과 제1 소자분리막(21) 사이에 해당하는 상기 반도체 기판(10)을 선택적으로 노출시키는 제2 마스크 패턴(120)에 의하여 상기 제1 도핑영역(40)과 접하는 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 고농도의 제2 도핑영역(50)이 형성될 수 있다.
상기 제1 도핑영역(40) 및 제2 도핑영역(50)은 상기 반도체 기판(10)의 깊은 영역에 형성되어 포토다이오드의 N형 도핑영역의 역할을 하게 된다. 특히, 상기 제1 도핑영역(40)과 제2 도핑영역(50)이 별도의 이온주입공정에 의하여 형성되어 N형 불순물의 농도가 다르게 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1 도핑영역(40)은 상기 제2 도핑영역(50)보다 저농도로 형성되므로 광전하 전송(Photo signal tranfer) 특성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)보다 고농도로 형성되므로 광전하에 대한 정전용량을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 도핑영역(50)은 상기 제1 도핑영역(40)보다 넓은 면적을 가지도록 형성되므로 수광면적이 확장될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 반도체 기판(10) 상에 제3 마스크 패턴(130)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제3 마스크 패턴(130)은 포토레지스트 패턴일 수 있다.
상기 제3 마스크 패턴(130)은 상기 게이트(30)와 상기 제1 소자분리막(21) 사이에 해당하는 상기 반도체 기판(10)을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 즉, 상기 제3 마스크 패턴(130)에 의하여 상기 제1 도핑영역(40) 및 제2 도핑영역(50)이 노출될 수 있다.
다음으로, 상기 제3 마스크 패턴(130)을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판(10)의 얕은 영역에 제2 불순물을 이온주입하여 제3 도핑영역(60)을 형성한다. 상기 제3 도핑영역(60)은 상기 제1 및 제2 도핑영역(50)과 접하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 도핑영역(60)은 P형 불순물(P0)로 형성될 수 있다.
상기 제1 도핑영역(40) 및 제2 도핑영역(50)과 접하도록 상기 반도체 기판(10)의 얕은 영역에 제3 도핑영역(60)이 형성되므로 상기 게이트(30)의 일측에는 PNP 접합을 가지는 포토다이오드가 형성된다.
도 8을 참조하여, 상기 게이트(30) 타측에 해당하는 상기 반도체 기판(10)의 내부에 플로팅 확산영역(70)이 형성된다. 예를 들어, 상기 플로팅 확산영역(70)은 고농도의 N형 불순물(N+)로 형성될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 플로팅 확산영역(70)은 상기 게이트(30) 타측에 해당하는 반도체 기판(10)의 내부에 LDD 영역을 형성한 후, 상기 게이트(30)의 타측벽에 절연막 스페이서를 형성한 후 상기 스페이서를 이온주입 마스크로 사용하여 형성될 수 있다.
상기와 같이 포토다이오드의 제2 도핑영역을 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트와 분리된 형태로 형성되므로 광전하의 전송특성에는 영향을 주지 않으면서 상기 포토다이오드의 캐패시티(Capacity)를 증가시킬 수 있다.
즉, 상기 포토다이오드의 제2 도핑영역이 상기 제1 도핑영역에 의하여 상기 게이트와 이격되어 형성됨으로써 상기 제2 도핑영역의 불순물 농도를 선택적으로 증가시켜 캐패시티가 증가될 수 있고 다크 시그널 증가와 같은 트랜스퍼 특성에 줄수 있는 악영향을 억제할 수 있다.
또한, 상기 게이트와 인접하는 제1 도핑영역은 저농도로 형성되어 광전하 전송특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는, 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 일반적인 이미지센서의 단위픽셀을 나타내는 회로도이다.
도 2는 도 1의 단위픽셀을 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 8은 실시예에 따른 이미지센서의 단위픽셀 제조공정을 나타내는 도면이다.

Claims (8)

  1. 액티브 영역을 정의하기 위해 반도체 기판에 상호 이격되어 형성된 제1 및 제2 소자분리막;
    상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트;
    상기 게이트 일측의 상기 반도체 기판 깊은영역에 형성되고 상기 게이트와 부분적으로 오버레이되도록 제1 불순물로 형성된 제1 도핑영역;
    상기 제1 도핑영역과 상기 제1 소자분리막 사이에 해당하는 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 형성되고 상기 제1 도핑영역보다 고농도의 제1 불순물로 형성된 제2 도핑영역;
    상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역과 접하도록 상기 반도체 기판은 얕은 영역에 제2 불순물로 형성된 제3 도핑영역; 및
    상기 게이트 타측의 상기 반도체 기판의 내부에 형성된 플로팅 확산영역을 포함하는 이미지센서의 단위픽셀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역은 N형 불순물로 형성되고, 상기 제3 도핑영역은 P형 불순물로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도핑영역은 상기 제1 도핑영역보다 넓은 면적을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀.
  4. 액티브 영역을 정의하기 위해 반도체 기판에 상호 이격되도록 제1 및 제2 소자분리막을 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판 상에 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계;
    상기 게이트 일측의 상기 반도체 기판 깊은영역에 상기 게이트와 부분적으로 오버레이되도록 제1 불순물을 이온주입하여 제1 도핑영역을 형성하는 단계;
    상기 제1 도핑영역과 상기 제1 소자분리막 사이에 해당하는 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 상기 제1 도핑영역보다 고농도의 제1 불순물을 이온주입하여 제2 도핑영역을 형성하는 단계;
    상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역과 접하도록 상기 반도체 기판은 얕은 영역에 제2 불순물을 이온주입하여 제3 도핑영역을 형성하는 단계; 및
    상기 게이트 타측의 상기 반도체 기판의 내부에 플로팅 확산영역을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 도핑영역 및 제2 도핑영역을 형성하는 단계는,
    상기 반도체 기판 상에 게이트 일측에 대응하는 상기 반도체 기판을 노출시키는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 마스크 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 제1 불순물을 이온주입하여 상기 제1 도핑영역을 형성하는 단계;
    상기 제1 마스크 패턴을 제거하는 단계;
    상기 제1 도핑영역과 제1 소자분리막 사이에 해당하는 상기 반도체 기판을 노출시키는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 마스크 패턴을 이온주입마스크로 사용하여 상기 반도체 기판의 깊은 영역에 제1 불순물을 이온주입하여 제2 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 도핑영역은 상기 제1 도핑영역보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2 도핑영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트와 접하는 상기 제1 도핑영역의 일측을 제외한 나머지 영역을 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제3 도핑영역을 형성하는 단계는,
    상기 반도체 기판 상에 상기 게이트 일측에서 상기 제1 소자분리막 사이에 대응하는 상기 반도체 기판을 노출시키는 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 마스크 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판의 얕은 영역에 제2 불순물을 이온주입하는 단계를 포함하는 이미지센서의 단위픽셀 제조방법.
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