KR20010004106A - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 포토다이오드의 정전용량이 증대되고, 단파장에 대해 광감도가 향상되며, 포토다이오드에서 생성된 광전하를 플로팅확산으로 전달하는 효율을 증대시킨 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이미지센서는, 포토다이오드와 트랜스퍼트랜지스터를 갖는 이미지센서에 있어서, 포토다이오드와 트랜스퍼트랜지스터를 갖는 이미지센서에 있어서, 상기 포토다이오드는, 제1도전형의 반도체층; 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지에 정렬되어 상기 반도체층 내에 형성되는 제2도전형의 제1도핑영역; 상기 제1도핑영역과 접하여 상기 제1도핑영역 상부지역의 상기 반도체층 내에 형성되되, 자신의 에지가 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지와 수평적으로 이격되어 형성된 제2도전형의 제2도핑영역; 및 상기 제2도핑영역과 접하여 상기 제2도핑영역 상부지역의 상기 반도체층 표면 하부에 형성되되, 자신의 에지가 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지와 수평적으로 이격되어 형성된 제1도전형의 제3도핑영역을 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 이미지센서(Image sensor)에 관한 것으로, 특히 포토다이오드와 함께 집적화된 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝 수가 많아서 공정이 복잡하고 시그널 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현 할 수 없어 원칩(One Chip) 화가 곤란하는 등의 여러 단점이 있는 바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(Sub- micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지센서의 개발이 많이 연구되고 있다. CMOS 이미지센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30∼40개의 마스크가 필요한 CCD 에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지센서로 크게 각광 받고 있다. 그러나 현재까지는 CCD에 비하여 화질이 떨어지므로 이를 개선하려는 노력이 진행중이다. 즉, CMOS 이미지센서에 있어서 포토다이오드는 각 파장에 따라 입사되는 광을 전기적 신호로 변환 해주는 도입부로써, 이상적인 경우는 모든 파장 대에서 광전하생성율(Quantum Efficiency)이 1인 경우로 입사된 광을 모두 모으는 경우이기 때문에 이를 위한 노력이 진행중이다.
도1은 통상의 CMOS 이미지센서 단위 화소(Unit Pixel) 회로도로서, 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS트랜지스터로 구성되고, 4개의 MOS트랜지스터는 트랜스퍼트랜지스터(Tx), 리셋트랜지스터(Rx), 드라이브트랜지스터(MD), 및 셀렉트트랜지스터(Sx)로 이루어져 있다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터가 형성되어 있다. 도면부호 Cfd는 플로팅확산의 커패시턴스를 나타낸다.
도2에는 종래기술에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소 중에서 포토다이오드(PD)와 트랜스퍼트랜지스터(Tx) 및 리셋트랜지스터(Rx)에 대한 레이아웃이 도시되어 있고, 도3a 내지 도3d에는 도2의 A-A'를 따른 제조 공정 순서를 보여주는 단면도이다.
도2와, 도3a 내지 도3d를 참조하여 종래기술에 따른 포토다이오드 제조 공정을 살펴보도록 한다.
먼저, 도3a를 참조하면, P+실리콘기판 상에 저농도의 P-에피층(1)이 성장된 웨이퍼를 준비한 다음, 필드절연막(2)과 트랜지스터들의 게이트산화막(3) 및 게이트전극(4)을 형성한다. 도2 및 도3a에는 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(204)과 리셋트랜지스터의 게이트전극(202) 만이 도시되어 있다.
이어서, 도3b를 참조하면, 마스크패턴(5a)을 형성하고 저농도 고에너지 이온주입을 실시하여 포토다이오드 활성영역의 P-에피층(1) 내에 N-도핑영역(6)을 형성한다. 이때 도2에 도시된 바와 같이, N-이온주입 마스크패턴(5a)은 그 오픈되는 영역(206)이 활성영역(205) 전체가 아니라 활성영역 모서리 에지를 덮도록 디자인되게 된다. 또한 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(204) 일측을 노출시키도록 디자인된다.
이어서, 도3c를 참조하면, 상기 마스크패턴(5a)을 제거하고 다시 마스크패턴(5b)을 형성한 다음 고농도 저에너지 이온주입을 실시하여 P-에피층(1) 표면 하부에 P0도핑영역(7)을 형성한다. 이때 도2에 도시된 바와 같이, P0이온주입 마스크패턴(5b)은 그 오픈되는 영역(207)이 활성영역(205) 전체이며, 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(204) 일측을 노출시키도록 디자인된다.
이어서, 도3d는 게이트 측벽 스페이서(8)와 각 트랜지스터들의 소스/드레인접합(9)을 형성한 상태를 나타낸다. 도2와의 관계에서 트랜스퍼트랜지스터와 리셋트랜지스터를 연결하는 소스/드레인접합이 플로팅확산(203)이 되며, 리셋트랜지스터의 타접합에는 공급전압 VDD를 인가받는 드레인접합(201)이 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 종래의 포토다이오드는 P/N/P형 포토다이오드로 구성되는바, P/N/P형 포토다이오드는 P-에피층(1)과, N-도핑영역(6) 및 P0도핑영역(7)으로 이루어진다. N-도핑영역(6)은 입사하는 광자에 의하여 생성되는 광전하(Photogenerated Charge)를 모으는 공핍층(Depletion Region)의 역할을 한다. 그리고 P0도핑영역(7)은 N-도핑영역(6)을 완전히 공핍시키는 역할뿐만 아니라 정전용량(Charge Capacity)의 증가를 도모하여 광감지영역에서 모을 수 있는 광전하의 수를 증가시켜서 광감도를 증가시킬 목적으로 형성되는 것이다. 따라서 P0도핑영역(7)으로 내부의 N-도핑영역(6)을 완전히 공핍시키기 위해서는 N-도핑영역(6) 보다 P0도핑영역(7)의 도펀트 농도가 상대적으로 높게 형성된다.
그런데, 이러한 구조의 종래 포토다이오드는, 한정된 파장대역에서만 국한되어 정전 용량과 광감도가 증가되는 문제점이 있다. 즉, 파장이 긴 레드(red) 빛이나 그린(Green) 빛의 경우에는 아무 문제가 되지 않으나, 단파장의 블루(blue) 빛은 실리콘기판(P-에피층) 깊숙이 투과되지 못하기 때문에 표면에서 광전하를 생성하게 되는데, 이 표면에 P0도핑영역(7)이 존재하기 때문에 광자에 의해 생성되는 광전하(Photogenerated Charge)가 훨씬 감소하게 되어 광감도가 상대적으로 감소하게 된다. 따라서, 결핍된 블루 칼러로 인해 컬러 이미지를 구현하는데 있어 문제점이 발생된다.
또한, 종래에는 P0도핑영역(7)이 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(204) 에지에 얼라인되도록 이온주입되어 형성되기 때문에, 이후의 후속 열공정에서 P0도핑영역(7)의 도펀트들이 트랜스퍼트랜지스터의 채널 지역으로 확산되어 고 전위장벽을 형성하게되고, 이에 의해 광전하가 플로팅확산(203)으로 전달되는 효율(Charge Transfer Efficiency)이 감소할 뿐만 아니라, 이러한 고전위장벽을 극복할 수 있는 만큼의 광전자가 필요하기 때문에 충분한 광전자를 모으는 시간이 더 필요하게 되어 동영상 이미지를 구현하는데 많은 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 포토다이오드의 정전용량이 증대되고, 단파장에 대해 광감도가 향상된 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 포토다이오드에서 생성된 광전하를 플로팅확산으로 전달하는 효율을 증대시킨 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
도1은 통상의 CMOS 이미지센서 단위 화소(Unit Pixel) 회로도.
도2는 종래기술에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소 일부 평면도.
도3a 내지 도3d는 도2의 A-A'를 따른 제조 공정 순서를 보여주는 단면도.
도4는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소 일부 평면도.
도5a 내지 도5f는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서 제조 공정도,
도6은 본 발명의 다른 일실시예를 설명하기 위한 CMOS 이미지센서 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
501 : P-에피층 502 : 필드절연막
503 : 게이트산화막 504 : 게이트전극
505a, 505b : 마스크패턴 506 : N-도핑영역
506A : N0도핑영역 507 : P0도핑영역
508 : 게이트 측벽 스페이서 509 : N+확산층
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 포토다이오드와 트랜스퍼트랜지스터를 갖는 이미지센서에 있어서, 상기 포토다이오드는, 제1도전형의 반도체층; 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지에 정렬되어 상기 반도체층 내에 형성되는 제2도전형의 제1도핑영역; 상기 제1도핑영역과 접하여 상기 제1도핑영역 상부지역의 상기 반도체층 내에 형성되되, 자신의 에지가 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지와 수평적으로 이격되어 형성된 제2도전형의 제2도핑영역; 및 상기 제2도핑영역과 접하여 상기 제2도핑영역 상부지역의 상기 반도체층 표면 하부에 형성되되, 자신의 에지가 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지와 수평적으로 이격되어 형성된 제1도전형의 제3도핑영역을 포함하여 이루어진다.
상기 본 발명의 이미지센서에서 상기 반도체층과 상기 제3도핑영역이 필드절연막의 에지부분에서 서로 접하도록, 상기 제1도핑영역과 상기 제2도핑영역은 그 일부분이 상기 필드절연막의 에지로부터 수평적으로 이격되어 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 이미지센서에서, 전원공급에 의해 상기 제1 및 제2 도핑영역이 완전공핍되기 위해서는 제2도핑영역은 상기 제1도핑영역 보다 높은 도펀트 농도를 갖고, 제3도핑영역은 상기 제2도핑영역 보다 높은 도펀트 농도를 갖아야 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 제1도전형의 반도체층을 준비하는 제1단계; 상기 반도체층 상에 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극을 패터닝하는 제2단계; 상기 게이트전극 일측에지에 정렬되도록 광감지영역의 상기 반도체층 내에 제2도전형의 제1도핑영역을 형성하는 제3단계; 상기 게이트전극 측벽에 스페이서를 형성하여 상기 광감지영역 가장자리를 덮고, 상기 게이트전극의 타측에지 부위의 상기 반도체층 내에 제2도전형 불순물을 이온주입하여 확산층을 형성하는 제4단계; 상기 스페이서에 의해 그 일부 가장자리가 덮힌 상기 광감지영역의 상기 반도체층 내에 제2도전형의 제2도핑영역을 형성하는 제5단계; 및 상기 스페이서에 의해 그 일부 가장자리가 덮힌 상기 광감지영역의 상기 반도체층 내에 제1도전형의 제3도핑영역을 형성하는 제6단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
이해의 편의를 위해 먼저 본 발명의 이미지센서 제조방법을 설명하고, 그 후 본 발명의 이미지센서 구조 및 그 작용효과를 구체적으로 언급하겠다.
도4에는 본 발명에 따른 CMOS 이미지센서의 단위화소 중에서 포토다이오드가 형성되는 광감지영역과 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(404) 및 플로팅확산층(403)에 대한 레이아웃이 도시되어 있고, 도5a 내지 도5f는 도4의 A-A'를 따른 제조 공정 순서를 보여주는 단면도이다.
도4와, 도5a 내지 도5f를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 포토다이오드 제조 공정을 살펴보도록 한다.
도5a를 참조하면, P+실리콘기판 상에 저농도의 P-에피층(501)이 성장된 웨이퍼를 준비한 다음, 필드절연막(502)과 트랜지스터들의 게이트산화막(503) 및 게이트전극(504)을 형성한다. 도2 및 도3a에는 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극만이 도시되어 있다. 게이트전극(504)은 폴리실리콘막 또는 폴리실리콘막과 실리사이드막이 적층된 폴리사이드 구조로 구현 가능하다.
이어서, 도5b를 참조하면 마스크패턴(505a)을 형성하고 저농도 고에너지 이온주입을 실시하여 포토다이오드 활성영역의 P-에피층(501) 내에 N-도핑영역(506)을 형성한다. 이때 도4에 도시된 바와 같이, N-이온주입 마스크패턴(505a)은 그 오픈되는 영역(406)이 활성영역(405) 전체가 아니라 활성영역 모서리 에지를 덮도록 디자인되게 된다. 또한 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(404) 일측을 노출시키도록 디자인된다.
이어서, 도5c에 참조하면, 절연막을 웨이퍼 전체적으로 증착하고 전면(Blanket) 건식 식각을 실시하여 게이트 측벽 스페이서(508)를 형성한다.
이어서, 도5d를 참조하면, 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 타측에 N+확산층(509)을 형성한 상태로서, 확산층의 형성은 광감지영역(포토다이오드가 형성될 영역)을 덮는 이온주입마스크를 사용하여 이온주입을 실시한 후 이 이온주입된 도펀트들을 활성화시키기 위한 열공정이 수반된다.
이어서, 도5e를 참조하면, 다시 마스크패턴(505b)을 형성한 다음 상기 N-도핑영역(506)을 형성하였을 때보다 상대적으로 고농도 저에너지 이온주입을 실시하여 노출된 N-도핑영역(506)의 상단부 부분에 N0도핑영역(506A)을 형성한다. 이때 N0도핑영역(506A) 형성을 위한 마스크패턴(505b)은 N-도핑영역(506)을 형성을 위한 마스크패턴(505a)과 그 크기 및 위치가 동일하되, 스페이서가 형성되어 있는 상태에서 이온주입이 이루어지기 때문에 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트전극 에지에서 일정 거리를 두고 떨어져 형성된다.
이어서, 도5f를 참조하면, 다시 마스크패턴(505c)을 형성한 다음 고농도 저에너지 이온주입을 실시하여 P-에피층(501) 표면 하부에 P0도핑영역(507)을 형성한다. 이때 도4에 도시된 바와 같이, P0이온주입 마스크패턴(505c)은 그 오픈되는 영역(407)이 활성영역(405) 전체이며, 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(404) 일측을 노출시키도록 디자인된다.
앞서 설명한 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조방법에서, P0도핑영역(507)을 형성하기 위한 이온주입시 마스크패턴(505c)없이 전면 이온주입하여 형성할 수도 있는바, 이는 P0도핑영역(507)에 비해 N+확산층(509)의 상대적 도펀트 농도가 매우 커서 기 때문에 확산층(509)에서 P타입 도펀트가 거의 영향을 미치지 않기 때문이다. 이렇게 마스크 작업을 줄이면 가격 경쟁 및 공정 단순화 측면에서 큰 이득을 가져다 준다.
또한, 앞서 설명한 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조방법에서, 도6에 도시된 바와 같이 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 에지에서 P0도핑영역(507)이 이격되는 거리를 감안하여 스페이서(508, 611)를 적어도 이중으로 형성할 수도 있다. 도6에서 이중스페이서를 제외한 다른부분은 도5e와 동일하며, 그 동일한 구성요소는 도5e와 동일 도면부호가 부여되어 있다.
이어서, 본 발명에 따른 이미지센서 구조 및 그 작용을 상기 도6을 참조하여 살펴본다.
도6을 참조하면, 본 발명에 따른 이미지센서의 포토다이오드는 P-에피층(5061)과, 상기 P-에피층(501) 내부에 형성되는 N-도핑영역(506)과, 상기 N-도핑영역(506)과 접하여 상기 N-도핑영역(506) 상부의 형성되는 N0도핑영역(506A)과, 상기 N0도핑영역(506A)과 접하여 그 상단에 형성되며 상기 P-에피층(501) 표면하부에 형성되는 P0도핑영역(507)과, 상기 P0도핑영역(507)을 구비하고 있다.
그리고, 상기 N-도핑영역(506)은 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 에지에 자신의 일측 에지가 실질적으로 얼라인되어 형성되며, 상기 N0도핑영역(506A) 및 상기 P0도핑영역(507)은 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극(204) 에지로부터 수평적으로 이격되어 형성된다.
이에 의해 본 발명의 포토다이오드는 광감지영역의 활성영역에서는 PNP 접합 구조를 구성하되 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 에지 부위에서는 PN 접합 구조를 갖게 된다.
한편, 상기 P-에피층(501)과 상기 P0도핑영역(507)은 필드절연막(502)의 에지부분에서 서로 접하도록 상기 N-도핑영역(506)과 N0도핑영역(506A)은 그 일부분이 상기 필드절연막(502)의 에지로부터 수평적으로 이격되어 형성된다. 그리고, 상기 P0도핑영역(507)이 상기 N-도핑영역(506)과 N0도핑영역(506A)을 완전히 공핍시킬 수 있도록 N0도핑영역(506A)에 비해 P0도핑영역(507)의 도펀트 농도를 상대적으로 크게한다.
더욱이, 상기 N-도핑영역(506)과 N0도핑영역(506A)이 완전공핍될 때 포토다이오드의 공핍층이 상기 P-에피층(501) 깊숙히 형성되도록 상기 P-에피층(501)은 상기 P0도핑영역(507) 보다 낮은 도펀트 농도를 갖는 것이 바람직하다.
이와 같은 구조로 포토다이오드를 형성하면, P0도핑영역과 N-도핑영역간의 면적 정전용량과 N-도핑영역과 P-에피층간의 정전용량으로 국한되어 있는 것(종래기술)을 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 에지에서 P0도핑영역과 N-도핑영역간의 에지 정전용량을 추가함으로써, 전체적인 정전 용량을 증가시키게 된다.
또한 P0도핑영역(507)의 하부에는 N0도핑영역(506A)이 존재하기 때문에 P0도핑영역(507) 내의 도펀트들이 열적확산되는 것을 억제할 수 있어, P0도핑영역(507)을 얕은 깊이로 형성이 가능하다. 따라서, 블루 빛과 같은 단파장의 빛에 대한 광감도를 증대시킬 수 있고, 암전류(Dark Current)와 같은 노이즈(Noise) 효과를 제거할 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 포토다이오드는 광감지영역에서는 PNP 접합 구조를 가지지만, 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 에지 부분에서는 NP 접합 구조를 가진다. 때문에 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극 에지 부분에서 고전위장벽은 제거되고 이 부분에서 N-도핑영역의 전위는 증가하기 때문에, 포토다이오드에서 생성된 광전하를 플로팅확산으로 전달하는 효율(Photogenerated Charge Transfer Efficiency)을 증대시킬 수 있다.
그리고 본 발명의 이미지센서 제조방법에서, 확산층(509) 형성시에 열공정이 수반되는데, 종래기술과는 다르게 이 열공정 이후에 P0도핑영역(507)이 형성되기 때문에 P0도핑영역(507)의 열적확산을 더욱 최소화시킬 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 포토다이오드의 정전용량 증대, 단파장에 대해 광감도가 향상, 포토다이오드에서 생성된 광전하를 플로팅확산으로 전달하는 효율 증대 등의 작용을 갖기 때문에, 보다 선명한 칼라이미지를 구현하게 하여주며, 아울러 광전하는 모으는 시간 및 플로팅확산층으로 광전하를 전달하는 시간을 감소시킬 수 있어 보다 고속으로 동작이 가능한 효과를 가져다 준다.
Claims (11)
- 포토다이오드와 트랜스퍼트랜지스터를 갖는 이미지센서에 있어서,상기 포토다이오드는,제1도전형의 반도체층;상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지에 정렬되어 상기 반도체층 내에 형성되는 제2도전형의 제1도핑영역;상기 제1도핑영역과 접하여 상기 제1도핑영역 상부지역의 상기 반도체층 내에 형성되되, 자신의 에지가 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지와 수평적으로 이격되어 형성된 제2도전형의 제2도핑영역; 및상기 제2도핑영역과 접하여 상기 제2도핑영역 상부지역의 상기 반도체층 표면 하부에 형성되되, 자신의 에지가 상기 트랜스퍼트랜지스터의 게이트 에지와 수평적으로 이격되어 형성된 제1도전형의 제3도핑영역을 포함하여 이루어진 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 반도체층과 상기 제3도핑영역이 필드절연막의 에지부분에서 서로 접하도록, 상기 제1도핑영역과 상기 제2도핑영역은 그 일부분이 상기 필드절연막의 에지로부터 수평적으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,제2도핑영역은 상기 제1도핑영역 보다 높은 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제3항에 있어서,제3도핑영역은 상기 제2도핑영역 보다 높은 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 이미지센서 제조방법에 있어서,제1도전형의 반도체층을 준비하는 제1단계;상기 반도체층 상에 트랜스퍼트랜지스터의 게이트전극을 패터닝하는 제2단계;상기 게이트전극 일측에지에 정렬되도록 광감지영역의 상기 반도체층 내에 제2도전형의 제1도핑영역을 형성하는 제3단계;상기 게이트전극 측벽에 스페이서를 형성하여 상기 광감지영역 가장자리를 덮고, 상기 게이트전극의 타측에지 부위의 상기 반도체층 내에 제2도전형 불순물을 이온주입하여 확산층을 형성하는 제4단계;상기 스페이서에 의해 그 일부 가장자리가 덮힌 상기 광감지영역의 상기 반도체층 내에 제2도전형의 제2도핑영역을 형성하는 제5단계; 및상기 스페이서에 의해 그 일부 가장자리가 덮힌 상기 광감지영역의 상기 반도체층 내에 제1도전형의 제3도핑영역을 형성하는 제6단계를 포함하여 이루어진 이미지센서 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1도핑영역을 형성하는 제3단계 및 상기 제2도핑영역을 형성하는 제5단계는 각각,상기 광감지영역을 노출시키되 필드절연막 에지부위의 상기 광감지영역 일부를 덮는 이온주입마스크를 사용한 이온주입에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 제3도핑영역을 형성하는 제6단계는,상기 필드절연막 에지부위의 상기 광감지영역 일부를 노출시킨 이온주입마스크를 사용한 이온주입에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 제3도핑영역을 형성하는 제6단계는,상기 제5단계가 완료된 결과물 상에 마스크없이 전면 이온주입하여 형성함을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
- 제5항 내지 제8항중 어느한 항에 있어서,상기 스페이서를 적어도 이중으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
- 제4항 내지 제8항중 어느한 항에 있어서,상기 제2도핑영역은 상기 제1도핑영역보다 상대적으로 높은 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제10항에 있어서,상기 제3도핑영역은 상기 제2도핑영역보다 상대적으로 높은 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990024717A KR20010004106A (ko) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019990024717A KR20010004106A (ko) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010004106A true KR20010004106A (ko) | 2001-01-15 |
Family
ID=19595993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990024717A KR20010004106A (ko) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
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| KR (1) | KR20010004106A (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030001139A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토다이오드 형성 방법 |
| KR20030090871A (ko) * | 2002-05-22 | 2003-12-01 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 및 그 제조방법 |
| KR100748317B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-08-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서의 제조 방법 |
| KR100813800B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2008-03-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암전류 특성과 전하저장능력을 향상시킨 이미지센서 및 그제조방법 |
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-
1999
- 1999-06-28 KR KR1019990024717A patent/KR20010004106A/ko not_active Application Discontinuation
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