CN101668620B - 多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法 - Google Patents

多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法 Download PDF

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Abstract

欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时，受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响，除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后，从复合层叠体除去收缩抑制层时，减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度，藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同，从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力，抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。

Description

多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法
技术领域
本发明涉及多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法，特别涉及使用所谓无收缩工艺的多层陶瓷基板的制造方法、通过该制造方法而得的多层陶瓷基板、及其翘曲抑制方法。 
背景技术
通过所谓无收缩工艺制造多层陶瓷基板时，首先，准备一种复合层叠体，该层叠体包括生陶瓷层叠体以及第一及第二收缩抑制层，所述生陶瓷层叠体是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层层叠而成的层叠体，所述第一及第二收缩抑制层分别配置于该陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上，且含有在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料的粉末。 
接着，在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下烧成复合层叠体。在该烧成工序中，由于所述无机材料实质上不会烧结，因此第一及第二收缩抑制层实质上不会收缩。因此，第一及第二收缩抑制层对陶瓷层叠体产生作用，抑制其主面方向上的收缩，其结果是，可提高陶瓷层叠体、即欲制造的多层陶瓷基板的尺寸精度。此外，已知在烧成工序中，沿着收缩抑制层与陶瓷生坯层的界面，低温烧成陶瓷材料与无机材料会相互发生化学反应而生成反应层。 
然后，例如实施喷砂(blasting)处理，藉此，从复合层叠体除去第一及第二收缩抑制层，取出所要的多层陶瓷基板。 
利用如上所述的基于无收缩工艺的多层陶瓷基板的制造方法，能够特别是在主面方向上以高尺寸精度来制造多层陶瓷基板。然而，由于受到将成为多层陶瓷基板的生陶瓷层叠体中的导体膜或通孔导体之类的导体部分的分布状况的影响以及陶瓷生坯层的厚度、组成等的影响，在烧成工序中 多层陶瓷基板有时会产生翘曲。特别是已知：位于生陶瓷层叠体的主面上的表面导体膜对翘曲造成很大的影响。 
为了抑制上述翘曲，例如在日本专利特开2001-60767号公报(专利文献1)中，提出了在第一及第二收缩抑制层之间改变厚度的技术方案。此外，在WO2002/043455再公开公报(专利文献2)中，提出了在第一及第二收缩抑制层之间改变收缩抑制层所含的无机材料粉末的粒径的技术方案。 
然而，虽然使用上述技术能够抑制烧成时所产生的翘曲，但在除去收缩抑制层时，有时会产生新的翘曲，或者是翘曲的程度增加。参照图6对此进行说明。 
图6中，以剖视图表示结束烧成工序、接着除去第一收缩抑制层6(以虚线表示)之后的复合层叠体1。 
复合层叠体1包括由层叠的多个陶瓷层3构成的陶瓷层叠体2，该多个陶瓷层3由低温烧成陶瓷材料的烧结体形成。另外，图6中省略了与陶瓷层叠体2相关联地设置的导体膜或通孔导体等的图示。配置第一收缩抑制层6及第二收缩抑制层7，使它们分别覆盖陶瓷层叠体2的彼此相对的第一主面4及第二主面5。此外，所述第一收缩抑制层6及第二收缩抑制层7与陶瓷层叠体2之间形成有第一反应层8及第二反应层9。 
首先，对第一收缩抑制层6实施箭头10所示的喷砂处理以除去第一收缩抑制层6时，作用于陶瓷层叠体2的压缩应力被释放，因而如图6所示，产生第一主面4侧凸出的翘曲。接着，如果除去第二收缩抑制层7，则在第二主面5侧也会产生同样的压缩应力的释放，其结果是，陶瓷层叠体2成为大致平坦的状态。 
然而，在上述收缩抑制层6及7的除去工序中，受到陶瓷层叠体2中的导体膜或通孔导体之类的导体部分的分布状况及陶瓷层3的厚度、组成等的影响，有时会产生不均一的压缩应力，因此由陶瓷层叠体2构成的多层陶瓷基板有时会残留有翘曲。此外，已知位于陶瓷层叠体2的主面4及5上的表面导体膜也会对上述翘曲造成很大的影响。 
专利文献1：日本专利特开2001-60767号公报 
专利文献2：WO2002/043455再公开公报 
发明的揭示 
因此，本发明的目的是提供一种能抑制因上述的收缩抑制层的除去而产生的翘曲的多层陶瓷基板的制造方法。 
本发明的另一个目的是提供一种通过上述制造方法制成的多层陶瓷基板。 
本发明的又一个目的是提供一种多层陶瓷基板的翘曲抑制方法。 
本发明的多层陶瓷基板的制造方法包括： 
准备复合层叠体的工序，该复合层叠体包括生陶瓷层叠体以及第一及第二收缩抑制层，所述生陶瓷层叠体是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层层叠而成的层叠体，所述第一及第二收缩抑制层分别配置于所述陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上，且含有在能够使低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料； 
烧成工序，在该烧成工序中，在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结、并且分别沿着陶瓷生坯层与第一收缩抑制层的界面以及陶瓷生坯层与第二收缩抑制层的界面使低温烧成陶瓷材料与无机材料彼此发生化学反应而生成第一及第二反应层的烧成条件下，对复合层叠体进行烧成；以及 
除去工序，在该除去工序中，在烧成工序后，从复合层叠体除去第一及第二收缩抑制层。 
上述多层陶瓷基板的制造方法中，为了解决上述技术问题，本发明的特征在于，除去工序包括减少第一及第二反应层中的至少一层的厚度，藉此使第一及第二反应层各自的厚度互不相同的工序。 
较好的是还包括在陶瓷层叠体的第一及第二主面上分别形成第一及第二表面导体膜的工序，在第二表面导体膜的面积小于第一表面导体膜的面积的情况下，在除去工序中使第二反应层的厚度小于第一反应层的厚度。 
在上述情况下，虽然陶瓷层叠体的第一及第二主面分别具有未形成第一及第二的表面导体膜的第一及第二非导体形成区域，但较好的是实施除去工序，使得分别位于第一及第二非导体形成区域上的第一及第二反应层各自的体积彼此实质上相同。 
本发明的多层陶瓷基板的制造方法中，较好的是在除去工序中对收缩抑制层实施喷砂处理。 
本发明也适用于通过上述制造方法制成的多层陶瓷基板。 
本发明的多层陶瓷基板的特征在于，包括由层叠的多个陶瓷层构成的陶瓷层叠体，该多个陶瓷层由低温烧成陶瓷材料的烧结体形成，在陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上分别形成有第一及第二反应层，该第一及第二反应层通过低温烧成陶瓷材料与在能够使低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料彼此发生化学反应而生成，第一及第二反应层各自的厚度互不相同。 
本发明的多层陶瓷基板中，较好的是在陶瓷层叠体的第一及第二主面上分别形成有第一及第二表面导体膜，在第二表面导体膜的面积小于第一表面导体膜的面积的情况下，使第二反应层的厚度小于第一反应层的厚度。 
在上述情况下，虽然陶瓷层叠体的第一及第二主面分别具有未形成第一及第二表面导体膜的第一及第二非导体形成区域，但是分别位于第一及第二非导体形成区域上的第一及第二反应层各自的体积较好的是彼此实质上相同。 
本发明还适用于通过以下制造方法制成的多层陶瓷基板的翘曲的抑制方法，所述制造方法包括：准备复合层叠体的工序，该复合层叠体包括生陶瓷层叠体以及第一及第二收缩抑制层，所述生陶瓷层叠体是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层层叠而成的层叠体，所述第一及第二收缩抑制层分别配置于陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上，且含有在能够使低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料； 
烧成工序，在该烧成工序中，在能够使低温烧成陶瓷材料烧结、并且分别沿着陶瓷生坯层与第一收缩抑制层的界面以及陶瓷生坯层与第二收缩抑制层的界面使低温烧成陶瓷材料与无机材料彼此发生化学反应而生成第一及第二反应层的烧成条件下，对复合层叠体进行烧成；以及 
除去工序，在该除去工序中，在烧成工序后，从复合层叠体除去第一及第二收缩抑制层。 
本发明的多层陶瓷基板的翘曲抑制方法的特征在于，在准备阶段，包 括以下工序： 
通过所述制造方法预先制造具有规定设计的多层陶瓷基板的工序， 
识别预先制成的多层陶瓷基板的翘曲状态的工序，以及 
根据该翘曲状态，确定能够抑制翘曲的第一及第二反应层各自的厚度的工序； 
在之后的正式制造阶段，在实施所述制造方法的同时，为了得到根据能够抑制翘曲这一条件而确定的第一及第二反应层各自的厚度，在所述除去工序中减少第一及第二反应层中的至少一层的厚度。 
在烧成工序中生成的反应层是对陶瓷层叠体施加压缩应力的层，根据本发明，通过减少第一及第二反应层中的至少一层的厚度，可以使第一及第二反应层各自施加于陶瓷层叠体的压缩应力达到平衡，因此能够抑制多层陶瓷基板的翘曲。因此，能够提高多层陶瓷基板制造中的原材料利用率，并且能够实现多层陶瓷基板的大面积化，因此能够提高多层陶瓷基板的生产效率。 
本发明中，在陶瓷层叠体的第一及第二主面上分别形成有第一及第二表面导体膜的情况下，与未形成表面导体膜的非导体形成区域上相比，在这些表面导体膜上只形成了较薄的反应层，或者是几乎完全未形成反应层。因此，在形成有表面导体膜的区域内，与非导体形成区域相比，由反应层所施加的压缩应力较小。因此，在第二表面导体膜的面积小于第一表面导体膜的面积的情况下，如果使第二反应层的厚度小于第一反应层的厚度，则能够更适当地抑制多层陶瓷基板的翘曲。 
此外，第二表面导体膜的面积如上所述小于第一表面导体膜的面积的情况下，如果位于陶瓷层叠体的第一主面中未形成第一表面导体膜的第一非导体形成区域上的第一反应层的体积与位于第二主面中未形成第二表面导体膜的第二非导体形成区域上的第二反应层的体积实质上相同，则能够更适当地抑制多层陶瓷基板的翘曲。 
本发明的多层陶瓷基板的制造方法中，在实施除去工序时，如果采用喷砂处理，则通过调整喷砂材料的喷出压力和喷出时间或喷砂材料的粒径等，可容易地控制反应层的厚度。 
本发明的多层陶瓷基板的翘曲抑制方法中，为了在准备阶段确定能够抑制翘曲的第一及第二反应层各自的厚度，在之后的正式制造阶段得到根据能够抑制翘曲这一条件而确定的第一及第二反应层各自的厚度，在除去工序中减少了第一及第二反应层中的至少一层的厚度，因此可作为量产性优异的翘曲抑制方法。此外，由于无需调整收缩抑制层的厚度或者是调整收缩抑制层所含的无机材料粉末的粒径，因此可避免工序管理的繁琐。 
附图的简单说明 
图1是一并表示本发明的一个实施方式中的多层陶瓷基板11与安装于其上的安装构件12及13的剖视图。 
图2是表示为了制造图1所示的多层陶瓷基板11而准备的复合层叠体31的剖视图。 
图3是表示图2所示的复合层叠体31的烧成后的状态的剖视图。 
图4是表示从图3所示的复合层叠体31除去了收缩抑制层34及35后的状态的剖视图。 
图5是将图4的A及B的部分放大表示的图。 
图6是表示通过本发明感兴趣的现有的制造方法来制造多层陶瓷基板时所准备的复合层叠体1在除去了一边的收缩抑制层6后的状态的剖视图。 
符号说明 
11    多层陶瓷基板 
14    陶瓷层 
15    陶瓷层叠体 
16    第一主面 
17    第二主面 
18    第一表面导体膜 
19    第二表面导体膜 
22    第一反应层 
23    第二反应层 
31    复合层叠体 
32陶瓷生坯层 
33生陶瓷层叠体 
34第一收缩抑制层 
35第二收缩抑制层 
实施发明的最佳方式 
图1～图5是用于说明本发明的一个实施方式的图。更详细而言，图1是一并表示本发明的一个实施方式中的多层陶瓷基板11与安装于其上的安装构件12及13的剖视图。图2至图4是用于说明图1所示的多层陶瓷基板11的制造方法的图。图5(A)及(B)分别是将图4所示的A及B的部分放大表示的图。 
参照图1，多层陶瓷基板11包括由层叠的多个陶瓷层14构成的陶瓷层叠体15，该多个陶瓷层14由低温烧成陶瓷材料的烧结体形成。在陶瓷层叠体15的彼此相对的第一主面16及第二主面17上分别形成有数个第一表面导体膜18及第二表面导体膜19。本实施方式中，第二表面导体膜19的面积(总面积)小于第一表面导体膜18的面积(总面积)。在陶瓷层叠体15的内部形成有数个内部导体膜20及数个通孔导体21。 
此外，在陶瓷层叠体15的第一主面16及第二主面17上分别形成有第一反应层22及第二反应层23。由后述的制造方法的说明可以明确得知，这些反应层22及23是通过低温烧成陶瓷材料与在能够使该低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料彼此发生化学反应而生成的反应层。本实施方式中，第二反应层23的厚度小于第一反应层22的厚度，此外，位于第一主面16中未形成第一表面导体膜18的第一非导体形成区域上的第一反应层22的体积与位于第二主面17中未形成第二表面导体膜19的第二非导体形成区域上的第二反应层23的体积实质上相同。其理由如后所述。 
此外，将安装构件12及13安装于多层陶瓷基板11上，使其与形成于陶瓷层叠体15的第一主面16上的第一表面导体膜18中的特定的部分电连接。 
下面，参照图2～图5，对多层陶瓷基板11的制造方法进行说明。 
首先，准备图2所示的复合层叠体31。复合层叠体31包括生陶瓷层叠体33，该生陶瓷层叠体33是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层32层叠而成的层叠体。生陶瓷层叠体33在实施后述的烧成工序时将成为陶瓷层叠体15。生陶瓷层叠体33形成有第一及第二表面导体膜18及19、内部导体膜20以及通孔导体21。另外，在图2所示的阶段，这些导体膜18～20及通孔导体21由导电性糊料构成。 
在所述生陶瓷层叠体33的彼此相对的第一主面16及第二主面17上分别配置有第一收缩抑制层34及第二收缩抑制层35。这些收缩抑制层34及35含有在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料的粉末。 
接着，对复合层叠体31进行烧成。其烧成后的状态示于图3。烧成工序在能够使陶瓷生坯层32所含的低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下实施。因此，该烧成工序的结果是，生陶瓷层叠体33成为烧结的陶瓷层叠体15。此时，形成导体膜18～20及通孔导体21的导电性糊料也烧结。 
在该烧成工序中，由于第一收缩抑制层34及第二收缩抑制层35所含的无机材料实质上不会烧结，因此第一收缩抑制层34及第二收缩抑制层35实质上不会收缩。因此，第一收缩抑制层34及第二收缩抑制层35对生陶瓷层叠体33产生作用，抑制其主面方向上的收缩，其结果是，能够提高烧结后的陶瓷层叠体15的尺寸精度。 
此外，在所述烧成工序中，分别沿着陶瓷生坯层32与第一收缩抑制层34的界面以及陶瓷生坯层32与第二收缩抑制层35的界面生成第一反应层22及第二反应层23。这些反应层22及23是在烧成工序中通过陶瓷生坯层32所含的低温烧成陶瓷材料与收缩抑制层34及35所含的无机材料彼此发生化学反应而形成的反应层。此阶段中，第一反应层22及第二反应层23具有实质上彼此相同的厚度。 
在此，化学反应是指低温烧成陶瓷材料所含的成分元素与无机材料所含的成分元素在原子水平上彼此混合。该原子水平上的混合中，有由低温烧成陶瓷材料所含的成分元素与无机材料所含的成分元素形成新的结晶相的情况，也有并非如此的情况。作为不形成结晶相的情况，有低温烧成陶瓷材料及无机材料中的任一方所含的成分元素在另一方所含的玻璃相、非晶相或结晶相中扩散、溶解或固溶的情况。 
所述反应层22及23有时也会形成于表面导体膜18及19上，但其厚度小于未形成表面导体膜18及19的非导体形成区域上的厚度。另外，形成于表面导体膜18及19上的反应层22及23是由导电性糊料所含的玻璃成分与收缩抑制层34及35所含的无机材料彼此发生化学反应而形成的反应层。 
接着，实施从复合层叠体31除去第一收缩抑制层34及第二收缩抑制层35的除去工序，藉此，如图4所示，多层陶瓷基板11被取出。在该除去工序中，实施如下所述的本发明的特征性的工序：减少第一反应层22及第二反应层23中的至少一层的厚度，藉此使第一反应层22及第二反应层23各自的厚度互不相同。 
本实施方式中，如前所述，由于陶瓷层叠体15的第二主面17上的第二表面导体膜19的面积小于第一主面16上的第一表面导体膜18的面积，因此如图5所示，在除去工序中，第二反应层23的厚度T2小于第一反应层22的厚度T1。这是由于以下原因。 
如前所述，反应层22及23有时也会形成于表面导体膜18及19上，但由于形成于表面导体膜18及19上的反应层22及23的厚度较薄，因此施加的压缩应力并不是太大。因此，作用于位于未形成表面导体膜18及19的非导体形成区域上的反应层22及23的压缩应力对多层陶瓷基板11的翘曲造成很大的影响。 
其结果是，将由第一反应层22所施加的压缩应力与由第二反应层23所施加的压缩应力进行比较时，作用于形成有面积较小的第二表面导体膜19、即具有面积较大的非导体形成区域的第二主面17侧的由第二反应层23所施加的压缩应力比作用于形成有面积较大的第一表面导体膜18、即具有面积较小的非导体形成区域的第一主面16侧的由第一反应层22所施加的压缩应力要大。 
在此，为了使这些压缩应力达到平衡，在本实施方式中，如图5(B)中的虚线及实线所示，主要是通过减少第二反应层23的厚度来使第二反应层23的厚度T2小于第一反应层22的厚度T1。其结果是，较好的是位于第一主面16中未形成第一表面导体膜18的第一非导体形成区域上的第一反应层22的体积与位于第二主面17中未形成第二表面导体膜19的第二非导体形成区 域上的第二反应层23的体积实质上相同。 
在除去工序中，较好的是使用喷砂处理。这是因为喷砂处理中，通过调整喷砂材料的粒径或喷砂材料的喷出压力和喷出时间等，可以容易地控制第一反应层22及第二反应层23各自的厚度T1及T2。更具体而言，例如，通过使与压缩空气同时喷射的氧化铝粉末等喷砂材料的粒径不同，可以调整反应层22及23的厚度T1及T2。此外，通过使赋予喷射氧化铝粉末等喷砂材料的能量的压缩空气的压力不同，也可以调整反应层22及23的厚度T1及T2。压缩空气较好的是以98～343kPa范围内的压力与氧化铝粉末等喷砂材料一起喷射。如果以压力未満98kPa的压缩空气进行处理，则喷射压力过低，收缩抑制层34及35的除去能力差，会造成生产性的下降。另一方面，如果以压力超过343kPa的压缩空气进行处理，则因压力而导致喷嘴的劣化加快，此外，压缩空气的消费量增多，运转费用提高，并且有时会损坏多层陶瓷基板11。另外，压缩空气的压力是指喷射前的配管内的压力。 
如上所述进行操作，得到如图4所示的多层陶瓷基板11。 
量产所述多层陶瓷基板时，首先，作为准备阶段，进行如下操作：按照常规的制造方法，准备复合层叠体，对该复合层叠体进行烧成，接着，通过从复合层叠体除去第一及第二收缩抑制层，从而先行制造出具有规定设计的多层陶瓷基板后，识别该先行制造的多层陶瓷基板的翘曲状态，根据该翘曲状态来确定能够抑制翘曲的第一及第二反应层各自的厚度。 
然后，在之后的正式制造阶段，在实施上述制造方法的同时，为了得到根据能够抑制翘曲这一条件而确定的第一及第二反应层各自的厚度，在除去收缩抑制层的工序中减少第一及第二反应层中的至少一层的厚度。藉此，可在翘曲被抑制的状态下量产多层陶瓷基板。 
下面，对为了确认本发明的效果而实施的实验例进行说明。 
将由SiO2、Al2O3、B2O3及CaO混合而成的结晶化玻璃粉末与氧化铝粉末以等重量比率混合。然后，相对于该混合粉末100重量份，加入聚乙烯醇缩丁醛15重量份、异丙醇40重量份及甲苯(Toluol)20重量份，用球磨机混合24小时，得到浆料。接着，通过刮刀(doctor blade)法将该浆料成形为片状，得到厚度120μm的陶瓷生坯。然后，将该陶瓷生坯切割成平面尺寸为 135mm见方，作为陶瓷层用生坯。 
另一方面，相对于平均粒径为1.0μm的氧化铝粉末100重量份，加入聚乙烯醇缩丁醛15重量份、异丙醇40重量份及甲苯20重量份，用球磨机混合24小时，得到浆料。接着，通过刮刀法将该浆料成形为片状，得到厚度120μm的陶瓷生坯。然后，将该陶瓷生坯切割成平面尺寸为135mm见方，作为收缩抑制层用生坯。 
接着，根据表1的「陶瓷层层叠数」所示的层叠数来层叠陶瓷层用生坯，藉此获得生陶瓷层叠体，并且在生陶瓷层叠体的第一及第二主面上分别形成表面导体膜，使它们的面积达到表1的「导体膜的面积比率」所示的面积比率。然后，在该生陶瓷层叠体的第一及第二主面上分别层叠3块收缩抑制层用生坯，以压力50MPa及温度60℃的条件加压，使生坯彼此加压密合，从而得到复合层叠体。 
接着，在由具有面方向上的单位长度的翘曲量为0.05％以下的平坦度且气孔率为70％的氧化铝板所构成的托盘上放置所述复合层叠体，以600℃的温度加热3小时后，以900℃的温度烧成1小时，从而只使陶瓷层叠体烧结。 
接着，为了除去也包含反应层的收缩抑制层，将水与147kPa的压缩空气一起进行120秒的喷射。接着，将调整为含有30％浓度的平均粒径30μm的氧化铝粉末的浆料与将压力调整至98～343kPa范围内的压缩空气一起喷射120秒，以获得表1的「反应层的厚度比」所示的反应层的厚度。然后，评价如上所述调整了反应层的厚度后的多层陶瓷基板的翘曲量。其结果如表1的「基板翘曲量」所示。 
此外，表1的「反应层的厚度比为1∶1时的基板翘曲量」表示反应层的厚度比为1∶1时的比较例中的多层陶瓷基板的翘曲量。 
【表1】 
Figure G200880013670XD00121
由表1可知，通过调整反应层的厚度比，能够使基板翘曲量达到未满0.1％，与反应层的厚度比为1∶1时的基板翘曲量相比，能够大幅降低翘曲量。 

Claims (6)

1.一种多层陶瓷基板的制造方法，包括：
准备复合层叠体的工序，该复合层叠体包括生陶瓷层叠体以及第一及第二收缩抑制层，所述生陶瓷层叠体是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层层叠而成的层叠体，所述第一及第二收缩抑制层分别配置于所述陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上，且含有在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料的粉末；
烧成工序，在该烧成工序中，在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结、并且分别沿着所述陶瓷生坯层与所述第一收缩抑制层的界面以及所述陶瓷生坯层与所述第二收缩抑制层的界面使所述低温烧成陶瓷材料与所述无机材料彼此发生化学反应而生成第一及第二反应层的烧成条件下，对所述复合层叠体进行烧成；以及
除去工序，在该除去工序中，在所述烧成工序后，从所述复合层叠体除去所述第一及第二收缩抑制层；
还包括在所述陶瓷层叠体的所述第一及第二主面上分别形成第一及第二表面导体膜的工序，所述第二表面导体膜的面积小于所述第一表面导体膜的面积；所述除去工序包括减少所述第一及第二反应层中的至少一层的厚度，藉此使所述第二反应层的厚度小于所述第一反应层的厚度，在所述除去工序中，使分别位于第一及第二非导体形成区域上的所述第一及第二反应层各自的体积彼此实质上相同。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述陶瓷层叠体的所述第一及第二主面分别具有未形成所述第一及第二表面导体膜的第一及第二非导体形成区域。
3.如权利要求1或2所述的多层陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述除去工序包括对所述收缩抑制层实施喷砂处理的工序。
4.一种多层陶瓷基板，其特征在于，
包括由层叠的多个陶瓷层构成的陶瓷层叠体，所述多个陶瓷层由低温烧成陶瓷材料的烧结体形成，
在所述陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上分别形成有第一及第二反应层，还形成有第一及第二表面导体膜，所述第一及第二反应层通过所述低温烧成陶瓷材料与在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料彼此发生化学反应而生成，所述第二表面导体膜的面积小于所述第一表面导体膜的面积，
所述第二反应层的厚度小于所述第一反应层的厚度，分别位于第一及第二非导体形成区域上的所述第一及第二反应层各自的体积彼此实质上相同。
5.如权利要求4所述的多层陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷层叠体的所述第一及第二主面分别具有未形成所述第一及第二表面导体膜的第一及第二非导体形成区域。
6.一种多层陶瓷基板的翘曲抑制方法，该方法是通过以下制造方法制成的多层陶瓷基板的翘曲的抑制方法，所述制造方法包括：
准备复合层叠体的工序，该复合层叠体包括生陶瓷层叠体以及第一及第二收缩抑制层，所述生陶瓷层叠体是将含有低温烧成陶瓷材料的多个陶瓷生坯层层叠而成的层叠体，所述第一及第二收缩抑制层系分别配置于该陶瓷层叠体的彼此相对的第一及第二主面上，且含有在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结的烧成条件下不会烧结的无机材料的粉末；
烧成工序，在该烧成工序中，在能够使所述低温烧成陶瓷材料烧结、并且分别沿着所述陶瓷生坯层与所述第一收缩抑制层的界面以及所述陶瓷生坯层与所述第二收缩抑制层的界面使所述低温烧成陶瓷材料与所述无机材料彼此发生化学反应而生成第一及第二反应层的烧成条件下，对所述复合层叠体进行烧成；以及
除去工序，在该除去工序中，在所述烧成工序后，从所述复合层叠体除去所述第一及第二收缩抑制层；其特征在于，
还包括在所述陶瓷层叠体的所述第一及第二主面上分别形成第一及第二表面导体膜的工序，所述第二表面导体膜的面积小于所述第一表面导体膜的面积；
在准备阶段，包括以下工序：
通过所述制造方法预先制造具有规定设计的多层陶瓷基板的工序，
识别预先制成的所述多层陶瓷基板的翘曲状态的工序，以及
根据所述翘曲状态，确定能够抑制翘曲的所述第一及第二反应层各自的厚度的工序；
在之后的正式制造阶段，在实施所述制造方法的同时，为了得到根据能够抑制翘曲这一条件而确定的所述第一及第二反应层各自的厚度，在所述除去工序中减少所述第一及第二反应层中的至少一层的厚度，藉此使所述第二反应层的厚度小于所述第一反应层的厚度，在所述除去工序中，使分别位于第一及第二非导体形成区域上的所述第一及第二反应层各自的体积彼此实质上相同。
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