TWI356665B - - Google Patents

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1356665 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種多層陶瓷基板、其製造方法及其翹 曲抑制方法’特別是關於使用所謂無收縮步驟之多層陶瓷 基板之製造方法、依此製造方法所得之多層陶瓷基板、及 其翹曲抑制方法。 【先前技術】 依據所明無收縮步驟製造多層陶竞基板時，首先，準 備一種複合積層體，其包含生陶瓷積層體及第丨、第2收縮 抑制層，該生陶瓷積層體係將包含低溫燒成陶瓷材料之複 數陶瓷生胚層積層所形成者，該帛i及第2收縮抑制層係 分別配置於與此陶兗積層體其相對向之第1及第2主面上 且含有於能夠讓上述低溫燒成陶£材㈣結的燒成條件下 不會燒結之無機材料的粉末。 接著，在能夠讓上述低溫燒成陶瓷材料燒結的燒成條 件下燒成複合積層體。於此燒成步驟中，因上述無機材料 實質上不會燒結，故第i及第2收縮抑制層實質上不會收 縮。因此，第i及第2收縮抑制層，對於陶究積層體會產 生抑制其向主面方向收縮的作用，其結果，可以提高陶究 積層體即所欲製造之多層陶完基板的尺寸精度。又，於燒 成步驟中’已知沿著收縮抑制層與陶兗生胚層之間的： 面，低溫燒成陶瓷材料與無機材料會互相產生化學反應而 生成反應層。 a 5 1356665 ，藉此，從複合 所要之多層陶瓷 其次，例如會施以喷吹（blasting)處理 積層體除去第1及第2收縮抑制層，取出 基板。 驟來製造多層陶瓷基板之製造 能夠以高尺寸精度來製造多層 會成為多層陶瓷基板之生陶瓷 藉由如上述之無收縮步 方法’可特別是在主面方向 陶瓷基板。然而，因為受到

積層體中如導體膜或導通導體（化_一。〇之導體部分的 分布狀況的影響，且受到陶究生胚層的厚度、組成等的影 U㈣基板會產线曲。特別是 目前已知：位於生陶究積層體的主面上之表面導體膜對勉 曲會造成莫大的影響。 為了抑制如此之翹曲，例如在日本專利特開 20〇1-6〇767號公報（專利文獻丨）中，已提出一種在第i及第 2收縮抑制層之間改變厚度的方法。又，在w〇2〇〇2/〇43455 再公表公報（專利文獻2)中，已提出一種在第丨及第2收縮 抑制層之間改變收縮抑制層所含之無機材料粉末粒徑的方 法0 然而’縱然使用上述技術能夠抑制於燒成時所產生之 趣曲’於除去收縮抑制層之時’有時會產生新的翹曲，或 者是魅曲的程度會加大。參照圖6加以說明此狀況。 於圖6，以截面圖表示結束燒成步驟，接著除去第1收 縮抑制層6(以虛線表示）之後的複合積層體i。 複合積層體1具備由複數之陶瓷層3所構成之陶瓷積 層體2 ’該複數之陶瓷層3係由低溫燒成陶瓷材料的燒結體 丄力6665 斤屯成並且經積層而成者。又，於圖6中，省略與陶竞陶 資*積層體2相關所設置之導體膜或導通導體等的圖示。以 刀别覆蓋陶瓷積層體2其相對向之第1主面4及第2主面5 的方式’配置有第丨收縮抑制層6及第2收縮抑制層7。又， 此等第1收縮抑制層6及第2收縮抑制層7與陶瓷積層體2 之間形成有第1反應層8及及第2反應層9。

首先’對著第1收縮抑制層6，施以如箭頭1 〇所示之 噴人處理，於除去第1收縮抑制層ό之時，藉由解放作用 於陶瓷積層體2之壓縮應力，如圖6所示，產生以第丨主 面4側為凸之翹曲。接著，如除去第2收縮抑制層7，則於 第2主面5側也會產生同樣的壓縮應力的解放，其結果， 陶竟積層體2會變成近乎平坦的狀態。 然而，縱然於如此收縮抑制層6及7的除去步驟中， 因為受到陶£積層冑2 +如導體膜或導通導體之導體部分 的分布狀況或、陶£層3的厚度、組成等的影響，有時不 平，的壓縮應力會起作用，故有時以陶£積層冑2所構成 之夕層陶瓷基板會殘留翹曲。又，關於此翹曲，已知對於 位於陶瓷積層體2的主面4及5 Η志釐 叫η夂5上之表面導體膜也會造成 莫大的影響》 專利文獻1 ·日本專利特開2〇〇16〇767號公報 專利文獻2: W02002/043455'再公表公報 【發明内容】 亦即，本發明之目的 係提供一種多層陶瓷基板之製 7 1356665 造方法，其可以抑制如上述因為除去收縮抑制層而產生之 翹曲’本發明之其他目#，係提供一種依據上述之製造方 法所製造出來的多層陶兗基板；本發明之進—步其他目 的，係提供一種多層陶瓷基板的翹曲抑制方法。 本發明之多層陶瓷基板之製造方法，其包含： 準備複合積層體之步驟，該複合積層體包含生陶竟積 層體及第1及帛2收縮抑制層，該生陶曼積層體係將包含 低溫燒成陶瓷材料之複數陶瓷生胚層積層所形成者，該第i 及第2收縮抑制層係分別配置於此陶瓷積層體其相對向之 第1及第2主面上且含有於能夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒 結的燒成條件下不會燒結之無機材料的粉末； 燒成步驟，在能夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒結的同 時，分別沿著該陶瓷生胚層與該第丨收縮抑制層之間的界 面以及該陶瓷生胚層與該第2收縮抑制層之間的界面，在 能讓該低溫燒成陶瓷材料與該無機材料互相產生化學反應 而生成第1及第2反應層的燒成條件下，燒成該複合積層 .體； 除去步驟，該燒成步驟之後，從該複合積層體除去該 第1及第2收縮抑制層。 於如此之多層陶瓷基板之製造方法，為了解決上述技 術性課題，本發明之特徵在於：除去步驟係包含減少該第i 及第2反應層中至少一者之厚度，藉此讓該第〖及第2反 應層各自之厚度相異之步驟，。 其進一步具備分別於陶瓷積層體的第丨及第2主面上 8 1356665 形成第1及第2表面導體膜之步驟，當第2表面導體膜的 ::做成比第1表面導體膜的面積還要小時，則於除去步 =策較佳為第2反應層的厚度做成比第ι反應層的厚度 還要薄。 在上述情況下，雖然陶瓷積層體的第1及第2主面， 分別具有未形成第i及第2的表面導體臈之第i及第2導 體未形成區域，但較佳為’讓分別位於第ι及第2 形成區域上之第1及第2反應層各 分目的體積實質上能夠相 同的方式來實施除去步驟。 本發明之多層陶宪基板之製造方法中，除去步驟較佳 為以對於收縮抑制層施以喷吹處理之方式來進行。 本發明又適用於依照上述數造方法所製造出來的多層 陶瓷基板。 曰 本發明之多層陶兗基板，其特徵在於：其具備由複數 之陶竟層所構成之陶莞積層體，該複數之陶究層係由低溫 • 燒成陶瓷材料的燒結體所形成並且經積層而成者；且於該 陶究積層體其相對向之第1及第2主面上分別形成第i及 第2反應層，該第丨及第2反應層係由該低溫燒成陶瓷材 料與於能夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒結的燒成條件下不會 燒結之無機材料互相產生化學反應所生成，且該第1及第2 反應層各自的厚度相異。 本發明之多層陶瓷基板中，於陶瓷積層體的第1及第2 主面上，分別形成第丨及第2表面導體膜，當第2表面導 體膜的面積比第1表面導體膜的面積還要小時，較佳為第2 9 1356665 反應層的厚度比第1反應層的厚度還要薄。 在上述情況下，雖然陶瓷積層體的第丨及第2主面， 分別具有未形成第1及第2表面導體膜之第i及第2導體 未形成區& ’但是分別位於第i及第2導體未形成區域上 之第1及第2反應層各自的體積，較佳為彼此實質上相同。 進一步，本發明亦適用於抑制具備以下製造方法所製 造出來的多層陶瓷基板的翹曲： 準備複合積層體之步驟，該複合積層體含有生陶瓷積 層體及第1及第2收縮抑制層，該生陶究積層體係將包含 低溫燒成陶瓷材料之複數陶瓷生胚層積層所形成者、該第i 及第2收縮抑制層係分別配置於此陶瓷積層體其相對向之 第1及第2主面上且含有於能夠讓該低溫燒成陶究材料燒 結的燒成條件下不會燒結之無機材料的粉末； k成步驟在犯夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒結的同 時’分別沿著㈣究生胚層與該帛丨㈣抑制層之間的界 面以及該陶瓷生胚層與該第2收縮抑制層之間的界面在 能讓該低溫燒成陶瓷材料與該無機材料互相產生化學反應 而生成第1及第2反應層的燒成條件下，燒成該複合積層 體； 除去步驟，該燒成步驟之後，從該複合積層體除去該 第1及第2收縮抑制層。 本發月之夕層陶瓷基板的龜曲抑制方法，其特徵在 於.於準備階段，具備以下步驟·· 以該製造方法預先製造具有既定設計之多層陶瓷基板 1356665 之步驟； 辨識預先製造之該多層陶瓷基板之翹曲狀態之步驟； 視。亥趣曲狀態’決定能夠抑制翹曲之該第1及第2反 應層之各厚度之步驟； θ於之後的正式製造階段，實施該製造方法，同時為了 知到此夠抑制趣曲所決定之該第1及第2反應層之各厚 I係、在該除去步驟’減少該第1及第2反應層中至少-者之厚度。 册於燒成步驟中所生成之反應層，雖然對於陶瓷積層體 曰▼來壓縮應力’但根據本發明，藉由減少第1及第2反 應層中至少—者之厚度，因而可以取得第1及第2反應層 各自施於陶£積層體之壓縮應力的平衡，故能夠抑制多層 陶，基板的翹曲。因此，在能夠提高多層陶瓷基板製造之 成率的同時，也能夠謀求多層陶瓷基板的大面積化，基 於此，能夠提高多層陶兗基板的生產效率。 ，本發明中，於陶瓷積層體的第1及第2主面上，分別 形成第1及第2表面導體膜時，於此等表面導體膜上和 未形成有表面導體膜之導體未形成區域上相比，只薄薄地 成了反應層，或者是幾乎完全未形成反應層。因此，在 形成表面導體膜之區域，和導體未形成區域相&，反應層 帶來的壓縮應力較小。因此，當帛2表面導體膜的面積比 第表面導體膜的面積還要小時，如果第2反應層的厚度 成第1反應層的厚度還要薄，則能夠更適切地抑制多 層陶瓷基板的趣曲。 11 1356665 又，如上所述第2表面導體膜的面積比第^面導體 膜的面積還要小時，如果位於㈣積層體的第丨主面中未 形成第1表面導體膜之第i導體未形成區域上之第1反應 二的體積貞位於第2主面中未形成第2表面導體膜之第2 導體未形成區域上之第2反應層的體積實質上相等時則 能夠更適切地抑制多層陶瓷基板的翹曲。 於本發明之多層陶兗基板之製造方法中，在實施除去

步驟之際，如適用喷吹處理’則藉由調整噴吹材的喷出壓 力或噴出時間或者是喷吹#的粒徑等，能夠輕易地控制反 應層的厚度。 依據本發明之多層陶瓷基板的魅曲抑制方法，為了於 準備階段決定能夠抑频曲之第i及帛2反應層各自之厚 度，並且於之後的正式製造階段得到能夠抑制翹曲所決定 之第1及第2反應層各自之厚度，係於除去步驟減少第工 及第2反應層中至少—者之厚度，故可以作為量產性優異 之輕曲抑制方法。χ，因為不須調整收縮抑制層的厚度， 或者是調整含於收縮抑制層之無機材料粉末的粒徑，故可 以避免步驟管理的繁項。 【實施方式】 圖1至圖5係說明本發明之一實施形態。更詳細來看， 圖1為一併表示本發明之一實施形態的多層陶瓷基板11與 構裝於其上之構裝零件^及13的截面圖。圖2至圖4係 為了說明圖1所示之多層陶瓷基板11之製造方法。圖5(A) 12 1356665 及（B)分別放大表示圖4所示部分a及b。 參照圖卜多層陶瓷基板11具備由複數陶瓷層14所構 成之陶瓷積層體15,該複數陶瓷層14係由低溫燒成陶瓷材 料的燒結體所形成並且經積層之而成者。於陶瓷積層體Η 其相對向之第1主面16及第2主面17上分別形成數個第i 表面導體膜18及第2表面導體膜19。本實施形態中，第2 表面導體膜19的面積係做成（合計面積）比第丨表面導體膜 18的面積（合計面積）還要小。於陶瓷積層體μ的内部，形 成數個内部導體膜2〇及數個導通導體21。 又，陶瓷積層體15的第1主面16及第2主面17上， 分別形成有第1反應層22及第2反應層23。此等反應層 22及23，從後述之製造方法的說明可以明確得知係由低 溫燒成陶兗材料與於能夠讓低溫燒成陶究材料燒結的燒成 仏件下不會燒結之無機材料互相產生化學反應所生成者。 本實施形·中’第2反應層23的厚度係做成比第！反應層 22的厚度還要薄’又’位於第i主面16中未形成第i表面 導體膜18之第1導體未形成區域上之第}反應層22的體 積，被視為與位於第2主面17中未形成第2表面導體膜Η 之第2導體未形成區域上之第i反應層以的體積彼此實質 上相等。關於其理由如後所述。 又，將構裝零件12及13構裝於多層陶瓷基板u上， 使其與於陶竟積層體15的第【主面16上所形成之第4 面導體膜18中之特定者在電力上相連。 其次，參照圖2至圖5,針對多層陶瓷基板11之製造 13

1JJOODD 方法作說明。 耳先，準備於圖2所示之複合積層冑Μ。複合積層體 /、備生陶瓷積層體33，該生陶瓷積層體33係將含有低 溫燒成陶瓷材料之複數陶竟 - 岡丈生胚層32積層所形成者。生陶 =積層體33㈣施後述燒成步驟時會變成㈣積層體⑴ 、生陶瓷積層體33係形成有第！及第2表面導體膜 玉9、内部導體膜2〇以及導 、 汉等逋導體21。又，於圖2所示階段 春巾’此等導體膜18〜2〇及導通導體21係由導電性糊所構成。 於上述生陶瓷積層體33其相對向之第】主面Μ及第2 ::17上’分別配置有第！收縮抑制層34及第2收縮抑 制^〜此等收縮抑制層34及^，含有於能夠讓前述低 溫燒成陶究材料燒結的燒成條件下不會燒結之無機材料的 粉末。 其次’將複合積層體31加以燒成。於圖3表示 後之狀態。燒成步驟係於能夠讓陶究生胚屬32所含… 齡燒成陶究材料燒結的燒成條件下實施。因此，此燒成步: 的結果，生陶曼積層體33會變成燒結的陶究積層體15。此 時，形成導體膜18〜2〇及導通導體21的導電性糊也會燒結。 此燒成步驟中，因第1收縮抑制層34及第2收縮抑制 層35所含之無機材料實質上不會燒結，故第i收縮抑制層 34及第2收縮抑制層35實質上不會收縮。因此，第i枚縮 抑制層34及第2收縮抑制層35,對於生陶究積層體33， 會產生抑制其向主面方向收縮之作用，其結果可以提高燒 結後的陶兗積層體15的尺寸精度。 1356665 又，於上述之燒成步驟中，分別沿著陶瓷生胚層32與 第1收縮抑制層34之間的界面以及陶瓷生胚層32與第2 收縮抑制層35之間的界面，生成第1反應層22及第2反 應層23。此等反應層22及23，係於燒成步驟中，含於陶 瓷生胚層32之低溫燒成陶瓷材料與含於收縮抑制層34及 35之無機材料互相產生化學反應所形成者。此階段中第 1反應層22及第2反應層23,實質上彼此具有相等之厚度。 在此’所謂的化學反應係指低溫燒成陶瓷材料所含之 成为元素與無機材料所含之成分元素互相利用原子能階混 合。此於原子能階的混合，有從低溫燒成陶瓷材料所含之 成分元素與無機材料所含之成分元素形成新的結晶相的情 況，也有並非如此的情況。而未形成結晶相的情況，有含 於低溫燒成陶瓷材料及無機材料中任一者之玻璃相、非晶 相或結晶相之中，其中另一個所含之成分元素擴散、溶解 或固溶的情況。 雖然有時也會於表面導體膜18及19上形成有上述之 反應層22及23,但是其厚度比未形成表面導體膜18及19 之導體未形成區域上的厚度還要薄。再者，於表面導體膜 18及19上形成之反應層22及23，為導電性糊所含之玻璃 成分與收縮抑制層34及35所含之無機材料互相產生化學 反應所形成者。 其次’實施從複合積層體31除去第1收縮抑制層34 及第2收縮抑制層35之除去步驟，藉此，如圖*所示，多 層陶瓷基板11被取出。於此除去步驟中，減少第j反應層 15 1356665 22及第2反應層23中至少一者之厚度，藉此，實施讓第1 反應層22及第2反應層23各自之厚度相異此一本發明特 徵步驟。 本實施形態中，如前所述，因為陶瓷積層體15的第2 主面17上之第2表面導體膜19的面積比第1主面16上之 第1表面導體膜18的面積還要小，如圖5所示，除去步驟 中’第2反應層23的厚度T2比第！反應層22的厚度Tl 還要薄。此乃依據以下理由。 如前所述’於表面導體膜18及19上雖然也會形成有 反應層22及23,但是因為於表面導體膜18及19上形成之 反應層22及23的厚度較薄’因此造成的廢縮應力並不是 太大。因此’作用於位於未形成表面導體膜18及19之導 體未形成區域上之反應層22及23之壓縮應力對多層陶竟 基板11的翹曲造成报大的影響。 其結果’在將第1反應層22所造成之壓縮應力與第2 反應層23所造成之壓縮應力加以比較.時，作用於形成有面 積較小之第2表面導體膜19(亦即，具有面積較大之導體未 形成區域）之第2主面17那一側之第2反應層23所造成之 壓縮應力’變得比作用於形成有面積較大之第1表面導體 膜18(亦即，具有面積較小之導體未形成區域）之第丨主面 1 6那一側之第丨反應層22所造成之壓縮應力還要大。 在此’為了取得此等壓縮應力的平衡，於本實施形態 中’如圖5(B)中虛線及實線所示，主要是藉由減少第2反 應層23的厚度，來讓第2反應層23的厚度T2比第丨反應 16 1356665 層22的厚度T1還要薄。 、，Ό果，較佳為位於第1主面16 中未形成第1表面導體膜 / 之第1導體未形成區域上之笛 反應層22的體積，與位 導體膜19之第2導體切面中未形成第2表面 積實質上相等。 /成區域上之第2反應層23的雜 藉由=!:'，較佳係使用喷吹處理。因為喷吹處理 等曰:α的粒輕或者是嘴吹材喷出遷力或喷出時間 等，旎夠輕易地控制第】 反應層22及第2反應層23各自 之厚度Τ1及Τ2。更目.f二，. 一 ^而§，例如，藉由使與壓縮空氣同 、人之氧化紹粉末等嘴吹材的粒徑相異可以調整反應 層22及23的厚唐T1 Ά to 。又，藉由使賦予喷吹氧化鋁粉 :等喷吹材能量之麼縮空氣的麼力相異，也可以調整反應 曰22及23的厚度T1及T2。壓縮空氣較佳為以％〜⑷心 範圍内之壓力與氧化紹粉末等之喷吹材同時喷塗。若以歷 力未满98kPa的壓縮空氣進行處理，則喷塗的壓力過低， 收縮抑制層34及35的除去能力較差，會造成生產性的低 洛。另—方面’若以壓力超過343kpa的壓縮空氣進行處理， 則因為壓力的緣故管嘴提早損耗，又，壓縮空氣的消費量 會增加’運轉費用提高的同時，有時會損壞多層陶曼基板 1卜再者’所謂壓縮空氣的壓力’係指喷塗前之配管内的 壓力。 依據以上之方式，得到如圖4所示之多層陶莞基板u。 量產此種多層陶瓷基板之際，首先，就準備階段而言， 按照一般之製造方法，準備複合積層體，將此複合積詹體 17 丄356665 加以燒成’接著，藉由從複合積層體除去第1及第2收縮 抑制層，先行製造具有既定設計之多層陶瓷基板後，辨識 此先行製k之多層陶瓷基板的翹曲狀態，視其翹曲狀態， 再決疋能夠抑制赵曲之第1及第2反應層各自之厚度。 然後，於之後的正式製造階段，一邊實施上述之製造 方法為了得到能夠抑制翹曲所決定之第丨及第2反應層 各自之厚度，在除去收縮抑制層之步驟，減少第1及第2 反應層中至少一者之厚度。如此一來，便可以在勉曲被抑 制的狀態下量產多層陶瓷基板β 其-人，針對為了確認本發明効果所實施的實驗例作說 明。 將混合了 Si〇2、A12〇3、B2〇3及Ca〇之結晶化玻璃粉 "、氧化鋁粕末以等重量比率混合。然後，相對於此混合 1 100重量份’加入聚乙稀丁路15重量份異丙醇如 重量份及甲苯(T〇丨U〇1)20重量份，以球磨機混合24小時得

到聚料。接著，藉由刮刀（dGetGr blade)法讓裂料成形為片 狀，得到厚度12〇μιη的陶兗生胚片（green sheet)。然後將 此陶瓷生胚片切割為平面尺寸為135mm見方，作為陶瓷層 用生胚片。 另一方面，相對於平均粒徑為丨〇μιη的氧化鋁粉末1〇〇 重量份’加入聚乙烯醇縮丁搭15重量份、異丙醇4〇重量 份及甲苯20重量份，以球磨機混合24小時得到浆料。接 者’藉由到刀法將此敷料成形為片狀，得到厚度12〇_的 陶竟生胚片。然後’將此陶究生胚片切割為平面尺寸為 18 1356665 13 5mm見方，作為收縮抑制層用生胚片。 其次，藉由以表1之「陶瓷層積層數」所示之積層數 來積層陶竟層用生胚片’獲得生陶究積層冑，同時於生陶 竟積層體的第i及第2主面±，以表】之「導體膜的面積 比率」所示之面積比率分別形成表面導體膜。然後，分別 於此生陶兗積層體的第i及第2主面上，每3枚收縮抑制 層用生胚片積層一次，以壓力為5〇MPa及溫度為6〇。〇的條 件來進行加壓，藉由使生胚片加壓密合，得到複合積層體i 其次，於具有在面方向每單位長之翹曲量為〇 〇5%以下 之平坦度且氣礼率為70%的氧化鋁板所構成之托盤上放置 上述複合積層體，以600。〇的溫度加熱3小時之後，藉由以 900 C的溫度燒成1小時，只讓陶瓷積層體燒結。 其次，為了除去亦含有反應層之收縮抑制層，將水與 147kPa的壓縮空氣同時進行12〇秒的喷吹。接著，將調整 成含有平均粒徑30μιη之氧化鋁粉末30%濃度後之漿料，與 經98〜343kPa範圍内之壓力進行壓力調整過之壓縮空氣一 同喷塗120秒以獲得表丨之「反應層的厚度比」所示之反 應層厚度。然後’評價如此之反應層的厚度經調整過後之 多層陶瓷基板的翹曲量。其結果如表1的「基板赵曲量」 所示。 又’表1之「反應層的厚度比為1: 1時的基板翹曲量」 係表示反應層的厚度比為丨：1時，比較例之多層陶竞基板 的魅曲量。 19 1356665 【表i】 試料號碼 1 2 3 4 5 導體膜 的面積 比率 第1主面 60% 60% 50% 40% 60% 第2主面 10% 10% 20% 30% 10% 陶瓷層積層數 10 5 10 5 10 反應層的厚度比 (第1反應層:第2反應層） 6:1 6:1 5:2 4:3 9:4 基板魅曲量 <0.1% <0.1% <0.1% <0.1% <0.1% 反應層的厚度比 為1:1時的基板鍾曲量 0.5% 1.0% 0.45% 0.4% 0.5% 從表1，可知藉由調整反應層的厚度比，能夠讓基板翹 曲量達到未滿〇.1%，且與反應層的厚度比為1 : 1時的基板 赵曲量相比，能夠大幅地降低翹曲量。

【圖式簡單說明】 圖1係一併表示本發明特定實施形態之多層陶瓷基板 -、構裝於其上之構裝零件12及13的截面圖。 圖2係表示用以製造目i所示之多層陶竟基板U所準 備之複合積層體31的截面圖。 圖3係表示圖 截面圖。 2所示之複合積層體31之燒成後狀態的 係表不從圖3所示之複合積層體31除去收縮抑制 20 1356665 層34及35後之狀態的載面圖。 圖5係放大表示圖4的部分A及B。 圖6係表示以本發明之改良對象之習知製造方法來製 造多層陶瓷基板時所準備之複合積層體1在除去一邊之收 縮抑制層6後之狀態的截面圖。

【主要元件符號 說 明 ] 11 多 層 陶 瓷基板 14 陶 瓷 層 15 陶 瓷 積 層 體 16 第 1 主 面 17 第 2 主 面 18 第 1 表 面 導 體 膜 19 第 2 表 面 導 體 膜 20 内 部 導 體 膜 22 第 1 反 應 層 23 第 2 反 應 層 3 1 複 合 積 層 體 32 陶 瓷 生 胚 層 33 生 陶 瓷 積 層 體 3.4 第 1 收 縮 抑 制 層 35 第 2 收 縮 抑 制 層 21

Claims (1)

1356665 十、申請專利範圍： i· 一種多層陶瓷基板之製造方法，其包含： 準傭複合積層體之步驟，該複合積層體包含生陶竞積 層體及第！及第2收縮抑制層，該生陶究積層體係將包含 低溫燒成陶宪材料之複數陶曼生胚層積層所形成者，該第i 及第2收縮抑制層係分別配置於此陶㈣層體其相對向之 第及第2主面上且含有於能夠讓該低溫燒成陶竞材料燒 結的燒成條件下不會燒結之無機材料的粉末； 燒成步㉟，在能夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒結的同 時，分別沿著該陶瓷生胚層與該第丨收縮抑制層之間的界 ▲面以及該陶究生胚層與該第2收縮抑制層之間的界面，在 能讓該低溫燒成陶瓷材料與該無機材料互相產生化學反應 而生成第1及第2反應層的燒成條件下，燒成該複合積屏 體； 5 除去步驟，該燒成步驟之後，從該複合積層體除去該 第1及第2收縮抑制層；該除去步驟，係包含減少該第玉 及第2反應層中至少一者之厚度，藉此讓該第丨及第2反 應層各自之厚度相異之步驟。 2·如申請專利範圍第1項之多層陶瓷基板之製造方 法，其進一步具備分別於該陶瓷積層體之第i及第2主面 上形成第1及第2表面導體膜之步驟；其中，該第2表面 導體膜的面積做成比第i表面導體膜的面積還要小，該除 去步驟中’該第2反應層的厚度做成比該第1反應層的厚 度還要薄。 22 1356665 3. 如申請專利範圍第2項之多層陶瓷基板之製造方 法，其中，該陶瓷積層體的第丨及第2主面分別具有未形 成第1及第2表面導體膜之第丨及第2導體未形成區域， 且於該除去步财，分別位於第i及第2導體未形成區域 上之第1及第2反應層之各自的體積實質上做成相同。 4. 如申請專利範圍第丨至3項中任一項之多層陶瓷基板 之製造方法，#中，該除去步驟具備對該收縮抑制層實施 之噴吹處理之步驟。 5. —種多層陶瓷基板，其具備由複數之陶瓷層所構成之 陶瓷積層體，該複數之陶瓷層係由低溫燒成陶瓷材料的燒 結體所形成並且經積層而成者；且於該陶瓷積層體其相對 向之第1及第2主面上分別形成第丨及第2反應層，該第i 及第2反應層係由該低溫燒成陶瓷材料與於能夠讓該低溫 燒成陶瓷材料燒結的燒成條件下不會燒結之無機材料互相 產生化學反應所生成’且該第〗及第2反應層各自的厚度 相異。 6_如申請專利範圍第5項之多層陶瓷基板，其中，於該 陶竟積層體之該第1及第2主面上’分別形成有第丨及第2 表面導體膜’該第2表面導體膜的面積比該第1表面導體 膜的面積還要小’該第2反應層的厚度比該第丨反應層的 厚度還要薄。 ‘ ^ 7.如申請專利範圍第6項之多層陶瓷基板，其中，詨陶 竟積層體之該第1及第2主面’分別具有未形成該第=及 第2表面導體膜之第丨及第2導體未形成區域，I分別位 23 1356665 於該第1及第2導體未形成區域上之該第1及第2反應層 各自的體積彼此實質上相同。 8.—種多層陶瓷基板的翹曲抑制方法，係以具備以下步 驟之製造方法來製造多層陶瓷基板： 準備複合積層體之步驟，該複合積層體含有生陶瓷積 層體及第1及第2收縮抑制層，該生陶瓷積層體係將包含 低溫燒成陶瓷材料之複數陶瓷生胚層積層所形成者、該第1 及第2收縮抑制層係分別配置於此陶瓷積層體其相對向之 第1及第2主面上且含有於能夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒 結的燒成條件下不會燒結之無機材料的粉末； 燒成步驟’在能夠讓該低溫燒成陶瓷材料燒結的同 時’分別沿著該陶瓷生胚層與該第1收縮抑制層之間的界 面以及該陶瓷生胚層與該第2收縮抑制層之間的界面，在 能讓該低溫燒成陶瓷材料與該無機材料互相產生化學反應 而生成第1及第2反應層的燒成條件下，燒成該複合積層 B& · 體， 除去步驟’該燒成步驟之後，從該複合積層體除去該 第1及第2收縮抑制層，其中： 於準備階段，具備以下步驟： 以該製造方法預先製造具有既定設計之多層陶瓷基板 之步驟； 辨識預先製造之該多層陶瓷基板之翹曲狀態之步驟； 視該翹曲狀態，決定能夠抑制翹曲之該第1及第2反 應層之各厚度之步驟； 24 1356665 於之後的正式製造階段，實施該製造方法，同時為了 得到能夠抑制翹曲所決定之該第1及第2反應層之各厚 度，係在該除去步驟，減少該第1及第2反應層中至少一 者之厚度。 十一、圖式： 如次頁

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