CN101636523A - 阻隔膜形成装置、阻隔膜形成方法及阻隔膜被覆容器 - Google Patents

Abstract

一种阻隔膜形成装置，其将具有凹凸部(12a)的容器(12)作为被处理物，在内表面形成阻隔膜，具备：具有包围所述容器(12)的大小的电介质部件(50)；覆盖该电介质部件(50)的外周侧的外部电极(13)；经由绝缘部件(26)安装于所述容器(12)的口部(11)所处的一侧的所述外部电极(13)的端面，经由排气管(14)对所述容器(12)的内部进行减压的排气机构；从所述排气管(14)侧插入，兼作用于向所述容器(12)内喷出阻隔膜生成用介质气体(19)的气体喷出部的内部电极(17)；用于赋予用于在所述外部电极(13)和绝缘部件之间产生放电的电场的电场施加机构。

Description

阻隔膜形成装置、阻隔膜形成方法及阻隔膜被覆容器

技术领域

本发明涉及例如用于在树脂等的容器等中均匀地形成施加气体阻隔性的阻隔膜的阻隔膜形成装置、阻隔膜形成方法及阻隔膜被覆容器。

背景技术

近年来，作为塑料容器之一的例如塑料(PET)瓶为了防止来自外部的氧的透过、来自内部(例如碳酸饮料水)的二氧化碳的透过，在其内表面尝试涂敷例如DLC(Diamond Lie Carbon)之类的碳膜或硅石膜等阻隔性高的膜，并提出了其成膜装置(专利文献1～6)。另外，作为其应用，在医疗用容器或食品容器或燃料罐等中尝试了氧、氢、燃料等的透过防止、芳香等的透过、吸附防止等。

在此，作为使用了高频等离子体CVD的将向塑料容器的碳膜成膜的装置，参照图38，说明在容器内部涂敷的基本的发明即专利文献4中所述的装置。

如图38所示，阻隔膜形成装置是在具有口部11的塑料容器12的内表面利用放电等离子体实施成膜的成膜装置，具备：具有包围塑料容器12的外周的大小的包括外部上部电极13-1及外部下部电极13-2的外部电极13；在所述塑料容器12插入时至少间介于所述容器的口部及肩部、和所述外部电极13之间的包括电介质的衬垫25；在所述口部11所处的一侧的所述外部电极13的端面经由绝缘部件26安装的排气管14；在所述外部电极13内的所述塑料容器12内，从所述排气管14侧插入所述塑料容器12，与接地侧连接，并且，穿设有用于喷出介质气体19的气体流路16的内部电极17；安装于所述排气管14的未图示的排气装置；用于向所述内部电极17供给介质气体19的未图示的气体供给装置；与所述外部电极13连接的高频电源18。还有，符号20是设置于气体流路16的前端的包括绝缘部件的气体喷出孔。

在此，所述外部电极13设置于在上下端具有凸缘21a、21b的圆筒状的接地罩22内，该圆筒状的接地罩22载置于圆环状基台23上。另外，圆板状的绝缘板24配置于所述圆环状基台23和所述外部下部电极13-2的底部侧之间。在所述内部电极17的气体流路16的前端设置圆筒的绝缘部件26，由此防止局部的等离子体集中。

另外，所述衬垫25是通过由在其上载置的环状的绝缘部件26螺合的螺钉(未图示)来固定。这样，通过将衬垫25插入固定所述外部电极13的上部，在从所述外部电极13的底部侧插入塑料容器12的情况下，所述塑料容器12的口部及肩部位于所述圆板状的衬垫25的空洞部内，且除此之外的塑料容器12的外周位于所述外部电极13内表面。另外，在上下具有凸缘31a、31b的排气管14载置于所述接地罩22的凸缘21a及所述环状的绝缘部件26的上表面。还有，盖体32安装于所述排气管14的上部凸缘31a。

说明使用这样的结构的装置，向塑料容器涂敷碳膜的方法。

首先，向外部电极13内插入塑料容器12，利用排气管14将内部的气体排出。在达到规定的真空度(代表值：10^-1～10^-5Torr)后，持续排气的同时，将介质气体G例如以10～200mL/分钟的流量向内部电极17供给，进而，通过内部电极17的气体喷出孔20向塑料容器12内喷出。还有，作为该介质气体，例如，使用苯、甲苯、二甲苯、环己烷等脂肪族烃类、芳香族烃类、含氧烃类、含氮烃类。利用气体供给量和排气量，将所述塑料容器12内的压力例如设定为2×10^-1～1×10^-2Torr。然后，由高频电源18将50～2000W的高频电力通过匹配器36及RF输入端子35向外部电极13施加。

通过这样的高频电力的向外部电极13的施加，在所述外部电极13和内部电极17之间生成等离子体。此时，塑料容器12在外部电极13内大致没有间隙地收容，等离子体在塑料容器12内产生。所述介质气体G通过所述等离子体离解或进而离子化，生成用于形成碳膜的成膜种。在将碳膜形成至规定的膜厚后，停止高频电力的施加，停止介质气体供给，排出残留气体，将氮、稀有气体、或空气等向外部电极13内供给，将该空间内恢复为大气压。然后，从外部电极13取出所述塑料容器12。还有，在该方法中，将碳膜成膜为20～30nm所需的时间为2～3秒。

专利文献1：特开平8-53116号公报

专利文献2：特许第2788412号公报(特开平8-53117号公报)

专利文献3：WO2003/101847号公报

专利文献4：特许第3643813号公报(特开2003-237754号公报)

专利文献5：特开2005-247431号公报

专利文献6：特开2000-230064号公报

然而，在所述成膜装置(专利文献4)中，为了得到阻隔性高的良好的成膜，需要包括外部电极13和衬垫25的空洞的形状形成为与塑料容器12的形状大致相似的形状。

另外，在专利文献1、2中没有衬垫，但同样需要将外部电极的空洞形状形成为与等离子体容器大致相似的形状。无论那种情况，只要在容器的主体部等有凹部(凹部或凸部或两者)，就当然需要形成为与其形状相似的形状的空洞。然而，在将容器沿长边方向插入的结构的装置的情况下，难以将其实现。

另外，在容器的主体部的凹部比较少的情况下，无论在凹凸部产生若干空间，也得到可实用的阻隔性，但由于近年来的、以轻量化或使用后的压扁容易度为目的容器设计中所见的之类容器的多样化，主体部的凹凸部(或凹陷部、凹部或凸部)为多个或该凹陷部(凹部)深的之类的结构存在的情况下，成膜的不均匀变得非常大，发生得不到可实用的阻隔性的问题。

因此，考虑在外部电极中插入容器后，对应于容器的凹凸部，移动外部电极的一部分，形成为相似形状的方法，但这样的可动结构在高速批量生产装置中由于成本或可靠性而需要尽量避免。

另外，在没有凹凸，能够实现相似形状的情况下，也为了得到更高的阻隔性，需要使用与容器完全相似的形状，将其之间的空隙设为等间隔，但由于容器的成形精度或外部电极13或衬垫25的制作精度或容器的设置精度，难以将其实现，因此，存在得不到更高的阻隔性的问题。

另外，在以往技术中，提出了在外部电极和容器具有适度的空隙的结构(专利文献3)，但在有凹凸的容器的情况下，为了将大致相似形状作为出发点，使容器能够插入，且得到阻隔性高的形状，对应于容器的凹凸部，调节空隙形状，因此，对于多样化的容器形状，需要几乎全部定做外部电极而准备，存在成本高、劳力和时间增加的问题。另外，处于外部电极的重量容易增加，在装置的结构中，外部电极的配置或可动部的设定上容易发生限制的状况，因此，例如形成为倒置容器的同时输送·成膜的装置结构时导致故障的问题。

另外，在以往技术中，有将电介质衬垫主要设置于容器的口部、肩部的成膜装置的建议(专利文献4)、或将其延伸出至容器下部的建议(专利文献5)，但这些将能够适用在主体部没有凹凸的相似形状的电极或衬垫的容器作为对象，以调节肩部的细径部分的附膜为目的，不能将在主体部有凹凸的容器作为对象，得到包含主体部的附膜的整体的均匀化。即，对于向在主体部等有凹凸的容器的成膜时成为问题的膜分布的均匀性的改善，没有赋予任何启示。这是因为没有实现向后述的容器内表面施加的电压的均匀化。

另外，在以往技术中，有在电极和成膜对象之间设置有塑料制且与电极电接触且由成膜对象设置一定的间隔的外筒的成膜装置的建议(专利文献6)，但这也对在主体部等具有凹凸的容器的成膜时成为问题的膜分布的均匀性的改善没有赋予任何启示。这也是因为没有实现施加于后述的容器内表面的电压的均匀化。另外，该本发明的对象在容器的内表面·外表面成膜，主要目的防止容器的加热，没有赋予仅向内表面的成膜中的膜分布改善的启示。

综上可以如下整理问题。为了形成高品质的气体阻隔薄膜，需要实现施加于后述的容器内表面的电压的均匀化。因此，从外部电极的结构探讨的情况下，能够利用在外部电极和容器之间配置包括适当的尺寸和组成的空隙和电介质的组合，实现电压分布的最佳化。达到这样的组合的先行技术如上所述地存在，另一方面，在能够将其实现的情况下，实现了高的阻隔性以外的各问题、具体来说向各种容器的外部电极的共通化、向容器凹凸设计的应对、膜厚的均匀分布、外部电极的轻量化等的解决，因此，能够在品质上或装置成本方面得到大的效果。

发明内容

本发明目的在于鉴于所述问题，提供能够对凹凸面存在的容器等进行均匀的成膜的阻隔膜形成装置、阻隔膜形成方法及阻隔膜被覆容器。

用于解聚上述问题的本发明的第一发明是一种阻隔膜形成装置，其在容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和外部电极和容器的空隙或所述电介质部件和容器内表面的空隙，使施加于所述容器内表面的电压大致均匀。

第二发明在第一发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述外部电极的内侧形状为筒状或大致筒状。

第三发明是一种阻隔膜形成装置，其将具有至少一个以上的凹凸部的容器作为被处理容器，在所述被处理容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，具备：电介质部件，其具有包围所述容器的大小的空洞；外部电极，其覆盖所述电介质部件的外周侧；排气机构，其经由绝缘部件安装于所述容器的口部所处的一侧的所述外部电极的端面，经由排气管对所述容器内部进行减压；气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用介质气体；电场施加机构，其用于赋予用于在所述外部电极和接地电极之间产生放电的电场。

第四发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述气体喷出部接地，并且，插入所述容器内，兼作内部电极。

第五发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，包围作为所述被处理物的容器的大小的空洞与由用于容器外周通过的最大通过轨迹线制作的空间一致或具有比其大的间隙。

第六发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件为有底筒状或大致有底筒状。

第七发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件为无底筒状或具有一部分底面的筒状。

第八发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，用所述电介质部件覆盖所述外部电极中面向所述容器的凹部空间的部分。

第九发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件的空洞的一部分或空洞的大致整体与容器大致接触。

第十发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件是氟系树脂、硬质氯乙烯、玻璃或陶瓷的任一种或这些的组合。

第十一发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，在所述电介质部件的内部设置有所述容器时，容器的主体部和电介质部件之间的空隙以使空隙宽度的最大值和最小值之差成为3mm以上的方式形成。

第十二发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件的厚度大致均匀。

第十三发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件为有底或无底的筒状或大致筒状，并且，电介质部件的平均厚度/相对介电常数为0.95～3.8的范围。

第十四发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件在容器的肩部、口部的任一方或两方带有空隙而设置。

第十五发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件或空间的厚度(d_i)除以相对介电常数(ε_i)得到的换算距离d_i/ε_i的自外部电极内表面到所述容器内表面的总和在容器整体上大致均匀。

第十六发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，以使所述换算距离d_i/ε_i的、自外部电极内表面到所述容器内表面的总和在容器的大致整体上大致均匀的方式，组合所述电介质部件的材料、所述电介质部件和空间的厚度、所述外部电极形状。

第十七发明在第一或三发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，关于容器剖面上的各容器表面部位中的、所述电介质部件或空间的厚度(d_i)除以相对介电常数(ε_i)得到的换算距离d_i/ε_i的自外部电极内表面到所述容器内表面的各部位总和，容器整体中的各部位总和的标准偏差除以平均值得到的值为0.75以下。

第十八发明是一种阻隔膜形成装置，其特征在于，具备：电介质部件，其具有包围作为被处理物的容器的至少主要部的大小的空洞，并且，所述空洞与由用于所述容器外周通过的最大通过轨迹线制作的空间一致或比具有其大的间隙；外部电极，其设置于所述电介质部件的外周侧；排气机构，其经由排气管对所述容器内部进行减压；气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用介质气体；电场施加机构，其为了在所述容器内产生发电，与所述外部电极连接，在所述容器内表面形成阻隔膜。

第十九发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述外部电极为接地电极，并且，在所述容器内或所述排气管设置有连接所述电场施加机构的电极。

第二十发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，通过所述电介质部件的一部分与所述容器接触，进行所述容器的定位。

第二十一发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，通过所述电介质部件的一部分与所述容器接触，进行所述容器的定位，并且，与所述容器接触的所述电介质的一部分为可动结构，在所述容器的插入时或取出时移动。

第二十二发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，具有包围所述外部电极的大小的接地的导电性的接地罩与所述外部电极绝缘而设置。

第二十三发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述外部电极兼作真空容器。

第二十四发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件兼作真空容器。

第二十五发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，具有包围所述外部电极的大小的接地的导电性的接地罩与所述外部电极绝缘而设置，并且，所述接地罩兼作真空容器。

第二十六发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述外部电极兼作真空容器，并且，所述外部电极为片状。

第二十七发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，具有包围所述外部电极的大小的接地的导电性的接地罩与所述外部电极绝缘而设置，并且，在所述外部电极和所述接地罩之间的大致整体上设置绝缘部件。

第二十八发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，作为被处理物的容器的形状为大致筒状。

第二十九发明在第一、三或十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，作为被处理物的容器的形状为大致筒状，并且，具有至少一个以上的凹部。

第三十发明是一种阻隔膜形成方法，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜。

第三十一发明是一种阻隔膜形成方法，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，作为被处理物的容器的形状为大致筒状。

第三十二发明是一种阻隔膜形成方法，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，作为被处理物的容器的形状为大致筒状，并且，具有至少一个以上的凹部。

第三十三发明是一种阻隔膜形成方法，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，准备具有各种空洞形状的多个电介质部件，从其中选择适合作为被处理物的容器的形状等的电介质部件，然后，在容器形成阻隔膜。

第三十四发明是一种阻隔膜形成方法，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，利用驱动机构，一体地移动所述电介质部件的全部或一部分、所述外部电极的全部或一部分、和所述接地罩的全部或一部分，开闭所述真空容器，进行容器的插入、取出。

第三十五发明是一种阻隔膜形成方法，其在容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，通过颈部操作，对所述容器进行插入及取出。

第三十六发明在第十八发明中阻隔膜形成装置，其特征在于，所述电介质部件具有：能够将所述容器朝向所述有底筒型的外部电极的底部方向从该容器底侧插入的开口。

第三十七发明是一种阻隔膜形成装置，其在容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和外部电极和容器的空隙或所述电介质部件和容器内表面的空隙，使施加于所述容器内表面的电压大致均匀，以使所述容器的口部朝向下方的方式将所述外部电极的口部端部设为朝向下方，在所述外部电极的端部的下侧经由绝缘部件安装排气管，在所述容器内表面形成阻隔膜。

第三十八发明是一种阻隔膜形成装置，其将具有至少一个以上的凹凸部的容器作为被处理容器，在所述被处理容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，具备：电介质部件，其具有包围所述容器的大小的空洞；外部电极，其覆盖所述电介质部件的外周侧；排气机构，其经由绝缘部件安装于所述容器的口部所处的一侧的所述外部电极的端面，经由排气管对所述容器内部进行减压；气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用介质气体；电场施加机构，其用于赋予用于在所述外部电极和接地电极之间产生放电的电场，以使所述容器的口部朝向下方的方式将所述外部电极的口部端部设为朝向下方，在所述外部电极的端部的下侧经由绝缘部件安装排气管，在所述容器内表面形成阻隔膜。

第三十九发明是一种阻隔膜形成装置，其特征在于，具备：电介质部件，其具有包围作为被处理物的容器的至少主要部的大小的空洞，并且，所述空洞与由用于所述容器外周通过的最大通过轨迹线制作的空间一致或比具有其大的间隙；外部电极，其设置于所述电介质部件的外周侧；排气机构，其经由排气管对所述容器内部进行减压；气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用介质气体；电场施加机构，其为了在所述容器内产生发电，与所述外部电极连接，以使所述容器的口部朝向下方的方式将所述外部电极的口部端部设为朝向下方，在所述外部电极的端部的下侧经由绝缘部件安装排气管，在所述容器内表面形成阻隔膜。

第四十发明是一种阻隔膜形成方法，其特征在于，使用发明37、38或39中任一项所述的阻隔膜形成装置，使该容器上下倒置后，通过颈部操作，进行所述容器的向外部电极的插入及取出。

第四十一发明是一种阻隔膜被覆容器，其特征在于，使用发明1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜。

第四十二发明是一种阻隔膜被覆容器，其特征在于，使用发明37、38或39中任一项所述的阻隔膜形成装置，使该容器上下倒置后，通过颈部操作，进行所述容器的向外部电极的插入及取出，在被处理物的容器内表面形成阻隔膜。

根据本发明可知，通过使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和所述电介质部件和容器的空隙，使施加于容器的内表面整体的电压均匀化，由此，能够将在所述容器内表面成膜的阻隔膜在整体上均匀地成膜，能够制作高阻隔性的容器。

附图说明

图1是第一实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图2是设置有电介质部件的阻隔膜形成的原理图。

图3是设置有电介质部件的阻隔膜形成的原理图。

图4是设置有电介质部件的阻隔膜形成的原理图。

图5是第一实施方式的其他阻隔膜形成装置的概略图。

图6是第一实施方式的其他阻隔膜形成装置的概略图。

图7是在使用了阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图8是在使用了阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图9是在使用了阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图10是在使用了阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图11是在使用了阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图12是在使用了阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图13是表示电介质部件和容器最大轨迹线的关系的图。

图14是表示其他电介质部件和容器最大轨迹线的关系的图。

图15是表示其他电介质部件和容器最大轨迹线的关系的图。

图16是第二实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图17是第三实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图18是第四实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图19是第五实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图20是第六实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图21是图20的主要部分剖面图。

图22是第七实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图23是第八实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图24是第九实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图25是第十实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图26是图25的主要部分剖面图。

图27是第十一实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

图28是图27的主要部分剖面图。

图29是在使用阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图30是在使用阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图31是在使用阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图32是在使用阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图33是在使用阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图34是在使用阻隔膜形成装置的容器内表面成膜的工序图。

图35是氧气阻隔性和换算距离之比的关系图。

图36是换算距离G的容器各处的平均/标准偏差和氧气阻隔BIF的关系图。

图37是基于电介质部件的阻隔性改善的概念图。

图38是以往技术中的阻隔膜形成装置的概略图。

图中：11-口部；12-塑料容器；13-外部电极；14-排气管；16-气体流路；17-内部电极；18-高频电源；19-介质气体；50-电介质部件。

具体实施方式

以下，参照附图，详细地说明该发明。还有，该实施方式或实施例并不限定该发明。另外，下述实施方式或实施例中的构成要素包括本领域普通技术人员能够容易地设想的要素或基本上相同的要素。

[第一实施方式]

参照附图，说明本发明的实施方式的阻隔膜形成装置。

图1是表示本实施方式的阻隔膜形成装置的概念图。还有，对于与在图38中说明的以往技术中的阻隔膜形成装置相同的部件，标注相同的符号，省略重复的说明。

如图1所示，本实施方式的阻隔膜形成装置10是将具有至少一个以上凹凸部12a的塑料容器(以下还称为“容器”)12作为被处理物，在内表面形成阻隔膜的阻隔膜形成装置，并具备：具有包围所述容器12的至少主要部分的大小的空洞的电介质部件50；覆盖该电介质部件50的外周侧的外部电极13；经由绝缘部件26安装于所述容器12的口部11所处的一侧的所述外部电极13的端面，且经由排气管14将所述容器12的内部减压的排气机构(未图示)；从所述排气管14侧插入，并兼作用于向所述容器12内喷出阻隔膜生成用的介质气体19的气体喷出部的内部电极17；用于赋予用于在所述外部电极13和接地电极之间产生放电的电场的电场施加机构(高频电源18及匹配器36)。

在本发明中，使用在外部电极13和容器12之间设置的电介质部件50、和所述电介质部件50和容器12的空隙，利用所述电介质部件固有的相对介电常数ε_i的关系，使施加于所述容器12内表面的电压大致均匀。由此，能够在容器内表面进行均匀的成膜。详细情况在后叙述。在严密地将电势的均匀性作为目的，进行实际的电极设计中，发现能够应用上述空隙的大小和相对介电常数的近似的事实，从而实现了本发明。

另外，在本实施例中，所述外部电极13为圆筒状，但本发明不限定于此，例如，根据适用的容器形状，调整为方筒状、缩径形状等也可。另外，电介质部件50包围所述容器12的主要部分，但主要部分例如表示容器中的主体部等，不是仅包围容器中的口部或肩部等附加性部分，例如，表示占据1/2左右以上的表面积的情况。另外，设想大致包围整体的情况，但假定例如不包括底部或容器的把手等特殊部分或尤其是欲调整膜厚分布的部分的情况，定义为“包围主要部分”。

在此，所述外部电极13设置于由在上下端具有凸缘22a、22b的接地罩(上部)22-1及接地罩(下部)22-2构成的筒状的接地罩22内。

所述筒状的接地罩22(接地罩(上部)22-1、接地罩(下部)22-2)和所述外部电极13(外部电极(上部)13-1、外部电极(下部)13-2)和所述电介质部件50(电介质部件(上部)50-1和电介质部件(下部)50-2)能够分割为上部侧和下部侧，并能够装卸地安装。另外，圆板状的绝缘板24配置于圆环状基台23和所述外部电极(下部)13-2的底部侧之间。

另外，形成有在上下具有凸缘31a、31b的气体排气管14，接地罩22-1从凸缘31b经由上凸缘22a垂下。还有，盖体32安装于所述排气管14的上凸缘31a。

在此，所述筒状的接地罩22由导电性的材料(铝、不锈钢、铜、黄铜等导电部件)构成，兼用作作为防止电磁波辐射的电磁罩和高频的地线。另外，可以由无垢材料、筛孔、冲裁金属等构成。还有，形状为圆筒状、方形等筒状体，并包围整体。

还有，如图所示，在所述筒状的接地罩22和外部电极13的分割部如图所示安装有导电连接器41及真空密封件(O型密封环)42。导电连接器41在确保高频的导通的情况下未必一定需要。

另外，所述电介质部件(下部)50-2、外部电极(下部)13-2、所述绝缘板24及所述基台23利用未图示的推进器，相对于所述电介质部件(上部)50-1、外部电极(上部)13-1一体地上下运动，开闭所述外部电极(上部)13-1的底部。在此，所述接地罩(下部)22-2与圆环状基台23一同被分割。

在本实施例中，作为接地电极的内部电极17兼作气体喷出部，但本发明不限定于此，可以分别另行设置。另外，作为接地电极也可以不设置内部电极而将排气管用作接地电极。进而，也可以将外部电极侧作为接地电极，将电源与内部电极或排气管等连接。主要向包围容器及电介质部件的外部电极、和其他电极(多个也可)之间赋予电场，在容器内产生等离子体即可。

另外，气体喷出部从排气管侧插入到容器内部，但未必一定需要插入容器内，只要向容器内供给介质气体即可。进而，不需要从排气管侧插入，例如容器具有两个口的情况下，从不与排气管连接的孔供给气体，从其他口排出气体也可。

在此，作为用于产生所述放电的电场，将高频作为例子使用，但只要不是直流，也可为交流电场、例如，AC(交流)、LF(低频)、RF(高频)、VHF(甚高频)、微波、脉冲等就可以使用。只要是这样的电场，即使在外部电极和容器之间存在有电介质部件，也由于位移电流，在电介质部件流过电流，因此，电场传至容器内表面，能够产生等离子体。其中，尤其优选容易制作阻隔性高的膜，位移电流容易流动的LF、RF、VHF中的本发明的适用。

作为所述电介质部件50，例如，可以举出塑料或玻璃、或陶瓷，由这些的一种或组合来适当地形成电介质部件即可。

作为所述塑料，可以使用各种塑料，但尤其优选高频损失低，耐热性、阻燃性、机械强度高的树脂，优选聚四氟乙烯之类的氟系树脂、特氟隆(注册商标)、或硬质氯乙烯、聚碳酸酯、PEEK(注册商标)。作为所述陶瓷，优选高频损失低的氧化铝、皂石或机械加工性高的马克尔(注册商标)。

输出高频电力的高频电源18通过电缆34及供电端子35与所述外部电极13连接。匹配器36安装于所述高频电源18和所述RF输入端子35之间的所述电缆34。

在所述内部电极17的气体流路16的前端设置圆筒的绝缘部件的气体喷出孔20，由此防止局部性等离子体集中。气体喷出孔也可与内部电极17或不兼作内部电极的情况下的气体喷出部的气体流路16连通地在流动方向上开口，也可安装于侧壁。所述内部电极17的直径为塑料容器的口部内径以下，能够插入塑料容器12。

所述内部电极17例如利用钨或不锈钢之类的具有耐热性的金属材料制作，但用铝制作也可。另外，若内部电极17表面平滑，则在所述内部电极17的表面堆积的碳膜可能容易剥离。因此，也可对内部电极17的表面预先进行喷砂处理，增大表面粗糙度，使得难以剥离在表面上堆积的碳膜。

其次，说明使用上述阻隔膜形成装置，在内表面被覆碳膜而成的塑料容器的制造方法。利用未图示的推进器，使将电介质部件50和外部电极13以及接地罩22分别上下分割的下部侧一体地移动并降低，开放内部。接着，将塑料容器12插入开放的电介质部件(下部)50-2内，利用未图示的推进器，恢复为原状而关闭。这些动作通过使电介质部件(下部)50-2和外部电极(下部)13-2、圆环状基台23及接地罩(下部)22-2一体地移动来实现高速化。此时，所述塑料容器12通过其口部与排气管14连通。

其次，利用未图示的排气机构，通过排气管14，对所述排气管14及所述塑料容器12内外的气体进行排气。在达到规定的真空度的时刻，在继续排气的同时，将介质气体19向内部电极17的气体流路16供给，从该内部电极17的气体喷出孔20向塑料容器12内朝向底部喷出。该介质气体19进而从塑料容器12的底部沿壁面传递，流向口部11。通过气体供给量和气体排气量的平衡，所述塑料容器12内成为规定的气压。并不一定需要规定的气压，也可过渡性地变化。

其次，从高频电源18将高频电力通过匹配器36、电缆34及供电端子35向所述外部电极13供给。此时，通过向所述外部电极13(基本上为所述塑料容器内表面)和接地的所述内部电极17之间施加的高频电压，向容器内表面施加电压，并利用在等离子体鞘层(plasma sheath)端和容器内表面之间产生的电场，在容器内生成放电等离子体。利用该放电等离子体，介质气体19离解，生成的成膜种在所述塑料容器12内表面堆积，形成碳膜。

若经过规定的成膜时间(例如1秒到3秒左右)，则所述碳膜的膜厚达到大致规定的厚度，因此，停止来自所述高频电源18的高频电力的供给，停止介质气体19的供给，排出残留气体，停止气体排气后，将氮、稀有气体、或空气等通过内部电极17的气体流路16的气体喷出孔20或设置于排气管侧的未图示的气体供给阀，向塑料容器12内供给，并将该塑料容器12内外恢复为大气压，将内表面碳膜被覆塑料容器取出。然后，按照所述的顺序，更换塑料容器12，转移到接下来的塑料容器的涂敷作业。

在此，在本实施方式中，所述介质气体19使用乙炔。

来自所述高频电源18的高频电力使用13.56MHz～100MHz，设为10～1000W的输出、0.1～1Torr的压力。另外，该高频电力的施加可以为连续，也可以为间歇(脉冲)。还有，增大施加的高频的频率(例如60MHz)，合成比DLC膜更软质的碳膜，利用氮或氧等的添加效果所形成的与碳膜的相辅相成效果，能够使其与基材的密接性更良好。

在这样的成膜中，在本发明中，将所述电介质部件50设置为具有规定的空间部分，覆盖容器12的主要部分，因此，没有等离子体集中，其结果，均匀地产生等离子体，能够使具有凹部12a的容器12的内表面的成膜均匀化。

即，在以往技术中，认为将电极沿容器外表面密接是得到高阻隔所必须的，相对于此，在本发明中，使施加高频的外部电极13不直接沿容器，在容器12的大致整个面上间介电介质部件50，由此使施加于容器12的大致内表面整体的电压均匀。由此，能够使在所述容器12内表面成膜的阻隔膜在大致整体上均匀。例如，在以往的技术中，从经验上得知若凹凸至少为3mm以上的情况下，则由单纯的筒形电极无法充分地提高阻隔性，但在本发明中，在这样的情况下，也得到充分的阻隔性。还有，在本发明中均匀是指与不使用本发明的情况相比相对地均匀的情况，未必一定限于绝对地均匀的情况。

在以往技术中，电极密接的部分的阻隔膜的膜质良好，阻隔膜的膜厚也变厚，其结果，阻隔性提高，但外部电极13远离的部分的膜质和/或膜厚降低，有时作为整体，阻隔性降低。

针对此，在本发明中，没有与外部电极13密接的部分，因此，不会发生电压施加于该部分而导致等离子体集中的情况，经由电介质部件50向容器整体施加均匀的电压，由此均匀地产生等离子体，其结果，容器整体的膜质和/或膜厚变得均匀，能够得到在容器整体中高的阻隔性。

进而，在以往技术中，例如，由于对正中心等的不妥善，在外部电极(金属)与容器的底部以外的臂部等的一部分部分地接触的情况下，在那里虽然放电很少但集中，其结果，成膜可能不均匀，但如本发明一样电介质部件50为绝缘物，因此，即使这样的事情发生，也能够实施均匀的成膜。

还有，在本发明中，阻隔膜不仅包括防止气体或液体或分子等的透过的阻隔膜，而且还包括防止芳香等臭的成分吸附或吸收于容器的情况的阻隔膜。

使用图7～12，进而详细说明在使用具有这样的电介质部件50的阻隔膜形成装置的容器内表面上成膜的步骤。还有，作为容器12的形状使用剖面为大致方形的大致筒状的容器作为例子使用。

首先，图7中示出容器插入开始时。如图7所示，沿成膜装置的铅垂轴方向分割为上部装置10-1和下部装置10-2两部分，使容器12位于下部装置10-2的上部地开始利用插入夹具71进行插入。

在图8中，容器12插入铅垂轴方向的下部电介质部件50-2内。

在此，将容器剖面通过的最大的轨迹(用虚线表示)命名为容器最大通过轨迹线61。还有，在容器插入时，为了容器滚倒防止或对正中心，利用未图示的夹具支撑容器主体部的同时进行。

图9是容器向下部电介质部件50-2插入结束时，在下部电介质部件50-2内设置容器12的底部。

在图10中，利用未图示的推进器，使下部装置10-2上升，将容器12的口部11侧插入上部装置10-1内。

图11表示在阻隔膜形成装置10内插入容器12结束时。

图12是图11的插入结束状态，并省略了容器12的图示，容器最大通过轨迹线61为最终的容器外形线中除去凹部(凹陷部)12a的线。

这样，电介质部件50不与部容器12接触，其内表面带有规定的间隙51地位于所述容器最大通过轨迹线61的外侧，由此能够实现向容器内表面均匀地成膜。还有，在本实施方式中，容器内容积为500ml，空隙51为1mm。

如此，以使包围容器12的大小的空洞与由用于容器12的外周通过的容器最大通过轨迹线61形成的空间一致或具有比其大的间隙的方式来配设电介质部件50，由此得到均匀的成膜。

另外，也可准备具有各种空洞形状的多个电介质部件50，从其中选择适宜被处理物即容器12的形状等d的电介质部件，然后在容器形成阻隔膜。由此，能够应对容器的形状及大小，能够实施均匀的成膜。

其次，使用图2～图4、图35～图37，对于设置所述电介质部件50，由此使容器整体的膜质和/或膜厚均匀的情况的原理进行说明。

在此，图2中，符号12图示塑料容器，12a图示凹部(或缩径部)，13图示外部电极，50图示电介质部件，55图示等离子体的主等离子体(plasma bulk)部(认为主等离子体部的阻抗低，主等离子体部内的电势大致恒定)，56图示等离子体的鞘层部。另外，a图示电介质部件50和容器12的接近部分，b图示电介质部件50和容器12的凹部12a的远离的部分。另外，d₁表示接近部分a中的电介质部件50的壁厚，d₂表示远离部分b中的电介质部件50的壁厚，d₃表示接近部分a中的电介质部件50和容器12的距离，d₄表示远离的部分b中的电介质部件50和容器12的距离，d₅表示接近部分a中的容器12的壁厚，d₆表示远离的部分b中的容器12的壁厚。还有，在本说明中，对于容器，将剖面为大致圆形的大致筒状的结构作为例子来使用。

首先，在本发明中，通过在外部电极13和容器12之间设置电介质部件50，改善自所述外部电极13内表面到容器12内侧表面的阻抗Z的分布的均匀性，改善该部的电压降低的均匀性，因此，容器12内侧表面的电压变得均匀，改善容器12内的放电的均匀性，进而，改善在容器内侧表面形成的阻隔膜的均匀性，其结果，推测为容器整体的阻隔性提高。

通过设置所述电介质部件50，自外部电极内表面到容器内侧表面的阻抗Z的部分接近均匀的理由认为如下所述。

在此，图37中示出作为机构的电介质部件引起的阻隔性改善的概念图。在此，在图37中，在左图中，未设置以往的电介质部件50，在右图中，设置有本发明的电介质部件50。

在图37中左图的以往技术的情况下，认为等离子体的鞘层端的RF电势在瓶内为大致相同的电势，因此，在相似金属电极的外部电极13的情况下，与电极密接的部分的RF电场变强，远离的部分的RF电场变弱。其结果，产生RF电场集中的部分和不集中的部分之差。

针对此，在图37中右图的本发明的情况下，若使用树脂等电介质部件50，则外部电极13和鞘层端的距离变远，因此，抑制RF电场的集中。

在此，树脂在电介质中几乎不发生RF(高频)的损失，因此，供给于外部电极13的RF电力不会损失而在鞘层部产生RF电场。由于没有损失，因此，RF电场的大小为与相似金属电极的情况下的平均值相同的程度。利用该RF电场，产生均匀的等离子体。

其结果，RF电场均匀，产生均匀的等离子体，因此，在鞘层产生的DC偏压也均匀，其结果，离子能量变得均匀，膜质变得均匀。另外，由于是均匀的等离子体，因此，成膜种也均匀地存在，故膜厚也均匀。

进而，以下的数论近似地赋予有效的指标。

还有，在本发明中用于产生放电的电场为交流电场，包括具有AC、LF、RF、VHF、微波等电源频率f的电场或脉冲。在这种情况下，可以在外部电极和容器内表面之间设置的电介质部件或空间流过位移电流。

这样的电介质部件或空间的阻抗Z由下述“数1”表示的式(1)来求出。

[数1]

$Z=\frac{1}{\mathrm{j\ωC}}...\left(1\right)$

其中，

ω：角频率(：电源频率)

C：外部电极和容器之间的电介质或空间的电容(每单位面积)

在此，ω为恒定，因此，用电容C的大小来确定阻抗Z。

例如，如图2所示地串联设置电介质和空隙的情况下的电容C由下述“数2”所示的式(2)来求出。

[数2]

$C=\frac{1}{\underset{i}{\mathrm{\Σ}}{\mathrm{\ϵ}}_i\·{\mathrm{\ϵ}}_0\frac{1}{d_i}}...\left(2\right)$

其中，

i：电介质或空隙

d：各部的距离(厚度)

ε_i：相对介电常数

ε₀：真空(空气中)的介电常数

利用所述式(1)、式(2)，用下述“数3”所示的式(3)求出换算距离G。

[数3]

$Z\∝G=\underset{i}{\mathrm{\Σ}}\frac{d_i}{{\mathrm{\ϵ}}_i}...\left(3\right)$

其中，G定义为有效距离。

即，所述换算距离G是各部的距离(厚度)d_i除以相对介电常数ε_i得到的值的总和。另外，空间的相对介电常数ε为1。

所述换算距离G相当于将电介质全部置换为空间时的电空间的距离(厚度)。利用该定义可知，自外部电极内表面到容器内侧表面的阻抗Z的均匀性由换算距离G的均匀性即容器的各处的换算距离G之比来表示。

从而，换算距离G之比越小，自外部电极内表面到容器内侧表面的阻抗Z越均匀，在容器内侧表面形成的阻隔膜越大致均匀，阻隔性越提高。

关于该换算距离G之比，首先，作为比较例，说明以往的方法(没有电介质的情况)的情况。

还有，为了简单化说明，如图2所示，仅考虑作为两极端的两点(接近部分a和远离的部分b)，且将容器12的壁(壁厚)设为充分薄，在本发明中忽略不计(d₅＝d₆＝0)。

在图2中，代替电介质部件50，例如用金属制作的情况下，这成为外部电极的一部分，模拟了以往的方法。即，成为具有沿以往的容器最大通过轨迹线的空洞的外部电极。

在这种情况下，d₁＝d₂＝0，空间的相对介电常数ε为1，因此，接近部分a的换算距离Gmin＝d₃，远离的部分b的换算距离Gmax＝d₄。

从而，换算距离之比Gmax/Gmin＝d₄/d₃。

其次，说明本发明(有电介质部件的情况)的换算距离G之比。

在图2中，例如用树脂(特氟隆“注册商标”)制作电介质部件50。

在这种情况下，接近部分a的换算距离Gmin＝d₃+d₁/ε_D，远离的部分b的换算距离Gmax＝d₄+d₂/ε_D。

在此，ε_D为电介质(Dielectric)的相对介电常数。

图2的情况中为d₁＝d₂，因此，换算距离G之比为Gmax/Gmin＝(d₄+d₁/ε_D)/(d₃+d₁/ε_D)。

d₄＞d₃且d₁/ε_D＜0，因此，本发明的换算距离G之比即Gmax/Gmin为比先前的比较例(以往的方法)小的值，从而可知均匀性被改善(变得均匀)。

还有，在图2的结构中，围绕容器的整体，设置了电介质部件及外部电极，但如图3所示，使与容器12的空隙对置于远离的部分b的部分的电介质部件50B的相对介电常数(ε_i)与其他电介质部件50A的相对介电常数(ε_i)不同，改变换算距离，进而有助于施加到容器内表面的电压的均匀化。

另外，如图4所示，以覆盖与容器12之间的空隙对置于远离的部分b的位置的方式设置电介质部件50，将其他作为空隙，改变换算距离，有助于施加到容器内表面的电压的大致均匀化也可。进而，未图示，但使外部电极的金属表面不露出在空间地将薄的电介质部件安装于该表面也可。

以下，进而使用下述“表1”及“表2”所示的实际的比较及实验结果，具体说明。

还有，在以下的考察中，容器的壁也充分地薄，因此，将容器的厚度d₅及d₆忽略不计而说明(d₅＝d₆＝0)。

首先，在表1所示的比较例1～4中，用以往的方法(将电介质部件置换为金属)，改变容器的凹部(凹陷部)12a的深度，调查接近部分a和远离的部分b的换算距离G之比Gmax/Gmin、和氧气阻隔性(BIF：BarrierImprovement Factor)。

还有，使用通常的MOCON法来计测氧气阻隔性。

[表1]

表1

[表2]

从实验的结果可知，凹部(凹陷部)12a的深度越深，换算距离G之比Gmax/Gmin越大，氧气阻隔性越大幅度降低。

接着，在实施例1～3中，将电介质部件(“特氟隆(注册商标)”)50的内部空洞的形状设为沿容器最大轨迹线的形状，厚度设为2mm。这样，对于相同的凹部(凹陷部)12a的深度，本实施例的换算距离G之比Gmax/Gmin比比较例小，其结果，大幅度改善氧气阻隔性

进而，在实施例4～6中，通过将电介质部件(“特氟隆(注册商标)”)50的厚度设为4mm的厚度，能够进一步减小换算距离G之比Gmax/Gmin，进一步改善氧气阻隔性。

在实施例7～11中，电介质内侧的空洞的形状为圆筒的有底筒状，如图2所示地为没有容器肩部的突出的形状。因此，与实施例1～6不同，该肩部比容器缩径部远离，上述远离的部分b成为肩部，空间大。因此，与实施例1～6相比，阻隔性降低，按与以往的不使用电介质部件的情况相比大幅度改善。

在实施例7、8中，改变电介质部件(“特氟隆(注册商标)”)50的厚度(4mm、8mm)。另外，在实施例9、10中，电介质部件的厚度为4mm，进而改变空隙d₃，在实施例11中，将电介质部件的材质改变为硬质氯乙烯。

在这些情况下，也显示G之比Gmax/Gmin越小，越进一步改善氧气阻隔性的倾向。

从而判明：在电介质部件的平均厚度/介电常数中，适合2mm/2.1～8mm/2.1＝0.95～0.38的范围。

图35中关于G之比Gmax/Gmin和氧气阻隔性总结了这些数据，。

利用图35，按下述式(4)所示地求出所有的数据的近似式。

y＝36.03x^0.639…(4)

通常，作为涂敷阻隔容器的性能，寻求原来的容器的10倍以上，优选15倍以上的阻隔性。若使用上述近似式(4)，则判明为了得到10倍以上的阻隔性，最大的换算距离和最小的换算距离之比Gmax/Gmin为1以上且11以下，为了得到15倍以上，为1以上且5以下为佳。还有，换算距离之比用距离除以距离，因此为无量纲的数(没有单位的值)。

在此，上述数据在剖面为圆形的纵长的情况下的代表性容器(PET瓶等)的情况下成立，但在特异的形状的情况下，有时绝对性数值发生偏差，但倾向相同。

如上所述，通过电介质部件50的设置引起的阻隔性的提高在相对于不同的形状的容器，使用由相同形状的外部电极及电介质部件构成的阻隔膜形成装置的情况下也发挥效果。

即，这是因为：由于容器形状不同，容器和电介质部件空洞的空隙变大，也将对换算距离之比Gmax/Gmin的影响抑制到较小。就实施例7～11的有底筒状来说，无论容器形状，只要直径和长度符合，就可以适用，因此，适合这样的应用。

这产生如下所述的大的优点，即：不需要对各种容器制作全部相似形状的外部电极或电介质部件，不需要更换模，或只要从多种形状的电介质部件选择最适合各瓶的电介质部件来使用即可。

另外，在这样的应用中，所述空隙有时变得非常大。

在本发明中，通过电介质部件的设置，外部电极的金属表面不直接面向这样的容器和外部电极之间的大的空间，因此，能够防止在该空间产生无用的放电的情况。

另外，从图35判明，作为用于使施加于容器内表面的电压均匀而得到高的阻隔性的方法，对于自容器内表面到电介质部件50或外部电极13为止的最短距离，求出d/ε的总和，将其换算距离之比Gmax/Gmin设为11以下(相当于阻隔性10倍)，优选设为5以下(相当于阻隔性15倍)，更优选设为3.2以下(相当于阻隔性20倍)为佳。

进而，理想地期望通过在容器的各处进行积分而求出。另外，作为其代替方案，在从容器的口部前端到容器的底部之间，采用例如每隔0.5cm间隔的部位，求出每一部位一部位之和也可。此时，例如采用通过容器的中心的、容器剖面上的各容器表面部位也可。

另外，作为其他的方案，使用实施例1～11及比较例1～3，求出各容器表面部位的d/ε的总和的标准偏差/平均值也可。此时，各容器表面部位可以取在容器剖面上，在这种情况下的各容器表面部位的d/ε的总和的标准偏差/平均值设为0.75以下(相当于阻隔性10倍)，优选设为0.66以下(相当于阻隔性15倍)，更优选设为0.57以下(相当于阻隔性20倍)也可。还有，比较例4中缩径部深度为15mm，因此排除。

其结果示出在表3及图36中。

[表3]

在本发明中，使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和外部电极与容器的空隙或所述电介质部件与容器内表面的空隙，使施加于所述容器内表面的电压大致均匀，因此，能够在容器的整体上得到均匀的成膜。

相对于此，以往技术的使用相似电极的情况下(专利文献1、2)，由于容器的成形精度或外部电极13或衬垫25的制作精度或容器的设置精度，实际上难以形成为完全形似的形状，因此，存在得不到更高的阻隔性的问题。另外，对口部到肩部的直径非常细的部分来说，外部电极和内部电极非常接近，因此，不适合上述近似理论，即使该部分的容器内表面的电压与其他部分相同，容器内表面的电场也变得非常大，放电变强，成膜速度变快，不能形成为均匀的薄膜。

可以推测上述近似理论在容器的直径不极端地细，且能够假定等离子体的电势大致相等的部位成立，在口部或肩部的细的部分不成立。

另外，出于降低从上述口部到肩部之间的大的电场的主要目的，提出了在外部电极和容器具有空隙的方案(专利文献3)，在将有凹凸的容器作为对象的情况下，为了将大致相似形状作为出发点，使容器能够插入，且为了得到阻隔性高的形状，需要与凹凸部对应地调节空隙形状，因此，对于多样化的容器形状，几乎需要全部通过定做来制作并准备外部电极，存在成本高，劳力和时间增加的问题。另外，空隙变宽，因此，在该空隙容易产生等离子体，因此，在空隙宽度上存在极限，使电压均匀的效果受限，难以得到容器整体的均匀的薄膜。进而，不能改善容器的成形精度或外部电极13或衬垫25的制作精度或容器的设置精度引起的电压分布的问题，得不到高的阻隔性。或者，阻隔性提高的不均容易变大。

进而，有将电介质衬垫主要设置于容器的口部、肩部的方案(专利文献4)或将其延伸出至容器下部的建议(专利文献5)，但这也以降低上述口部到肩部之间的大的电场为主要目的，可以将能够适用主体部没有凹凸的相似形状的电极或衬垫的容器作为对象，调节肩部的细径部分的附膜，但不能将在主体部具有凹凸的容器作为对象，得到包括主体部的附膜的整体的均匀化。另外，在方案中，也不能改善容器的成形精度或外部电极13或衬垫25的制作精度或容器的设置精度引起的问题，得不到高的阻隔性。

另外，在以往技术中，提出了在电极和成膜对象之间设置有用塑料制且与电极电接触且从成膜对象设置一定的间隔的外筒的成膜装置的方案(专利文献6)，但该发明的对象在容器的内表面和外表面两方成膜，主要目的是防止容器的加热，与以仅向内表面的成膜为对象，以电压分布的均匀化引起的膜分布的改善为目的本发明完全不同，对于向在主体部等具有凹凸的容器的成膜时成为问题的膜分布的均匀性或上述各种精度的问题引起的阻隔性降低，没有任何改善启示。

以上，有关与容器的与向外部电极的插入方向水平的方向的剖面进行了探讨，但以下，探讨容器的与插入轴垂直的剖面方向。

图13～图15表示容器12的剖面形状为圆形或方形等的情况。

在此，如图13所示，所述容器12的形状为大致圆形状的情况下，换算距离G在任意处均大致均匀，因此，对阻隔性没有影响。

在图14中，示出插入例如多边形等半径不恒定的容器(方形)，进行涂敷的情况。

在这种情况下，也与所述水平方向剖面的情况相同地，换算距离G之比Gmax/Gmin＝(d₄+d₁/ε_D)/(d₃+d₁/ε_D)，与没有电介质部件的情况相比变小，阻隔性提高。

仅准备一个这样的形状的电介质部件，就能够应对圆形容器到各种方形容器。

还有，与接下来的图15所示的具有方形的空洞的电介质部件不同，不调节容器的轴向的角度，就能够以自由的角度插入装置中，因此，实现插入装置的简单化。

最后，图15中示出具有与容器的外形相同的方形的空洞的电介质部件的情况。在这种情况下，d₄的一部分被替换为相对介电常数ε_D的d₂一侧，因此，换算距离G之比Gmax/Gmin＝(d₄+d₂/ε_D)/(d₃+d₁/ε_D)变得比(b)小，能够提高阻隔性。在这种情况下，若电介质部件中使用ε_D大的电介质例如氧化铝等的情况下，G变小，更优选。

另外，未图示，但将外部电极形成为方型筒状形状也可。

此外，对于多边形的容器，用与上述方型相同的想法，使用多边形型电介质部件也可。

在此，所述电介质部件50优选至少包围容器12的主体部。

另外，电介质部件50形成为有底筒状或大致有底筒状也可，但形成为无底筒状或具有一部分底面的筒状也可。

另外，用所述电介质部件50覆盖所述外部电极13中面向所述容器12的凹部12a的空间的部分也可。

另外，所述电介质部件50的空洞的一部分或空洞的大致整体与容器稍微相接也可。

另外，将与容器12的凹部12a对置的部分的电介质部件形成为具有不同的相对介电常数ε的电介质部件也可。

另外，沿凹部形状，将电介质部件的形状形成为凸形也可。

进而，层叠具有不同的相对介电常数ε_i的电介质部件也可。

这样，通过将所述电介质部件的材料和空间的厚度设定各种，使所述换算距离d_i/ε_i的、自外部电极内表面到所述容器内表面的总和在容器的大致整体上大致均匀，实现成膜的均匀性。

即使容器12以不具有凹部12a的容器为对象，相对于以往技术中由于容器的成形精度或外部电极13或衬垫25的制作精度或容器的设置精度，难以使外部电极等与容器完全地相似，因此，得不到高的阻隔性的问题，本发明也具有如下效果：能够得到基于电介质部件的容器内表面的电压均匀化，能够在容器内表面形成均匀的膜，提高阻隔性。

另外，容器的形状优选大致筒状。在此，筒状的容器是口部细，主体部粗，纵向长的容器形状，侧面部为圆筒状或有面板部的方筒状，包括有凹凸部的情况和没有的情况。

作为本实施方式的其他例子，图5中示出将电介质部件设置于与容器的凹部对置的位置的阻隔膜形成装置。利用该装置，也可以如图4中的说明所述地使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件50、和外部电极13和容器12的空隙d₇或所述电介质部件50和容器12的空隙d₄，使得大致均匀，能够在容器整体上得到均匀的成膜。进而，如本方式一样，金属电极露出在比较大的空隙的情况下，有时异常放电，因此，也可至少将薄的电介质设置于外部电极的表面，对其进行抑制。

图6中容器12形成为上部大大开口的杯状。在这样的杯状容器内形成阻隔膜时，能够使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件50、和外部电极13与容器12的空隙d₇或所述电介质部件50与容器12的空隙d₄，使得大致均匀化，能够在容器整体上得到均匀的成膜。

[第二实施方式]

图16是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图16所示，对于容器12的形状，将剖面变更为圆形状，将空隙51设为最低3mm以上而示出。

根据本实施方式可知，即使增大电介质部件50和容器12的空隙51的情况下，也能够在容器内表面得到均匀且良好的成膜(氧阻隔性：BIF15倍以上)。

[第三实施方式]

图17是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图17所示，对于容器12的形状，将剖面变更为圆形状，将空隙51设为最低1mm以上而示出。

另外，设置有与容器底部侧的凹部12b对应的凸部形状的电介质部件62。

根据本实施方式可知，除了容器主体部的凹部12a以外，还可以在容器底部的凹部12b进行均匀的成膜。

[第四实施方式]

图18是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图18所示，在本实施方式中，在图17的装置中，为了加强容器12的肩部的电场，设置有电介质部件的上部鼓出部50-3。还有，本部件的形状不需要为了本发明的效果而完全沿容器形状，形成为具有能够容许多种容器的肩部形状的范围的余量的范围的鼓出形状即可。另外，上部鼓出部50-3兼作容器口部11的中心轴的轴输出功能。还有，在本发明中，电介质部件的一部分不完全沿容器而能够容许多种容器的形状也包括在大致筒状中。

根据本实施方式可知，在容器主体部以外的容器肩部也能够进行均匀的成膜。

[第五实施方式]

图19是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图19所示，在图18的装置中，为了进一步加强容器12底部的侧面的电场，设置有电介质部件的下部鼓出部50-4。另外，下部鼓出部50-4兼作容器口部11的中心轴的轴输出功能。

另外，本部件也不需要完全沿容器外周形状，形成为具有能够容许多种容器的肩部形状的范围的余量的范围的鼓出形状即可，但为了防止容器12的滚倒，与容器底部侧面接触也可。

[第六实施方式]

图20及图21是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图20及图21所示，在图18的装置中，进而在容器12底部侧设置有朝向中心轴方向移动自如的电介质部件的可动鼓出部50-5。可动鼓出部50-5例如为弹簧机构、其他相同的结构的伸缩容易的部分，在插入了容器12时，实现了将该容器12对正中心，并且，防止其滚倒。另外，还具有加强容器12的侧面的电场的效果。

[第七实施方式]

图22是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图22所示，设定多种容器12的肩部形状，在上部外部电极13-1的内侧设置有圆锥形状的外部电极13-3。此外，为了得到更高的阻隔性，将圆锥形状的外部电极13-3进而形成为以固有的容器为对象的相似形状也可，形成为与若干个容器近似的相似形状也可。

根据本实施方式可知，通过设置所述圆锥形状的外部电极13-3，容器12肩部中的电介质部件的厚度变得比较大致均匀，容器12的上部侧电场变得更均匀，其结果，能够进行更均匀的成膜。

[第八实施方式]

图23是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图23所示，在本实施方式中，用电介质部件构成真空室，并且，在所述电介质部件的周围贴附有作为外部电极的片状的金属片80。

所述金属片80优选例如用铝、不锈钢等形成，厚度为与高频的表皮效应相称的大约50μm以上，没有上限，但例如可以为5mm左右。

另外，本发明的片不限定于通常的金属片，也可以为罐状的板材，也可以为冲裁板或网状等透明金属，也可以为镀敷等的薄膜。

进而，优选为了确保金属片80的上部和下部的电接触，在周围设置触头。

在本方式中，除了本发明的效果之外，得到电极结构的轻量化、设计形状的自由度提高、机械加工的容易化带来的制作成本的降低、透明金属和透明树脂部件(例如透明硬质氯乙烯等)的利用带来的内部可视化、由此带起的等离子体分布调节的容易化等效果。还有，接地罩也可以为透明金属。

[第九实施方式]

图24是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

如图24所示，用作为外部的接地罩的接地罩22构成真空室。另外，为了在所述接地罩22和金属片80之间也减小空间部分，提高密封性，用电介质部件埋入。还有，也可以为空间原来状态。

在本方式中，上述第8实施方式的特别的效果进一步增加，并且，得到空间的绝缘破坏的抑制。

进而，通过与金属片80相同地将接地罩形成为金属片，还能够实现轻量化和低成本化。

[第十实施方式]

图25是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。图26是图25的主要部分剖面图。

如图25及图26所示，在本实施方式中，由具有无数的空隙52的发泡体构成电介质部件50。由于所述空隙52的存在，相对介电常数ε_D实质上降低，能够降低换算距离之比。

[第十一实施方式]

图23是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。图28是图27的主要部分剖面图。

如图27及图28所示，在本实施方式中，设置有具有无数缝隙53的电介质部件。由于缝隙53的存在，相对介电常数ε_D实质上降低，能够降低换算距离之比。

[第十二实施方式]

图29～图31是其他实施方式的阻隔膜形成装置的工序概略图。

如图29所示，设想多种容器12的大小，将具有充分的间隙的电介质部件50设置于外部电极13的内侧，从其上部开口部分利用插入夹具插入容器12。

其次，如图30所示，利用从排气管14侧沿铅垂轴方向移动自如的可动夹具90、和在其前端侧设置的口部把持夹具91，把持容器12的口部11，进行固定。

然后，如图31所示，具有电介质部件50的外部电极及接地罩22上升，收容容器12。

这样，根据本实施方式可知，通常，容器12(尤其PET瓶)的口部11的形状通过规格来大致统一，因此，在把持该部分的颈部操作(neckhandling)的情况下，无论何种形状的容器，也能够由一种操作装置来应对，不需要以往的方法、或上述实施例中插入容器的底部时所需的主体部的把持夹具的模更换。

由此，即使为多种多样的容器，只要是能够插入电介质部件50内的容器，就能够通过所谓颈操作的简易的操作来设置于阻隔膜形成装置内。另外，由于电介质部件50的存在，能够在容器内表面上进行均匀的成膜。

在本实施方式中，通过将筒状的电介质部件的一部分例如口部或肩部形成为与容器形状近似的形状(不是完全相似)，能够形成为容许多种容器的形状，但这样的形状在本专利中包含于大致筒状中。

[第十三实施方式]

图32～图34是其他实施方式的阻隔膜形成装置的概略图。

在本实施方式中，形成为将图29～图31的阻隔膜形成装置上下倒置的结构，省略工序的说明。如本实施方式一样，通过将容器12的口部11形成为朝向下方的结构，能够抑制在形成碳皮膜时产生的副产物即碳粉落入容器内而附着的情况。由此，作为后工序的容器的空气净化非常简单化。

如上所述，根据本发明可知，使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和外部电极与容器的空隙或所述电介质部件与容器内表面的空隙，使施加于所述容器内表面的电压大致均匀，因此，能够能够在容器整体上得到均匀的成膜。

尤其，例如，在容器内部填充清凉饮料水等的容器等的情况下，即使阻隔性比较低也可，因此，对于各种形状的容器，通过使用一个圆柱状的筒状的电极，能够不进行电极的模更换而进行比较良好质量的成膜。从而，在大量的容器成膜的成膜系统中，省略对各种容器进行成膜用模更换的步骤，能够实现系统效率的大幅度的提高。

另外，例如，填充啤酒等的容器需要高阻隔性，通过利用一个圆柱状的筒状的电极的循环使用，不能得到充分的阻隔性。然而，通过本发明可知，适当地选择电介质部件或空隙的厚度或相对介电常数ε，从而在容器整体将d/ε均匀化，由此即使在有凹凸的复杂的形状的容器的情况下，也能够进行良好的成膜，容易地得到15倍以上的阻隔性。

进而，在需要高的阻隔性的情况下，需要使用没有凹凸的容器，但在那种情况下，在本发明中也抑制制作精度、成形精度、设置精度等引起的阻隔性的降低，能够得到更高的阻隔性(例如20倍)。

此时，膜分布均匀，因此，整体上被相同程度的着色，因此，在如以往一样为了得到高的阻隔性而加厚附膜的情况下，消除着色少的部分中b值为4左右，但着色浓的部分中b值浓达7～8的情况。

从而，啤酒一样需要高阻隔的情况下，也能够将b值抑制为4以下，形成为美观良好的容器。

另外，能够进行均匀的成膜，因此，需要高的阻隔性的情况下，也不像以往一样需要成膜时间，另外，能够相应地抑制碳粉灰的产生。

另外，在容器存在凹凸面的情况下，例如只能利用使用了微波的膜质差，阻隔性低的方法来实现均匀化，但本发明能够在使用了阻隔性高的高频的成膜法中得到均匀的成膜。

在本发明中，能够一次性实现以上的效果，对容器成膜技术的大幅度提高起到贡献。

产业上的可利用性

如上所述，根据本发明的阻隔膜形成装置及阻隔膜形成方法可知，容器和外部电极的空隙的大小成为问题的情况下，尤其对凹凸面存在的容器进行均匀的成膜，能够低成本地得到比以往高的阻隔性的成膜。

Claims (42)

1.一种阻隔膜形成装置，其在容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，

使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和外部电极与容器的空隙或所述电介质部件与容器内表面的空隙，使施加于所述容器内表面的电压大致均匀。

2.根据权利要求1所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述外部电极的内侧形状为筒状或大致筒状。

3.一种阻隔膜形成装置，其将具有至少一个以上的凹凸部的容器作为被处理容器，在所述被处理容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，具备：

电介质部件，其具有包围所述容器的大小的空洞；

外部电极，其覆盖所述电介质部件的外周侧；

排气机构，其经由绝缘部件安装于所述容器的口部所处的一侧的所述外部电极的端面，经由排气管对所述容器内部进行减压；

气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用的介质气体；

电场施加机构，其用于施加用于在所述外部电极和接地电极之间产生放电的电场。

4.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述气体喷出部接地，并且插入到所述容器内，兼作内部电极。

5.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

包围所述被处理物即容器的大小的空洞与由用于容器外周通过的最大通过轨迹线形成的空间一致或具有比其大的间隙。

6.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件为有底筒状或大致有底筒状。

7.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件为无底筒状或具有一部分底面的筒状。

8.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

用所述电介质部件覆盖所述外部电极中面向所述容器的凹部空间的部分。

9.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件的空洞的一部分或空洞的大致整体与容器稍微相接。

10.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件是氟系树脂、硬质氯乙烯、玻璃或陶瓷的任一种或它们的组合。

11.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

在所述电介质部件的内部设置有所述容器时，容器的主体部与电介质部件之间的空隙以使空隙宽度的最大值和最小值之差成为3mm以上的方式形成。

12.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件的厚度大致均匀。

13.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件为有底或无底的筒状或大致筒状，并且，电介质部件的平均厚度/介电常数为0.95～3.8的范围。

14.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件在容器的肩部、口部的任一方或两方带有空隙地设置。

15.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件或空间的厚度d_i除以相对介电常数ε_i得到的换算距离d_i/ε_i的自外部电极内表面到所述容器内表面的总和在容器整体上大致均匀。

16.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

以使所述换算距离d_i/ε_i的自外部电极内表面到所述容器内表面的总和在容器的大致整体上大致均匀的方式，组合所述电介质部件的材料、所述电介质部件与空间的厚度以及所述外部电极形状。

17.根据权利要求1或3所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

对于容器剖面上的各容器表面部位中的、所述电介质部件或空间的厚度d_i除以相对介电常数ε_i得到的换算距离d_i/ε_i的自外部电极内表面到所述容器内表面的各部位总和，容器整体中的各部位总和的标准偏差除以平均值得到的值为0.75以下。

18.一种阻隔膜形成装置，其特征在于，具备：

电介质部件，其具有包围被处理物即容器的至少主要部分的大小的空洞，并且，所述空洞与由用于所述容器外周通过的最大通过轨迹线形成的空间一致或具有比其大的间隙；

外部电极，其设置于所述电介质部件的外周侧；

排气机构，其经由排气管对所述容器内部进行减压；

气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用的介质气体；

电场施加机构，其用于在所述容器内产生放电而与所述外部电极连接，并且

所述阻隔膜形成装置在所述容器内表面形成阻隔膜。

19.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述外部电极为接地电极，并且，

将连接有所述电场施加机构的电极设置在所述容器内或所述排气管。

20.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

通过所述电介质部件的一部分与所述容器相接，进行所述容器的定位。

21.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

通过所述电介质部件的一部分与所述容器相接，进行所述容器的定位，并且，

与所述容器相接的所述电介质的一部分为可动结构，且

在所述容器的插入时或取出时移动。

22.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

将具有包围所述外部电极的大小的接地的导电性的接地罩与所述外部电极绝缘地设置。

23.根据权利要求1、3或1 8中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述外部电极兼作真空容器。

24.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件兼作真空容器。

25.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

将具有包围所述外部电极的大小的接地的导电性的接地罩与所述外部电极绝缘地设置，并且，

所述接地罩兼作真空容器。

26.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述外部电极兼作真空容器，并且，

所述外部电极为片状。

27.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

将具有包围所述外部电极的大小的接地的导电性的接地罩与所述外部电极绝缘地设置，并且，

在所述外部电极和所述接地罩之间的大致整体上设置绝缘部件。

28.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

作为被处理物的容器的形状为大致筒状。

29.根据权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

作为被处理物的容器的形状为大致筒状，并且，具有至少一个以上的凹部。

30.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜。

31.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，

作为被处理物的容器的形状为大致筒状。

32.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，

作为被处理物的容器的形状为大致筒状，并且，具有至少一个以上的凹部。

33.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，

准备具有各种空洞形状的多个电介质部件，从其中选择适合作为被处理物的容器的形状等的电介质部件，然后，在容器形成阻隔膜。

34.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜，并且，

所述电介质部件的全部或一部分、所述外部电极的全部或一部分和所述接地罩的全部或一部分一体地利用驱动机构移动，

开闭所述真空容器，进行容器的插入、取出。

35.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，通过颈部操作，对所述容器进行插入及取出。

36.根据权利要求18所述的阻隔膜形成装置，其特征在于，

所述电介质部件具有：能够将所述容器朝向所述有底筒型的外部电极的底部方向从该容器底侧插入的开口。

37.一种阻隔膜形成装置，其在容器内表面形成阻隔膜，其特征在于，

使用在外部电极和容器之间设置的电介质部件、和外部电极与容器的空隙或所述电介质部件与容器内表面的空隙，使施加于所述容器内表面的电压大致均匀，

以使所述容器的口部朝向下方的方式将所述外部电极的口部端部设为朝向下方，

在所述外部电极的端部的下侧经由绝缘部件安装排气管，在所述容器内表面形成阻隔膜。

38.一种阻隔膜形成装置，其将具有至少一个以上的凹凸部的容器作为被处理容器，在所述被处理容器内表面形成阻隔膜，所述阻隔膜形成装置的特征在于，具备：

电介质部件，其具有包围所述容器的大小的空洞；

外部电极，其覆盖所述电介质部件的外周侧；

排气机构，其经由绝缘部件安装于所述容器的口部所处的一侧的所述外部电极的端面，并经由排气管对所述容器内部进行减压；

气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用的介质气体；

电场施加机构，其用于施加用于在所述外部电极和接地电极之间产生放电的电场，

以使所述容器的口部朝向下方的方式将所述外部电极的口部端部设为朝向下方，

在所述外部电极的端部的下侧经由绝缘部件安装排气管，在所述容器内表面形成阻隔膜。

39.一种阻隔膜形成装置，其特征在于，具备：

电介质部件，其具有包围被处理物即容器的至少主要部分的大小的空洞，并且，所述空洞与由用于所述容器外周通过的最大通过轨迹线形成的空间一致或具有比其大的间隙；

外部电极，其设置于所述电介质部件的外周侧；

排气机构，其经由排气管对所述容器内部进行减压；

气体喷出部，其用于向所述容器内喷出阻隔膜生成用介质气体；

电场施加机构，其用于在所述容器内产生发电而与所述外部电极连接，

以使所述容器的口部朝向下方的方式将所述外部电极的口部端部设为朝向下方，

在所述外部电极的端部的下侧经由绝缘部件安装排气管，在所述容器内表面形成阻隔膜。

40.一种阻隔膜形成方法，其特征在于，

使用权利要求37、38或39中任一项所述的阻隔膜形成装置，使该容器上下倒置后，通过颈部操作，进行所述容器向外部电极的插入及取出。

41.一种阻隔膜被覆容器，其特征在于，

使用权利要求1、3或18中任一项所述的阻隔膜形成装置，在被处理物的容器内表面大致均匀地形成阻隔膜。

42.一种阻隔膜被覆容器，其特征在于，

使用权利要求37、38或39中任一项所述的阻隔膜形成装置，使该容器上下倒置后，通过颈部操作，进行所述容器向外部电极的插入及取出，并在被处理物的容器内表面形成阻隔膜。

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