CN101627151A - 用于热处理支撑塔的可卸式边缘环 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种边缘环(152)以被支撑在炉管(160)内的垂直塔(140)上的晶圆(30)的批式热处理。边缘环具有大约重迭晶圆周围的宽度，且可卸地在晶圆之间被等间隔地可卸地支撑在该塔上，以减少热边缘效应。所述边缘环可具有内或外凹部以扣住在支撑晶圆塔脚件(142、144、146)的指部上或其附近的结构，或被形成在边缘环侧面上的一个或多个台阶可以滑动且随后落在与支撑指部关联的锁扣突脊下方。较佳者，该塔与所述边缘环及邻近热区的炉管的其它其它构件(168、180)是由硅所组成。

Description

用于热处理支撑塔的可卸式边缘环

相关申请

本申请要求享有2005年7月8日提交的临时申请60/697,895和2005年9月29日提交的临时申请60/721,926的权益。

技术领域

本发明一般涉及衬底，特别是硅晶圆的批式热处理。尤其，本发明涉及用在晶圆支撑塔中的辅助环。

背景技术

在炉管中同时地处理多个晶圆的批式热处理一直都被广泛地利用于半导体工业之中。大部分现代的批式热处理是以垂直炉管为基础，在其中被垂直设置的支撑塔将许多晶圆固持于一水平方位。这些塔传统上是由石英制成，特别是用在低于1000℃的处理温度；或碳化硅所制成，特别是用在更高处理温度下，但是硅塔正在进入用在所有温度范围的商业上应用。

使用这样热处理的一个工艺是为高温氧化(high temperature oxidation，HTO)，其是通过使用SiH₄与N₂O或NO作为前驱物气体的化学气相沉积(CVD)来成长非常薄的氧化层。典型的CVD温度为在750℃附近。薄氧化物具有约2.5纳米或更小的厚度，且可以被用在例如闪存中的一隧道势垒(tunnelingbarrier)。其它工艺也能生长薄膜层，诸如使用O₂作为氧化剂。

然而，所生长薄膜层的厚度均匀性是个问题。厚度轮廓12A被示意性绘示在图1中。厚度中的两尖峰14A、16A是在靠近晶圆周围被观察到的。尖峰14A、16A代表相对侧上16％与33％的变动，且因为隧道电流是随着厚度而指数变化，所以中等厚度变化可以产生隧道电流的大变化，并因此产生闪存纪录性能的大变化。

尖峰的特定起源并没有被完全地了解，但是已经认为可能的原因包括热边缘效应，例如通过塔脚件遮蔽的热或邻近炉管壁的遮蔽的热，以及通过在晶圆周围的气体流动不连续性遮蔽的热。一些人士已经试图通过附加辅助环至塔以解决此问题，其中辅助环是在晶圆边缘上方朝着中心延伸一小段距离。最理想地，晶圆是被设置在面向其上与下表面的两个相邻边缘环之间。已经显示该些边缘环若无法消除这些尖峰的话，对于减缓这些尖峰是有效的。

典型的设计包括石英塔，以及与塔的三或四个脚件熔接在一起的石英边缘环。此设计遭遇一些问题。虽然石英相当便宜，但是在如此多位置处进行熔接甚为费力。若其中一个边缘环在操作中破裂的话，则几乎不可能进行修复。若不是丢弃该塔与所焊接的边缘环，就是之后不能再使用所破裂边缘环周围的晶圆位置于生产晶圆。虽然石英大致上是可以被接受用在热支撑固定件，但是先进的技术质疑其是否具有适当的纯度。

因此，一较佳的设计是被希望用在边缘环与其支撑塔。

发明内容

环塔包括指部或其它突出部以支撑在一垂直堆栈中的晶圆与一般呈环状的边缘环，该些边缘环在所述晶圆之间错置且较佳地是自晶圆周围向外延伸的径向带上方延伸。

较佳地，所述塔与所述边缘环两者是由硅所组成。所述边缘环更佳地是由随机定向多晶硅(randomly oriented polycrystalline silicon，ROPSi)所形成，其可以通过使用多晶硅晶种而以切克劳斯基方法来生长。硅晶种可以由通过CVD生长的原生多晶硅(virgin polycrystalline silicon)(电子等级硅)或从源自原生多晶硅晶种的晶种生长的切克劳斯基生长的硅所组成。

有益处的是，该些环是通过例如重力而被动地扣住塔。该锁扣可以通过形成在该些环之内或外周围上的凹部或在其侧面的台阶来达成。

附图说明

图1为通过高温氧化工艺生长的氧化物厚度轮廓；

图2为本发明的实施例的正射投影图，其包括塔与多个边缘环；

图3为图2的塔与边缘环及晶圆的分解图；

图4为图1与图2的塔的其中一个脚件的分解正射投影图；

图5为本发明的一边缘环的平面图；

图6为远离脚件区域中的晶圆与边缘环的分解图；

图7为边缘环的另一实施例的正射投影图；

图8为塔脚件的正射投影图，图7的边缘环可利用其使用；

图9为图8的分解图；

图10为图8塔脚件的改造的分解图；

图11为配置用于四脚塔的边缘环的另一实施例的平面图；

图12与图13分别为从图11边缘环与图12塔的侧脚件之间的啮合的前侧和后侧提取的正射投影图；

图14为部分地被装载边缘环的三脚塔的正射投影图，其中该边缘环是图11边缘环的变形；

图15为图14的塔与边缘环的部分截面平面视图，其额外地示出了晶圆；

图16为包括有衬垫、注射器与塔的炉管的横截面图。

具体实施方式

本发明的第一实施例，在图2的正射投影图中和图3的分解图中示出，其包括支撑塔10，该支撑塔10包括两侧脚件12、14与后脚件16，该脚件的底端固定至底基座18且其顶端固定至类似地未示出的顶基座。脚件12、14、16，其还在图4的正射投影图中示出，被类似地配置且包括指部22，指部22一般自轴向延伸脚杆24向内突出。在该三个脚件12、14、16的对应轴向位置的指部22支撑在径向向外的与下方的环支撑表面28上的边缘环26。指部22也支撑在径向向内的且上方的晶圆支撑表面32上的晶圆30，该些表面32一般为平坦及水平的，并且被突起定义在突脊34其内侧。突脊34邻近于被支撑在晶圆支撑表面32上的圆形晶圆30的外部设置，从而将塔10上的该些晶圆30对齐。

一个边缘环26，如图5的平面图所示，通常为环状的垫圈形状主体，其一般围绕中心40圆形地对称，该中心40重合塔10的中心与晶圆30的中心。然而，边缘环26被制成包括一般类似形状的两侧凹部42、44与后凹部46，以分别地啮合在该两侧脚件12、14与后脚件16上的边缘环26。凹部42、44、46后方的薄区段48支撑在塔10的脚件12、14、16上的边缘环26。区段48的外面，尤其在侧面上，可以被平坦化而使侧面平坦化平行于插入方向以允许更大的外部直径。凹部42、44、46通过一角度被设置在环26后方周围的围绕中心40而圆周地延伸的位置处，其中该角度比180°度大得多而使在类似角度间隔的脚件12、14、16可以稳固地支撑住边缘环，但是该角度足够小而使侧脚件12、14不会干扰经过侧脚件12、14的边缘环26(与晶圆30)的插入。例如，侧凹部42、44放置在环中心40的稍微靠前处。

边缘环26的内径可以约为晶圆直径或稍大，例如高达4至10毫米大，6毫米大。稍微延伸边缘环26在晶圆直径内部是可行的，例如对于200或300毫米晶圆延伸小于10毫米。通常，一致直径的异常不应该显著地超过塔中晶圆30之间的节距，使得围绕晶圆边缘的立体角的大部分将晶圆30或边缘环26视为相同温度。以不同地方式陈述，晶圆30的边缘不应该视察炉管壁或衬垫，除了经由两相邻边缘环26之间的间隙之外，其呈现衬垫的相当小的视角。同样地，边缘环26的环宽应该大于晶圆30之间的节距。边缘环26的外径应该显著地大于晶圆直径，以向外地延伸均匀温度。额外的直径可以对应至来自没有边缘环的晶圆外围的图1中尖峰14A、16A的位置。因此，在极大程度上，晶圆30仅会视察其它晶圆30或边缘环26，其全部会平衡至约相同温度。最大的温度偏离发生在边缘环26的外缘，而不是晶圆30的外缘。边缘环26应该移动非均匀的沉积尖峰14A、16A至晶圆30区域的外面，且至边缘环26上。然而，过宽的边缘环会冲击设计与烤箱的使用。示例性的外径大于晶圆直径20至40毫米，例如28毫米。边缘环26的厚度应该足够厚以提供足够刚性至该似环结构，但是足够薄以使其与晶圆不会有明显不同的热容量。通常，边缘环厚度较佳是从约晶圆厚度至约两倍晶圆厚度变化。目前的设计使用1至1.5毫米的厚度。

较佳地，边缘环26是由使用随机定向硅种(例如原生硅(virgin silicon)的晶种或起源自CVD成长晶种的多晶硅晶种)的随机定向多晶硅(randomly orientedpolycrystalline silicon，ROPSi)的纯硅所制成，例如从熔融物中拉引的切克劳斯基生长的硅。该材料与其生长和加工在2005年6月27日申请的美国临时申请案号60/694,334与2006年1月9日申请的美国专利申请案号11/328,438中进行了描述，其在引用其做为参考。此制造工艺有利地包括在自硅铸块线割或切割之后的该表面的表面(Blanchard)研磨，以在所暴露表面上的表面破坏，从而增加沉积于其上的膜层的黏结。陶瓷加工技术用于由晶圆形未加工物制造环形形状。为了去除杂质，特别是重金属，环在被加工之后能够以用以清洁硅晶圆的技术而被清洁，例如使用酸或碱蚀刻剂的组合。在边缘环26的制造已经完成之后，在CVD工艺中将其预涂覆在所有表面上以一层具有与将要沉积在烤箱中或其将要使用的沉积工艺的相同的CVD材料，也即，对于氮化硅炉管是氮化硅以及对于二氧化硅炉管是二氧化硅是有益处的。预涂覆层将可以牢固地被固定在被建立做为表面破坏部分的裂缝与破口中，且将优良地黏结至之后所沉积的相同材料层。

其它类型的硅可以被用于边缘环，例如单晶硅。然而，切克劳斯基生长(CZ)的单晶硅一般不适用在目前需要用于300毫米塔的更大直径中，且会进一步造成缺口或破裂。浇铸硅(cast silicon)是可以有益的，其典型地为随机定向且具有适当尺寸，但是其纯度与通常其强度一般小于随机定向CZ多晶硅。应当了解的是，虽然上述的大部分类型的硅为更纯，但是根据本发明一些方案可以使用的硅材料是由至少99％元素硅所组成。

然而，必须强调的是，本发明的边缘环的许多方案不限于硅环与塔，且可以应用至由其它材料诸如石英、碳化硅或渗入硅的碳化硅所组成的环或塔。渗入硅的碳化硅可以通过将接近化学计量的碳化硅暴露至硅熔融物来达成，或通过混合硅与石磨粉的所控制量、浇铸该混合物、且火烧该浇铸件以获得硅对碳的选择比例来达成。

请参阅图4，脚件12、14、16包括一腱部50于其下端与未绘示的上端，以在底基座18中或未绘示的顶基座中的对应榫眼内啮合。指部22以在一般水平方向自脚杆24而径向地向内延伸成一般等厚度与等宽区块52，在顶上形成环支撑表面28。接着，指部22进一步地以在部分向上方向而径向向内延伸成倾斜区块54，其中该倾斜区块54可以具有等宽，但是不必要如此。然后，指部22进一步地以一般水平方向而径向向内延伸成收敛侧壁56的楔形尖端，其上形成由突脊34在它们的径向外侧上限制的晶圆支撑表面32。在图5的环26中的凹部42、44、46的侧壁58是类似于尖端侧壁56呈倾斜，但是被分隔开比尖端侧壁56稍大的距离，以使边缘环26能垂直地通过尖端侧壁56。

因此，对于所有该三脚件12、14、16，边缘环26能够对在突脊34顶部上方高度处的一组三个对应指部22手动地或自动地插入塔10中。当边缘环26几乎到达后脚件16的杆24时，边缘环26则被降低，同时凹部侧壁58会通过尖端侧壁56，从而使环支撑区段48被平置在脚件12、14、16的环支撑表面28上。指部22的倾斜区块54有助于置中及将边缘环26与脚件12、14、16对齐。一旦边缘环26已经被置放在边缘支撑表面28上，则边缘环26会在重力作用下保持在此处。然而，若希望的话，边缘环26能够以逆向程序被移除。

所希望的是，晶圆30与边缘环26之间的垂直间隔是被严密控制。如沿着半径但是不通过脚件提取的前视图图6中所示，任何晶圆30的顶表面62是从其正上方的边缘环26的底表面64间隔一距离A，且从其正下方的边缘环26的底表面66间隔一距离B。另一方面，晶圆30的一中央平面68从其上方边缘环26的底表面64间隔一距离C，且从其下方边缘环26的底表面66间隔一距离D。第一种设计原理根据A＝B设定间隔。第二种设计原理根据C＝D设定间隔。或许前者有益于瞬时条件的均匀性，而后者有益于平衡的均匀性。任一设计原理都决定晶圆支撑表面32与每一指部22的边缘支撑表面28的垂直分开，而考虑指部22的垂直节距与边缘环26及晶圆30的厚度。根据任一种配置与晶圆和边缘环的等厚度，晶圆与边缘环之间的平均热负载保持至晶圆周围外面为实质上恒定。该图也绘示出的是，任何晶圆30看成为与其它晶圆30或边缘环26等面积，此两组实质上都在相同温度，从而减少晶圆30上的边缘效应。也希望的是，楔形指部尖端的底部约在被支撑于环支撑表面28上的边缘环26的底表面的高度，从而在边缘环26被置放在塔10中之后最大化用于晶圆传送的空隙。所了解的是，包括轴向改变间隔的其它设计原理也是可行的。

在边缘环26已经被装载进入塔10中之后，晶圆30可以被插入塔10中且从塔10移出，而不会干扰到已经被置放那里的边缘环26。边缘环26可以在多个晶圆循环期间保持在塔10上。

若边缘环26因某原因而破碎，其可以自塔10中被移除，且被更换为一新边缘环，而不需要建立一新的塔10。

另一实施例对于晶圆与边缘环提供分开的脚指部。如正射投影图7所示，、边缘环70包括两侧凹部72、74与底凹部76。所有凹部72、74、76可以被矩形地切割入环70的外周围，以在对应于图5的凹部42、44、46的角度位置处符合脚件中的类似形状结构。在正射投影图8完全示出与在分解正射投影图9中部分示出的脚件80可用于图2与图3的塔的任一脚件，以支撑环70且互锁。脚件80包括相互错置的晶圆指部82与环指部84，且一般自轴向延伸杆部分86而水平地径向向内延伸。

每一晶圆指部82包括晶圆支撑区域88，其可以为水平的，或如果期望其可以是倾斜且具有平坦支撑尖端区域。晶圆支撑区域88后方或径向外侧是被晶圆突脊90所界定，该晶圆突脊90对齐在晶圆支撑区域82上的晶圆。晶圆指部82的外部上的锥形侧壁92产生了一楔形尖端。每一环指部84包括典型平坦且水平延伸的环支撑区域94，其前端被一指部边缘96所界定，且其后端被一指部突脊98所界定，其中该指部突脊98是稍微位于边缘环80周围的后面中。晶圆与环支撑区域88、94的相对径向与轴向位置是可以根据前述第一实施例的相同约束而被设计。

方便的是，指部边缘96可以被垂直地建构在与晶圆突脊90相同的径向位置处，其对于晶圆传送还提供更多空隙。形成于指部突脊98后面的指部台阶100的宽度稍微小于类似矩形或其它形状的环凹部72、74、76的宽度。介于指部台阶100的顶部与其上方晶圆指部82的底部之间的通道102比边缘环70的厚度更厚，以使边缘环70能通过通道102。因而，边缘环70可以通过将其沿着至少侧脚件的指部突脊96上方的通道102传送或滑动而被插入已组装的塔中。当边缘环70到达其所希望位置时，利用使其凹部通过指部台阶100的侧面直到边缘环70平置在边缘支撑区域94上且在重力作用下与指部台阶100互锁为止，环凹部72、74、76是位于个别指部台阶100的周围，且边缘环70可以落下或被降低。一旦边缘环70已经全部被装载，其可以被留置在此处，而相继的晶圆组能被从塔装载与卸载。然而，边缘环70可以自脚件拆开，用以维护、更换、或其它理由。

在晶圆支撑区域88后面的凹部104典型地是被用在至少前脚件，其中该些前脚件是位于被支撑晶圆的中心的前面，以使晶圆的总直径被插入通过该些前脚件且接着被降低至晶圆支撑表面上。然而，凹部104的深度可以被减少，如正射投影图10中所示的脚件106。因此，指部82、84比较没有显著地分开。

在图10的脚件106的变形中，通过向上延伸在晶圆支撑区域88后面的台阶90至边缘环支撑区域94的高度，以与指部突脊96合并且消除在晶圆支撑区域88后面中的凹部104，分开的晶圆与环指部82、84被结合成单一指部。最终结构为图4结构的反转，其中指部22是向下延伸，且每一指部上的晶圆支撑表面32是在环支撑区域28下方。脚件106具有较少机械加工与更大机械强度的优点，但是在靠近晶圆边缘处引入额外的脚件质量。有可能在晶圆中心后方的后脚件被形成为两层，其中指部的下方与径向内层支撑晶圆，且上方与径向外层支撑边缘环。

因为图7的侧凹部72、74扣住边缘环70至两前脚件，所以在后脚件上不需要锁扣机构。也就是，有可能消除边缘环70中的后凹部76且向后延伸后脚件80、106的边缘台阶98至脚杆86，以对齐边缘环70的圆形周围。减少的机械加工是通过分开地设计与库存两种类型的脚件的需要而被弥补。

如图11所示，另一边缘环110被建构用于具有四个脚件80的塔。两后凹部或刻槽112、114接合两后脚件80，其自插入轴116的相等且相对角度而被偏移，且面对中心40。刻槽112、114的外侧118被切割成邻近至中心40的半径，而内侧120被切割成平行于插入轴116，以有助于装载在脚件80上。内平底面122、124被切割成平行于插入轴116，但是仅部分地朝后面延伸以形成环台阶126。较佳者，环台阶126是被设置在通过中心40的垂直直径前面。两侧脚件80被设置成至少部分地且较佳完全地在中心40前面，且被定向成垂直地朝插入轴116面对。

当边缘环110被装载时，如在前视图图12中平面地示出，内平底面122、124与各个侧脚件80的晶圆突脊90对齐并且，如在后视图图13中平面地示出，环台阶126落下且与边缘环110到后脚件80的啮合相对而被动地及在重力作用下与指部台阶100的侧部锁住。在该位置中，边缘环100被中心40的后方中远处的后脚件以及稍微但是完全在中心40前方的前脚件80稳固地支撑。如图11中所示，外部平底面128可切割入平行于插入轴116的边缘环110的侧部，以有助于经过侧部脚件80装载边缘环110以及减小塔及其脚件的宽度。部件号和/或序列号130可被雕刻在边缘环110的平坦表面上。

侧平底面122、124与环台阶126的配置可以用来取代图7的三脚件环70中的侧刻槽72、74。

如同前述对于边缘环70的讨论，如果后脚件是被分开地建构成接触边缘环110的周围，边缘环110的后凹部112、114可以被消除。

图11的边缘环110被设计用于具有四个脚件的塔。另一方面，部分正射投影图图14与部分截面图图15中所示出的塔140仅有三个脚件，也即两侧脚件142、144与一后脚件146，其下端固定至底基座148，且其上端固定至一未示出的顶基座。如图所示，侧脚件142、144是完全地位在塔140、晶圆30与边缘环152的中心40的前面。刻槽150形成在后脚件146的后面与基座148的后面，以容纳一热电耦从而测量靠近晶圆的温度。指部被形成在脚件142、144、146中，用以支撑边缘环152与晶圆(图13未绘示出)。侧脚件142、144与后脚件146的指部不同，以允许侧脚件142、144通过边缘环152的侧台阶。边缘环152的内周围通常是围绕中心40的圆形，且除了一内平底面154稍微地向外隔开于晶圆30的外周围，该内平底面154稍微悬于晶圆30之上。边缘环152的外周围为通常是围绕中心40的圆形，但是包括两侧台阶与一后刻槽以将边缘环152被动地互锁至脚件142、144、146。

可以预期的是，在一沉积工艺的延伸操作之后，膜层厚度在塔10与微粒剥落会变成一问题的边缘环26、70、110、152上会累积至一足够厚度。此时，所沉积膜层通过在其间架桥而将边缘环黏接至塔10也是有可能的。自硅清洁膜层是有标准程序。因此，硅塔10与被贴附的硅边缘环都可以被置放在一蚀刻浴槽中，蚀刻浴槽移除所沉积层，而不会移除下方的硅。例如，HF从硅移除氧化硅与氮化硅。硅构件比石英构件在清洁上能提供更高的选择性。对一破碎的边缘环有可能的情况是，一类似的塔与环蚀刻可以被执行而移除破碎的边缘环，其中该破碎的边缘环在碎片被移除之前具有黏接至塔的碎片。

可以了解的是，边缘环的形状不限预以上所描述者。

虽然硅边缘环提供了极大的优点，但是包括可卸配置的本发明的其它特征也是有用的，即使塔或边缘环由其它材料诸如石英、碳化硅或渗入硅的碳化硅所组成。对于所有这些材料而言，环与塔的简单结构及维护的轻易性可以提供显著的制造经济效益。

本发明不限于所描述的HTO工艺，也可以被用于其它工艺、其它工艺气体(若有的话)、其它晶圆诸如绝缘物上硅(silicon-on-insulator)晶圆或玻璃或陶瓷衬底和其它工艺温度。虽然本发明对于高温工艺是最有帮助，但是本发明可以被应用至低温工艺，例如化学气相沉积。

当边缘环是由硅所制成时，对于用在大规模商业生产的炉管是可以赋予一全硅的热区。在横截面视图16中示出的垂直设置的炉管160包括热绝缘加热器筒162，该热绝缘加热器筒162支撑一由未示出的电源激励的电阻式加热线圈164。典型地由石英所组成的钟罐166包括顶盖，且内嵌在加热线圈164之内。衬垫168，例如开放端的，内嵌在该钟罐166之内。对应于前述塔的支撑塔170具有三或四个脚件172，该些脚件被固定至顶与底基座174、176以支撑此处未示出的晶圆与边缘环两者。支撑塔170设置在底座178上。在处理期间，底座178与支撑塔170一般被衬垫168所包围住。在不同高度具有排出口的一个或多个气体注射器180原则上被设置在衬垫168与塔170之间，且具有出口用于在衬垫168内不同高度处注射处理气体。一未示出的真空泵经由钟罐166的底部移除处理气体。加热器筒162、钟罐156与衬垫168可以被垂直地提升以将晶圆传送进出塔170，虽然在一些配置中，这些构件为固定的而升降梯可以升高与降低底座178和被装载的塔170进入与送出炉管160的底部。

钟罐168，在其上端是密闭的，倾向于使炉管160在其中间与顶部部分具有一般均匀的热温度。这即是所谓的热区，其中热区中的温度被控制用于最佳化的热工艺。然而，钟罐168的开放底端与底座178的机械支撑件使炉管的底端具有一低温，常常是低到足以使热工艺诸如化学气相沉积无效。热区可不包括塔170的一些下方沟槽。

有益处的是，不仅边缘环而且塔、衬垫与注射器是由硅所组成，因此热区中的所有材料都是具有由与所被处理硅晶圆的硅材料相同的硅材料，且具有几乎相等的纯度。硅挡板晶圆也优选地被使用，如在前述临时申请案60/694,334与其应用中所描述者。全硅的热区在硅晶圆处理中提供非常低的微粒与杂质程度。Boyle等人已经在美国专利US6,450,346中描述了硅塔的制造，且在2003年8月15日申请的美国专利申请案号10/642,013且现被公开为美国专利公开案号2004/0129203A1中描述了硅衬垫的制造，该两案在此被并入本文以作为参考。Zehavi等人已经在2005年7月8日申请的美国专利申请案号No.11/177,808中描述了硅注射器的制造，其在此被并入本文以作为参考。Boyle等人已经在美国专利公开号2004/0213955 A1中描述了硅粉末的一有用粘合剂与旋涂玻璃以用于组装硅结构。所有这些硅构件都可以由美国加州Sunnyvale的Integrated Materials有限公司购得。

因此，本发明提供了一结构中的明显改善的热效能与明显减少的污染及微粒，该结构对于制造富有经济效益，且容易维护。

Claims (26)

1.一种塔组件，其包含一塔，该塔包括两个基座与固定至所述基座的多个脚件，所述脚件用以可卸地且直接地支撑在一垂直的平行配置中的多个晶圆以及用以可卸地且直接地支撑位在相邻晶圆之间且径向向外延伸超过所述晶圆直径的多个边缘环。

2.根据权利要求1所述的塔组件，其特征在于，所述塔是由硅所组成。

3.根据权利要求1所述的塔组件，其特征在于，进一步包含所述多个边缘环。

4.根据权利要求3所述的塔组件，其特征在于，所述塔与所述边缘环是由硅所组成。

5.根据权利要求4所述的塔组件，其特征在于，所述边缘环至少包含随机定向的多晶硅。

6.根据权利要求4所述的塔组件，其特征在于，所述边缘环包含切克劳斯基生长的多晶硅。

7.根据权利要求1或3所述的塔组件，其特征在于，所述塔包含一选自以下所构成群组的材料：石英、碳化硅、以及渗入硅的碳化硅。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的组件，其特征在于，每一指部包括晶圆支撑表面，以及下部且径向向外的边缘环支撑表面。

9.根据权利要求8所述的塔组件，其特征在于，所述指部的倾斜表面接合所述晶圆与边缘环支撑表面。

10.根据权利要求8所述的塔组件，其特征在于，每一边缘环一般为环状且包括多个径向内凹部，以接合所述指部，并且在所述凹部径向向外的每个边缘环的区段部分是可以支撑在所述边缘环支撑表面上。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的塔组件，其特征在于，每一指部包括晶圆支撑表面，以及较高与径向向外的边缘环支撑表面。

12.根据权利要求11所述的塔组件，其特征在于，每一边缘环一般为环状且包括多个径向外一侧或二侧凹部，以接合所述指部，并且在所述凹部径向向内的每一边缘环的区段部分可以支撑在所述边缘环支撑表面上。

13.根据权利要求11所述的组件，其特征在于，两个所述凹部包括两侧平底面与关联的台阶。

14.一种塔与边缘环组件，其特征在于，至少包含：

一塔，该塔用以支撑垂直隔开的平行关系的多个晶圆并且包括多个边缘环，所述边缘环是可卸地被包括在与晶圆错置的所述塔中并且在所述晶圆的至少大部分区域上具有中心孔，且自所述晶圆的外围径向向外延伸。

15.根据权利要求14所述的组件，其特征在于，所述边缘环具有比所述晶圆直径大和小不超过10毫米范围内的内径。

16.根据权利要求14或15所述的组件，其特征在于，所述边缘环与所述塔为硅边缘环与硅塔。

17.一种用以可卸地被支撑在晶圆支撑塔的脚件上的边缘环，其中所述晶圆支撑塔分开地支撑多个晶圆，所述边缘环包含通常环状构件，所述环状构件具有比所述晶圆直径更大的外径且被动地且在重力作用下可卸地锁扣与所述塔的脚件协作的机构。

18.根据权利要求17所述的边缘环，其特征在于，包含至少99％数量百分比的硅。

19.根据权利要求17所述的边缘环，其特征在于，包含一选自以下所构成群组的材料：石英、碳化硅、和渗入硅的碳化硅。

20.一种用以支撑住实质上圆形的衬底的支撑塔，其包含两个基座，其中围绕中心轴配置的多个脚件固定至所述基座，至少两个脚件包含：

多个第一支撑表面，其沿着所述脚件被轴向地配置以支撑所述衬底，且由所述中心轴自第一半径延伸至第二半径；以及

多个第二支撑表面，其轴向地与所述第一支撑表面错置以支撑环状构件，且自大于所述第一半径的第三半径延伸至第四半径。

21.根据权利要求20所述的塔，其特征在于，所述第三半径至少与所述第二半径一样大。

22.根据权利要求20或21所述的塔，其特征在于，各自的第一支撑表面与各自的第二支撑表面是被形成在自所述脚件的轴向延伸杆部分延伸的各自的指部中。

23.根据权利要求20或21所述的塔，其特征在于，所述第一与第二支撑表面被形成在自所述脚件的轴向延伸杆部分延伸的各自的第一与第二指部中。

24.根据权利要求20或21所述的塔，其特征在于，更包含台阶，其被形成在在所述第二支撑表面与杆部分之间的所述第二指部中。

25.根据权利要求20或21所述的塔，其特征在于，所述脚件是由以下的一者所形成：硅、石英、碳化硅、以及渗入硅的碳化硅。

26.一种炉管组件，其包含：

硅衬垫，其可内嵌在炉管之内；

硅塔，其可内嵌在所述衬垫之内且用以支撑多个晶圆；

至少一个硅气体注射器，其可以内嵌在所述塔与所述塔之间；以及

多个硅边缘环，所述硅边缘环的外径大于所述晶圆的外径，并且所述硅边缘环是可卸地支撑在与所述晶圆错置的所述塔上。

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