CN102691052A - 晶圆承载盘与化学气相沉积机台 - Google Patents

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CN102691052A CN2011101440255A CN201110144025A CN102691052A CN 102691052 A CN102691052 A CN 102691052A CN 2011101440255 A CN2011101440255 A CN 2011101440255A CN 201110144025 A CN201110144025 A CN 201110144025A CN 102691052 A CN102691052 A CN 102691052A
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Foshan Qiming Photoelectric Co ltd
Chi Mei Lighting Technology Corp
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Abstract

本发明公开一种晶圆承载盘与化学气相沉积机台。该化学气相沉积机台包括反应腔室、承载盘、加热器以及供气系统。承载盘设于反应腔室中，且可绕旋转轴旋转，其中此承载盘的上表面适用以承载多个晶圆，且此承载盘的下表面的中央区域中设有第一凹陷部。加热器位于承载盘的下方，用以加热承载盘上的晶圆。供气系统用以将反应气体导入反应腔室中。

Description

晶圆承载盘与化学气相沉积机台
技术领域
本发明涉及一种沉积机台，且特别是涉及一种化学气相沉积(CVD)机台。
背景技术
目前，在化合物半导体元件的工艺中，通常使用化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition；CVD)机台，例如有机金属化学气相沉积(Metal-organicCVD；MOCVD)机台来成长所需芯片。在现行的化学气相沉积机台中，依反应腔体设计形式的不同，而分为垂直式与水平式两种。其中，垂直式的化学气相沉积机台的设计是将沉积反应所需的前驱物(precursor)以垂直于芯片表面的方式引导至反应腔室中的芯片上方。
请参照图1，其绘示一种已知垂直式的化学气相沉积机台的装置示意图。化学气相沉积机台100包括供气系统102、反应腔室104、承载盘106与加热器108。承载盘106设置在反应腔室104中，且此承载盘106的上表面可承载多个晶圆。另外，为了使承载盘106上的芯片的受热均匀，通常设计承载盘106可绕反应腔室104内的旋转轴110旋转。
加热器108设置在反应腔室104中的承载盘106下方，以对承载盘106上的晶圆中的芯片进行加热处理。供气系统102设置在整个反应腔室104上，且位于承载盘106上方。供气系统102可将反应气体114导入反应腔室104中承载盘106的晶圆上方。
进行沉积工艺时，承载盘106连同设置在其上的晶圆会绕着旋转轴110旋转。同时，加热器108会透过承载盘106而加热位于承载盘106上的晶圆。在加热器108的加热下，由供气系统102施加在承载盘106上的晶圆上方的反应气体114会产生反应，而在晶圆表面上成长出所需的沉积层。而多余的反应物、或不需要的生成物与废气则由反应腔室104的底部的排放口112排出反应腔室104。
请参照图2A与图2B，其分别绘示一种已知承载盘的俯视图与剖面图。承载盘106上通常设有数个圆形的凹陷部116a、116b与116c，如图2A所示。如图2B所示，晶圆118a、118b与118c可分别对应设置在这些深度相同的凹陷部116a、116b与116c中。
然而，实务上发现在如图2B所示的承载盘106上成长发光二极管元件所需的芯片时，形成在位于承载盘106中央区域的晶圆上的芯片，例如晶圆118a与部分的晶圆118b、特别是位于正中央的晶圆118a上的芯片，其波长相较于其他晶圆会有异常偏短的现象。如此一来，同一生产批次的芯片的特性不一致，而造成良率的损失。
发明内容
因此，本发明的示例就是在提供一种晶圆承载盘与化学气相沉积机台，其承载盘的中央区域设有凹陷部，而使承载盘具有不同厚度分布。如此一来，可有效改善承载盘温度不均的现象。
本发明的另一示例是在提供一种晶圆承载盘与化学气相沉积机台，可有效改善放置在承载盘中心区域的芯片的特性与波长异常的问题。
本发明的又一示例是在提供一种晶圆承载盘与化学气相沉积机台，可提升承载盘的温度分布的均匀度，进而可提高同一生产批次的芯片特性的一致性，达到提升生产良率的目的。
根据本发明的上述目的，提出一种化学气相沉积机台。此化学气相沉积机台包括反应腔室、承载盘、加热器以及供气系统。承载盘设于反应腔室中，且可绕旋转轴旋转，其中此承载盘的上表面适用以承载多个晶圆，且此承载盘的下表面的中央区域中设有第一凹陷部。加热器位于承载盘的下方，用以加热承载盘上的晶圆。供气系统用以将反应气体导入反应腔室中。
依据本发明的实施例，上述的第一凹陷部的中心与承载盘的中心重叠。
依据本发明的另一实施例，上述的第一凹陷部的中心偏离承载盘的中心。
依据本发明的又一实施例，上述的第一凹陷部的直径的范围从每一晶圆的直径的1/4倍至4倍。
依据本发明的再一实施例，上述的第一凹陷部的深度的范围从0.1mm至承载盘的厚度减0.5mm。
依据本发明的再一实施例，上述的第一凹陷部为环型凹陷部。在例子中，前述的环型凹陷部的宽度的范围从每一晶圆的直径的1/8倍至2倍。在另一例子中，前述的环型凹陷部的平均直径的范围从每一晶圆的直径的1/4倍至2倍，其中环型凹陷部的平均直径为环型凹陷部的内直径与外直径的平均。
依据本发明的再一实施例，上述的承载盘还包括多个晶圆容纳凹陷部与第二凹陷部设于承载盘的上表面中，上述晶圆可对应容置于这些晶圆容纳凹陷部中，且第二凹陷部设于这些晶圆容纳凹陷部中的正中央者的底面中。在例子中，前述的第二凹陷部的直径小于每一晶圆的直径，且此第二凹陷部的深度的范围从1μm至500μm。在另一例子中，前述的第二凹陷部的中心与晶圆容纳凹陷部的正中央的中心重叠。
依据本发明的再一实施例，上述的第一凹陷部具有倾斜侧面，而使第一凹陷部的直径从第一凹陷部的底面朝承载盘的下表面渐增。在例子中，第一凹陷部在承载盘的下表面的直径的范围从每一晶圆的直径的1/4倍至2倍。
依据本发明的再一实施例，上述的化学气相沉积机台为有机金属化学气相沉积机台。
根据本发明的上述目的，还提出一种晶圆承载盘，适用于化学气相沉积机台。此晶圆承载盘包括数个第一凹陷部、以及至少一第二凹陷部。前述的第一凹陷部设在晶圆承载盘的上表面，用以承载多个晶圆。第二凹陷部设在承载盘的相对下表面此第二凹陷部形成间隙空间。
应用本发明的晶圆承载盘与化学气相沉积机台可有效改善承载盘温度不均的现象，而可改善承载盘中心区域的芯片的特性与波长特异的问题，进而可提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的说明如下：
图1绘示一种已知垂直式的化学气相沉积机台的装置示意图。
图2A绘示一种已知承载盘的俯视图。
图2B绘示一种已知承载盘的剖面图。
图3绘示依照本发明实施方式的一种垂直式化学气相沉积机台的装置示意图。
图4绘示依照本发明的第一实施方式的一种承载盘的剖面图。
图5绘示依照本发明的第二实施方式的一种承载盘的剖面图。
图6A绘示依照本发明的第三实施方式的一种承载盘的剖面图。
图6B绘示依照本发明的第三实施方式的一种承载盘的俯视图。
图7A绘示依照本发明的第四实施方式的一种承载盘的剖面图。
图7B绘示依照本发明的第四实施方式的一种承载盘的俯视图。
图8绘示依照本发明的第五实施方式的一种承载盘的剖面图。
附图标记说明
100：化学气相沉积机台    102：供气系统
104：反应腔室            106：承载盘
108：加热器              110：旋转轴
112：排放口              114：反应气体
116a：凹陷部             116b：凹陷部
116c：凹陷部             118a：晶圆
118b：晶圆               118c：晶圆
200：化学气相沉积机台    202：供气系统
204：反应腔室            206：承载盘
206a：承载盘             206b：承载盘
206c：承载盘             206d：承载盘
206e：承载盘             208：加热器
209：旋转基座            210：旋转轴
212：反应气体            214：排放口
216：上表面              216a：上表面
216b：上表面             216c：上表面
216d：上表面             216e：上表面
218：下表面              218a：下表面
218b：下表面             218c：下表面
218d：下表面             218e：下表面
220a：晶圆容纳凹陷部     220b：晶圆容纳凹陷部
220c：晶圆容纳凹陷部     222a：晶圆
222b：晶圆               222c：晶圆
224a：深度               224b：深度
224c：深度               224d：深度
224e：深度               226a：直径
226b：直径           226c：宽度
226d：宽度           226e：直径
228：直径            230a：凹陷部
230b：凹陷部         230c：凹陷部
230d：凹陷部         230e：凹陷部
232：中央区域        234：凹陷部
236：深度            238：距离
240：倾斜侧面        242：厚度
244：直径            246：底面
R1：内直径           R2：外直径
θ：夹角
具体实施方式
由于在化学气相沉积机台中成长发光二极管芯片时，位于承载盘的中央区域的晶圆上的芯片，特别是位于正中央的晶圆上的芯片，其波长比较短。发明人发现承载盘的中央区域的芯片波长偏短的现象的原因在于：中央区域的晶圆在沉积工艺中的反应温度较其他区域的晶圆的反应温度高。亦即，传统化学气相沉积机台的加热器并未能均匀加热位于承载盘上的各个晶圆。有鉴于此，本发明提出数种化学气相沉积机台，这些机台的承载盘均具有不同厚度分布设计，以提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
请参照图3，其绘示依照本发明实施方式的一种垂直式化学气相沉积机台的装置示意图。在本实施方式中，化学气相沉积机台200可包括反应腔室204、承载盘206、加热器208与供气系统202。在示范实施例中，化学气相沉积机台200可例如为有机金属化学气相沉积机台。
承载盘206设置在反应腔室204中。承载盘206具有相对的上表面216与下表面218，其中承载盘206的上表面216可用以装载多个晶圆。加热器208设置在反应腔室204中，且位于承载盘206的下方，以对上方的承载盘206上的晶圆进行加热处理。例如，加热器208利用热阻丝提供热量，并经由热对流、热辐射及热传导等方式将热引导至承载盘206上方的晶圆。此外，为了使承载盘206上的晶圆均匀受热，承载盘206可绕反应腔室204内的旋转轴210旋转，例如顺时钟旋转或逆时钟旋转，如图3所示。供气系统202则设置在反应腔室204的上侧，且位于承载盘206的上方。供气系统202可将反应气体212导入反应腔室204中，并将反应气体212由上而下朝向承载盘206的上表面216的晶圆表面施放。
在化学气相沉积机台200中进行沉积工艺时，承载盘206通过旋转基座209带动位于旋转基座209上方的承载盘206，绕着旋转轴210旋转，如此承载盘206上所装载的晶圆也同时绕着旋转轴210旋转。在此同时，加热器208对上方的承载盘206进行加热处理，以透过承载盘206的传导而进一步加热承载盘206的上表面216上的晶圆。此时，供气系统202施放在承载盘206上方的反应气体212会进行反应，而在承载盘206上方的晶圆表面上成长出所需的沉积层。多余的反应物、或其余生成物与废气则经由反应腔室204底部的排放口214排出反应腔室204。
在本发明中，承载盘具有不同的厚度设计，以改善承载盘温度不均的问题，并由此提升芯片特性的一致性。请参照图4，其绘示依照本发明的第一实施方式的一种承载盘的剖面图。一般而言，如图4所示，承载盘206a包括数个晶圆容纳凹陷部220a、220b与220c，且这些凹陷部220a凹设在承载盘206a的上表面216a中，分别用以承载对应的晶圆。凹陷部例如为圆形，以配合晶圆的形状，并且每个凹陷部具有相同的深度，优选其深度是等于或略大于晶圆的厚度。其中，凹陷部220a位于承载盘206a的上表面216a的正中央，凹陷部220b环设在凹陷部220a的外围，而凹陷部220c则环设在这些凹陷部220b的外围。如图4所示，晶圆222a可设置在承载盘206a的正中央的凹陷部220a中，数个晶圆222b可分别设置在凹陷部220a外围的凹陷部220b中，而数个晶圆222c则可分别设置在凹陷部220b外围的凹陷部220c中。这些晶圆222a、222b与222c均具有相同的直径228。
在此实施方式中，承载盘206a的下表面218a的中央区域232中凹设有凹陷部230a，而形成间隙空间。凹陷部230a位于承载盘206a的上表面216a的正中央凹陷部220a的正下方。在例子中，此凹陷部230a也为圆形，其中心与承载盘206a的中心重叠。凹陷部230a的直径226a的范围可例如从晶圆222a的直径228的1/4倍至4倍。此外，凹陷部230a的深度224a的范围可例如从0.1mm至承载盘206a的厚度242减0.5mm。
在承载盘206a中，通过在其下表面218a的中央区域232中设置凹陷部230a，可使承载盘206a在正中央凹陷部220a处的厚度小于在其他凹陷部220b与220c处的厚度。因此，请同时参照图3与图4，凹陷部230a的设置，可降低加热器208经辐射与对流而传送到位于凹陷部230a及其邻近区域的承载盘206a的部分的热量，因而使这部分承载盘206a接收到的热量接近或相等于承载盘206a的其他部分的热量。如此一来，可使设置在承载盘206a的上表面中央区域上的晶圆的工艺温度与设置在其他区域上的晶圆的工艺温度趋于一致。故，可提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
请参照图5，其绘示依照本发明的第二实施方式的一种承载盘的剖面图。此实施方式的承载盘206b的架构大致上与第一实施方式的承载盘206a相同，二者的差异在于，承载盘206b的下表面218b的中央区域232中所凹设的凹陷部230b的中心偏离承载盘206b的中心，并不像承载盘206a的凹陷部230a的中心与承载盘206a的中心重叠。换句话说，在承载盘206b中，凹陷部230b并非位于承载盘206b的上表面216b的正中央凹陷部220a的正下方，而是偏向正中央凹陷部220a的一侧设置。
在实施例中，凹陷部230b的直径226b的范围可例如从晶圆222a的直径228的1/4倍至4倍。此外，凹陷部230b的深度224b的范围可例如从0.1mm至承载盘206b的厚度242减0.5mm。
在承载盘206b中，通过在其下表面218b的中央区域232且偏离承载盘206b中心处设置凹陷部230b，不仅可形成间隙空间，还可使承载盘206b在正中央凹陷部220a及其邻近区域的厚度小于在其他凹陷部，例如凹陷部220b及/或220c处的厚度。如此一来，请同时参照图3与图5，凹陷部230b的设置，可降低加热器208经辐射与对流而传送到位于凹陷部230b及其邻近区域的承载盘206b的部分的热量，使这部分承载盘206b接收到的热量接近或相等于承载盘206b的其他部分的热量。值得一提的是，由于承载盘206b会相对于加热器旋转，因而并不会因为承载盘206b下方的凹陷部230b为偏心设计而造成温度分布不均的问题。并且，通过凹陷部230b偏心距离及凹陷部230b直径范围的设计，还可以进一步调整承载盘206b上受热温度梯度的分布。因此，可使设置在承载盘206b的中央区域及其邻近区域的上表面216b中的晶圆的工艺温度与设置在其他区域上的晶圆的工艺温度相近。由此可提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
请参照图6A与图6B，其分别绘示依照本发明的第三实施方式的一种承载盘的剖面图与俯视图。此实施方式的承载盘206c的架构大致上与第一实施方式的承载盘206a相同，二者的差异在于，承载盘206c的下表面218c的中央区域232中所凹设的凹陷部230c，并不像承载盘206a的凹陷部230a为圆形凹陷部，而为环型凹陷部，如图6B所示。在实施例中，环型凹陷部230c的中心可与承载盘206c的中心重叠，如图6B所示。在另一实施例中，环型凹陷部230c的中心可偏离承载盘206c的中心。
在示范实施例中，如图6A所示，此环型凹陷部230c的宽度226c的范围可例如从晶圆222a的直径228的1/8倍至2倍。此外，请参照图6B，此环型的凹陷部230c具有平均直径，其中此平均直径为环型凹陷部230c的内直径R1与外直径R2的平均。在实施例中，环型凹陷部230c的平均直径的范围可例如从晶圆222a的直径的1/4倍至2倍。例如，在图6B所绘示的实施例中，凹陷部230c的内直径R1与外直径R2均大于晶圆222a的直径228，因此凹陷部230c设于上表面216c的凹陷部220a外围的下方，且通过凹陷部220a外侧的凹陷部220b的下方。在另一实施例中，凹陷部230c的深度224c的范围可例如从0.1mm至承载盘206c的厚度242减0.5mm。
在承载盘206c中，通过在其下表面218c的中央区域232设置环型的凹陷部230c，除了可形成间隙空间，还可使承载盘206c在正中央凹陷部220a及/或邻近的凹陷部220b的厚度小于在其他凹陷部，例如凹陷部220c处的厚度。因此，请同时参照图3与图6A，环型凹陷部230c的设置，可降低加热器208经辐射与对流而传送到凹陷部230c及其邻近区域的承载盘206c的部分的热量，使这部分承载盘206c接收到的热量接近或相等于承载盘206c的其他部分的热量。并且，通过环型凹陷部230c偏心距离、平均直径及深度范围的设计，还可以进一步调整承载盘206c上受热温度梯度的分布。因此，可使设置在承载盘206c的中央区域及其邻近区域上的晶圆的工艺温度与设置在其他区域上的晶圆的工艺温度趋于一致。由此可提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
请参照图7A与图7B，其分别绘示依照本发明的第四实施方式的一种承载盘的剖面图与俯视图。此实施方式的承载盘206d的架构大致上与第三实施方式的承载盘206c相同，二者的差异在于，除了设置在下表面218d中的环型凹陷部230d之外，承载盘206d的上表面216d还设有另一凹陷部234。其中，此凹陷部234凹设于正中央的凹陷部220a的底面中，如图7A所示。在实施例中，凹陷部234的中心可与正中央的凹陷部220a的中心重叠，如图7A与图7B所示。详细的说，此实施例可为具有多重深度的凹陷部，其中具有第一深度用以承载晶圆以及第二深度作为晶圆下方的空隙部分。在另一实施例中，凹陷部234的中心可偏离正中央的凹陷部220a的中心。
在示范实施例中，如图7A所示，此环型凹陷部230d的宽度226d的范围可例如从晶圆222a的直径228的1/8倍至2倍。同样地，请参照图7B，环型凹陷部230d具有平均直径，其中此平均直径为环型凹陷部230d的内直径R1与外直径R2的平均。在实施例中，环型凹陷部230d的平均直径的范围可例如从晶圆222a的直径的1/4倍至2倍。同样地，如图7B所示，凹陷部230d的内直径R1与外直径R2均大于晶圆222a的直径228。此外，凹陷部230d的深度224d的范围可例如从0.1mm至承载盘206d的厚度242减0.5mm。
请再次参照图7A，凹陷部234的直径244小于晶圆222a的直径228，因此可容置晶圆222a的凹陷部220a的范围可涵盖住整个凹陷部234。在实施例中，凹陷部234的深度236的范围可例如从1μm至500μm。此外，凹陷部234的侧面与凹陷部220a的邻近侧面之间的距离238可例如为2mm。
在承载盘206d中，通过在其下表面218d的中央区域232设置环型的凹陷部230d、以及在其上表面216d的正中央凹陷部220a中设置凹陷部234，不仅可形成二间隙空间，还可使承载盘206d在正中央凹陷部220a及/或邻近的凹陷部220b的厚度小于在其他凹陷部，例如凹陷部220c处的厚度。因此，请同时参照图3与图7A，环型凹陷部230d与凹陷部234的设置，可降低加热器208经辐射与对流而传送到凹陷部230d及其邻近区域的承载盘206d的部分的热量，使这部分的承载盘206d接收到的热量接近或相等于承载盘206d的其他部分的热量。并且，通过环型凹陷部230d偏心距离、平均直径及深度范围的设计，配合承载盘206d的上表面216d凹陷部234的设置，还可以进一步调整承载盘206d上受热温度梯度的分布。因此，可使设置在承载盘206d的中央区域及其邻近区域上的晶圆的工艺温度与设置在其他区域上的晶圆的工艺温度趋于一致。由此可提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
请参照图8，其绘示依照本发明的第五实施方式的一种承载盘的剖面图。此实施方式的承载盘206e的架构大致上与第一实施方式的承载盘206a相同，二者的差异在于，承载盘206e的下表面218e的中央区域232中所凹设的凹陷部230e具有倾斜侧面240。也就是说，并不像承载盘206a的凹陷部230a的侧面与其底面实质垂直，本实施方式的承载盘206e的倾斜侧面240并不与其底面246垂直，而是朝外侧的方向倾斜，而使承载盘206e的倾斜侧面240与底面246之间的夹角θ大于90度。因此，在承载盘206e中，凹陷部230e的直径从凹陷部230e的底面246朝承载盘206e的下表面218e的方向渐增，而使承载盘206e在凹陷部230e的部分的厚度由凹陷部230e的底面246朝承载盘206e的下表面218e的方向渐增。
在实施例中，凹陷部230e的中心可与承载盘206e的中心重叠，如图8所示。在另一实施例中，凹陷部230e的中心可偏离承载盘206e的中心。
在实施例中，凹陷部230e在承载盘206e的下表面218e处的直径226e的范围可例如从晶圆222a的直径228的1/4倍至2倍。此外，凹陷部230e的深度224e的范围可例如从0.1mm至承载盘206e的厚度242减0.5mm。
在承载盘206e中，通过在其下表面218e的中央区域232中设置具有倾斜侧面240的凹陷部230e，除了可形成间隙空间外，还可使承载盘206e在正中央凹陷部220a及其邻近区域的厚度小于在其他凹陷部，例如凹陷部220b及/或220c处的厚度。因此，请同时参照图3与图8，凹陷部230e的设置，可降低加热器208经辐射与对流而传送到位于凹陷部230e及其邻近区域的承载盘206e的部分的热量，使这部分承载盘206e接收到的热量接近或相等于承载盘206e的其他部分的热量。因此，可使设置在承载盘206e的中央区域及其邻近区域的上表面216e中的晶圆的工艺温度与设置在其他区域上的晶圆的工艺温度相近。由此可提高同一生产批次的芯片特性的一致性。
由上述本发明的实施方式可知，本发明的优点就是因为本发明的化学气相沉积机台的承载板的中央区域设有凹陷部，而使承载盘具有不同厚度分布。因此，可有效改善承载盘温度不均的现象。
由上述本发明的实施方式可知，本发明的另一优点为本发明可有效改善放置在承载盘中心区域的芯片的特性与波长异常的问题。
由上述本发明的实施方式可知，本发明的又一优点为本发明可提升承载盘的温度分布的均匀度，进而可提高同一生产批次的芯片特性的一致性，达到提升生产良率的目的。
虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何在此技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。

Claims (15)

1.一种化学气相沉积机台，包括：
反应腔室；
承载盘，设于该反应腔室中，且可绕旋转轴旋转，其中该承载盘的上表面适用以承载多个晶圆，且该承载盘的下表面的中央区域中设有第一凹陷部；
加热器，位于该承载盘的下方，用以加热该承载盘上的所述多个晶圆；以及
供气系统，用以将反应气体导入该反应腔室中。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部的中心与该承载盘的中心重叠。
3.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部的中心偏离该承载盘的中心。
4.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部的直径的范围从每一所述多个晶圆的直径的1/4倍至4倍。
5.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部的深度的范围从0.1mm至该承载盘的厚度减0.5mm。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部为环型凹陷部。
7.如权利要求6所述的化学气相沉积机台，其中该环型凹陷部的宽度的范围从每一所述多个晶圆的直径的1/8倍至2倍。
8.如权利要求6所述的化学气相沉积机台，其中该环型凹陷部的平均直径的范围从每一所述多个晶圆的直径的1/4倍至2倍，其中该环型凹陷部的该平均直径为该环型凹陷部的内直径与外直径的平均。
9.如权利要求6所述的化学气相沉积机台，其中该承载盘还包括多个晶圆容纳凹陷部与第二凹陷部设于该上表面中，所述多个晶圆可对应容置于所述多个晶圆容纳凹陷部中，且该第二凹陷部设于所述多个晶圆容纳凹陷部中的正中央者的底面中。
10.如权利要求9所述的化学气相沉积机台，其中该第二凹陷部的直径小于每一所述多个晶圆的直径，且该第二凹陷部的深度的范围从1μm至500μm。
11.如权利要求9所述的化学气相沉积机台，其中该第二凹陷部的中心与所述多个晶圆容纳凹陷部的该正中央的中心重叠。
12.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部具有倾斜侧面，而使该第一凹陷部的直径从该第一凹陷部的底面朝该下表面渐增。
13.如权利要求12所述的化学气相沉积机台，其中该第一凹陷部在该下表面的直径的范围从每一所述多个晶圆的直径的1/4倍至2倍。
14.如权利要求1所述的化学气相沉积机台，其中该化学气相沉积机台为有机金属化学气相沉积机台。
15.一种晶圆承载盘，适用于化学气相沉积机台，包括：
多个第一凹陷部设在该晶圆承载盘的上表面，用以承载多个晶圆；以及
至少一第二凹陷部设在该晶圆承载盘的相对下表面，该第二凹陷部形成间隙空间。
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