JP2008159790A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、気相成長装置内の汚染を抑え、被処理ウェーハおよびこれを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えることが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ上に成膜を行うための反応室1と、反応室下部に設けられ、ウェーハを加熱するためのヒータ2と、ウェーハを保持するための保持機構8と、反応室1上部に設けられ、保持機構8と接続され、ウェーハを回転させるための回転機構11と、ウェーハ上に反応ガスを供給するためのガス供給機構14、15を備える。
【選択図】図1
【解決手段】ウェーハ上に成膜を行うための反応室1と、反応室下部に設けられ、ウェーハを加熱するためのヒータ2と、ウェーハを保持するための保持機構8と、反応室1上部に設けられ、保持機構8と接続され、ウェーハを回転させるための回転機構11と、ウェーハ上に反応ガスを供給するためのガス供給機構14、15を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えばエピタキシャル膜の形成など、気相成長により基板上に薄膜を形成するための気相成長装置に関する。
半導体装置の製造工程などにおいて、例えば、ウェーハ上へのエピタキシャル膜などの薄膜の形成に、気相成長装置が用いられている。
気相成長装置としては、例えば、特許文献1、2に示されるように、反応室内で、ウェーハを反応室下方に設けられた回転手段により高速回転させながら、下部より加熱し、上部より均一にウェーハ上に反応ガスを供給することにより、薄膜を形成する枚葉式の気相成長装置が用いられる。
このような気相成長装置においては、ウェーハを回転させる機構(駆動部)と、ヒータを加熱する機構(電極)が、ともに反応室下方に設けられている。電極は、ウェーハを回転させるための回転軸の中(あるいは外)に設けられ、これらを貫通させる開口部が反応室下部に設けられている。また、反応ガスは反応室上方から供給され、下部に設けられた排出口から排出されている。
このような構造においては、反応室下部に開口部を設けることが必須となる。そのため、成膜時にプロセスガスが駆動部側に流入することにより、駆動部と接続されるベアリングなどの表面に被膜が生成されるが、これが粉化し、パーティクルとなって間隙から拡散して、反応炉内を汚染してしまう。また、反応炉内をクリーニング時に、塩素系ガスなどのクリーニングガスが駆動部側へ流入することにより、軸受けなどの金属部材が腐食し、腐食した金属が同様にパーティクルとなって間隙から拡散し、反応室内を汚染してしまう。
そして、このような反応室内の汚染により、ウェーハ上に形成される薄膜に欠陥や金属汚染が生じ、このウェーハを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りを低下させるという問題がある。
特開平9−3650号公報
特開平11−67675号公報
上述したように、従来の気相成長装置では、反応室内の汚染により、ウェーハ上に形成される薄膜に欠陥や金属汚染が生じ、ひいては半導体装置の特性、歩留りが低下する、という問題があった。
本発明は、気相成長装置内の汚染を抑え、被処理ウェーハおよびこれを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えることが可能な気相成長装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様の気相成長装置は、ウェーハ上に成膜を行うための反応室と、反応室下部に設けられ、ウェーハを加熱するためのヒータと、ウェーハを保持するための保持機構と、反応室上部に設けられ、保持機構と接続され、ウェーハを回転させるための回転機構と、ウェーハ上に反応ガスを供給するためのガス供給機構を備えることを特徴とする。
本発明の気相成長装置において、保持機構は、反応室内に設けられ、下部でウェーハを保持するサブチャンバを備え、ガス供給機構は、サブチャンバ内に設けられることが望ましい。
また、本発明の気相成長装置において、サブチャンバは、ウェーハを搬出入するための開口部を有することが望ましい。
また、本発明の気相成長装置において、開口部は、開閉可能であることが望ましい。
また、本発明の気相成長装置において、ガス供給機構は、上下駆動可能であるが望ましい。
本発明によれば、気相成長装置内の汚染を抑え、被処理ウェーハおよびこれを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えられる気相成長装置を提供可能となる。
以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
(実施形態1)
図1に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室1において、ウェーハwを所定温度に加熱するためのヒータ2が設置されている。このヒータ2は、電極3により反応室1外部に設けられる温度制御手段(図示せず)と接続されている。そして、ウェーハwを上下に移動させるためのウェーハリフトフォーク4が設置され、これらの周囲には、ヒータ2などへの成膜を抑制するための隔壁5が設けられている。反応室1上部には、反応ガスを導入するための導入口6が、下部側面には、ガスを排出するための排出口7が設けられている。さらに、この隔壁5の上部に配置されるようにサブチャンバ8が設けられている。
図1に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室1において、ウェーハwを所定温度に加熱するためのヒータ2が設置されている。このヒータ2は、電極3により反応室1外部に設けられる温度制御手段(図示せず)と接続されている。そして、ウェーハwを上下に移動させるためのウェーハリフトフォーク4が設置され、これらの周囲には、ヒータ2などへの成膜を抑制するための隔壁5が設けられている。反応室1上部には、反応ガスを導入するための導入口6が、下部側面には、ガスを排出するための排出口7が設けられている。さらに、この隔壁5の上部に配置されるようにサブチャンバ8が設けられている。
サブチャンバ8は、その底部がヒータ2と近接するようにウェーハwを保持するためのホルダー部9となっている。そして、その側面にはウェーハwを搬出入するための開口部10が形成されており、スライドさせることにより、開閉可能となっている。さらに、その上部において、ウェーハを所定速度で回転させるためのモータなどから構成され、反応室1外部に設けられる回転機構11と接続されている。また、上部に反応室1の導入口6と接続され、反応ガスを導入するため導入口12が、底部にガスを排出するための排出口13が設けられている。
導入口12には、これを貫通するようにガス供給管14が配置されており、サブチャンバ6内部に設けられ、ウェーハ上に反応ガスを均一に供給するための上下駆動可能なシャワーヘッド15と接続されている。
このような気相成長装置を用いて、例えばSiからなるウェーハw上にSiエピタキシャル膜を形成する。先ず、例えば12インチのウェーハwを、サブチャンバ8の開口部10を開状態にして、搬送アームなどにより、サブチャンバ6内に搬入する。このとき、予めウェーハリフトフォーク4を上昇させておき、ウェーハwを載せて、これを下降させることにより、ホルダー部9上に載置する。
そして、サブチャンバ8のホルダー部9上に載置されたウェーハw上に、反応室1の導入口6と接続されたサブチャンバ8の導入口12を通るガス供給管14を経て、シャワーヘッド15より反応ガスが供給される。反応ガスは、例えば、キャリアガス:H2を20〜100SLM、成膜ガス:SiHCl3を50sccm〜2SLM、ドーパントガス:B2H6、PH3を微量とする。そして、サブチャンバ8の排出口13よりサブチャンバ8外部に排出されたガスは、反応室1の排出口7より所定の流量に制御されて排出され、反応室1内の圧力は、例えば1333Pa(10Torr)〜常圧となるように制御される。
そして、ウェーハwの温度が均一に例えば1100℃となるように、ヒータ2を制御しながら、回転機構11によりウェーハwを回転させて、ウェーハw上にSiエピタキシャル膜を形成する。
このように、本実施形態によれば、回転機構11を反応室1の上部に設けることにより、反応室1下部は電極3の導入のみとなり、ヒータ側即ち高温部での機械的な摺動がなくなるため、回転に伴うパーティクルの発生を抑え、反応室1内の汚染を抑えることができる。
また、従来と同様にウェーハwを高速回転させながら均一に加熱することができるので、成膜均一性を低下させることなく、ウェーハw上に形成されるエピタキシャル膜における欠陥や金属汚染を抑え、このウェーハwを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えることが可能となる。
さらに、サブチャンバ8内にウェーハwを載置し、同じくサブチャン8バ内にシャワーヘッド15を設けて、反応ガスを供給することにより気相成長を行っているが、反応ガスの反応室1全体への拡散を抑え、ウェーハw上に効率的に反応ガスを供給することができるため、ガスの流量を例えば20%程度落とすことができ、生産コストの低減を図ることが可能となる。また、反応ガスの流れの外で形成されたパーティクルが落下することによるウェーハwの汚染を抑制することができる。そして、ガス供給管14に駆動機構を設け、成膜時にシャワーヘッド15をウェーハwに近づけて反応ガスを供給することにより、より効率的な反応ガスの供給が可能となる。
また、サブチャンバ8の開口部10は、スライドすることにより開閉しているが、開閉方法は特に限定されるものではなく、周方向または上下方向にスライドさせることにより開閉できるような構造であれば良い。例えばサブチャンバ8を、互いに少なくともウェーハ径の幅の開口部が形成された上下2つのパーツから構成し、これを回転または上下にスライドさせて開口部を合わせることにより、開閉しても良い。
(実施形態2)
図2に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。本実施形態においては、実施形態1におけるサブチャンバ8に相当する部分を、ウェーハwを保持する中持具16と、外カバー17とした構成となっており、その他の部分は実施形態1と同様である。
図2に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。本実施形態においては、実施形態1におけるサブチャンバ8に相当する部分を、ウェーハwを保持する中持具16と、外カバー17とした構成となっており、その他の部分は実施形態1と同様である。
中持具16は、上段に設けられシャワーヘッド15と接続されるガス供給管14を貫通させるための開口部を有し回転機構11と接続される回転機構接続部16aと、下段に設けられウェーハwを保持するためのホルダー部16bと、これらを所定の距離で接続する例えば3本の接続部16cから構成されている。また、外カバー17は、上下駆動可能となっており、下部が開放された構造となっている。
そして、外カバー17を上昇させ、実施形態1と同様にして、搬送アームなどにより、ウェーハwを搬入する。そして、実施形態1と同様にして、回転機構11によりウェーハwを回転させながら、ヒータ2により加熱し、シャワーヘッド15を必要に応じてウェーハwに近づけて反応ガスを供給することにより、実施形態1と同様に、ウェーハw上にSiエピタキシャル膜を形成することができる。
このように、本実施形態によれば、実施形態1と同様に、回転機構11を反応室1の上部に設けることにより、反応室1下部は電極3の導入のみとなり、ヒータ側即ち高温部での機械的な摺動がなくなるため、回転に伴うパーティクルの発生を抑え、反応室1内の汚染を抑えることができる。
また、従来と同様にウェーハwを高速回転させながら均一に加熱することができるので、成膜均一性を低下させることなく、ウェーハw上に形成されるエピタキシャル膜における欠陥や金属汚染を抑え、このウェーハwを用いて構成される半導体装置の特性、歩留りの低下を抑えることが可能となる。
なお、本実施形態において、外カバー17は、必ずしも設置しなくても良いが、設置することにより、シャワーヘッド15より供給される反応ガスの反応室1全体への拡散を抑え、ウェーハw上に効率的に反応ガスを供給することができるため、反応ガスの供給量が削減され、生産コストの低減を図ることが可能となる。また、反応ガスの流れの外で形成されたパーティクルが落下することによるウェーハwの汚染を抑制することができる。そして、下部が開放されているため、ガス流が回ることなく排出される。なお、外カバー17を上昇させることにより、ウェーハwを搬出入することができる。
これら実施形態によれば、ウェーハおよびウェーハより素子形成工程および素子分離工程を経て構成される半導体装置において、歩留りや素子特性を低下させることなく、スループットの向上を図ることが可能となる。特に、N型ベース領域、P型ベース領域や、絶縁分離領域などに数10μm〜100μm程度の厚膜が用いられるパワーMOSFETやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などのパワー半導体装置の厚膜形成プロセスに適用することにより、プロセスコストの大幅な削減が可能となる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態においては、Si基板上にエピタキシャル膜形成の場合を説明したが、ポリSi層形成時にも適用でき、他の化合物半導体例えばGaAs層、GaAlAsやInGaAsなどにも適用可能である。また、SiO2膜やSi3N4膜形成の場合にも適用可能で、SiO2膜の場合、モノシラン(SiH4)の他、N2、O2、Arガスを、Si3N4膜の場合、モノシラン(SiH4)の他、NH3、N2、O2、Arガスなどを供給することになる。さらに、その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1…反応室、2…ヒータ、3…電極、4…ウェーハリフトフォーク、5…隔壁、6…導入口、7…排出口、8…サブチャンバ、9…ホルダー部、10…開口部、11…回転機構、12…導入口、13…排出口、14…ガス供給管、15…シャワーヘッド、16…中持具、17…外カバー
Claims (5)
- ウェーハ上に成膜を行うための反応室と、
前記反応室下部に設けられ、前記ウェーハを加熱するためのヒータと、
前記ウェーハを保持するための保持機構と、
前記反応室上部に設けられ、前記保持機構と接続され、前記ウェーハを回転させるための回転機構と、
前記ウェーハ上に反応ガスを供給するためのガス供給機構を備えることを特徴とする気相成長装置。 - 前記保持機構は、前記反応室内に設けられ、下部でウェーハを保持するサブチャンバを備え、
前記ガス供給機構は、前記サブチャンバ内に設けられることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。 - 前記サブチャンバは、前記ウェーハを搬出入するための開口部を有することを特徴とする請求項2に記載の気相成長装置。
- 前記開口部は、開閉可能であることを特徴とする請求項3に記載の気相成長装置。
- 前記ガス供給機構は、上下駆動可能であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR101031315B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2011-04-29 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리 시스템 |
CN102691052A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 奇力光电科技股份有限公司 | 晶圆承载盘与化学气相沉积机台 |
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