CN101621177B - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体激光装置。在该半导体激光装置中，第一引线具有在表面上经由子固定部件搭载半导体激光元件的搭载部以及与该搭载部连接并延伸的引线部。在将从半导体激光元件射出主光束的方向定义为前方，将相对于该前方垂直且与搭载部的表面平行的方向定义为横向的情况下，第一引线在搭载部的侧面的一个区域上，具有与半导体激光元件的侧面平行且平坦的横向基准面。在搭载部的侧面的一个区域上，形成有与横向基准面邻接的凹部。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及半导体激光装置，特别涉及在光盘装置等的光信息处理设备中使用的半导体激光装置。
背景技术
近年来，作为光盘装置用光源，广泛地使用了各种半导体激光装置。特别地，高功率半导体激光装置作为用于向DVD(数字万能盘)播放器、DVD-RAM(随机存取存储器)驱动器等盘中写入的光源，强烈要求半导体激光装置进一步实现高功率化和小型化。
作为现有的半导体激光装置，有在日本特开2005-311147号公报(专利文献1)中记载的框架型(フレ一ムタィプ)半导体激光装置。
在图7中示出了上述框架型半导体激光装置的俯视图。
上述框架型半导体激光装置具有：金属的引线框架102、构成电极的多个引线103、将引线框架102及多个引线103保持为一体的保持部107。
上述引线框架102具有：元件搭载部102a、引线部102b和连杆部102c。在上述元件搭载部102a上，经由子固定(サブマゥント)部件108搭载有半导体激光元件101。另外，上述半导体激光元件101通过导线与电极引线103电连接。
另外，上述元件搭载部102a的背面从保持部107露出，并且连杆部102c沿着搭载部102a的背面从搭载部102a突出。由此，当上述半导体激光元件101工作时，由于搭载部102a和连杆部102c起散热作用、使散热面积增大，因此可以提高半导体激光装置的散热特性。
但是，在上述框架型半导体激光装置中存在如下问题：在进行半导体激光元件101的高功率化的情况下，为了改善散热特性，必须扩大半导体激光装置的散热面积，因此半导体激光装置难以实现小型化。
另外，在上述框架型半导体激光装置中还存在如下问题：在进行半导体激光装置的小型化的情况下，为了维持散热特性，不得不降低半导体激光装置的功率。
发明内容
于是，本发明的课题是提供一种半导体激光装置，即使进行了半导体激光元件的高功率化，也可以进行小型化，并且即使实现了小型化，也能够避免半导体激光元件的功率下降。
为了解决上述课题，本发明的半导体激光装置具有：
半导体激光元件；
第一引线，其具有在表面上经由子固定部件搭载有上述半导体激光元件的搭载部和与该搭载部连接并延伸的引线部；
第二引线，其沿着上述第一引线的引线部延伸；以及
保持部，其由将上述第一引线和第二引线保持为一体的绝缘材料构成；
在将从上述半导体激光元件射出主光束的方向定义为前方，将相对于该前方垂直且与上述搭载部的表面平行的方向定义为横向，将与上述搭载部的表面垂直的方向定义为上下方向的情况下，上述第一引线在上述搭载部的侧面的一个区域上，具有与上述半导体激光元件的侧面平行且平坦的横向基准面，在上述搭载部的侧面的一个区域上，形成有与上述横向基准面邻接的凹部。
根据上述构成的半导体激光装置，虽然上述横向基准面与凹部的一侧邻接，但是与凹部的另一侧邻接的部分是例如与框架连接的连接部的一部分，存在通过切断该连接部得到第一引线的情况。这种情况下，由于在上述部分和横向基准面之间存在凹部，因此，即使切断该连接部，也能够防止横向基准面受到损伤。
因此，由于不会使上述搭载部的表面的平坦性随着横向基准面的损伤而恶化，将搭载部的表面和子固定部件的接触面积增大，因此能够通过子固定部件向搭载部高效地释放半导体激光元件的热量。即，能够提高上述半导体激光元件的散热性。
其结果是，上述半导体激光装置即使进行了半导体激光元件的高功率化，也可以进行小型化，而且，即使实现了小型化，也能够避免半导体激光元件的功率下降。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述第一引线具有与上述搭载部连接并向横向突出的连杆部，上述连杆部的背面和上述搭载部的背面被包含在同一平面内。
在将上述实施方式的半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，如果将连杆部的背面与光拾取装置的外壳接触，当半导体激光元件工作时，由于连杆部起散热的作用，因此，即使进行了小型化，也能够得到良好的散热性。
另外，由于上述连杆部的背面和搭载部的背面被包含在同一平面内，因此将连杆部的背面和搭载部的背面双方都与光拾取装置的外壳的一面接触，能够提高散热性。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述凹部被夹在上述横向基准面和上述连杆部之间。
根据上述实施方式的半导体激光装置，上述连杆部是例如与框架连接的连接部的一部分，在通过切断连接部形成连杆部的情况下，由于在连杆部和横向基准面之间存在凹部，因此，即使切断该连接部，也能够防止横向基准面受到损伤。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述连杆部的外侧面与上述横向基准面位于同一平面内，或者上述连杆部的外侧面位于比上述横向基准面更靠横向内侧的位置。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述连杆部的外侧面与横向基准面位于同一平面内，或者上述连杆部的外侧面位于比横向基准面更靠横向内侧的位置，因此在从前方看横向基准面时，容易识别横向基准面。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述连杆部位于比上述半导体激光元件更靠后侧的位置。
根据上述实施方式的半导体激光装置，即使切断包含上述连杆部的部分形成连杆部，由于连杆部也位于比半导体激光元件更靠后侧的位置，因此能够减轻在切断该部分时发生的、施加于搭载部的半导体激光元件附近的部分的应力，能够确保搭载部的半导体激光元件附近的部分的平坦性。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述搭载部的背面具有从上述保持部露出且与上述半导体激光元件的背面平行的、平坦的上下方向基准面，在将从上述半导体激光元件朝向上述搭载部的方向定义为向下方向的情况下，上述保持部的下表面和上述上下方向基准面被包含在同一平面内。
在将上述实施方式的半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，如果将保持部的下表面与光拾取装置的外壳接触，由于保持部的下表面和上下方向基准面被包含在同一平面内，因此作为上下方向基准面的搭载部的背面也可以与外壳接触。
因此，当上述半导体激光元件工作时，由于保持部的下表面和搭载部的背面起散热作用，因此，即使进行了小型化，也能够得到良好的散热性。
即，由于上述半导体激光元件产生的热量通过搭载部和保持部向外壳散热，因此，即使进行了小型化，也能够使散热面积增大、使散热性良好。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述半导体激光装置的下表面仅由上述保持部的下表面和上述第一引线的上述上下方向基准面形成，上述保持部的下表面位于比上述上下方向基准面更靠后侧的位置。
在将上述实施方式的半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，如果将半导体激光装置的下表面与光拾取装置的外壳接触，由于仅通过保持部的下表面和第一引线的上述上下方向基准面形成半导体激光装置的下表面，因此能够防止用于使上下方向基准面与外壳接触的结构变得复杂。
另外，在上述保持部的导热率比第一引线的导热率差的情况下，由于保持部的下表面位于比上下方向基准面更靠后侧的位置，因此能够使聚集热量的保持部的下表面从半导体激光元件离开。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述第一引线的上述搭载部的表面、上述第一引线的引线部的背面及上述第二引线的背面被包含在同一平面内。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述第一引线的搭载部的表面、第一引线的引线部的背面及第二引线的背面被包含在同一平面内，因此第一引线和第二引线的加工不复杂，能够抑制其加工不均匀。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述第一引线的搭载部、上述第一引线的引线部及上述第二引线在上下方向的厚度均相同。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述第一引线的搭载部、第一引线的引线部及第二引线各自的上下方向的厚度相同，因此能够用一个板材形成第一引线和第二引线。
因此，用于形成上述第一引线和第二引线的加工不复杂，能够抑制其加工不均匀。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述保持部具有在上述半导体激光元件周围形成的框架部，在上述框架部中形成有用于使来自上述半导体激光元件的主光束射出的窗部，在将上述保持部的框架部的内侧定义为经由上述子固定部件搭载有上述半导体激光元件的一侧的情况下，在上述保持部的框架部的内侧的部分上形成有锥部，该锥部具有相对于上述搭载部的表面倾斜的面。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于在上述保持部的框架部的内侧的部分上，形成具有相对于搭载部的表面倾斜的面的锥部，因此即使进行了小型化，也容易在位于保持部的框架部的内侧的第一引线和第二引线的表面上连接导线。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述锥部位于比上述半导体激光元件更靠后侧的位置。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述锥部位于比半导体激光元件更靠后侧的位置，因此，即使进行了小型化，也能够减少在位于保持部的框架部的内侧的第二引线的表面上连接导线时产生的、因与半导体激光元件接触而产生的裂缝、缺陷。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述子固定部件的上表面和位于上述保持部的框架部的内侧的上述第二引线的表面通过导线连接。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述子固定部件的上表面和位于保持部的框架部的内侧的第二引线的表面通过导线连接，因此能够使第二引线与半导体激光元件电连接。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述搭载部的后侧的一个区域具有凸形状。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述搭载部的后侧的一个区域具有凸形状，因此，即使进行了小型化，也能够很容易地通过导线将搭载部的后侧的一个区域与半导体激光元件的上表面连接。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述半导体激光元件的上表面和具有上述凸形状的区域通过导线连接。
根据上述实施方式的半导体激光装置，上述半导体激光元件的上表面和具有凸形状的区域通过导线连接。能够将第一引线与半导体激光元件电连接。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述第一引线和第二引线贯通上述保持部，上述第一引线的贯通上述保持部的部分具有在上下方向弯曲的部分，上述第二引线的贯通上述保持部的部分具有在左右方向弯曲的部分。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于与上述第一引线相关的贯通保持部的部分具有在上下方向弯曲的部分，因此能够获得第一引线相对于保持部防止脱落的效果。
而且，由于与上述第二引线相关的贯通保持部的部分具有在左右方向弯曲的部分，因此获得第二引线相对于保持部防止脱落的效果。
即，在将上述半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，对第一引线和第二引线进行钎焊时，即使保持部的材料因焊料的热量而软化，在第一引线的在上下方向弯曲的部分以及第二引线的在左右方向弯曲的部分的作用下，也能够防止第一引线和第二引线相对于保持部移动。
因此，在对上述第一引线和第二引线进行钎焊的情况下，能够稳定地进行钎焊，使生产性优异。
在一实施方式的半导体激光装置中，将在上述搭载部中除了搭载有上述半导体激光元件的区域以外的区域，向上侧切割而形成切割部，伴随着上述切割部的形成而在上述搭载部形成的空间，由上述保持部的材料填埋。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于用上述保持部的材料填埋伴随着上述切割部的形成而在搭载部形成的空间，因此搭载部和保持部的接触面积增大，能够防止搭载部从保持部脱落。
另外，如果用上述保持部的材料恰好填埋伴随着上述切割部的形成而在搭载部形成的空间，则能够使上述半导体激光装置的下表面变平。如果这样，在将上述半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，能够将上述第一引线的搭载部的背面等与光拾取装置的外壳紧密接合。因此，能够防止上述半导体装置的散热特性下降。
在一实施方式的半导体激光装置中，在上述搭载部上形成有朝向前方突出的凸部，上述凸部的前表面位于比上述半导体激光元件更靠前侧的位置，并作为用于确定上述半导体激光元件的前后方向位置的前后方向基准。
在将上述实施方式的半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，即使将搭载部的凸部的前表面与光拾取装置的外壳接触，由于其凸部的前表面也位于比半导体激光元件更靠前侧的位置，因此能够防止半导体激光元件受到损伤。
另外，仅通过将搭载部的凸部的前表面与上述光拾取装置的外壳接触，能够很容易地确定半导体激光元件的发光点的前后方向的位置。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述各引线为在芯材上镀覆比该芯材焊料浸润性好的金属而形成。
根据上述实施方式的半导体激光装置，在上述各引线中，与芯材的露出面(端面)相比焊料浸润性良好的一面(镀覆面)成为相对宽的状态。
因此，在将上述半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，当对各引线进行钎焊时，焊料浸润性提高，生产性变得良好
在一实施方式的半导体激光装置中，上述芯材由Cu构成，上述被镀覆的金属的最外表面是Au。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述被镀覆的金属的最外表面是Au，因此与由Cu构成的芯材相比，焊料浸润性好。
因此，在将上述半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，当对各引线进行钎焊时，提高了焊料浸润性。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述保持部的材料是树脂。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述保持部的材料是树脂，因此使用模具通过树脂成形很容易形成保持部。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述保持部的颜色是黑色。
根据上述实施方式的半导体激光装置，由于上述保持部的颜色是黑色，因此，在上述半导体激光元件工作时，即使来自激光照射对象物(例如信息记录介质)的反光入射到上述保持部，这种反光也会被上述保持部吸收而不会反射。
其结果是，在使用上述半导体激光装置的装置(例如光拾取装置)中，能够防止来自激光照射对象物的反光成为干扰的原因。
在一实施方式的半导体激光装置中，上述半导体激光元件构成为能够照射振荡波长不同或相同的多个激光。
根据上述实施方式的半导体激光装置，作为上述半导体激光元件，例如，通过使用红色/红外单片二波长单芯片半导体激光元件，减少安装在光拾取装置上的部件数量，同时使光拾取装置的小型化变得容易。
根据本发明的半导体激光装置，由于在第一引线的搭载部的侧面的一个区域上形成有与横向基准面邻接的凹部，因此，即使通过切断形成与凹部的横向基准面侧相反侧的部分，也能够防止横向基准面受到损伤。
因此，由于不会使上述搭载部的表面平坦性伴随着横向基准面的损伤而变差，将搭载部的表面和子固定部件接触的面积增大，所以经由子固定部件有效地向搭载部释放半导体激光元件的热量。
其结果是，上述半导体激光装置即使进行了半导体激光元件的高功率化，也可以进行小型化，而且，即使实现了小型化，也能够避免半导体激光元件的功率下降。
通过以下的详细说明和附图可以充分地理解本发明。附图只是用于说明，不限制本发明。
附图说明
图1是本发明一实施方式的半导体激光装置的俯视示意图；
图2是上述半导体激光装置的第一引线和第二引线的俯视示意图；
图3是上述半导体激光装置的侧视示意图；
图4是上述半导体激光装置的仰视示意图；
图5是图1的V-V线向视的剖面示意图；
图6是上述半导体激光装置的一工序图；
图7是现有的半导体激光装置的俯视示意图。
附图标记说明
1       第一引线
1a      搭载部
1b      引线部
1c      背面
1d，1g  侧面
1e      凸形状部
1f      凸形状部
1h，1i  切割部
3       树脂部
3a      下表面
3b           框架部
3c，3d       锥部
4            子固定部件
5            半导体激光元件
6a，6b       连杆部
7a，7b       凹部
8            窗部
11，12，13   导线
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施方式。
图1是从上方看到的本发明一实施方式的框架型半导体激光装置的示意图。图2是从图1中将第一引线1和第二引线21，22以外的部件除去的图。在图2中以弯曲前(向纸面跟前侧弯曲之前)的状态示出第一引线1的切割部1h，1i。
如图1所示，上述框架型半导体激光装置包括：具有用于搭载半导体激光元件5的搭载部1a的第一引线1、信号输入输出用的多个第二引线21，22以及将第一引线1和第二引线21，22保持为一体的树脂部3。另外，上述树脂部3是保持部的一个例子。
更详细地讲，在将从上述半导体激光元件5射出主光束的方向(图1中朝向上侧的方向)定义为前方，将相对于该前方垂直且与搭载部1a的表面平行的方向(图1中朝向左右侧的方向)定义为横向的情况下，如图2所示，第一引线1具有板状的搭载部1a、与该搭载部1a连接并细长地延伸的引线部1b、与该搭载部1a连接并向图1中的左右方向突出的连杆部6a，6b以及在搭载部1a的侧面1d，1g上形成的凹部7a，7b。
如图1所示，在上述搭载部1a的表面上，经由矩形板状的子固定部件4搭载有半导体激光元件5。该半导体激光元件5在光轴方向上具有细长的长方体形状的外形，向前方(图1中的上方)射出激光。
图3是从侧方看到的上述半导体激光装置的示意图。图4是从下方看到的上述半导体激光装置的示意图。
如图3和图4所示，上述连杆部6a，6b具有与搭载部1a的背面1c平滑地连接的背面。即，上述连杆部6a，6b的背面与搭载部1a的背面1连接，连杆部6a，6b的背面与搭载部1a的背面1c成为一个面。
另外，在将与上述搭载部1a的表面垂直的方向(垂直于图1的纸面的方向)定义为上下方向的情况下，第一引线1的搭载部1a的背面1c从树脂部3露出，并且该背面1c被当作相对于半导体激光元件5的上下方向基准面。即，上述半导体激光元件5的上下方向的定位以背面1c为基准进行。另外，上述上下方向基准面是与半导体激光元件5的背面平行的面，并且是平坦的面。
另外，上述搭载部1a的侧面1d，1g的一个区域被当作相对于半导体激光元件5的横向基准面。即，上述半导体激光元件5的横向的定位以侧面1d的一个区域为基准进行。另外，上述横向基准面是与半导体激光元件5的侧面平行的面，并且是平坦的面。
另外，上述第一引线1具有与搭载部1a连接并位于搭载部1a前侧的凸形状部1f。该凸形状部1f的前表面位于比树脂部3和半导体激光元件5更靠前侧的位置。该凸形状部1f的前表面被当作相对于半导体激光元件5的前后方向基准。即，上述半导体激光元件5的前后方向的定位以凸形状部1f的前表面为基准进行。另外，上述凸形状部1f是凸部的一个例子。
另外，在将从上述半导体激光元件5朝向第一引线1的搭载部1a的背面1c侧的方向定义为向下方向的情况下，树脂部3的下表面3a与作为上述上下方向基准面的搭载部1a的背面1c一同被包含在同一平面内。该同一平面仅包含树脂部3的下表面3a和搭载部1a的背面1c。即，上述半导体激光装置的下表面仅由树脂部3的下表面3a和第一引线1的上下方向基准面形成。上述树脂部3的下表面3a的一部分位于半导体激光元件5的后侧。
上述连杆部6a，6b虽向左右方向突出，但不会从相对于半导体激光元件5的横向基准面突出。更详细地讲，上述连杆部6a，6b的侧面与相对于半导体激光元件5的横向基准面被包含在同一平面内。
在上述第一引线1的搭载部1a的侧面形成的凹部7a，7b形成为，与相对于上述半导体激光元件5的横向基准面邻接，即与第一引线1的搭载部1a的侧面1d，1g的一个区域邻接。
另外，在上述搭载部1a的侧面1d，1g上形成的凹部7a，7b被夹于相对于半导体激光元件5的横向基准面(第一引线1的搭载部1a的侧面1d，1g的一个区域)和连杆部6a，6b之间。
另外，上述凹部7a，7b位于比半导体激光元件5更靠后侧的位置。上述凹部7a位于半导体激光元件5的右侧，并且凹部7b位于半导体激光元件5的左侧。
另外，上述搭载部1a的表面、引线部1b的背面及第二引线21，22的背面在上下方向上被包含在同一平面内。另外，上述搭载部1a、引线部1b及第二引线21，22的上下方向的厚度彼此相同。在本实施方式中，搭载部1a、引线部1b及第二引线21，22的上下方向的厚度全部设定为0.4mm。
上述树脂部3具有在搭载部1a的表面侧形成的框架部3b。上述框架部3b与半导体激光元件5的两侧面和后面相对。另外，在上述框架部3b上形成窗部8，从半导体激光元件5射出的主光束通过窗部8。
图5是从图1的V-V线看到的示意剖面图。
在将上述树脂部3的框架部3b的内侧定义为经由子固定部件4搭载有半导体激光元件5的一侧的情况下，如图1和图5所示，在树脂部3的框架部3b的内侧形成有上下方向的锥部3c，3d。该锥部3c，3d位于比半导体激光元件5更靠后侧的位置。
另外，如图1和图2所示，上述第二引线21，22沿着第一引线1的引线部1b细长地延伸。上述第二引线21，22的内端部(前端部)21a，22a不被树脂部3覆盖而露出。由Au线构成的导线11，12从子固定部件4的上表面向第二引线21，22的内端部21a，22a布线。
上述第一引线的搭载部1a的后方向的一个区域具有凸形状部1e。该凸形状部1e位于树脂部3的一个侧部和树脂部3的另一个侧部之间，并且，位于比树脂部3的后部更靠前侧的位置。另外，由Au线构成的导线13从半导体激光元件5的上表面向凸形状部1e布线。
上述第一引线1的引线部1b和第二引线21，22贯通树脂部3。上述引线部1b贯通树脂部3的部分包含在上下方向上弯曲的部分。上述第二引线21，22贯通树脂部3的部分包含在左右方向上弯曲的部分。
另外，如图1和图4所示，分别在上述半导体激光元件5的左右方向位置设有第一引线1的切割部1h，1i。该切割部1h，1i通过将在搭载部1a中除了搭载有半导体激光芯片5的区域以外的区域向上侧切割而形成。即，上述该切割部1h，1i从搭载部1a的表面向上方向延伸。伴随着上述切割部1h，1i的形成，在搭载部1a上形成的空间被树脂部3的材料填埋。
另外，上述第一引线1的引线部1b和第二引线21，22在芯材上镀覆比该芯材焊料浸润性好的金属。在本实施方式中，上述芯材由Cu构成，上述被镀覆的金属的最外表面由Au构成。
在本实施方式中，上述树脂部3由黑色的绝缘树脂材料例如环氧树脂构成。因此，上述树脂部3使用模具并通过树脂成形而容易地形成。
上述半导体激光元件5也可以构成为能够照射振荡波长不同或相同的多个激光。在本实施方式中，将二波长单芯片高功率半导体激光元件作为半导体激光元件5使用，该二波长单芯片高功率半导体激光元件为将660nm带红色高功率半导体激光元件和780nm红外高功率半导体激光元件单片化形成。
如上所述，在本实施方式的半导体激光装置中，在相对于半导体激光元件5的横向基准面(第一引线1的搭载部1a的侧面1d，1g的一个区域)和连杆部6a，6b之间形成有凹部7a，7b。该连杆部6a，6b是连接图6所示的框架50和第一引线1的连杆52的一部分。
因此，在制造上述半导体激光装置时，为了从图6所示的框架50切割第一引线1，即使切断连接该框架50和第一引线1的连杆52而形成连杆部6a，6b，也能够防止相对于半导体激光元件5的横向基准面受到损伤。
因此，由于不会使上述搭载部1a的表面平坦性伴随着横向基准面的损伤而恶化，并将搭载部1a的表面和子固定部件4的接触面积增大，所以经由子固定部件4向搭载部1a有效地释放半导体激光元件5的热量。即，能够提高上述半导体激光元件5的散热性。
其结果是，上述半导体激光装置即使进行了半导体激光元件5的高功率化，也可以进行小型化，而且，即使进行了小型化，也能够避免半导体激光元件5的功率下降。
另外，由于上述连杆部6a，6b位于比半导体激光元件5更靠后侧的位置，搭载部1a的半导体激光元件5附近的部分难以受到切断连杆52时产生的应力，因此，能够确保搭载部1a的半导体激光元件5附近的部分的平坦性，所以相对于搭载部1a的子固定部件4的接触面积不会变窄。
因此，上述半导体激光元件5产生的热量容易经由子固定部件4从第一引线1被释放。
另外，在上述第一引线1的搭载部1a上搭载有半导体激光元件5，第一引线1的搭载部1a的背面1c从树脂部3露出，并且该背面1c成为相对于半导体激光元件5的上下方向基准面，树脂部3的下表面3a与上述上下方向基准面一同被包含在同一平面内。
其结果是，在将上述半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，如果将第一引线1的搭载部1a的背面1c及树脂部3的下表面3a与光拾取装置的外壳接触，则在半导体激光元件5工作时起散热作用。即，上述半导体激光元件5产生的热量通过第一引线1的搭载部1a的背面1c和树脂部3的下表面3a向外壳被释放。
因此，即使进行了上述半导体激光元件装置的小型化，散热面积也变大，散热性变得良好。
下面说明上述半导体激光装置的制造方法。
i)首先，对由Cu构成的板材进行冲切，得到图6所示的框架50(冲切工序)。此时，冲切从第一引线1的搭载部1a的背面1c侧进行。其结果是，由于因冲切而产生的毛刺(バリ)产生于搭载面1a侧，因此在将上述半导体激光装置搭载在光拾取装置等其他装置上时，由于能够使背面1c与其他装置的搭载面紧密接合，因此散热性变好。在该框架50中，一组的第一引线1和第二引线21，22沿着向左右方向延伸的两个棒(バ一)以两列排列多个。两个棒51(图6中仅示出一个)通过未图示出的连接棒互相连接在一起。另外，相邻的第一引线1的搭载部1a彼此经由连杆52相互连接在一起。
ii)然后，将被冲切的框架50部分地弯折(弯折工序)。关于弯折方式将在后面叙述。
iii)接下来，在被冲切的框架50上实施最外表面成为Au(金)的金属镀覆(镀覆工序)。由此，在对完成后的各外引线部分进行钎焊时，能够提高焊料浸润性。
iv)接着，在被弯折的框架50上，通过利用模具的树脂成形设置树脂部3(树脂成形工序)。
v)接着，在第一引线1的搭载部1a上，经由子固定部件4搭载半导体激光元件5(管芯焊接工序)。
vi)然后，从半导体激光元件5向位于第一引线1的搭载部1a的后侧的凸形状部1e进行由Au线构成的导线13的布线，从子固定部件4向第二引线21，22的内端部21a，22a进行由Au线构成的导线11，12(导线接合工序)的布线。
vii)接着，切断引线部1b、第二引线21，22和棒51的连接部及连杆52，得到各个半导体激光装置(连杆切割工序)。此时，将第一引线1的引线部1b和第二引线21，22的一部分(外引线部分)，以从各个半导体激光装置的树脂部3突出的状态残留下来。此时，切割连杆52，以便将上述连杆52中的搭载部1a侧的一部分以从各个半导体激光装置的树脂部3突出的状态残留下来，并且，不会从相对于半导体激光元件5的横向基准面突出。
这样，容易地制造半导体激光装置。在第一引线1的引线部1b上设有通过弯折工序弯曲的脱落防止部，同样，也在第二引线21，22上设有通过弯折工序弯曲的脱落防止部。第二引线21，22的脱落防止部以与第一引线1的引线部1b不同方向、不同角度被弯曲。另外，第一引线1和第二引线21，22贯通树脂部3，第一引线1的贯通树脂部3的部分在上下方向上弯曲，上述第二引线21，22的贯通树脂部3的部分在左右方向上弯曲。
因此，在将上述半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，对第二引线21，22进行钎焊时，即使树脂部3的材料因焊料热量而软化，在脱落防止部的作用下，第二引线21，22相对于树脂部3也不会移动。因此，稳定地进行钎焊，生产性优异。
另外，在上述第一引线1的搭载部1a中除搭载有半导体激光元件5的区域以外的区域，在本实施方式中分别在半导体激光元件5的左右方向的位置设有切割部1h，1i。上述iv)的树脂成形工序之后，树脂部3的材料从搭载部1a的表面侧填埋切割部1h，1i附近的空间。因此，上述搭载部1a(更正确地是切割部1h，1i)由树脂部3夹持。因此，提高了搭载部1a和树脂部3的接合强度，能够防止树脂部3从搭载部1a脱落。
如果上述树脂部3的材料恰好填埋了伴随着切割部1h，1i的形成而在搭载部1a产生的空间，则能够使半导体激光装置的背面变平。如果这样，在将这个半导体激光装置例如安装在光拾取装置上的阶段，第一引线1的搭载部1a(背面1c)和连杆部6a，6b能够与光拾取装置的外壳紧密接合。因此，散热特性不会有损失。
在上述实施方式中，虽然连杆部6a，6b的外侧面与第一引线1的横向基准面一同被包含在同一平面内，但是，也可以位于比该横向基准面更靠横向内侧的位置。
以上虽然说明了本发明的实施方式，但是显然可以对该实施方式进行各种变更。这种变更不会被视为脱离了本发明的精神和范围，对于本领域技术人员来说，都明白的所有变更包含在所附的权利要求书范围内。

Claims (18)

1.一种半导体激光装置，具有：
半导体激光元件；
第一引线，其具有在表面上经由子固定部件搭载所述半导体激光元件的搭载部和与该搭载部连接并延伸的引线部；
第二引线，其沿着所述第一引线的引线部延伸；以及
保持部，其由将所述第一引线和第二引线保持为一体的绝缘材料构成；
该半导体激光装置的特征在于：
在将从所述半导体激光元件射出主光束的方向定义为前方，将相对于该前方垂直且与所述搭载部的表面平行的方向定义为横向，将与所述搭载部的表面垂直的方向定义为上下方向的情况下，
所述第一引线的所述搭载部的侧面形成有：
用于确定所述半导体激光元件的侧面的横向的位置的基准面且与所述半导体激光元件的侧面平行且平坦的横向基准面、
与所述搭载部相连而横向突出的由连杆的一部分构成的突起状部分、
设置在所述横向基准面和由所述连杆的一部分构成的突起状部分之间且从上方俯视第一引线时相对所述横向基准面向横向内侧凹陷的凹部。
2.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述突起状部分的背面和所述搭载部的背面被包含在同一平面内，并起到将所述半导体激光元件产生的热进行释放的作用。
3.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述凹部被夹于所述横向基准面和所述突起状部分之间。
4.根据权利要求2记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述突起状部分的外侧面与所述横向基准面位于同一平面内，或者所述连杆部的外侧面位于比所述横向基准面更靠横向内侧的位置。
5.根据权利要求2记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述突起状部分位于比所述半导体激光元件更靠后侧的位置。
6.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述搭载部的背面具有从所述保持部露出，并且具有用于确定所述半导体激光元件的上表面或下表面的上下方向的位置的基准面且与所述半导体激光元件的背面平行的、平坦的上下方向基准面，
在将从所述半导体激光元件朝向所述搭载部的方向定义为向下方向的情况下，所述保持部的下表面和所述上下方向基准面被包含在同一平面内。
7.根据权利要求6记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光装置的下表面仅由所述保持部的下表面和所述第一引线的所述上下基准面形成，
所述保持部的下表面位于比所述上下方向基准面更靠后侧的位置。
8.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一引线的所述搭载部的表面、所述第一引线的引线部的背面及所述第二引线的背面被包含在同一平面内。
9.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一引线的搭载部、所述第一引线的引线部及所述第二引线在上下方向的厚度均相同。
10.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述保持部具有在所述半导体激光元件周围形成的框架部，
在所述框架部上形成有用于使来自所述半导体激光元件的主光束射出的窗部，
在将所述保持部的框架部的内侧定义为经由所述子固定部件搭载有所述半导体激光元件的一侧的情况下，
在所述保持部的框架部的内侧部分上形成有锥部，该锥部具有相对于所述搭载部的表面倾斜的面。
11.根据权利要求10记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述锥部位于比所述半导体激光元件更靠后侧的位置。
12.根据权利要求10记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述子固定部件的上表面和位于所述保持部的框架部的内侧的所述第二引线的表面通过导线连接。
13.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述搭载部的后侧的一个区域是与所述第一引线的引线部相连的部分，具有比所述第一引线的引线部的宽度宽的宽度。
14.根据权利要求13记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光元件的上表面和具有所述凸形状的区域通过导线连接。
15.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一引线和第二引线贯通所述保持部，
所述第一引线的贯通所述保持部的部分具有在上下方向上弯曲的部分，
所述第二引线的贯通所述保持部的部分具有在左右方向上弯曲的部分。
16.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
将在所述搭载部中除了搭载有所述半导体激光元件的区域以外的区域，向上侧切割而形成切割部，
伴随着所述切割部的形成而在所述搭载部产生的空间，由所述保持部的材料填埋。
17.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
在所述搭载部上形成有向前方突出的凸部，
所述凸部的前表面位于比所述半导体激光元件更靠前侧的位置，并成为用于确定所述半导体激光元件的前面的前后方向位置的前后方向基准面。
18.根据权利要求1记载的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光元件构成为能够照射振荡波长不同或相同的多个激光。
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