JP4330835B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ装置に係り、特に半導体レーザ装置から出射される光ビームの光軸調整機構の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
CD−R装置、CD−RW装置さらにはDVD装置などの光学式情報記録媒体を用いた情報機器はますます小型化、高密度化が求められてきている。これに対応して半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体に集光し、情報の書き込み・再生・消去を行う光ピックアップ装置は、光学式情報記録媒体への集光精度の向上や小型化への要求が強くなっている。
【0003】
図69は、例えば特開平6−77604号公報に記載された従来の半導体レーザ装置である。図70は図69の70−70断面における断面図である。
図69及び図70において、200は半導体レーザ装置、202は半導体レーザ素子、204はシリコン台座、206は金属フレーム、206aは位置決め用の切り欠き溝、208は樹脂モールドの保護壁、208aは保護壁上部、208bは保護壁下部、210はダイボンド材、212は電極リード、214はワイヤリードである。
【0004】
図71は、半導体レーザ装置200を装着した従来の光ピックアップ装置の部分平面図である。
図71において、220は光ピックアップ装置、222は半導体レーザ装置200から出射された光ビームを光学式情報記録媒体に集光するための光学系を構成する光学部品(図示せず)を装着した組み付け部品、224は支持具で、半導体レーザ装置200を組み付け部品222に取り付けるとともに半導体レーザ装置200の金属フレーム206に設けられている位置決め用の切り欠き溝206aに合わせて支持具224を取り付けることにより、組み付け部品222に対して半導体レーザ装置200の位置決めを行っている。
【0005】
226は調整ねじで、支持具224を組み付け部品222に取り付けるとともに左右の調整ねじ226の締め具合を調節することにより、半導体レーザ装置200から出射された光ビームの光軸の角度調整を行う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
この様な構造を有する光ピックアップ装置220においては、半導体レーザ装置200の半導体レーザ素子202をダイボンドする際に、半導体レーザ素子202及びシリコン台座204はそれぞれシリコン台座204および金属フレーム206にダイボンドされるために、必然的に接着位置誤差が発生する。このために組み付け部品222の光学系の光軸と半導体レーザ装置200から出射された光ビームの光軸との間に光軸ずれが発生する。
この光軸ずれが発生すると、例えば光学式情報記録媒体に書き込み動作を行う場合には、パワー不足となり特性が悪化し正確な書き込み動作が行われず動作不良を起こすことになる。光ピックアップ装置220にこの様な光学的な不具合が発生するのを防止するために、光ピックアップ装置220の光軸ずれ調整し一致させることが必要である。
【0007】
従来の光ピックアップ装置220においては、半導体レーザ装置200の金属フレーム206に設けられている位置決め用の切り欠き溝206aに支持具224をはめ合わせて、組み付け部品222に対する半導体レーザ装置200の位置決めを行っているが、支持具224は組み付け部品222と調整ねじ226で固定されるので、調整ねじ226に位置が定められているために、光ビームの光軸の水平ずれを吸収することが出来ず半導体レーザ素子202の光ビームの光軸と組み付け部品222の光学系の光軸との間で水平ずれが生じる。
【0008】
また半導体レーザ装置200から出射される光ビームの水平方向の角度ずれはジッターの悪化をもたらすので、出射光の光軸の要求精度は水平方向で例えば、±0.3度である。一方垂直方向の角度ずれはジッターに対して鈍感でありそれほど問題にならない。
従来の光ピックアップ装置220においては、この要求精度に対して、支持具224を組み付け部品222に固定する左右の調整ねじ226を適宜調整することにより、出射光の光軸の角度調整を行っていた。しかしながら調整ねじ226による回転調整により発光点の位置が平行移動することにもなり、それが水平方向のずれを発生させるので、この調整ねじ226を用いた調整機構は水平方向の位置ずれを吸収しにくい構造でもあり、純粋に角度調整を行うことがなかなか困難であった。
【0009】
図72は従来の光軸の角度調整により発光点が移動することを説明する模式図である。
図72において、C0は部品222の光学系の光軸方向で、最初O点にあった半導体レーザ素子202の発光点の出射する光ビームの光軸がCの方向にあり、これを調整ねじ226により、回転調整を行い光軸をC1の方に向けるとすると、往々にして半導体レーザ素子202の発光点がO1に移動してしまうことが生じ、発光点の位置移動無しに微小な角度調整を行うのが困難であった。
【0010】
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもので、第1の目的は、半導体レーザ素子の出射光の光軸の角度ずれを容易に調整を行うことができる半導体レーザ装置を構成することであり、第2の目的は出射光の光軸の角度ずれを容易に調整を行うことができる光ピックアップ装置を提供することである。
なお、上述した光ピックアップ装置220のような半導体レーザ素子202の位置ずれや組み立て誤差に伴う出射光の光軸の角度ずれによる光ビーム光軸の角度調整を行う機構ではなく、トラッキング制御を行うための回転角度調整機構について、例えば特開平6−203403号公報に記載された従来例がある。
【0011】
図73は、もう一つの従来の半導体レーザ装置の平面図である。また図74は図73の74−74断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図73及び図74において、図69及び図70と同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。以下の図面においても同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。
図73及び図74において、230は半導体レーザ装置、232はシリコン製のミラーで、半導体レーザ素子202から出射された光の光軸を直交する方向に反射させる。234はホログラムユニット、234aはグレーティングパターン、234bはビームスプリット用ホログラムパターンである。図73はホログラムユニット234を省いた図面である。
【0012】
図75は従来のミラーと半導体レーザ素子とを示す平面図、図76は図75の76−76断面におけるミラーと半導体レーザ素子の断面図である。Lは半導体レーザ素子202から出射された光がミラー232により90度曲げられた光の光軸を示す。
保護壁上部234aの外周は半導体レーザ素子202から出射された光がミラー232で直交方向に曲げられた光の光軸Lを中心とする円弧形状に形成されている。
【0013】
図77は半導体レーザ装置230を用いた従来の光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
図77において、半導体レーザ装置230の保護壁上部208aの円弧形状をした外周は組み付け部品222に設けられた円弧形状をしたガイド236とはめ合わされ、半導体レーザ素子202から出射された光がミラー232で直交方向に曲げられた光の光軸Lを中心まわりに半導体レーザ装置230が回転可能に装着され、光軸調整されて固定される。
【0014】
光学系半導体レーザ装置230ではホログラムユニット234を介して出射した光は3ビーム法によるトラッキング制御を行うために、情報記録媒体のトラック方向に対して所定の角度回転させなければならない。そのため光学系半導体レーザ装置230の保護壁上部208aを組み付け部品222に設けられた円弧形状をしたガイド236に沿って摺動させ、光軸L回りに回転させることにより調整している。
【0015】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光ピックアップ装置は、互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、基板の第一の主面上に配設され、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、基板と同じ素材により形成されるとともに、壁部材により一部が固着され一部が壁部材に囲まれた内側と壁部材の外側とにおいて露呈し、壁部材の内側において半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿う方向に回転させかつ半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とし円弧に沿って基板の側面に配設された第一の摺動部と、半導体レーザ素子から出射され基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、第一の摺動部に対応し中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、壁部材の外側において露呈した電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、電極リードと組み付け基板とが第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたもので、半導体レーザ素子の出射した光ビームの光軸の角度調整が容易になり、組み付け基板に設けられた光学系の光軸との角度誤差の小さな光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させることができる。
【0016】
さらに、半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができる。
【0017】
またさらに、基板の第一の主面に配設された遮光防止突起をさらに備えるとともにこの遮光防止突起の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができる。
【0018】
さらに、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたもので、半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の回転対偶面を回転しやすくする。
【0019】
さらに、基板が第一の摺動部を備えたもので、寸法精度の良い摺動部を構成することができる。
【0020】
さらに、第一の摺動部が基板側面に構成されたもので、摺動部の構成が簡単で、寸法精度も良くなる。
【0021】
またさらに、基板の第一の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部が構成されたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。
【0022】
またさらに、基板の第二の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部が構成されたもので、第二の主面を放熱面として使用することができる。
【0023】
またさらに、壁部材が第一の摺動部を備えたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。
【0024】
さらに、壁部材側面により第一の摺動部を構成したもので、簡単な構成で摺動部を構成することができる。
【0025】
またさらに、壁部材頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、摺動部の嵌め合い精度を高く構成できる。
【0026】
またさらに、基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したもので、冷却性能を高めることができる。
【0027】
またさらに摺動部材を基板の第二の主面上にさらに配設し、この摺動部材第一の摺動部を配設したもので、簡単な構成で摺動部材を配設することができる。
【0028】
さらに摺動部材の側面によ第一の摺動部を構成したもので簡単な構成で摺動部を構成することができる。
【0029】
またさらに摺動部材の頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、摺動部の嵌め合い精度を高く構成できる。
【0030】
さらに摺動部材を樹脂モールドで形成したもので摺動部材の製造を容易にする。
【0031】
またさらに壁部材を樹脂モールドで形成したもので壁部材の製造を容易にする。
【0032】
またさらに基板を金属で形成したもので、基板の厚みを薄くまた寸法精度を高めることができる。
【0034】
【発明の実施の形態】
この実施の形態に係る半導体レーザ装置は、基板の主面上にこの主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子を配設し、この半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材を基板の第一の主面上に配設し、半導体レーザ素子の出射端面の発光点を中心に、この半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿って回転させる回転対偶の一方の回転対偶面を備えるとともに基板の第一の主面に沿った光軸を有する光を出射するものである。
【0035】
またこの実施の形態に係る光ピックアップ装置は、上述した半導体レーザ装置を、この半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品と半導体レーザ装置の回転対偶面に対応する他方の回転対偶面とを有する組み付け基板に組み立てたものである。
この光ピックアップ装置は、CD−R装置、CD−R/W装置、デジタルビデオディスク(DVD)装置などの光学式情報記録媒体を使用した記録再生装置の、書き込み・再生・消去などに用いられるものである。
【0036】
実施の形態1.
図1はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図2は図1の2−2断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図1及び図2において、10は光ピックアップ装置、12は半導体レーザ装置、14は組み込み付け基板としての光ピックアップ基板で、例えばマグネシウム合金板により形成されている。
16は半導体レーザ装置12の基板としての金属フレームで、例えば銅ニッケル合金板にAuメッキを行ったもので、厚みは0.1から0.5mm程度である。18は金属フレーム16の表面上に接着剤20によりダイボンドされた半導体レーザ素子である。18aは半導体レーザ素子18の光ビームの出射端面の発光点である。
【0037】
なお、出射端面の発光点18aは主光束の発光点であり、半導体レーザ素子18の後方の端面からはモニター光(記載せず)が出射されており、場合によっては受光素子で受光して半導体レーザ素子18の発光を制御することもある。以下出射光は主光束として説明する。金属フレーム16の外周の一部は、半導体レーザ素子18の発光点18aの両側において、発光点18aの設定位置を中心点した円弧の一部になるように形成されている。この円周部16aは回転対偶の一方の回転対偶面を構成している。
【0038】
16bは発光点18aを中心に半導体レーザ装置12を回転させるために、治具を挿入する第二の切り欠き部としてのU字孔である。なお以下に記載する実施の形態1の変形例である図30〜図33、図38、および図39、さらに実施の形態2の図40〜図57、実施の形態3の変形例である図61〜図68においてはU字孔16bは省略して画かれているが、半導体レーザ装置を回転させるためのU字孔16bまたは相当の機能を備えている。
16cは円周部16aやU字孔16bが形成されていない外周である金属フレーム16の前縁16dに形成された、金属フレーム16の厚み方向に沿った第一の切り欠き部としての遮光防止溝である。そしてこの遮光防止溝16cの底辺に半導体レーザ素子18の出射端面が隣接するように半導体レーザ素子18がダイボンドされている。この遮光防止溝16cの溝幅は発光点18aから出射されるレーザビームの拡散光が金属フレーム16の前縁16dによって遮光されないための開口幅を有している。
【0039】
22は半導体レーザ素子18の壁部材としての保護壁で、半導体レーザ素子18の出射端面側を除いて半導体レーザ素子18を取り囲んでいる。これは樹脂モールドにより形成される。24は電極リードで保護壁22の樹脂モールドで固定されている。26は半導体レーザ素子18と電極リード24を結ぶリードワイヤである。
【0040】
光ピックアップ基板14には、半導体レーザ装置12から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品(図示せず)が配設されている。また光ピックアップ基板14には、半導体レーザ装置12の円周部16aに対応した、他方の回転対偶面としてのガイド28が形成されている。このガイド28の中心位置は光ピックアップ基板14に装着された光学系の光軸と重なるように選定されている。そして光ピックアップ基板14にはそのガイド28にはめ合わされた円周部16aを介して半導体レーザ装置12が装着されている。
30は接着材で、半導体レーザ装置12の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板14に設けられた光学系の光軸とを合わせるように調整した後、接着材30により、半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とが固着される。
【0041】
次に光ピックアップ装置10の概略の製造方法について説明する。
まず半導体レーザ装置12を製造する。
図3はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
図3において、金属フレーム16がリードフレーム32に吊りリード34で接続された状態で形成される。リードフレーム32に金属フレーム16を形成する製造方法は金型によるパンチングで、これにより精度良く形成することができる。またパンチングの他にエッチングで加工しても良い。
吊りリード34は金属フレーム16のU字孔16bの底部を接続箇所として金属フレーム16と接続されている。このリードフレーム32には電極リード24も形成されている。
【0042】
次に樹脂モールドにより保護壁22が形成され、このとき保護壁22に電極リード24が固定される。
次いで、半導体レーザ素子18が金属フレーム16上にダイボンドされる。
図3における金属フレーム16の円周部16aの点線で囲った箇所36がダイボンド装置の画像認識ポイントである。金属フレーム16の外形は精度良く形成することができるので、ダイボンド装置の画像認識ポイントとして使用すると半導体レーザ素子18を搭載したときの位置精度が高くなる。
円周部16aに設けられた3箇所の画像認識ポイント36から円弧の中心点を選定し、この中心点に半導体レーザ素子18の出射端面における発光点18aを重ねて半導体レーザ素子18がダイボンドされる。この方法により半導体レーザ素子18の出射端面における発光点18aが容易に円周部16aの中心点に重なるようにダイボンドすることができる。
【0043】
図4はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
図3においては3点を画像認識ポイントとしたが、図4に示すように、3点以上の画像認識ポイントを使用しても良い。
次いで電極リード24と半導体レーザ素子18とがリードワイヤ26により接続され、この後吊りリード34および電極リード24が切断され、半導体レーザ装置12がリードフレーム32から分離される。
次に、半導体レーザ装置12の円周部16aが光ピックアップ基板14のガイド28に装着される。このとき図3及び図4でしめした画像認識ポイントの箇所36を基準点として用いることにより、精度良く実行される。
【0044】
次いで、半導体レーザ装置12の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板14に設けられた光学系の光軸とを合わせる。これには半導体レーザ装置12を光ピックアップ基板14のガイド28に沿って回転させ、半導体レーザ素子18のダイボンドの際や組み立ての際に生じた回転誤差を調整することにより行う。
図5はこの発明に係る回転誤差を調整する方法を示した模式図である。図6は図5の6−6断面における断面図である。また図7はこの発明に係る回転誤差を調整する際に発光点位置が移動しないことを説明した模式図である。
図5および図6において、38は回転調整治具である。図7において、40は拡散するレーザ光で、Lは出射光の光軸、Cは光ピックアップ基板14に設けられた光学系の光軸の方向、また光軸Lの矢印はレーザ光の出射方向を示す。
回転調整治具38は半導体レーザ装置12の金属フレーム16に設けられたU字孔16bに挿入され、微小回転調整を行い、半導体レーザ装置12の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板14に設けられた光学系の光軸とを合わせる。
【0045】
図7に示したように、半導体レーザ装置12における金属フレーム16の円周部16aの中心点に半導体レーザ素子18の発光点18aが重なっており、この円周部16aが光ピックアップ基板14に設けられたガイド28に沿って回転するので、光ピックアップ基板14に設けられた光学系の光軸Cと半導体レーザ素子18から出射される光ビームの光軸Lとの角度のずれを調整する際に、発光点18aの平行移動は少なくなる。このため光軸相互の角度のずれ調整が簡単になる。
この後半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とを接着剤30で固着し、光ピックアップ装置10として完成する。
【0046】
次に金属フレーム16の前縁16dによるレーザ光40の遮光を防止する構成について説明する。図8は半導体レーザ素子から出射される光ビームが拡散する様子を示した模式図である。半導体レーザ素子18の発光点18aは金属フレーム16の円周部16aを構成する円弧の中心にあるので、発光点18aの両側に、発光点18aよりも前方または後方に金属フレーム16の実質部分を有していないと、光ピックアップ基板14に設けられたガイド28に沿って拘束された回転運動を行うことが出来ない。
【0047】
半導体レーザ素子18の後方は、半導体レーザ素子18を搭載するので金属フレーム16の実質部分を設けやすいが、半導体レーザ素子18の前方、すなわち半導体レーザ素子18の出射端面の発光点18aの前方に金属フレーム16の前縁16dを設け、金属フレーム16の実質部分を設けなければならない。
ところが図8に示したように、半導体レーザ素子18から出射されるレーザ光40は断面が縦長の楕円形状をした光束である。このため場合によっては、金属フレーム16の前縁16dによってレーザ光40の光束の一部が遮光されるという場合が発生しかねない。これを防止するための機構の一つが遮光防止溝16cである。
【0048】
図9はこの発明の一実施の形態に係る遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図10は図9の10−10断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図9および図10における遮光防止溝16cは金属フレーム16の前縁16dから切り込まれた平面V字状をしている。このV字の開き角度がレーザ光40の拡散角度より広く形成されている。
図11および図12は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
図11における遮光防止溝16cは金属フレーム16の前縁16dから切り込まれた平面U字状をしている。このU字状の開口幅がレーザ光40の拡散幅より広く形成されている。
【0049】
図12における遮光防止溝16cは金属フレーム16の前縁16dからくぼんだ平面凹状をしている。この凹状の開口幅がレーザ光40の拡散幅より広く形成されている。
図13は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図14は図13の14−14断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図13および図14における遮光防止溝16cは金属フレーム16の前縁16dから金属フレーム16の厚さ方向の一部が平面凹状に窪んだ形状をしている。この凹状の開口幅および深さがレーザ光40の拡散幅より広くまた深く形成されている。
【0050】
図15は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図16は図15の16−16断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図15および図16における遮光防止溝16cは金属フレーム16の前縁16dから金属フレーム16の厚さ方向の一部が平面V状に窪んだ形状をしている。このV字状の開口幅および深さがレーザ光40の拡散幅より広くまた深く形成されている。
図17は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図18は図17の18−18断面の断面図である。
図17および図18の遮光防止機構は溝形状ではなく、凸部としての遮光防止突起16eで切頭四角錐形状をしており、遮光防止突起16eの頂部の一稜線に沿って、頂部平面上に半導体レーザ素子18がダイボンドされている。
【0051】
図19は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図20は図19の20−20断面の断面図である。
図19および図20の遮光防止突起16eは金属フレーム16の前縁16dに沿って延在した台形状をしており、遮光防止突起16eの頂部の一稜線に沿って、頂部平面上に半導体レーザ素子18がダイボンドされている。
図21は半導体レーザ装置の固定方法の変形例を示すこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図22は図21の22−22断面の断面図である。
図1においては半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とを接着剤で固着しているが、図21および図22においては半導体レーザ装置12の金属フレーム16に設けられたU字孔16bを利用し固定ねじ16fを用いて半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とを固定している。
【0052】
次に、光ピックアップ装置10における、半導体レーザ装置12側の回転対偶面と光ピックアップ基板14側の回転対偶面の変形例について説明する。
図23はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一変形例を示す光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図24は図23の24−24断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図23の回転対偶は、金属フレーム16側の円周面16aは半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円弧で形成され、光ピックアップ基板14側の回転対偶面は、光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円周と側面を接した3本の円筒形のピン42により構成されている。ここではピン42を3本としたが必ずしも3本に限らなくてよい。
【0053】
図25ないし29は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
図25の回転対偶は、金属フレーム16側の図23の変形例と同様の円周面16aで構成され、光ピックアップ基板14側の回転対偶面は、光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円周と側面を接する3箇所の断面円弧状の円筒突起44で構成されている。ここでは円筒突起44を3箇所としたが必ずしも3箇所に限らなくてよい。
図26の回転対偶は、光ピックアップ基板14側の回転対偶面は、光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円弧状のガイド28であるが、金属フレーム16側の回転対偶面は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円周上に4箇所形成された金属フレーム16の尖点46で構成されている。
【0054】
図27では、金属フレーム16側の回転対偶面を構成する尖点46がさらに多数箇所形成された例である。
図28は図26の変形例に近い例であるが、図26では平面V状に窪んだ形状の遮光防止溝16cを有しているに対して、図28の変形例は金属フレーム16側の回転対偶面は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円周上に4箇所形成された金属フレーム16の尖点46で構成されている点は同じであるが、金属フレーム16の前縁16dを発光点18aの設定位置に近接させて遮光防止溝16cを無くし、前縁16dを発光点18a上を通る半径線に平行な弦としたものである。金属フレーム16の光軸方向の幅を短くすることにより、リードフレーム32からとれる金属フレーム16の数を多くすることができて、半導体レーザ装置10を安価に構成することができる。
【0055】
図29の変形例は、金属フレーム16の前縁16dを発光点18aの設定位置に近接させて遮光防止溝16cを無くし、前縁16dを発光点18a上を通る半径線に平行な弦とした点は、図28の変形例と同じであるが、保護壁22を前縁16dより突出させるとともに金属フレーム16上に半導体レーザ素子18のモニター光を受光するための受光素子を兼ねたシリコン等の台座48を設けこの上に半導体レーザ素子18をダイボンドしたものである。
この構成では、シリコン等の台座48を絶縁体、例えば窒化アルミニウム(AlN)などに変えることにより、台座48のチップ搭載面と金属フレーム16とを電気的に分離できるので、半導体レーザ素子18のカソードと接地端とを分離することが出来て、周波数応答性を良くすることができる。
【0056】
以上は、回転対偶面を金属フレーム16の外周に配設したものであるが、以下の変形例は、金属フレーム16の下面側に凹部または凸部を設けこの凹部または凸部の側面に回転対偶面を構成したものである。
図30は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図31は図30の31−31断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図30および図31において、50は金属フレーム16下面に設けられた環状溝、52は光ピックアップ基板14表面に設けられた環状突起である。
環状溝50の側面は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、環状突起52の側面は光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。この環状溝50および環状突起52それぞれの側面を回転対偶面として回転対偶が形成されている。環状溝50や環状突起52は金属フレーム16や光ピックアップ基板14をパンチングする際に形成されるが、エッチングまたは切削で形成してもよい。
【0057】
図32および図33は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
図32の半導体レーザ装置12に用いられている金属フレーム16の環状溝50は、図31の環状溝50の回転対偶面と形状は同じであるが、パンチングで形成されたもので、金属フレーム16の上表面側にパンチングによる突起が形成されている。図32の光ピックアップ装置の平面形状は図30と同様になる。
図33において、54は金属フレーム16下面に設けられた環状突起、56は光ピックアップ基板14表面に設けられた環状溝である。
図33の光ピックアップ装置では、図30および図31の光ピックアップ装置における環状突起と環状溝の構成を交換したものである。
【0058】
図34は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図35は図34の35−35断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図34および図35において、58は金属フレーム16下面に設けられた円筒孔、60は光ピックアップ基板14表面に設けられた円筒突起である。
円筒孔58は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とし、円筒突起60は光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置いている。この円筒孔58および円筒突起60それぞれの側面を回転対偶面として回転対偶が形成されている。
【0059】
図36は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図37は図36の37−37断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図36および図37において、16fは上部金属フレーム、16gは下部金属フレームである。上部金属フレーム16fと下部金属フレーム16gとは、例えば溶接による張り合わせ構造になっている。回転対偶を構成する回転対偶面は図34および図35の変形例の構成と同じである。
図38は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図39は図38の39−39断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【0060】
図38および図39において、62は金属フレーム16下面に設けられた円筒突起である。光ピックアップ基板14表面には円筒突起62とはめ合わされた環状溝56が形成されている。
金属フレーム16下面に設けられた4本の円筒突起62の中心は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする一つの円上に選定されている。従って4本の円筒突起62の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起62の側面を回転対偶面の一方にしている。他方の回転対偶面は環状溝56の側面で、円筒突起62とはめ合わされている。この円筒突起62はパンチングによって形成することができる。なおこの例では円筒突起62の本数を4本としたが必ずしもこの数に限らない。
【0061】
上述した実施の形態1に係る光ピックアップ装置10では、半導体レーザ装置12の金属フレーム16に回転対偶面の一方を構成し、この回転対偶面の回転中心に半導体レーザ素子18の発光点18aを選定して半導体レーザ素子18がダイボンドされ、一方光ピックアップ基板14は光ピックアップ基板14に装着された光学系の光軸と重なるように選定された中心点を有するもう一方の回転対偶面を備えている。そして両者の回転対偶面を介して半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とがはめ合わされている。このため実施の形態1に係る光ピックアップ装置10では、光ピックアップ基板14側の光学系の光軸と半導体レーザ装置12から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
【0062】
また、半導体レーザ装置12の金属フレーム16はパンチングにより精度良く形成できるので、金属フレーム16の回転対偶面も精度良く形成できる。このため半導体レーザ素子18の発光点18aと光ピックアップ基板14のガイド28を構成する円弧の中心点との間の位置的な誤差が小さくなり、半導体レーザ素子18の発光点18aから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板14に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置のずれを小さくすることができる。
【0063】
また、金属フレーム16の底面と光ピックアップ基板14の表面とは直接に接触するので、放熱性がよく半導体レーザ装置12の光出力特性を安定に保つことができ、寿命も長くすることができる。延いては信頼性の高い光ピックアップ装置を提供することができる。
【0064】
さらに半導体レーザ装置12の金属フレーム16の外周に円周部16aを設けた場合には、一次加工で金属フレーム16の円周部16aを形成することができるから、さらに精度良く形成できる。このため金属フレーム16上への半導体レーザ素子18のダイボンドは、この外周をダイボンド装置の画像認識ポイントとして使用することにより半導体レーザ素子18を高い位置精度でダイボンドすることができる。従って半導体レーザ素子18の発光点18aと光ピックアップ基板14のガイド28の円弧中心点との間の位置的な誤差がより小さくなり、半導体レーザ素子18の発光点18aから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板14に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置ずれを小さくすることができる。延いては光学的特性が良く信頼性の高い光ピックアップ装置を安価に構成することができる。
【0065】
実施の形態2.
図40はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図41は図40の41−41断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図40及び図41において、70は光ピックアップ装置、72は回転対偶部材としての樹脂摺動部である。
光ピックアップ装置70は金属フレーム16の下面に形成された樹脂摺動部72を備えている。この実施の形態の樹脂摺動部72は環状突起で、樹脂摺動部72の側面は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面72aが回転対偶面となっている。
樹脂摺動部72は樹脂モールドで形成され、保護壁22と一体的に形成される場合が多く加工コストが安くなるので、安価な光ピックアップ装置70を提供することができる。
【0066】
樹脂摺動部72とはめ合わされるもう一方の回転対偶面は、光ピックアップ基板14に形成された環状溝56で、この環状溝56の側面は光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。
図42および図43はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の断面図である。
図42の変形例では、半導体レーザ装置12の樹脂摺動部72は図41の場合と同じであるが、光ピックアップ基板14に形成された環状溝56の幅を広くすることにより、樹脂摺動部72の外側側面72aと光ピックアップ基板14に形成された環状溝56の外側の溝側面とを回転対偶面としたものである。
図43の変形例では、半導体レーザ装置12の樹脂摺動部72は図41の場合と同じであるが、光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面を有する円筒突起74を光ピックアップ基板14表面に形成し、円筒突起74の側面と樹脂摺動部72の内側側面72aとを回転対偶面としたものである。
【0067】
図44はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図45は図44の45−45断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図44および図45の変形例においては、樹脂摺動部72が円筒突起で、樹脂摺動部72は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面72aが回転対偶面となっている。
光ピックアップ基板14側には光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒孔76が設けられ、この円筒孔76の側面が回転対偶面となっている。
【0068】
図46はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図47は図46の47−47断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図46および図47の変形例は、図44および図45の変形例と同様に樹脂摺動部72が円筒突起で、光ピックアップ基板14側に円筒孔76が設けられ、この円筒孔76の側面が回転対偶面となっている。
ただ、樹脂摺動部72の円筒突起の厚みが樹脂摺動部72の一部となり、浅くなるとともに、円筒突起の外周円筒の半径が大きくなっている。
図48はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図49は図48の49−49断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【0069】
図48および図49の変形例は、図40及び図41の構成と同じように樹脂摺動部72は環状突起で、光ピックアップ基板14側も環状溝56であるが、環状突起が樹脂摺動部72の厚みの一部となって、回転対偶面が浅くなっている。
図50はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図51は図50の51−51断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【0070】
図50および図51の変形例は、樹脂摺動部72を4本の円筒突起としたものである。光ピックアップ基板14表面には円筒突起とはめ合わされた環状溝56が形成されている。
4本の円筒突起の中心は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする一つの円上に選定されている。従って4本の円筒突起の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起の側面を回転対偶面の一方にしている。他方の回転対偶面は環状溝56の側面で、この側面を介して円筒突起形状の樹脂摺動部72がはめ合わされている。
なおこの例では円筒突起の本数を4本としたが必ずしもこの数に限らない。
【0071】
図52はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図53は図52の53−53断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図52および図53の変形例は、図43の構成と近い構成であり、樹脂摺動部72の内側側面が半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする内円筒面の一部で形成され、この側面72aが回転対偶面となっている。内側側面の内円筒面が形成された厚さは樹脂摺動部72の厚さの一部であり、従って図44に示された構成と比べて、回転対偶面が浅くなっている。光ピックアップ基板14表面の回転対偶面は図43の構成と同じである。
【0072】
図54はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図55は図54の55−55断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図54および図55の変形例は、図48および図49の構成における溝と突起を交換した構成であり、樹脂摺動部72は環状溝で、樹脂摺動部72の側面は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面72aが回転対偶面となっている。
樹脂摺動部72とはめ合わされるもう一方の回転対偶面は、光ピックアップ基板14に形成された環状突起52で、この環状突起52の側面は光ピックアップ基板14の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。
また、この変形例は樹脂摺動部72の環状溝の深さは樹脂摺動部72の厚さに一部となっていて、回転対偶面が浅くなっている。
【0073】
図56はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図57は図56の57−57断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図56および図57の変形例は、図52および図53の構成と近い構成であり、図52および図53の構成に比べて樹脂摺動部72の内側側面を構成する内円筒の半径を小さくし、全円筒面を回転対偶面としたものである。
上述したこの実施の形態に係る光ピックアップ装置においては、金属フレーム16の下面に樹脂摺動部72を設け、この樹脂摺動部72の側面や、樹脂摺動部72の端面に設けた凹部または凸部の側面を回転対偶面とし、この回転対偶面に対応する回転対偶面を光ピックアップ基板14に形成し、これらの回転対偶面を介して半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とをはめ合わせ光ピックアップ装置として構成したものである。
【0074】
従って実施の形態1と同様に、光ピックアップ基板14側の光学系の光軸と半導体レーザ装置12から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
さらに、保護壁22と樹脂摺動部72とを一体構成で製造することが出来て、回転対偶面を構成するため製造コストが安価になる。
また、樹脂摺動部72を環状突起や円筒突起にする場合、例えば図40〜図43、図44、図48,図50などの場合には、樹脂の硬化収縮が小さく、相手の回転対偶面との遊隙がすくなくなり、このため半導体レーザ素子18の発光点18aと光ピックアップ基板14のガイド28が構成する円弧の中心点との間の位置的な誤差が小さくなり、半導体レーザ素子18の発光点18aから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板14に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置のずれを小さくすることができる。
【0075】
また樹脂摺動部72の端面に凹部を形成する場合には、凹部の上面を梨地に、凹部底面を平滑面にすることにより、画像認識ターゲットとして使用でき半導体レーザ素子18のダイボンドを精度良く行うことができる。
また樹脂摺動部72の端面に凹部または凸部を形成する場合、例えば図48、図50、図52、図54、図56などの場合には、熱可塑性の樹脂を使用することにより位置決め調整後一時的に加熱し、再溶融させて半導体レーザ装置12と光ピックアップ基板14とを固着させることにより、接着材無しに簡単に固定することができ、製造工程を簡単化し安価にすることができる。
延いては、光学的特性がよい光ピックアップ装置を安価に構成することができる。
【0076】
実施の形態3.
図58はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図59は図58の59−59断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図58および図59において、80は光ピックアップ装置、16hは基板の第1の主面としての金属フレーム16のチップ搭載面である。16jは基板の第2の主面としての金属フレーム16の裏面である。82は冷却フィンで、金属フレーム16の裏面16jに接着されている。84は保護壁22および半導体レーザ素子18を収納する収納部、86はレーザ光40を収納部84から放射するための開口部である。開口部86は主光束側とこの主光束と反対側のモニター光側にも形成される。
【0077】
この光ピックアップ装置80は金属フレーム16のチップ搭載面16hを光ピックアップ基板14に対向させ、光ピックアップ基板14の表面に半導体レーザ装置の金属フレーム16の表面16hを載置し、金属フレーム16の裏面16jを外側に向けて配置したものである。
また半導体レーザ装置12における金属フレーム16の外周は回転対偶の一方の回転対偶面である円周部16aを構成し、光ピックアップ基板14には、他方の回転対偶面としてのガイド28が形成されている。そして光ピックアップ基板14にはそのガイド28にはめ合わされた円周部16aを介して半導体レーザ装置12が装着されている。
【0078】
図60はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例を示す光ピックアップ装置の断面図である。
図60の変形例では、半導体レーザ装置12の保護壁22の外周が半導体レーザ装置12の回転対偶面を構成している。
図61はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図62は図61の62−62断面における光ピックアップ装置の断面図である。なお図61は冷却フィン82を除いて記載している。以下の図63、図65、図67においても同様である。
【0079】
図61および図62の変形例は、保護壁22の頂部端面に環状溝88を設け、その側面により半導体レーザ装置12の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板14の収納部84の底面に環状突起52を設け、その側面により光ピックアップ基板14側の回転対偶面を構成している。
図63はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図64は図63の64−64断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【0080】
図63および図64の変形例は、保護壁22の頂部端面に環状突起90を設け、その側面により半導体レーザ装置12の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板14の収納部84の底面に環状溝56を設け、その側面により光ピックアップ基板14側の回転対偶面を構成している。
図65はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図66は図65の66−66断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図65および図66の変形例は、金属フレーム16のチップ搭載面16hに環状溝92を設け、その側面により半導体レーザ装置12の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板14の表面に環状突起94を設け、その側面により光ピックアップ基板14側の回転対偶面を構成している。
【0081】
図67はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図68は図67の68−68断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図67および図68の変形例は、金属フレーム16のチップ搭載面16hに円筒突起96を設け、光ピックアップ基板14表面には円筒突起96とはめ合わされた環状溝56が形成されている。金属フレーム16のチップ搭載面16hに設けられた4本の円筒突起96の中心は半導体レーザ素子18の発光点18aの設定位置を中心点とする一つの円上に配設されている。従って4本の円筒突起94の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起96の側面を回転対偶面の一方にしている。
一方、光ピックアップ基板14の表面に配設された環状溝56の側面により光ピックアップ基板14側の回転対偶面を構成している。なおこの例では円筒突起96の本数を4本としたが必ずしもこの数に限らない。
【0082】
上述したようにこの実施の形態に係る光ピックアップ装置は、金属フレーム16の側面、保護壁22、または金属フレーム16の搭載面16hに半導体レーザ装置12側の回転対偶面を構成するとともに、これに対応する回転対偶面を光ピックアップ基板14側にも設けたので、実施の形態1と同様に、光ピックアップ基板14側の光学系の光軸と半導体レーザ装置12から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
【0083】
さらに金属フレーム16の面方向の基準面として高い表面精度で形成されている金属フレーム16のチップ搭載面16hが、やはり光ピックアップ基板14の面方向の基準面として精度高く形成されている光ピックアップ基板14の表面に載置されるので、金属フレーム16の厚み公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ基板14に対する垂直方向の、半導体レーザ素子18の発光点18aの位置精度を高くすることができる。
【0084】
また粉塵等のゴミに対して半導体レーザ装置12が蓋をする構成となるので、ゴミが半導体レーザ素子18に付着するのを低減することができる。
さらに、冷却フィン82を金属フレーム16の裏面16jに搭載することにより半導体レーザ装置12の放熱を効率よく行うことができる。
延いては、光学的特性がよく、信頼性の高い光ピックアップ装置を構成することができる。
なお、実施の形態1で述べた遮光防止機構および回転調整治具の挿入に用いる金属フレームに設けられたU字孔は他の実施の形態に適用しても同様の効果を奏する。
【0085】
【発明の効果】
この発明に係る半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ装置は以上に説明したような構成を備えているので、以下のような効果を有する。
この発明に係る半導体レーザ装置においては、互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、基板の第一の主面上に配設され、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、半導体レーザ素子の出射端面の発光点を中心にこの半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿う方向に回転させる回転対偶の一方の回転対偶面とを備えるとともに基板の第一の主面に沿った光軸を有する光を出射するもので、半導体レーザ装置の回転対偶面を他方の回転対偶面に対応させることにより半導体レーザ素子が出射する光の光軸の角度ずれの調整を容易に行うことができる。延いては光軸調整の容易な光ピックアップ装置を構成することができる。
【0086】
さらに、半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができ、出力効率の高い半導体レーザ装置を構成することができる。延いてはレーザ光の出力特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【0087】
またさらに、基板の第一の主面に配設された凸部をさらに備えるとともにこの凸部の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができ、出力効率の高い半導体レーザ装置を構成することができる。延いてはレーザ光の出力特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【0088】
さらに、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたもので、半導体レーザ装置の回転対偶面を回転しやすくする。このため他方の回転対偶面に対して、微小回転調整を容易にすることができ、延いては半導体レーザ装置の光軸調整を行い易い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0089】
さらに、基板が回転対偶面の一方を備えたもので、寸法精度の良い回転対偶面を有した半導体レーザ装置を構成することができる。延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0090】
さらに、基板側面により回転対偶面の一方を構成したもので、回転対偶面の構成が簡単で、寸法精度も良くなる。このため、チップの搭載位置の誤差が小さな半導体レーザ装置を構成できる。延いては光軸ずれの少ない光ピックアップ装置を構成することができる。
【0091】
またさらに、基板の第一の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。このため基板の厚みの公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ装置の基板に垂直な方向の光ピックアップ装置の光軸ずれを少なくでき、延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0092】
またさらに、基板の第二の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、第二の主面を放熱面として使用することができ、延いては冷却性能の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0093】
またさらに、壁部材が回転対偶面の一方を備えたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。このため基板の厚みの公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ装置の基板に垂直な方向の光ピックアップ装置の光軸ずれを少なくでき、延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0094】
さらに、壁部材側面により回転対偶面の一方を構成したもので、簡単な構成で回転対偶面を構成することができる。延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【0095】
またさらに、壁部材頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することできて、回転対偶の嵌め合い精度を高く構成できる。延いては安価で光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0096】
またさらに、基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したもので、冷却性能を高めることができる。このため信頼性の高い半導体レーザ装置を構成でき、延いては、信頼性の高い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0097】
またさらに回転対偶部材の一方を基板の第二の主面上にさらに配設し、この回転対偶部材に回転対偶面の一方を配設したもので、簡単な構成で回転対偶部材を配設することができる。延いては安価で光軸調整の簡単な光ピックアップ装置を構成することができる。
【0098】
さらに回転対偶部材の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、簡単な構成で回転対偶面を構成することができる。延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【0099】
またさらに回転対偶部材の頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、回転対偶の嵌め合い精度を高く構成できる。延いては安価で光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【0100】
さらに回転対偶部材を樹脂モールドで形成したもので回転対偶部材の製造を容易にする。このため安価な半導体レーザ装置を構成でき、延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【0101】
またさらに壁部材を樹脂モールドで形成したもので壁部材の製造を容易にする。このため安価な半導体レーザ装置を構成でき、延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【0102】
またさらに基板を金属で形成したもので、基板の厚みを薄くまた寸法精度を高めることができる。半導体レーザ装置の薄型化を図ることが出来るとともに、寸法精度の良い回転対偶面を形成することができる。延いては薄型で、光学特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【0103】
また、この発明に係る光ピックアップ装置は上述した半導体レーザ装置の一つと、この半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品と半導体レーザ装置の回転対偶面の一方に対応する他方の回転対偶面とを有する組み付け基板と、を備えたもので、半導体レーザ装置の出射した光ビームの光軸の角度調整が容易になり、組み付け基板に設けられた光学系の光軸との角度誤差の小さな光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させることができる。延いては光学調整が容易で光学特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図2】 図1の2−2断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図3】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
【図4】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
【図5】 この発明に係る回転誤差を調整する方法を示した模式図である。
【図6】 図5の6−6断面における断面図である。
【図7】 この発明に係る回転誤差を調整する際に発光点位置が移動しないことを説明した模式図である。
【図8】 半導体レーザ素子から出射される光ビームが拡散する様子を示した模式図である。
【図9】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図10】 図9の10−10断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図11】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図12】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図13】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図14】 図13の14−14断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図15】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図16】 図15の16−16断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図17】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図18】 図17の18−18断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図19】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図20】 図19の20−20断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図21】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図22】 図21の22−22断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図23】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図24】 図23の24−24断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図25】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図26】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図27】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図28】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図29】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図30】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図31】 図30の31−31断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図32】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図33】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図34】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図35】 図34の35−35断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図36】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図37】 図36の37−37断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図38】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図39】 図38の39−39断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図40】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図41】 図40の41−41断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図42】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図43】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図44】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図45】 図44の45−45断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図46】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図47】 図46の47−47断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図48】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図49】 図48の49−49断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図50】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図51】 図50の51−51断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図52】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図53】 図52の53−53断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図54】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図55】 図54の55−55断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図56】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図57】 図56の57−57断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図58】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図59】 図58の59−59断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図60】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図61】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図62】 図61の62−62断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図63】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図64】 図63の64−64断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図65】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図66】 図65の66−66断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図67】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図68】 図65の66−66断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図69】 従来の半導体レーザ装置である。
【図70】 図69の70−70断面における断面図である。
【図71】 従来の光ピックアップ装置の部分平面図である。
【図72】 従来の光軸の角度調整により発光点が移動することを説明する模式図である。
【図73】 従来の半導体レーザ装置の平面図である。
【図74】 図73の74−74断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図75】 従来のミラーと半導体レーザ素子とを示す平面図である。
【図76】 図75の76−76断面の断面図である。
【図77】 従来の光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【符号の説明】
16 金属フレーム、 18 半導体レーザ素子、 22 保護壁、 18a 発光点、 16a 円周部、 16c 遮光防止溝、 16e 遮光防止突起、 16b U字孔、 82 冷却フィン、 72 樹脂摺動部、 12 半導体レーザ装置、 14 光ピックアップ基板。

Claims (14)

  1. 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とし円弧に沿って上記基板の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  2. 半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたことを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
  3. 基板の第一の主面に配設された遮光防止突起をさらに備えるとともにこの遮光防止突起の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたことを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装置。
  4. 半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の光ピックアップ装置。
  5. 互いに対向する第一、第二の主面を有しこの第一の主面に凸部または凹部が設けられた基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記基板の凸部の側面または基板の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  6. 互いに対向する第一、第二の主面を有しこの第二の主面に凸部または凹部が設けられた基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記基板の凸部の側面または基板の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  7. 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記壁部材の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  8. 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲むとともに頂部に凸部または凹部を有する壁部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記壁部材の凸部の側面または壁部材の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  9. 基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したことを特徴とする請求項1,5,7および8のいずれか1項に記載の光ピックアップ装置。
  10. 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
    上記基板の第二の主面上に配設された摺動部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記摺動部材の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  11. 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
    この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
    上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
    上記基板の第二の主面上に配設され頂部に凸部または凹部を有する摺動部材と、
    上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
    上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記摺動部材の凸部の側面または摺動部材の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
    上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
    上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
  12. 摺動部材を樹脂モールドで形成したことを特徴とする請求項10または11に記載の光ピックアップ装置。
  13. 壁部材を樹脂モールドで形成したことを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項に記載の光ピックアップ装置。
  14. 基板を金属で形成したことを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1項に記載の光ピックアップ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4678154B2 (ja) * 2004-07-28 2011-04-27 日亜化学工業株式会社 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法
JP2006080193A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Sharp Corp 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置
JP4238864B2 (ja) * 2005-11-02 2009-03-18 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4668299B2 (ja) * 2008-06-17 2011-04-13 シャープ株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
TWI426209B (zh) * 2009-09-15 2014-02-11 Alps Electric Co Ltd Light emitting device
JP6319257B2 (ja) * 2015-09-30 2018-05-09 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置
US11309680B2 (en) * 2017-09-28 2022-04-19 Nichia Corporation Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4594600A (en) * 1984-10-11 1986-06-10 Ricoh Company, Ltd. Integrated laser diode scanner
JPH06203403A (ja) 1992-10-22 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
US5748658A (en) 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP2000036117A (ja) 1998-07-16 2000-02-02 Ricoh Co Ltd 光ピックアップにおける半導体レーザの光束光軸調整方法、半導体レーザ用ハウジングおよび光源光検出器セルおよび光ピックアップ
EP1788416B1 (en) * 1998-09-24 2008-03-05 LG Cable & Machinery Ltd. Method for manufacturing laser diode chip

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