JP4330835B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4330835B2 JP4330835B2 JP2001400376A JP2001400376A JP4330835B2 JP 4330835 B2 JP4330835 B2 JP 4330835B2 JP 2001400376 A JP2001400376 A JP 2001400376A JP 2001400376 A JP2001400376 A JP 2001400376A JP 4330835 B2 JP4330835 B2 JP 4330835B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor laser
- laser element
- wall member
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/082—Aligning the head or the light source relative to the record carrier otherwise than during transducing, e.g. adjusting tilt set screw during assembly of head
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ装置に係り、特に半導体レーザ装置から出射される光ビームの光軸調整機構の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−Ｒ装置、ＣＤ−ＲＷ装置さらにはＤＶＤ装置などの光学式情報記録媒体を用いた情報機器はますます小型化、高密度化が求められてきている。これに対応して半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体に集光し、情報の書き込み・再生・消去を行う光ピックアップ装置は、光学式情報記録媒体への集光精度の向上や小型化への要求が強くなっている。
【０００３】
図６９は、例えば特開平６−７７６０４号公報に記載された従来の半導体レーザ装置である。図７０は図６９の７０−７０断面における断面図である。
図６９及び図７０において、２００は半導体レーザ装置、２０２は半導体レーザ素子、２０４はシリコン台座、２０６は金属フレーム、２０６ａは位置決め用の切り欠き溝、２０８は樹脂モールドの保護壁、２０８ａは保護壁上部、２０８ｂは保護壁下部、２１０はダイボンド材、２１２は電極リード、２１４はワイヤリードである。
【０００４】
図７１は、半導体レーザ装置２００を装着した従来の光ピックアップ装置の部分平面図である。
図７１において、２２０は光ピックアップ装置、２２２は半導体レーザ装置２００から出射された光ビームを光学式情報記録媒体に集光するための光学系を構成する光学部品（図示せず）を装着した組み付け部品、２２４は支持具で、半導体レーザ装置２００を組み付け部品２２２に取り付けるとともに半導体レーザ装置２００の金属フレーム２０６に設けられている位置決め用の切り欠き溝２０６ａに合わせて支持具２２４を取り付けることにより、組み付け部品２２２に対して半導体レーザ装置２００の位置決めを行っている。
【０００５】
２２６は調整ねじで、支持具２２４を組み付け部品２２２に取り付けるとともに左右の調整ねじ２２６の締め具合を調節することにより、半導体レーザ装置２００から出射された光ビームの光軸の角度調整を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この様な構造を有する光ピックアップ装置２２０においては、半導体レーザ装置２００の半導体レーザ素子２０２をダイボンドする際に、半導体レーザ素子２０２及びシリコン台座２０４はそれぞれシリコン台座２０４および金属フレーム２０６にダイボンドされるために、必然的に接着位置誤差が発生する。このために組み付け部品２２２の光学系の光軸と半導体レーザ装置２００から出射された光ビームの光軸との間に光軸ずれが発生する。
この光軸ずれが発生すると、例えば光学式情報記録媒体に書き込み動作を行う場合には、パワー不足となり特性が悪化し正確な書き込み動作が行われず動作不良を起こすことになる。光ピックアップ装置２２０にこの様な光学的な不具合が発生するのを防止するために、光ピックアップ装置２２０の光軸ずれ調整し一致させることが必要である。
【０００７】
従来の光ピックアップ装置２２０においては、半導体レーザ装置２００の金属フレーム２０６に設けられている位置決め用の切り欠き溝２０６ａに支持具２２４をはめ合わせて、組み付け部品２２２に対する半導体レーザ装置２００の位置決めを行っているが、支持具２２４は組み付け部品２２２と調整ねじ２２６で固定されるので、調整ねじ２２６に位置が定められているために、光ビームの光軸の水平ずれを吸収することが出来ず半導体レーザ素子２０２の光ビームの光軸と組み付け部品２２２の光学系の光軸との間で水平ずれが生じる。
【０００８】
また半導体レーザ装置２００から出射される光ビームの水平方向の角度ずれはジッターの悪化をもたらすので、出射光の光軸の要求精度は水平方向で例えば、±０．３度である。一方垂直方向の角度ずれはジッターに対して鈍感でありそれほど問題にならない。
従来の光ピックアップ装置２２０においては、この要求精度に対して、支持具２２４を組み付け部品２２２に固定する左右の調整ねじ２２６を適宜調整することにより、出射光の光軸の角度調整を行っていた。しかしながら調整ねじ２２６による回転調整により発光点の位置が平行移動することにもなり、それが水平方向のずれを発生させるので、この調整ねじ２２６を用いた調整機構は水平方向の位置ずれを吸収しにくい構造でもあり、純粋に角度調整を行うことがなかなか困難であった。
【０００９】
図７２は従来の光軸の角度調整により発光点が移動することを説明する模式図である。
図７２において、Ｃ0は部品２２２の光学系の光軸方向で、最初Ｏ点にあった半導体レーザ素子２０２の発光点の出射する光ビームの光軸がＣの方向にあり、これを調整ねじ２２６により、回転調整を行い光軸をＣ1の方に向けるとすると、往々にして半導体レーザ素子２０２の発光点がＯ1に移動してしまうことが生じ、発光点の位置移動無しに微小な角度調整を行うのが困難であった。
【００１０】
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもので、第１の目的は、半導体レーザ素子の出射光の光軸の角度ずれを容易に調整を行うことができる半導体レーザ装置を構成することであり、第２の目的は出射光の光軸の角度ずれを容易に調整を行うことができる光ピックアップ装置を提供することである。
なお、上述した光ピックアップ装置２２０のような半導体レーザ素子２０２の位置ずれや組み立て誤差に伴う出射光の光軸の角度ずれによる光ビーム光軸の角度調整を行う機構ではなく、トラッキング制御を行うための回転角度調整機構について、例えば特開平６−２０３４０３号公報に記載された従来例がある。
【００１１】
図７３は、もう一つの従来の半導体レーザ装置の平面図である。また図７４は図７３の７４−７４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図７３及び図７４において、図６９及び図７０と同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。以下の図面においても同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。
図７３及び図７４において、２３０は半導体レーザ装置、２３２はシリコン製のミラーで、半導体レーザ素子２０２から出射された光の光軸を直交する方向に反射させる。２３４はホログラムユニット、２３４ａはグレーティングパターン、２３４ｂはビームスプリット用ホログラムパターンである。図７３はホログラムユニット２３４を省いた図面である。
【００１２】
図７５は従来のミラーと半導体レーザ素子とを示す平面図、図７６は図７５の７６−７６断面におけるミラーと半導体レーザ素子の断面図である。Ｌは半導体レーザ素子２０２から出射された光がミラー２３２により９０度曲げられた光の光軸を示す。
保護壁上部２３４ａの外周は半導体レーザ素子２０２から出射された光がミラー２３２で直交方向に曲げられた光の光軸Ｌを中心とする円弧形状に形成されている。
【００１３】
図７７は半導体レーザ装置２３０を用いた従来の光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
図７７において、半導体レーザ装置２３０の保護壁上部２０８ａの円弧形状をした外周は組み付け部品２２２に設けられた円弧形状をしたガイド２３６とはめ合わされ、半導体レーザ素子２０２から出射された光がミラー２３２で直交方向に曲げられた光の光軸Ｌを中心まわりに半導体レーザ装置２３０が回転可能に装着され、光軸調整されて固定される。
【００１４】
光学系半導体レーザ装置２３０ではホログラムユニット２３４を介して出射した光は３ビーム法によるトラッキング制御を行うために、情報記録媒体のトラック方向に対して所定の角度回転させなければならない。そのため光学系半導体レーザ装置２３０の保護壁上部２０８ａを組み付け部品２２２に設けられた円弧形状をしたガイド２３６に沿って摺動させ、光軸Ｌ回りに回転させることにより調整している。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光ピックアップ装置は、互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、基板の第一の主面上に配設され、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、基板と同じ素材により形成されるとともに、壁部材により一部が固着され一部が壁部材に囲まれた内側と壁部材の外側とにおいて露呈し、壁部材の内側において半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿う方向に回転させかつ半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って基板の側面に配設された第一の摺動部と、半導体レーザ素子から出射され基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、第一の摺動部に対応し中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、壁部材の外側において露呈した電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、電極リードと組み付け基板とが第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたもので、半導体レーザ素子の出射した光ビームの光軸の角度調整が容易になり、組み付け基板に設けられた光学系の光軸との角度誤差の小さな光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させることができる。
【００１６】
さらに、半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができる。
【００１７】
またさらに、基板の第一の主面に配設された遮光防止突起をさらに備えるとともにこの遮光防止突起の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができる。
【００１８】
さらに、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたもので、半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の回転対偶面を回転しやすくする。
【００１９】
さらに、基板が第一の摺動部を備えたもので、寸法精度の良い摺動部を構成することができる。
【００２０】
さらに、第一の摺動部が基板側面に構成されたもので、摺動部の構成が簡単で、寸法精度も良くなる。
【００２１】
またさらに、基板の第一の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部が構成されたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。
【００２２】
またさらに、基板の第二の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部が構成されたもので、第二の主面を放熱面として使用することができる。
【００２３】
またさらに、壁部材が第一の摺動部を備えたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。
【００２４】
さらに、壁部材側面により第一の摺動部を構成したもので、簡単な構成で摺動部を構成することができる。
【００２５】
またさらに、壁部材頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、摺動部の嵌め合い精度を高く構成できる。
【００２６】
またさらに、基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したもので、冷却性能を高めることができる。
【００２７】
またさらに摺動部材を基板の第二の主面上にさらに配設し、この摺動部材に第一の摺動部を配設したもので、簡単な構成で摺動部材を配設することができる。
【００２８】
さらに摺動部材の側面によ第一の摺動部を構成したもので簡単な構成で摺動部を構成することができる。
【００２９】
またさらに摺動部材の頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、摺動部の嵌め合い精度を高く構成できる。
【００３０】
さらに摺動部材を樹脂モールドで形成したもので摺動部材の製造を容易にする。
【００３１】
またさらに壁部材を樹脂モールドで形成したもので壁部材の製造を容易にする。
【００３２】
またさらに基板を金属で形成したもので、基板の厚みを薄くまた寸法精度を高めることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
この実施の形態に係る半導体レーザ装置は、基板の主面上にこの主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子を配設し、この半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材を基板の第一の主面上に配設し、半導体レーザ素子の出射端面の発光点を中心に、この半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿って回転させる回転対偶の一方の回転対偶面を備えるとともに基板の第一の主面に沿った光軸を有する光を出射するものである。
【００３５】
またこの実施の形態に係る光ピックアップ装置は、上述した半導体レーザ装置を、この半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品と半導体レーザ装置の回転対偶面に対応する他方の回転対偶面とを有する組み付け基板に組み立てたものである。
この光ピックアップ装置は、ＣＤ−Ｒ装置、ＣＤ−Ｒ／Ｗ装置、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）装置などの光学式情報記録媒体を使用した記録再生装置の、書き込み・再生・消去などに用いられるものである。
【００３６】
実施の形態１．
図１はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図２は図１の２−２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図１及び図２において、１０は光ピックアップ装置、１２は半導体レーザ装置、１４は組み込み付け基板としての光ピックアップ基板で、例えばマグネシウム合金板により形成されている。
１６は半導体レーザ装置１２の基板としての金属フレームで、例えば銅ニッケル合金板にＡｕメッキを行ったもので、厚みは０．１から０．５ｍｍ程度である。１８は金属フレーム１６の表面上に接着剤２０によりダイボンドされた半導体レーザ素子である。１８ａは半導体レーザ素子１８の光ビームの出射端面の発光点である。
【００３７】
なお、出射端面の発光点１８ａは主光束の発光点であり、半導体レーザ素子１８の後方の端面からはモニター光（記載せず）が出射されており、場合によっては受光素子で受光して半導体レーザ素子１８の発光を制御することもある。以下出射光は主光束として説明する。金属フレーム１６の外周の一部は、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの両側において、発光点１８ａの設定位置を中心点とした円弧の一部になるように形成されている。この円周部１６ａは回転対偶の一方の回転対偶面を構成している。
【００３８】
１６ｂは発光点１８ａを中心に半導体レーザ装置１２を回転させるために、治具を挿入する第二の切り欠き部としてのＵ字孔である。なお以下に記載する実施の形態１の変形例である図３０〜図３３、図３８、および図３９、さらに実施の形態２の図４０〜図５７、実施の形態３の変形例である図６１〜図６８においてはＵ字孔１６ｂは省略して画かれているが、半導体レーザ装置を回転させるためのＵ字孔１６ｂまたは相当の機能を備えている。
１６ｃは円周部１６ａやＵ字孔１６ｂが形成されていない外周である金属フレーム１６の前縁１６ｄに形成された、金属フレーム１６の厚み方向に沿った第一の切り欠き部としての遮光防止溝である。そしてこの遮光防止溝１６ｃの底辺に半導体レーザ素子１８の出射端面が隣接するように半導体レーザ素子１８がダイボンドされている。この遮光防止溝１６ｃの溝幅は発光点１８ａから出射されるレーザビームの拡散光が金属フレーム１６の前縁１６ｄによって遮光されないための開口幅を有している。
【００３９】
２２は半導体レーザ素子１８の壁部材としての保護壁で、半導体レーザ素子１８の出射端面側を除いて半導体レーザ素子１８を取り囲んでいる。これは樹脂モールドにより形成される。２４は電極リードで保護壁２２の樹脂モールドで固定されている。２６は半導体レーザ素子１８と電極リード２４を結ぶリードワイヤである。
【００４０】
光ピックアップ基板１４には、半導体レーザ装置１２から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品（図示せず）が配設されている。また光ピックアップ基板１４には、半導体レーザ装置１２の円周部１６ａに対応した、他方の回転対偶面としてのガイド２８が形成されている。このガイド２８の中心位置は光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸と重なるように選定されている。そして光ピックアップ基板１４にはそのガイド２８にはめ合わされた円周部１６ａを介して半導体レーザ装置１２が装着されている。
３０は接着材で、半導体レーザ装置１２の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸とを合わせるように調整した後、接着材３０により、半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とが固着される。
【００４１】
次に光ピックアップ装置１０の概略の製造方法について説明する。
まず半導体レーザ装置１２を製造する。
図３はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
図３において、金属フレーム１６がリードフレーム３２に吊りリード３４で接続された状態で形成される。リードフレーム３２に金属フレーム１６を形成する製造方法は金型によるパンチングで、これにより精度良く形成することができる。またパンチングの他にエッチングで加工しても良い。
吊りリード３４は金属フレーム１６のＵ字孔１６ｂの底部を接続箇所として金属フレーム１６と接続されている。このリードフレーム３２には電極リード２４も形成されている。
【００４２】
次に樹脂モールドにより保護壁２２が形成され、このとき保護壁２２に電極リード２４が固定される。
次いで、半導体レーザ素子１８が金属フレーム１６上にダイボンドされる。
図３における金属フレーム１６の円周部１６ａの点線で囲った箇所３６がダイボンド装置の画像認識ポイントである。金属フレーム１６の外形は精度良く形成することができるので、ダイボンド装置の画像認識ポイントとして使用すると半導体レーザ素子１８を搭載したときの位置精度が高くなる。
円周部１６ａに設けられた３箇所の画像認識ポイント３６から円弧の中心点を選定し、この中心点に半導体レーザ素子１８の出射端面における発光点１８ａを重ねて半導体レーザ素子１８がダイボンドされる。この方法により半導体レーザ素子１８の出射端面における発光点１８ａが容易に円周部１６ａの中心点に重なるようにダイボンドすることができる。
【００４３】
図４はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
図３においては３点を画像認識ポイントとしたが、図４に示すように、３点以上の画像認識ポイントを使用しても良い。
次いで電極リード２４と半導体レーザ素子１８とがリードワイヤ２６により接続され、この後吊りリード３４および電極リード２４が切断され、半導体レーザ装置１２がリードフレーム３２から分離される。
次に、半導体レーザ装置１２の円周部１６ａが光ピックアップ基板１４のガイド２８に装着される。このとき図３及び図４でしめした画像認識ポイントの箇所３６を基準点として用いることにより、精度良く実行される。
【００４４】
次いで、半導体レーザ装置１２の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸とを合わせる。これには半導体レーザ装置１２を光ピックアップ基板１４のガイド２８に沿って回転させ、半導体レーザ素子１８のダイボンドの際や組み立ての際に生じた回転誤差を調整することにより行う。
図５はこの発明に係る回転誤差を調整する方法を示した模式図である。図６は図５の６−６断面における断面図である。また図７はこの発明に係る回転誤差を調整する際に発光点位置が移動しないことを説明した模式図である。
図５および図６において、３８は回転調整治具である。図７において、４０は拡散するレーザ光で、Ｌは出射光の光軸、Ｃは光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸の方向、また光軸Ｌの矢印はレーザ光の出射方向を示す。
回転調整治具３８は半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６に設けられたＵ字孔１６ｂに挿入され、微小回転調整を行い、半導体レーザ装置１２の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸とを合わせる。
【００４５】
図７に示したように、半導体レーザ装置１２における金属フレーム１６の円周部１６ａの中心点に半導体レーザ素子１８の発光点１８ａが重なっており、この円周部１６ａが光ピックアップ基板１４に設けられたガイド２８に沿って回転するので、光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸Ｃと半導体レーザ素子１８から出射される光ビームの光軸Ｌとの角度のずれを調整する際に、発光点１８ａの平行移動は少なくなる。このため光軸相互の角度のずれ調整が簡単になる。
この後半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを接着剤３０で固着し、光ピックアップ装置１０として完成する。
【００４６】
次に金属フレーム１６の前縁１６ｄによるレーザ光４０の遮光を防止する構成について説明する。図８は半導体レーザ素子から出射される光ビームが拡散する様子を示した模式図である。半導体レーザ素子１８の発光点１８ａは金属フレーム１６の円周部１６ａを構成する円弧の中心にあるので、発光点１８ａの両側に、発光点１８ａよりも前方または後方に金属フレーム１６の実質部分を有していないと、光ピックアップ基板１４に設けられたガイド２８に沿って拘束された回転運動を行うことが出来ない。
【００４７】
半導体レーザ素子１８の後方は、半導体レーザ素子１８を搭載するので金属フレーム１６の実質部分を設けやすいが、半導体レーザ素子１８の前方、すなわち半導体レーザ素子１８の出射端面の発光点１８ａの前方に金属フレーム１６の前縁１６ｄを設け、金属フレーム１６の実質部分を設けなければならない。
ところが図８に示したように、半導体レーザ素子１８から出射されるレーザ光４０は断面が縦長の楕円形状をした光束である。このため場合によっては、金属フレーム１６の前縁１６ｄによってレーザ光４０の光束の一部が遮光されるという場合が発生しかねない。これを防止するための機構の一つが遮光防止溝１６ｃである。
【００４８】
図９はこの発明の一実施の形態に係る遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１０は図９の１０−１０断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図９および図１０における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから切り込まれた平面Ｖ字状をしている。このＶ字の開き角度がレーザ光４０の拡散角度より広く形成されている。
図１１および図１２は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
図１１における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから切り込まれた平面Ｕ字状をしている。このＵ字状の開口幅がレーザ光４０の拡散幅より広く形成されている。
【００４９】
図１２における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄからくぼんだ平面凹状をしている。この凹状の開口幅がレーザ光４０の拡散幅より広く形成されている。
図１３は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１４は図１３の１４−１４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図１３および図１４における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから金属フレーム１６の厚さ方向の一部が平面凹状に窪んだ形状をしている。この凹状の開口幅および深さがレーザ光４０の拡散幅より広くまた深く形成されている。
【００５０】
図１５は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１６は図１５の１６−１６断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図１５および図１６における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから金属フレーム１６の厚さ方向の一部が平面Ｖ状に窪んだ形状をしている。このＶ字状の開口幅および深さがレーザ光４０の拡散幅より広くまた深く形成されている。
図１７は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１８は図１７の１８−１８断面の断面図である。
図１７および図１８の遮光防止機構は溝形状ではなく、凸部としての遮光防止突起１６ｅで切頭四角錐形状をしており、遮光防止突起１６ｅの頂部の一稜線に沿って、頂部平面上に半導体レーザ素子１８がダイボンドされている。
【００５１】
図１９は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図２０は図１９の２０−２０断面の断面図である。
図１９および図２０の遮光防止突起１６ｅは金属フレーム１６の前縁１６ｄに沿って延在した台形状をしており、遮光防止突起１６ｅの頂部の一稜線に沿って、頂部平面上に半導体レーザ素子１８がダイボンドされている。
図２１は半導体レーザ装置の固定方法の変形例を示すこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図２２は図２１の２２−２２断面の断面図である。
図１においては半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを接着剤で固着しているが、図２１および図２２においては半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６に設けられたＵ字孔１６ｂを利用し固定ねじ１６ｆを用いて半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを固定している。
【００５２】
次に、光ピックアップ装置１０における、半導体レーザ装置１２側の回転対偶面と光ピックアップ基板１４側の回転対偶面の変形例について説明する。
図２３はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一変形例を示す光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図２４は図２３の２４−２４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図２３の回転対偶は、金属フレーム１６側の円周面１６ａは半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円弧で形成され、光ピックアップ基板１４側の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円周と側面を接した３本の円筒形のピン４２により構成されている。ここではピン４２を３本としたが必ずしも３本に限らなくてよい。
【００５３】
図２５ないし２９は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
図２５の回転対偶は、金属フレーム１６側の図２３の変形例と同様の円周面１６ａで構成され、光ピックアップ基板１４側の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円周と側面を接する３箇所の断面円弧状の円筒突起４４で構成されている。ここでは円筒突起４４を３箇所としたが必ずしも３箇所に限らなくてよい。
図２６の回転対偶は、光ピックアップ基板１４側の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円弧状のガイド２８であるが、金属フレーム１６側の回転対偶面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円周上に４箇所形成された金属フレーム１６の尖点４６で構成されている。
【００５４】
図２７では、金属フレーム１６側の回転対偶面を構成する尖点４６がさらに多数箇所形成された例である。
図２８は図２６の変形例に近い例であるが、図２６では平面Ｖ状に窪んだ形状の遮光防止溝１６ｃを有しているに対して、図２８の変形例は金属フレーム１６側の回転対偶面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円周上に４箇所形成された金属フレーム１６の尖点４６で構成されている点は同じであるが、金属フレーム１６の前縁１６ｄを発光点１８ａの設定位置に近接させて遮光防止溝１６ｃを無くし、前縁１６ｄを発光点１８ａ上を通る半径線に平行な弦としたものである。金属フレーム１６の光軸方向の幅を短くすることにより、リードフレーム３２からとれる金属フレーム１６の数を多くすることができて、半導体レーザ装置１０を安価に構成することができる。
【００５５】
図２９の変形例は、金属フレーム１６の前縁１６ｄを発光点１８ａの設定位置に近接させて遮光防止溝１６ｃを無くし、前縁１６ｄを発光点１８ａ上を通る半径線に平行な弦とした点は、図２８の変形例と同じであるが、保護壁２２を前縁１６ｄより突出させるとともに金属フレーム１６上に半導体レーザ素子１８のモニター光を受光するための受光素子を兼ねたシリコン等の台座４８を設けこの上に半導体レーザ素子１８をダイボンドしたものである。
この構成では、シリコン等の台座４８を絶縁体、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などに変えることにより、台座４８のチップ搭載面と金属フレーム１６とを電気的に分離できるので、半導体レーザ素子１８のカソードと接地端とを分離することが出来て、周波数応答性を良くすることができる。
【００５６】
以上は、回転対偶面を金属フレーム１６の外周に配設したものであるが、以下の変形例は、金属フレーム１６の下面側に凹部または凸部を設けこの凹部または凸部の側面に回転対偶面を構成したものである。
図３０は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３１は図３０の３１−３１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図３０および図３１において、５０は金属フレーム１６下面に設けられた環状溝、５２は光ピックアップ基板１４表面に設けられた環状突起である。
環状溝５０の側面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、環状突起５２の側面は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。この環状溝５０および環状突起５２それぞれの側面を回転対偶面として回転対偶が形成されている。環状溝５０や環状突起５２は金属フレーム１６や光ピックアップ基板１４をパンチングする際に形成されるが、エッチングまたは切削で形成してもよい。
【００５７】
図３２および図３３は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
図３２の半導体レーザ装置１２に用いられている金属フレーム１６の環状溝５０は、図３１の環状溝５０の回転対偶面と形状は同じであるが、パンチングで形成されたもので、金属フレーム１６の上表面側にパンチングによる突起が形成されている。図３２の光ピックアップ装置の平面形状は図３０と同様になる。
図３３において、５４は金属フレーム１６下面に設けられた環状突起、５６は光ピックアップ基板１４表面に設けられた環状溝である。
図３３の光ピックアップ装置では、図３０および図３１の光ピックアップ装置における環状突起と環状溝の構成を交換したものである。
【００５８】
図３４は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３５は図３４の３５−３５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図３４および図３５において、５８は金属フレーム１６下面に設けられた円筒孔、６０は光ピックアップ基板１４表面に設けられた円筒突起である。
円筒孔５８は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とし、円筒突起６０は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置いている。この円筒孔５８および円筒突起６０それぞれの側面を回転対偶面として回転対偶が形成されている。
【００５９】
図３６は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３７は図３６の３７−３７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図３６および図３７において、１６ｆは上部金属フレーム、１６ｇは下部金属フレームである。上部金属フレーム１６ｆと下部金属フレーム１６ｇとは、例えば溶接による張り合わせ構造になっている。回転対偶を構成する回転対偶面は図３４および図３５の変形例の構成と同じである。
図３８は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３９は図３８の３９−３９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００６０】
図３８および図３９において、６２は金属フレーム１６下面に設けられた円筒突起である。光ピックアップ基板１４表面には円筒突起６２とはめ合わされた環状溝５６が形成されている。
金属フレーム１６下面に設けられた４本の円筒突起６２の中心は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする一つの円上に選定されている。従って４本の円筒突起６２の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起６２の側面を回転対偶面の一方にしている。他方の回転対偶面は環状溝５６の側面で、円筒突起６２とはめ合わされている。この円筒突起６２はパンチングによって形成することができる。なおこの例では円筒突起６２の本数を４本としたが必ずしもこの数に限らない。
【００６１】
上述した実施の形態１に係る光ピックアップ装置１０では、半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６に回転対偶面の一方を構成し、この回転対偶面の回転中心に半導体レーザ素子１８の発光点１８ａを選定して半導体レーザ素子１８がダイボンドされ、一方光ピックアップ基板１４は光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸と重なるように選定された中心点を有するもう一方の回転対偶面を備えている。そして両者の回転対偶面を介して半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とがはめ合わされている。このため実施の形態１に係る光ピックアップ装置１０では、光ピックアップ基板１４側の光学系の光軸と半導体レーザ装置１２から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
【００６２】
また、半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６はパンチングにより精度良く形成できるので、金属フレーム１６の回転対偶面も精度良く形成できる。このため半導体レーザ素子１８の発光点１８ａと光ピックアップ基板１４のガイド２８を構成する円弧の中心点との間の位置的な誤差が小さくなり、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置のずれを小さくすることができる。
【００６３】
また、金属フレーム１６の底面と光ピックアップ基板１４の表面とは直接に接触するので、放熱性がよく半導体レーザ装置１２の光出力特性を安定に保つことができ、寿命も長くすることができる。延いては信頼性の高い光ピックアップ装置を提供することができる。
【００６４】
さらに半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６の外周に円周部１６ａを設けた場合には、一次加工で金属フレーム１６の円周部１６ａを形成することができるから、さらに精度良く形成できる。このため金属フレーム１６上への半導体レーザ素子１８のダイボンドは、この外周をダイボンド装置の画像認識ポイントとして使用することにより半導体レーザ素子１８を高い位置精度でダイボンドすることができる。従って半導体レーザ素子１８の発光点１８ａと光ピックアップ基板１４のガイド２８の円弧中心点との間の位置的な誤差がより小さくなり、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置ずれを小さくすることができる。延いては光学的特性が良く信頼性の高い光ピックアップ装置を安価に構成することができる。
【００６５】
実施の形態２．
図４０はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図４１は図４０の４１−４１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図４０及び図４１において、７０は光ピックアップ装置、７２は回転対偶部材としての樹脂摺動部である。
光ピックアップ装置７０は金属フレーム１６の下面に形成された樹脂摺動部７２を備えている。この実施の形態の樹脂摺動部７２は環状突起で、樹脂摺動部７２の側面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。
樹脂摺動部７２は樹脂モールドで形成され、保護壁２２と一体的に形成される場合が多く加工コストが安くなるので、安価な光ピックアップ装置７０を提供することができる。
【００６６】
樹脂摺動部７２とはめ合わされるもう一方の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４に形成された環状溝５６で、この環状溝５６の側面は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。
図４２および図４３はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の断面図である。
図４２の変形例では、半導体レーザ装置１２の樹脂摺動部７２は図４１の場合と同じであるが、光ピックアップ基板１４に形成された環状溝５６の幅を広くすることにより、樹脂摺動部７２の外側側面７２ａと光ピックアップ基板１４に形成された環状溝５６の外側の溝側面とを回転対偶面としたものである。
図４３の変形例では、半導体レーザ装置１２の樹脂摺動部７２は図４１の場合と同じであるが、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面を有する円筒突起７４を光ピックアップ基板１４表面に形成し、円筒突起７４の側面と樹脂摺動部７２の内側側面７２ａとを回転対偶面としたものである。
【００６７】
図４４はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図４５は図４４の４５−４５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図４４および図４５の変形例においては、樹脂摺動部７２が円筒突起で、樹脂摺動部７２は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。
光ピックアップ基板１４側には光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒孔７６が設けられ、この円筒孔７６の側面が回転対偶面となっている。
【００６８】
図４６はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図４７は図４６の４７−４７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図４６および図４７の変形例は、図４４および図４５の変形例と同様に樹脂摺動部７２が円筒突起で、光ピックアップ基板１４側に円筒孔７６が設けられ、この円筒孔７６の側面が回転対偶面となっている。
ただ、樹脂摺動部７２の円筒突起の厚みが樹脂摺動部７２の一部となり、浅くなるとともに、円筒突起の外周円筒の半径が大きくなっている。
図４８はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図４９は図４８の４９−４９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００６９】
図４８および図４９の変形例は、図４０及び図４１の構成と同じように樹脂摺動部７２は環状突起で、光ピックアップ基板１４側も環状溝５６であるが、環状突起が樹脂摺動部７２の厚みの一部となって、回転対偶面が浅くなっている。
図５０はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５１は図５０の５１−５１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００７０】
図５０および図５１の変形例は、樹脂摺動部７２を４本の円筒突起としたものである。光ピックアップ基板１４表面には円筒突起とはめ合わされた環状溝５６が形成されている。
４本の円筒突起の中心は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする一つの円上に選定されている。従って４本の円筒突起の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起の側面を回転対偶面の一方にしている。他方の回転対偶面は環状溝５６の側面で、この側面を介して円筒突起形状の樹脂摺動部７２がはめ合わされている。
なおこの例では円筒突起の本数を４本としたが必ずしもこの数に限らない。
【００７１】
図５２はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５３は図５２の５３−５３断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５２および図５３の変形例は、図４３の構成と近い構成であり、樹脂摺動部７２の内側側面が半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする内円筒面の一部で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。内側側面の内円筒面が形成された厚さは樹脂摺動部７２の厚さの一部であり、従って図４４に示された構成と比べて、回転対偶面が浅くなっている。光ピックアップ基板１４表面の回転対偶面は図４３の構成と同じである。
【００７２】
図５４はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５５は図５４の５５−５５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５４および図５５の変形例は、図４８および図４９の構成における溝と突起を交換した構成であり、樹脂摺動部７２は環状溝で、樹脂摺動部７２の側面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。
樹脂摺動部７２とはめ合わされるもう一方の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４に形成された環状突起５２で、この環状突起５２の側面は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。
また、この変形例は樹脂摺動部７２の環状溝の深さは樹脂摺動部７２の厚さに一部となっていて、回転対偶面が浅くなっている。
【００７３】
図５６はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５７は図５６の５７−５７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５６および図５７の変形例は、図５２および図５３の構成と近い構成であり、図５２および図５３の構成に比べて樹脂摺動部７２の内側側面を構成する内円筒の半径を小さくし、全円筒面を回転対偶面としたものである。
上述したこの実施の形態に係る光ピックアップ装置においては、金属フレーム１６の下面に樹脂摺動部７２を設け、この樹脂摺動部７２の側面や、樹脂摺動部７２の端面に設けた凹部または凸部の側面を回転対偶面とし、この回転対偶面に対応する回転対偶面を光ピックアップ基板１４に形成し、これらの回転対偶面を介して半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とをはめ合わせ光ピックアップ装置として構成したものである。
【００７４】
従って実施の形態１と同様に、光ピックアップ基板１４側の光学系の光軸と半導体レーザ装置１２から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
さらに、保護壁２２と樹脂摺動部７２とを一体構成で製造することが出来て、回転対偶面を構成するため製造コストが安価になる。
また、樹脂摺動部７２を環状突起や円筒突起にする場合、例えば図４０〜図４３、図４４、図４８，図５０などの場合には、樹脂の硬化収縮が小さく、相手の回転対偶面との遊隙がすくなくなり、このため半導体レーザ素子１８の発光点１８ａと光ピックアップ基板１４のガイド２８が構成する円弧の中心点との間の位置的な誤差が小さくなり、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置のずれを小さくすることができる。
【００７５】
また樹脂摺動部７２の端面に凹部を形成する場合には、凹部の上面を梨地に、凹部底面を平滑面にすることにより、画像認識ターゲットとして使用でき半導体レーザ素子１８のダイボンドを精度良く行うことができる。
また樹脂摺動部７２の端面に凹部または凸部を形成する場合、例えば図４８、図５０、図５２、図５４、図５６などの場合には、熱可塑性の樹脂を使用することにより位置決め調整後一時的に加熱し、再溶融させて半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを固着させることにより、接着材無しに簡単に固定することができ、製造工程を簡単化し安価にすることができる。
延いては、光学的特性がよい光ピックアップ装置を安価に構成することができる。
【００７６】
実施の形態３．
図５８はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図５９は図５８の５９−５９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５８および図５９において、８０は光ピックアップ装置、１６ｈは基板の第１の主面としての金属フレーム１６のチップ搭載面である。１６ｊは基板の第２の主面としての金属フレーム１６の裏面である。８２は冷却フィンで、金属フレーム１６の裏面１６ｊに接着されている。８４は保護壁２２および半導体レーザ素子１８を収納する収納部、８６はレーザ光４０を収納部８４から放射するための開口部である。開口部８６は主光束側とこの主光束と反対側のモニター光側にも形成される。
【００７７】
この光ピックアップ装置８０は金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈを光ピックアップ基板１４に対向させ、光ピックアップ基板１４の表面に半導体レーザ装置の金属フレーム１６の表面１６ｈを載置し、金属フレーム１６の裏面１６ｊを外側に向けて配置したものである。
また半導体レーザ装置１２における金属フレーム１６の外周は回転対偶の一方の回転対偶面である円周部１６ａを構成し、光ピックアップ基板１４には、他方の回転対偶面としてのガイド２８が形成されている。そして光ピックアップ基板１４にはそのガイド２８にはめ合わされた円周部１６ａを介して半導体レーザ装置１２が装着されている。
【００７８】
図６０はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例を示す光ピックアップ装置の断面図である。
図６０の変形例では、半導体レーザ装置１２の保護壁２２の外周が半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。
図６１はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６２は図６１の６２−６２断面における光ピックアップ装置の断面図である。なお図６１は冷却フィン８２を除いて記載している。以下の図６３、図６５、図６７においても同様である。
【００７９】
図６１および図６２の変形例は、保護壁２２の頂部端面に環状溝８８を設け、その側面により半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板１４の収納部８４の底面に環状突起５２を設け、その側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。
図６３はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６４は図６３の６４−６４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００８０】
図６３および図６４の変形例は、保護壁２２の頂部端面に環状突起９０を設け、その側面により半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板１４の収納部８４の底面に環状溝５６を設け、その側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。
図６５はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６６は図６５の６６−６６断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図６５および図６６の変形例は、金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈに環状溝９２を設け、その側面により半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板１４の表面に環状突起９４を設け、その側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。
【００８１】
図６７はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６８は図６７の６８−６８断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図６７および図６８の変形例は、金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈに円筒突起９６を設け、光ピックアップ基板１４表面には円筒突起９６とはめ合わされた環状溝５６が形成されている。金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈに設けられた４本の円筒突起９６の中心は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする一つの円上に配設されている。従って４本の円筒突起９４の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起９６の側面を回転対偶面の一方にしている。
一方、光ピックアップ基板１４の表面に配設された環状溝５６の側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。なおこの例では円筒突起９６の本数を４本としたが必ずしもこの数に限らない。
【００８２】
上述したようにこの実施の形態に係る光ピックアップ装置は、金属フレーム１６の側面、保護壁２２、または金属フレーム１６の搭載面１６ｈに半導体レーザ装置１２側の回転対偶面を構成するとともに、これに対応する回転対偶面を光ピックアップ基板１４側にも設けたので、実施の形態１と同様に、光ピックアップ基板１４側の光学系の光軸と半導体レーザ装置１２から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
【００８３】
さらに金属フレーム１６の面方向の基準面として高い表面精度で形成されている金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈが、やはり光ピックアップ基板１４の面方向の基準面として精度高く形成されている光ピックアップ基板１４の表面に載置されるので、金属フレーム１６の厚み公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ基板１４に対する垂直方向の、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの位置精度を高くすることができる。
【００８４】
また粉塵等のゴミに対して半導体レーザ装置１２が蓋をする構成となるので、ゴミが半導体レーザ素子１８に付着するのを低減することができる。
さらに、冷却フィン８２を金属フレーム１６の裏面１６ｊに搭載することにより半導体レーザ装置１２の放熱を効率よく行うことができる。
延いては、光学的特性がよく、信頼性の高い光ピックアップ装置を構成することができる。
なお、実施の形態１で述べた遮光防止機構および回転調整治具の挿入に用いる金属フレームに設けられたＵ字孔は他の実施の形態に適用しても同様の効果を奏する。
【００８５】
【発明の効果】
この発明に係る半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ装置は以上に説明したような構成を備えているので、以下のような効果を有する。
この発明に係る半導体レーザ装置においては、互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、基板の第一の主面上に配設され、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、半導体レーザ素子の出射端面の発光点を中心にこの半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿う方向に回転させる回転対偶の一方の回転対偶面とを備えるとともに基板の第一の主面に沿った光軸を有する光を出射するもので、半導体レーザ装置の回転対偶面を他方の回転対偶面に対応させることにより半導体レーザ素子が出射する光の光軸の角度ずれの調整を容易に行うことができる。延いては光軸調整の容易な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８６】
さらに、半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができ、出力効率の高い半導体レーザ装置を構成することができる。延いてはレーザ光の出力特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８７】
またさらに、基板の第一の主面に配設された凸部をさらに備えるとともにこの凸部の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができ、出力効率の高い半導体レーザ装置を構成することができる。延いてはレーザ光の出力特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８８】
さらに、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたもので、半導体レーザ装置の回転対偶面を回転しやすくする。このため他方の回転対偶面に対して、微小回転調整を容易にすることができ、延いては半導体レーザ装置の光軸調整を行い易い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８９】
さらに、基板が回転対偶面の一方を備えたもので、寸法精度の良い回転対偶面を有した半導体レーザ装置を構成することができる。延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９０】
さらに、基板側面により回転対偶面の一方を構成したもので、回転対偶面の構成が簡単で、寸法精度も良くなる。このため、チップの搭載位置の誤差が小さな半導体レーザ装置を構成できる。延いては光軸ずれの少ない光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９１】
またさらに、基板の第一の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。このため基板の厚みの公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ装置の基板に垂直な方向の光ピックアップ装置の光軸ずれを少なくでき、延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９２】
またさらに、基板の第二の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、第二の主面を放熱面として使用することができ、延いては冷却性能の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９３】
またさらに、壁部材が回転対偶面の一方を備えたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。このため基板の厚みの公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ装置の基板に垂直な方向の光ピックアップ装置の光軸ずれを少なくでき、延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９４】
さらに、壁部材側面により回転対偶面の一方を構成したもので、簡単な構成で回転対偶面を構成することができる。延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９５】
またさらに、壁部材頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することできて、回転対偶の嵌め合い精度を高く構成できる。延いては安価で光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９６】
またさらに、基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したもので、冷却性能を高めることができる。このため信頼性の高い半導体レーザ装置を構成でき、延いては、信頼性の高い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９７】
またさらに回転対偶部材の一方を基板の第二の主面上にさらに配設し、この回転対偶部材に回転対偶面の一方を配設したもので、簡単な構成で回転対偶部材を配設することができる。延いては安価で光軸調整の簡単な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９８】
さらに回転対偶部材の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、簡単な構成で回転対偶面を構成することができる。延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９９】
またさらに回転対偶部材の頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、回転対偶の嵌め合い精度を高く構成できる。延いては安価で光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１００】
さらに回転対偶部材を樹脂モールドで形成したもので回転対偶部材の製造を容易にする。このため安価な半導体レーザ装置を構成でき、延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１０１】
またさらに壁部材を樹脂モールドで形成したもので壁部材の製造を容易にする。このため安価な半導体レーザ装置を構成でき、延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１０２】
またさらに基板を金属で形成したもので、基板の厚みを薄くまた寸法精度を高めることができる。半導体レーザ装置の薄型化を図ることが出来るとともに、寸法精度の良い回転対偶面を形成することができる。延いては薄型で、光学特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１０３】
また、この発明に係る光ピックアップ装置は上述した半導体レーザ装置の一つと、この半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品と半導体レーザ装置の回転対偶面の一方に対応する他方の回転対偶面とを有する組み付け基板と、を備えたもので、半導体レーザ装置の出射した光ビームの光軸の角度調整が容易になり、組み付け基板に設けられた光学系の光軸との角度誤差の小さな光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させることができる。延いては光学調整が容易で光学特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２】 図１の２−２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
【図４】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
【図５】 この発明に係る回転誤差を調整する方法を示した模式図である。
【図６】 図５の６−６断面における断面図である。
【図７】 この発明に係る回転誤差を調整する際に発光点位置が移動しないことを説明した模式図である。
【図８】 半導体レーザ素子から出射される光ビームが拡散する様子を示した模式図である。
【図９】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１０】 図９の１０−１０断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１１】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１２】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１３】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１４】 図１３の１４−１４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１５】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１６】 図１５の１６−１６断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１７】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１８】 図１７の１８−１８断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１９】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図２０】 図１９の２０−２０断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図２１】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２２】 図２１の２２−２２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図２３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２４】 図２３の２４−２４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図２５】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２７】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２９】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３１】 図３０の３１−３１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３２】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図３３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図３４】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３５】 図３４の３５−３５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３７】 図３６の３７−３７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３９】 図３８の３９−３９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４１】 図４０の４１−４１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４２】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図４３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図４４】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４５】 図４４の４５−４５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４７】 図４６の４７−４７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４９】 図４８の４９−４９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５１】 図５０の５１−５１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５２】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５３】 図５２の５３−５３断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５４】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５５】 図５４の５５−５５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５７】 図５６の５７−５７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５９】 図５８の５９−５９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図６１】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６２】 図６１の６２−６２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６４】 図６３の６４−６４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６５】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６６】 図６５の６６−６６断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６７】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６８】 図６５の６６−６６断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６９】 従来の半導体レーザ装置である。
【図７０】 図６９の７０−７０断面における断面図である。
【図７１】 従来の光ピックアップ装置の部分平面図である。
【図７２】 従来の光軸の角度調整により発光点が移動することを説明する模式図である。
【図７３】 従来の半導体レーザ装置の平面図である。
【図７４】 図７３の７４−７４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図７５】 従来のミラーと半導体レーザ素子とを示す平面図である。
【図７６】 図７５の７６−７６断面の断面図である。
【図７７】 従来の光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【符号の説明】
１６ 金属フレーム、 １８ 半導体レーザ素子、 ２２ 保護壁、 １８ａ 発光点、 １６ａ 円周部、 １６ｃ 遮光防止溝、 １６ｅ 遮光防止突起、 １６ｂ Ｕ字孔、 ８２ 冷却フィン、 ７２ 樹脂摺動部、 １２ 半導体レーザ装置、 １４ 光ピックアップ基板。
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ装置に係り、特に半導体レーザ装置から出射される光ビームの光軸調整機構の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−Ｒ装置、ＣＤ−ＲＷ装置さらにはＤＶＤ装置などの光学式情報記録媒体を用いた情報機器はますます小型化、高密度化が求められてきている。これに対応して半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体に集光し、情報の書き込み・再生・消去を行う光ピックアップ装置は、光学式情報記録媒体への集光精度の向上や小型化への要求が強くなっている。
【０００３】
図６９は、例えば特開平６−７７６０４号公報に記載された従来の半導体レーザ装置である。図７０は図６９の７０−７０断面における断面図である。
図６９及び図７０において、２００は半導体レーザ装置、２０２は半導体レーザ素子、２０４はシリコン台座、２０６は金属フレーム、２０６ａは位置決め用の切り欠き溝、２０８は樹脂モールドの保護壁、２０８ａは保護壁上部、２０８ｂは保護壁下部、２１０はダイボンド材、２１２は電極リード、２１４はワイヤリードである。
【０００４】
図７１は、半導体レーザ装置２００を装着した従来の光ピックアップ装置の部分平面図である。
図７１において、２２０は光ピックアップ装置、２２２は半導体レーザ装置２００から出射された光ビームを光学式情報記録媒体に集光するための光学系を構成する光学部品（図示せず）を装着した組み付け部品、２２４は支持具で、半導体レーザ装置２００を組み付け部品２２２に取り付けるとともに半導体レーザ装置２００の金属フレーム２０６に設けられている位置決め用の切り欠き溝２０６ａに合わせて支持具２２４を取り付けることにより、組み付け部品２２２に対して半導体レーザ装置２００の位置決めを行っている。
【０００５】
２２６は調整ねじで、支持具２２４を組み付け部品２２２に取り付けるとともに左右の調整ねじ２２６の締め具合を調節することにより、半導体レーザ装置２００から出射された光ビームの光軸の角度調整を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この様な構造を有する光ピックアップ装置２２０においては、半導体レーザ装置２００の半導体レーザ素子２０２をダイボンドする際に、半導体レーザ素子２０２及びシリコン台座２０４はそれぞれシリコン台座２０４および金属フレーム２０６にダイボンドされるために、必然的に接着位置誤差が発生する。このために組み付け部品２２２の光学系の光軸と半導体レーザ装置２００から出射された光ビームの光軸との間に光軸ずれが発生する。
この光軸ずれが発生すると、例えば光学式情報記録媒体に書き込み動作を行う場合には、パワー不足となり特性が悪化し正確な書き込み動作が行われず動作不良を起こすことになる。光ピックアップ装置２２０にこの様な光学的な不具合が発生するのを防止するために、光ピックアップ装置２２０の光軸ずれ調整し一致させることが必要である。
【０００７】
従来の光ピックアップ装置２２０においては、半導体レーザ装置２００の金属フレーム２０６に設けられている位置決め用の切り欠き溝２０６ａに支持具２２４をはめ合わせて、組み付け部品２２２に対する半導体レーザ装置２００の位置決めを行っているが、支持具２２４は組み付け部品２２２と調整ねじ２２６で固定されるので、調整ねじ２２６に位置が定められているために、光ビームの光軸の水平ずれを吸収することが出来ず半導体レーザ素子２０２の光ビームの光軸と組み付け部品２２２の光学系の光軸との間で水平ずれが生じる。
【０００８】
また半導体レーザ装置２００から出射される光ビームの水平方向の角度ずれはジッターの悪化をもたらすので、出射光の光軸の要求精度は水平方向で例えば、±０．３度である。一方垂直方向の角度ずれはジッターに対して鈍感でありそれほど問題にならない。
従来の光ピックアップ装置２２０においては、この要求精度に対して、支持具２２４を組み付け部品２２２に固定する左右の調整ねじ２２６を適宜調整することにより、出射光の光軸の角度調整を行っていた。しかしながら調整ねじ２２６による回転調整により発光点の位置が平行移動することにもなり、それが水平方向のずれを発生させるので、この調整ねじ２２６を用いた調整機構は水平方向の位置ずれを吸収しにくい構造でもあり、純粋に角度調整を行うことがなかなか困難であった。
【０００９】
図７２は従来の光軸の角度調整により発光点が移動することを説明する模式図である。
図７２において、Ｃ0は部品２２２の光学系の光軸方向で、最初Ｏ点にあった半導体レーザ素子２０２の発光点の出射する光ビームの光軸がＣの方向にあり、これを調整ねじ２２６により、回転調整を行い光軸をＣ1の方に向けるとすると、往々にして半導体レーザ素子２０２の発光点がＯ1に移動してしまうことが生じ、発光点の位置移動無しに微小な角度調整を行うのが困難であった。
【００１０】
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもので、第１の目的は、半導体レーザ素子の出射光の光軸の角度ずれを容易に調整を行うことができる半導体レーザ装置を構成することであり、第２の目的は出射光の光軸の角度ずれを容易に調整を行うことができる光ピックアップ装置を提供することである。
なお、上述した光ピックアップ装置２２０のような半導体レーザ素子２０２の位置ずれや組み立て誤差に伴う出射光の光軸の角度ずれによる光ビーム光軸の角度調整を行う機構ではなく、トラッキング制御を行うための回転角度調整機構について、例えば特開平６−２０３４０３号公報に記載された従来例がある。
【００１１】
図７３は、もう一つの従来の半導体レーザ装置の平面図である。また図７４は図７３の７４−７４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図７３及び図７４において、図６９及び図７０と同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。以下の図面においても同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。
図７３及び図７４において、２３０は半導体レーザ装置、２３２はシリコン製のミラーで、半導体レーザ素子２０２から出射された光の光軸を直交する方向に反射させる。２３４はホログラムユニット、２３４ａはグレーティングパターン、２３４ｂはビームスプリット用ホログラムパターンである。図７３はホログラムユニット２３４を省いた図面である。
【００１２】
図７５は従来のミラーと半導体レーザ素子とを示す平面図、図７６は図７５の７６−７６断面におけるミラーと半導体レーザ素子の断面図である。Ｌは半導体レーザ素子２０２から出射された光がミラー２３２により９０度曲げられた光の光軸を示す。
保護壁上部２３４ａの外周は半導体レーザ素子２０２から出射された光がミラー２３２で直交方向に曲げられた光の光軸Ｌを中心とする円弧形状に形成されている。
【００１３】
図７７は半導体レーザ装置２３０を用いた従来の光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
図７７において、半導体レーザ装置２３０の保護壁上部２０８ａの円弧形状をした外周は組み付け部品２２２に設けられた円弧形状をしたガイド２３６とはめ合わされ、半導体レーザ素子２０２から出射された光がミラー２３２で直交方向に曲げられた光の光軸Ｌを中心まわりに半導体レーザ装置２３０が回転可能に装着され、光軸調整されて固定される。
【００１４】
光学系半導体レーザ装置２３０ではホログラムユニット２３４を介して出射した光は３ビーム法によるトラッキング制御を行うために、情報記録媒体のトラック方向に対して所定の角度回転させなければならない。そのため光学系半導体レーザ装置２３０の保護壁上部２０８ａを組み付け部品２２２に設けられた円弧形状をしたガイド２３６に沿って摺動させ、光軸Ｌ回りに回転させることにより調整している。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光ピックアップ装置は、互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、基板の第一の主面上に配設され、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、基板と同じ素材により形成されるとともに、壁部材により一部が固着され一部が壁部材に囲まれた内側と壁部材の外側とにおいて露呈し、壁部材の内側において半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿う方向に回転させかつ半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って基板の側面に配設された第一の摺動部と、半導体レーザ素子から出射され基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、第一の摺動部に対応し中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、壁部材の外側において露呈した電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、電極リードと組み付け基板とが第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたもので、半導体レーザ素子の出射した光ビームの光軸の角度調整が容易になり、組み付け基板に設けられた光学系の光軸との角度誤差の小さな光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させることができる。
【００１６】
さらに、半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができる。
【００１７】
またさらに、基板の第一の主面に配設された遮光防止突起をさらに備えるとともにこの遮光防止突起の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができる。
【００１８】
さらに、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたもので、半導体レーザ装置の半導体レーザ装置の回転対偶面を回転しやすくする。
【００１９】
さらに、基板が第一の摺動部を備えたもので、寸法精度の良い摺動部を構成することができる。
【００２０】
さらに、第一の摺動部が基板側面に構成されたもので、摺動部の構成が簡単で、寸法精度も良くなる。
【００２１】
またさらに、基板の第一の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部が構成されたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。
【００２２】
またさらに、基板の第二の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部が構成されたもので、第二の主面を放熱面として使用することができる。
【００２３】
またさらに、壁部材が第一の摺動部を備えたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。
【００２４】
さらに、壁部材側面により第一の摺動部を構成したもので、簡単な構成で摺動部を構成することができる。
【００２５】
またさらに、壁部材頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、摺動部の嵌め合い精度を高く構成できる。
【００２６】
またさらに、基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したもので、冷却性能を高めることができる。
【００２７】
またさらに摺動部材を基板の第二の主面上にさらに配設し、この摺動部材に第一の摺動部を配設したもので、簡単な構成で摺動部材を配設することができる。
【００２８】
さらに摺動部材の側面によ第一の摺動部を構成したもので簡単な構成で摺動部を構成することができる。
【００２９】
またさらに摺動部材の頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により第一の摺動部を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、摺動部の嵌め合い精度を高く構成できる。
【００３０】
さらに摺動部材を樹脂モールドで形成したもので摺動部材の製造を容易にする。
【００３１】
またさらに壁部材を樹脂モールドで形成したもので壁部材の製造を容易にする。
【００３２】
またさらに基板を金属で形成したもので、基板の厚みを薄くまた寸法精度を高めることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
この実施の形態に係る半導体レーザ装置は、基板の主面上にこの主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子を配設し、この半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材を基板の第一の主面上に配設し、半導体レーザ素子の出射端面の発光点を中心に、この半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿って回転させる回転対偶の一方の回転対偶面を備えるとともに基板の第一の主面に沿った光軸を有する光を出射するものである。
【００３５】
またこの実施の形態に係る光ピックアップ装置は、上述した半導体レーザ装置を、この半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品と半導体レーザ装置の回転対偶面に対応する他方の回転対偶面とを有する組み付け基板に組み立てたものである。
この光ピックアップ装置は、ＣＤ−Ｒ装置、ＣＤ−Ｒ／Ｗ装置、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）装置などの光学式情報記録媒体を使用した記録再生装置の、書き込み・再生・消去などに用いられるものである。
【００３６】
実施の形態１．
図１はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図２は図１の２−２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図１及び図２において、１０は光ピックアップ装置、１２は半導体レーザ装置、１４は組み込み付け基板としての光ピックアップ基板で、例えばマグネシウム合金板により形成されている。
１６は半導体レーザ装置１２の基板としての金属フレームで、例えば銅ニッケル合金板にＡｕメッキを行ったもので、厚みは０．１から０．５ｍｍ程度である。１８は金属フレーム１６の表面上に接着剤２０によりダイボンドされた半導体レーザ素子である。１８ａは半導体レーザ素子１８の光ビームの出射端面の発光点である。
【００３７】
なお、出射端面の発光点１８ａは主光束の発光点であり、半導体レーザ素子１８の後方の端面からはモニター光（記載せず）が出射されており、場合によっては受光素子で受光して半導体レーザ素子１８の発光を制御することもある。以下出射光は主光束として説明する。金属フレーム１６の外周の一部は、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの両側において、発光点１８ａの設定位置を中心点とした円弧の一部になるように形成されている。この円周部１６ａは回転対偶の一方の回転対偶面を構成している。
【００３８】
１６ｂは発光点１８ａを中心に半導体レーザ装置１２を回転させるために、治具を挿入する第二の切り欠き部としてのＵ字孔である。なお以下に記載する実施の形態１の変形例である図３０〜図３３、図３８、および図３９、さらに実施の形態２の図４０〜図５７、実施の形態３の変形例である図６１〜図６８においてはＵ字孔１６ｂは省略して画かれているが、半導体レーザ装置を回転させるためのＵ字孔１６ｂまたは相当の機能を備えている。
１６ｃは円周部１６ａやＵ字孔１６ｂが形成されていない外周である金属フレーム１６の前縁１６ｄに形成された、金属フレーム１６の厚み方向に沿った第一の切り欠き部としての遮光防止溝である。そしてこの遮光防止溝１６ｃの底辺に半導体レーザ素子１８の出射端面が隣接するように半導体レーザ素子１８がダイボンドされている。この遮光防止溝１６ｃの溝幅は発光点１８ａから出射されるレーザビームの拡散光が金属フレーム１６の前縁１６ｄによって遮光されないための開口幅を有している。
【００３９】
２２は半導体レーザ素子１８の壁部材としての保護壁で、半導体レーザ素子１８の出射端面側を除いて半導体レーザ素子１８を取り囲んでいる。これは樹脂モールドにより形成される。２４は電極リードで保護壁２２の樹脂モールドで固定されている。２６は半導体レーザ素子１８と電極リード２４を結ぶリードワイヤである。
【００４０】
光ピックアップ基板１４には、半導体レーザ装置１２から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品（図示せず）が配設されている。また光ピックアップ基板１４には、半導体レーザ装置１２の円周部１６ａに対応した、他方の回転対偶面としてのガイド２８が形成されている。このガイド２８の中心位置は光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸と重なるように選定されている。そして光ピックアップ基板１４にはそのガイド２８にはめ合わされた円周部１６ａを介して半導体レーザ装置１２が装着されている。
３０は接着材で、半導体レーザ装置１２の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸とを合わせるように調整した後、接着材３０により、半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とが固着される。
【００４１】
次に光ピックアップ装置１０の概略の製造方法について説明する。
まず半導体レーザ装置１２を製造する。
図３はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
図３において、金属フレーム１６がリードフレーム３２に吊りリード３４で接続された状態で形成される。リードフレーム３２に金属フレーム１６を形成する製造方法は金型によるパンチングで、これにより精度良く形成することができる。またパンチングの他にエッチングで加工しても良い。
吊りリード３４は金属フレーム１６のＵ字孔１６ｂの底部を接続箇所として金属フレーム１６と接続されている。このリードフレーム３２には電極リード２４も形成されている。
【００４２】
次に樹脂モールドにより保護壁２２が形成され、このとき保護壁２２に電極リード２４が固定される。
次いで、半導体レーザ素子１８が金属フレーム１６上にダイボンドされる。
図３における金属フレーム１６の円周部１６ａの点線で囲った箇所３６がダイボンド装置の画像認識ポイントである。金属フレーム１６の外形は精度良く形成することができるので、ダイボンド装置の画像認識ポイントとして使用すると半導体レーザ素子１８を搭載したときの位置精度が高くなる。
円周部１６ａに設けられた３箇所の画像認識ポイント３６から円弧の中心点を選定し、この中心点に半導体レーザ素子１８の出射端面における発光点１８ａを重ねて半導体レーザ素子１８がダイボンドされる。この方法により半導体レーザ素子１８の出射端面における発光点１８ａが容易に円周部１６ａの中心点に重なるようにダイボンドすることができる。
【００４３】
図４はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
図３においては３点を画像認識ポイントとしたが、図４に示すように、３点以上の画像認識ポイントを使用しても良い。
次いで電極リード２４と半導体レーザ素子１８とがリードワイヤ２６により接続され、この後吊りリード３４および電極リード２４が切断され、半導体レーザ装置１２がリードフレーム３２から分離される。
次に、半導体レーザ装置１２の円周部１６ａが光ピックアップ基板１４のガイド２８に装着される。このとき図３及び図４でしめした画像認識ポイントの箇所３６を基準点として用いることにより、精度良く実行される。
【００４４】
次いで、半導体レーザ装置１２の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸とを合わせる。これには半導体レーザ装置１２を光ピックアップ基板１４のガイド２８に沿って回転させ、半導体レーザ素子１８のダイボンドの際や組み立ての際に生じた回転誤差を調整することにより行う。
図５はこの発明に係る回転誤差を調整する方法を示した模式図である。図６は図５の６−６断面における断面図である。また図７はこの発明に係る回転誤差を調整する際に発光点位置が移動しないことを説明した模式図である。
図５および図６において、３８は回転調整治具である。図７において、４０は拡散するレーザ光で、Ｌは出射光の光軸、Ｃは光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸の方向、また光軸Ｌの矢印はレーザ光の出射方向を示す。
回転調整治具３８は半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６に設けられたＵ字孔１６ｂに挿入され、微小回転調整を行い、半導体レーザ装置１２の出射する光ビームの光軸を光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸とを合わせる。
【００４５】
図７に示したように、半導体レーザ装置１２における金属フレーム１６の円周部１６ａの中心点に半導体レーザ素子１８の発光点１８ａが重なっており、この円周部１６ａが光ピックアップ基板１４に設けられたガイド２８に沿って回転するので、光ピックアップ基板１４に設けられた光学系の光軸Ｃと半導体レーザ素子１８から出射される光ビームの光軸Ｌとの角度のずれを調整する際に、発光点１８ａの平行移動は少なくなる。このため光軸相互の角度のずれ調整が簡単になる。
この後半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを接着剤３０で固着し、光ピックアップ装置１０として完成する。
【００４６】
次に金属フレーム１６の前縁１６ｄによるレーザ光４０の遮光を防止する構成について説明する。図８は半導体レーザ素子から出射される光ビームが拡散する様子を示した模式図である。半導体レーザ素子１８の発光点１８ａは金属フレーム１６の円周部１６ａを構成する円弧の中心にあるので、発光点１８ａの両側に、発光点１８ａよりも前方または後方に金属フレーム１６の実質部分を有していないと、光ピックアップ基板１４に設けられたガイド２８に沿って拘束された回転運動を行うことが出来ない。
【００４７】
半導体レーザ素子１８の後方は、半導体レーザ素子１８を搭載するので金属フレーム１６の実質部分を設けやすいが、半導体レーザ素子１８の前方、すなわち半導体レーザ素子１８の出射端面の発光点１８ａの前方に金属フレーム１６の前縁１６ｄを設け、金属フレーム１６の実質部分を設けなければならない。
ところが図８に示したように、半導体レーザ素子１８から出射されるレーザ光４０は断面が縦長の楕円形状をした光束である。このため場合によっては、金属フレーム１６の前縁１６ｄによってレーザ光４０の光束の一部が遮光されるという場合が発生しかねない。これを防止するための機構の一つが遮光防止溝１６ｃである。
【００４８】
図９はこの発明の一実施の形態に係る遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１０は図９の１０−１０断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図９および図１０における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから切り込まれた平面Ｖ字状をしている。このＶ字の開き角度がレーザ光４０の拡散角度より広く形成されている。
図１１および図１２は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
図１１における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから切り込まれた平面Ｕ字状をしている。このＵ字状の開口幅がレーザ光４０の拡散幅より広く形成されている。
【００４９】
図１２における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄからくぼんだ平面凹状をしている。この凹状の開口幅がレーザ光４０の拡散幅より広く形成されている。
図１３は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１４は図１３の１４−１４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図１３および図１４における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから金属フレーム１６の厚さ方向の一部が平面凹状に窪んだ形状をしている。この凹状の開口幅および深さがレーザ光４０の拡散幅より広くまた深く形成されている。
【００５０】
図１５は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１６は図１５の１６−１６断面における半導体レーザ装置の断面図である。
図１５および図１６における遮光防止溝１６ｃは金属フレーム１６の前縁１６ｄから金属フレーム１６の厚さ方向の一部が平面Ｖ状に窪んだ形状をしている。このＶ字状の開口幅および深さがレーザ光４０の拡散幅より広くまた深く形成されている。
図１７は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図１８は図１７の１８−１８断面の断面図である。
図１７および図１８の遮光防止機構は溝形状ではなく、凸部としての遮光防止突起１６ｅで切頭四角錐形状をしており、遮光防止突起１６ｅの頂部の一稜線に沿って、頂部平面上に半導体レーザ素子１８がダイボンドされている。
【００５１】
図１９は遮光防止機構の一変形例を示すこの実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図、図２０は図１９の２０−２０断面の断面図である。
図１９および図２０の遮光防止突起１６ｅは金属フレーム１６の前縁１６ｄに沿って延在した台形状をしており、遮光防止突起１６ｅの頂部の一稜線に沿って、頂部平面上に半導体レーザ素子１８がダイボンドされている。
図２１は半導体レーザ装置の固定方法の変形例を示すこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図２２は図２１の２２−２２断面の断面図である。
図１においては半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを接着剤で固着しているが、図２１および図２２においては半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６に設けられたＵ字孔１６ｂを利用し固定ねじ１６ｆを用いて半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを固定している。
【００５２】
次に、光ピックアップ装置１０における、半導体レーザ装置１２側の回転対偶面と光ピックアップ基板１４側の回転対偶面の変形例について説明する。
図２３はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一変形例を示す光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図２４は図２３の２４−２４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図２３の回転対偶は、金属フレーム１６側の円周面１６ａは半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円弧で形成され、光ピックアップ基板１４側の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円周と側面を接した３本の円筒形のピン４２により構成されている。ここではピン４２を３本としたが必ずしも３本に限らなくてよい。
【００５３】
図２５ないし２９は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
図２５の回転対偶は、金属フレーム１６側の図２３の変形例と同様の円周面１６ａで構成され、光ピックアップ基板１４側の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円周と側面を接する３箇所の断面円弧状の円筒突起４４で構成されている。ここでは円筒突起４４を３箇所としたが必ずしも３箇所に限らなくてよい。
図２６の回転対偶は、光ピックアップ基板１４側の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円弧状のガイド２８であるが、金属フレーム１６側の回転対偶面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円周上に４箇所形成された金属フレーム１６の尖点４６で構成されている。
【００５４】
図２７では、金属フレーム１６側の回転対偶面を構成する尖点４６がさらに多数箇所形成された例である。
図２８は図２６の変形例に近い例であるが、図２６では平面Ｖ状に窪んだ形状の遮光防止溝１６ｃを有しているに対して、図２８の変形例は金属フレーム１６側の回転対偶面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円周上に４箇所形成された金属フレーム１６の尖点４６で構成されている点は同じであるが、金属フレーム１６の前縁１６ｄを発光点１８ａの設定位置に近接させて遮光防止溝１６ｃを無くし、前縁１６ｄを発光点１８ａ上を通る半径線に平行な弦としたものである。金属フレーム１６の光軸方向の幅を短くすることにより、リードフレーム３２からとれる金属フレーム１６の数を多くすることができて、半導体レーザ装置１０を安価に構成することができる。
【００５５】
図２９の変形例は、金属フレーム１６の前縁１６ｄを発光点１８ａの設定位置に近接させて遮光防止溝１６ｃを無くし、前縁１６ｄを発光点１８ａ上を通る半径線に平行な弦とした点は、図２８の変形例と同じであるが、保護壁２２を前縁１６ｄより突出させるとともに金属フレーム１６上に半導体レーザ素子１８のモニター光を受光するための受光素子を兼ねたシリコン等の台座４８を設けこの上に半導体レーザ素子１８をダイボンドしたものである。
この構成では、シリコン等の台座４８を絶縁体、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などに変えることにより、台座４８のチップ搭載面と金属フレーム１６とを電気的に分離できるので、半導体レーザ素子１８のカソードと接地端とを分離することが出来て、周波数応答性を良くすることができる。
【００５６】
以上は、回転対偶面を金属フレーム１６の外周に配設したものであるが、以下の変形例は、金属フレーム１６の下面側に凹部または凸部を設けこの凹部または凸部の側面に回転対偶面を構成したものである。
図３０は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３１は図３０の３１−３１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図３０および図３１において、５０は金属フレーム１６下面に設けられた環状溝、５２は光ピックアップ基板１４表面に設けられた環状突起である。
環状溝５０の側面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、環状突起５２の側面は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。この環状溝５０および環状突起５２それぞれの側面を回転対偶面として回転対偶が形成されている。環状溝５０や環状突起５２は金属フレーム１６や光ピックアップ基板１４をパンチングする際に形成されるが、エッチングまたは切削で形成してもよい。
【００５７】
図３２および図３３は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
図３２の半導体レーザ装置１２に用いられている金属フレーム１６の環状溝５０は、図３１の環状溝５０の回転対偶面と形状は同じであるが、パンチングで形成されたもので、金属フレーム１６の上表面側にパンチングによる突起が形成されている。図３２の光ピックアップ装置の平面形状は図３０と同様になる。
図３３において、５４は金属フレーム１６下面に設けられた環状突起、５６は光ピックアップ基板１４表面に設けられた環状溝である。
図３３の光ピックアップ装置では、図３０および図３１の光ピックアップ装置における環状突起と環状溝の構成を交換したものである。
【００５８】
図３４は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３５は図３４の３５−３５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図３４および図３５において、５８は金属フレーム１６下面に設けられた円筒孔、６０は光ピックアップ基板１４表面に設けられた円筒突起である。
円筒孔５８は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とし、円筒突起６０は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置いている。この円筒孔５８および円筒突起６０それぞれの側面を回転対偶面として回転対偶が形成されている。
【００５９】
図３６は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３７は図３６の３７−３７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図３６および図３７において、１６ｆは上部金属フレーム、１６ｇは下部金属フレームである。上部金属フレーム１６ｆと下部金属フレーム１６ｇとは、例えば溶接による張り合わせ構造になっている。回転対偶を構成する回転対偶面は図３４および図３５の変形例の構成と同じである。
図３８は光ピックアップ装置の回転対偶の一変形例を備えたこの実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図、図３９は図３８の３９−３９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００６０】
図３８および図３９において、６２は金属フレーム１６下面に設けられた円筒突起である。光ピックアップ基板１４表面には円筒突起６２とはめ合わされた環状溝５６が形成されている。
金属フレーム１６下面に設けられた４本の円筒突起６２の中心は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする一つの円上に選定されている。従って４本の円筒突起６２の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起６２の側面を回転対偶面の一方にしている。他方の回転対偶面は環状溝５６の側面で、円筒突起６２とはめ合わされている。この円筒突起６２はパンチングによって形成することができる。なおこの例では円筒突起６２の本数を４本としたが必ずしもこの数に限らない。
【００６１】
上述した実施の形態１に係る光ピックアップ装置１０では、半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６に回転対偶面の一方を構成し、この回転対偶面の回転中心に半導体レーザ素子１８の発光点１８ａを選定して半導体レーザ素子１８がダイボンドされ、一方光ピックアップ基板１４は光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸と重なるように選定された中心点を有するもう一方の回転対偶面を備えている。そして両者の回転対偶面を介して半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とがはめ合わされている。このため実施の形態１に係る光ピックアップ装置１０では、光ピックアップ基板１４側の光学系の光軸と半導体レーザ装置１２から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
【００６２】
また、半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６はパンチングにより精度良く形成できるので、金属フレーム１６の回転対偶面も精度良く形成できる。このため半導体レーザ素子１８の発光点１８ａと光ピックアップ基板１４のガイド２８を構成する円弧の中心点との間の位置的な誤差が小さくなり、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置のずれを小さくすることができる。
【００６３】
また、金属フレーム１６の底面と光ピックアップ基板１４の表面とは直接に接触するので、放熱性がよく半導体レーザ装置１２の光出力特性を安定に保つことができ、寿命も長くすることができる。延いては信頼性の高い光ピックアップ装置を提供することができる。
【００６４】
さらに半導体レーザ装置１２の金属フレーム１６の外周に円周部１６ａを設けた場合には、一次加工で金属フレーム１６の円周部１６ａを形成することができるから、さらに精度良く形成できる。このため金属フレーム１６上への半導体レーザ素子１８のダイボンドは、この外周をダイボンド装置の画像認識ポイントとして使用することにより半導体レーザ素子１８を高い位置精度でダイボンドすることができる。従って半導体レーザ素子１８の発光点１８ａと光ピックアップ基板１４のガイド２８の円弧中心点との間の位置的な誤差がより小さくなり、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置ずれを小さくすることができる。延いては光学的特性が良く信頼性の高い光ピックアップ装置を安価に構成することができる。
【００６５】
実施の形態２．
図４０はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図４１は図４０の４１−４１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図４０及び図４１において、７０は光ピックアップ装置、７２は回転対偶部材としての樹脂摺動部である。
光ピックアップ装置７０は金属フレーム１６の下面に形成された樹脂摺動部７２を備えている。この実施の形態の樹脂摺動部７２は環状突起で、樹脂摺動部７２の側面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。
樹脂摺動部７２は樹脂モールドで形成され、保護壁２２と一体的に形成される場合が多く加工コストが安くなるので、安価な光ピックアップ装置７０を提供することができる。
【００６６】
樹脂摺動部７２とはめ合わされるもう一方の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４に形成された環状溝５６で、この環状溝５６の側面は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。
図４２および図４３はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の断面図である。
図４２の変形例では、半導体レーザ装置１２の樹脂摺動部７２は図４１の場合と同じであるが、光ピックアップ基板１４に形成された環状溝５６の幅を広くすることにより、樹脂摺動部７２の外側側面７２ａと光ピックアップ基板１４に形成された環状溝５６の外側の溝側面とを回転対偶面としたものである。
図４３の変形例では、半導体レーザ装置１２の樹脂摺動部７２は図４１の場合と同じであるが、光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面を有する円筒突起７４を光ピックアップ基板１４表面に形成し、円筒突起７４の側面と樹脂摺動部７２の内側側面７２ａとを回転対偶面としたものである。
【００６７】
図４４はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図４５は図４４の４５−４５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図４４および図４５の変形例においては、樹脂摺動部７２が円筒突起で、樹脂摺動部７２は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。
光ピックアップ基板１４側には光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒孔７６が設けられ、この円筒孔７６の側面が回転対偶面となっている。
【００６８】
図４６はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図４７は図４６の４７−４７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図４６および図４７の変形例は、図４４および図４５の変形例と同様に樹脂摺動部７２が円筒突起で、光ピックアップ基板１４側に円筒孔７６が設けられ、この円筒孔７６の側面が回転対偶面となっている。
ただ、樹脂摺動部７２の円筒突起の厚みが樹脂摺動部７２の一部となり、浅くなるとともに、円筒突起の外周円筒の半径が大きくなっている。
図４８はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図４９は図４８の４９−４９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００６９】
図４８および図４９の変形例は、図４０及び図４１の構成と同じように樹脂摺動部７２は環状突起で、光ピックアップ基板１４側も環状溝５６であるが、環状突起が樹脂摺動部７２の厚みの一部となって、回転対偶面が浅くなっている。
図５０はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５１は図５０の５１−５１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００７０】
図５０および図５１の変形例は、樹脂摺動部７２を４本の円筒突起としたものである。光ピックアップ基板１４表面には円筒突起とはめ合わされた環状溝５６が形成されている。
４本の円筒突起の中心は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする一つの円上に選定されている。従って４本の円筒突起の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起の側面を回転対偶面の一方にしている。他方の回転対偶面は環状溝５６の側面で、この側面を介して円筒突起形状の樹脂摺動部７２がはめ合わされている。
なおこの例では円筒突起の本数を４本としたが必ずしもこの数に限らない。
【００７１】
図５２はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５３は図５２の５３−５３断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５２および図５３の変形例は、図４３の構成と近い構成であり、樹脂摺動部７２の内側側面が半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする内円筒面の一部で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。内側側面の内円筒面が形成された厚さは樹脂摺動部７２の厚さの一部であり、従って図４４に示された構成と比べて、回転対偶面が浅くなっている。光ピックアップ基板１４表面の回転対偶面は図４３の構成と同じである。
【００７２】
図５４はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５５は図５４の５５−５５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５４および図５５の変形例は、図４８および図４９の構成における溝と突起を交換した構成であり、樹脂摺動部７２は環状溝で、樹脂摺動部７２の側面は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする円筒面で形成され、この側面７２ａが回転対偶面となっている。
樹脂摺動部７２とはめ合わされるもう一方の回転対偶面は、光ピックアップ基板１４に形成された環状突起５２で、この環状突起５２の側面は光ピックアップ基板１４の光学系の光軸と重なる一点に中心を置く円筒面で構成されている。
また、この変形例は樹脂摺動部７２の環状溝の深さは樹脂摺動部７２の厚さに一部となっていて、回転対偶面が浅くなっている。
【００７３】
図５６はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図５７は図５６の５７−５７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５６および図５７の変形例は、図５２および図５３の構成と近い構成であり、図５２および図５３の構成に比べて樹脂摺動部７２の内側側面を構成する内円筒の半径を小さくし、全円筒面を回転対偶面としたものである。
上述したこの実施の形態に係る光ピックアップ装置においては、金属フレーム１６の下面に樹脂摺動部７２を設け、この樹脂摺動部７２の側面や、樹脂摺動部７２の端面に設けた凹部または凸部の側面を回転対偶面とし、この回転対偶面に対応する回転対偶面を光ピックアップ基板１４に形成し、これらの回転対偶面を介して半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とをはめ合わせ光ピックアップ装置として構成したものである。
【００７４】
従って実施の形態１と同様に、光ピックアップ基板１４側の光学系の光軸と半導体レーザ装置１２から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
さらに、保護壁２２と樹脂摺動部７２とを一体構成で製造することが出来て、回転対偶面を構成するため製造コストが安価になる。
また、樹脂摺動部７２を環状突起や円筒突起にする場合、例えば図４０〜図４３、図４４、図４８，図５０などの場合には、樹脂の硬化収縮が小さく、相手の回転対偶面との遊隙がすくなくなり、このため半導体レーザ素子１８の発光点１８ａと光ピックアップ基板１４のガイド２８が構成する円弧の中心点との間の位置的な誤差が小さくなり、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａから出射されるレーザ光の光軸と光ピックアップ基板１４に装着された光学系の光軸との角度ずれや平行位置のずれを小さくすることができる。
【００７５】
また樹脂摺動部７２の端面に凹部を形成する場合には、凹部の上面を梨地に、凹部底面を平滑面にすることにより、画像認識ターゲットとして使用でき半導体レーザ素子１８のダイボンドを精度良く行うことができる。
また樹脂摺動部７２の端面に凹部または凸部を形成する場合、例えば図４８、図５０、図５２、図５４、図５６などの場合には、熱可塑性の樹脂を使用することにより位置決め調整後一時的に加熱し、再溶融させて半導体レーザ装置１２と光ピックアップ基板１４とを固着させることにより、接着材無しに簡単に固定することができ、製造工程を簡単化し安価にすることができる。
延いては、光学的特性がよい光ピックアップ装置を安価に構成することができる。
【００７６】
実施の形態３．
図５８はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。図５９は図５８の５９−５９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図５８および図５９において、８０は光ピックアップ装置、１６ｈは基板の第１の主面としての金属フレーム１６のチップ搭載面である。１６ｊは基板の第２の主面としての金属フレーム１６の裏面である。８２は冷却フィンで、金属フレーム１６の裏面１６ｊに接着されている。８４は保護壁２２および半導体レーザ素子１８を収納する収納部、８６はレーザ光４０を収納部８４から放射するための開口部である。開口部８６は主光束側とこの主光束と反対側のモニター光側にも形成される。
【００７７】
この光ピックアップ装置８０は金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈを光ピックアップ基板１４に対向させ、光ピックアップ基板１４の表面に半導体レーザ装置の金属フレーム１６の表面１６ｈを載置し、金属フレーム１６の裏面１６ｊを外側に向けて配置したものである。
また半導体レーザ装置１２における金属フレーム１６の外周は回転対偶の一方の回転対偶面である円周部１６ａを構成し、光ピックアップ基板１４には、他方の回転対偶面としてのガイド２８が形成されている。そして光ピックアップ基板１４にはそのガイド２８にはめ合わされた円周部１６ａを介して半導体レーザ装置１２が装着されている。
【００７８】
図６０はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例を示す光ピックアップ装置の断面図である。
図６０の変形例では、半導体レーザ装置１２の保護壁２２の外周が半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。
図６１はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６２は図６１の６２−６２断面における光ピックアップ装置の断面図である。なお図６１は冷却フィン８２を除いて記載している。以下の図６３、図６５、図６７においても同様である。
【００７９】
図６１および図６２の変形例は、保護壁２２の頂部端面に環状溝８８を設け、その側面により半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板１４の収納部８４の底面に環状突起５２を設け、その側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。
図６３はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６４は図６３の６４−６４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【００８０】
図６３および図６４の変形例は、保護壁２２の頂部端面に環状突起９０を設け、その側面により半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板１４の収納部８４の底面に環状溝５６を設け、その側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。
図６５はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６６は図６５の６６−６６断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図６５および図６６の変形例は、金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈに環状溝９２を設け、その側面により半導体レーザ装置１２の回転対偶面を構成している。そして光ピックアップ基板１４の表面に環状突起９４を設け、その側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。
【００８１】
図６７はこの発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の変形例の一部透過平面図、図６８は図６７の６８−６８断面における光ピックアップ装置の断面図である。
図６７および図６８の変形例は、金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈに円筒突起９６を設け、光ピックアップ基板１４表面には円筒突起９６とはめ合わされた環状溝５６が形成されている。金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈに設けられた４本の円筒突起９６の中心は半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの設定位置を中心点とする一つの円上に配設されている。従って４本の円筒突起９４の側面と接する共通接触円筒面は二つあり、この共通接触円筒面と接する円筒突起９６の側面を回転対偶面の一方にしている。
一方、光ピックアップ基板１４の表面に配設された環状溝５６の側面により光ピックアップ基板１４側の回転対偶面を構成している。なおこの例では円筒突起９６の本数を４本としたが必ずしもこの数に限らない。
【００８２】
上述したようにこの実施の形態に係る光ピックアップ装置は、金属フレーム１６の側面、保護壁２２、または金属フレーム１６の搭載面１６ｈに半導体レーザ装置１２側の回転対偶面を構成するとともに、これに対応する回転対偶面を光ピックアップ基板１４側にも設けたので、実施の形態１と同様に、光ピックアップ基板１４側の光学系の光軸と半導体レーザ装置１２から出射されるレーザ光の光軸との角度ずれの調整を簡単に行うことができる。
【００８３】
さらに金属フレーム１６の面方向の基準面として高い表面精度で形成されている金属フレーム１６のチップ搭載面１６ｈが、やはり光ピックアップ基板１４の面方向の基準面として精度高く形成されている光ピックアップ基板１４の表面に載置されるので、金属フレーム１６の厚み公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ基板１４に対する垂直方向の、半導体レーザ素子１８の発光点１８ａの位置精度を高くすることができる。
【００８４】
また粉塵等のゴミに対して半導体レーザ装置１２が蓋をする構成となるので、ゴミが半導体レーザ素子１８に付着するのを低減することができる。
さらに、冷却フィン８２を金属フレーム１６の裏面１６ｊに搭載することにより半導体レーザ装置１２の放熱を効率よく行うことができる。
延いては、光学的特性がよく、信頼性の高い光ピックアップ装置を構成することができる。
なお、実施の形態１で述べた遮光防止機構および回転調整治具の挿入に用いる金属フレームに設けられたＵ字孔は他の実施の形態に適用しても同様の効果を奏する。
【００８５】
【発明の効果】
この発明に係る半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ装置は以上に説明したような構成を備えているので、以下のような効果を有する。
この発明に係る半導体レーザ装置においては、互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、基板の第一の主面上に配設され、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、半導体レーザ素子の出射端面の発光点を中心にこの半導体レーザ素子が出射する光の光軸を基板の主面に沿う方向に回転させる回転対偶の一方の回転対偶面とを備えるとともに基板の第一の主面に沿った光軸を有する光を出射するもので、半導体レーザ装置の回転対偶面を他方の回転対偶面に対応させることにより半導体レーザ素子が出射する光の光軸の角度ずれの調整を容易に行うことができる。延いては光軸調整の容易な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８６】
さらに、半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができ、出力効率の高い半導体レーザ装置を構成することができる。延いてはレーザ光の出力特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８７】
またさらに、基板の第一の主面に配設された凸部をさらに備えるとともにこの凸部の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたもので、半導体レーザ素子の出射光の基板による遮光を防止することができ、出力効率の高い半導体レーザ装置を構成することができる。延いてはレーザ光の出力特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８８】
さらに、半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたもので、半導体レーザ装置の回転対偶面を回転しやすくする。このため他方の回転対偶面に対して、微小回転調整を容易にすることができ、延いては半導体レーザ装置の光軸調整を行い易い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００８９】
さらに、基板が回転対偶面の一方を備えたもので、寸法精度の良い回転対偶面を有した半導体レーザ装置を構成することができる。延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９０】
さらに、基板側面により回転対偶面の一方を構成したもので、回転対偶面の構成が簡単で、寸法精度も良くなる。このため、チップの搭載位置の誤差が小さな半導体レーザ装置を構成できる。延いては光軸ずれの少ない光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９１】
またさらに、基板の第一の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。このため基板の厚みの公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ装置の基板に垂直な方向の光ピックアップ装置の光軸ずれを少なくでき、延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９２】
またさらに、基板の第二の主面に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、第二の主面を放熱面として使用することができ、延いては冷却性能の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９３】
またさらに、壁部材が回転対偶面の一方を備えたもので、光ピックアップ装置を構成するとき、基板の第一の主面を基板に垂直な方向の基準面とすることができる。このため基板の厚みの公差を考慮する必要が無く、光ピックアップ装置の基板に垂直な方向の光ピックアップ装置の光軸ずれを少なくでき、延いては光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９４】
さらに、壁部材側面により回転対偶面の一方を構成したもので、簡単な構成で回転対偶面を構成することができる。延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９５】
またさらに、壁部材頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することできて、回転対偶の嵌め合い精度を高く構成できる。延いては安価で光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９６】
またさらに、基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したもので、冷却性能を高めることができる。このため信頼性の高い半導体レーザ装置を構成でき、延いては、信頼性の高い光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９７】
またさらに回転対偶部材の一方を基板の第二の主面上にさらに配設し、この回転対偶部材に回転対偶面の一方を配設したもので、簡単な構成で回転対偶部材を配設することができる。延いては安価で光軸調整の簡単な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９８】
さらに回転対偶部材の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、簡単な構成で回転対偶面を構成することができる。延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【００９９】
またさらに回転対偶部材の頂部に凸部または凹部を設け、この凸部または凹部の側面により回転対偶面の一方を構成したもので、凸部または凹部の寸法精度を高く形成することができて、回転対偶の嵌め合い精度を高く構成できる。延いては安価で光学特性の良い光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１００】
さらに回転対偶部材を樹脂モールドで形成したもので回転対偶部材の製造を容易にする。このため安価な半導体レーザ装置を構成でき、延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１０１】
またさらに壁部材を樹脂モールドで形成したもので壁部材の製造を容易にする。このため安価な半導体レーザ装置を構成でき、延いては安価な光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１０２】
またさらに基板を金属で形成したもので、基板の厚みを薄くまた寸法精度を高めることができる。半導体レーザ装置の薄型化を図ることが出来るとともに、寸法精度の良い回転対偶面を形成することができる。延いては薄型で、光学特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【０１０３】
また、この発明に係る光ピックアップ装置は上述した半導体レーザ装置の一つと、この半導体レーザ装置から出射された光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品と半導体レーザ装置の回転対偶面の一方に対応する他方の回転対偶面とを有する組み付け基板と、を備えたもので、半導体レーザ装置の出射した光ビームの光軸の角度調整が容易になり、組み付け基板に設けられた光学系の光軸との角度誤差の小さな光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させることができる。延いては光学調整が容易で光学特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２】 図１の２−２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
【図４】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す半導体レーザ装置の一部透過平面図である。
【図５】 この発明に係る回転誤差を調整する方法を示した模式図である。
【図６】 図５の６−６断面における断面図である。
【図７】 この発明に係る回転誤差を調整する際に発光点位置が移動しないことを説明した模式図である。
【図８】 半導体レーザ素子から出射される光ビームが拡散する様子を示した模式図である。
【図９】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１０】 図９の１０−１０断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１１】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１２】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１３】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１４】 図１３の１４−１４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１５】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１６】 図１５の１６−１６断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１７】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図１８】 図１７の１８−１８断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図１９】 この発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置の平面図である。
【図２０】 図１９の２０−２０断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図２１】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２２】 図２１の２２−２２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図２３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２４】 図２３の２４−２４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図２５】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２７】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図２９】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３１】 図３０の３１−３１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３２】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図３３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図３４】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３５】 図３４の３５−３５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３７】 図３６の３７−３７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図３８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図３９】 図３８の３９−３９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４１】 図４０の４１−４１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４２】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図４３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図４４】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４５】 図４４の４５−４５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４７】 図４６の４７−４７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図４８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図４９】 図４８の４９−４９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５１】 図５０の５１−５１断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５２】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５３】 図５２の５３−５３断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５４】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５５】 図５４の５５−５５断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５６】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５７】 図５６の５７−５７断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図５８】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図５９】 図５８の５９−５９断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６０】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の断面図である。
【図６１】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６２】 図６１の６２−６２断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６３】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６４】 図６３の６４−６４断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６５】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６６】 図６５の６６−６６断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６７】 この発明の一実施の形態に係る光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【図６８】 図６５の６６−６６断面における光ピックアップ装置の断面図である。
【図６９】 従来の半導体レーザ装置である。
【図７０】 図６９の７０−７０断面における断面図である。
【図７１】 従来の光ピックアップ装置の部分平面図である。
【図７２】 従来の光軸の角度調整により発光点が移動することを説明する模式図である。
【図７３】 従来の半導体レーザ装置の平面図である。
【図７４】 図７３の７４−７４断面における半導体レーザ装置の断面図である。
【図７５】 従来のミラーと半導体レーザ素子とを示す平面図である。
【図７６】 図７５の７６−７６断面の断面図である。
【図７７】 従来の光ピックアップ装置の一部透過平面図である。
【符号の説明】
１６ 金属フレーム、 １８ 半導体レーザ素子、 ２２ 保護壁、 １８ａ 発光点、 １６ａ 円周部、 １６ｃ 遮光防止溝、 １６ｅ 遮光防止突起、 １６ｂ Ｕ字孔、 ８２ 冷却フィン、 ７２ 樹脂摺動部、 １２ 半導体レーザ装置、 １４ 光ピックアップ基板。
Claims (14)
- 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記基板の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 半導体レーザ素子の出射する光の拡がりより広い幅を有する第一の切り欠き部を基板の前縁にさらに備えるとともにこの第一の切り欠き部の底部に半導体レーザ素子の出射端面を隣接させたことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
- 基板の第一の主面に配設された遮光防止突起をさらに備えるとともにこの遮光防止突起の頂部表面に半導体レーザ素子が配設されたことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
- 半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向から離隔した基板側面に第二の切り欠き部をさらに備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の光ピックアップ装置。
- 互いに対向する第一、第二の主面を有しこの第一の主面に凸部または凹部が設けられた基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記基板の凸部の側面または基板の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 互いに対向する第一、第二の主面を有しこの第二の主面に凸部または凹部が設けられた基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記基板の凸部の側面または基板の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記壁部材の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲むとともに頂部に凸部または凹部を有する壁部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記壁部材の凸部の側面または壁部材の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 基板の第二の主面上に冷却フィンを配設したことを特徴とする請求項１，５，７および８のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置。
- 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
上記基板の第二の主面上に配設された摺動部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記摺動部材の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 互いに対向する第一、第二の主面を有する基板と、
この基板の第一の主面上に配設され、この主面に沿った方向の光軸を有する光を出射する半導体レーザ素子と、
上記基板の第一の主面上に配設され、上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸の方向を除き、上記半導体レーザ素子の周りを囲んだ壁部材と、
上記基板の第二の主面上に配設され頂部に凸部または凹部を有する摺動部材と、
上記基板と同じ素材により形成されるとともに、上記壁部材により一部が固着され一部が上記壁部材に囲まれた内側と上記壁部材の外側とにおいて露呈し、上記壁部材の内側において上記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極リードと、
上記半導体レーザ素子が出射する光の光軸を上記基板の上記主面に沿う方向に回転させかつ上記半導体レーザ素子の出射端面の発光点を通る中心軸を中心とした円弧に沿って上記摺動部材の凸部の側面または摺動部材の凹部の側面に配設された第一の摺動部と、
上記半導体レーザ素子から出射され上記基板の第一の主面に沿った光軸を有する光ビームを光学式情報記録媒体上に集光させる光学系の光学部品が配設されるとともに、上記第一の摺動部に対応し上記中心軸回りに相互に摺動可能な形状を有する第二の摺動部を有する組み付け基板と、を備え、
上記壁部材の外側において露呈した上記電極リードの一部が組み付け基板の表面上に配設され、上記電極リードと組み付け基板とが上記第一の摺動部と第二の摺動部とを介して相互に摺動可能に形成され、上記基板と組み付け基板とが固定されたことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 摺動部材を樹脂モールドで形成したことを特徴とする請求項１０または１１に記載の光ピックアップ装置。
- 壁部材を樹脂モールドで形成したことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置。
- 基板を金属で形成したことを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400376A JP4330835B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光ピックアップ装置 |
| US10/183,509 US6907053B2 (en) | 2001-12-28 | 2002-06-28 | Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device |
| TW091118383A TW552752B (en) | 2001-12-28 | 2002-08-15 | Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400376A JP4330835B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003198039A JP2003198039A (ja) | 2003-07-11 |
| JP4330835B2 true JP4330835B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
ID=19189609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001400376A Expired - Fee Related JP4330835B2 (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6907053B2 (ja) |
| JP (1) | JP4330835B2 (ja) |
| TW (1) | TW552752B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4678154B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2011-04-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 |
| JP2006080193A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 |
| JP4238864B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4668299B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| TWI426209B (zh) * | 2009-09-15 | 2014-02-11 | Alps Electric Co Ltd | Light emitting device |
| JP6319257B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-05-09 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US11309680B2 (en) * | 2017-09-28 | 2022-04-19 | Nichia Corporation | Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4594600A (en) * | 1984-10-11 | 1986-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Integrated laser diode scanner |
| JPH06203403A (ja) | 1992-10-22 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US5748658A (en) | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| DE19829197C2 (de) * | 1998-06-30 | 2002-06-20 | Siemens Ag | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement |
| JP2000036117A (ja) | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Ricoh Co Ltd | 光ピックアップにおける半導体レーザの光束光軸調整方法、半導体レーザ用ハウジングおよび光源光検出器セルおよび光ピックアップ |
| EP1788416B1 (en) * | 1998-09-24 | 2008-03-05 | LG Cable & Machinery Ltd. | Method for manufacturing laser diode chip |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001400376A patent/JP4330835B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-28 US US10/183,509 patent/US6907053B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-15 TW TW091118383A patent/TW552752B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6907053B2 (en) | 2005-06-14 |
| US20030123499A1 (en) | 2003-07-03 |
| JP2003198039A (ja) | 2003-07-11 |
| TW552752B (en) | 2003-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8289824B2 (en) | Optical pickup apparatus | |
| US6038203A (en) | Optical head with a photo-detector mounted on a flexible circuit board | |
| JP4330835B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH1139684A (ja) | 異波長光源モジュール及びそれを利用した光ピックアップ装置 | |
| KR19980058005A (ko) | 홀로그래픽 광픽업장치의 홀로그래픽 광학소자 | |
| JP2006324409A (ja) | 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置 | |
| JP3866993B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ | |
| JP3743359B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| US6985424B1 (en) | Laser module and optical head | |
| JP3445938B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2005141891A (ja) | 薄型光ピックアップ | |
| JP3361335B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4278485B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2005311203A (ja) | 発光素子の固定ホルダ、光ピックアップおよび情報処理装置 | |
| JP3267859B2 (ja) | 半導体レーザモジュールおよび光ピックアップ | |
| JP2005285234A (ja) | 半導体レーザ回動調整装置および光ピックアップ装置 | |
| JP2006190736A (ja) | 半導体レーザ用キャップおよびそれを用いた半導体レーザ装置、光ピックアップ装置、光ディスク装置 | |
| JP4192517B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005310319A (ja) | 発光素子の固定ホルダ、光ピックアップおよび情報処理装置 | |
| JP3779608B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JP3163939B2 (ja) | 光ピックアップ | |
| JPH08221797A (ja) | 光ピックアップの光学部品取付け構造 | |
| JPH11110790A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JP2013016226A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPH0773493A (ja) | 光ピックアップ及びそれを搭載した光ディスク装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071003 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090430 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090617 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |