CN101611070A

CN101611070A - 嵌段共聚物和高分子发光元件

Info

Publication number: CN101611070A
Application number: CNA2008800036595A
Authority: CN
Inventors: 森胁章太; 柿本秀信; 中谷智也
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2007-02-01
Filing date: 2008-02-01
Publication date: 2009-12-23
Anticipated expiration: 2028-02-01
Also published as: EP2110400A4; CN101611070B; EP2110400B1; US20100108993A1; WO2008093822A1; ATE528334T1; US8298685B2; JP2008208358A; KR20090114381A; EP2110400A1

Abstract

本发明提供一种嵌段共聚物、组合物、发光性薄膜和高分子发光元件。所述嵌段共聚物的特征在于，包含嵌段(A)和嵌段(B)，所述嵌段(A)含有包含特定的2价杂环基的2种以上不同的重复单元及包含亚芳基的重复单元，所述嵌段(B)含有包含亚芳基的重复单元及包含2价芳香族胺残基的重复单元；所述组合物含有所述嵌段共聚物和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或它们中2种以上的组合；所述发光性薄膜的特征在于，含有所述嵌段共聚物；所述高分子发光元件的特征在于，具有阳极、阴极、和包含所述嵌段共聚物且设置在该阳极和该阴极之间的有机层。

Description

嵌段共聚物和高分子发光元件

技术领域

本发明涉及嵌段共聚物和使用其的高分子发光元件。

背景技术

高分子量的发光材料或电荷传输材料可用于发光元件的有机层中使用的材料等，因此对其进行了各种研究，作为其例，报道有下述式表示的2价基团和亚芴基(fluorenediyl)的共聚物(例如参照专利文献1)。

(式中，X₀、Y₀及Z₀各自独立地为O、S、C(R₀)₂、Si(R₀)₂或NR₀，各R₀独立地为烷基、芳基或H。)

专利文献1：国际公开第01/49768号小册子

发明内容

但是，将上述共聚物用作发光元件用的发光材料时，其寿命还不够长。

本发明的目的在于，提供一种在用作发光元件用的发光材料时，可以赋予发光元件以长寿命的嵌段共聚物。

即，本发明提供一种嵌段共聚物，其特征在于，包含嵌段(A)和嵌段(B)，所述嵌段(A)含有下述式(I)所示的2种以上不同的重复单元及下述式(II)所示的重复单元；所述嵌段(B)含有下述式(II)所示的重复单元及下述式(III)所示的重复单元。

(式中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅及R₆独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

m及n独立地表示1～3的整数，

X₁、X₂及X₃独立地表示氧原子、硫原子或-C(R₇)＝C(R₈)-(式中，R₇及R₈独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。)

其中，R₁、R₂、R₅、R₆、X₁及X₃的至少一种存在多个时，该存在多个的原子或基团可以相同也可以不同。)

-Ar₁-(II)

(式中，Ar₁表示亚芳基。)

-Ar₂-(III)

(式中，Ar₂表示2价芳香族胺残基。)

本发明的第二方面提供一种组合物，其中，含有：所述嵌段共聚物；和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或它们中2种以上的组合。

本发明的第三方面提供一种发光性薄膜，其特征在于，含有所述嵌段共聚物。

本发明的第四方面提供一种高分子发光元件，其特征在于，具有阳极、阴极、和包含所述嵌段共聚物且设置在该阳极和该阴极之间的有机层。

本发明的嵌段共聚物可以用作发光元件的发光材料、空穴传输材料及电子传输材料，特别是用作发光元件的发光材料时，可以提供直至亮度90％的减少时间(以下称为亮度减少10％寿命)长的发光元件。因此，包含本发明的嵌段共聚物的发光元件可以用于液晶显示器的背光灯或照明用的曲面状或平面状光源、分段型显示元件、点阵的平板显示器等。

具体实施方式

<术语的说明>

以下对本说明书中通用的术语进行说明。

作为卤素原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

被称为“C_x～C_y”(x、y是满足x＜y的正整数)的术语表示与该术语一同记载的有机基团的碳原子数为x～y。

烷基是指非取代烷基及被卤素原子等取代的烷基，其包括直链状烷基及环状烷基(环烷基)这两者。烷基可以具有支链。烷基的碳原子数通常为1～20、优选为1～15、更优选为1～10左右。作为烷基，例如可举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。作为C₁～C₁₂烷基，例如可举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等。

烷氧基是指非取代的烷氧基及被卤素原子、烷氧基等取代的烷氧基，其包括直链状烷氧基及环状烷氧基(环烷氧基)这两者。烷氧基可以具有支链。烷氧基的碳原子数通常为1～20、优选为1～15、更优选为1～10左右。作为烷氧基，例如可举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基等。作为C₁～C₁₂烷氧基，例如可举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等。

烷硫基是指非取代的烷硫基及被卤素原子等取代的烷硫基，其包括直链状烷硫基及环状烷硫基(环烷硫基)这两者。烷硫基可以具有支链。烷硫基的碳原子数通常为1～20、优选为1～15、更优选为1～10左右。作为烷硫基，例如可举出：甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟甲硫基等。作为C₁～C₁₂烷硫基，例如可举出：甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基等。

芳基是从芳香族烃上除去1个与构成芳香环的碳原子键合的氢原子后残留的原子团，是指非取代的芳基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳基。芳基还包括具有稠环的芳基、独立的苯环或2个以上稠环形成单键或隔着2价有机基团例如亚乙烯基等亚烯基进行键合而得的芳基。芳基的碳原子数通常为6～60、优选为7～48、更优选为7～30左右。作为芳基，例如可举出：苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。

作为C₁～C₁₂烷氧基苯基，例如可举出：甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、辛氧基苯基等。

作为C₁～C₁₂烷基苯基，例如可举出：甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6-三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

芳氧基是指非取代的芳氧基及被卤素原子、烷氧基、烷氧基等取代的芳氧基。芳氧基的碳原子数通常为6～60、优选为7～48、更优选为7～30左右。作为芳氧基，例如可举出：苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基。

作为C₁～C₁₂烷氧基苯氧基，例如可举出：甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙氧基苯氧基、异丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、辛氧基苯氧基等。

作为C₁～C₁₂烷基苯氧基，例如可举出：甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、仲丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。

芳硫基是指非取代的芳硫基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳硫基。芳硫基的碳原子数通常为6～60、优选为7～48、更优选为7～30左右。作为芳硫基，例如可举出：苯硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等。

芳烷基是指非取代的芳烷基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳烷基。芳烷基的碳原子数通常为7～60、优选为7～48、更优选为7～30左右。作为芳烷基，例如可举出：苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基等。

芳烷氧基是指非取代的芳烷氧基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳烷氧基。芳烷氧基的碳原子数通常为7～60、优选为7～48、更优选为7～30左右。作为芳烷氧基，例如可举出：苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基等。

芳烷硫基是指非取代的芳烷硫基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳烷硫基。芳烷硫基的碳原子数通常为7～60、优选为7～48、更优选为7～30左右。作为芳烷硫基，例如可举出：苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基等。

芳烯基是指非取代的芳烯基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳烯基。芳烯基的碳原子数通常为8～60、优选为8～48、更优选为8～30左右。作为芳烯基，例如可举出：苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基。

作为C₂～C₁₂烯基，例如可举出：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、1-辛烯基等。

芳炔基是指非取代的芳炔基及被卤素原子、烷氧基、烷基等取代的芳炔基。芳炔基的碳原子数通常为8～60、优选为8～48、更优选为8～30左右。作为芳炔基，例如可举出：苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基等，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

作为C₂～C₁₂炔基，例如可举出：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、1-己炔基、2-己炔基、1-辛炔基等。

1价杂环基是指从杂环式化合物中除去1个氢原子后残留的原子团，是指非取代的1价杂环基及被烷基等取代基取代的1价杂环基。1价杂环基的碳原子数不包含取代基的碳原子数，通常为4～60、优选为4～30、更优选为4～20左右。这里，所谓杂环式化合物，是指在具有环式结构的有机化合物中，作为构成环的元素，不仅包含碳原子，还包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、硅原子、硒原子、碲原子、砷原子等杂原子。作为1价的杂环基，例如可举出：噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、吡咯烷基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，其中，优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基。

杂环硫基是指巯基的氢原子被1价杂环基取代的基团。作为杂环硫基，例如可举出：吡啶基硫基、哒嗪基硫基、嘧啶基硫基、吡嗪基硫基、三嗪基硫基等杂芳基硫基等。

氨基是指非取代的氨基及被选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基的1或2个取代基取代的氨基(以下称为取代氨基。)。取代基还可以进一步具有取代基(以下有时称为二次取代基。)。取代氨基的碳原子数不包含二次取代基的碳原子数，通常为1～60、优选为2～48、更优选为2～40左右。作为取代氨基，例如可举出：甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、丙氨基、二丙氨基、异丙氨基、二异丙氨基、丁氨基、异丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、戊氨基、己氨基、庚氨基、辛氨基、2-乙基己氨基、壬氨基、癸氨基、3，7-二甲基辛氨基、十二烷氨基、环戊氨基、二环戊氨基、环己氨基、二环己氨基、双三氟甲氨基、苯氨基、二苯氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、C₁～C₁₂烷基苯氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘氨基、2-萘氨基、五氟苯氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、双(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、双(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基等。

甲硅烷基是指非取代的甲硅烷基及被选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1、2或3个取代基取代的甲硅烷基(以下称为取代甲硅烷基。)。取代基可以具有二次取代基。取代甲硅烷基的碳原子数不包含二次取代基的碳原子数，通常为1～60、优选为3～48、更优选为3～40左右。作为取代甲硅烷基，例如可举出：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基-二甲基甲硅烷基、戊基-二甲基甲硅烷基、己基-二甲基甲硅烷基、庚基-二甲基甲硅烷基、辛基-二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基-二甲基甲硅烷基、癸基-二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基-二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。

酰基是指非取代的酰基及被卤素原子等取代的酰基。酰基的碳原子数通常为2～20、优选为2～18、更优选为2～16左右。作为酰基，例如可举出：乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、三甲基乙酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。

酰氧基是指非取代的酰氧基及被卤素原子等取代的酰氧基。酰氧基的碳原子数通常为2～20、优选为2～18、更优选为2～16左右。作为酰氧基，例如可举出：乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、三甲基乙酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。

亚胺残基是指从具有式：H-N＝C＜及式：-N＝CH-中的至少一个所示的结构的亚胺化合物中除去该结构中的1个氢原子后的残基。作为这样的亚胺化合物，例如可举出：醛亚胺、酮亚胺及与醛亚胺中的氮原子键合的氢原子被烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基等取代的化合物。亚胺残基的碳原子数通常为2～20、优选为2～18、更优选为2～16左右。作为亚胺残基，例如可举出：通式：-CR”＝N-R”’或通式：-N＝C(R”’)₂(式中，R”表示氢原子、烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基，R”’独立地表示烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基，其中，存在2个R”’时，2个R”’可以相互键合成为一体，以2价基团例如亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基等碳原子数2～18的亚烷基形成环。)表示的基团等。作为亚胺残基的具体例，可举出以下结构式表示的基团等。

(式中，Me表示甲基。)

酰胺基是指非取代的酰胺基及被卤素原子等取代的酰胺基。酰胺基的碳原子数通常为2～20、优选为2～18、更优选为2～16左右。作为酰胺基，例如可例示：甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、双三氟乙酰胺基、双五氟苯甲酰胺基等。

酰亚胺基是指从酰亚胺中除去与其氮原子键合的氢原子而得到的残基。酰亚胺基的碳原子数通常为4～20、优选为4～18、更优选为4～16左右。作为酰亚胺基，例如可举出以下所示的基团等。

(式中，Me表示甲基。)

羧基是指非取代的羧基以及被烷基、芳基、芳烷基、1价杂环基等取代基取代的羧基(以下称为取代羧基。)。取代基可以具有二次取代基。取代羧基的碳原子数不包含二次取代基的碳原子数，通常为1～60、优选为2～48、更优选为2～45左右。作为取代羧基，例如可举出：甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。

<式(I)表示的重复单元>

本发明的嵌段共聚物在嵌段(A)中包含下述式(I)表示的2种以上不同的重复单元。本发明的嵌段共聚物还可以在嵌段(A)中包含下述式(I)表示的3种以上不同的重复单元。

m及n独立地表示1～3的整数，

X₁、X₂及X₃独立地表示氧原子、硫原子或-C(R₇)＝C(R₈)-(式中，R₇及R₈独立地表示氧原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。)

从原料单体合成的容易程度方面考虑，上述式(I)中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅及R₆优选独立地为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或杂环硫基，更优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，进一步优选为氢原子、烷基或芳基。

从原料单体合成的容易程度方面考虑，上述式(I)中，m及n优选独立地为1或2。

进一步，从本发明的嵌段共聚物的耐久性的观点考虑，上述式(I)中，X₁、X₂及X₃优选为氧原子或硫原子，更优选为硫原子。

上述式(I)表示的2种以上重复单元不同是指在选自该2种以上重复单元的任意2种重复单元之间，上述式(I)中的R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、X₁、X₂、X₃、m、n中至少一个彼此不相同。从得到的发光元件的发光效率的观点考虑，优选R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆中至少一个不相同。

作为上述式(I)表示的重复单元的具体例，可举出下述式(I-1)～(I-8)表示的重复单元。

作为上述式(I)表示的两种以上不同的重复单元的组合的具体例，可举出：(I-1)和(I-5)、(I-3)和(I-5)、(I-4)和(I-5)、(I-6)和(I-5)、(I-1)和(I-3)、(I-1)和(I-6)、(I-3)和(I-6)、(I-4)和(I-7)等。

<式(II)表示的重复单元>

本发明的嵌段共聚物在嵌段(A)中除具有上述式(I)表示的重复单元以外，还具有下述式(II)表示的重复单元。另外，本发明的嵌段共聚物在嵌段(B)中具有下述式(II)表示的重复单元。本发明的嵌段共聚物在嵌段(A)及嵌段(B)的任一个中均可以具有下述式(II)表示的2种以上不同的重复单元。

-Ar₁-(II)

(式中，Ar₁表示亚芳基。)

亚芳基是从芳香族烃中除去与构成芳香环的碳原子键合的2个氢原子后残留的原子团，是指非取代的亚芳基及取代的亚芳基。亚芳基还包括具有稠环的亚芳基、独立的苯环或2个以上稠环形成单键或隔着2价有机基团例如亚乙烯基等亚烯基进行键合而得的亚芳基。取代的亚芳基中的取代原子及取代基没有特别限定，从溶解性、荧光特性、合成进行的容易程度、作为元件的材料的特性等观点考虑，优选卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。

除去亚芳基的取代基后的部分的碳原子数通常为6～60、优选为6～20、更优选为6～18左右。另外，包含取代基的亚芳基的总碳原子数通常为6～100、优选为6～80、更优选为6～70左右。

作为亚芳基，例如可举出：亚苯基(例如下式1～3)、亚萘基(例如下式4～13)、亚蒽基(例如下式14～19)、亚联苯基(例如下式20～25)、亚三联苯基(例如下式26～28)、亚芴基(例如下式36～38)、亚苯并芴基(例如下式39～46)、及其它的2价缩合多环式芳香族烃基(例如下式29～35)等。

上述式1～46中，R表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。

从使用本发明的嵌段共聚物的发光元件的耐久性的观点考虑，上述式(II)中，Ar₁优选为下述式(IV)表示的基团。

(式中，R₉及R₁₀独立地表示卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

a及b独立地表示0～3的整数，

其中，R₉及R₁₀中的至少一种存在多个时，该存在多个的原子或基团可以相同也可以不同。

R₁₁及R₁₂独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。)

从使用本发明的嵌段共聚物的发光元件的耐久性的观点考虑，上述式(IV)中，R₉及R₁₀优选为芳基或烷基。

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(IV)中，a及b优选为0或1，最优选为0。

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(IV)中，R₁₁及R₁₂优选为烷基或芳基。

作为上述式(IV)表示的基团的具体例，可举出下述式(IV-1)～(IV-8)表示的基团。

<式(III)表示的重复单元>

本发明的嵌段共聚物在嵌段(B)中除具有上述式(II)表示的重复单元以外，还具有下述式(III)表示的重复单元。本发明的嵌段共聚物还可以在嵌段(B)中具有下述式(III)表示的2种以上不同的重复单元。

-Ar₂-(III)

(式中，Ar₂表示2价芳香族胺残基。)

所谓2价芳香族胺残基，是从芳香族胺中除去与构成芳香环的碳原子键合的2个氢原子后残留的原子团，是指非取代的2价芳香族胺残基及取代的2价芳香族胺残基。取代的2价芳香族胺残基中的取代原子及取代基没有特别限定，作为其例，可举出：卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。2价芳香族胺残基的碳原子数不包含取代基的碳原子数，通常为5～100，优选为15～80，更优选为15～60左右。

作为2价芳香族胺残基，例如可举出：以下的式子401～410表示的基团等。

上述式401～410中，R与上述表示相同的意思。

从提供亮度减少10％的寿命长的元件的观点考虑，上述式(III)中，Ar₂优选为下述式(V)表示的基团。

(式中，R₁₃～R₃₈独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

o及p独立地表示0或1，

C1～C6分别表示被配置的碳原子的位置，

其中，R₁₄和R₁₆、R₁₅和R₂₁、R₂₈和R₃₆及R₃₃和R₃₄的组合中的至少一个组合可以不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或式：-O-或式：-S-表示的2价基团，

R₁₇和R₂₅的组合可以不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C1位、C2位、C4位及C5位的碳原子一起形成环，

R₁₈和R₂₇的组合可以不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C2位、C3位、C5位及C6位的碳原子一起形成环。)

在R₁₇和R₂₅的组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成2价基团时、及R₁₈和R₂₇的组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成2价基团时，作为该2价基团，例如可举出：亚甲基、二亚甲基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基等非取代或取代的C₁～C₆的亚烷基；亚乙烯基、亚丙烯基、亚丁烯基、亚戊烯基、亚己烯基等非取代或取代的C₁～C₆的亚烯基；亚苯基、亚萘基等非取代或取代的C₆～C₁₀的亚芳基；式：-O-或式：-S-或式：-N＝CR-(式中，R与上述表示相同的意思。)表示的2价基团等式：-X’-(式中，X’为例如氧原子、硫原子、N＝CR(式中，R与上述表示相同的意思。)。)表示的2价基团；下述式：

表示的2价基团等非取代或取代的C₃～C₁₀的2价杂环基等。这里，所谓2价杂环基，是指从杂环式化合物中除去2个氢原子后残留的原子团。上述2价基团被取代时，作为取代原子，例如可举出卤素原子等，作为取代基，例如可举出：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基等。

在R₁₇和R₂₅的组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C1位、C2位、C4位及C5位的碳原子一起形成环时、及R₁₈和R₂₇的组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C2位、C3位、C5位及C6位的碳原子一起形成环时，作为该环，例如可举出：非取代或取代的C₄～C₁₀的环烷烃环、非取代或取代的C₄～C₁₀的环烯烃环、非取代或取代的C₆～C₁₄的芳香族烃环或非取代或取代的C₄～C₁₄的杂环。这些环被取代时，作为取代原子，例如可举出卤素原子，作为取代基，例如可举出：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基等。

作为环烷烃环，例如可举出：环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、环辛烷环、环壬烷环、环癸烷环等。

环烯烃环包含具有2个以上双键的环烯烃环，作为其具体例，可举出：环己烯环、环己二烯环、环辛三烯环等。

作为芳香族烃环，例如可举出：苯环、萘环、蒽环。

作为杂环，例如可例示：呋喃环、四氢呋喃环、噻吩环、四氢噻吩环、吲哚环、四氢吲哚环、异喹啉环、吡啶环、噻唑环、噁唑环。

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，R₁₃～R₃₈优选独立地为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或杂环硫基，更优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，进一步优选为氢原子、烷基或烷氧基。

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，R₁₄和R₁₆及R₂₈和R₃₆的组合中至少一个组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或式：-O-或式：-S-表示的2价基团时，优选形成式：-O-或式：-S-表示的2价基团，进一步优选形成式：-O-表示的基团。

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，R₁₅和R₂₁及R₃₃和R₃₄的组合中至少一个组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或式：-O-或式：-S-表示的2价基团时，优选形成单键。

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，R₁₇和R₂₅的组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C1位、C2位、C4位及C5位的碳原子一起形成环时，及R₁₈和R₂₇的组合不表示上述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C2位、C3位、C5位及C6位的碳原子一起形成环时，该环优选为环烷烃环或芳香族烃环。

作为上述式(V)表示的基团的具体例，可举出下述式(V-1)～(V-19)表示的基团。

<其它重复单元>

进一步，从改变电荷传输性的观点、提高耐热性的观点等考虑，本发明的嵌段共聚物优选为在嵌段(A)及嵌段(B)的任一个中均含有上述式(I)～(III)表示的重复单元以外的重复单元的共聚物。作为上述式(I)～(III)表示的重复单元以外的重复单元，优选下述式(C)表示的重复单元。

(式中，R₉和R₁₀独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

X4表示氧原子、硫原子或-C(R₇)＝C(R₈)-(式中，R₇和R₈与上述表示相同的意思。)。)

从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(C)中，R₉和R₁₀优选独立地为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或杂环硫基，更优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，进一步优选为氢原子、烷基或芳基。

进一步，从本发明的嵌段共聚物的耐久性的观点考虑，上述式(C)中，X₄优选为氧原子或硫原子，更优选为硫原子。

<嵌段共聚物>

相对于嵌段共聚物中的总重复单元，上述式(I)表示的2种以上不同的重复单元的总含有率通常为0.02摩尔％～50摩尔％的范围，上述式(II)表示的重复单元的含有率通常为10摩尔％～90摩尔％的范围，上述式(III)表示的重复单元的含有率通常为0.1摩尔％～60摩尔％的范围。另外，本发明的嵌段共聚物包含上述式(I)～(III)表示的重复单元以外的重复单元例如上述式(C)表示的重复单元时，这样的重复单元的含有率相对于嵌段共聚物中的总重复单元通常为1摩尔％～50摩尔％的范围。

将本发明的嵌段共聚物用作发光元件的发光材料时，从提供寿命长的发光元件的观点考虑，上述式(I)表示的2种以上不同的重复单元的总含有率相对于嵌段共聚物中的总重复单元优选为3摩尔％以上、40摩尔％以下，更优选为5摩尔％以上30摩尔％以下。

从元件的寿命特性的观点考虑，本发明的嵌段共聚物优选利用聚苯乙烯换算的数均分子量为1×10³～1×10⁷，更优选为1×10⁴～1×10⁷。

从元件的寿命特性的观点考虑，本发明的嵌段共聚物优选利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10³～1×10⁷，更优选为1×10⁴～1×10⁷。

对于本发明的嵌段共聚物，从元件的寿命特性的观点考虑，嵌段(A)优选利用聚苯乙烯换算的数均分子量为1×10³～1×10⁵，更优选为1×10⁴～1×10⁵。

对于本发明的嵌段共聚物，从元件的寿命特性的观点考虑，嵌段(A)优选利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10³～1×10⁵，更优选为1×10⁴～1×10⁵。

本发明中，利用聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量由体积排阻色谱仪(SEC)(岛津制作所制：LC-10Avp)求出。将测定的嵌段共聚物以浓度为约0.5重量％的方式溶解在四氢呋喃中，然后将50μL注入到SEC中。使用四氢呋喃作为SEC的流动相，以0.6mL/min的流速流动。作为色谱柱，将2根TSKgel SuperHM-H(东丽制)和1根TSKgel SuperH2000(东丽制)串联连接作为色谱柱。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制：RID-10A)。

相对于嵌段(A)及嵌段(B)的合计，将嵌段(A)的摩尔分率表示为[A]、嵌段(B)的摩尔分率表示为[B]时，从元件的寿命特性的观点考虑，优选[A]/[B]为0.1以上、10以下，更优选为0.5以上、8以下。

另外，由于在本发明的嵌段共聚物的末端直接残留与缩聚有关的取代基时，做成元件时的发光特性及寿命可能降低，因此，可以用稳定的保护基将该嵌段共聚物的末端保护起来。作为保护基，优选具有与主链的共轭结构相连接的共轭键的基团，例如可举出：具有隔着碳-碳键与芳基或杂环基键合的结构的基团。具体而言，可例示：日本特开平9-45478号公报的化10中记载的取代基等。

作为对本发明的嵌段共聚物的良溶剂，可例示：氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、2，4，6-三甲苯、四氢化萘、十氢化萘、正丁基苯等。也与嵌段共聚物的结构及分子量有关，通常可以在这些溶剂中溶解0.1重量％以上嵌段共聚物。

<嵌段共聚物的制造方法>

下面对本发明的嵌段共聚物的制造方法进行说明。

作为嵌段聚合物的合成方法，例如可举出：合成高分子量的嵌段(A)，并向其中添加构成嵌段(B)的单体并进行聚合的方法；事先合成高分子量的嵌段(A)和高分子量的嵌段(B)，然后将其合并聚合的方法等。

例如，可以使用Y₁-A-Y₂表示的化合物、Y₁-Ar₁-Y₂表示的化合物及Y₁-Ar₂-Y₂表示的化合物作为原料，通过使它们缩聚来制造本发明的嵌段共聚物(式中，-A-表示上述式(I)表示的重复单元，Ar₁及Ar₂与上述表示相同的意思，Y₁及Y₂独立地表示与缩聚有关的取代基。)

另外，本发明的嵌段共聚物在具有上述式(I)～(III)表示的重复单元以外的重复单元时，可以使具有2个与缩聚有关的取代基、聚合后成为上述式(I)～(III)表示的重复单元以外的重复单元的化合物共存而进行缩聚。作为这样的化合物，可举出下述式(D)表示的化合物。该化合物具有2个与缩聚有关的取代基，且聚合后成为上述式(C)表示的重复单元。

(式中，R₉、R₁₀及X₄与上述表示相同的意思，Y₃及Y₄表示与缩聚有关的取代基。)

本发明的制造方法中，作为与缩聚有关的取代基(Y₁、Y₂、Y₃及Y₄)，可举出：卤素原子、烷基磺基、芳基磺基、芳基烷基磺基、硼酸酯基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、-B(OH)₂、甲酰基、氰基或乙烯基等。

作为烷基磺基，可例示：甲烷磺基、乙烷磺基、三氟甲烷磺基等。作为芳基磺基，可例示：苯磺基、对甲苯磺基等。作为芳基烷基磺基，可例示：苄基磺基等。

作为硼酸酯基，可例示下述式表示的基团。

(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。)

作为锍甲基，可例示下述式表示的基团。

-CH₂S⁺Me₂X^-、-CH₂S⁺Ph₂X^-

(式中，X表示卤素原子，Me表示甲基，Ph表示苯基。)

作为鏻甲基，可例示下述式表示的基团。

-CH₂P⁺Ph₃X^-

(式中，X表示卤素原子，Ph表示苯基。)

作为膦酸酯甲基，可例示下述式表示的基团。

-CH₂PO(OR’)₂

(式中，R’表示烷基、芳基、芳烷基。)

作为单卤代甲基，可例示：氟代甲基、氯代甲基、溴代甲基或碘代甲基。

作为有关缩聚的取代基所优选的取代基，根据聚合反应的种类而不同，例如Yamamoto偶联反应等使用0价镍络合物(Ni(0)络合物)时，可举出：卤素原子、烷基磺基、芳基磺基或芳基烷基磺基。另外，Suzuki偶联反应等使用镍催化剂或钯催化剂时，可举出：烷基磺基、卤素原子、硼酸酯基、-B(OH)₂等。

本发明的制造方法具体而言可以将作为单体的具有2个与缩聚有关的取代基的化合物根据需要溶解于有机溶剂中，使用例如碱或适当的催化剂，在有机溶剂的熔点以上沸点以下的温度下进行。例如，可以使用“Organic Reactions”，第14卷，270-490页，John Wiley&Sons，Inc.，1965年；“Organic Syntheses”，Collective Volume VI，407-411页，JohnWiley&Sons，Inc.，1988年；Chem.Rev.，第95卷，2457页(1995年)；J.Organomet.Chem，第576卷，147页(1999年)；Macromol.Chem.，Macromol.Symp.，第12卷，229页(1987年)等中记载的公知的方法。

作为嵌段聚合物的制造方法，例如可以使用WO2005/36666等中记载的公知的方法。

在本发明的嵌段共聚物的制造方法中，可以对应与缩聚有关的取代基，使用已知的缩合反应。例如可例示：通过Suzuki偶联反应将该单体聚合的方法；通过Grignard反应将该单体聚合的方法；通过0价镍络合物将该单体聚合的方法；通过FeCl₃等氧化剂将该单体聚合的方法；将该单体电化学氧化聚合的方法；或利用具有适当的离去基团的中间体高分子的分解的方法等。其中，通过Suzuki偶联反应进行聚合的方法；通过Grignard反应进行聚合的方法及通过0价镍络合物进行聚合的方法容易控制结构，因此优选。

本发明的制造方法中，优选与缩聚有关的取代基(Y₁、Y₂、Y₃及Y₄)独立地选自卤素原子、烷基磺基、芳基磺基或芳基烷基磺基，在0价镍络合物存在下进行缩聚的制造方法。作为原料化合物，例如可举出：二卤代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物、双(芳基烷基磺酸酯)化合物、卤代-烷基磺酸酯化合物、卤代-芳基磺酸酯化合物、卤代-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物、及芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。其中，可举出通过使用例如卤代-烷基磺酸酯化合物、卤代-芳基磺酸酯化合物、卤代-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物、或芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物作为原料化合物，制造控制了顺序的嵌段聚合物的方法。

另外，在本发明的制造方法中，优选与缩聚有关的取代基(Y₁、Y₂、Y₃及Y₄)独立地选自卤素原子、烷基磺基、芳基磺基或芳基烷基磺基、硼酸基(-B(OH)₂)、或硼酸酯基，总原料化合物具有的硼酸基及硼酸酯基的摩尔数的总和(K)与卤素原子、烷基磺基、芳基磺基或芳基烷基磺基的摩尔数的总和(J)之比K/J基本上为1(通常为0.7～1.2的范围)，使用镍催化剂或钯催化剂进行缩聚的制造方法。作为具体的原料化合物的组合，可举出：二卤代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物或双(芳基烷基磺酸酯)化合物与二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的组合。另外，可举出：卤代-硼酸化合物、卤代-硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。其中，可举出通过使用例如卤代-硼酸化合物、卤代-硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物作为原料化合物，制造控制了顺序的嵌段共聚物的方法。

反应中使用的溶剂根据所使用的化合物及反应而不同，通常，为了抑制副反应，优选充分地实施脱氧处理。反应优选在惰性氛围下进行。另外，同样，反应中使用的溶剂优选实施脱水处理。其中，像Suzuki偶联反应这样的在与水的2相体系中反应时不在该限制内。

作为溶剂，可例示：戊烷、己烷、庚烷、辛烷、环己烷、十氢化萘等饱和烃；苯、甲苯、乙苯、正丁基苯、二甲苯、四氢化萘等芳香族烃；四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤代饱和烃；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代芳香族烃；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、叔丁醇等醇类；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸类；二甲醚、二乙醚、甲基叔丁基醚、四氢呋喃、四氢吡喃、二噁烷等醚类；三甲胺、三乙胺、N，N，N’，N’-四甲基亚乙基二胺、吡啶等胺类；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N-甲基氧化吗啉等酰胺类等。这些溶剂可以单独使用，也可以混合使用。其中，优选醚类，更优选四氢呋喃、二乙基醚。

为了使反应进行，适当地添加碱或合适的催化剂。它们可以根据所使用的反应进行选择。该碱或催化剂优选充分地溶解在反应所使用的溶剂中的物质。作为碱，例如可举出：碳酸钾、碳酸钠等无机碱；三乙胺等有机碱；氟化铯等无机盐。作为催化剂，例如可举出：[四(三苯基膦)]钯、醋酸钯类。作为混合碱或催化剂的方法，可例示以下方法：在氩或氮气等惰性氛围下搅拌反应液，同时缓慢地添加碱或催化剂的溶液，或者相反，向碱或催化剂的溶液中缓慢地添加反应液。

将本发明的嵌段共聚物用于高分子LED等中时，由于其纯度会影响发光特性等元件的性能，因此，优选用蒸馏、升华精制、重结晶等方法将聚合前的单体进行精制后再进行聚合。另外，在聚合后，优选通过再沉淀精制、色谱法等进行分离等纯化处理。

<组合物>

本发明的组合物是含有下述物质的组合物，所述物质为本发明的嵌段共聚物；和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或它们中2种以上的组合。该组合物可以含有至少2种所述嵌段共聚物。

为了使本发明的组合物形成后述的液态组合物，可以添加溶剂。作为组合物中所含的溶剂，优选可以溶解或分散在该组合物中的该溶剂以外的成分的溶剂。作为该溶剂，可例示：氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲基苯、2，4，6-三甲苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些溶剂可以单独使用1种，也可以组合多种使用。在上述溶剂中，从粘度、成膜性等观点考虑，优选包含1种以上具有含至少1个以上苯环的结构、且熔点为0℃以下、沸点为100℃以上的有机溶剂。

作为溶剂的种类，从溶剂对组合物中的溶剂以外的成分的溶解性、成膜时的均匀性、粘度特性等观点考虑，优选芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，具体而言，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙基苯、三甲基苯、2，4，6-三甲苯、正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、异丁基苯、仲丁基苯、茴香醚、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、双环己烷、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己酮，更优选包含二甲苯、茴香醚、2，4，6-三甲苯、环己基苯、双环己烷甲基苯甲酸酯中的至少1种。

从成膜性的观点及元件特性等观点考虑，组合物中所含的溶剂的种类优选为2种以上，更优选为2～3种，进一步优选为2种。

组合物中包含2种溶剂时，其中的1种溶剂在25℃下可以为固体状态。从成膜性的观点考虑，优选1种溶剂为沸点180℃以上的溶剂、另1种溶剂为沸点小于180℃的溶剂，更优选1种溶剂为沸点200℃以上的溶剂、另1种溶剂为沸点小于180℃的溶剂。另外，从粘度的观点考虑，优选在60℃下，除去组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解在溶剂中，优选在25℃下，除去了组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解在2种溶剂中的1种溶剂中。

组合物中含有3种溶剂时，其中的1种或2种溶剂在25℃下可以为固体状态。从成膜性的观点考虑，优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点180℃以上的溶剂、至少1种溶剂为沸点小于180℃的溶剂，更优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点200℃以上300℃以下的溶剂、至少1种溶剂为沸点小于180℃的溶剂。另外，从粘度的观点考虑，优选在60℃下，除去组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解在3种溶剂中的2种溶剂中，优选在25℃下，除去了组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解在3种溶剂中的1种溶剂中。

组合物中含有2种以上溶剂时，从粘度及成膜性的观点考虑，沸点最高的溶剂优选为组合物中所含的全部溶剂的重量的40～90重量％，更优选为50～90重量％，进一步优选为65～85重量％。

本发明的嵌段共聚物如上所述，可以用作发光元件的发光材料、空穴传输材料及电子传输材料，为了对得到的发光元件的特性进行改性，可以根据需要添加其它的发光材料、空穴传输材料及电子传输材料中的至少1种。

作为上述嵌段共聚物以外的发光材料，例如可举出低分子荧光材料，作为其具体例，可举出：萘衍生物、蒽、蒽衍生物、苝、苝衍生物、聚甲炔系色素、呫吨系色素、香豆素系色素、菁系色素等色素类；将8-羟基喹啉作为配位基的金属络合物、将8-羟基喹啉衍生物作为配位基的金属络合物、其它荧光性金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯、四苯基环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯、四苯基丁二烯衍生物、茋系、含硅芳香族系、噁唑系、N-氧化噁二唑系、噻唑系、四芳基甲烷系、噻二唑系、吡唑系、间环芳系、乙炔系等低分子化合物的荧光性材料。具体而言，例如可举出：日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报等中记载的发光材料等公知的发光材料。这些发光材料可以单独使用也可以并用两种以上。

作为上述嵌段共聚物以外的空穴传输材料，例如可举出：聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等。这些空穴传输材料可以单独使用，也可以并用2种以上。

作为所述嵌段共聚物以外的电子传输材料，例如可举出：噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。这些电子传输材料可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

除所述嵌段共聚物、溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料、及所述嵌段共聚物以外的电子传输材料以外，本发明的组合物还可以根据需要含有稳定剂、用于调节粘度和/或表面张力的添加剂、抗氧化剂等。这些任意成分分别可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

作为本发明的组合物可以含有的稳定剂，例如可举出：酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。

作为本发明的组合物可以含有的用于调节粘度和/或表面张力的添加剂，例如可举出：用于增大粘度的高分子量化合物(增稠剂)或不良溶剂、用于减小粘度的低分子量化合物、用于减小表面张力的表面活性剂、及它们的组合。

作为所述高分子量化合物，为不损坏发光及电荷传输的化合物即可，该组合物包含溶剂时，通常为可溶于该溶剂的化合物。作为高分子量的化合物，例如可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等。所述高分子量化合物的利用聚苯乙烯换算的重均分子量为50万以上，更优选为100万以上。另外，可以使用不良溶剂作为增稠剂。

作为本发明的组合物可以含有的抗氧化剂，为不阻碍发光及电荷传输的抗氧化剂即可，该组合物包含溶剂时，通常为可溶于该溶剂的抗氧化剂。作为抗氧化剂，可例示酚系抗氧剂、磷系抗氧化剂等。通过使用抗氧化剂，可以改善所述嵌段共聚物、溶剂的保存稳定性。

在本说明书中，所谓“液态组合物”，是指包含所述嵌段共聚物和溶剂的、在元件制作时为液态的组合物，典型的是指在常压(即1个气压)、25℃下为液态的组合物。液态组合物有时通常称为油墨、油墨组合物、溶液等。本发明的液态组合物对高分子发光元件等发光元件及有机晶体管的制作是有用的。

在制作高分子发光元件时，使用该液态组合物成膜时，涂敷该液态组合物后，通过干燥除去溶剂即可，并且，在混合所述发光材料、空穴传输材料、电荷传输材料时，也可以使用相同的方法，因此，在制造上是非常有利的。这里，在干燥时，可以在升温至50～150℃左右的状态下进行干燥，也可以在减压至10^-3Pa左右的状态下进行干燥。

作为使用液态组合物的成膜方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成或多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等印刷法。

液态组合物的粘度根据印刷法而不同，优选在25℃下为0.5～500mPa·s的范围，在喷墨印刷法等液态组合物经过喷出装置时，为了防止喷出时的孔堵塞或飞行弯曲，粘度优选在25℃下为0.5～20mPa·s的范围。

本发明的组合物中的本发明的嵌段共聚物的比例相对于该组合物的总重量，通常为1重量％～98重量％，优选为10重量％～95重量％，进一步优选为20重量％～90重量％。

本发明的组合物含有溶剂时，该组合物中的溶剂的比例相对于该组合物的总重量通常为1重量％～99.9重量％，优选为60重量％～99.9重量％，进一步优选为90重量％～99.8重量％。

本发明的组合物在含有本发明的嵌段共聚物以外的发光材料时，该组合物中的该发光材料的比例相对于该组合物的总重量通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。

本发明的组合物在含有本发明的嵌段共聚物以外的空穴传输材料时，该组合物中的该空穴传输材料的比例相对于该组合物的总重量通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。

本发明的组合物在含有本发明的嵌段共聚物以外的电子传输材料时，该组合物中的该电子传输材料的比例相对于该组合物的总重量通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。

在本发明的组合物中，本发明的嵌段共聚物的比例和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或它们中2种以上的组合的比例和根据需要添加的上述其它任意成分的比例的总和相对于该组合物的总重量为100重量％。

<用途>

本发明的嵌段共聚物不仅可以用作发光材料，而且可以用作薄膜、有机半导体材料、有机晶体管、光学材料、太阳电池或通过残杂用于导电性材料。

对本发明的薄膜进行说明。该薄膜是使用所述嵌段共聚物而成的薄膜。作为薄膜的种类，可例示发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜等。

本发明的发光性薄膜含有本发明的嵌段共聚物。该发光性薄膜还可以进一步含有所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或它们中2种以上的组合。这些发光材料、空穴传输材料及电子传输材料的例子如上所述。从元件的亮度及发光电压等的观点考虑，发光性薄膜优选发光的量子效率为50％以上，更优选为60％以上，进一步优选为70％以上。

导电性薄膜优选表面电阻为1KΩ/□以下。通过在薄膜中掺杂路易斯酸、离子性化合物等，可以提高导电率。表面电阻更优选为100Ω/□以下，进一步优选为10Ω/□以下。

对于有机半导体薄膜，电子迁移率或空穴迁移率中的任一较大的一方优选为10^-5cm²/V秒以上，更优选为10^-3cm²/V秒以上，进一步优选为10^-1cm²/V秒以上。另外，可以使用有机半导体薄膜制作有机晶体管。具体而言，可以通过在形成有SiO₂等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成有机半导体薄膜、用Au等形成源电极和漏电极，由此形成有机晶体管。

下面对作为有机晶体管的一个方式的高分子场效应晶体管进行说明。

本发明的嵌段共聚物可以优选用作高分子场效应晶体管的材料特别是活性层。作为高分子场效应晶体管的结构，通常，以源电极及漏电极连接在包含高分子的活性层上的方式设置、进而以夹持连接在活性层上的绝缘层的方式设置栅电极即可。

高分子场效应晶体管通常形成于支撑基板上。作为支撑基板，只要不阻碍作为场效应晶体管的特性，材质就没有特别限定，除了Si基板以外，还可以使用玻璃基板、柔性薄膜基板或塑料基板。

高分子场效应晶体管可以通过公知的方法例如日本特开平5-110069号公报中记载的方法制造。

形成活性层时，使用本发明的嵌段共聚物溶解于溶剂中而形成的溶液在制造上是非常有利的，因此优选。作为利用溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成或多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等印刷法。

优选制作高分子场效应晶体管后进行密封而成的密封高分子场效应晶体管。由此，高分子场效应晶体管与大气隔绝，可以抑制高分子场效应晶体管的特性降低。

作为密封的方法，可举出：用紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂或无机SiONx膜等覆盖的方法；用UV固化树脂、热固化树脂等将玻璃板或薄膜粘起来的方法等。为了有效地与大气隔绝，优选从制作高分子场效应晶体管后到进行密封的工序在不暴露在大气中(例如在干燥的氮气氛围中、真空中等)的情况下进行。

以下对有机太阳电池进行说明。用作为有机太阳电池的一个方式的有机光电转换元件说明利用光电效应的固体光电转换元件。

本发明的嵌段共聚物可以优选用作有机光电转换元件的材料、特别是利用了有机半导体和金属的界面的肖特基势垒型元件的有机半导体层、或者利用有机半导体和无机半导体或者有机半导体之间的界面的pn异质结型元件的有机半导体层。

并且可以优选用作使给电子体-受电子体的接触面积增大的本体异质结(bulk hetero juncton)型元件的给电子性高分子、受电子性高分子、或使用了高分子·低分子复合体系的有机光电转换元件例如分散有富勒烯衍生物作为受电子体的本体异质结型有机光电转换元件的给电子性共轭系高分子(分散支撑体)。

作为有机光电转换元件的结构，例如对于pn异质结型元件，在欧姆性电极例如ITO上形成p型半导体层，进而层叠n型半导体层，在其上设置欧姆性电极即可。

有机光电转换元件通常形成于支撑基板上。作为支撑基板，只要为不阻碍作为有机光电转换元件的特性的材质就没有特别限定，除了Si基板以外，还可以使用玻璃基板、柔性薄膜基板或塑料基板。

有机光电转换元件可以通过公知的方法例如Synth.Met.，102，982(1999)中记载的方法或Science，270，1789(1995)中记载的方法来制造。

以下对本发明的高分子发光元件进行说明。

本发明的高分子发光元件具有阳极、阴极、和包含所述嵌段共聚物且设置在该阳极和该阴极之间的有机层。所述有机层可以进一步包含所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或它们中2种以上的组合。这些发光材料、空穴传输材料及电子传输材料的例子如上所述。本发明的高分子发光元件中，所述有机层优选为发光层。

另外，作为本发明的高分子发光元件，可举出：(1)在阴极和发光层之间设置有电子传输层的高分子发光元件、(2)在阳极和发光层之间设置有空穴传输层的高分子发光元件、(3)在阴极和发光层之间设置有电子传输层且在阳极和发光层之间设置有空穴传输层的高分子发光元件等。

更具体而言，可例示以下a)～d)的结构。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴传输层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子传输层/阴极

d)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极

(这里，/表示各层邻接而层叠。以下相同。)

这里，所谓发光层，是具有发光功能的层，所谓空穴传输层，是具有传输空穴的功能的层，所谓电子传输层，是具有传输电子的功能的层。这里，将电子传输层和空穴传输层统称为电荷传输层。发光层、空穴传输层、电子传输层可以独立地使用2层以上。

另外，有时将邻接发光层的空穴传输层称为夹层。

发光层的成膜方法没有限定，可例示利用由溶液成膜的方法。

作为利用溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成或多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等印刷法。

在制作高分子发光元件时，通过使用本发明的嵌段共聚物，利用溶液成膜时，涂布该溶液后，通过干燥除去溶剂即可，并且，在混合所述发光材料、空穴传输材料、电荷传输材料时，也可以使用相同的方法，因此，在制造上是非常有利的。

作为发光层的膜厚，根据所使用的材料的不同，最适合的值不同，以驱动电压和发光效率为适当的值的方式进行选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

在本发明的高分子发光元件中，可以在发光层中混合所述嵌段共聚物以外的发光材料使用。另外，在本申请发明的高分子发光元件中，包含所述嵌段共聚物以外的发光材料的发光层还可以与包含所述嵌段共聚物的发光层层叠。

作为所述嵌段共聚物以外的发光材料，可以使用公知的发光材料。作为低分子化合物，例如可以使用萘衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、聚甲炔系、呫吨系、香豆素系、菁系等色素类；8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物等。具体而言，例如可举出：日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报等中记载的发光材料等公知的发光材料。

本发明的高分子发光元件具有空穴传输层时，作为所使用的空穴传输材料，可例示：聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等。具体而言，作为该空穴传输材料，可例示日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中记载的材料等。

其中，作为空穴传输层中使用的空穴传输材料，优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等高分子空穴传输材料，更优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。为低分子空穴传输材料时，优选分散在高分子粘合剂中使用。

聚乙烯基咔唑及其衍生物例如可以由乙烯基单体进行阳离子聚合或自由基聚合而得到。

作为聚硅烷及其衍生物，可例示Chem.Rev.第89卷、1359页(1989年)、英国特许GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也可以使用这些中记载的方法，特别优选使用Kipping法。

聚硅氧烷衍生物的硅氧烷骨架结构几乎不具有空穴传输性，因此，优选使用在侧链或主链具有上述低分子空穴传输材料的结构的材料。特别可例示在侧链或主链具有空穴传输性的芳香族胺的材料。

空穴传输层的成膜方法没有限定，为低分子空穴传输材料时，可例示由与高分子粘合剂的混合溶液成膜的方法。另外，为高分子空穴传输材料时，可例示利用溶液成膜的方法。

作为利用溶液成膜时使用的溶剂，只要是可以溶解空穴传输材料的溶剂就没有特别限定。作为该溶剂，可例示：氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。

作为利用溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成及多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等印刷法。

作为混合的高分子粘合剂，优选不极度阻碍电荷传输的粘合剂，并且优选使用对可见光的吸收强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可例示：聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

作为空穴传输层的膜厚，根据所使用的材料的不同，最适合的值也不同，以驱动电压和发光效率成为适当的值的方式进行选择即可，至少需要为不产生针孔的厚度，过厚时，元件的驱动电压变高，不优选。因此，作为该空穴传输层的膜厚，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

本发明的高分子发光元件具有电子传输层时，作为所使用的电子传输材料，可以使用公知的材料，可例示：噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。具体而言，可例示：日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中记载的材料等。

其中，进一步优选噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。

作为电子传输层的成膜法，没有特别限定，为低分子电子传输材料时，可例示利用粉末的真空蒸镀法、利用溶液或熔融状态的材料成膜的方法；为高分子电子传输材料时，可例示利用溶液或熔融状态的材料成膜的方法。利用溶液或熔融状态的材料成膜时，可以并用高分子粘合剂。

作为利用溶液成膜时使用的溶剂，只要是使电子传输材料和/或高分子粘合剂溶解的溶剂就没有特别限定。作为该溶剂，氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。

作为利用溶液或熔融状态的材料成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成或多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等印刷法。

作为混合的高分子粘合剂，优选不极度阻碍电荷传输的粘合剂，并且优选使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可例示：聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲基酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

作为电子传输层的膜厚，根据所使用的材料的不同，最合适的值也不同，以驱动电压和发光效率为合适的值的方式选择即可，至少需要为不产生针孔的厚度，过厚时，元件的驱动电压变高，不优选。因此，作为该电子传输层的膜厚，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

另外，邻接电极设置的电荷传输层中，具有改善从电极注入电荷的效率的功能、且具有降低元件的驱动电压的效果的层有时通常被特别称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。

为了进一步提高与电极的密合性及改善从电极注入电荷的效率，可以邻接电极设置所述电荷注入层或绝缘层，另外，为了提高界面密合性及防止混合等，可以在电荷传输层或发光层的界面插入薄的缓冲层。

对于层叠的层的顺序及数目、及各层的厚度，考虑发光效率及元件寿命进行适当选择即可。

在本发明中，作为设置有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高分子发光元件，可举出：邻接阴极及阳极的任何一方或两方设置电荷注入层的高分子发光元件。

例如，具体可举出以下e)～p)的结构。

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/阴极

i)阳极/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷传输层/阴极

l)阳极/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷传输层/阴极

o)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

作为电荷注入层的具体例子，可例示：包含导电性高分子的层；设置在阳极和空穴传输层之间，包含具有阳极材料和空穴传输层所含的空穴传输材料的中间值的离子化电势的材料的层；设置在阴极和电子传输层之间，包含具有阴极材料和电子传输层所含的电子传输材料的中间值的电子亲和力的材料的层等。

上述电荷注入层为包含导电性高分子的层时，该导电性高分子的导电率优选为10^-5S/cm以上10³S/cm以下，为了减小发光像素间的漏电流，更优选为10^-5S/cm以上10²S/cm以下，进一步优选为10^-5S/cm以上10¹S/cm以下。通常，为了使该导电性高分子的导电率在10^-5S/cm以上10³S/cm以下，在该导电性高分子中掺杂适量的离子。

对于掺杂的离子的种类，如果为空穴注入层，则为阴离子，如果为电子注入层，则为阳离子。作为阴离子的例子，可举出：聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可举出：锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。

电荷注入层的膜厚例如为1nm～100nm，优选为2nm～50nm。

电荷注入层所使用的材料根据与电极或邻接的层的材料的关系适当选择即可，可例示：聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链含有芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。

绝缘层是具有使电荷注入更容易的功能的层。该绝缘层的平均厚度通常为0.1～20nm，优选为0.5～10nm，更优选为1～5nm。作为绝缘层的材料，可举出：金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置有绝缘层的高分子发光元件，可举出：邻接阴极及阳极的任一方或两方设置绝缘层的高分子发光元件。

具体而言，例如可举出：以下q)～ab)的结构。

q)阳极/绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/绝缘层/阴极

s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极

t)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/阴极

u)阳极/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极

v)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极

w)阳极/绝缘层/发光层/电荷传输层/阴极

x)阳极/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

y)阳极/绝缘层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

z)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极

aa)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

ab)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

形成本发明的高分子发光元件的基板为在形成电极及有机物的层时不发生变化的基板即可，例如可例示：玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等基板。为不透明基板时，优选与更靠近该基板的电极相反一侧的电极为透明或半透明。

本发明中，通常，优选包含阳极及阴极的电极的至少一方为透明或半透明，且阳极侧为透明或半透明。

作为阳极的材料，使用导电性金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。具体而言，使用用包含氧化铟、氧化锌、氧化锡及它们的复合体即铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物等的导电性玻璃制成的膜(NESA等)及、金、铂、银、铜等，优选ITO、铟锌氧化物、氧化锡。作为制作方法，可举出：真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、电镀法等。另外，作为该阳极，可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机透明导电膜。

阳极的膜厚可以根据透光性和导电率适当选择，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。

另外，为了容易地注入电荷，可以在阳极上设置包含酞菁衍生物、导电性高分子、碳等的层，或包含金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层。

作为阴极材料，优选功函数小的材料，例如使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属；及它们中2种以上的合金；或它们中1种以上和金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金；石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可举出：镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。可以使阴极为2层以上的层叠结构。

阴极的膜厚可以根据导电率或耐久性适当选择，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。

作为阴极的制作方法，使用真空蒸镀法、溅射法、或热压接金属薄膜的层压法等。另外，可以在阴极和有机层之间设置包含导电性高分子的层，或包含金属氧化物、金属氟化物或有机绝缘材料等的层，在制作阴极后，可以安装保护该高分子发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该高分子发光元件，优选安装用于保护元件不受外部影响的保护层和/或保护罩。

作为该保护层，可以使用树脂、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。另外，作为保护罩，可以使用玻璃板、表面实施了低透水率处理的塑料板等，优选使用通过热固化树脂或光固化树脂使该罩与元件基板粘贴进行密闭的方法。使用间隔件来维持空间时，可较容易地防止元件受损。在该空间封入氮气或氩气这样的惰性气体时，可以防止阴极氧化，并且，通过进一步在该空间内设置氧化钡等干燥剂，可容易地抑制制造工序中吸附的水分损坏元件。其中，优选采取任意一种以上的对策。

本发明的高分子发光元件可以用于面状光源、分段显示装置、点阵显示装置、液晶显示装置(例如背光灯等)等显示装置等。

为了使用本发明的高分子发光元件得到面状的发光，以面状的阳极和阴极重合的方式进行配置即可。另外，为了得到图案状的发光，有以下方法：在所述面状发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩膜的方法；极厚地形成非发光部的有机层，使其基本上不发光的方法；使阳极或阴极的任一个或两个电极形成图案状的方法。通过用它们中的任一个方法形成图案，并以可以独立地ON/OFF几个电极的方式进行配置，可以得到能显示数字、文字、简单的符号等的分段型显示元件。进一步，为了形成点阵元件，以阳极和阴极均形成条纹状并垂直相交的方式进行配置即可。采用分开涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法、或使用滤光片或荧光转换滤光片的方法，可以进行部分颜色显示、多色显示。点阵元件可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示元件可以用作计算机、电视、便携式终端、手机、汽车导航仪、摄影机的取景器等的显示装置。

进一步，所述面状发光元件为自发光薄型，可以优选用作液晶显示器的背光灯用面状光源、或面状照明用光源。另外，使用柔性基板时，还可以用作曲面状光源或显示装置。

实施例

以下列举实施例及比较例对本发明进行更详细的说明，本发明并不受这些实施例的限定。

(实施例1)高分子化合物<P-1>的合成(式(I)表示的重复单元的总含有率：相对于总重复单元为2.5摩尔％)

在惰性氛围下，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环(dioxaborolane)-2-基)-9，9-二己基芴(0.68g)、4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑(0.40g)、4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.88g)、4，7-双(5-溴-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.02g)、二氯双(三苯基膦)钯(3.3mg)、Aliquat336(0.20g，Aldrich制)、甲苯(16mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(5mL)，回流4小时。这时的利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1.4×10⁴。冷却至70℃后，向反应液中混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二己基芴(1.62g)、2，7-二溴-9，9-二己基芴(0.72g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.89g)、二氯双(三苯基膦)钯(7.1mg)、Aliquat336(0.44g，Aldrich制)、甲苯(35mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(9mL)，回流7小时。反应后，添加苯基硼酸(0.05g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水(100mL)洗涤3次，用3重量％醋酸水溶液(100mL)洗涤3次，用水(100mL)洗涤3次，使其通过氧化铝柱、硅胶柱，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.5L)中，搅拌1小时后，过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物<P-1>的产量为2.31g。

高分子化合物<P-1>的利用聚苯乙烯换算的数均分子量为3.9×10⁴，利用聚苯乙烯换算的重均分子量8.7×10⁴。

这里，4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑根据US3577427记载的方法合成，4，7-双(5-溴-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑及4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑根据WO00/046321记载的方法合成，双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺根据WO02/045184记载的方法合成。

(实施例2)高分子化合物<P-2>的合成(式(I)表示的重复单元的总含有率：相对于总重复单元为6摩尔％)

在惰性氛围下，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二己基芴(0.72g)、4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑(0.33g)、4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.18g)、4，7-双(5-溴-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.08g)、二氯双(三苯基膦)钯(3.5mg)、Aliquat336(0.22g，Aldrich制)、甲苯(17mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(5mL)，回流2小时。这时的利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1.8×10⁴。冷却至70℃后，向反应液中混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二己基芴(1.43g)、2，7-二溴-9，9-二己基芴(0.62g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.73g)、二氯双(三苯基膦)钯(6.0mg)、Aliquat336(0.37g，Aldrich制)、甲苯(30mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(8mL)，回流5小时。反应后，添加苯基硼酸(0.05g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水(100mL)洗涤2次，用3重量％醋酸水溶液(100mL)洗涤2次，用水(100mL)洗涤2次，使其通过氧化铝柱、硅胶柱，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.5L)中，搅拌1小时后，过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物<P-2>的产量为2.24g。

高分子化合物<P-2>的利用聚苯乙烯换算的数均分子量为1.0×10⁵，利用聚苯乙烯换算的重均分子量为2.7×10⁵。

(比较例1)高分子化合物<P-3>的合成

在惰性氛围下，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二己基芴(1.90g)、4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑(0.29g)、4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.08g)、4，7-双(5-溴-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.02g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.55g)、2，7-二溴-9，9-二己基芴(0.79g)、二氯双(三苯基膦)钯(8.4mg)、Aliquat336(0.52g，Aldrich制)、甲苯(40mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(11mL)，回流4小时。这时的利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1.6×10⁴。反应后，添加苯基硼酸(0.05g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水(100mL)洗涤2次，用3重量％醋酸水溶液(100mL)洗涤2次，用水(100mL)洗涤2次，使其通过氧化铝柱、硅胶柱，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1L)中，搅拌1小时后，过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物<P-3>的产量为1.76g。

高分子化合物<P-3>的利用聚苯乙烯换算的数均分子量为5.9×10⁴，利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1.2×10⁵。

(合成例1)高分子化合物<P-4>的合成

在惰性氛围下，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二辛基芴(5.20g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.14g)、醋酸钯(2.2mg)、三(2-甲基苯基)膦(15.1mg)、Aliquat336(0.91g，Aldrich制)、甲苯(70mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(19mL)，回流4小时。反应后，添加苯基硼酸(121mg)，再回流3小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌4小时。冷却后，用水(60mL)洗涤3次，用3重量％醋酸水溶液(60mL)洗涤3次，用水(60mL)洗涤3次，使其通过氧化铝柱、硅胶柱，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(3L)中，搅拌3小时后，过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物<P-4>的产量为5.25g。

高分子化合物<P-4>的利用聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×10⁵，利用聚苯乙烯换算的重均分子量为2.6×10⁵。

(比较例2)高分子化合物<P-5>的合成

在惰性氛围下，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二己基芴(0.77g)、4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑(0.44g)、4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩基)-2，1，3-苯并噻二唑(0.15g)、二氯双(三苯基膦)钯(3.8mg)、Aliquat336(0.25g，Aldrich制)、甲苯(25mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(5mL)，回流2小时。这时的利用聚苯乙烯换算的重均分子量为7.2×10³。冷却至70℃后，向反应液中混合2，7-双(1，3，2-二氧硼戊环-2-基)-9，9-二己基芴(2.09g)、2，7-二溴-9，9-二己基芴(1.18g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.83g)、二氯双(三苯基膦)钯(8.8mg)、Aliquat336(0.55g，Aldrich制)、甲苯(45mL)，加热至105℃。向该反应液中滴加2M Na₂CO₃水溶液(11.4mL)，回流1小时。反应后，添加苯基硼酸(0.07g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水(80mL)洗涤2次，用3重量％醋酸水溶液(80mL)洗涤2次，用水(80mL)洗涤2次，使其通过氧化铝柱、硅胶柱，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.0L)中，搅拌1小时后，过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物<P-5>的产量为2.76g。

高分子化合物<P-5>的利用聚苯乙烯换算的数均分子量为8.8×10⁴，利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1.9×10⁵。

[场致发光(EL)元件的制作和评价]

(实施例3)

·发光元件的制作

通过溅射法以150nm的厚度在带ITO膜的玻璃基板上承载聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，商品名：BaytronP)的悬浮液，通过旋涂法成膜，形成约65nm的厚度，在热板上，在200℃下干燥15分钟。然后，使高分子化合物<P-4>以0.5重量％的浓度溶解在混合二甲苯中，将得到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，通过旋涂法成膜后，在氧浓度及水分浓度10ppm以下(重量基准)的氮气氛围下，在180℃下干燥15分钟。然后，使高分子化合物<P-1>以1.7重量％的浓度溶解在混合二甲苯中，将得到的二甲苯溶液承载在高分子化合物<P-4>的膜上，通过旋涂法成膜，形成约100nm的厚度。然后，在氧浓度及水分浓度10ppm以下(重量基准)的氮气氛围下，在130℃下干燥1小时。减压至1.0×10^-4Pa以下后，作为阴极，在高分子化合物<P-1>的膜上蒸镀约5nm钙，然后在钙层上蒸镀约80nm铝。蒸镀后，通过使用玻璃基板进行密封，制作高分子发光元件。元件构成如下所述。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物<P-4>(10nm)/高分子化合物<P-1>(约100nm)/Ca/Al

·EL元件的性能

对得到的高分子发光元件施加6.0V电压时，发出发光波长的峰顶为645nm的荧光，这时的亮度为1640cd/m²。初始亮度1000cd/m²的亮度减少10％的寿命为0.79小时。并且，发光效率显示出3.0V的最大值，为2.43cd/A的高效率。

(实施例4)

·发光元件的制作

在实施例3中，代替高分子化合物<P-1>，使用高分子化合物<P-2>，除此以外，与实施例3同样操作，制作高分子发光元件。元件构成如下所述。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物<P-4>(10nm)/高分子化合物<P-2>(约100nm)/Ca/Al

·EL元件的性能

对得到的高分子发光元件施加6.0V电压时，得到发光波长的峰顶为665nm的长波长光。初始亮度1000cd/m²的亮度减少10％的寿命为79.97小时，寿命非常长。

(比较例3)

·发光元件的制作

在实施例3中，代替高分子化合物<P-1>，使用高分子化合物<P-3>，除此以外，与实施例3同样操作，制作高分子发光元件。元件构成如下所述。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物<P-4>(10nm)/高分子化合物<P-3>(约100nm)/Ca/Al

·EL元件的性能

对得到的高分子发光元件施加6.0V电压时，得到发光波长的峰顶为645nm的荧光，这时的亮度为416cd/m²。初始亮度1000cd/m²的亮度减少10％的寿命为0.06小时，寿命非常短。并且，发光效率显示出3.4V的最大值，为2.18cd/A。

产业实用性

如以上所说明，根据本发明，可以提供在用作发光元件的材料时，能制造寿命长的发光元件的嵌段共聚物、以及使用其的组合物、液态组合物、发光性薄膜及高分子发光元件。

本发明的嵌段共聚物可以用作发光元件的发光材料、空穴传输材料及电子传输材料，包含本发明的嵌段共聚物的发光元件可以用于液晶显示器的背光灯或照明用的曲面状或平面状光源等。

Claims

1、一种嵌段共聚物，其特征在于，包含：

嵌段(A)，其含有下述式(I)所示的2种以上不同的重复单元及下述式(II)所示的重复单元；和

嵌段(B)，其含有下述式(II)所示的重复单元及下述式(III)所示的重复单元，

式(I)中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅及R₆独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

m及n独立地表示1～3的整数，

X₁、X₂及X₃独立地表示氧原子、硫原子或-C(R₇)＝C(R₈)-，其中，R₇及R₈独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

其中，R₁、R₂、R₅、R₆、X₁及X₃中的至少一种存在多个时，该存在多个的原子或基团相同或不同，

-Ar₁-(II)

式(II)中，Ar₁表示亚芳基，

-Ar₂-(III)

式(III)中，Ar₂表示2价芳香族胺残基。

2、根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中，

在所述式(I)中，X₁、X₂及X₃为硫原子。

3、根据权利要求1或2所述的嵌段共聚物，其中，

在所述式(II)中，Ar₁为下述式(IV)所示的基团，

式(IV)中，R₉及R₁₀独立地表示卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

a及b独立地表示0～3的整数，

其中，R₉及R₁₀中的至少一种存在多个时，该存在多个的原子或基团相同或不同，

R₁₁及R₁₂独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。

4、根据权利要求1～3中任一项所述的嵌段共聚物，其中，

在所述式(III)中，Ar₂为下述式(V)所示的基团，

式(V)中，R₁₃～R₃₈独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，

o及p独立地表示0或1，

C1～C6分别表示被配置的碳原子的位置，

其中，R₁₄和R₁₆、R₁₅和R₂₁、R₂₈和R₃₆及R₃₃和R₃₄的组合中的至少一个组合可以不表示所述原子或基团，成为一体而形成单键或由式：-O-或式：-S-表示的2价基团，

R₁₇和R₂₅的组合可以不表示所述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C1位、C2位、C4位及C5位的碳原子一起形成环，

R₁₈和R₂₇的组合可以不表示所述原子或基团，成为一体而形成单键或2价基团，从而与C2位、C3位、C5位及C6位的碳原子一起形成环。

5、根据权利要求1～4中任一项所述的嵌段共聚物，其中，

所述式(I)所示的2种以上不同的重复单元的总含有率相对于嵌段共聚物中的总重复单元为3摩尔％以上且40摩尔％以下。

6、根据权利要求1～5中任一项所述的嵌段共聚物，其中，

利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10³～1×10⁷。

7、根据权利要求1～6中任一项所述的嵌段共聚物，其中，

嵌段(A)的利用聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10³～1×10⁵。

8、根据权利要求1～7中任一项所述的嵌段共聚物，其中，

[A]/[B]为0.1以上且10以下，所述式[A]/[B]中，[A]表示相对于嵌段(A)及嵌段(B)的总和的嵌段(A)的摩尔分率，[B]表示相对于嵌段(A)及嵌段(B)的总和的嵌段(B)的摩尔分率。

9、一种组合物，其中，含有：

权利要求1～8中任一项所述的嵌段共聚物；和

溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或者它们中2种以上的组合。

10、根据权利要求9所述的组合物，其中，

含有至少2种所述嵌段共聚物。

11、一种发光性薄膜，其特征在于，

含有权利要求1～8中任一项所述的嵌段共聚物。

12、根据权利要求11所述的发光性薄膜，其中，

还含有：所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或者它们中2种以上的组合。

13、一种高分子发光元件，其特征在于，具有：

阳极；

阴极；和

包含权利要求1～8中任一项所述的嵌段共聚物且设置在所述阳极和所述阴极之间的有机层。

14、根据权利要求13所述的高分子发光元件，其中，

所述有机层中还包含：所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴传输材料或者所述嵌段共聚物以外的电子传输材料或者它们中2种以上的组合。

15、根据权利要求13或14所述的高分子发光元件，其中，

所述有机层为发光层。