CN101595556A - 半导体装置及其制造方法、拾光模块 - Google Patents

半导体装置及其制造方法、拾光模块 Download PDF

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CN101595556A
CN101595556A CNA2008800034250A CN200880003425A CN101595556A CN 101595556 A CN101595556 A CN 101595556A CN A2008800034250 A CNA2008800034250 A CN A2008800034250A CN 200880003425 A CN200880003425 A CN 200880003425A CN 101595556 A CN101595556 A CN 101595556A
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semiconductor device
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semiconductor element
manufacture method
jut
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CNA2008800034250A
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古屋敷纯也
森部省三
宇辰博喜
吉川则之
福田敏行
南尾匡纪
石田裕之
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法、拾光模块。准备是一平板且设置有连接电极(75)、内部布线(76)以及外部连接部(77)的基板用原板(130)。切削该基板用原板的相邻连接电极之间的部分，形成槽(55)。将多个半导体元件(10)装载到该槽中，用金属细线(22)连接电极垫(20)和连接电极，将透明盖体(90)放在并粘接在隔离件(80’)上，以覆盖各个半导体元件的上方。之后，将在相邻的槽之间排成两列的连接电极的列间切断而分开。最后在相邻的半导体元件之间进行切割而分开。本发明提供了一种高效地制造整体大小能够更小，特别是封装体的近似矩形的四条边中相向的一对边的长度能够更短的半导体装置的方法。

Description

半导体装置及其制造方法、拾光模块
技术领域
[0001]本发明涉及一种半导体装置及其制造方法、拾光模块。
背景技术
[0002]现今，在读取DVD等光盘中的信号的光盘驱动装置中装载有拾光模块。在该拾光模块中，射出用于读取的光的半导体激光元件和接收从光盘反射回来的反射光的光检测器布置在同一个底座上。
[0003]如专利文献1所公开的那样，在光盘驱动装置中，拾光模块布置在光盘的光学记录面之下，且沿着光盘的半径方向移动。因此，为使光盘驱动装置小型化，必须使拾光模块小型化。为使拾光模块小型化，就需要使光检测器小型化。
[0004]例如，在专利文献2中公开了一种使收放固体摄像元件的壳体小型化，从而使光检测器小型化的固体摄像装置的制造方法。具体而言，在该方法下，使由基板部和矩形框状突起部形成的框体与多个金属导片一起树脂成形为一体，再由各个金属导片形成内部端子部和外部端子部，将摄像元件固定在框体的内部空间内的基板部上，将摄像元件的电极和各个金属导片的内部端子部一对一地连接起来，将透光板接合到突起部的上端面上。此时，为决定透光板的位置，在突起部的上端面沿着内周设置低一些的低部形成台阶部，透光板的大小为在形成在突起部的台阶部的内壁的内侧区域内能够放置在低部的上表面那么大，在将透光板接合到突起部的上端面之际，将粘接剂填充到低部上表面之后，边利用台阶部的内壁限定透光板的位置，边将透光板放置接合到低部上表面的粘接剂上，最后再除去突起部的位于台阶部外侧的部分。
专利文献1：日本公开特许公报特开2001-56950号公报
专利文献2：日本公开特许公报特开2005-64292号公报
专利文献3：日本公开特许公报特开2005-79537号公报
专利文献4：日本公开特许公报特开2002-164524号公报
专利文献5：日本公开特许公报特开2000-106377号公报
-发明要解决的技术问题-
[0005]但是，如图31所示，在专利文献2所公开的固体摄像装置中，在放置有摄像元件205的基板部202的外缘部分设置有矩形框状的突起部203，但突起部203的矩形的四条边的宽度都一样宽。这就限制了小型化。专利文献3中所公开的固体摄像装置也存在同样的问题。其中之一制造方法如下：将引线框放置在下，一体树脂成形，制作出多个框体连接在一起的原板以后，再装载上固体摄像元件。然而，该制造方法存在以下缺点：必须制作高价的封装模具，与引线框一体树脂成形，由此形成突起部；在利用模具树脂成形突起部的情况下，要想在模具内树脂成形后，再将产品取出，就需要在突起部侧面形成一个5-15°的微小的拔模斜度，因此不可能垂直地形成突起部；因为用模具树脂成形，所以是不能够轻易地改变对突起部的形状的设计。
发明内容
[0006]本发明正是为解决上述技术问题而研发出来的。其目的在于：提供一种高效地制造整体大小能够小型化，特别是封装体的近似矩形的四条边中相向的一对边的长度能够小一些的半导体装置的方法。
-用以解决技术问题的技术方案-
[0007]为解决上述技术问题，本发明在包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体的半导体装置中的封装体的结构上做了改进。
[0008]具体而言，本发明中的半导体装置的制造方法包括：步骤A，在平板状的基板用原板上形成相互平行的多个槽，形成形状是多个封装体连接在一起的封装体集合基板，步骤B，在多个所述槽中的各个槽中沿着该槽的延伸方向装载多个半导体元件，以及步骤C，从相邻的两个所述槽之间将封装体集合基板切开。
[0009]优选在步骤A中同时形成两个以上的所述槽。
[0010]在步骤A中，可以机械地挖掘所述基板用原板以形成所述槽，也可以利用激光挖掘所述基板用原板以形成所述槽。
[0011]在某一优选实施方式中，所述封装体集合基板具有在相邻的所述槽之间沿着该槽排列成两列的多个连接电极，在步骤B中，用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来，在步骤C中，从所述连接电极的所述两列的列间切断。
[0012]可以进一步包括：在所述连接电极的所述两列的列间设置沿着所述槽延伸的垄状部件的步骤。这里的垄状部件是突出设置在槽的侧壁上表面的部件。
[0013]在某一优选实施方式中，还包括：在所述步骤B之后，跨越所述槽，将分别覆盖所述半导体元件的上方的盖体放置并粘接在所述垄状部件上的步骤。也就是说，在某一优选实施方式中，分别给每一个半导体元件准备一个盖体，该盖体跨过槽地放置并粘接在垄状部件上。优选盖体的外缘部分放置在垄状部件上。
[0014]在另一优选实施方式中，进一步包括：步骤D，将板状透明部件放在所述半导体元件上，以及封装步骤，用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来。在步骤D中，可以将一个所述透明部件放在多个所述半导体元件上。
[0015]本发明中的半导体装置包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体。该半导体装置近似长方体，该半导体装置的下面和相向的一对侧面由所述封装体构成，所述封装体具有基板部和突起部，所述基板部实质上是矩形，且包括装载所述半导体元件的装载面，所述突起部沿着所述装载面的一对相向的外缘延伸，且所述突起部各自位于所述一对相向的外缘中的一个外缘上，透明盖体透明部件放置在所述半导体元件上，所述半导体元件由封装树脂封装起来，与所述相向的一对侧面不同的另一对侧面上露出有所述基板部、所述突起部以及所述封装树脂，在该半导体装置的上表面露出有所述封装树脂和所述透明部件。这里，半导体装置近似长方体，并非严密的数学意义上的长方体，是多少一点变形或具有凹凸的长方体都属于这里所说的长方体。
[0016]可以在与所述相向的一对侧面不同的另一对侧面上进一步露出有所述透明部件。
[0017]本发明的拾光模块包括上述任一个半导体装置、激光模块以及分光镜。所述盖体由透明材料制成，装载在所述半导体装置中的半导体元件是受光元件。
[0018]优选进一步包括反射镜和物镜；优选所述拾光模块放置在光盘的信息记录面的下侧，所述突起部的延伸方向实质上与所述信息记录面垂直。
[0019]能够使所述激光模块包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置，从所述蓝紫色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且425nm以下，从所述双波长激光装置射出的光的峰值波长在630nm以上且670nm以下和760nm以上且800nm以下。射出的光的峰值波长是在射出光的光谱中强度为极大值的波长。
-发明的效果-
[0020]在本发明中的半导体装置的制造方法下，在平板状的基板用原板上形成相互平行的多个槽以形成封装体集合基板，将半导体元件装载在该槽中。因此，能够使半导体装置在所述槽的延伸方向上的长度小到大致等于半导体元件的大小那么小，从而能够高效地制造小型的半导体装置。
附图说明
[0021]图1(a)是将第一实施方式所涉及的半导体装置的一部分切去后的剖开立体图，图1(b)是从图1(a)的背面看到的图。
图2(a)到图2(g)是按时间顺序说明第一实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。
图3(a)是第一实施方式所涉及的半导体装置的盖体透明时的俯视图，图3(b)是沿图3(a)的B-B’线剖开的剖视图，图3(c)是沿图3(a)的A-A’线剖开的剖视图。图3(d)是图3(c)中的一部分的放大图。
图4(a)是第二实施方式所涉及的半导体装置的立体图，图4(b)是沿图4(a)的A-A’线剖开的剖视图。
图5(a)到图5(h)是按时间顺序说明第二实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。
图6(a)是第三实施方式所涉及的半导体装置的立体图，图6(b)是沿图6(a)的A-A’线剖开的剖视图。
图7是第二实施方式所涉及的另一半导体装置的立体图。
图8是第三实施方式所涉及的另一半导体装置的立体图。
图9是第四实施方式所涉及的半导体装置的立体图。
图10(a)到图10(g)是按时间顺序说明第四实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。
图11是第五实施方式所涉及的半导体装置的立体图。
图12(a)是将第六实施方式所涉及的半导体装置的一部分切去后的剖开立体图，图12(b)是从图12(a)的背面看到的图。
图13(a)到图13(h)是按时间顺序说明第六实施方式所涉及的封装体集合基板的制造过程的图。
图14(a)和图14(b)是说明如何利用激光形成槽的图。
图15(a)到图15(e)是按时间顺序说明第六实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。
图16(a)是第六实施方式所涉及的半导体装置的盖体透明时的俯视图，图16(b)是沿图16(a)的A-A’线剖开的剖视图，图16(c)是沿图16(a)的B-B’线剖开的剖视图。
图17(a)是第七实施方式所涉及的半导体装置的立体图，图17(b)是沿图17(a)的A-A’线剖开的剖视图。
图18(a)到图18(f)是按时间顺序说明第七实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。
图19(a)和图19(b)是第七实施方式中的已改变的半导体装置的剖视图。
图20(a)是第八实施方式所涉及的半导体装置的立体图，
图20(b)沿图20(a)的A-A’线剖开的剖视图。
图21是第六实施方式所涉及的另一半导体装置的立体图。
图22是第七实施方式所涉及的另一半导体装置的立体图。
图23(a)和图23(b)是第七实施方式所涉及的又一半导体装置的剖视图。
图24是第八实施方式所涉及的另一半导体装置的立体图。
图25是第九实施方式所涉及的半导体装置的立体图。
图26是第十实施方式所涉及的半导体装置的立体图。
图27是表示具有切口的封装体集合基板的原板的立体图。
图28是表示具有切口的封装体集合基板的立体图。
图29是第二实施方式所涉及的拾光模块的示意立体图。
图30是第二实施方式所涉及的拾光模块的示意立体图。
图31是现有的包括受光元件的半导体装置的俯视图。
-符号说明-
[0022]1，2，3，4，5-半导体装置，2’，3’-半导体装置，6，7，8，9，9’-半导体装置，6’，7’，8’-半导体装置，7a，7b，7a’，7b’-半导体装置，10-半导体元件，22-金属细线，41-第一激光装置，42-第二激光装置，43-分光镜，45-反射镜，46-物镜，47-光盘，49-激光模块，50，150-封装体，55，155-槽，60，160-基板部，62，162-装载面，64，164-非装载面，70，170-突起部，70a，170a-突起部外侧侧壁，70b，170b-突起部上表面，75，175-连接电极，76，176-内部布线，77，177-外部连接部，80，80’-隔离件(垄状部件)，80a，180a-隔离件外侧侧壁，85，185-粘接剂，90，190-盖体，90a，190a-盖体侧壁，94，94’-透明部件，96，196-封装树脂，100，101，102-封装体集合基板，103-封装体集合基板，122-金属细线，130-基板用原板，180，180’-隔离件(垄状部件)，194，194’，194a-透明部件。
具体实施方式
[0023]下面，参考附图对本发明的实施方式做详细的说明。在以下各图中，为简化说明，用同一参考符号表示实质上具有同一功能的构成要素。
[0024](第一实施方式)
-半导体装置-
在说明第一实施方式所涉及的制造方法以前，先说明用该制造方法制造出的半导体装置。
[0025]利用该实施方式所涉及的制造方法制造的半导体装置，是用集成化受光元件作半导体元件的光检测器。需提一下，既可以用光敏二极管、光敏三极管、光敏集成电路(IC)等受光元件作半导体元件，也可以用LED(半导体发光二极管)、半导体激光元件等发光元件作半导体元件。
[0026]也就是说，如图1(a)、图1(b)所示，该实施方式中的半导体装置1中，半导体元件10内装在槽的剖面形状是“U”字形的封装体50的槽中，由透明的平板状盖体90盖住。图3(a)到图3(d)也示出了该实施方式中的半导体装置1，但为便于说明，图3(a)示出的是盖体90透明的情况，盖体90未表示在该图3(a)中。同样，为便于说明，图1、图3(a)、图3(c)中也未示出固定盖体90的粘接剂85。
[0027]该实施方式中的封装体50具有：矩形的基板部60、分别沿着该矩形的一对对边中的各条边延伸的两个突起部70、70以及设置在该突起部70、70的上表面的隔离件80、80。所设置的突起部70、70，从基板部60中装载半导体元件10的矩形装载面62的相向的一对外缘部分朝着上方突出，该突起部70、70的形状是一沿着装载面62的外缘延伸的长方体。图中，对基板部60与突起部70、70的交界处未做出明确的图示，但因为突起部70、70在基板部60上，所以可以说二者的交界处就是装载面62部分。
[0028]在突起部70、70内部设置有多条内部布线(埋入布线)76、76、…。内部布线76在突起部上表面70b与连接电极75相连接，内部布线76在突起部的上表面70b的背面(非装载面64)与外部连接部77相连接。在突起部上表面70b且连接电极75的外侧设置有平行于突起部70、70延伸的隔离件80、80。隔离件80、80是从突起部上表面70b朝着上方隆起，筋状延伸的垄状部件。
[0029]在半导体元件10的一个矩形面上，在相向的一对边上分别有一列由多个电极垫20、20、…排列而成的电极垫列。设置有电极垫20、20、…的面的背面装载并用粘接剂固定在封装体50的装载面62上。把半导体元件10装载到封装体50中，做到此时由电极垫20、20、…排成的电极垫列延伸的方向与突起部70、70延伸的方向大致平行。电极垫20、20、…与突起部上表面70b的连接电极75用金属细线22连接在一起。
[0030]隔离件80、80在突起部的上表面70b位于(从半导体元件10看去)比连接电极75远离半导体元件10的位置上，且沿着突起部70、70的延伸方向延伸。盖体90放在并用粘接剂85固定在隔离件80、80上。这里，粘接剂85存在于隔离件80和盖体90之间，同时从隔离件80稍向封装体50的内部方向越出一些，但未附着在金属细线22上。也就是说，金属细线22中除了与连接电极75连接的连接部分以及与电极垫20连接的连接部分以外，都露出在大气中，处于裸露状态。这一点与专利文献4中所公开的技术不同。
[0031]专利文献4中所公开的技术存在以下问题：因为没有隔离件，所以无法正确地确定盖体在高度方向上的位置，因而盖体的平行性不良；在金属细线中被埋入粘接剂里的部分和暴露在空气中的部分的交界处，金属细线会由于粘接剂与金属的膨胀系数之差而断裂。该实施方式中不存在上述问题。专利文献4所涉及的半导体装置，因为在粘接透光性盖体之际，焊线处于不固定而浮在液体粘接剂中的状态，所以当该粘接剂固化时，固化的收缩应力加到焊线和焊线与电极的接合部上，接合部就有可能剥落。该实施方式中不存在上述问题。
[0032]如将图3(c)中左侧的突起部70的上部放大后得到的图3(d)所示，因为隔离件80、80的高度比金属细线22的直径大，且将金属细线22焊接到连接电极75上是第二焊，所以不会出现放在隔离件80、80上的盖体90接触到金属细线22，金属细线22遭受挤压的情况，金属细线22的连接可靠性就保持得很高；将隔离件80、80的高度设定在金属细线22的直径的2倍以下，由此能够使半导体装置1的厚度更小，因而能够使半导体装置1小型化；还能够使半导体装置1在突起部70、70延伸的方向上的长度小到与半导体元件10的长度大致相等。
[0033]半导体装置1的侧壁部中，突起部外侧侧壁70a、隔离件外侧侧壁80a以及盖体侧壁90a齐平，这样便能够缩短半导体装置1的两个突起部70、70之间的长度，有益于小型化；粘接剂85与上述这些侧壁也齐平，粘接剂85未从半导体装置1的侧壁向外越出。这里所说的外侧侧壁是突起部70、70和隔离件80、80的侧壁中与靠近半导体元件10的侧壁相向的侧壁。
[0034]-半导体装置的制造方法-
下面，对该实施方式所涉及的半导体装置1的制造方法进行说明。
[0035]首先，准备图2(a)所示的基板用原板130。基板用原板130沿着图2(a)的左右方向延伸，但这里仅示出它的一部分。基板用原板130是由玻璃环氧树脂或双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)等树脂制成的平板，在其内部埋入有多个内部布线76、76、…。在基板用原板130的一个面上形成有设置在各个内部布线76、76、…上的连接电极75、75、…，在基板用原板130的另一个面上形成有设置在内部布线76、76、…上的外部连接部77、77、…。基板用原板130是矩形，内部布线76、76、…平行于矩形的一条边排成列，该列有多个。相邻的列与列之间的列间距离有大、小两种，且交替地排列起来。需提一下，连接电极75、75、…和外部连接部77、77、…也排成与内部布线76、76、…一样的列。
[0036]之后，在基板用原板130上形成多个槽55、55、…。在相邻的内部布线76、76、…的列之间列间距离较大的列间，平行于该列机械地切削基板用原板130，即形成槽55。用立铣刀一个一个地加工出槽55，或者是同时加工出多个槽55，用立铣刀从基板用原板130的一个端面朝着另一个端面直线切削。立铣刀的种类、切削条件即转速、进给速度、切削深度以及切削用油等根据基板用原板130的大小、材质决定。进行调整以保证加工面上不出现毛刺、振纹、凹痕等。这时的状态如图2(b)所示。
[0037]接下来，在相邻的内部布线76、76、…的列间中列间距离较小的列间，平行于该列设置垄状部件即隔离件80’。也就是说，隔离件80’设置在未被切削的部分。于是，就制成了图2(c)所示的封装体集合基板100。该封装体集合基板100所具有的形状是：多个所述封装体50排列起来，相邻封装体50的突起部外侧侧壁70a互为一体，突起部延伸的方向上也排列有多个封装体50，多个封装体50互为一体。
[0038]接下来，在多个槽55、55、…中各个槽的底面沿着槽55、55、…的延伸方向装载上多个半导体装置10并进行固定，即成为图2(d)所示的状态。
[0039]接下来，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极75连接起来，就成为电极垫20和连接电极75由金属细线22连接在一起的状态，如图2(e)所示。
[0040]接下来，将粘接剂(省略图示)涂敷在隔离件80’的上表面，再对每一个半导体元件10在隔离件80’上放置、粘接并固定上一个透明盖体90。所布置的盖体90要将每一个半导体元件10的上方遮盖起来。该状态是图2(f)所示的状态。需提一下，图2(f)、图2(g)中省略图示粘接剂。
[0041]接下来，用切片锯(dicing saw)40从在相邻的两个槽55、55之间排成两列的连接电极75的列间进行切割，将该两列连接电极75分开。此时，从隔离件80’的中央部位进行切割，一分为二。这样侧壁部分就在同一个平面上。之后，进一步沿着垂直于槽55的延伸方向的方向从相邻的两个半导体元件10之间进行切割，于是，一个一个的半导体装置1就出来了，其状态如图2(g)所示。
[0042]在该实施方式的制造方法下，在一个基板用原板130上一个一个地加工出或者是同时加工出多个槽55、55、…，因此，能够高效地形成所需数量的封装体集合基板100；能够自由地改变封装体集合基板100的尺寸；能够在短时间内且很容易地形成能够装载多个半导体元件10的大型封装体集合基板100。结果是，能够低成本地制造出小型的半导体装置1。
[0043]以现有的方法在模具内树脂成形以形成突起部的情况下，需要在突起部侧面做上5-15°的拔模斜度。在该实施方式中，因为能够垂直于半导体元件装载面形成突起部，所以当然能够使设计更加简单，而且还能够简单地改变对突起部的宽度的设计，并形成该突起部。
[0044]仅靠操作立铣刀即能够形成槽，让立铣刀从基板用原板130的一个端面向另一个端面移动一次，即能够制成封装体集合基板100。因此，与表面加工的情况相比，能够缩短加工时间，也不需要后加工、精加工等，这就简化了工序，对降低成本很有利。
[0045]需提一下，上述半导体装置1的制造方法只是一个例子而已，该实施方式中的制造方法并不限于此例。形成槽55以后，再形成内部布线76、76、…、连接电极75、75、…等也无妨；将两列连接电极75、75、…之间分开后再放上盖体90也无妨。而且，既可以切削形成槽55、55、…，也可以利用注塑成型等成型法形成槽55、55、…。
[0046]在该实施方式中的半导体装置1中，连接电极75没有设置在基板部60的装载面62上，而是设置在用以放置盖体90的突起部70、70的上表面70b，因此能够实现半导体装置1的小型化。而且，因为将隔离件80、80设置在突起部70、70上，所以能够使盖体90的平行度提高。
[0047](第二实施方式)
-半导体装置-
第二实施方式所涉及的半导体装置与第一实施方式所涉及的半导体装置不同之处在于：在第二实施方式中，用板状透明部件取代透明的平板状盖体，并将该板状透明部件放到半导体元件上，将封装树脂注入到封装体的槽中，以将该透明部件的侧面与金属细线掩埋起来。下面，对第二实施方式以与第一实施方式不同之处为中心进行说明。有时省略对与第一实施方式相同之处做说明。
[0048]该实施方式所涉及的半导体装置2示于图4(a)、图4(b)中。在该实施方式中，封装体50、半导体元件10、隔离件80、80、突起部70、70以及金属细线22都与第一实施方式一样，半导体元件10与连接电极75的连接结构也一样。
[0049]装载在封装体50中的半导体元件10通过金属细线22与连接电极75相连接。板状透明部件94隔着透明的粘接剂放在半导体元件10上，以覆盖半导体元件10的受光面。透明部件94是上表面为矩形且由玻璃形成的板状部件，被粘接在半导体元件10上。透明部件94的底面和上表面比半导体元件10的上表面小，比受光区域稍大一些，呈现出将半导体元件10的一部分上表面遮盖住的状态。
[0050]除了透明部件94的上表面、隔离件80、80的上表面以外，封装体50的槽(凹部)内的部件皆被封装树脂96封装起来。也就是说，透明部件94的四个侧面、突起部70、70上表面、金属细线22等被埋入封装树脂96中。半导体装置2的侧面中垂直于突起部70、70延伸的方向的一对侧面上露出有基板部60、突起部70、70以及封装树脂96。
[0051]当从上往下观看该实施方式中的半导体装置2时，仅有透明部件94的上表面与隔离件80、80的上表面露出，剩余部分被封装树脂96覆盖住。因此，灰尘、尘埃不会附着在半导体元件10的受光面、电极垫20、连接电极75及金属细线22等上，也就不会出现由于灰尘、尘埃等所导致的短路等不良现象。优选用热固化环氧树脂、夹杂着含有SiO2等的填料的树脂、含有染料且具有遮光性的树脂等作封装树脂。
[0052]在被填入封装体50中的槽内之际，封装树脂96是粘度很高的液体，之后固化成为固体。半导体装置2的侧壁中突起部外侧侧壁70a以外的侧壁与封装树脂96及突起部70、70的端面齐平。这里，因为隔离件80、80的高度比金属细线22的直径大，所以若将封装树脂96填充到与隔离件80、80的上表面大致相同的高度位置，金属细线22就会被全部埋入封装树脂96中。因此，与仅有一部分金属细线埋没在封装树脂中的专利文献4中所叙述的技术不同，金属细线22不会断，金属细线22与电极垫20及连接电极75的连接部分被固定好，连接可靠性就提高。再就是，因为透明部件94的上表面露出，透明部件94的侧面却被埋入封装树脂96中，所以只有通过透明部件94的上表面而来的光才会到达半导体元件10的受光面。因此，即使光想要从透明部件94的侧面部分射入，这样的无用光也不会到达受光面，漫射光(光的漫反射)也就没有了，光学特性就会提高。
[0053]在以基板部60的装载面62为基准的高度(距离)标准下，透明部件94的上表面的高度比隔离件80、80的上表面的高度高，因此，在将半导体装置2装载到拾光模块中之际，就能够很容易地以平行于半导体元件10的受光面且面积较大的透明部件94的上表面作装载作业的基准面，也就能够很容易地提高将半导体装置2装载到拾光模块中的装载精度。同时，因为透明部件94的上表面的高度比隔离件80、80的上表面的高度高，所以装载作业能够很容易地在短时间内完成。
[0054]该实施方式中的半导体装置2与第一实施方式中的半导体装置1一样，能够制作得比现有技术下的半导体装置更小。
[0055]需提一下，象图7所示的半导体装置2’那样，取走隔离件80、80也无妨。
[0056]-半导体装置的制造方法-
下面，参考图5(a)到图5(h)对该实施方式所涉及的半导体装置2的制造方法进行说明。需提一下，对与第一实施方式中的制造方法相同之处不做说明，或者仅做简单说明。
[0057]因为图5(a)到图5(c)所示的步骤与第一实施方式一样，所以就省略不提了。
[0058]从图5(c)所示的状态开始，依次在槽55、55、…的底面沿着槽55、55、…的延伸方向装载、固定上多个半导体元件10，再将透明部件94放到半导体元件10的受光面上，并用透明粘接剂进行固定。此时，保护薄片91a设置在透明部件94的上表面。若进一步在隔离件80’的上表面放置保护薄片91b，则成为图5(d)所示的状态。
[0059]之后，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极75连接起来。于是，就成为电极垫20和连接电极75由金属细线22连接在一起的状态，如图5(e)所示。
[0060]之后，将封装树脂96填充到槽55内。既可以利用灌注进行填充，也可以利用注塑成型进行填充。此时，因为由保护薄片91a、91b盖住了透明部件94的整个上表面和隔离件80’的上表面，所以透明部件94的上表面和隔离件80’的上表面一定不会被封装树脂96覆盖住，而是露出来。图5(f)表示的是封装树脂96已填充好且已固化的状态。
[0061]接下来，用切片锯40从在相邻的两个槽55、55之间排成两列的连接电极75的列间进行切割，将该两列连接电极75分开。此时，从隔离件80’的中央部位进行切割，一分为二。这样切开后的状态就是图5(g)所示的状态，侧壁部分所在的平面就保持齐平。
[0062]之后，从透明部件94和隔离件80上将保护薄片91a、91b揭下来，进一步垂直于槽55延伸的方向从相邻的两个半导体元件10之间进行切割，一个一个的半导体装置2就出来了，该状态即是图5(h)所示的状态。这里，因为封装树脂96在固化时收缩，所以封装树脂96的上表面位于比透明部件94的上表面以及隔离件80的上表面之下几微米处。
[0063]该实施方式中的制造方法产生与第一实施方式中的制造方法相同的效果。
[0064]-拾光模块-
图29是一示意立体图，示出了该实施方式所涉及的拾光模块放置在光盘47之下的状态。图30是从侧面观看该状态时得到的图。需提一下，图30右端的半导体装置2是作为参考示出的，示出的是将设置在位于该右端的半导体装置2之左侧的底座48上的半导体装置2(光检测器)绕上下方向的轴旋转90度后所看到的受光面一侧，并非在拾光模块中装载有两个半导体装置2。
[0065]该拾光模块包括：所述半导体装置2(光检测器)、第一及第二激光装置41、42、分光镜43、反射镜45以及物镜46。第一及第二激光装置41、42构成激光模块49。从该第一及第二激光装置41、42射出的光44通过分光镜43，在反射镜45发生反射后，再通过物镜46朝着光盘47的信息记录面入射，光44在信息记录面上发生反射，经由物镜46、反射镜45、分光镜43后入射到半导体装置2中。
[0066]这里，第一激光装置41是射出峰值波长405nm的激光的蓝紫色激光装置；第二激光装置42是射出峰值波长650nm的红色激光和峰值波长780nm的红外激光这两个波长的激光的双波长激光装置。
[0067]构成拾光模块的各个部件放在底座48上且光盘47的信息记录面的下侧。拾光模块在旋转的光盘47下在光盘47的径向上移动。底座48的放置有各个部件的面与光盘47的信息记录面平行。
[0068]这里，出于对布线的考虑，布置半导体装置2时，要做到突起部70、70延伸的方向垂直于底座48。也就是说，要做到突起部70、70延伸的方向垂直于光盘47的信息记录面。这样一布置，就成为半导体装置2的多个外部连接部77、77、…垂直于底座48的设置面排成两列的状态。于是，能够将从多个外部连接部77、77、…引出的用于与外部连接的布线收纳在半导体装置2的从底座48的设置面算起高度为H的范围内。结果是，能够使拾光模块整体的高度减小。
[0069]如上所述，半导体装置2的突起部70、70垂直于底座48延伸，不存在平行于底座48延伸的突起部。因此，能够使半导体装置2的高度H大致接近与所装载的半导体元件10的一条边的长度相等的长度。这样一来，就能够使拾光模块整体变薄，从而能够实现拾光模块的小型化。
[0070](第三实施方式)
第三实施方式所涉及的半导体装置与第二实施方式所涉及的半导体装置2透明部件不同，对不同之处进行说明。
[0071]如图6所示，该实施方式中，半导体装置3中的透明部件94’从半导体元件10的上表面越出并延伸，半导体装置2的侧面中垂直于突起部70、70延伸的方向的一对侧面上露出有基板部60、突起部70、70以及封装树脂96。
[0072]在第二实施方式的半导体装置2的制造方法下，将各个透明部件94粘接在各个半导体元件10的上表面。而在该实施方式中，将一根细长的透明部件94’放置在多个半导体元件10的上表面。也就是说，从图5(c)所示的状态进入到图5(d)所示的状态之际，对各个槽55准备一个大致与该槽55长度相等的透明部件94’之后，再将透明部件94’放置到已固定在各个槽55的底面上的多个半导体元件10、10、…上。需提一下，剖视图与第二实施方式所涉及的图5相同。最后切开制成一个个的半导体装置3之际，透明部件94’与基板部60、突起部70、70以及封装树脂96一起也被切断，而从该剖面露出。
[0073]该实施方式产生第二实施方式的效果。除此以外，因为还能够简化将透明部件94’放置到半导体元件10上的步骤，所以制造就很容易。
[0074]需提一下，象图8所示的半导体装置3’那样，取走隔离件80、80也无妨。
[0075](第四实施方式)
第四实施方式所涉及的半导体装置与第二实施方式中的半导体装置2的不同之处是：第四实施方式中，无隔离件80、80，封装树脂96存在于该部分。其它地方都相同。对不同之处进行说明。[0076]如图9所示，该实施方式中的半导体装置4的结构如此，省略了第二实施方式中半导体装置2中的隔离件80、80，用封装树脂96填补该无隔离件80、80的部分。
[0077]在该实施方式的半导体装置4的制造步骤中，如图10所示，从第二实施方式的封装体集合基板100中取走隔离件80’后即成为封装体集合基板101(图10(b))。
[0078]在该封装体集合基板101的槽55、55、…的底面沿着槽55、55、…的延伸方向按顺序装载、固定上多个半导体元件10，再将透明部件94放在并用透明粘接剂固定在已装载到一个槽55内的各个半导体元件10的受光面上。此时，保护薄片91a设置在透明部件94的上表面，成为图10(c)所示的状态。
[0079]之后，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极75连接起来。于是，就成为电极垫20和连接电极75由金属细线22连接在一起的状态，如图10(d)所示。
[0080]之后，将封装树脂96填充到槽55内。既可以利用灌注进行填充，也可以利用注塑成型进行填充。此时，因为由保护薄片91a盖住了透明部件94的整个上表面，所以透明部件94的上表面一定不会被封装树脂96覆盖住，而是会露出来。图10(e)表示的是封装树脂96已填充好且已固化的状态。
[0081]接下来，用切片锯40从在相邻的两个槽55、55之间排成两列的连接电极75的列间进行切割，将该两列连接电极75分开。这样切开后的状态是图10(f)所示的状态。包括封装树脂96在内，侧壁部分所在的平面齐平。
[0082]之后，从透明部件94上将保护薄片91a揭下来，进一步垂直于槽55的延伸方向从相邻的两个半导体元件10之间进行切割，一个一个的半导体装置4就切割出来了，该状态即是图10(h)所示的状态。
[0083]该实施方式中的制造方法产生与第二实施方式的制造方法一样的效果。且因无隔离件80’，而无需形成隔离件80’的步骤，工序就更加简化。
[0084](第五实施方式)
第五实施方式所涉及的半导体装置与第三实施方式中的半导体装置3的不同之处是：第五实施方式中，无隔离件80、80，封装树脂96存在于该部分。也就是说，在第四实施方式中，使用第三实施方式中的透明部件94’作透明部件用。
[0085]如图11所示，该实施方式中的半导体装置5与第三实施方式一样，一对侧面上露出有基板部60、突起部70、70、透明部件94’以及封装树脂96；与第四实施方式一样，封装树脂96延伸到突起部70、70的外缘上，不存在隔离件。
[0086]该实施方式中的半导体装置5的制造工序与第四实施方式的半导体装置4的制造工序的不同之处有二，其一是：在该实施方式中，在图10(c)所示的制造步骤中，将一个细长的透明部件94’放在多个半导体元件10、10、…上，来取代将透明部件94放在多个半导体元件10、10、…上。其二是：在该实施方式中，在图10(g)所示的制造步骤中，与突起部70、70以及封装树脂96一起将透明部件94’也切断，制成各个半导体装置5。除此以外其它地方都相同。
[0087]该实施方式产生第三与第四实施方式的效果。
[0088](第六实施方式)
-半导体装置-
用第六实施方式所涉及的制造方法制得的半导体装置和第一到第五实施方式相比，封装体不同，半导体元件10相同。所以参考图12、图16主要对封装体150进行说明。需提一下，透明盖体190放在封装体150上，但为便于说明，图16(a)示出的是取走盖体190未示的状态。而且，因为后述的镀铜也很薄，所以省略图示镀铜层。需提一下，在用以说明以下实施方式的图中适当地省略图示镀铜层。
[0089]该实施方式中的封装体150具有：矩形的基板部160、两个突起部170、170以及隔离件180、180。该两个突起部170、170朝着基板部160的上方突出且分别沿着该矩形的一对对边中的一条边延伸，该隔离件180、180设置在该突起部上表面170b的外缘部分。突起部170、170各自仅设置在基板部160中装载半导体元件10的矩形装载面162的相向的一对外缘中的一个外缘上，该突起部170、170所具有的形状是一沿着装载面162的外缘延伸的长方体。需提一下，突起部170、170仅设置在装载面162的相向的一对外缘上意味着：突起部170、170设置在所述一对外缘上，在与该一对外缘不同的另一对外缘上没有设置突起部170、170，在装载面162的中央部位及其周围也都没有设置突起部170、170。
[0090]在装载面162上且所装载的半导体元件10与突起部170之间的部分，多个连接电极175、175、…排列成一列，各个连接电极175延伸到突起部170之下，且有一部分隐藏在突起部170之下。连接电极175连接在埋入基板部160内的埋入电极176、176、…上。需提一下，埋入电极176、176、…指的是被埋入基板部160中的整个导电体部分。在基板部160的装载面162的背面即非装载面164上设置有多个外部连接部177、177、…，多个外部连接部177、177、…连接在埋入电极176、176、…上。也就是说，连接电极175、175、…经由埋入电极176、176、…与外部连接部177、177电连接。
[0091]半导体元件10放置在封装体150上，以做到该半导体元件10与电极垫20、20、…排成的列延伸的方向以及突起部170、170延伸的方向大致平行，电极垫20、20、…与连接电极175、175、…由金属细线122、122、…连接在一起。
[0092]隔离件180、180在突起部上表面170b位于离半导体元件10最远的位置上，且沿着突起部170、170的延伸方向延伸。矩形盖体190的外缘部放在并用粘接剂185固定在突起部上表面170b且离开隔离件180、180的位置上。这里，粘接剂185存在于盖体190的外缘部下面和突起部上表面170b之间，也存在于隔离件180和盖体190的侧面之间。需提一下，因为突起部上表面170b和盖体190之间的粘接剂185的厚度薄，所以在图12(a)、图12(b)以及图16(b)中省略图示粘接剂185。在对第七实施方式以后的实施方式进行说明的剖视图中，也同样省略图示粘接剂185。
[0093]在该实施方式中，因为粘接剂185也存在于隔离件180和盖体190的侧面之间，所以与粘接剂185仅存在于盖体190的外缘部下面和突起部上表面170b之间的情况相比，盖体190被更加牢固地固定在突起部170上。特别是，在该实施方式中，也存在于隔离件180和盖体190的侧面之间的粘接剂185在盖体190的侧面与突起部上表面170b所成的角部呈填角(fillet)形状。因此，即使粘接剂185的量较少，盖体190也会被更加牢固地固定在突起部170上。
[0094]半导体装置6的侧壁部中，突起部外侧侧壁170a和隔离件外侧侧壁180a齐平。这样便能够缩短半导体装置6的两个突起部170、170之间的长度，有益于小型化；而且，粘接剂185被隔离件180挡住，而没有从半导体装置6的侧壁越出到外面。这里所说的外侧侧壁是突起部170、170和隔离件180、180的侧壁中与靠近半导体元件10的侧壁相向的侧壁。
[0095]在该实施方式中，突起部未设置在基板部160的外缘中与设置有突起部170、170的一对外缘不同的另一对相向的外缘部，所以该另一对外缘部之间的距离是由半导体元件10的大小、设置连接电极175、175、…所需要的空间等决定的。也就是说，能够制造出所述另一对外缘部之间的距离最小的装载半导体元件10的封装体。
[0096]需提一下，象图21所示的半导体装置6’那样，取走隔离件180、180也无妨。
[0097]-半导体装置的制造方法-
下面，对该实施方式所涉及的半导体装置6的制造方法进行说明。
[0098]首先，如图13所示，制作封装体集合基板102。该封装体集合基板102所具有的形状是：多个所述封装体150排列起来，相邻封装体150的突起部外侧侧壁170a互为一体，多个封装体150也排列在突起部延伸的方向上，该多个封装体150互为一体。
[0099]如图13(a)所示，在平板状的绝缘性基材31的两面贴上铜箔32、32，即形成两面铜箔基板61。由该两面铜箔基板61制作该封装体集合基板102。在该两面铜箔基板61的规定位置形成通孔63，在该通孔63内及铜箔32上镀上镀铜层33(图13(b))。
[0100]接下来，借助图案化放上抗蚀膜，以保证将对应于之后将成为连接电极175的部分和成为埋入电极176的一部分的部分的铜箔32与镀铜层33留下来；进行蚀刻，将对应于要装载半导体元件10的部分的铜箔32与镀铜层33除去(图13(c))。
[0101]之后，将它们全部浸渍到树脂65中，让该树脂65固化成板状。此时，使树脂65在两面铜箔基板61的上表面侧厚一些，使树脂65在两面铜箔基板61的下面薄一些(图13(d))。
[0102]接下来，在下面侧的树脂65的规定位置开一个通到下面侧的铜箔32(实际上其表面的镀铜层33)的孔35(图13(e))。之后，再在整个下面侧镀上镀金层36。此时，孔35中也埋入有镀金层36。
[0103]之后，在将抗蚀剂涂敷到下面的镀金层36上，进行图案化，对该镀金层36进行蚀刻，形成外部连接部177、177、…。再将棒状的隔离件180’、180’贴合在上表面一侧的树脂65上。隔离件180’、180’设置在之后将成为突起部170、170的部分上(图13(g))。
[0104]接下来，如图14(a)所示，用激光68照射上表面一侧的树脂65，将树脂65与绝缘性基材31的一部分除去，而让连接电极175、175、…露出来。树脂65与绝缘性基材31被去掉的理由如下：树脂65与绝缘性基材31被激光68直接一照射，就变为高温，树脂65与绝缘性基材31就升华。另一方面，因为激光68的输出不用象使铜升华那么大，所以即使激光68碰到铜箔32、镀铜层33，下方的树脂65、绝缘性基材31也不会再进一步升华。需提一下，在图14中，省略镀铜层33未示。
[0105]激光68照射在相邻的隔离件180’、180’之间规定的宽度X部分。激光68一边对宽度X部分进行扫描，一边朝着槽155延伸的方向移动。因此，激光68不会照射将成为突起部170、170的部分，该部分原样保留下来。这样就制作出已形成有槽155、155、…的封装体集合基板102，如图13(h)、图14(b)所示。在封装体集合基板102中，下侧的铜箔32从装载有半导体元件10的部分露出来，在下侧的铜箔32上按顺序叠层有绝缘性基材31与上侧的铜箔32，这就是连接电极175、175、…所具有的形状。
[0106]接下来，参考图15，对用该封装体集合基板102制作半导体装置6的工序进行说明。
[0107]首先，如图15(a)所示，准备封装体集合基板102。封装体集合基板102比图15(a)所示的还要在左右方向上延伸，但这里将在左右方向上进一步延伸的部分省略不提。接下来，在多个槽155、155、…中各个槽的底面沿着槽155、155、…的延伸方向装载上多个半导体装置10并进行固定，即成为图15(b)所示的状态。
[0108]接下来，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极175连接起来。之后，在将成为突起部170的部分的上表面且隔离件180’与槽155之间的地方，沿着槽155连续地涂敷粘接剂185，就成为电极垫20和连接电极175由金属细线122连接在一起且粘接剂185放置在将成为突起部170的部分的上表面的状态，如图15(c)所示。
[0109]这里，连续地涂敷粘接剂185，意味着所涂敷的粘接剂185在对应于沿着槽155相邻的半导体元件10之间的部分也不会中断，是顺着隔离件180’涂敷成为一条直线。
[0110]接下来，在封装体集合基板102上给每个半导体元件10设置一个透明盖体190，且保证该盖体190的外缘部分位于粘接剂185之上。所布置的盖体190要将每一个半导体元件10的上方遮盖起来。之后，使粘接剂185固化，将盖体190粘接、固定好。该状态是图15(d)所示的状态。因为此时盖体190的外缘放置在已涂敷的粘接剂185的大约一半左右上，所以粘接剂185不仅存在于盖体190的下面和将成为突起部170的部分的上表面，盖体190的侧面也附着有粘接剂185。粘接剂185被挤向隔离件180’，但被隔离件180’挡住，而不会越出到相邻的封装体区域。而且，此时，粘接剂185成为附着在盖体190的侧面，朝向隔离件180’的方向下陷的填角。
[0111]接下来，用切片锯40在相邻的两个槽155、155之间从隔离件180’的中央部位进行切割，一分为二。这样侧壁所在的平面就保持齐平。进一步垂直于槽155的延伸方向在相邻的两个半导体元件10之间进行切割。这样切开后的状态就是图15(e)所示的状态。于是，一个一个的半导体装置6就制造出来了。
[0112]需提一下，上述半导体装置6的制造方法只是一个例子而已，该实施方式中的制造方法并不限于此例。从相邻的槽155、155之间进行切割并分开后，再放上盖体190也无妨。隔离件180’不是通过贴合在树脂65上形成，而是通过在将树脂65设在两面铜箔基板61的两面之际，同时由该树脂65形成亦可。用多台激光产生装置同时形成多个槽155、155、…也无妨。
[0113]在该实施方式的制造方法下，能够自由地改变封装体集合基板102的尺寸；能够在短时间内且很容易地形成能够装载多个半导体元件10的大型封装体集合基板102。因此，能够低成本地制造出小型的半导体装置6；在一次形成多个槽155、155、…的情况下，能够在短时间内高效地形成封装体集合基板102。
[0114](第七实施方式)
-半导体装置-
第七实施方式所涉及的半导体装置与第六实施方式所涉及的半导体装置6相比，不同之处在于：在第七实施方式中，用板状透明部件取代透明的平板状盖体，并将该板状透明部件放到半导体元件上，将封装树脂注入到封装体的槽中，以将该透明部件的侧面与金属细线掩埋起来。下面，以与第六实施方式不同之处为中心对该实施方式进行说明。有时省略对与第六实施方式相同之处做说明。
[0115]该实施方式所涉及的半导体装置7示于图17(a)、图17(b)中。在该实施方式中，封装体150、半导体元件10、隔离件180、180、突起部170、170以及金属细线122都与第六实施方式一样，连接电极175与外部连接部177的连接结构、半导体元件10与连接电极175的连接结构也与第六实施方式一样。
[0116]装载在封装体150中的半导体元件10通过金属细线122与连接电极175相连接。板状透明部件194隔着透明的粘接剂放在半导体元件10上，以覆盖半导体元件10的受光面。透明部件194是上表面为矩形且由玻璃形成的板状部件，被粘接在半导体元件10上。
[0117]除了透明部件194的上表面、隔离件180、180的上表面以外，封装体150的槽(凹部)内的部件皆被封装树脂196封装起来。也就是说，透明部件194的侧面、突起部170、170上表面、金属细线122等被埋入封装树脂196中。半导体装置7的侧面中垂直于突起部170、170延伸的方向的一对侧面上露出有基板部160、突起部170、170以及封装树脂196。
[0118]当从上往下观看该实施方式中的半导体装置7时，仅有透明部件194的上表面与隔离件180、180的上表面露出，剩余部分被封装树脂196覆盖住。因此，灰尘、尘埃不会附着在半导体元件10的受光面、电极垫20、连接电极175及金属细线122等上，也就不会出现由于灰尘、尘埃等所导致的短路等不良现象。能够优选使用热固化环氧树脂、夹杂着含有SiO2等的填料的树脂、含有染料且具有遮光性的树脂等作封装树脂。
[0119]在被填入封装体150中的槽内之际，封装树脂196是粘度很高的液体，之后固化成为固体。半导体装置7的侧壁中突起部外侧侧壁170a以外的侧壁与封装树脂196及突起部170、170的端面齐平。这里，因为金属细线122全部被埋入封装树脂196中，所以金属细线122与电极垫20及连接电极175的连接部分被固定好，连接可靠性就提高。再就是，因为透明部件194的上表面露出，透明部件194的侧面却被埋入封装树脂196中，所以只有通过透明部件194的上表面而来的光才会到达半导体元件10的受光面。因此，即使光想要从透明部件194的侧面部分射入，那样的无用光也不会到达受光面，漫射光(光的漫反射)也就没有了，光学特性就会提高。
[0120]在以基板部160的装载面162为基准的高度(距离)标准下，使透明部件194的上表面的高度比隔离件180、180的上表面的高度高，因此，在将半导体装置7装载到拾光模块中之际，就能够很容易地以平行于半导体元件10的受光面且面积较大的透明部件194的上表面作装载作业的基准面，也就能够很容易地提高将半导体装置7装载到拾光模块中的装载精度。同时，因为使透明部件194的上表面的高度比隔离件180、180的上表面的高度高，所以装载作业能够很容易地在短时间内完成。
[0121]-半导体装置的制造方法-
下面，对该实施方式所涉及的半导体装置7的制造方法进行说明。需提一下，与第一实施方式的制造方法一样的地方，要么省略说明，要么仅做简单的说明。
[0122]首先，准备图18(a)所示的封装体集合基板102。该封装体集合基板102就是第六实施方式中所示的封装体集合基板。
[0123]接下来，依次在槽155、155、…的底面沿着槽155、155、…的延伸方向装载、固定上多个半导体元件10，再将透明部件194放到半导体元件10的受光面上，并用透明粘接剂进行固定。此时，保护薄片192a设置在透明部件194的上表面。若进一步在隔离件180’的上表面设置保护薄片192b，则成为图18(b)所示的状态。
[0124]之后，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极175连接起来。于是，就成为电极垫20和连接电极175由金属细线122连接在一起的状态，如图18(c)所示。
[0125]之后，将封装树脂196填充到槽155内。既可以利用灌注进行填充，也可以利用注塑成型进行填充。此时，因为由保护薄片192a、192b盖住了透明部件194的整个上表面和隔离件180’的上表面，所以透明部件194的上表面和隔离件180’的上表面一定不会被封装树脂196覆盖住，而是露出来。图18(d)表示的是封装树脂196已填充好且已固化的状态。
[0126]接下来，用切片锯40在相邻的两个槽155、155之间从隔离件180’的中央部位进行切割，将隔离件180’一分为二。这样切开后的状态是图18(e)所示的状态。侧壁部分所在的平面就齐平。
[0127]之后，从透明部件194和隔离件180’上将保护薄片192a、192b揭下来，则成为图18(f)所示的状态。进一步垂直于槽155的延伸方向从相邻的两个半导体元件10之间进行切割。于是，一个一个的半导体装置7就制造出来了。这里，因为封装树脂196在固化时收缩，所以封装树脂196的上表面位于比透明部件194的上表面以及隔离件180的上表面之下几微米处。
[0128]与第六实施方式中的半导体装置6一样，该实施方式中的半导体装置7会制作得比现有技术下的半导体装置更小。
[0129]亦可改变透明部件194，制成在图19(a)、图19(b)所示的上表面的外缘部具有台阶的半导体装置7a、7b。图19(a)所示的透明部件194a在它的上表面部分设置有台阶。该透明部件194a包括上表面部198和台阶面部199，该上表面部198设置在该上表面部分的中央部位且与半导体元件10的光学功能面的形状、大小相对应；该台阶面部199比上表面部198低一些。封装树脂196覆盖到台阶面部199的上表面，却没有到达上表面部198。这样一设置台阶面部199，就一定能够抑制封装树脂196到达上表面部198。因此，所需要的光一定能够到达半导体元件10的光学功能面；从光学功能面发出的光能够毫无浪费地射出。
[0130]如图19(b)所示，半导体装置7b中，台阶面部199、上表面部198双方皆不被封装树脂196覆盖也无妨。
[0131]需提一下，象图22、图23所示的半导体装置6’、7a’、7b’那样，取走隔离件180、180也无妨。
[0132](第八实施方式)
第八实施方式所涉及的半导体装置与第七实施方式所涉及的半导体装置7透明部件不同，对不同之处进行说明。需提一下，第八实施方式与第七实施方式之间的关系和第二实施方式与第三实施方式之间的关系相同。
[0133]如图20所示，该实施方式中，半导体装置8中的透明部件194’从半导体元件10的上表面越出并延伸，在半导体装置8的侧面中垂直于突起部170、170延伸的方向的一对侧面也露出有基板部160、突起部170、170以及封装树脂196。
[0134]在第七实施方式的半导体装置7的制造工序下，将各个透明部件194粘接在各个半导体元件10的上表面。而在该实施方式中，将一根细长的透明部件194’放置在多个半导体元件10的上表面。也就是说，从图18(a)所示的状态进入到图18(b)所示的状态之际，对各个槽155准备一个长度大致与该槽155相等的透明部件194’之后，再将透明部件194’放置到已固定在各个槽155的底面上的多个半导体元件10、10、…上。需提一下，剖视图与第七实施方式所涉及的图18相同。最后切开制成一个个的半导体装置8之际，透明部件194’与基板部160、突起部170、170以及封装树脂196一起也被切断，而从该剖面露出。
[0135]该实施方式产生第七实施方式的效果。除此以外，因为能够简化将透明部件194’放置到半导体元件10上的步骤，所以制造就更加容易。
[0136]需提一下，象图24所示的半导体装置8’那样，取走隔离件180、180也无妨。
[0137](第九实施方式)
第九实施方式所涉及的半导体装置与第七实施方式中的半导体装置7的不同之处是：第九实施方式中，无隔离件180、180，封装树脂196存在于该部分。对不同之处进行说明。需提一下，第七实施方式与第九实施方式之间的关系和第二实施方式与第四实施方式之间的关系相同。
[0138]如图25所示，该实施方式中的半导体装置9的结构如此，将第七实施方式中半导体装置7中的隔离件180、180取走了，用封装树脂196填补该取走后剩下的部分。
[0139]在第四实施方式的制造工序中，用第六实施方式所用的封装体集合基板102取代封装体集合基板101，便制出了该实施方式的半导体装置9。因此，不再对制造工序进行说明。
[0140]该实施方式中的制造方法产生与第七实施方式的制造方法一样的效果。且因无隔离件80’，而无需形成隔离件80’的步骤，工序就更加简化。
[0141](第十实施方式)
第十实施方式所涉及的半导体装置与第八实施方式中的半导体装置8的不同之处是：第十实施方式中，无隔离件180、180，封装树脂196存在于该部分。也就是说，在第九实施方式中，使用第八实施方式中的透明部件194’作透明部件用。
[0142]如图26所示，该实施方式中的半导体装置9’与第八实施方式一样，一对侧面上露出有基板部160、突起部170、170、透明部件194’以及封装树脂196；该实施方式中的半导体装置9’还与第九实施方式一样，封装树脂196延伸到突起部170、170的外缘上，不存在隔离件。
[0143]该实施方式中的半导体装置9’的制造工序与第九实施方式中的半导体装置9的制造工序的不同之处有二，其一是：该实施方式，在第九实施方式所涉及的制造步骤中，将一个细长的透明部件94’放在多个半导体元件10、10、…上，来取代将透明部件94放在多个半导体元件10、10、…上。其二是：在该实施方式中，在第九实施方式所涉及的制造步骤中，与突起部170、170以及封装树脂196一起，将透明部件194’也切断，制成各个半导体装置9’。除此以外其它地方都相同。
[0144]该实施方式产生第八实施方式与第九实施方式的效果。
[0145](其它实施方式)
到此叙述的实施方式是本发明的示例，但本发明并不限于以上这些例子。例如，可以用第一实施方式或者第三到第十实施方式中之一实施方式所示的半导体装置取代第二实施方式所示的拾光模块中所用的半导体装置。
[0146]可以使用图28所示的在相邻的槽55、55之间具有切口(slit)69的封装体集合基板103作第一到第五实施方式中的封装体集合基板。将隔离件80、80、…设置在图27所示的封装体集合基板前驱体103’上，以制作该封装体集合基板103。使用这样的封装体集合基板103以后，即使封装体集合基板103变大(面积变宽)，\也能够抑制该封装体集合基板103发生翘起、变形等，同时还能够用切片锯40很容易地且在短时间内将槽55、55之间切割分开，因此加工更加容易。需提一下，第六实施方式以后的各个实施方式中使用同样的具有切口的封装体集合基板也无妨。
[0147]外部连接部设置在基板部的非装载面以外的部分上也无妨。例如，既可以在突起部的外侧侧壁上设置外部连接部，也可以从非装载面到突起部的外侧侧壁连续地设置外部连接部。将外部连接部与连接电极连接起来的布线也不限于设置在突起部内的内部布线，沿着突起部的侧壁设置将外部连接部与连接电极连接起来的布线也无妨。
[0148]既可以用固体摄像元件以外的光敏耦合器等受光元件作半导体元件，也可以用LED、激光元件等发光元件作半导体元件，还可以用光学元件以外的半导体元件作半导体元件，光学元件以外的半导体元件例如有：表面声波(SAW)元件、振子、压力传感器、加速度传感器、声传感器等。此时，盖体无需透明。甚至是利用微电子机械系统(MEMS)制造的元件也可以作半导体元件用。
[0149]-产业实用性-
综上所述，利用本发明所涉及的半导体装置的制造方法，能够高效地制造出小型的半导体装置。因此，本发明所涉及的半导体装置的制造方法作为制造拾光模块的光检测器等的方法很有用。

Claims (20)

1、一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体，其特征在于：
该半导体装置的制造方法包括以下步骤：
步骤A，在平板状基板用原板上形成相互平行的多个槽，以形成形状是多个封装体连接在一起的封装体集合基板，
步骤B，在多个所述槽中的各个槽中沿着该槽的延伸方向装载多个半导体元件，以及
步骤C，从相邻的两个所述槽之间将封装体集合基板切开。
2、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在步骤A中，同时形成两个以上的所述槽。
3、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在步骤A中，机械地挖掘所述基板用原板以形成所述槽。
4、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在步骤A中，利用激光挖掘所述基板用原板以形成所述槽。
5、根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述封装体集合基板具有在相邻的所述槽之间沿着该槽排列成两列的多个连接电极，
在步骤B中，用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来，
在步骤C中，从所述连接电极的所述两列的列间切断。
6、根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
进一步包括：在所述连接电极的所述两列的列间设置沿着所述槽延伸的垄状部件的步骤。
7、根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
还包括：在所述步骤B之后，将分别覆盖所述半导体元件的上方的盖体跨越所述槽地放置并粘接在所述垄状部件上的步骤。
8、根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
进一步包括：
步骤D，将板状透明部件放在所述半导体元件上，以及
封装步骤，用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来。
9、根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在步骤D中，将一个所述透明部件放在多个所述半导体元件上。
10、根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述封装体集合基板在所述槽的底面具有沿着该槽排列的多个连接电极，
在步骤B中，用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来，
在步骤C中，将相邻的两个所述槽之间切断。
11、根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
进一步包括：将沿着所述槽延伸的垄状部件设置在相邻的两个所述槽之间的步骤。
12、根据权利要求10或1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
还包括：在步骤B之后，跨越所述槽设置分别覆盖所述半导体元件的上方的盖体的步骤。
13、根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
进一步包括：
步骤D，将板状透明部件放在所述半导体元件上，以及
封装步骤，用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来。
14、根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在步骤D中，将一个所述透明部件放在多个所述半导体元件上。
15、一种半导体装置，包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体，其特征在于：
该半导体装置近似长方体，该半导体装置的下面和相向的一对侧面由所述封装体构成，
所述封装体具有基板部和突起部，所述基板部实质上是矩形，且包括装载所述半导体元件的装载面，所述突起部沿着所述装载面的一对相向的外缘延伸，且所述突起部各自位于所述一对相向的外缘中的一个外缘上，
板状透明部件放置在所述半导体元件上，
所述半导体元件由封装树脂封装起来，
与所述相向的一对侧面不同的另一对侧面上露出有所述基板部、所述突起部以及所述封装树脂，在该半导体装置的上表面露出有所述封装树脂和所述透明部件。
16、根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于：
与所述相向的一对侧面不同的另一对侧面上进一步露出有所述透明部件。
17、一种拾光模块，包括权利要求15或16所述的半导体装置、激光模块以及分光镜，其特征在于：
装载在所述半导体装置中的半导体元件是受光元件。
18、根据权利要求17所述的拾光模块，其特征在于：
进一步包括反射镜和物镜。
19、根据权利要求17或18所述的拾光模块，其特征在于：
所述拾光模块放置在光盘的信息记录面的下侧，所述突起部的延伸方向实质上与所述信息记录面垂直。
20、根据权利要求17到19中任一项权利要求所述的拾光模块，其特征在于：
所述激光模块包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置，从所述蓝紫色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且425nm以下，从所述双波长激光装置射出的光的峰值波长在630nm以上且670nm以下和760nm以上且800nm以下。
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