CN101606242B - 半导体装置及其制造方法、拾光模块 - Google Patents

半导体装置及其制造方法、拾光模块 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法、拾光模块。封装体(50)具有矩形的基板部(60)和设置在基板部(60)的一对相向的外缘上的突起部(70、70)，半导体元件(10)装在该基板部(60)上。由金属细线(22)连接半导体元件(10)的电极垫(20)和形成在突起部的上表面(70b)的连接电极(75)。在突起部的上表面(70b)设置有位于连接电极(75)外侧的隔离件(80、80)。在该隔离件(80、80)的上表面粘接有将封装体(50)完整地覆盖起来的透明盖体(90)。隔离件(80、80)的高度比金属细线(22)的直径大。提供了一种保护半导体元件的盖体、透明部件的固定更加稳定且整体尺寸更小的半导体装置。

Description

半导体装置及其制造方法、拾光模块
技术领域
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法、拾光模块。
背景技术
现今，在读取DVD等光盘中的信号的光盘驱动装置中装载有拾光模块。在该拾光模块中，射出用于读取的光的半导体激光元件和接收从光盘反射回来的反射光的光检测器布置在同一个底座上。
如专利文献1所公开的那样，在光盘驱动装置中，拾光模块布置在光盘的光学记录面之下，且沿着光盘的半径方向移动。因此，为使光盘驱动装置小型化，必须使拾光模块小型化。为使拾光模块小型化，就需要使光检测器小型化。
在现有的光检测器中，固体摄像元件等受光元件内装在长方体的封装体内，封装体中与受光元件的受光面相向的面用的是透明部件(参考例如专利文献3、4)。在专利文献3、4中的光检测器(固体摄像装置)中，受光元件固定在封装体的底面上，受光元件的电极和设在封装体的底面上的连接电极部通过线焊连接在一起。在该情况下，需要在封装体的底面确保一个用于设置连接电极部的空间，光检测器会因此而增大。
相对于此，例如专利文献2中公开了一种下述的半导体装置。为使拾光模块小型化，该半导体装置包括：基体201、半导体元件202、焊线205、树脂层206以及透光性盖体207，如图15所示。在基体201的上侧主面形成有凹部201a，在凹部201a的侧壁201c的上表面形成有电极垫204；半导体元件202放置在凹部201a的底面201b上，在该半导体元件202的上表面中央部位设置有受光部202a且在周缘部位形成有电极203；由焊线205将电极203和电极垫204电气连接在一起；树脂层206设置在侧壁201c的上表面一周上，覆盖住电极垫204；透光性盖体207在树脂层206的上部粘接好，对半导体元件202进行封装。专利文献1：日本公开特许公报特开2001-56950号公报专利文献2：日本公开特许公报特开2002-164524号公报专利文献3：日本公开特许公报特开2005-64292号公报专利文献4：日本公开特许公报特开2005-79537号公报-发明要解决的技术问题-
专利文献2中公开的半导体装置，因为在为安装透光性盖体的侧壁的上表面设置有电极垫，所以能够使半导体装置小型化。但因为是通过在焊线上设置粘接剂而将透光性盖体粘接上的，所以难以总是平行于半导体元件的受光面稳定地固定透光性盖体。这就是存在的问题。
发明内容
本发明正是为解决上述技术问题而创造出来的。其目的在于：提供一种保护半导体元件的盖体、透明部件的固定更加稳定、牢固且整体尺寸更小的半导体装置。-用以解决技术问题的技术方案-
为解决上述技术问题，使本发明的半导体装置具有以下结构。该半导体装置包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体。所述封装体具有基板部和突起部，所述基板部实质上是矩形，且包括装载所述半导体元件的装载面，所述突起部沿着该装载面的一对相向的外缘延伸，所述突起部各自位于该一对相向的外缘中的一个外缘上；在各个所述突起部的上表面设置有连接电极和隔离件，所述连接电极由金属细线连接在所述半导体装置上，所述隔离件位于比该连接电极远离所述半导体元件的位置上、具有比该金属细线的直径大的高度且沿着该突起部的上表面的外缘延伸。
这里，实质上，矩形并不意味着数学意义上的严密的矩形形状，它包括边当中有一部分突出到矩形的外侧或者凹入内侧后所形成的各种形状。
在某一优选实施方式中，能够使半导体装置成为以下结构。即，所述半导体元件是光学元件，透明部件放在所述半导体元件上。
在另一优选实施方式中，能够使半导体装置成为以下结构。即，盖体放在并粘接在隔离件上。
本发明所涉及的半导体装置的制造方法，是一种包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体的半导体装置的制造方法。该制造方法包括：准备封装体集合基板的步骤，该封装体集合基板具有相互平行的多个槽，在该槽的侧壁上表面沿着该槽由多个连接电极排列成两列，同时隔离件在该两列之间沿着该槽延伸；设置隔离件的步骤，在所述两列连接电极之间设置沿着所述槽延伸的隔离件；装载步骤，在多个所述槽中的每一个槽中沿着槽的延伸方向装载多个半导体元件；连接步骤，用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来；以及分离步骤，从所述两列连接电极之间将封装体集合基板分开。
本发明的拾光模块包括所述半导体装置、激光模块以及分光镜，装载在所述半导体装置中的半导体元件是受光元件。
优选拾光模块包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置。从该蓝紫色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且425nm以下；从该双波长激光装置射出的光的峰值波长在630nm以上且670nm以下和760nm以上且800nm以下，射出的光的峰值波长是在射出光的光谱中强度是极大值的波长。-发明的效果-
本发明的半导体装置，在突起部的上表面包括与半导体元件连接的连接电极，且突起部上具有高度大于金属细线的直径的隔离件。因此能够使半导体装置本身小型化。
附图说明
图1(a)是将第一实施方式所涉及的半导体装置的一部分切去后的剖开立体图，图1(b)是从图1(a)的背面看到的图。图2(a)是第一实施方式所涉及的半导体装置的盖体透明时看到的俯视图，图2(b)是沿图2(a)的B-B’线剖开的剖视图，图2(c)是沿图2(a)的A-A’线剖开的剖视图，图2(d)是图2(c)中的一部分放大后的图。图3是第二实施方式所涉及的半导体装置的一部分的放大剖视图。图4(a)是将第三实施方式所涉及的半导体装置的一部分切去后的剖视立体图，图4(b)是从图4(a)的背面看到的图。图5(a)是第三实施方式所涉及的半导体装置的盖体透明时看到的俯视图，图5(b)是沿图5(a)的B-B’线剖开的剖视图，图5(c)是沿图5(a)的A-A’线剖开的剖视图，图5(d)是侧视图。图6(a)到图6(e)是按时间顺序说明第一实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。图7(a)是第四实施方式所涉及的半导体装置的立体图，图7(b)是从图7(a)的背面看到的图。图8(a)是第四实施方式所涉及的半导体装置的省略封装树脂时的俯视图，图8(b)是沿图8(a)的B-B’线剖开的剖视图，图8(c)是沿图8(a)的A-A’线剖开的剖视图。图9(a)到图9(f)是按时间顺序说明第四实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的图。图10是第五实施方式所涉及的半导体装置的立体图。图11是第六实施方式所涉及的半导体装置的剖视图。图12是第六实施方式所涉及的另一半导体装置的剖视图。图13是第一实施方式所涉及的拾光模块的示意立体图。图14是第一实施方式所涉及的拾光模块的示意主视图。图15是现有的包括受光元件的半导体装置的剖视图。-符号说明-
1，2，3，4，5，6-半导体装置，10-半导体元件，22-金属细线，30-板状侧壁部，41-第一激光装置，42-第二激光装置，43-分光镜，45-反射镜，46-物镜，47-光盘，49-激光模块，50，51-封装体，60-基板部，62-装载面，64-非装载面，70-突起部，70a-突起部外侧侧壁，70b-突起部的上表面，75-连接电极，76-内部布线，77-外部连接部，80-隔离件，80a-隔离件外侧侧壁，85，86-粘接剂，90-盖体，90a-盖体侧壁，94，94a，95-透明部件，96-封装树脂，100-封装体集合基板。
具体实施方式
下面，参考附图对本发明的实施方式做详细的说明。在以下各图中，为简化说明，用同一参考符号表示实质上具有同一功能的构成要素。
(第一实施方式)-半导体装置-第一实施方式所涉及的半导体装置，是用集成化受光元件作半导体元件的光检测器。需提一下，既可以用光敏二极管、光敏三极管、光敏IC(集成电路)等受光元件作半导体元件，也可以用LED(半导体发光二极管)、半导体激光元件等发光元件作半导体元件。
也就是说，如图1所示，在该实施方式中的半导体装置1中，半导体元件10内装在槽的剖面形状是“U”字形的封装体50的槽中，由透明的平板状盖体90盖住。图2(a)到图2(d)也示出了该实施方式中的半导体装置1，但为便于说明，图2(a)示出的是盖体90透明的情况，因此，盖体90未表示在该图2(a)中。同样，为便于说明，图1、图2(a)以及图2(c)中也未表示固定盖体90的粘接剂85。
该实施方式中的封装体50具有：矩形的基板部60、两个分别沿着该矩形的一对对边中的各条边延伸的突起部70、70以及设置在该突起部70、70的上表面的隔离件80、80。所设置的突起部70、70，从基板部60中装载半导体元件10的矩形装载面62的相向的一对外缘部分朝着上方突出，该突起部70、70的形状是一沿着装载面62的外缘延伸的长方体。图中，对基板部60与突起部70、70的交界处未做出明确的图示，但因为突起部70、70在基板部60上，所以可以说二者的交界处就是装载面62这一部分。
在突起部70、70内部设置有多条内部布线(埋入布线)76、76、···。内部布线76在突起部的上表面70b与连接电极75相连接，内部布线76在突起部的上表面70b的背面(非装载面64)与外部连接部77相连接。在突起部的上表面70b且连接电极75的外侧设置有平行于突起部70、70延伸的隔离件80、80。
在半导体元件10的一个矩形面上，在相向的一对边上分别有一列由多个电极垫20、20、···排列而成的电极垫列。设置有电极垫20、20、···的面的背面装载在封装体50的装载面62上，并用粘接剂固定在装载面62上。把半导体元件10装载到封装体50中，要做到此时由电极垫20、20、···排成的电极垫列延伸的方向与突起部70、70延伸的方向大致平行。电极垫20、20、···与突起部的上表面70b的连接电极75用金属细线22连接在一起。
隔离件80、80在突起部的上表面70b位于(从半导体元件10看去)比连接电极75远离半导体元件10的位置上，且沿着突起部70、70的延伸方向延伸。盖体90放在隔离件80、80上，并用粘接剂85固定在隔离件80、80上。这里，粘接剂85存在于隔离件80和盖体90之间，同时会从隔离件80稍向封装体50的内部方向越出来一些，但未附着在金属细线22上。也就是说，金属细线22中除了与连接电极75连接的连接部分以及与电极垫20连接的连接部分以外，都露出在大气中，处于裸露状态。这一点与专利文献2中所公开的技术不同。专利文献2中所公开的技术存在以下问题：因为没有隔离件，所以无法正确地确定盖体在高度方向上的位置，因而盖体的平行性不良；在金属细线中被埋入粘接剂里的部分和暴露在空气中的部分的交界处，金属细线会由于粘接剂与金属的膨胀系数之差而断裂。该实施方式中不存在上述问题。专利文献2所涉及的半导体装置，因为在粘接透光性盖体之际，焊线处于不固定而浮在液体粘接剂中的状态，所以当该粘接剂固化时，固化的收缩应力加到焊线和焊线与电极的接合部上，接合部就有可能剥落。该实施方式中不存在上述问题。
如将图2(c)中左侧的突起部70的上部放大后得到的图2(d)所示，因为隔离件80、80的高度比金属细线22的直径大，且将金属细线22焊接到连接电极75上是第二焊，所以不会出现放在隔离件80、80上的盖体90接触到金属细线22，金属细线22遭受挤压的情况。结果是，金属细线22的连接可靠性很高。因为隔离件80、80的高度设定在金属细线22的直径的2倍以下，所以能够使半导体装置1的厚度更小，从而能够使半导体装置1小型化。
半导体装置1的侧壁部中，突起部外侧侧壁70a、隔离件外侧侧壁80a以及盖体侧壁90a齐平。这样便能够缩短半导体装置1的两个突起部70、70之间的长度，有益于小型化；粘接剂85与上述这些侧壁也齐平，粘接剂85未从半导体装置1的侧壁向外越出。这里所说的外侧侧壁是突起部70、70和隔离件80、80的侧壁中与靠近半导体元件10的侧壁相向的侧壁。
-半导体装置的制造方法-下面，对该实施方式所涉及的半导体装置1的制造方法进行说明。
首先，准备图6(a)所示的封装体集合基板100。该封装体集合基板100所具有的形状是：多个所述封装体50排列起来，相邻封装体50的突起部外侧侧壁70a互为一体，突起部延伸的方向上也排列有多个封装体50，多个封装体50互为一体。
利用公知的方法即能够制造出该封装体集合基板100。例如，在由塑料、陶瓷等形成的平板上形成多个相互平行的槽55、55、55，在相邻的两个槽55、55之间的部分平行于槽55形成两列由多个通孔形成的通孔列。之后，由导电部件将各个通孔埋起来，并以其作内部布线76，再在该内部布线的上下形成连接电极75和外部连接部77。然后，在排成两列的连接电极75之间形成隔离件80’，就将封装体集合基板100做好了。
接下来，在多个槽55、55、55中各个槽的底面沿着槽55、55、55的延伸方向装载上多个半导体装置10并固定好，即成为图6(b)所示的状态。
接下来，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极75连接起来。这样一来，就成为电极垫20和连接电极75由金属细线22连接在一起的状态，如图6(c)所示。
接下来，将粘接剂(省略图示)涂敷在隔离件80’的上表面，再对每一个半导体元件10在隔离件80’上放置、粘接并固定上一个透明盖体90。所布置的盖体90要将每一个半导体元件10的上方遮盖起来。该状态是图6(d)所示的状态。需提一下，图6(d)、图6(e)中省略了粘接剂，未做图示。
接下来，用切片锯(dicing saw)40从在相邻的两个槽55、55之间排成两列的连接电极75的列之间进行切割，将该两列连接电极75分开。此时，从隔离件80’的中央部位进行切割，一分为二。这样切开后的状态就是图6(e)所示的状态。侧壁部分所在的平面就齐平。进一步垂直于槽55的延伸方向把相邻的两个半导体元件10切开，这样一个一个的半导体装置1就制造出来了。
需提一下，上述半导体装置1的制造方法只是一个例子而已，该实施方式中的制造方法并不限于此例。既可以在形成槽55以前形成内部布线，也可以先把两列连接电极切开，再放上盖体。而且，既可以利用切削形成槽，也可以利用激光形成槽，还可以先将多个截面为矩形的棒排列在平板上，再将该棒贴合到平板上，这样来形成槽，上述方法皆可。
-拾光模块-图13是一示意立体图，示出了该实施方式所涉及的拾光模块放置在光盘47之下的状态。图14是从侧面观看该状态时得到的图。需提一下，图14右端的半导体装置1是作为参考示出的，示出的是将设置在位于该右端的半导体装置1之左侧的底座48上的半导体装置1(光检测器)绕上下方向的轴旋转90度后所看到的受光面一侧，并非在拾光模块中装载有两个半导体装置1。
该拾光模块包括：所述半导体装置1(光检测器)、第一及第二激光装置41、42、分光镜43、反射镜45以及物镜46。第一及第二激光装置41、42构成激光模块49。从该第一及第二激光装置41、42射出的光44通过分光镜43，在反射镜45发生反射后，再通过物镜46朝着光盘47的信息记录面入射，光44在信息记录面上发生反射，经由物镜46、反射镜45、分光镜43后入射到半导体装置1中。
这里，第一激光装置41是射出峰值波长405nm的激光的蓝紫色激光装置；第二激光装置42是射出峰值波长650nm的红色激光和峰值波长780nm的红外激光这两个波长的激光的双波长激光装置。
构成拾光模块的各个部件放在底座48上且光盘47的信息记录面的下侧。拾光模块在旋转的光盘47下在光盘47的径向上移动。底座48的放置有各个部件的面与光盘47的信息记录面平行。
这里，为便于布线，布置半导体装置1时，要做到突起部70、70延伸的方向垂直于底座48。也就是说，要做到突起部70、70延伸的方向垂直于光盘47的信息记录面。这样一布置，就成为半导体装置1的多个外部连接部77、77、···垂直于底座48的设置面排成两列的状态。于是，能够将从多个外部连接部77、77、···引出的用于与外部连接的布线收纳在半导体装置1的从底座48的设置面算起高度为H的范围内。结果是，能够使拾光模块整体的高度减小。
如上所述，半导体装置1的突起部70、70垂直于底座48延伸，不存在平行于底座48延伸的突起部。因此，能够使半导体装置1的高度H大致接近与所装载的半导体元件10的一条边的长度相等的长度。这样一来，就能够使拾光模块整体变薄，从而能够实现拾光模块的小型化。
在该实施方式中的半导体装置1中，连接电极75没有设置在基板部60的装载面62上，而是设置在用以放置盖体90的突起部70、70的上表面70b，因此能够实现半导体装置1的小型化。而且，因为将隔离件80、80设置在突起部70、70上，所以能够使盖体90的平行度提高。
(第二实施方式)第二实施方式所涉及的半导体装置与第一实施方式所涉及的半导体装置1唯一不同的地方是：在第二实施方式的半导体装置中，在金属细线的一部分上附着有粘接剂，其它各方面都相同。因此，下面仅对与第一实施方式不同的地方进行说明。
如将突起部70的上部放大后得到的图3所示，在该实施方式中的半导体装置中，所涂敷的粘接剂86比第一实施方式多，且该粘接剂86附着到金属细线22中与连接电极75连接的部分。因此，盖体90与封装体50的粘接强度比第一实施方式大，盖体90固定牢固。需提一下，因为粘接剂86仅附着在金属细线22中与连接电极75连接的部分，所以金属细线22不可能断。
(第三实施方式)第三实施方式所涉及的半导体装置，是在第一实施方式所涉及的半导体装置1中增加了板状侧壁部而构成的。除此以外各方面都与第一实施方式一样。因此，下面仅对与第一实施方式不同的地方进行说明。
该实施方式中的半导体装置2示于图4(a)、图4(b)以及图5(a)到图5(d)中。在这些图中，省略图示隔离件80、80上的粘接剂。该实施方式中的半导体装置2，在基板部60上沿着与设置有突起部70、70的一对外缘不同的另一对外缘，从一个突起部70的长边方向的端部到另一个突起部70的长边方向的端部设置有板状侧壁部30、30。也就是说，在第一实施方式的封装体50中加上板状侧壁部30、30即成为该实施方式的封装体51。
板状侧壁部30与突起部外侧侧壁70a一起构成封装体51的四个侧壁。封装体51是一去掉了上盖的长方体盒。半导体元件10放置在该长方体盒中。
板状侧壁部30的从基板部60的装载面62算起的高度与突起部70的高度相等。而且，板状侧壁部30上表面的宽度W2(垂直于长边方向的方向上的宽度)比突起部70上表面的宽度W1(垂直于长边方向的方向上的宽度)小。有了板状侧壁部30，就能够防止来自外部的灰尘、尘埃等进入半导体装置2内，从而能够防止灰尘、尘埃等附着到半导体元件10的受光面上。半导体装置2的在突起部70、70延伸的方向上的长度比第一实施方式中的半导体装置1长出两个板状侧壁部30、30的宽度W2×2那么多，但W2比突起部70、70的宽度W1小，因此所增加的长度被抑制在一个很小的值上。优选W2在W1的1/2以下，更优选W2在W1的1/4以下。但W2要在10μm以上。
能够用与第一实施方式中的半导体装置一样的制造方法制造出该实施方式中的半导体装置2。也就是说，制造好第一实施方式中的半导体装置后，再安装上板状侧壁部30、30，即制成该实施方式中的半导体装置2。
(第四实施方式)-半导体装置-第四实施方式所涉及的半导体装置与第一实施方式所涉及的半导体装置不同的地方是：在第四实施方式中，用板状透明部件取代透明的平板状盖体，并将该板状透明部件放到半导体元件上，将封装树脂注入到封装体的槽中，以将该透明部件的侧面与金属细线掩埋起来。下面，以与第一实施方式不同的地方为主对第四实施方式进行说明。有时省略对与第一实施方式相同之处的说明。
该实施方式所涉及的半导体装置3示于图7(a)、图7(b)以及图8(a)到图8(c)中。需提一下，为便于说明，在图8(a)中省略图示封装树脂96。在该实施方式中，封装体50、半导体元件10、隔离件80、80、突起部70、70以及金属细线22都与第一实施方式一样，半导体元件10与连接电极75的连接结构也一样。
装载在封装体50中的半导体元件10通过金属细线22与连接电极75相连接。板状透明部件94隔着透明的粘接剂放在半导体元件10上，以覆盖半导体元件10的受光面。透明部件94是由玻璃形成的上表面为矩形的板状部件，粘接在半导体元件10上。
除了透明部件94的上表面、隔离件80、80的上表面以外，封装体50的槽(凹部)内的部件皆被封装树脂96封装起来。也就是说，透明部件94的侧面、突起部70、70的上表面、金属细线22等被埋入封装树脂96中。当从上往下观看该实施方式中的半导体装置3时，仅有透明部件94的上表面与隔离件80、80的上表面露出来，剩余部分被封装树脂96覆盖。因此，灰尘、尘埃不会附着在半导体元件10的受光面、电极垫20、连接电极75及金属细线22等上，也就不会出现由于灰尘、尘埃等所导致的短路等不良现象。能够优选使用热固化环氧树脂、夹杂着含有SiO2等的填料的树脂、含有染料且具有遮光性的树脂等作封装树脂。
在被填入封装体50的槽内之际，封装树脂96是粘度很高的液体，之后固化成为固体。半导体装置3的侧壁中突起部外侧侧壁70a以外的侧壁与封装树脂96及突起部70、70的端面齐平。这里，因为隔离件80、80的高度比金属细线22的直径大，所以若将封装树脂96填充到与隔离件80、80的上表面大致相同的高度位置，金属细线22就被全部埋入封装树脂96中。因此，与专利文献2中所叙述的技术不同，金属细线22不会断，金属细线22与电极垫20及连接电极75的连接部分被固定，连接可靠性就提高。再就是，因为透明部件94的上表面露出，透明部件94的侧面却被埋入封装树脂96中，所以只有通过透明部件94的上表面而来的光到达半导体元件10的受光面。因此，即使光想要从透明部件94的侧面部分射入，这样的无用光也不会到达受光面，漫射光(光的漫反射)也就没有了，光学特性就会提高。
在以基板部60的装载面62为基准的高度(距离)下，透明部件94的上表面的高度比隔离件80、80的上表面的高度大，因此，在将半导体装置3装载到拾光模块中之际，就能够很容易地以平行于半导体元件10的受光面且面积较大的透明部件94的上表面作装载作业的基准面，也就能够很容易地提高将半导体装置3装载到拾光模块中的装载精度。同时，因为透明部件94的上表面的高度比隔离件80、80的上表面的高度大，所以装载作业能够很容易地在短时间内完成。
-半导体装置的制造方法-下面，对该实施方式所涉及的半导体装置3的制造方法进行说明。需提一下，与第一实施方式的制造方法一样的地方，要么省略说明，要么仅做简单的说明。
首先，准备图9(a)所示的封装体集合基板100。该封装体集合基板100与第一实施方式中的封装体集合基板100一样。
接下来，依次在槽55、55、···的底面沿着槽55、55、···的延伸方向装载、固定上多个半导体元件10，再将透明部件94放到半导体元件10的受光面上，并用透明粘接剂进行固定。此时，保护薄片91a设置在透明部件94的上表面。若进一步在隔离件80’的上表面放置保护薄片91b，则成为图9(b)所示的状态。
之后，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极75连接起来。于是，就成为电极垫20和连接电极75由金属细线22连接在一起的状态，如图9(c)所示。
之后，将封装树脂96填充到槽55内。既可以利用灌注进行填充，也可以利用注塑成型进行填充。此时，因为由保护薄片91a、91b盖住了透明部件94的整个上表面和隔离件80’的上表面，所以透明部件94的上表面和隔离件80’的上表面一定不会被封装树脂96覆盖住，而是露出来。图9(d)表示的是封装树脂96已填充好且已固化的状态。
接下来，用切片锯40从在相邻的两个槽55、55之间排成两列的连接电极75的列之间进行切割，使该两列连接电极75分开。此时，从隔离件80’的中央部位进行切割，将隔离件80’一分为二。这样切开后的状态就是图9(e)所示的状态，侧壁部分所在的平面就保持齐平。
之后，从透明部件94和隔离件80’上将保护薄片91a、91b揭下来，则成为图9(f)所示的状态。进一步垂直于槽55的延伸方向进行切割，将相邻的两个半导体元件10分开。于是，一个一个的半导体装置3就制造出来了。这里，因为封装树脂96在固化时收缩，所以封装树脂96的上表面位于比透明部件94的上表面以及隔离件80的上表面之下几微米处。
该实施方式中的半导体装置3与第一实施方式中的半导体装置1一样，能够制作得比现有技术下的半导体装置更小。
(第五实施方式)只有透明部件的形状不同这一点，是第五实施方式所涉及的半导体装置与第四实施方式中的半导体装置3不同的地方，除此以外其它各方面都相同。因此，仅对不同之处进行说明。
如图10所示，在该实施方式的半导体装置4中，透明部件95是上表面为圆形的板状部件。因为透明部件95是圆板状，所以封装树脂96很容易均匀地附着在侧面一周上。
该实施方式也能收到与第四实施方式一样的效果。
(第六实施方式)只有透明部件的形状不同这一点，是第六实施方式所涉及的半导体装置与第四实施方式中的半导体装置3不同的地方，除此以外其它方面都相同。因此仅对不同之处进行说明。
图11是该实施方式中的半导体装置5的剖视图。透明部件94a在它的上表面部分设置有台阶。该透明部件94a包括上表面部98和台阶面部99，该上表面部98设置在所述上表面部分的中央部位且与半导体元件10的光学功能面的形状、大小相对应；该台阶面部99比上表面部98低一些。封装树脂96覆盖到台阶面部99的上表面，但上表面部98上不存在封装树脂96。这样一设置台阶面部99，就一定能够抑制封装树脂96覆盖上表面部98。因此，所需要的光一定能够到达半导体元件10的光学功能面；从光学功能面发出的光能够毫无浪费地射出。
如图12所示，半导体装置6中，台阶面部99、上表面部98双方皆不被封装树脂96覆盖也无妨。
(其它实施方式)到此叙述的实施方式是本发明的示例，但本发明并不限于以上这些例子。
外部连接部设置在基板部的非装载面以外的部分上也无妨。例如，既可以在突起部外侧侧壁上设置外部连接部，也可以从非装载面到突起部外侧侧壁连续地设置外部连接部。连接外部连接部与连接电极的布线也不限于设置在突起部内的贯穿电极，沿着突起部的侧壁设置连接外部连接部与连接电极的布线也无妨。
既可以用固体摄像元件以外的光敏耦合器等受光元件作半导体元件，也可以用LED、激光元件等发光元件作半导体元件，还可以用光学元件以外的元件作半导体元件，光学元件以外的半导体元件例如有：SAW(表面声波)元件、振子、压力传感器、加速度传感器、声传感器等。此时，盖体无需透明。甚至是利用微电子机械系统(MEMS)制造的元件也可以作半导体元件用。
在矩形封装体的四条边上，都设置上表面具有与半导体元件电气连接的连接电极的突起部也无妨。
放置在半导体元件上的透明部件的上表面的形状并不限于矩形、圆形，只要是光能够到达整个受光面的形状，什么形状都可以，例如，三角形、五角形等多角形、椭圆形或者用直线将圆、椭圆的一部分切去后所形成的形状等。
在图13、图14所示的拾光模块中使用第二实施方式到第六实施方式所涉及的半导体装置(光检测器)也无妨。
在第二实施方式中的半导体装置2的制造方法下，所使用的封装体集合基板不是设有多个槽的封装体集合基板，而是设有多个凹坑的封装体集合基板也无妨。在该情况下，由各个凹坑收纳半导体元件，切断封装体集合基板时，要将突起部和板状侧壁部留出来，即能得到半导体装置。
在第二实施方式中的半导体装置2中，对板状侧壁部30的高度没有什么限定。板状侧壁部30的高度既可以是到盖体90的侧面为止的高度，也可以大约是图4、图5所示的高度的一半。-产业实用性-
综上所述，本发明所涉及的半导体装置，能够实现小型化，作为拾光模块的光检测器等很有用。

Claims (19)

1.一种半导体装置，包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体，其特征在于：
所述封装体具有基板部和突起部，所述基板部实质上是矩形，且包括装载所述半导体元件的装载面，所述突起部沿着该装载面的一对相向的外缘延伸，且所述突起部各自位于所述一对相向的外缘中的一个外缘上；
在各个所述突起部的上表面设置有连接电极和隔离件，所述连接电极用金属细线连接在所述半导体元件上，所述隔离件位于比该连接电极远离所述半导体元件的位置、具有比该金属细线的直径大的高度且沿着该突起部的上表面的外缘延伸，
所述隔离件的高度在所述金属细线的直径的2倍以下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
沿着设置有所述突起部的所述装载面的外缘延伸的该突起部的侧壁与沿着该突起部的上表面的外缘延伸的所述隔离件的外侧侧壁齐平。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述金属细线被埋在封装树脂中。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体元件是光学元件，透明部件放置在所述半导体元件上。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
所述透明部件呈板状，所述透明部件的侧面被埋在所述封装树脂中，所述透明部件的上表面露出。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
从所述装载面到所述透明部件的上表面的距离比从该装载面到所述隔离件的上表面的距离大。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
盖体放置并粘接在所述隔离件上。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述盖体中放在所述隔离件上的部分具有沿着该突起部的上表面的外缘延伸的所述隔离件的外侧侧壁齐平的面。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述金属细线中与所述连接电极和所述半导体元件连接在一起的部分以外的部分裸露在空气中。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
将所述盖体和所述隔离件粘接起来的粘接剂，覆盖住所述金属细线中与所述连接电极连接的部分中的至少一部分。
11.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
还设置有板状侧壁部，该板状侧壁部沿着与所述装载面的所述一对相向的外缘不同的另一对外缘从一个所述突起部延伸到另一个所述突起部，
所述板状侧壁部的上表面的在与所述不同的另一对外缘垂直的方向上的宽度比所述突起部的上表面的在与所述一对相向的外缘垂直的方向上的宽度小。
12.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体元件是光学元件，
所述盖体由透明材料制成。
13.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体，其特征在于：
该半导体装置的制造方法包括以下步骤：
准备封装体集合基板的步骤，该封装体集合基板具有相互平行的多个槽，在该槽的侧壁的上表面上多个连接电极沿着该槽排成两列，隔离件在该两列之间沿着该槽延伸，该隔离件位于比该连接电极远离所述半导体元件的位置且具有比该金属细线的直径大的高度，
装载步骤，在多个所述槽的每一个槽中沿着槽的延伸方向装载多个半导体元件，
连接步骤，用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来，以及
切割分离步骤，从所述两列连接电极之间进行切割而将封装体集合基板分开，
所述隔离件的高度在所述金属细线的直径的2倍以下。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
还包括将盖体放置并粘接在所述隔离件上的步骤。
15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
还包括将板状透明部件放置在所述半导体元件上的步骤，以及用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来的步骤。
16.一种拾光模块，包括权利要求1所述的半导体装置、激光模块以及分光镜，其特征在于：
装载在所述半导体装置中的半导体元件是受光元件。
17.根据权利要求16所述的拾光模块，其特征在于：
进一步包括反射镜和物镜。
18.根据权利要求16所述的拾光模块，其特征在于：
该拾光模块放置在光盘的信息记录面的下侧，所述突起部的延伸方向实质上与该信息记录面垂直。
19.根据权利要求16所述的拾光模块，其特征在于：
所述激光模块包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置，从该蓝紫色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且425nm以下，从该双波长激光装置射出的光的峰值波长在630nm以上且670nm以下和760nm以上且800nm以下。
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