CN1581502A - 固态成像装置的制造方法 - Google Patents

固态成像装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1581502A
CN1581502A CNA2004100562289A CN200410056228A CN1581502A CN 1581502 A CN1581502 A CN 1581502A CN A2004100562289 A CNA2004100562289 A CN A2004100562289A CN 200410056228 A CN200410056228 A CN 200410056228A CN 1581502 A CN1581502 A CN 1581502A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rib
parts
shell
lower step
transparent panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004100562289A
Other languages
English (en)
Inventor
南尾匡纪
佐野光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1581502A publication Critical patent/CN1581502A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

一种用于制造固态成像装置的方法，其中，包括基座和矩形框架状肋的外壳与多个金属引线部件树脂模制成一体，通过金属引线部件形成内端部和外端部，在外壳的内部空间内，将成像元件固定到基座上，将成像元件的多个电极分别连接到金属引线部件的内端部，以及将透明板粘合到肋的上表面上。为了定位透明板，通过提供沿着内周下降的下部阶梯，在肋的上表面上形成梯状部分。透明板具有能够安装到内壁的向内区域内的下部阶梯的上表面上的尺寸，该内壁由肋的梯状部分形成。当将透明板固定到肋的上表面时，在下部阶梯的上表面上提供粘合剂，透明板设置在粘合剂上，以便固定到下部阶梯的上表面上，同时相对于梯状部分的内壁调整其位置，然后除去位于肋的梯状部分外部的部分。很容易在肋的上表面上定位透明板。

Description

固态成像装置的制造方法
技术领域
本发明涉及用于制造固态成像装置的方法，其中成像元件例如CCD等安装在外壳内。
背景技术
以封装的形式提供广泛地用于视频摄像机和照相机等的固态成像装置，其中成像元件如CCD等安装在由绝缘材料制成的基座上，并具有由透明板覆盖的光电检测区。为了使该装置更紧凑，成像元件安装在作为裸芯片的基座上。图9示出了在JP2001-77277A中公开的固态成像装置，它是这种固态成像装置的常规例子。
在图9中，数字41表示外壳，它由基座41a和通过树脂模制形成为一体的框架状肋(rib)41b构成，由此形成内部空间42。位于基座41a中心的管芯焊盘43和位于肋41b下面的引线44被埋置在外壳41中。位于内部空间42中心的成像元件芯片45固定到管芯焊盘43的上侧。引线44包括内端部44a和外端部44b，内端部44a在肋41b的内侧并在基座41a的上侧暴露于内部空间42，外端部44b在肋41b的下面并且可从基座41a的底侧看到。内端部44a和成像元件芯片45的键合焊盘通过由金属制成的键合线46连接。透明密封玻璃板47固定到肋41b的上表面，由此形成用于保护成像元件芯片45的封装。
这种固态成像装置利用面向上的密封玻璃板47安装在电路板上，如图9所示，并且外端部44b用于将其连接到电路板上的电极上。尽管图中未示出，但是在密封玻璃板47的顶部安装结合成像光学系统的透镜套筒，它相对于形成在成像元件芯片45中的光电检测区的位置可以以预定精度调整。在成像操作期间，已经通过结合在透镜套筒中的成像光学系统的物体光被聚焦在光电检测区上并被光电转换。
具有这种结构的固态成像装置通过暴露在外壳底表面处的外端部44b连接到电路板上的电极，以便封装的高度和占据的表面面积小于使用从外壳各侧向下弯曲的外部引线进行连接的结构时的封装高度和占据的表面面积，由此使其适合于高密度封装。
在JP2001-77277A中公开的技术中，如图10所示的上模具48和下模具49用于树脂模制图9中所示形状的外壳41。下模具49的上侧是平坦的。上模具48的下侧设有对应肋41b的凹陷部48a。在凹陷部48a的两侧提供形成内部空间42的内部凸出部48b和形成肋41b的外表面的外部凸出部48c。引线44和管芯焊盘43以整体形式提供作为引线框架50，并设置在上模具48和下模具49之间。
通过在上模具48和下模具49之间置入引线框架50，在下模具49和上模具48的内部凸出部48b之间形成腔51。在这种状态下，填充树脂，并当管芯打开和取回模制的产品时，形成外壳41的基座41a和肋41b具有它们完成的形式。就是说，如图10所示，上模具48的凹陷部48a准确对应于肋41b的形状，并且在模制之后不需要另外的修整。在模制之后，在位于肋41b的外侧的位置上切割引线框架50。
在上述固态成像装置制造工艺中，在将密封玻璃板47固定到肋41b的上表面时，在肋41b的上表面施加粘合剂，如图9所示，并且然后将密封玻璃板47放在肋41b的上表面上并安装。然而，由于肋41b的上表面是平坦的，如图9所示，并且41b大约1mm宽，所以密封玻璃板47相对于平坦上表面的定位很困难，并且这是使制造效率下降的一个原因。
为了提供用于定位密封玻璃板的较宽公差范围，必须使肋41b的上表面具有至少一定宽度。确保肋41b的宽度妨碍了外壳41面积的小型化。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于制造固态成像装置的方法，其中相对于肋的上表面定位密封玻璃板是容易的，而且其中在加工完之后，肋的宽度很小并且可以实现外壳的小型化。
根据本发明的用于制造固态成像装置的方法，包括：树脂模制外壳，该外壳包括基座和矩形框架状肋，并与多个金属引线部件形成为一体；通过金属引线部件形成内端部和外端部；在外壳的内部空间内，将成像元件固定基座上；将成像元件的多个电极分别连接到金属引线部件的内端部；和将透明板固定到肋的上表面上。
为了解决上述问题，在肋的上表面上形成梯状部分，提供沿着内周降低的下部阶梯，透明板具有能安装到内壁的向内区域内的下部阶梯的上表面上的尺寸，其中内壁由肋的梯状部分形成，并且当将透明板固定到肋的上表面时，将粘合剂提供在下部阶梯的上表面上，透明板设置在粘合剂上，以便固定到下部阶梯的上表面上，同时相对于梯状部分的内壁调整透明板的位置，然后除去位于肋的梯状部分外部的部分。
附图说明
图1是表示根据本发明实施例1的固态成像装置的结构的剖面图。
图2是图1的固态成像装置的底视图。
图3是图1的固态成像装置的侧视图。
图4是在没有透明板的情况下图1的固态成像装置的平面图。
图5A-5E是表示根据本发明实施例2的固态成像装置的制造方法的剖面图。
图6是在这种制造方法中的引线框架的平面图。
图7是在这种制造方法中的模制的树脂产品的平面图，其中引线框架埋置在模制的树脂产品中。
图8A-8C是更详细地表示这种制造方法的树脂模制步骤的剖面图。
图9是常规固态成像装置的剖面图。
图10是表示模制这种固态成像装置的外壳的步骤的剖面图。
具体实施方式
利用根据本发明用于制造固态成像装置的方法，当将透明板放在肋的上表面上时，通过由肋上表面的梯状部分形成的内周端面调整透明板的位置。因而，即使肋的上表面的宽度很小也可以容易地并可靠地进行透明板的定位，并且肋的宽度不会妨碍将外壳制造得更紧凑。而且，因为最终除去该梯状部分的外侧部分，所以形成用于调整位置的梯状部分不会妨碍将外壳制造得更紧凑。
当根据本发明用于制造固态成像装置的方法适用于制造多个固态成像装置时，如果如下进行，则是有利的：
多个外壳与分别设置的多个金属引线部件模制在一起，以便形成肋形成部件，其将形成相邻外壳的肋结合为一体，并且凸出部设置在宽度方向的中心及肋形成部件的上表面上，以便在纵向延伸，由此形成梯状部分。将成像元件固定在每个外壳的内部空间内之后，用连接部件将成像元件的电极连接到内端部。然后，在将粘合剂提供在下部阶梯的上表面上之后，透明板放置并结合在下部阶梯的上表面的粘合剂上，该下部阶梯形成在肋形成部件的凸出部的两侧上，同时通过外壳的肋形成部件的凸出部的侧壁调整透明板的位置。然后，通过在垂直于基座并将肋形成部件的宽度分割成两半的方向上切割每个外壳，来将固态成像装置分成多件，以便消除凸出部。
参见附图，下面将详细介绍根据本发明实施例的用于制造固态成像装置的方法。
图1-4表示通过该制造方法制造的固态成像装置的结构。图1是剖面图，图2是底视图，图3是固态成像装置的侧视图。图4是表示除去其部分元件的固态成像装置的平面图。
数字1表示由热固树脂或热塑树脂如环氧树脂制成的外壳，具有设置在平面基座2上作为矩形框架、并通过模制形成一体的肋3。通过固定部件6如粘合剂将成像元件5固定到基座2上，基座2面对外壳1的内部空间4。通过粘合剂8将由例如玻璃制成的透明板7固定到肋3的上表面上，密封外壳1的内部空间4并形成封装。肋3的高度例如在0.1-1.0mm范围内，肋的宽度设置为例如0.1-1.0mm。
在模制时，将多个金属引线部件9埋置在外壳1中。金属引线部件9是用于将外壳1的内部空间4电连接到外部的元件，其包括在基座2的内部空间侧的表面上暴露的内端部9a、在对应于内端部9a的位置上并在基座2的背表面上暴露的外端部9b、以及在外壳1的侧表面上暴露的侧电极部9c。成像元件5的电极焊盘5a和金属引线部件9的内端部9a由细金属线10连接。例如，整个封装的厚度设置为不超过2.0mm。图4是没有透明板7的图1中的固态成像装置的平面图。
如图1所示，在金属引线部件9上，对应于内端部9a之位置的背表面形成外端部9b。此外，在这些部分上的金属引线部件9的厚度与基座2的厚度基本相同。因而，当树脂形成时，可以利用上、下模具将金属引线部件9夹持在内端部9a和外端部9b处。因此，内端部9a的表面被上模具的表面向下压并与之接触，从而可以抑制树脂毛刺的产生。位于金属引线部件9中并在肋3下面的侧电极部9c通过半刻蚀形成得很薄，并且它们的底表面被树脂覆盖。
如图1和图3所示，外壳1的外周表面(换而言之，肋3的外侧表面)形成基本上垂直于基座2的表面的平面。此外，透明板7的端面和侧电极部9c的表面形成得与外壳1的外侧表面基本上齐平。外壳1的内周表面(换而言之，肋3的内侧表面)形成为锥形(图中未示出)，该锥形从基座2的表面到透明板7的方向张开，以便允许在树脂形成之后容易取出模具。
根据本发明的用于制造固态成像装置的方法可以有效地和高度精确地制造具有上述结构的固态成像装置，并通过下面参考图5-7所说明的步骤进行。
首先，如图5A所示，制备引线框架21。如图6的平面图所示，引线框架21连接多个引线部分22，以便形成图1所示的金属引线部件9。对应于引线部分22之内端部9a的位置的厚度设置为基本上与基座2的厚度相同。引线部分22具有通过半刻蚀它们的下表面而形成的凹陷部23，并通过在后来的工艺中切割该部分，这变成为图1中所示的金属引线部件9的形状。
接着，如图5B所示，通过用树脂插入模制来埋置引线框架21，以便制造模制品，它包括多个由基座24和肋形成部件25构成的外壳26。图7示出了模制之后的平面图。引线部分22的上表面和下表面被埋置，以便从每个基座24的上表面和下表面露出，并形成内端部9a和外端部9b。肋形成部件25具有通过将相邻外壳26的肋组合成一体获得的形状。凸出部25a形成在肋形成部件25的上表面的中心部分上，以便它在肋形成部件25的纵向延伸(见图7)。因而，通过凸出部25a的两侧上的侧壁形成梯状部分25c，由此在每个外壳26的内部上，肋形成部件25的上表面形成下部阶梯25b。
接着，如图5C所示，通过粘合剂6将成像元件5固定在由肋形成部件25包围的内部空间中，并且通过细金属线10将成像元件5的焊盘电极5a连接到内端部9a上。然后，将粘合剂28涂覆到凸出部25a的两侧上以及下部阶梯25b的上表面上。
接下来，如图5D所示，将透明板7放在原位并固定。透明板7具有对应于外壳26的尺寸和形状。更具体地说，透明板7的周端面由凸出部25a的侧壁的内侧(就是说梯状部分25c)定位，因而具有面对下部阶梯25b之上表面的尺寸。因此，当安装透明板7时，通过梯状部分25c调整它们的位置，以便可以很容易地将透明板7定位于肋形成部件25的上表面上。
已经用粘合剂28固定透明板7之后，用切割刀29切割肋形成部件25、引线部分22和基座24，并且将其分成多件，形成单独的固态成像装置，如图5E所示。如图5D所示，切割是在垂直于基座24的方向进行的，这样当从上部观看时肋25的宽度变为一半。此时，进行切割以便除去肋形成部件25的凸出部25a的区域。结果是，通过分割的肋形成部件25、引线部分22和基座24形成由基座2和肋3制成的外壳1、和金属引线部件9。此外，金属引线部件9的侧电极部9c暴露出来。
根据本实施例的制造方法，当将透明板7安装到肋形成部件25的上表面上时，可以通过形成凸出部25a的梯状部分25c的内周端面调整透明板7的位置。因此，即使肋形成部件25的上表面的宽度很小，也容易地并可靠地定位透明板7，并且肋形成部件25的宽度不妨碍外壳的小型化。而且，因为最终除去梯状部分的凸出部25a，所以用于调整位置的凸出部25a的形状也不妨碍外壳的小型化。
应该理解，可以将通过将相邻外壳26的两个肋结合成一体而形成的肋形成部件25的宽度设置为小于根据常规方法单独模制的肋的宽度的两倍。因而，如果按照如图5E所示那样将其切割成两半，则固态成像装置的肋3的宽度小于独立形成每个肋时的宽度，并且可以相应减小固态成像装置的表面面积。
甚至在这种尺寸中，也可以确保肋25的宽度处于足以施加用于粘接透明板7的粘合剂的范围内。在大多数极端情况下，如果肋25形成得具有与独立形成的肋相同的宽度，然后将其切割成两件，则切割之后的肋3的宽度可以是常规例子的一半。
而且，当在宽度方向将肋25切割成两件时，切割平面垂直于衬底部分24。相比之下，如果像常规技术那样独立地形成肋，则在模制之后，用于使模制品从模具分离的锥体必须设置在肋的外侧表面上。因而，根据本发明制造的肋的表面面积减少了通过不提供锥部而节省的量。
此外，因为肋形成部件25和引线部分22是用相同的切割刀29一起切割的，所以通过透明板7的端面形成的封装的侧表面、外壳1的侧表面以及金属引线部件条9的端面基本上是齐平的，并可实现良好的平坦度。因而，当在容纳光学系统的透镜套筒中安装装置中时，可以利用封装的侧表面以高精度进行光学系统相对于成像元件5的光电检测部的定位。就是说，通过将封装的侧表面紧靠在透镜套筒的内表面，可以使该装置很容易地相对于水平位置定位。应该指出的是，通过使透镜套筒的下表面紧靠电路板表面，可以进行垂直方向的定位。
参见图8，下面更详细地介绍上述制造工艺的如图5B所示用树脂模制外壳的工艺步骤。
首先，如图8A所示，在上模具30和下模具31之间插入引线框架，并且通过上模具30和下模具31夹持引线部分22的上表面和下表面。下模具31的上表面是平坦的，但是上模具30的下表面设有用于形成肋形成部件25的凹陷部32(见图5B)。在凹陷部32的中心，提供用于肋形成部件25的凸出部25a的凹槽30a。通过置入引线部分22，在上模具30和下模具31之间形成的空间33、上模具30的凹陷部32的空间、以及引线部分22的凹陷部23的空间形成用于树脂模制的腔。
接着，如图8B所示，将树脂填充到腔中，并模制基座24和肋形成部件25。之后，如图8C所示那样打开模子，并且取出如图5B所示的连接的外壳的模制品。
在这个模制步骤中，引线部分22的上表面和下表面被上模具30和下模具31夹持，确保了模子表面和引线部分22的上、下表面紧密接触。而且，上模具30和凹陷部32之间的边界位于引线部分22之上。结果是，可以有效地抑制由模制产生的树脂毛刺。
而且，如果在树脂模制外壳时，用于防止产生树脂溢料毛刺的树脂板置于模子和引线框架21之间，则可以更有效地抑制毛刺的产生。在上面给出的说明中，给出了例子，由此将形成相邻外壳的肋结合成一体，然而，如常规例子所示，即使采用相邻肋分开形成的方法，也可以实现与采用本发明的制造方法相同的效果。
在不脱离本发明的精神和主要特性的情况下，本发明还可以以其他形式实施。本申请公开的实施例在所有方面只是示意性的而非限制性的。本发明的范围由所附权利要求书而不是由前面的说明表示，并且在权利要求的等效性含义和范围内的所有修改都应被包含于本发明的范围内。

Claims (2)

1、一种用于制造固态成像装置的方法，包括：
树脂模制外壳，该外壳包括一个基座和若干个矩形框架状肋，并与多个金属引线部件形成为一体，通过金属引线部件形成内端部和外端部；
在外壳的内部空间内，将一成像元件固定到基座上；
将成像元件的若干个电极分别连接到金属引线部件的内端部；以及
将透明板固定到所述肋的上表面上，
其中，在所述肋的上表面上形成梯状部分，提供沿着内周降低的下部阶梯，
透明板具有能被安装到一内壁的向内区域内的下部阶梯的上表面上的尺寸，所述内壁由所述肋的梯状部分形成，以及
当将透明板固定到所述肋的上表面时，将粘合剂提供在下部阶梯的上表面上，透明板设置在粘合剂上，以便被固定到下部阶梯的上表面上，同时调整其位置与梯状部分的内壁，然后除去位于所述肋的梯状部分外部的部分。
2、根据权利要求1的用于制造固态成像装置的方法，其中：
多个外壳与分别设置的多个金属引线部件模制在一起，以便形成肋形成部件，其将形成相邻外壳的肋结合成为一体，并且一个凸出部被设置在宽度方向的中心中的肋形成部件的上表面上，以便在纵向延伸，形成梯状部分，
在每个外壳的内部空间内固定成像元件之后，用连接部件将成像元件的电极连接到内端部，
然后，在将粘合剂提供在下部阶梯的上表面上之后，将透明板放置并结合在下部阶梯的上表面的粘合剂上，其中下部阶梯形成在肋形成部件的凸出部的两侧，同时通过外壳的肋形成部件的凸出部的侧壁调整透明板的位置，以及
然后，通过在垂直于基座并将肋形成部件的宽度分成两半的方向上切割每个外壳，来将固态成像装置分成若干件，以便消除凸出部。
CNA2004100562289A 2003-08-14 2004-08-05 固态成像装置的制造方法 Pending CN1581502A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP293545/2003 2003-08-14
JP2003293545A JP3838571B2 (ja) 2003-08-14 2003-08-14 固体撮像装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1581502A true CN1581502A (zh) 2005-02-16

Family

ID=33562806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004100562289A Pending CN1581502A (zh) 2003-08-14 2004-08-05 固态成像装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7268016B2 (zh)
EP (1) EP1507295A3 (zh)
JP (1) JP3838571B2 (zh)
KR (1) KR100644185B1 (zh)
CN (1) CN1581502A (zh)
TW (1) TW200507222A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101595558B (zh) * 2007-03-14 2011-07-20 松下电器产业株式会社 半导体装置的制造方法、拾光模块以及半导体装置
CN101606242B (zh) * 2007-03-14 2011-12-21 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法、拾光模块
CN101312166B (zh) * 2007-05-24 2012-02-29 塞米克朗电子有限及两合公司 功率半导体模块
CN104425528A (zh) * 2013-08-19 2015-03-18 索尼公司 成像装置和电子装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070040231A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
KR20060004885A (ko) * 2005-12-24 2006-01-16 최현규 반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체패키지 모듈
CN100454505C (zh) * 2006-01-25 2009-01-21 矽品精密工业股份有限公司 半导体装置及其制法
US7990727B1 (en) * 2006-04-03 2011-08-02 Aprolase Development Co., Llc Ball grid array stack
US8609978B2 (en) * 2007-02-14 2013-12-17 Flextronics Ap, Llc Leadframe based photo voltaic electronic assembly
JP2008227232A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイスおよび光ピックアップモジュール
JP5132957B2 (ja) * 2007-03-14 2013-01-30 パナソニック株式会社 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
KR100927423B1 (ko) * 2008-05-15 2009-11-19 삼성전기주식회사 글라스 캡 몰딩 패키지 및 그 제조방법, 그리고 카메라모듈
JP5633480B2 (ja) * 2011-06-30 2014-12-03 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
KR102624247B1 (ko) * 2016-03-08 2024-01-12 주식회사 쿠라레 금속 피복 적층판 및 회로 기판
WO2019156051A1 (ja) * 2018-02-08 2019-08-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP7181050B2 (ja) * 2018-10-18 2022-11-30 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077277A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
US6384472B1 (en) * 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
JP2002134762A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学装置及びその製造方法
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
JP2002373950A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止ｉｃパッケージの製造方法
TW521410B (en) * 2001-11-15 2003-02-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package article

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101595558B (zh) * 2007-03-14 2011-07-20 松下电器产业株式会社 半导体装置的制造方法、拾光模块以及半导体装置
CN101606242B (zh) * 2007-03-14 2011-12-21 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法、拾光模块
CN101312166B (zh) * 2007-05-24 2012-02-29 塞米克朗电子有限及两合公司 功率半导体模块
CN104425528A (zh) * 2013-08-19 2015-03-18 索尼公司 成像装置和电子装置
CN104425528B (zh) * 2013-08-19 2018-10-16 索尼公司 成像装置和电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050019056A (ko) 2005-02-28
EP1507295A3 (en) 2006-05-24
KR100644185B1 (ko) 2006-11-10
JP2005064292A (ja) 2005-03-10
JP3838571B2 (ja) 2006-10-25
TW200507222A (en) 2005-02-16
US7268016B2 (en) 2007-09-11
US20050037538A1 (en) 2005-02-17
EP1507295A2 (en) 2005-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1581502A (zh) 固态成像装置的制造方法
KR100682970B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
US7691678B2 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US7294907B2 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US7719585B2 (en) Solid-state imaging device
US8077248B2 (en) Optical device and production method thereof
CN100433339C (zh) 固体摄像器件及其制造方法
CN1591854A (zh) 制造固态成像装置的方法
CN1929103A (zh) 数码相机模组的制程
JP4219943B2 (ja) 固体撮像装置
JP2006332686A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20050216

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned