JP5132957B2 - 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール - Google Patents

半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP5132957B2
JP5132957B2 JP2007064795A JP2007064795A JP5132957B2 JP 5132957 B2 JP5132957 B2 JP 5132957B2 JP 2007064795 A JP2007064795 A JP 2007064795A JP 2007064795 A JP2007064795 A JP 2007064795A JP 5132957 B2 JP5132957 B2 JP 5132957B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
rib
lid
dam
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007064795A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008227231A (ja
Inventor
純也 古屋敷
省三 森部
博喜 宇辰
則之 吉川
敏行 福田
匡紀 南尾
裕之 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2007064795A priority Critical patent/JP5132957B2/ja
Priority to US12/525,499 priority patent/US20100001174A1/en
Priority to PCT/JP2008/000512 priority patent/WO2008111303A1/ja
Priority to CN200880003392XA priority patent/CN101647115B/zh
Publication of JP2008227231A publication Critical patent/JP2008227231A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5132957B2 publication Critical patent/JP5132957B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • G11B7/1275—Two or more lasers having different wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/16315—Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、半導体デバイスとその製造方法、および光ピックアップモジュールに関するものである。
従来よりＤＶＤ等の光ディスクの信号を読み取る光ディスクドライブ装置には、読み取り用の光を出射する半導体レーザ素子と、光ディスクからの反射戻り光を受光する光検出器とが同一の基台上に配置された光ピックアップモジュールが搭載されている。
特許文献１に開示されているように、光ピックアップモジュールは、光ディスクの光学記録面の下に置かれて光ディスクの半径方向に移動するように光ディスクドライブ装置において構成されているため、光ディスクドライブ装置を小型にするためには光ピックアップモジュールを小型にすることが必須となっており、そのためには光検出器を小型にする必要がある。
例えば特許文献２には、固体撮像素子を納める筐体を小型にして光検出器を小型にするための固体撮像装置の製造方法が開示されている。具体的には、基板部および矩形枠状のリブにより形成される筐体を、複数本の金属リード片とともに一体的に樹脂成形して、各金属リード片により内部端子部および外部端子部を形成し、筐体の内部空間内の基板部上に撮像素子を固定し、撮像素子の電極と各金属リード片の内部端子部とを各々接続し、リブの上端面に透光板を接合する。このとき、透光板の位置決めのため、リブの上端面に、内周に沿って低くなった低段部を設けて段差部を形成し、透光板を、リブの段差部に形成された内壁の内側領域内で低段部の上面に載置可能な大きさとし、リブの上端面に透光板を接合する際に、低段部上面に接着材を充填した後、透光板を段差部の内壁により位置規制しながら低段部上面の接着材上に載置し接合した後、リブの段差部の外側に位置する部分を削除する、という方法である。
特開２００１−５６９５０号公報 特開２００５−６４２９２号公報 特開２００５−７９５３７号公報
しかしながら、図３２に示すように特許文献２に開示された固体撮像装置では、撮像素子２０５が載せられた基板部２０２の外縁部分に矩形枠状のリブ２０３が設けられているが、リブ２０３は矩形状の４辺のいずれも同じ幅であり、このため小型化には限界があった。特許文献３に開示されている固体撮像装置にも同様の問題があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、全体の大きさを小型にでき、特に略矩形のパッケージの４辺のうち対向する一対の２辺の長さを小さくできる半導体デバイスを提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明では半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスにおいて、パッケージの構成に工夫をした。
具体的には、本発明の第１の半導体デバイスは、前記パッケージが、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該一対の外縁上にのみそれぞれ設けられた第１のリブとを有し、それぞれの前記第１のリブの上面には、該第１のリブ上面の外縁に沿って延びるダムが設けられているとともに、該ダムよりも前記半導体素子に近い位置に該半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部が該ダムから離間して載せられており、前記第１のリブと前記蓋体とは接着剤によって接着されているとともに前記ダムと該蓋体との間に該接着剤が存している構成とした。
また、本発明の第２の半導体デバイスは、前記パッケージが、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該一対の外縁上にそれぞれ設けられた第１のリブと、該搭載面の別の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該別の一対の外縁上にそれぞれ設けられた第２のリブとを有し、それぞれの前記第１のリブの上面には、該第１のリブ上面の外縁に沿って延びるダムが設けられているとともに、該ダムよりも前記半導体素子に近い位置に該半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部が該ダムから離間して載せられており、前記第１のリブと前記蓋体とは接着剤によって接着されているとともに前記ダムと該蓋体との間に該接着剤が存しており、前記第１のリブの前記一対の対向する外縁に直交する方向の幅よりも、前記第２のリブの前記別の一対の対向する外縁に直交する方向の幅の方が小さい構成とした。
前記第２のリブと前記蓋体とは前記接着剤によって接着されている構成とすることができる。
前記接着剤は、前記ダムに相対する前記蓋体の側面にも付着していることが好ましい。
前記第１のリブが設けられた前記搭載面外縁に沿った該第１のリブの側壁と、該第１のリブ上面の外縁に沿った前記ダムの外側側壁とは、面一である構成とすることができる。
本発明の第３の半導体デバイスは、前記パッケージが、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該一対の外縁上にのみそれぞれ設けられた第１のリブとを有し、それぞれの前記第１のリブの上面には、前記半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部が載せられており、前記第１のリブと前記蓋体とは接着剤によって接着されているとともに、該第１のリブ上に存する該蓋体の側面には該接着剤によってフィレットが形成されており、該フィレットの該蓋体側面とは反対側の終端部には堰き止められた痕跡が存している構成とした。ここでフィレットというのは、蓋体の側面と第１のリブ上面との双方に接着した隅肉部のことである。
本発明の第４の半導体デバイスは、前記パッケージが、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該一対の外縁上にそれぞれ設けられた第１のリブと、該搭載面の別の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該別の一対の外縁上にそれぞれ設けられた第２のリブとを有し、それぞれの前記第１のリブの上面には、前記半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部が載せられており、前記第１のリブと前記蓋体とは接着剤によって接着されているとともに、該第１のリブ上に存する該蓋体の側面には該接着剤によってフィレットが形成されており、該フィレットの該蓋体側面とは反対側の終端部には堰き止められた痕跡が存しており、前記第１のリブの前記一対の対向する外縁に直交する方向の幅よりも、前記第２のリブの前記別の一対の対向する外縁に直交する方向の幅の方が小さい構成とした。
前記第２のリブと前記蓋体とは前記接着剤によって接着されている構成とすることができる。
本発明の第１の半導体デバイスの製造方法は、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、平行な複数の溝を有し、該溝の側壁上面の中央部分には該溝に沿ってダムが延びているパッケージ集合基板を用意する工程と、複数の前記溝のそれぞれに複数の半導体素子を溝の延びる方向に沿って搭載する工程と、前記溝の側壁上面であって前記ダムと溝との間の部分に接着剤を該溝に沿って連続して塗布する工程と、前記接着剤の上に前記半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部を載せる工程Ｘと、前記接着剤を硬化させる工程と、隣り合う２つの前記溝の中央部分を該溝に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程Ｙとを含む構成とした。
また、本発明の第２の半導体デバイスの製造方法は、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、複数の窪みが複数の行と列とを成して並んでおり、該窪みの隣り合う行間の中央部分には該行に沿ってダムが延びているパッケージ集合基板を用意する工程と、複数の前記窪みのそれぞれに複数の半導体素子を搭載する工程と、前記窪みの行間であって前記ダムの隣の部分に該ダムに沿って接着剤を連続して塗布する工程と、前記接着剤の上に前記半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部を載せる工程Ｘと、前記接着剤を硬化させる工程と、隣り合う２つの前記窪みの行間の中央部分を該行に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程Ｚとを含む構成とした。
隣り合う前記窪みの列間の幅は、隣り合う前記窪みの行間の幅以下であることが好ましい。
前記工程Ｙあるいは工程Ｚでは、前記ダムの一部も切断する構成とすることができる。
前記工程Ｘでは、前記接着剤が前記蓋体の側面に付着しフィレットを形成することが好ましい。
本発明の光ピックアップモジュールは、上記いずれかの半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、前記蓋体は透明な材料からなり、前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である構成とした。
さらにミラーと対物レンズとを備えていることが好ましく、光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直であることが好ましい。
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている構成とすることができる。出射光のピーク波長とは、出射光のスペクトルにおいて強度が極大となっている波長である。
本発明の半導体デバイスは、一対の対向する第１のリブ上面に蓋体を接着し、対向する別の一対の第２のリブは第１のリブよりも幅が小さいか、あるいは第２のリブが存しないので、全体の大きさを小さくすることができる。また、第１のリブ上面には接着剤のダムを設けているので接着剤のはみ出しを防ぐことができる。なお、ダムは接着剤硬化後に除去してもよい。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。
（実施形態１）
−半導体デバイス−
実施形態１に係る半導体デバイスは、半導体素子として集積化受光素子を用いた光検出器である。なお半導体素子としては、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＩＣなどの受光素子や、ＬＥＤ、半導体レーザなどの発光素子を用いてもよい。
図１に示すように、本実施形態の半導体デバイス１は、断面Ｕ字型である溝形状のパッケージ５０の溝の中に半導体素子１０が収納され、透明な平板状の蓋体９０が被せられているものである。また、図２（ａ）〜（ｃ）も本実施形態の半導体デバイス１を示しているが、説明の都合上図２（ａ）は蓋体９０を取り外しており、図には示していない。
本実施形態のパッケージ５０は、矩形の基板部６０と、基板部６０の上方に突き出し且つこの矩形の対向する一対の辺に沿ってそれぞれ延びる２つの第１のリブ７０，７０と、第１のリブの上面７０ｂの外縁部分に設けられたダム８０，８０を有している。第１のリブ７０，７０は、基板部６０のうち半導体素子１０が搭載される矩形の搭載面６２の対向する一対の外縁上にのみそれぞれ設けられており、搭載面６２の外縁に沿って延びる直方体の形状を有している。なお、搭載面６２の対向する一対の外縁上にのみ第１のリブ７０，７０が設けられているというのは、前記一対の外縁上には第１のリブ７０，７０がそれぞれ設けられているが、該一対の外縁とは別の一対の外縁上には第１のリブ７０，７０は設けられておらず、搭載面６２の中央部とその近辺にも設けられていないということである。
搭載面６２には、搭載された半導体素子１０と第１のリブ７０との間の部分に複数の接続電極７５，７５，…が１列に並んでおり、各接続電極７５は第１のリブ７０の下の部分にまで延びて一部が第１のリブ７０の下に隠れている。そして、接続電極７５は基板部６０内に設けられた埋め込み電極７６，７６，…に接続している。また、基板部６０の搭載面６２とは反対面である非搭載面６４には、複数の外部接続部７７，７７，…が設けられていて、これらが埋め込み電極７６、７６，…に接続している。即ち、接続電極７５，７５，…は埋め込み電極７６，７６，…を介して外部接続部７７，７７，…に電気的に接続されている。
半導体素子１０は矩形であって、一方の面に複数の電極パッド２０，２０，…が対向する一対の２辺に沿ってそれぞれ１列に並んでいる。電極パッド２０，２０，…が設けられた面の反対側の面がパッケージ５０の搭載面６２に載せられて接着剤によって固定されている。このとき電極パッド２０，２０，…が並んだ列が伸びている方向と第１のリブ７０，７０が延びる方向とが略平行になるように半導体素子１０はパッケージ５０に搭載される。そして、電極パッド２０，２０，…と接続電極７５，７５，…とが金属細線２２，２２，…によって接続されている。
ダム８０，８０は第１のリブ上面７０ｂにおいて、半導体素子１０から最も遠いところに位置しており、第１のリブ７０，７０の延びる方向に延びている。そして、第１のリブ上面７０ｂの上であってダム８０，８０から離れた位置に矩形の蓋体９０の外縁部が載せられて接着剤８５によって固定されている。ここで接着剤８５は、蓋体９０の外縁部下面と第１のリブ上面７０ｂとの間に存していると共に、ダム８０と蓋体９０の側面との間にも存する。なお、第１のリブ上面７０ｂと蓋体９０との間の接着剤８５は、厚みが小さいため図２（ａ）では図示を省略している。この図示省略は実施形態２以降を説明する断面図においても同様である。
ここで、接着剤８５がダム８０と蓋体９０の側面との間にも存しているので、接着剤８５が蓋体９０の外縁部下面と第１のリブ上面７０ｂとの間にのみ存している場合に比べて蓋体９０がより強固に第１のリブ７０に固定されている。特に本実施形態では、ダム８０と蓋体９０の側面との間にも存している接着剤８５が、蓋体９０側面と第１のリブ上面７０ｂとがなす角の部分にフィレット形状を成しており、これにより接着剤８５の量が少なくても蓋体９０は第１のリブ７０により強固に固定されることになる。
また、半導体デバイス１の側壁部において、第１のリブ外側側壁７０ａとダム外側側壁８０ａとは面一になっており、これによって半導体デバイス１の両第１のリブ７０，７０間側の長さを小さくでき小型化に寄与している。また、接着剤８５はダム８０に堰き止められて半導体デバイス１の側壁から外方へはみ出してはいない。ここで外側側壁というのは、第１のリブ７０，７０およびダム８０，８０の側壁のうち、半導体素子１０の方を向いている側壁に対向する側壁のことである。
本実施形態では基板部６０の外縁のうち、第１のリブ７０，７０が設けられた一対の外縁とは別の一対の対向する外縁部にはリブが設けられていないので、この別の一対の外縁部間の距離は半導体素子１０の大きさや接続電極７５，７５，…の配置に必要なスペースによって決まる。即ち上記別の一対の外縁部間の距離は、半導体素子１０を搭載するパッケージとしては最も小さくすることができる。
−半導体デバイスの製造方法−
本実施形態に係る半導体デバイス１の製造方法について以下に説明する。
まず、図３（ａ）に示すパッケージ集合基板１００を用意する。パッケージ集合基板１００は、上述のパッケージ５０が複数並んで隣り合うパッケージ５０の第１のリブ外側側壁７０ａ同士が一体となっている形状を有している。また、リブが延びる方向にも複数のパッケージ５０が並んで一体となっている形状である。
このパッケージ集合基板１００は公知の方法により作製できる。例えば、平板状の基板に複数の貫通孔を一列に並べて形成し、この列を平行に複数列設ける。そして、その貫通孔に導電体を埋め込んで埋め込み電極７６，７６，…とし、これら埋め込み電極７６，７６，…と接続する接続電極７５，７５，…を基板の上面に、外部接続部７７，７７，…を基板の下面に形成する。それから四角柱状の第１のリブ前駆体７０’，７０’，…を接続電極７５，７５，…の列間に、該列間の一つおきに載せて固定し、第１のリブ前駆体７０’の上面中央部にダム８０’を載せると、パッケージ集合基板１００が出来上がる。このとき、隣り合う第１のリブ前駆体７０’，７０’に挟まれたところが溝５５となる。また、ダム８０’と溝５５とは平行に延びている。
それから複数の溝５５，５５，５５のそれぞれの底面に複数の半導体素子１０を、溝５５，５５，５５の延びる方向に沿って搭載して固定すると図３（ｂ）に示す状態となる。
その後、半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングによって接続する。さらに、第１のリブ前駆体７０’の上面であってダム８０’と溝５５との間のところに接着剤８５を溝５５に沿って連続して塗布をすると、図３（ｃ）に示すように、電極パッド２０と接続電極７５とが金属細線２２によって接続されていると共に接着剤８５が第１のリブ前駆体７０’上面に載せられた状態となる。
ここで接着剤８５を連続して塗布するというのは、図４に示すように、隣り合う半導体素子の間に対応する部分も途切れることなくダム８０’に沿って一直線となるように塗布することである。
次に各半導体素子１０に対し一つずつ透明な蓋体９０を、その外縁部分が接着剤８５の上に載るようにパッケージ集合基板１００に設置する。蓋体９０は各半導体素子１０の上方を覆い隠すように配置する。そして接着剤８５を硬化させることによって蓋体９０を接着、固定する。この状態が図３（ｄ）に示す状態である。このとき蓋体９０の外縁が塗布された接着剤８５の約半分に載るように設置しているので、接着剤８５は蓋体９０下面と第１のリブ前駆体７０’上面との間だけではなく、蓋体９０側面にも付着すると共に、ダム８０’の方に押し出されていくが、ダム８０’により堰き止められて隣のパッケージ領域にはみ出すことはない。またこの時に、接着剤８５は蓋体９０側面に付着してダム８０’の方向へ向かって下がっていくフィレットを形成する。
それから、ダイシングソー４０によって、隣り合う２つの溝５５，５５間においてダム８０’の中央部分を切断して２つに切り離す。こうして側壁部分が面一になる。さらに溝５５の延びる方向に対して垂直に、隣り合う半導体素子１０間で切断を行う。このように切り離した状態が図３（ｅ）に示す状態である。こうして個々の半導体デバイス１が出来上がる。
なお、上述の半導体デバイス１の製造方法は、一つの例であり、本実施形態の製造方法はこの例に限定されない。隣り合う溝５５，５５の間を切り離してから蓋体９０を載せても構わない。また、溝５５の形成方法は、基板に第１のリブ前駆体を設置する方法に限定されず、厚みのある基板を切削して形成する方法でもよいし、レーザ光によって形成する方法でもよい。さらに図５に示すように、隣り合う溝５５，５５の間にスリット８６を有しているパッケージ集合基板１０１を用いても良い。このようなパッケージ集合基板１０１を用いると、パッケージ集合基板１０１が大きくなっても（面積が広くなっても）反ったり変形したりすることが抑制されるとともに、ダイシングソー４０による溝５５，５５間の切り離しが非常に容易にかつ短時間でできるので、加工が容易になる。
−光ピックアップモジュール−
図３０は本実施形態に係る光ピックアップモジュールが、光ディスク４７の下に置かれた状態での模式的な斜視図であり、図３１はその状態を横から見た図である。なお、図３１の右端の半導体デバイス１は、その左側にある台座４８に設置された半導体デバイス１（光検出器）を上下方向の軸の周りに９０°回転させて受光面の側を参考として示したものであり、光ピックアップモジュールに２つの半導体デバイス１が搭載されているわけではない。
この光ピックアップモジュールは、上述の半導体デバイス１（光検出器）と第１及び第２レーザ装置４１，４２と、ビームスプリッタ４３と、ミラー４５と対物レンズ４６とを備えている。第１および第２レーザ装置とがレーザモジュール４９を構成している。第１及び第２のレーザ装置４１，４２から出射した光４４はビームスプリッタ４３を通過し、ミラー４５で反射されて、対物レンズ４６を通って光ディスク４７の情報記録面に入射する。光４４は情報記録面で反射をし、対物レンズ４６，ミラー４５、ビームスプリッタ４３を経由して半導体デバイス１に入射する。
ここで第１レーザ装置４１はピーク波長が４０５ｎｍのレーザ光を出射する青紫レーザ装置であり、第２レーザ装置４２はピーク波長が６５０ｎｍの赤のレーザ光とピーク波長が７８０ｎｍの赤外レーザ光との２つの波長のレーザ光を出射する２波長レーザ装置である。
光ピックアップモジュールを構成する各部材は、台座４８の上に置かれて光ディスク４７の情報記録面の下側に置かれる。そして、回転する光ディスク４７の下で光ディスク４７の径方向に光ピックアップモジュールは移動を行う。各部材が置かれる台座４８の面は、光ディスク４７の情報記録面と平行になっている。
ここで配線の都合上半導体デバイス１は、第１のリブ７０，７０が延びる方向が台座４８に対して垂直に、すなわち光ディスク４７の情報記録面に対して垂直に配置されている。このように配置されると、半導体デバイス１の複数の外部接続部７７，７７，…が台座４８の設置面に対して垂直に２列に並び、従って外部接続部７７，７７，…から引き出される外部との接続用の配線を半導体デバイス１の台座４８の設置面からの高さＨの範囲内に納められ、光ピックアップモジュール全体の高さを小さくできる。
また、上述のように半導体デバイス１の第１のリブ７０，７０は台座４８に対して垂直に延びるものであって、台座４８に水平に延びるリブは存していない。従って、半導体デバイス１の高さＨは搭載している半導体素子１０の１辺の長さとほぼ同じ長さにまで近づけることが可能であり、これにより光ピックアップモジュール全体を薄く、小型にすることができる。
本実施形態の半導体デバイス１は、パッケージ５０において基板部６０の一対の対向する外縁部に設けられた第１のリブ７０，７０の上面７０ｂに蓋体９０を接着させ、別の一対の対向する外縁部にはリブを設けていないので、全体を小型にすることできる。また、ダム８０，８０によって堰き止められた接着剤８５が蓋体９０の側面に付着してフィレットを形成しているので、蓋体９０をパッケージ５０に強固に固定することができる。
本実施形態においては、製造工程において隣り合う溝５５，５５間を切断する際にダム８０’を切断するので、接着剤８５に応力や負荷が掛からず、蓋体９０と第１のリブ７０，７０との接着強度が安定する。また、特許文献３の図９に示された半導体デバイスは、接着剤自体を切断するので、接着剤に応力がかかり接着強度にばらつきが生じるおそれがあるとともに、接着剤塗布時に凹部から接着剤がはみ出したり、蓋体取り付け時に一つづつ取り付けるとすると凹部の両側で接着剤の付着量に偏りが発生するし、同時に複数の蓋体を取り付ける場合は接着剤が両側から押されて蓋体の上に接着剤が乗り上げるおそれがある。しかしながら、本実施形態では、上述のような不具合は生じない。
（実施形態２）
実施形態２に係る半導体デバイスは、実施形態１に係る半導体デバイス１からダム８０を取り去った点のみが実施形態１と異なり、他の点は同じであるので、実施形態１と異なる点だけを以下に説明する。
図７は本実施形態の半導体デバイス２の製造工程を断面により示した図である。図７（ａ）〜（ｅ）は、図３に示す実施形態１の半導体デバイス１の製造工程と同じである。本実施形態では、隣り合う溝５５，５５の間をダイシングソー４０で切断した後に、図７（ｆ）に示すようにダム８０，８０，…を取り去っている。この時ダム８０，８０，…は接着剤８５が接着しない材質を用いている。
従って、図６に示すように本実施形態の半導体デバイス２は、実施形態１と同じパッケージ５０と半導体素子１０と蓋体９０とを用い、蓋体９０は実施形態１の半導体デバイス１と同様に接着剤８５によって第１のリブ７０，７０に接着されているが、実施形態１とは異なりダムを有していない。本実施形態の半導体デバイス２の接着剤８５は、蓋体９０の側面に付着して第１のリブ上面７０ｂに向かってフィレットを形成しているが、このフィレットの蓋体９０の側面から離れた側（側面とは反対側）の終端部は、ダム８０によって堰き止められた痕跡が残っている。この痕跡は、接着剤８５が蓋体９０の側面から第１のリブ上面７０ｂに向かってなだらかに下がっていく途中のところで急に第１のリブ上面７０ｂにまで下がる断崖のような形状のことである。
このように本実施形態の半導体デバイス２はダムを取り除いているので、半導体デバイス２を光ピックアップモジュールに組み込む場合に途中で引っかかることなくスムースに組み込み作業を行うことができる。また、実施形態１と同様の効果を本実施形態においても奏する。
（実施形態３）
実施形態３に係る半導体デバイスは、実施形態１に係る半導体デバイス１にさらに第２のリブが加わったものであり、それ以外の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と異なっている点を以下説明する。
本実施形態の半導体デバイス３は、図８，９に示すように第１のリブ７０，７０と第２のリブ７１，７１とが設けられており、実施形態１の半導体デバイス１において外部に向かって開放されていた半導体デバイス１の側面が第２のリブ７１，７１によって閉鎖され、半導体素子１０が密閉されている。第２のリブ７１，７１が延びる方向は第１のリブ７０，７０の延びる方向と直交している。なお、説明の都合上図９（ａ）は蓋体９０を取り外しており、図には示していない。
第２のリブ７１，７１は基板部６０の搭載面６２外縁上に、基板部６０の上方へと突き出すように設けられている。第２のリブ７１，７１が設けられている搭載面６２の外縁は、第１のリブ７０，７０が設けられている搭載面の外縁とは別の一対の対向する外縁であって、これら対同士は直交している。
本実施形態では、第２のリブ７１，７１の上面のパッケージ５１内側を向いた縁部分が蓋体９０の外縁と接触しており、かつ第１のリブ７０，７０の近辺においては第２のリブ７１，７１と蓋体９０との接触部分に接着剤８５が毛細管現象によって入り込み、接着されている。また、両者の接触によって半導体素子１０が密閉されている。従ってパッケージ５１内に塵が入ることを防ぐことができ、配線の短絡を防ぐことができる共に半導体素子１０が光学素子の場合は光学機能面に塵が載って機能を損なうことを防ぐことができる。
第２のリブ７１の幅ａ（第２のリブ７１が延びる方向に直交する方向の幅）は第１のリブ７０の幅ｂ（第１のリブ７０が延びる方向に直交する方向の幅）よりも小さい。これは、第１のリブ７０は蓋体９０を固定する役割があるのに対し、第２のリブ７１はそのような役割がなく塵埃の侵入を防ぐことができればよいからである。
本実施形態では、半導体デバイス３の第１のリブ７０，７０が伸びる方向の長さは、第２のリブ７１，７１の幅ａ×２の分だけ実施形態１の半導体デバイス１よりも大きくなるが、ａは第１のリブ７０，７０の幅ｂよりも小さいので長さの増加分は小さく抑えられる。なお、ａはｂの１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。またａは１０μｍ以上であればよい。これにより第２のリブ７１，７１を備えてパッケージ５１内に塵が入ることを防ぐことができるとともに、第１のリブ７０，７０の長手方向において半導体デバイス３の長さを従来のものより小さくでき、半導体デバイス３全体を小さくすることができる。また、本実施形態の半導体デバイス３はこのような効果に加えて実施形態１と同様な効果を奏する。
本実施形態の半導体デバイス３を作製する際には、平板状の基板の上に図１０（ａ）に示す格子部材１２０を貼り合わせてパッケージ基板集合体を作製して使用している。なお、図１０（ａ）に示されているのは、格子部材１２０全体の一部であり、他の部分は省略している。格子部材１２０を構成する部材のうち、ダム８０’が載せられているものはその一部が第１のリブ７０となる第１部材１１１であり、第１部材１１１と直交しているものが第２部材１１２でありその一部が第２のリブ７１となる。
この格子部材１２０と基板とを貼り合わせて作製したパッケージ集合基板は、格子の孔の部分に基板で底が形成されて窪みとなり、この窪みが複数の行と列とを成して並んだものとなる。即ち複数の窪みがマトリックスを形成していて、これらの窪みのそれぞれの中に半導体素子１０が置かれてワイヤボンディングされる。ここでは、複数の窪みが形成する行において、隣り合う行の間には第１部材１１１が存することになり、第１部材１１１の上面中央部にダム８０’が窪みが成す行に沿って延びていることとなる。また、複数の窪みが形成する列において、隣り合う列の間には第２部材１１２が存することになる。
そして、実施形態１と同様にダム８０’に沿って連続して接着剤８５を塗布し、各窪みに対して一つずつ蓋体９０を載せてパッケージ集合基板に貼り合わせる。このとき、蓋体９５の外縁部分が接着剤８５の上に載せられる。
この後に接着剤８５を熱や紫外線などで硬化させ、それからダイシングソーでダム８０’の中央部を切断して各第１部材１１１を２つに切り離し、さらに各第２部材１１２の中央部もダイシングソーで切断して各第２部材１１２を２つに切り離して半導体デバイス３とする。
なお、図１０（ｂ）や図１１（ａ）、（ｂ）に示す格子部材１２１，１２２，１２３を用いてパッケージ基板集合体を作製しても構わない。図１０（ｂ）に示す格子部材１２１は、図５に示すパッケージ基板集合体と同じように、第１部材１１３の中央部分にスリット８６が設けられており、第１部材１１３を切り分けるのが容易となっている。図１１（ａ）に示す格子部材１２２は、第２部材１１４にスリット８７が設けられており、第２部材１１４を切り分けることが容易になっている。図１１（ｂ）に示す格子部材１２３は、第１部材１１３と第２部材１１４の両方にスリット８６，８７が設けられていて、第１部材１１３、第２部材１１４のどちらも切り分けることが容易になっている。
上述の格子部材１２０，１２１，１２２，１２３は、最終製品である半導体デバイス３において第１のリブ７０の幅ｂの方が第２のリブ７１の幅ａよりも大きくなるように、隣り合う窪みの列同士の間となっている第２部材１１２，１１４の幅が隣り合う窪みの行同士の間となっている第１部材１１１，１１３の幅以下となっている。
なお、本実施形態では、第２のリブ７１，７１と蓋体９０とが接触していて半導体素子１０が密閉されているが、これら両者が接触しておらず間が数十μｍ程度までならば離れていても、半導体素子１０の機能障害や短絡を生じさせる塵等の侵入を防止することが可能であるので、第２のリブ７１，７１と蓋体９０とが接触していなくても構わない。
（実施形態４）
実施形態４に係る半導体デバイスは、実施形態３に係る半導体デバイス３からダム８０を取り去った点のみが実施形態３と異なり、他の点は同じであるので、実施形態３と異なる点だけを以下に説明する。
図１２に示すように本実施形態の半導体デバイス４は、実施形態３の半導体デバイス３を作製してから、あるいは作製する途中でダム８０を取り除くことにより作製される。従って、本実施形態の半導体デバイス４は、実施形態３の半導体デバイス３からダム８０が取り去られた構造や構成、形状をしており、実施形態２の半導体デバイス２と同様に、接着剤８５が蓋体９０の側面に付着して第１のリブ上面７０ｂに向かってフィレットを形成しているが、このフィレットの蓋体９０の側面から離れた側（側面とは反対側）の終端部は、ダム８０によって堰き止められた痕跡が残っている。
本実施形態の半導体デバイス４は、実施形態３の効果に加えて、半導体デバイス４を光ピックアップモジュールに組み込む場合に途中で引っかかることなくスムースに組み込み作業を行うことができるという効果を奏する。
（実施形態５）
実施形態５に係る半導体デバイスは、実施形態３に係る半導体デバイス３とは第２のリブ７１，７１と蓋体９０との関係が異なり、他の点は同じであるので、実施形態３と異なる点だけを以下に説明する。
本実施形態の半導体デバイス５では図１３、図１４に示すように、蓋体９１の端部と第２のリブ７１，７１の上面とが重なっていて、その重なっている部分で接着剤８５を介して両者が接着されている。即ち本実施形態の蓋体９１は、実施形態３の蓋体９０よりも第１のリブ７０，７０が延びる方向において長く、第２のリブ７１，７１の上面上にまで延びていて、蓋体９１側面と第２のリブ７１，７１の外壁面とが面一となっている。なお、説明の都合上図１４（ａ）は蓋体９１を取り外しており、図には示していない。また、同様に説明の都合上図１４（ｂ）、（ｃ）の蓋体９１と第１のリブ７０，７０及び第２のリブ７１，７１との間の接着剤８５も図示を省略している。
次に、蓋体９１とパッケージ５１との接着について図１５、図１６を参考に説明する。
図１５は、パッケージ集合基板１０２の窪みに半導体素子１０を搭載・ボンディングし、第１のリブとなる第１部材１１３の上面にダム８０に沿って接着剤８５を連続して塗布した状態を示している。なお、図の上下方向及び左右方向にさらにパッケージ集合基板１０２は延びているがここでは一部のみを示している。このパッケージ集合基板１０２は図１０（ｂ）に示す格子部材１２１を用いて作製されたものである。接着剤８５は窪み１３０が成している列と列との間（第２部材が存している部分）にも途切れることなく塗布されている。
この後、図１６に示すように窪み１３０を塞ぐように各窪み１３０に蓋体９１を載せる。一つの窪み１３０に一つの蓋体９１を載せていくが、行方向において隣り合う蓋体９１の間は隙間を設ける。この時、蓋体９１のうち、第１部材１１３の上面に載せられた外縁部分は、第１部材１１３上の接着剤８５の上に直接置かれるので、接着剤８５がその外縁部分に付着する。一方、蓋体９１のうち、第２部材１１２の上面に載せられた外縁部分では、蓋体９１と第２部材１１２との間に毛細管現象によって接着剤８５が入り込む。従って、第２部材１１２の上に接着剤８５を塗布しないのに第２部材１１２と蓋体９１とが接着剤８５によって接着されることになり、実施形態３に比べて蓋体９１はパッケージ５１に対してより強固に接着される。また、窪み１３０の開口を確実に蓋体９１が塞ぐので、塵埃の侵入を確実に防止できる。また、実施形態３と同じ効果も奏する。
なお、本実施形態に係るパッケージ集合基板を作製する際に、図１０（ａ）、図１１（ａ）、（ｂ）に示す格子部材１２０，１２２，１２３を用いてもよい。格子部材１２０，１２２を用いた場合は、第１部材１１１にスリットが無く幅広のダム８０’が置かれるので、これらの行を切り離すために第１部材１１３を、その上に載ったダム８０’と共に切断する。
（実施形態６）
実施形態６に係る半導体デバイスは、実施形態５に係る半導体デバイス５からダム８０を取り去った点のみが実施形態５と異なり、他の点は同じであるので、実施形態５と異なる点だけを以下に説明する。
図１７に示されている本実施形態の半導体デバイス６は、実施形態５の半導体デバイス５を作製してから、あるいは作製する途中でダム８０を取り除くことにより作製される。従って、本実施形態の半導体デバイス６は、実施形態５の半導体デバイス５からダム８０が取り去られた構造や構成、形状をしており、実施形態２の半導体デバイス２と同様に、接着剤８５が蓋体９１の側面に付着して第１のリブ上面７０ｂに向かってフィレットを形成しているが、このフィレットの蓋体９１の側面から離れた側（側面とは反対側）の終端部は、ダム８０によって堰き止められた痕跡が残っている。
本実施形態の半導体デバイス６は、実施形態５の効果に加えて、半導体デバイス６を光ピックアップモジュールに組み込む場合に途中で引っかかることなくスムースに組み込み作業を行うことができるという効果を奏する。
（実施形態７）
実施形態７に係る半導体デバイスは、実施形態１に係る半導体デバイス１とはパッケージが異なっている。以下に実施形態１に係る半導体デバイス１と異なっている点を中心に、図２６，２７を参照して本実施形態に係る半導体デバイス１’を説明する。
本実施形態のパッケージ５２は、矩形の基板部６０’と、この矩形の対向する一対の辺に沿ってそれぞれ延びる２つの第１のリブ７０’，７０’と、第１のリブ上面７０ｂ’に設けられたダム８０，８０を有している。また、第１のリブ上面７０ｂ’から半導体素子１０の方へ一段下がったリブ段差部７３が形成されている。リブ段差部７３には接続電極７５’，７５’，…が形成されている。第１のリブ７０’，７０’は、基板部６０’のうち半導体素子１０が搭載される矩形の搭載面６２’の対向する一対の外縁部分から上方に突き出す形で設けられており、搭載面６２’の外縁に沿って延びる直方体の形状を有している。
第１のリブ７０’，７０’の内部には複数の内部配線（埋め込み配線）７６’，７６’，…が設けられている。内部配線７６’は、リブ段差部７３では接続電極７５に繋がっており、その反対側の面（非搭載面６４’）では外部接続部７７に繋がっている。そして、半導体素子１０の電極パッド２０，２０，…とリブ段差部７３の接続電極７５とが金属細線２２によって接続されている。また、ダム８０，８０は、第１のリブ上面７０ｂにおいて接続電極７５よりも外側にリブ７０，７０と平行に延びるように設けられている。
蓋体９０は第１のリブ上面７０ｂ’にその外縁部分が載せられて、実施形態１と同様に接着剤８５によりパッケージ５２に接着されている。
第１のリブ上面部７０ｂ’とリブ段差部７３との距離は、金属細線２２の径よりも大きく接続電極７５’への金属細線２２のボンディングは第２ボンドであるので、台のリブ上面７０ｂ’上に載せられた蓋体９０が金属細線２２に接触して金属細線２２を押さえつけることはなく、金属細線２２の接続信頼性は高く保持される。また、第１のリブ上面部７０ｂ’とリブ段差部７３との距離は金属細線２２の径の２倍以下に設定しているので、半導体デバイス１’の厚みを小さくすることができ、半導体デバイス１’を小型にできる。
本実施形態の半導体デバイス１’は、蓋体９０とパッケージ５２との接着形態が実施形態１と同じであり第１のリブ７０’、７０’の延びる方向におけるパッケージ長さも同じであるので、実施形態１と同様の効果を奏する。また、接続電極７５’をリブ段差部７３に設けているので、半導体素子１０を搭載する部分の面積を最小にすることができ、このことが半導体デバイス１’の小型化に寄与する。
本実施形態の半導体デバイス１’は、実施形態１の半導体デバイス１と同様な方法で製造することができる。なお、本実施形態の半導体デバイス１’において、完成後にダム８０，８０を取り去っても構わない。
（実施形態８）
実施形態８に係る半導体デバイスは、実施形態７に係る半導体デバイス１’にさらに第２のリブが加わったものであり、それ以外の点は実施形態７と同じであるので、実施形態７と異なっている点を以下説明する。
図２８に本実施形態に係る半導体デバイス３’を示す。本実施形態の半導体デバイス３’では、基板部６０’において第１のリブ７０’，７０’が設けられている一対の外縁とは異なる対の外縁に沿って一方の第１のリブ７０’の長手方向の端部から他方の第１のリブ７０’の端部まで第２のリブ７１’、７１’が設けられている。すなわち、実施形態７のパッケージ５２に第２のリブ７１’、７１’を加えたものが本実施形態のパッケージ５３となっている。
第２のリブ７１’、７１’は、リブ外側側壁７０ａとともにパッケージ５１の四方の側壁を構成しており、第２のリブ７１’、７１’の基板部搭載面６２’からの高さは、第１のリブ７０’の高さと同じである。そして、第２のリブ７１’の上面の幅（長手方向に対して垂直な方向の幅）は、第１のリブ７０’上面の幅（長手方向に対して垂直な方向の幅）よりも小さい。第２のリブ７１’、７１’があることにより、外部からのゴミや塵が半導体デバイス３’内に入ってくることを防止でき、半導体素子１０の受光面にゴミや塵が付着することを防止できる。半導体デバイス３’の第１のリブ７０’，７０’が伸びる方向の長さは、２つの第２のリブ７１’、７１’の幅の分だけ実施形態７の半導体デバイス１’よりも大きくなるが、第２のリブ７１’の幅は第１のリブ７０’の幅よりも小さいので長さの増加分は小さく抑えられる。なお、第２のリブ７１’の幅は第１のリブ７０’の幅の１／２以下が好ましく、１／４以下がより好ましい。また第２のリブ７１’の幅は１０μｍ以上であればよい。
本実施形態では、第２のリブ７１’，７１’の上面のパッケージ５３内側を向いた縁部分が蓋体９０の外縁と接触しており、かつ第１のリブ７０’，７０’の近辺においては第２のリブ７１’，７１’と蓋体９０との接触部分に接着剤８５が毛細管現象によって入り込み、接着されている。
本実施形態の半導体デバイス３’は、実施形態７の半導体デバイスと同様の製造方法で製造することができる。すなわち、実施形態７の半導体デバイスを製造した後にその半導体デバイスに第２のリブ７１’，７１’を取り付ければ本実施形態の半導体デバイス３’が出来上がる。なお、本実施形態の半導体デバイス３’において、完成後にダム８０，８０を取り去っても構わない。
（実施形態９）
実施形態９に係る半導体デバイスは、実施形態８に係る半導体デバイス３’とは第２のリブ７１’，７１’と蓋体９０との関係が異なり、他の点は同じであるので、実施形態８と異なる点だけを以下に説明する。
本実施形態の半導体デバイス５’では図２９に示すように、蓋体９１の端部と第２のリブ７１’，７１’の上面とが重なっていて、その重なっている部分で接着剤８５を介して両者が接着されている。即ち本実施形態の蓋体９１は、実施形態８の蓋体９０よりも第１のリブ７０’，７０’が延びる方向において長く、第２のリブ７１’，７１’の上面上にまで延びていて、蓋体９１側面と第２のリブ７１’，７１’の外壁面とが面一となっている。蓋体９１の端部と第２のリブ７１’，７１’の上面との接着については、実施形態５と同じであるので、説明を省略する。
本実施形態では、実施形態８に比べて蓋体９１がパッケージ５３に対してより強固に接着される。また、パッケージ５３の開口を確実に蓋体９１が塞ぐので、塵埃の侵入を確実に防止できる。また、実施形態８と同じ効果も奏する。なお、本実施形態の半導体デバイス５’においても、完成後にダム８０，８０を取り去っても構わない。
（参考形態１）
−半導体デバイス−
参考形態１に係る半導体デバイスは、実施形態１に係る半導体デバイスに比較して、透明な平板状の蓋体の代わりに板状の透明部材を半導体素子の上に載せていてこの透明部材の側面と金属細線とが埋め込まれるようにパッケージの溝の中に封止樹脂を入れている点が異なっている。以下、実施形態１との相違点を中心に参考形態１の説明を行う。なお実施形態１と同じ点は説明を省略することがある。
図１８（ａ）、（ｂ）、図１９（ａ）〜（ｃ）に本参考形態に係る半導体デバイス７を示す。なお、図１９（ａ）では説明を行いやすいように封止樹脂９６を省略している。本参考形態においては、パッケージ５０、半導体素子１０、ダム８０，８０、第１のリブ７０，７０、金属細線２２は実施形態１と同じであり、接続電極７５と外部接続部７７との接続構造や半導体素子１０と接続電極７５との接続構造も実施形態１と同じである。
パッケージ５０に搭載された半導体素子１０は金属細線２２によって接続電極７５と接続されている。そして、半導体素子１０の受光面を覆うように板状の透明部材９４が半導体素子１０の上に透明な接着剤を介して載せられている。透明部材９４は上面が矩形のガラスからなる板状部材であり、半導体素子１０に接着されている。
さらに透明部材９４の上面とスペーサ８０，８０の上面を除いてパッケージ５０の溝（凹部）内のものは封止樹脂９６によって封止されている。すなわち、透明部材９４の側面や第１のリブ７０，７０上面、金属細線２２等が封止樹脂９６に埋め込まれている。本参考形態の半導体デバイス７を上から見ると透明部材９４の上面とダム８０，８０の上面とが露出しているのみで、残りは封止樹脂９６に覆われている。従って、半導体素子１０の受光面や電極パッド２０、接続電極７５や金属細線２２にゴミや埃が付着することはなく、ゴミや埃に由来するショートなどの不具合も生じることはない。封止樹脂としては、熱硬化型エポキシ樹脂、ＳｉＯ２等を含有させたフィラー入りの樹脂、染料を含有させ遮光性を付与した樹脂などを好ましく使用することができる。
封止樹脂９６はパッケージ５０の溝内に充填される際には粘度の高い液体であり、その後固まって固体になる。半導体デバイス７の側壁のうち、第１のリブ外側側壁７０ａ以外の側壁は、封止樹脂９６と第１のリブ７０，７０の端面とが面一になっているものである。ここで、金属細線２２は全て封止樹脂９６中に埋め込まれており、金属細線２２と電極パッド２０および接続電極７５との接続部分が固定されて接続信頼性が向上する。また、透明部材９４の上面は露出しており側面は封止樹脂９６中に埋め込まれているので、半導体素子１０の受光面には透明部材９４の上面を通過してくる光のみが到達し、透明部材９４の側面部分から光が入射しようとしても、そのような不要な光は受光面には到達せず、迷光（光の乱反射）が無くなり、光学特性が向上する。
また、基板部６０の搭載面６２を基準とした高さ（距離）において、透明部材９４の上面の高さの方がダム８０，８０の上面の高さよりも大きくしているので、半導体デバイス７を光ピックアップモジュールに搭載する際に半導体素子１０の受光面に平行であって且つ面積の広い透明部材９４の上面を搭載作業の基準面として容易に用いることができ、光ピックアップモジュールへの搭載精度を容易に向上させることができるとともに、搭載作業も容易に短時間で行うことができる。
−半導体デバイスの製造方法−
本参考形態に係る半導体デバイス７の製造方法について以下に説明する。なお、実施形態１の製造方法と同じところは説明を省略あるいは簡単に行う。
まず、図２０（ａ）に示すパッケージ集合基板１００を用意する。このパッケージ集合基板１００は、実施形態１に示すものと同じである。
次に溝５５，５５，…の底面に複数の半導体素子１０を、溝５５，５５，…の延びる方向に沿って順に搭載して固定し、さらに半導体素子１０の受光面の上に透明部材９４を載せて透明接着剤によって固定する。このとき透明部材９４の上面には保護シート９２ａが設置されている。さらにダム８０’の上面に保護シート９２ｂを設置すると図２０（ｂ）に示す状態となる。
その後、半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングによって接続を行う。このようにして図２０（ｃ）に示すように、電極パッド２０と接続電極７５とが金属細線２２によって接続された状態となる。
それから溝５５内に封止樹脂９６を充填する。充填はポッティングで行ってもよいし、射出成形で行ってもよい。この時透明部材９４の上面の全面およびダム８０’の上面に保護シート９２ａ，９２ｂが被せられているので、透明部材９４の上面とダム８０’の上面とが確実に封止樹脂９６に覆われず、露出することになる。図２０（ｄ）は封止樹脂９６が充填され固化した状態である。
次に、ダイシングソー４０によって、隣り合う２つの溝５５，５５間においてダム８０’の中央部分を切断して２つに切り離す。こうして切り離した状態が図２０（ｅ）に示す状態である。こうして側壁部分が面一になる。
それから保護シート９２ａ，９２ｂを透明部材９４およびダム８０’から剥がすと、図２０（ｆ）に示す状態となる。さらに溝５５の延びる方向に対して垂直に、隣り合う半導体素子１０間で切断を行う。こうして個々の半導体デバイス７が出来上がる。ここで、封止樹脂９６は固化時に収縮するため、封止樹脂９６の上面は透明部材９４の上面およびダム８０の上面よりも数μｍ下側に位置するようになる。
本参考形態の半導体デバイス７は、実施形態１の半導体デバイス１と同様に、従来の半導体デバイスよりも小型にすることができる。
さらに、透明部材９４を改変し、図２１（ａ）、（ｂ）に示すような上面の外縁部に段差を有する半導体デバイス１７，１７’としてもよい。図２１（ａ）に示す透明部材９４ａは、上面部分に段差が設けられており、その上面部分の中央部に設けられていて半導体素子１０の光学機能面の形状・大きさに対応する上面部９８と、上面部９８よりも一段低い段差面部９９を有している。そして封止樹脂９６は段差面部９９の上まで覆っているが上面部９８には載っていない。このように段差面部９９を設けることにより、封止樹脂９６が上面部９８に載ることを確実に抑制でき、半導体素子１０の光学機能面に必要な光を確実に届けられ、あるいは光学機能面から発する光を無駄なく出射することができる。
また図２１（ｂ）に示すように、半導体デバイス１７’は段差部９９、上面９８共に封止樹脂９６に覆われないようにしても構わない。
（参考形態２）
参考形態２に係る半導体デバイスは、参考形態１に係る半導体デバイス７からダム８０を取り去った点のみが参考形態１と異なり、他の点は同じであるので、参考形態１と異なる点だけを以下に説明する。
図２２に示されている本参考形態の半導体デバイス７’は、参考形態１の半導体デバイス７を作製してから、あるいは作製する途中でダム８０を取り除くことにより作製される。従って、本参考形態の半導体デバイス７’は、参考形態１の半導体デバイス７からダム８０が取り去られた構造や構成、形状をしており、実施形態２の半導体デバイス２と同様に、第１のリブ７０の外縁近くに存している封止樹脂９６の終端部は、ダム８０によって堰き止められた痕跡が残っている。
本参考形態の半導体デバイス７’は、参考形態１の効果に加えて、半導体デバイス７’を光ピックアップモジュールに組み込む場合に途中で引っかかることなくスムースに組み込み作業を行うことができるという効果を奏する。
（参考形態３）
参考形態３に係る半導体デバイスは、参考形態１に係る半導体デバイス７にさらに第２のリブが加わったものであり、それ以外の点は参考形態１と同じである。またパッケージは実施形態３と同じである。以下、参考形態１、実施形態３との相違点を中心に参考形態３の説明を行う。参考形態１、実施形態３と同じ点は説明を省略することがある。
図２３（ａ）、（ｂ）、図２４（ａ）〜（ｃ）に本参考形態に係る半導体デバイス８を示す。なお、図２４（ａ）では説明を行いやすいように封止樹脂９６を省略している。本実施形態においては、パッケージ５１、半導体素子１０、ダム８０，８０、第１のリブ７０，７０、金属細線２２は実施形態３と同じであり、接続電極７５と外部接続部７７との接続構造や半導体素子１０と接続電極７５との接続構造も実施形態３と同じである。
本参考形態の半導体デバイス８は、参考形態１の半導体デバイス７において封止樹脂９６が剥き出しとなっている側面に第２のリブ７１，７１が設けられて側面の封止樹脂９６を覆い隠している。
本参考形態の半導体デバイス８は、参考形態１の半導体デバイス７と同じ効果を奏する。
（参考形態４）
参考形態４に係る半導体デバイスは、参考形態３に係る半導体デバイス８からダム８０を取り去った点のみが参考形態３と異なり、他の点は同じであるので、参考形態３と異なる点だけを以下に説明する。
図２５に示されている本参考形態の半導体デバイス８’は、参考形態３の半導体デバイス８を作製してから、あるいは作製する途中でダム８０を取り除くことにより作製される。従って、本参考形態の半導体デバイス８’は、参考形態３の半導体デバイス８からダム８０が取り去られた構造や構成、形状をしており、実施形態２の半導体デバイス２と同様に、第１のリブ７０の外縁近くに存している封止樹脂９６の終端部は、ダム８０によって堰き止められた痕跡が残っている。
本参考形態の半導体デバイス８’は、参考形態３の効果に加えて、半導体デバイス８’を光ピックアップモジュールに組み込む場合に途中で引っかかることなくスムースに組み込み作業を行うことができるという効果を奏する。
（その他の実施形態）
これまで述べてきた実施形態は本発明の例示であり、本発明はこれらの例に限定されない。
外部接続部は基板部の非搭載面以外に設けられていても構わない。例えば、リブの外側側壁に設けられていても良いし、非搭載面からリブの外側側壁にまで連続的に設けられていてもよい。また、外部接続部と接続電極とを結ぶ配線もリブ内に設けられた貫通電極に限られず、リブの側壁に沿って設けられていても構わない。
半導体素子として、固体撮像素子以外のフォトカプラなどの受光素子を用いても構わないし、ＬＥＤやレーザ素子などの発光素子を用いてもよい。また、光学素子以外の半導体素子、例えばＳＡＷデバイス、振動子、圧力センサ、加速度センサ、音センサなどを用いても構わない。この場合は蓋体は透明である必要は無い。さらにＭＥＭＳにより作製された素子を半導体素子として用いてもよい。
実施形態１，２のような第２のリブがない半導体デバイスを製造する場合においても、図１０，図１１に示す格子部材と基板とを用いてパッケージ集合基板を作製して用いても構わない。この場合、個々の半導体デバイスに切り離すときに第２のリブの部分が残らないように切り離す位置を調整する。
以上説明したように、本発明に係る半導体デバイスは、小型にすることができ、光ピックアップモジュールの光検出器等として有用である。
（ａ）は実施形態１に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は実施形態１に係る半導体デバイスの蓋体を取り外した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 実施形態１に係る半導体デバイスの製造に関して時系列に沿って説明した図 図３（ｃ）の上面の一部を示している図 実施形態１に係るパッケージ集合基板の別の一例を示した図 （ａ）は実施形態２に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 実施形態２に係る半導体デバイスの製造に関して時系列に沿って説明した図 （ａ）は実施形態３に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は実施形態３に係る半導体デバイスの蓋体を取り外した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 格子部材の例を示す図 格子部材の別の例を示す図 （ａ）は実施形態４に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は実施形態５に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は実施形態５に係る半導体デバイスの蓋体を取り外した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 実施形態５に係る半導体デバイスの製造の途中を示す上面の一部の図 実施形態５に係る半導体デバイスの製造の別の途中を示す上面の一部の図 （ａ）は実施形態６に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は参考形態１に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は参考形態１に係る半導体デバイスの封止樹脂を省略した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 参考形態１に係る半導体デバイスの製造に関して時系列に沿って説明した図 参考形態１に係る別の半導体デバイスの断面図 （ａ）は参考形態２に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は参考形態３に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は参考形態３に係る半導体デバイスの封止樹脂を省略した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 （ａ）は参考形態４に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は実施形態７に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図 （ａ）は実施形態７に係る半導体デバイスの蓋体を取り外した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図 （ａ）は実施形態８に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 （ａ）は実施形態９に係る半導体デバイスの一部破断図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図 実施形態１に係る光ピックアップモジュールの模式的な斜視図 実施形態１に係る光ピックアップモジュールの模式的な正面図 受光素子を備えた従来の半導体装置の上面図
符号の説明
１，２，３，４，５，６ 半導体デバイス
１’，３’，５’ 半導体デバイス
１０ 半導体素子
２２ 金属細線
３０ 板状側壁部
４１ 第１レーザ装置
４２ 第２レーザ装置
４３ ビームスプリッタ
４５ ミラー
４６ 対物レンズ
４７ 光ディスク
４９ レーザモジュール
５０，５１，５２，５３ パッケージ
６０，６０’ 基板部
６２，６２’ 搭載面
６４，６４’ 非搭載面
７０，７０’ 第１のリブ
７０ａ，７０ａ’ 第１のリブ外側側壁
７０ｂ，７０ｂ’ 第１のリブ上面
７１，７１’ 第２のリブ
７５，７５’ 接続電極
７６，７６’ 内部配線
７７ 外部接続部
８０，８０’ ダム
８０ａ ダム外側側壁
８５ 接着剤
９０，９１ 蓋体
９０ａ 蓋体側壁
９４，９４ａ，９５ 透明部材
９６ 封止樹脂
１００，１０１，１０２ パッケージ集合基板

Claims (10)

  1. 半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスであって、
    前記パッケージは、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該一対の外縁上にのみそれぞれ設けられた第１のリブとを有し、
    それぞれの前記第１のリブの上面には、該第１のリブ上面の外縁に沿って延びるダムが設けられているとともに、該ダムよりも前記半導体素子に近い位置に該半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部が該ダムから離間して載せられており、
    前記第１のリブと前記蓋体とは接着剤によって接着されているとともに前記ダムと該蓋体との間に該接着剤が存している、半導体デバイス。
  2. 前記接着剤は、前記ダムに相対する前記蓋体の側面にも付着している、請求項１に記載の半導体デバイス。
  3. 前記第１のリブが設けられた前記搭載面外縁に沿った該第１のリブの側壁と、該第１のリブ上面の外縁に沿った前記ダムの外側側壁とは、面一である、請求項１または２に記載の半導体デバイス。
  4. 半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、
    平行な複数の溝を有し、該溝の側壁上面の中央部分には該溝に沿ってダムが延びているパッケージ集合基板を用意する工程と、
    複数の前記溝のそれぞれに複数の半導体素子を溝の延びる方向に沿って搭載する工程と、
    前記溝の側壁上面であって前記ダムと溝との間の部分に接着剤を該溝に沿って連続して塗布する工程と、
    前記接着剤の上に前記半導体素子の上方を覆う蓋体の外縁部を載せる工程Ｘと、
    前記接着剤を硬化させる工程と、
    隣り合う２つの前記溝の中央部分を該溝に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程Ｙと
    を含む、半導体デバイスの製造方法。
  5. 前記工程Ｙでは、前記ダムの一部も切断する、請求項４に記載の半導体デバイスの製造方法。
  6. 前記工程Ｘでは、前記接着剤が前記蓋体の側面に付着しフィレットを形成する、請求項４または５に記載の半導体デバイスの製造方法。
  7. 請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、
    前記蓋体は透明な材料からなり、
    前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である、光ピックアップモジュール。
  8. さらにミラーと対物レンズとを備えている、請求項７に記載の光ピックアップモジュール。
  9. 光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である、請求項７または８に記載の光ピックアップモジュール。
  10. 前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている、請求項７から９のいずれか一つに記載の光ピックアップモジュール。
JP2007064795A 2007-03-14 2007-03-14 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール Expired - Fee Related JP5132957B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007064795A JP5132957B2 (ja) 2007-03-14 2007-03-14 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
US12/525,499 US20100001174A1 (en) 2007-03-14 2008-03-10 Semiconductor device, its manufacturing method and optical pickup module
PCT/JP2008/000512 WO2008111303A1 (ja) 2007-03-14 2008-03-10 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
CN200880003392XA CN101647115B (zh) 2007-03-14 2008-03-10 半导体装置及其制造方法、拾光模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007064795A JP5132957B2 (ja) 2007-03-14 2007-03-14 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008227231A JP2008227231A (ja) 2008-09-25
JP5132957B2 true JP5132957B2 (ja) 2013-01-30

Family

ID=39759246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007064795A Expired - Fee Related JP5132957B2 (ja) 2007-03-14 2007-03-14 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100001174A1 (ja)
JP (1) JP5132957B2 (ja)
CN (1) CN101647115B (ja)
WO (1) WO2008111303A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222104A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Sharp Corp 受光素子、光ピックアップ装置およびその製造方法
CN102176432B (zh) * 2011-02-24 2012-11-21 北京时代民芯科技有限公司 一种数字化三维组装结构设计的光探测器
JP6743880B2 (ja) * 2016-03-02 2020-08-19 ソニー株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2891385B2 (ja) * 1991-01-30 1999-05-17 新光電気工業株式会社 電子部品収納装置とその製造方法
US6125087A (en) * 1996-11-07 2000-09-26 Hitachi, Ltd. Optical pickup for optical disk apparatus
US5949655A (en) * 1997-09-09 1999-09-07 Amkor Technology, Inc. Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device
US6753922B1 (en) * 1998-10-13 2004-06-22 Intel Corporation Image sensor mounted by mass reflow
JP2004129089A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型圧電発振器、その製造方法、及びシート状基板母材
US6900531B2 (en) * 2002-10-25 2005-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Image sensor device
JP3838571B2 (ja) * 2003-08-14 2006-10-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP3838572B2 (ja) * 2003-09-03 2006-10-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4315833B2 (ja) * 2004-02-18 2009-08-19 三洋電機株式会社 回路装置
JP2005327403A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Sony Corp 光ピックアップ及び光学記録媒体記録再生装置
JP2006197547A (ja) * 2004-12-15 2006-07-27 Tokyo Denpa Co Ltd 圧電発振器の製造方法、圧電発振器シート基板、及び圧電発振器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008227231A (ja) 2008-09-25
US20100001174A1 (en) 2010-01-07
WO2008111303A1 (ja) 2008-09-18
CN101647115B (zh) 2012-04-25
CN101647115A (zh) 2010-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3936365B2 (ja) 機能素子実装モジュール及びその製造方法
WO2009110109A1 (ja) 分光器
US20100091633A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and optical pickup module
US20100008203A1 (en) Semiconductor device, its manufacturing method and optical pickup module
JP5132957B2 (ja) 半導体デバイス、その製造方法および光ピックアップモジュール
JP4549298B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP6261720B2 (ja) オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
EP1507295A2 (en) Method for manufacturing solid-state imaging devices
US20060262820A1 (en) Semiconductor laser device and optical pickup apparatus having the device
US20100091630A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device, optical pickup module and semiconductor device
EP2775513B1 (en) Photoreception device, and method for producing photoreception device
JP2004146441A (ja) 半導体レーザ装置
JPH08330635A (ja) 発光装置
JP2007035884A (ja) 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
TWI791875B (zh) 光學裝置
JP4125112B2 (ja) 受光センサの製造方法
JP2012084601A (ja) 光学デバイス及びその製造方法
JP2018511176A (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
JP5634554B2 (ja) 受光装置
JP4111816B2 (ja) 半導体レーザ装置および光ピックアップ
JP2004342967A (ja) 光半導体装置およびその製造方法
JP2007538347A (ja) 光電トランスジューサ及び光ピックアップを製造する方法
JP2006245249A (ja) 樹脂パッケージ、光学デバイス、及びそのためのリードフレーム
JP2005063592A (ja) 光学素子、光ピックアップ装置及び光ディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100225

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120921

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121009

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121107

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees