JP6743880B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本技術は、半導体レーザ等の発光素子を有する発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。

従来、半導体レーザを備える発光装置として、ＣＡＮパッケージやフレームパッケージ等の、パッケージ化された発光装置が広く用いられている。例えば特許文献１に記載の発光装置では、第１の基板に半導体レーザが横向きの姿勢で実装される。当該半導体レーザを覆うように、封止空間を形成する凹部を有する第２の基板が、第１の基板に接続される。第２の基板は、劈開性を有しており、前端面が劈開面となるように構成される。その前端面には、半導体レーザからの光を外部に導くための導光孔が形成される。また前端面には、透明なガラス板からなる光取出し窓が取付けられる。このような構成を有することにより、パッケージの小型化、及び高い気密性が実現されている（特許文献１の明細書段落［００２８］等）。

特開２００９−２８９７７５号公報

上記のような発光装置において、例えば運搬時や種々の装置への搭載時等の発光装置のハンドリング時に、不具合が発生してしまうことを抑制可能な技術が求められる。またそのような発光装置を生産性よく製造可能であることも重要となる。

以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、ハンドリング時の不具合の発生を抑制することが可能な発光装置、及びその発光装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る発光装置は、ベース部と、発光素子と、カバー部とを具備する。
前記ベース部は、支持面を有する。
前記発光素子は、前記ベース部の前記支持面に設けられる。
前記カバー部は、前記発光素子から出射される光が透過する光透過部と、前記光透過部の周縁の少なくとも一部に設けられ前記光透過部よりも突出する突出部とを有し、前記発光素子を覆うように前記支持面に設けられる。

この発光装置では、発光素子からの光が透過する光透過部の周縁に突出部が設けられる。突出部により光透過部が保護されるので、ハンドリング時の不具合の発生を抑制することが可能となる。

前記突出部は、前記発光素子から出射される光が透過する方向に沿って突出してもよい。
これにより光透過部を十分に保護することが可能となる。

前記カバー部は、前記発光素子の周りを囲む複数の側面部を有してもよい。この場合、前記光透過部及び前記突出部は、前記複数の側面部のうちの第１の側面部に設けられてもよい。
例えば発光素子として端面発光型のレーザ素子が用いられる場合等において、ハンドリング時の不具合の発生を十分に抑制することが可能となる。

前記第１の側面部は、前記支持面に接続される下辺と、その反対側の上辺とを有してもよい。この場合、前記突出部は、少なくとも前記上辺に隣接する上辺領域に設けられてもよい。
これにより光透過部を側面部の中央に設けることが可能となり、その上方に設けられた突出部により、光透過部を十分に保護することが可能となる。

前記第１の側面部は、前記下辺及び前記上辺との間に位置する２つの側辺を有してもよい。この場合、前記突出部は、前記上辺領域、及び前記２つの側辺の各々に隣接する２つの側辺領域に設けられてもよい。
これにより例えば側面部の中央に設けられた光透過部を、上方及び左右の３方に設けられた突出部により、十分に保護することが可能となる。

前記カバー部は、前記支持面に対向する上面部を有してもよい。この場合、前記突出部は、前記光透過面よりも突出する、前記上面部の前記第１の側面部側の端部を含んでもよい。
上面部を光透過面よりも突出させることで、簡単に突出部を設けることができる。

前記カバー部は、前記第１の側面部に接続する２つの第２の側面部を有してもよい。この場合、前記突出部は、前記光透過面よりも突出する、前記２つの第２の側面部の各々の前記第１の側面部側の端部を含んでもよい。
２つの第２の側面部を光透過面よりも突出させることで、簡単に突出部を設けることができる。

前記カバー部は、全体が同一材料により一体的に構成されていてもよい。
これによりカバー部の組み立て工程等を省略することが可能となり、発光装置の製造工程を簡素化することが可能となる。

前記カバー部は、ガラス又はサファイアにより構成されていてもよい。
これにより発光素子からの光を効率よく取り出すことが可能となる。

前記光透過部及び前記突出部は、互いに異なる材料からなってもよい。
これにより材料コストの抑制等を図ることが可能となる。

前記第１の側面部は、貫通孔と、前記貫通孔の周縁部と、前記光透過部を有し前記光透過部が前記カバー部の内部側から前記貫通孔を塞ぐように、前記内部側から前記周縁部に接続される光透過側部材とを有してもよい。
これにより貫通孔の周縁部を、光透過側部材の光透過部よりも突出させることができる。すなわち周縁部により突出部を構成することができる。光透過側部材を、カバー部の他の部分とは別個の部材とすることで、例えば各々の製造工程の簡素化や、材料コストの抑制等を図ることが可能となる。

前記カバー部は、前記支持面に対向する上面部を有してもよい。この場合、前記第１の側面部は、前記上面部に接続される部分の断面の面積が、前記支持面に接続される部分の断面の面積よりも大きくてもよい。
これによりカバー部の強度を向上させることができる。

前記第１の側面部は、前記支持面に接続される部分から前記上面部に接続される部分に進むにつれて前記断面の面積が増加してもよい。
これによりカバー部の強度を向上させることができる。

前記第１の側面部は、前記上面部に接続される部分が曲線形状を有してもよい。
これによりカバー部の強度を向上させることができる。

上記目的を達成するため、本技術の一形態に係る発光装置の製造方法は、基板に複数の発光素子を実装することを含む。
カバー用部材の主面部に、前記複数の発光素子の各々から出射される光が透過する光透過部を含む少なくとも１以上の光透過側部材が、前記複数の発光素子の位置に応じて形成される。
前記基板上の前記複数の発光素子に対する所定の位置に前記光透過側部材が接続されるように、前記基板と前記カバー用部材とが接合される。
前記主面部の前記光透過側部材の前記光透過部よりも前記光が透過する方向側にオフセットした位置が切断されることで、前記複数の発光素子の各々を含む複数の発光装置が形成される。
これにより光透過部よりも光の透過方向に突出する突出部を有する発光装置を生産性よく製造することが可能となる。

前記光透過側部材の形成ステップは、前記主面部及び前記光透過側部材を、同一材料により一体的に形成してもよい。
これにより製造工程を簡素化することが可能となる。

前記光透過側部材の形成ステップは、前記主面部とは別体の前記光透過側部材を、前記主面部に接続してもよい。
これにより例えば材料コスト等を抑制することが可能となる。

以上のように、本技術によれば、ハンドリング時の不具合の発生を抑制することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

第１の実施形態に係る発光装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 図１に示すガラスキャップを取外した状態を示す図である。 図１に示すＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線での断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を示す工程フロー図である。 ダイボンディング工程を説明するための概略図である。 ワイヤボンディング工程を説明するための概略図である。 ガラスキャップの接合工程を説明するための概略図である。 ガラスキャップの接合工程を説明するための概略図である。 ダイシング工程を説明するための概略図である。 ダイシング工程を説明するための概略図である。 ガラスキャップのベース基板に接合される側の構成例を示す概略図である。 図１０に示すＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線での断面図である。 第２の施形態に係る発光装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 図１３に示すＡ−Ａ線での断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成例を示す断面図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成例を示す断面図である。 図１１に示すガラスキャップの他の構成例を示す概略図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成例を示す斜視図である。 本技術に係る発光装置のリードフレームへの取付例を示す概略図である。

以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

＜第１の実施形態＞
［発光装置の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る発光装置１００の構成例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示すガラスキャップ３０を取外した状態を示す図である。図１では、ガラスキャップ３０に重なる部分が破線で図示されている。図２では、ガラスキャップ３０の内部空間Ｓが破線で図示されている。また図２では、図示を分かりやすくするために、ガラスキャップ３０の後面部３３の構成が簡略化されている。

発光装置１００は、ベース基板１０と、半導体レーザ２０と、ガラスキャップ３０とを有する。ベース基板１０は、略長形の平面形状を有する板状部材からなり、例えばセラミックや金属等により構成される。図２に示すように、ベース基板１０の支持面１１には、アノード電極及びカソード電極となる第１及び第２の電極１２及び１３が形成される。

半導体レーザ２０は、端面発光型のレーザ素子であり、サブマウント２１を介して、ベース基板１０の第２の電極１３上に実装される。図１及び図２に示すように半導体レーザ２０は、ベース基板１０の長軸方向（Ｙ方向）に延在するように実装される。また半導体レーザ２０から出射されるレーザ光Ｌの出射方向は、Ｙ方向に沿うように設定される。なおサブマウント２１の材料は限定されない。

図２に示すように、金属製のワイヤ２２ａにより、第１の電極１２と半導体レーザ２０とが接続される。またワイヤ２２ｂにより、第２の電極１３と半導体レーザ２０とが、サブマウント２１を介して接続される。第１及び第２の電極１２及び１３に電力が供給されると、Ｙ方向に沿ってレーザ光Ｌが出射される。半導体レーザ２０の具体的な構成や、出射されるレーザ光の波長域等は限定されず、端面発光型の任意のレーザ素子が用いられてよい。

ガラスキャップ３０は、略直方体形状の外形を有し、半導体レーザ２０を覆うようにベース基板１０の支持面１１に接合される。ガラスキャップ３０の内部空間Ｓにより、半導体レーザ２０が高い気密性により封止される。以下内部空間Ｓを、同じ符号を用いて封止空間Ｓと記載する場合がある。

ガラスキャップ３０は、本実施形態において、カバー部に相当する。ガラス材料とは異なる材料、例えばサファイア等によりカバー部が構成されてもよい。カバー部の材料としてガラスやサファイアが用いられることで、レーザ光Ｌを効率よく取り出すことが可能となる。なおカバー部を構成する材料は限定されず、他の材料が用いられてよい。

図１及び図２に示すように、ガラスキャップ３０は、上面部３１と、前面部３２と、後面部３３と、２つの側面部３４ａ及び３４ｂとを有する。半導体レーザ２０から出射されるレーザ光Ｌは、前面部３２を透過して、発光装置１００の外部に出射される。

なお上面部３１や、以下に示す上辺４５及び下辺４６の上下関係は、ベース基板１０の支持面１１を基準として設定されている。すなわち支持面１１に近い側を下方とし、遠い側を上方としている（Ｚ方向が上下方向に相当する）。もちろん実際の使用空間では、発光装置１００が使用される向きによっては、上面部３１が支持面１１よりも下方側に位置する場合等も起こり得る。

上面部３１、前面部３２、後面部３３、及び２つの側面部３４ａ及び３４ｂは、それぞれ正面から見た形状が矩形状である。前面部３２、後面部３３、及び２つの側面部３４ａ及び３４ｂは、本実施形態において、複数の側面部に相当する。また前面部３２は第１の側面部に相当し、２つの側面部３４ａ及び３４ｂは、２つの第２の側面部に相当する。

図３Ａは、図１に示すＡ−Ａ線での断面図であり、図３Ｂは、図１に示すＢ−Ｂ線での断面図である。図１−図３に示すように、前面部３２は、半導体レーザ２０から出射されるレーザ光Ｌが透過する光透過面４０を有する。また前面部３２は、光透過面４０の周縁に設けられた突出部４１を有する。突出部４１は、レーザ光Ｌが透過する方向に沿って、光透過面４０よりも突出するように構成されている。

図１及び図２に示すように、本実施形態では、前面部３２の略中央を中心に光透過面４０が設定されている。そして光透過面４０の上方及び左右の３方向を囲む領域に、突出部４１が設けられる。すなわち前面部３２の上辺４５に隣接する上辺領域４８と、２つの側辺４７ａ及び４７ｂの各々に隣接する２つの側辺領域４９ａ及び４９ｂの全体にわたって、突出部４１が設けられる。

なお上辺４５は、前面部３２の支持面１１に接続される下辺４６（図２参照）の反対側の辺である。また２つの側辺４７ａ及び４７ｂは、下辺４６及び上辺４５の間に位置する辺である。図１及び図２に示すように、前面部３２をＹ方向に沿って正面から見た場合、光透過面４０は矩形状となり、突出部４１は逆Ｕ字に略等しい形状となる。なお光透過面４０は、本実施形態において、光透過部に相当する。

図３Ａに示すように本実施形態では、上面部３１の前面部３２側の端部が、光透過面４０よりも突出量ｔ４だけ突出するように構成されている。これにより上辺領域４８における突出部４１が実現されている。また２つの側面部３４ａ及び３４ｂの各々の前面部３２側の端部が、光透過面４０よりも同じく突出量ｔ４だけ突出するように構成されている。これにより２つの側辺領域４９ａ及び４９ｂにおける突出部４１が実現されている。

このように上面部３１及び２つの側面部３４ａ及び３４ｂを、光透過面４０よりも突出させることで、例えば他の部材等を前面部３２に接着する等の工程が不要となり、簡単に突出部４１を設けることが可能となる。なお上辺領域４８及び側辺領域４９ａ及び４９ｂが重なる部分の突出部４１は、上面部３１及び側辺部４９ａ又は４９ｂに共通した端部となる。

図３Ａ及びＢを参照して、発光装置１００のＸ方向における大きさｔ１は、約１０００〜約１５００μｍである。Ｙ方向における大きさｔ２は、約２０００〜約３０００μｍである。Ｚ方向における大きさｔ３は、約１０００〜約１５００μｍである。突出部４１の光透過面４０からの突出量ｔ４は、約５０−約１００μｍである。なおこれらの値に限定されず、任意に設計されてよい。

図１Ｂ及び図３Ａに示すように、ガラスキャップ３０の後面部３３は、前面部３２と略等しい構成を有する。すなわち後面部３３には、前面部３２の光透過面４０と略等しい大きさの矩形状からなる凹部３７が形成されている。凹部３７の深さは、突出部４１の突出量ｔ４と略等しい大きさである。

図３Ａ及びＢに示すように、本実施形態では、ガラスキャップ３０の封止空間Ｓの内面、及び前面部３２の光透過面４０には、ＡＲコート（無反射コート）５０が形成される。これによりガラスキャップ３０の表面でのレーザ光Ｌの反射を抑制することが可能であり、レーザ光Ｌを効率よく外部へ取り出すことが可能となる。なおＡＲコート５０は、レーザ光Ｌが透過する部分のみに形成されてもよい。本実施形態では、封止空間Ｓの内面のみならず、後面部３３等にもＡＲコート５０が形成されるが、その点については後述する。

ＡＲコート５０の具体的な構成は、例えば半導体レーザ２０から出射されるレーザ光Ｌの波長等に応じて適宜設定される。例えば五酸化タンタルや二酸化珪素等の誘電体膜が、ＡＲコート５０として形成される。

［発光装置の製造方法］
図４は、発光装置１００の製造方法の一例を示す工程フロー図である。図５−図１０は、各工程を説明するための図である。

まずダイボンディングが実行される（ステップ１０１）。図５に示すように、大径のベース基板１０'上に、複数の半導体レーザ２０がサブマント２１を介してマトリクス状の配置で実装（チップマウント）される。なおベース基板１０'には、第１及び第２の電極１２'及び１３'が形成されている。

半導体レーザ２０とサブマウント２１との接合、及びサブウマント２１とベース基板１０'との接合は、例えばＡｕＳｎ等の半田ペーストを用いた半田接合や金属間接合、その他の任意のウエハボンディング法等により実行される。

図５では、Ｘ方向に６個、Ｙ方向に４個の合計２４個の半導体レーザ２０が実装されているが、その数に限定される訳ではなく、より多くの半導体レーザ２０を一度に実装することが可能である。

なおサブマウント２１を介さず、半導体レーザ２０がベース基板１０'に実装されてもよい。例えば半導体レーザ２０がジャンクションダウンで実装される場合には、発光点がチップの下部となるので、サブマウント２１が用いられる。一方、半導体レーザ２０がジャンクションアップで実装される場合には、サブマウント２１を用いることなく、半導体レーザ２０がベース基板１０'に実装される。もちろんこれに限定される訳ではない。

ワイヤボンディングが実行される（ステップ１０２）。図６に示すように、複数の半導体レーザ２０の各々について、ワイヤ２２ａ及び２２ｂにより、第１及び第２の電極１２'及び１３'と、半導体レーザ２０とが接続される。

図７及び図８に示すように、ベース基板１０'にガラスキャップ３０'が接合される（ステップ１０３）。ガラスキャップ３０'の接合は、上記した半田接合等や金属間接合等により実行される。例えばＡｇペーストや低融点ガラス等が接着材として用いられてもよい。

図１１は、ガラスキャップ３０'のベース基板１０'に接合される側の構成例を示す概略図である。図１１中の破線は、後のダイシング工程により切断される切断線Ｏ、Ｐ、Ｑである。

図１２Ａは、図１０に示すＡ−Ａ線での断面図であり、図１２Ｂは、図１０に示すＢ−Ｂ線での断面図である。紙面の大きさの都合上、図１２Ａでは、図１１に示す頂点Ｋ側から３つ分の発光装置１００（発光パッケージ）が図示されている。

図１１及び図１２を示すように、ガラスキャップ３０'は、主面部６０と、光透過側部材６１と、後方側部材６２と、側方側部材６３とを有する。主面部６０は、図１等に示す上面部３１となる部分であり、ベース基板１０'との接合時には、ベース基板１０'に対向する部分である。すなわち主面部６０は、接合時に、その平面方向がＸＹ平面方向と平行となる部分である。

光透過側部材６１は、図１等に示す、光透過面４０を含む前面部３２となる部分である。図１１及び図１２に示すように、光透過側部材６１は、主面部６０に直交する方向（Ｚ方向）に突出し、またＸ方向に延在するように形成される。

図１１中の最も右端にある光透過側部材６１ａは、主面部６０の右端部６０ａから突出量ｔ４（図３参照）分だけ、内部側にオフセットした位置に形成される。右端にある光透過側部材６１ａから左側に、１つの光源装置１００分の大きさを間隔として、複数の光透過側部材６１が形成される。なお複数の光透過側部材６１の各々の位置は、ベース基板１０'上の複数の半導体レーザ２０の位置に応じた位置となる。

後方側部材６２は、図１等に示す後面部３３となる部分である。後方側部材６２は、光透過側部材６１と略等しい構成を有し、光透過側部材６１の左側に封止空間Ｓ分の大きさを空けて形成される。図１１中の最も左端にある後方側部材６２ａは、主面部６０の左端部６０ｂから凹部３７の深さ分（突出量ｔ４に略等しい大きさ分）内部側にオフセットした位置に形成される。

側方側部材６３は、図１等に示す側面部３４ａ及び３４ｂとなる部分である。側方側部材６３は、Ｙ方向に延在するように、主面部６０からＺ方向に突出して形成される。図１１に示すように、封止空間Ｓ分の大きさを間隔として、複数の側方側部材６３が形成される。最も上端及び下端にある側方側部材６３ａ及び６３ｂの幅は、側面部３４ａ及び３４ｂの幅と等しい大きさである。他の側方側部材６３の幅は、側面部３４ａ及び３４ｂの幅の略２倍の大きさとなる。

ガラスキャップ３０'は、図４のステップ１０４にて、例えば金型を用いたプレス加工やエッチング加工により製造される。本実施形態では、ガラスキャップ３０'は、全体が同一のガラス材料により一体的に構成される。すなわち主面部６０及び光透過側部材６１は一体的に形成される。

これにより例えば主面部６０に光透過側部材６１等を組み立てるといった工程を省略することが可能となり、発光装置１００の製造工程を簡素化することが可能となる。なおダイシング工程前のガラスキャップ３０'は、本実施形態において、カバー用部材に相当する。

ガラスキャップ３０'が製造されると、主面部６０の全体にわたってＡＲコート５０が形成される。例えば五酸化タンタルや二酸化珪素等の誘電体膜を単体であるいは複数交互に成膜することで、ＡＲコート５０が形成される。なお成膜方法は限定されず、スパッタリング法や蒸着法等が適宜用いられてよい。

ステップ１０３の接合工程では、ベース基板１０'上の複数の半導体レーザ２０に対する所定の位置、すなわち半導体レーザ２０の出射面に対向する位置に光透過側部材６１が接続されるように、ベース基板１０'とガラスキャップ３０'とが接合される。

図９及び図１０に示すように、ダイシングにより、複数の発光装置１００の各々が分離される（ステップ１０５）。ダイシングは、図９、図１１、及び図１２に示す切断線Ｏ、Ｐ、Ｑに沿って実行される。なお図１２には、切断される領域全体に同じ符号が付されている。

切断線Ｏは、主面部６０の光透過側部材６１の光透光面４０よりも光が透過する方向側に、突出量ｔ４分オフセットした位置に設定される。図１１では、右側が、光が透過する方向側に相当する。図１２Ａにおいても、右側が、光が透過する方向側に相当する。

図１２Ａに示すように、切断線Ｏに沿って、主面部６０及びベース基板１０'が切断される。これにより図１等に示す光透過面４０及び突出部４１を有する前面部３２を、容易に実現することが可能となる。なおダイシング方法は限定されず、ダイシングブレードやレーザ等を利用した任意のダイシング技術が用いられてよい。

切断線Ｐは、主面部６０の後方側部材６２よりも光が透過する方向とは反対側に、凹部３７の大きさ分（突出量ｔ４に略等しい大きさ分）オフセットした位置に設定される。図１２Ａに示すように、切断線Ｐに沿って主面部６０のみが切断される。ベース基板３０'の後方側部材６２よりも後方側には、第１及び第２の電極１２'及び１３'が形成される。

切断線Ｑは、側方側部材６３の略中心に設定される。切断線Ｑに沿って、側方側部材６３及びベース基板１０'が切断される。切断線Ｏ、Ｐ、Ｑの切断後、例えばベース基板１０'を支持するダイシングテープ等が延伸されることで、複数の発光装置１００が個片化される。

以上、本実施形態に係る発光装置１００では、半導体レーザ２０からのレーザ光Ｌが透過する光透過面４０の周縁に突出部４１が設けられる。突出部４１により光透過面４０が保護されるので、例えばハンドリング時の傷により光出力の低下や散乱ロス等の不具合が発生してしまうことを抑制することが可能となる。

図１等に示すように、本実施形態では、前面部３２の略中央に設定された光透過面４０の、上方及び左右の３方向を囲むように、突出部４１が設けられる。これにより光透過面４０を十分に保護することが可能となる。

また図５〜図１０に示すように、複数の発光装置１００の各々のパッケージを、ウエハレベルで一括して行うことが可能である。これにより非常に生産性よく、複数の発光装置１００を製造することが可能となる。また箱型のガラスキャップ３０を複数一体的に形成することで、製造工程の簡素化を図ることが可能となり、また光透過面４０を保護する突出部４１を容易に製造することが可能となる。

＜第２の実施形態＞
本技術に係る第２の実施形態の発光装置について説明する。これ以降の説明では、上記の実施形態で説明した発光装置１００における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。

図１３は、本実施形態に係る発光装置２００の構成例を模式的に示す斜視図である。図１４は、図１３に示すＡ−Ａ線での断面図である。

発光装置２００は、キャップ部材２１０と、板状のガラス部材２２０とを有する。キャップ部材２１０は、略直方体形状の外形を有し、レーザ光Ｌが出射される側の出射側面２１１には、貫通孔２１２が形成されている。またキャップ部材２１０の２つの側面２１３ａ及び２１３ｂの、出射側面２１１側には、Ｚ方向に延在する切欠き２１４が形成される。切欠き２１４は、貫通孔２１２の周縁部分である周縁部２１５の表面から、突出量ｔ４だけ離間した位置に形成される。

ガラス部材２２０は、２つの側面２１３ａ及び２１３ｂに形成された切欠き２１４に取り付けられる。従ってガラス部材２２０は、キャップ部材２１０の内部側から、貫通孔２１２を塞ぐように、内部側から周縁部２１５に接続される。ガラス部材２２０の略中央の領域が光透過面２４０となり、そこから外部に向けてレーザ光Ｌが出射される。貫通孔２１２の周縁の周縁部２１５は、光透過面２４０を保護する突出部として機能する。

ガラス部材２２０は、本実施形態において光透過側部材に相当する。またキャップ部材２１０及びガラス部材２２０により、本実施形態に係るカバー部が構成される。従ってカバー部の前面部２３２は、貫通孔２１２と、周縁部２１５（突出部）と、光透過部材とを有することになる。

図１５は、本実施形態に係る発光装置２００の製造方法の一例を説明するための図である。図４に示す工程フローと比べると、ステップ１０４のガラスキャップ製造が、キャップ部材２１０'及びガラス部材２２０'の製造／組立となる。またステップ１０３のガラスキャップ接合は、組み立てられたキャップ部材２１０'及びガラス部材２２０'をベース基板に接合する工程となる。

図１５Ａは、キャップ部材２１０'の接合側の構成例を示す模式図である。図１１に示す光透過側部材６１が位置する場所に、溝２５０が形成される。溝２５０は、主面部２６０にも形成される（図１４参照）。キャップ部材２１０'は、例えばシリコン等の半導体材料をプレス加工やエッチング加工することで形成される。

図１５Ｂに示すように、キャップ部材２１０'に形成された溝２５０に、キャップ部材２１０'とは別体の光透過側部材であるガラス部材２２０'が接合される。例えば半田接合等の任意の接合技術が用いられてよい。図１５Ｂに示す切断線Ｏ、Ｐ、Ｑに沿ってダイシングが実行されることで、図１３に示す発光装置２００が製造される。

このように光透過面２４０が設定される部材と、突出部として機能する部材とが、異なる材料により構成されてもよい。この場合、カバー部を構成するために、両方の部材を組み立てる工程が必要となる。しかしながら両方の部材の構成や材料等によっては、ガラス材料を一体的に加工する場合と比べて、各々の部材の製造工程を簡素化することも可能となる。また光が透過する光透過面２４０の部分のみにガラスやサファイア等を用い、他の部分はシリコン等で形成することも可能であるので、材料コストの抑制を図ることも可能となる。

＜その他の実施形態＞
本技術は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。

図１６及び図１７は、他の実施形態に係る発光装置の構成例を示す断面図である。図１６Ａ及びＢに示す発光装置３００及び３１０では、前面部３３２の上面部３３１に接続される部分Ｄ１の断面の面積Ｓ１が、支持面３１１に接続される部分Ｄ２の断面の面積Ｓ２よりも大きい。すなわち主面部に形成される光透過側部材の、主面部に接続される部分の断面の面積が、支持面に接続される部分の断面の面積よりも大きく設定されている。

図１６Ａに示す前面部３３２（光透過側部材）では、支持面３１１に接続される部分Ｄ２から上面部３３１に接続される部分Ｄ１に進むにつれて、断面の面積が増加している。一方、図１６Ａに示す前面部３３２（光透過側部材）では、上面部３３１に接続される部分Ｄ１が曲線形状（曲面形状）を有する。このように上面部３３１に接続される部分Ｄ１の断面の面積Ｓ１を大きくすることで、ガラスキャップ３３０全体の強度を向上させることが可能である。なお前面部３３２に別体のガラス部材が用いられる場合にも、本技術は適用可能である。

図１６Ａ及びＢに示すように、後面部３３３についても、上面部３３１に接続される部分の断面の面積を大きくすることで、強度を向上させることができる。さらに２つの側面部に対しても同様の構成を採用することで、さらに強度を向上させることが可能である。

図１７Ａ及びＢに示す発光装置３７０及び３８０では、２つの側面部３３４ａ及び３３４ｂについて、上面部３３１に接続される部分Ｄ３の断面の面積Ｓ３が、支持面３１１に接続される部分Ｄ４の断面の面積Ｓ４よりも大きく設定される。図１７Ａでは、支持面３１１側の部分Ｄ４から上面部３３１側の部分Ｄ３に進むにつれて、断面の面積が増加する。図１７Ｂでは、上面部３３１側の部分Ｄ３が曲線形状（曲面形状）を有する。このような構成により、ガラスキャップ３３０全体の強度を向上させることが可能である。

図１６及び図１７に示す各発光装置は、図４のステップ１０４に示すガラスキャップの製造工程にて、光透過側部材、後方側部材、及び側方側部材の形状を適宜加工することで実現可能である。

図１８は、図１１に示すガラスキャップの他の構成例を示す概略図である。図１８に示すガラスキャップ３３０'では、光透過側部材３６１と側方部材３６３との接続部分３６５のサイズ（体積）、及び後方側部材３６２と側方部材３６３との接続部分３６６のサイズ（体積）が大きく設定されている。当該接続部分３６５及び３６６の封止空間Ｓ側の形状は、曲線形状（曲面形状）を有する。従ってＺ方向から封止空間Ｓを見た場合、その４つの隅部が曲面形状となる。もちろんこれに限定されず、接続部分３６５及び３６６の封止空間Ｓ側の形状が、直線形状（平面形状）に設定されてもよい。接続部分３６５及び３６６のサイズを大きくすることで、ガラスキャップの強度を向上させることが可能である。

図１９は、他の実施形態に係る発光装置の構成例を示す斜視図である。第１及び第２の実施形態では、光透過面の周縁全体にわたって突出部が設けられた。それに限定されず、光透過面の周縁の一部に突出部が設けられてもよい。

例えば図１９Ａに示す発光装置４００のように、前面部４３２の上辺領域４４８のみに突出部４４１が設けられてもよい。このように光透過面４４０の上方に庇のように突出部４４１を構成することで、光透過面４４０を保護することが可能となる。また図１９Ｂに示す発光装置４１０のように、上辺領域４４８の一部に突出部４４１が設けられてもよい。

図２０は、本技術に係る発光装置５００のリードフレーム６００への取付例を示す概略図である。リードフレーム６００は、銅等の金属材料からなるベースフレーム６１０と、樹脂材料等からなる支持フレーム６２０と、アノード及びカソード用の２つのリード６３０ａ及び６３０ｂとを有する。

図２０Ａに示すように、支持フレーム６２０に囲まれたベースフレーム６１０上の取付位置に、発光装置５００が取付られる。２つのワイヤ６４０ａ及び６４０ｂ、及び２つのパッド６５０ａ及び６５０ｂを介して、リード６３０ａ及び６３０ｂと、発光装置５００内の第１及び第２の電極５１２及び５１３が接続される。このようにリードフレーム６００へ取付けてパッケージ化する場合においても、突出部５４１により光透過面５４０が十分に保護されているので、不具合の発生を十分に抑えることができる。

以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。

なお、本技術は以下のような構成も採ることができる。
（１）支持面を有するベース部と、
前記ベース部の前記支持面に設けられる発光素子と、
前記発光素子から出射される光が透過する光透過部と、前記光透過部の周縁の少なくとも一部に設けられ前記光透過部よりも突出する突出部とを有し、前記発光素子を覆うように前記支持面に設けられるカバー部と
を具備する発光装置。
（２）（１）に記載の発光装置であって、
前記突出部は、前記発光素子から出射される光が透過する方向に沿って突出する
発光装置。
（３）（１）又は（２）に記載の発光装置であって、
前記カバー部は、前記発光素子の周りを囲む複数の側面部を有し、
前記光透過部及び前記突出部は、前記複数の側面部のうちの第１の側面部に設けられる
発光装置。
（４）（３）に記載の発光装置であって、
前記第１の側面部は、前記支持面に接続される下辺と、その反対側の上辺とを有し、
前記突出部は、少なくとも前記上辺に隣接する上辺領域に設けられる
発光装置。
（５）（４）に記載の発光装置であって、
前記第１の側面部は、前記下辺及び前記上辺との間に位置する２つの側辺を有し、
前記突出部は、前記上辺領域、及び前記２つの側辺の各々に隣接する２つの側辺領域に設けられる
発光装置。
（６）（３）から（５）のうちいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記カバー部は、前記支持面に対向する上面部を有し、
前記突出部は、前記光透過面よりも突出する、前記上面部の前記第１の側面部側の端部を含む
発光装置。
（７）（３）から（６）のうちいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記カバー部は、前記第１の側面部に接続する２つの第２の側面部を有し、
前記突出部は、前記光透過面よりも突出する、前記２つの第２の側面部の各々の前記第１の側面部側の端部を含む
発光装置。
（８）（１）から（７）のうちいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記カバー部は、全体が同一材料により一体的に構成されている
発光装置。
（９）（８）に記載の発光装置であって、
前記カバー部は、ガラス又はサファイアにより構成されている
発光装置。
（１０）（１）から（７）のうちいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記光透過部及び前記突出部は、互いに異なる材料からなる
発光装置。
（１１）（１０）に記載の発光装置であって、
前記第１の側面部は、貫通孔と、前記貫通孔の周縁部と、前記光透過部を有し前記光透過部が前記カバー部の内部側から前記貫通孔を塞ぐように、前記内部側から前記周縁部に接続される光透過側部材とを有する
発光装置。
（１２）（３）から（１１）のうちいずれか１つに記載の発光装置であって、
前記カバー部は、前記支持面に対向する上面部を有し、
前記第１の側面部は、前記上面部に接続される部分の断面の面積が、前記支持面に接続される部分の断面の面積よりも大きい
発光装置。
（１３）（１２）に記載の発光装置であって、
前記第１の側面部は、前記支持面に接続される部分から前記上面部に接続される部分に進むにつれて前記断面の面積が増加する
発光装置。
（１４）（１２）に記載の発光装置であって、
前記第１の側面部は、前記上面部に接続される部分が曲線形状を有する
発光装置。

１０（１０'）…ベース基板
１１…支持面
２０…半導体レーザ
３０（３０'）…ガラスキャップ
３２、２３２、３３２、４３２…前面部
３４ａ、３４ｂ…側面部
４０、２４０、４４０、５４０…光透過面
４１、４４１、５４１…突出部
４５…上辺
４６…下辺
４７ａ、４７ｂ…側辺
４８…上辺領域
４９ａ、４９ｂ…側辺領域
６０…主面部
６１…光透過側部材
１００、２００、３００、３１０、４００、４１０、５００…発光装置
２１０（２１０'）…キャップ部材
２１２…貫通孔
２１５…周縁部
２２０（２２０'）…ガラス部材
２５０…溝
６００…リードフレーム

Claims (15)

1. 支持面を有するベース部と、
   前記ベース部の前記支持面に設けられる発光素子と、
   前記発光素子の周りを囲む複数の側面部と、前記複数の側面部のうちの第１の側面部に設けられ前記発光素子から出射される光が透過する光透過部と、前記第１の側面部であって前記光透過部の周縁の少なくとも一部に設けられ前記光透過部よりも突出する突出部とを有し、前記発光素子を覆うように前記支持面に設けられるカバー部と
   を具備し、
   前記第１の側面部は、前記支持面に接続される下辺と、その反対側の上辺とを有し、
   前記突出部は、少なくとも前記上辺に隣接する上辺領域に設けられる
   発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置であって、
   前記突出部は、前記発光素子から出射される光が透過する方向に沿って突出する
   発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置であって、
   前記第１の側面部は、前記下辺及び前記上辺との間に位置する２つの側辺を有し、
   前記突出部は、前記上辺領域、及び前記２つの側辺の各々に隣接する２つの側辺領域に設けられる
   発光装置。
4. 請求項１から３のうちいずれか１項に記載の発光装置であって、
   前記カバー部は、前記支持面に対向する上面部を有し、
   前記突出部は、前記光透過面よりも突出する、前記上面部の前記第１の側面部側の端部を含む
   発光装置。
5. 請求項１から４のうちいずれか１項に記載の発光装置であって、
   前記カバー部は、前記第１の側面部に接続する２つの第２の側面部を有し、
   前記突出部は、前記光透過面よりも突出する、前記２つの第２の側面部の各々の前記第１の側面部側の端部を含む
   発光装置。
6. 請求項１から５のうちいずれか１項に記載の発光装置であって、
   前記カバー部は、全体が同一材料により一体的に構成されている
   発光装置。
7. 請求項６に記載の発光装置であって、
   前記カバー部は、ガラス又はサファイアにより構成されている
   発光装置。
8. 請求項１から５のうちいずれか１項に記載の発光装置であって、
   前記光透過部及び前記突出部は、互いに異なる材料からなる
   発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置であって、
   前記第１の側面部は、貫通孔と、前記貫通孔の周縁部と、前記光透過部を有し前記光透過部が前記カバー部の内部側から前記貫通孔を塞ぐように、前記内部側から前記周縁部に接続される光透過側部材とを有する
   発光装置。
10. 請求項１から９のうちいずれか１項に記載の発光装置であって、
    前記カバー部は、前記支持面に対向する上面部を有し、
    前記第１の側面部は、前記上面部に接続される部分の断面の面積が、前記支持面に接続される部分の断面の面積よりも大きい
    発光装置。
11. 請求項１０に記載の発光装置であって、
    前記第１の側面部は、前記支持面に接続される部分から前記上面部に接続される部分に進むにつれて前記断面の面積が増加する
    発光装置。
12. 請求項１０に記載の発光装置であって、
    前記第１の側面部は、前記上面部に接続される部分が曲線形状を有する
    発光装置。
13. 基板に複数の発光素子を実装し、
    カバー用部材の主面部に、前記複数の発光素子の各々から出射される光が透過する光透過部を含む少なくとも１以上の光透過側部材を、前記複数の発光素子の位置に応じて形成し、
    前記基板上の前記複数の発光素子に対する所定の位置に前記光透過側部材が接続されるように、前記基板と前記カバー用部材とを接合し、
    前記主面部の前記光透過側部材の前記光透過部よりも前記光が透過する方向側にオフセットした位置を切断することで、前記複数の発光素子の各々を含む複数の発光装置を形成する
    発光装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記光透過側部材の形成ステップは、前記主面部及び前記光透過側部材を、同一材料により一体的に形成する
    発光装置の製造方法。
15. 請求項１３に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記光透過側部材の形成ステップは、前記主面部とは別体の前記光透過側部材を、前記主面部に接続する
    発光装置の製造方法。