CN101529706B - 电源控制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明的控制电路(10)在通常模式中DC-DC变换电路的输出电流为上限电流以上时转移到第一限流模式，在第一限流模式中输出电流低于上限电流时转移到通常模式，在第一限流模式中没有转移到通常模式而经过了第一规定期间时转移到第二限流模式，在第二限流模式中经过了第二规定期间时转移到通常模式。

Description

电源控制电路
技术领域
本发明涉及对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号的控制电路。
背景技术
在以往的DC-DC变换电路中，为了防止连接到该DC-DC变换电路的输出端子的负载因过电压或过电流而被损坏，设置有保护电路。
图1表示这样的以往的DC-DC变换电路的一例。如图1所示，在以往的DC-DC变换电路中，为了防止连接到输出端子O的负载20因过电压或过电流而被损坏，设置有包括开关驱动电路12及CMOS开关13的保护电路。
专利文献1：特开平11-289754号公报
发明内容
但是，在以往的DC-DC变换电路中，构成为使用CR滤波器30至32来防止上述保护电路的误动作，而在这样的结构中，存在有时不能充分地除去开关噪声的问题。
因此，本发明鉴于以上问题而完成，其目的在于，提供在DC-DC变换电路中，可没有来自外部的控制地防止保护电路的误动作，同时实现低消耗功率的控制电路。
本发明的第一特征是对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号的控制电路，其要旨是：所述CMOS开关由连接到直流电压源的PMOS晶体管和连接到地的NMOS晶体管构成，所述控制电路在通常模式中，所述DC-DC变换电路的输出电流为上限电流以上时，转移到第一限流模式，在所述第一限流模式中，在所述输出电流低于所述上限电流时，转移到所述通常模式，在所述第一限流模式中，在没有转移到所述通常模式而经过了第一规定期间时，转移到第二限流模式，在所述第二限流模式中，在经过了第二规定期间时，转移到所述通常模式，在转移到了所述第一限流模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管间断地为截止状态，在转移到了所述第二限流模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管连续地为截止状态。
在本发明的第一特征中，所述控制电路也可以在所述第一限流模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式(overshoot mode)，在转移到了所述过冲模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使有关的所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态。
本发明的第二特征是对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号的控制电路，其要旨是：所述CMOS开关由连接到直流电压源的PMOS晶体管和连接到地的NMOS晶体管构成，所述控制电路在通常模式中，在所述NMOS晶体管为导通状态时，所述DC-DC变换电路的输出电压为基准电压以上时，转移到第一突发模式(burst mode)，在所述第一突发模式中，在没有转移到所述通常模式而经过了第三规定期间时，转移到第二突发模式，在所述第一突发模式及所述第二突发模式中，在检测到被输入所述输出电压的迟滞比较器(hysteresis comparator)的输出的转移时，转移到通常模式，在转移到了所述第一突发模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管连续地为截止状态，在转移到了所述第二突发模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管连续地为截止状态，并且使所述迟滞比较器中的迟滞宽度缩小。
在本发明的第二特征中，所述控制电路也可以在所述第一突发模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式，在转移到了所述过冲模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使有关的所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态。
本发明的第三特征是对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号的控制电路，其要旨是：所述CMOS开关由连接到直流电压源的PMOS晶体管和连接到地的NMOS晶体管构成，所述控制电路在通常模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式，在所述过冲模式中，在经过了第四规定期间后，所述DC-DC变换电路的输出电流为上限电流以上时，转移到第一限流模式，在所述过冲模式中，在经过了所述第四规定期间后，在所述NMOS晶体管为导通状态时，在所述DC-DC变换电路的输出电流为基准电流以上时，转移到第一突发模式，在所述过冲模式中，在经过了所述第四规定期间后，在没有转移到所述第一限流模式或所述第一突发模式时，转移到所述通常模式，在转移到了所述过冲模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使有关的所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态，在转移到了所述第一限流模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管间断地为截止状态，在转移到了所述第一突发模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管连续地为截止状态。
在本发明的第三特征中，所述控制电路也可以在所述第一限流模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到所述过冲模式。
在本发明的第三特征中，所述控制电路也可以在所述第一突发模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到所述过冲模式。
附图说明
图1是表示以往技术的DC-DC变换电路的结构的图。
图2是表示包括了本发明的第1实施方式的控制电路的DC-DC变换电路的结构的图。
图3是表示本发明的第1实施方式的控制电路可转移的所有动作模式的图。
图4是表示本发明的第1实施方式的控制电路在通常模式、限流模式1和限流模式2之间转移的状况的图。
图5是本发明的第1实施方式的控制电路在限流模式1及限流模式2的情况下的各种信号的波形图。
图6是表示本发明的第1实施方式的控制电路在通常模式、突发模式1和突发模式2之间转移的状况的图。
图7是本发明的第1实施方式的控制电路在突发模式1及突发模式2的情况下的各种信号的波形图。
图8是表示本发明的第1实施方式的控制电路在通常模式、过冲模式、突发模式1和限流模式1之间转移的状况的图。
具体实施方式
(包括了本发明的第1实施方式的控制电路的DC-DC变换电路的结构)
参照图2，说明有关包括了本发明的第1实施方式的控制电路(状态机)的DC-DC变换电路的结构。
如图2所示，作为主要构成要素，本实施方式的DC-DC变换电路包括：控制电路10；时钟振荡器(OSC)11；开关驱动电路12；CMOS开关13；比较器(CURRLMT)14；积分器15；比较器(OVDET)16；迟滞比较器(HYSTCOMP)17；以及比较器(NSENS)18。
再有，与图1所示的以往的DC-DC变换电路的情况同样，CMOS开关13由连接到直流电压源VDD的PMOS晶体管13A和连接到地的NMOS晶体管13B构成。
比较器14被构成为判定DC-DC变换电路的输出电流是否达到了上限电流以上。
在图2的例子中，比较器14被构成为通过比较电流I1和比较器14中的基准电流，从而判定DC-DC变换电路的输出电流是否达到了上限电流以上。
具体地说，比较器14被构成为在电流I1达到了比较器14中基准电流以上时，判定为DC-DC变换电路的输出电流达到了上限电流以上，从而在判定信号CURRLMT_P中输出H电平(高电平)。
积分器15被构成为将对判定信号CURRLMT_P积分所得的信号CURRLMTANA_P输入到控制电路10。
比较器16被构成为判定DC-DC变换电路的输出电压是否以规定的斜率以上进行了上升。
这里，假设这样的规定的斜率考虑了DC-DC变换电路的时间常数而被设定为最佳值。
在图2的例子中，比较器16被构成为判定端子FB上的电压VOUT是否以规定的斜率以上进行了上升。
具体地说，比较器16被构成为在FB端子上的电压VOUT以规定的斜率以上进行了上升时，判定为DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升，从而在判定信号OVDETOUT中输出H电平。
比较器18被构成为在NMOS晶体管13B为导通(ON)状态时，判定DC-DC变换电路的输出电压是否达到了基准电压以上。
在图2的例子中，比较器18被构成为通过比较端子SWOUT上的电压(输出电压VSWOUT和反转了开关驱动电路12的输出电压A所得的电流(基准电压)，从而在NMOS晶体管13B为导通状态时，判定DC-DC变换电路的输出电流是否达到了基准电流以上。
具体地说，比较器18被构成为在电压(输出电压)VSWOUT达到了NMOS晶体管13B为导通状态时的基准电压(即，将用于使NMOS晶体管导通的高电平反转后的L电平(低电平)的电压)以上时，在判定信号NSENS中输出H电平。
就迟滞比较器17来说，被构成为输入DC-DC变换电路的输出电压(在图2的例子中，为端子FB上的电压VOUT)。
开关驱动电路12被构成为根据从控制电路10或比较器14或迟滞比较器17输入的控制信号，驱动CMOS开关13。
具体地说，开关驱动电路12被构成为根据这样的控制信号，将构成CMOS开关13的PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B的导通状态和截止(OFF)状态切换。
控制电路10被构成为在为了防止在DC-DC变换电路中连接到输出端子O上的负载20因过电流或过负荷而被损坏，对驱动CMOS开关13的开关驱动电路12发送控制信号。
此外，控制电路10被构成为在为了在DC-DC变换电路中实现低消耗功率动作，对驱动CMOS开关13的开关驱动电路12发送控制信号。
再有，控制电路10被构成为根据当前的动作模式，变更对开关驱动电路12发送的控制信号。
具体地说，如图3所示，作为控制电路10可转移的动作模式，被规定有通常模式、限流模式1(第1限流模式)、限流模式2(第2限流模式)、突发模式(burst mode)1(第1突发模式)、突发模式2(第2突发模式)、以及过冲模式。
这里，通常模式是控制电路10不对开关驱动电路12特别地发送控制信号的动作模式。
在通常模式中，开关驱动电路12通过对PMOS晶体管13A和NMOS晶体管13B交替地切换导通状态和截止状态而控制CMOS开关13，以进行同步整流动作。
限流模式1是控制电路10对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其使PMOS晶体管13A间断地为截止状态的动作模式。
即，控制电路10在转移到了限流模式1时，对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其使PMOS晶体管13A间断地为截止状态。
限流模式2是控制电路10对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其使PMOS晶体管13A连续地为截止状态的动作模式。
即，控制电路10在转移到了限流模式2时，对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其使PMOS晶体管13A连续地为截止状态。
突发模式1是控制电路10对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其通过使PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B连续地为截止状态而停止同步整流动作的动作模式。
即，控制电路10在转移到了突发模式1时，对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其通过使PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B连续地为截止状态而停止同步整流动作。
突发模式2是控制电路10对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其使PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B连续地为截止状态，并且使迟滞比较器17中的迟滞宽度缩小的动作模式。
即，控制电路10在转移到了突发模式2时，对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其使PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B连续地为截止状态，并且使迟滞比较器17中的迟滞宽度缩小。
过冲模式是控制电路10对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其通过对PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B交替地切换导通状态和截止状态而进行同步整流动作的动作模式。
即，控制电路10在转移到了过冲模式时，对开关驱动电路12发送控制信号，以指示其通过对PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B交替地切换导通状态和截止状态而进行同步整流动作。
(本发明的第1实施方式的控制电路的动作模式)
下面参照图4至图8，说明本发明的第1实施方式的控制电路的动作模式。
首先，参照图4和图5，说明本实施方式的控制电路10在通常模式和限流模式1及限流模式2之间转移的状况。
如图4所示，控制电路10在通常模式中，在DC-DC变换电路的输出电流(在图2的例子中，为电流I1)达到了上限电流(在图2的例子中，为比较器14中的基准电流)以上时，转移到限流模式1(S101)。
具体地说，控制电路10在通常模式中，在来自比较器14的判定信号CURRLMT_P中被输入了H电平时，转移到限流模式1。
此外，控制电路10在限流模式1中，在没有转移到通常模式而经过了第1规定期间时，转移到限流模式2(S102)。
具体地说，控制电路10在转移到了限流模式1时，对时钟振荡器11发送控制信号POFFOSC，以指示其输出时钟信号SD_OSC。
然后，控制电路10在限流模式1中，在接收了相当于6脉冲的时钟信号SD_OSC时，判定为没有转移到通常模式而经过了第1规定期间，并转移到限流模式2。
此外，控制电路10在限流模式2中，在经过了第2规定期间时，转移到通常模式(S103)。
具体地说，控制电路10在限流模式2中，在接收了相当于7脉冲的时钟信号SD_OSC时，判定为经过了第2规定期间，并转移到通常模式。
再有，如下所述，控制电路10在经过第2规定期间前，在来自比较器16的判定信号OVDETOUT中被输入了H电平时，不是转移到通常模式，而是转移到过冲模式。
此外，控制电路10在限流模式1中，在DC-DC变换电路的输出电流(在图2的例子中，为电流I1)低于上限电流(在图2的例子中，为比较器14中的基准电流)时，转移到通常模式(S104)。
具体地说，控制电路10在限流模式1中，在来自比较器14的判定信号CURRLMT_P中被连续输入了一定期间的L电平时，转移到通常模式。
在图5的例子中，控制电路10在时刻t0中，检测在来自比较器14的判定信号CURRLMT_P中被输入了H电平的事实，从而转移到限流模式1，并将该情况通知给开关驱动电路12。
控制电路10通过监视积分信号CURRLMTANA_P，在时刻t1中，判断为接收了相当6脉冲的时钟信号SD_OSC，从而转移到限流模式1，并将该情况通知给开关驱动电路12。
这里，控制电路10例如可以使用控制信号SENSCURR_P，将转移到了限流模式1或限流模式2的事实通知给开关驱动电路12。
控制电路10在时刻t1中，判断为接收了相当7脉冲的时钟信号SD_OSC，从而转移到通常模式，并将该情况通知给开关驱动电路12。
这里，控制电路10例如可以使用控制信号SENSCURR_P，将转移到了通常模式的事实通知给开关驱动电路12。
第2，参照图6及图7，说明本实施方式的控制电路10在通常模式和突发模式1及突发模式2之间转移的状况。
如图6所示，控制电路10在通常模式中，在NMOS晶体管13B为导通状态时，在DC-DC变换电路的输出电压(在图2的例子中，为端子SWOUT上的电压VSWOUT)达到了基准电流(在图2的例子中，为将开关驱动电路12的输出电压A的H电平反转后的L电平的电流)以上时，转移到第1突发模式(S201)。
具体地说，控制电路10在通常模式中，在检测到在来自比较器18的判定信号NSENS中被输入了H电平的事实时，转移到突发模式1。
此外，控制电路10在突发模式1中，在没有转移到通常模式而经过了第3规定期间时，转移到突发模式2(S202)。
具体地说，控制电路10在转移到了突发模式1时，对时钟振荡器11发送控制信号POFFOSC，以指示其输出时钟信号SD_OSC。
然后，控制电路10在突发模式1中，在接收了相当6脉冲的时钟信号SD_OSC时，判断为没有转移到通常模式而经过了第3规定期间的事实，并转移到突发模式2。
此外，控制电路10在突发模式1及突发模式2中，在检测到迟滞比较器17的输出的转移(例如，输出L电平)时，转移到通常模式(S203)。
具体地说，控制电路10在端子FB上的电压VOUT低于迟滞比较器17的L电平输出用设定电压时，转移到通常模式。
在图7的例子中，控制电路10在时刻t1中，检测在来自比较器18的判定信号NSENS中被输入了H电平的事实，从而转移到突发模式1，并使用控制信号SENSNSENS，将该情况通知给开关驱动电路12。
控制电路10在时刻t2中，判断为接收了相当6脉冲的时钟信号SD_OSC，从而转移到突发模式1，并使用控制信号SENSNSENS，将该情况通知给开关驱动电路12。
这样的情况下，如图7的(e)所示，在时刻t2中，迟滞比较器17根据来自控制电路10的指示，将迟滞宽度缩小(将L电平输出用设定电压提高)。
控制电路10在时刻t3中，检测在来自比较器18的判定信号NSENS中被输入了L电平的事实，从而转移到通常模式，并使用控制信号SENSNSENS，将该情况通知给开关驱动电路12。
第三，参照图8，说明本实施方式的控制电路10在通常模式、过冲模式、限流模式1和突发模式1之间转移的状况。
如图8所示，控制电路10在通常模式中，在DC-DC变换电路的输出电压(在图2的例子中，端子FB上的电压VOUT)以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式(S301)。
具体地说，控制电路10在通常模式中，在来自比较器16的判定信号OVDETOUT中被输入了H电平时，转移到过冲模式，并将该情况通知给开关驱动电路12。
此外，控制电路10在过冲模式中，在经过了第4规定期间后，没有转移到限流模式1或突发模式1时，转移到通常模式(S302)。
具体地说，控制电路10在过冲模式中，在接收了相当6脉冲的时钟信号SD_OSC后，如果在来自比较器14的判定信号CURRLMT_P中没有被输入H电平，并且在来自比较器18的判定信号NSENS中未被输入了H电平时，转移到通常模式，并将该情况通知给开关驱动电路12。
此外，控制电路10在过冲模式中，在经过了第4规定期间后，在DC-DC变换电路的输出电流(在图2的例子中，为电流I2)达到了上限电流(在图2的例子中，为将开关驱动电路12的输出电流A反转后的电流)以上时，转移到限流模式1(S303)。
具体地说，控制电路10在过冲模式中，在接收了相当6脉冲的时钟信号SD_OSC后，在检测到来自比较器14的判定信号CURRLMT_P中被输入了H电平时，转移到限流模式1，并将该情况通知给开关驱动电路12。
此外，控制电路10在过冲模式中，在经过了第4规定期间后，在NMOS晶体管13B为导通状态时，在DC-DC变换电路的输出电压(在图2的例子中，为端子SWOUT上的电压VSWOUT)达到了基准电压(在图2的例子中，为将开关驱动电路12的输出电压A的H电平反转过的L电平的电压)以上时，转移到突发模式1(S305)。
具体地说，控制电路10在过冲模式中，在接收了相当6脉冲的时钟信号SD_OSC后，在检测到来自比较器18的判定信号NSENS中被输入了H电平时，转移到突发模式1，并将该情况通知给开关驱动电路12。
此外，控制电路10在限流模式1中，在DC-DC变换电路的输出电压(在图2的例子中，为端子FB上的电压VOUT)以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式(S304)。
具体地说，控制电路10在限流模式1中，在来自比较器16的判定信号OVDETOUT中被输入了H电平时，转移到过冲模式，并将该情况通知给开关驱动电路12。
此外，控制电路10在突发模式1中，在DC-DC变换电路的输出电压(在图2的例子中，为端子FB上的电压VOUT)以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式(S306)。
具体地说，控制电路10在突发模式1中，在来自比较器16的判定信号OVDETOUT中被输入了H电平时，转移到过冲模式，并将该情况通知给开关驱动电路12。
(本发明的第1实施方式的控制电路的作用、效果)
根据本实施方式的控制电路10，在DC-DC变换电路的输出电流(电流I1)达到了上限电流(比较器14中的基准电流)以上时，判断为有在负载20上施加过电流的危险性，从而转移到限流模式1。控制电路10能够在限流模式1中，通过使连接到直流电压源的PMOS晶体管13A间断地为截止状态，从而降低这样的危险性。
此外，根据本实施方式的控制电路10，能够在转移到了限流模式1后，即使经过第2规定期间(相当6脉冲的期间)，DC-DC变换电路的输出电流(电流11)也不低于上限电流(比较器14中的基准电流)时，则转移到限流模式2。控制电路10在限流模式2中，通过使连接到直流电压源的PMOS晶体管13A连续地为截止状态，从而降低这样的危险性。
根据本实施方式的控制电路10，能够在PMOS晶体管13A为截止状态，NMOS晶体管13B为导通状态，并且连接了较轻的负载20时，通过使PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B双方为截止状态，直至由电容器C1中存储的电荷所施加的负载电压(即，端子FB上的电压VOUT)低于迟滞比较器17的L电平输出用设定电压为止，从而实现低消耗功率动作。
具体地说，在DC-DC变换电路中连接有较轻的负载20时，由于图7的(e)中的从t0至t3为止的期间加长，所以能够通过使PMOS晶体管13A及NMOS晶体管13B双方为截止状态，从而实现低消耗功率动作。
此外，根据本实施方式的控制电路10，通过在突发模式1中，不是返回到通常模式(即，端子FB上的电压VOUT没有低于迟滞比较器的L电平输出用设定电压)，而是经过了第3规定期间时，使迟滞比较器17的迟滞宽度(输出波动)变小，从而使图7的(e)中的从t0至t3为止的期间变短，从而使负载响应良好。
根据本实施方式的控制电路10，能够在DC-DC变换电路的输出电压(端子FB上的电压VOUT)以规定的斜率以上进行了上升时，判断为有在负载20上施加过电压的危险性，从而转移到过冲模式。控制电路10能够通过在第4规定期间中，不进行低消耗功率动作，而强制地进行同步整流动作，从而使这样的输出电压回落到目标电压，降低这样的危险性。
以上，使用上述实施方式详细地说明了本发明，但本领域技术人员应该明白，本发明并不限于本说明书中说明过的实施方式。本发明可以修正及作为变更方式来实施而不脱离由权利要求的范围的记载所确定的本发明的精神及范围。因此，本说明书的记载以例示说明为目的，对本发明没有任何限制的含义。
再有，日本专利申请第2006-297119号(2006年10月30日申请)的全部内容通过参阅而被引用于本说明书。
工业实用性
根据本发明，在DC-DC变换电路中，能够没有来自外部的控制地防止保护电路的误动作，同时实现低消耗功率，所以对驱动作为DC-DC变换电路的构成要素的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号的控制电路是有用的。

Claims (8)

1.一种控制电路，对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号，其特征在于，
所述CMOS开关由连接到直流电压源的PMOS晶体管和连接到地的NMOS晶体管构成，
所述控制电路
在通常模式中，所述DC-DC变换电路的输出电流为上限电流以上时，转移到第一限流模式，
在所述第一限流模式中，所述输出电流低于所述上限电流时，转移到所述通常模式，
在所述第一限流模式中，在没有转移到所述通常模式而经过了第一规定期间时，转移到第二限流模式，
在所述第二限流模式中，在经过了第二规定期间时，转移到所述通常模式，
在转移到了所述第一限流模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管间断地为截止状态，
在转移到了所述第二限流模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管连续地为截止状态，
所述通常模式是所述控制电路不对所述开关驱动电路发送控制信号的动作模式，在所述通常模式中，所述开关驱动电路通过对所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态而控制所述CMOS开关，以进行同步整流动作。
2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，
所述控制电路
在所述第一限流模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式，
在转移到了所述过冲模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态。
3.一种控制电路，对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号，其特征在于，
所述CMOS开关由连接到直流电压源的PMOS晶体管和连接到地的NMOS晶体管构成，
所述控制电路
在通常模式中，在所述NMOS晶体管为导通状态时，在所述DC-DC变换电路的输出电压为基准电压以上时，转移到第一突发模式，
在所述第一突发模式中，在没有转移到所述通常模式而经过了第三规定期间时，转移到第二突发模式，
在所述第一突发模式及所述第二突发模式中，在检测到迟滞比较器的低电平的输出时，转移到所述通常模式，其中所述迟滞比较器输入所述输出电压，
在转移到了所述第一突发模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管连续地为截止状态，
在转移到了所述第二突发模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管连续地为截止状态，并且使所述迟滞比较器中的迟滞宽度缩小，
所述通常模式是所述控制电路不对所述开关驱动电路发送控制信号的动作模式，在所述通常模式中，所述开关驱动电路通过对所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态而控制所述CMOS开关，以进行同步整流动作。
4.如权利要求3所述的控制电路，其特征在于，
所述控制电路
在所述第一突发模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式，
在转移到了所述过冲模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态。
5.一种控制电路，对驱动作为DC-DC变换电路的构成元件的CMOS开关的开关驱动电路发送控制信号，其特征在于，
所述CMOS开关由连接到直流电压源的PMOS晶体管和连接到地的NMOS晶体管构成，
所述控制电路
在通常模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到过冲模式，
在所述过冲模式中，在经过了第四规定期间后，所述DC-DC变换电路的输出电流为上限电流以上时，转移到第一限流模式，
在所述过冲模式中，在经过了所述第四规定期间后，所述NMOS晶体管为导通状态时，所述DC-DC变换电路的输出电压为基准电压以上时，转移到第一突发模式，
在所述过冲模式中，在经过了所述第四规定期间后，没有转移到所述第一限流模式或所述第一突发模式时，转移到所述通常模式，
在转移到了所述过冲模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态，
在转移到了所述第一限流模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管间断地为截止状态，
在转移到了所述第一突发模式时，对所述开关驱动电路发送控制信号，以指示其使所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管连续地为截止状态，
所述通常模式是所述控制电路不对所述开关驱动电路发送控制信号的动作模式，在所述通常模式中，所述开关驱动电路通过对所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管交替地切换导通状态和截止状态而控制所述CMOS开关，以进行同步整流动作。
6.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，
所述控制电路在所述第一突发模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到所述过冲模式。
7.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，
所述控制电路在所述第一限流模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到所述过冲模式。
8.如权利要求7所述的控制电路，其特征在于，
所述控制电路在所述第一突发模式中，在所述DC-DC变换电路的输出电压以规定的斜率以上进行了上升时，转移到所述过冲模式。
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