KR20060121098A - 에러 전송 장치를 구비하고 전력 반도체 스위치를 구동하기위한 회로 장치 및 이에 대한 방법 - Google Patents

에러 전송 장치를 구비하고 전력 반도체 스위치를 구동하기위한 회로 장치 및 이에 대한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 브릿지 장치에 배치된 전력 스위치를 구동하기 위한 일체형 회로 장치 및 이에 대한 방법에 관한 것이다. 상기 회로 장치의 1차측은 레벨 시프터(44)를 통해, TOP 스위치(50)를 구동하는 2차측과 연결된다. 또한 회로 장치는 1차측과 2차측 사이에서 2차측으로부터 1차측으로 에러 상태 전송을 위한 다이오드를 포함한다. 다이오드의 애노드측 연결부는 1차측에 연결되고 캐소드측 연결부는 구동기 회로의 2차측과 연결된다. 1차측은 다이오드에 전압을 인가한다. 에러 없는 작동 시 2차측은 다이오드의 캐소드에 "높은"레벨(Vd)을 인가하고 에러 작동 시 "낮은"레벨(Vg)을 인가한다. 2차측이 개방된 BOT 스위치를 통해 또는 저항이 큰 저항을 통해 대략 접지 기준 전위로 존재하여 다이오드를 통한 전류 흐름이 이루어지므로, 2차측의 에러 상태가 1차측에 의해 검출된다.
전력 스위치, 회로 장치, 레벨 시프터, 1차측, 2차측, 다이오드, 에러 작동

Description

에러 전송 장치를 구비하고 전력 반도체 스위치를 구동하기 위한 회로 장치 및 이에 대한 방법{CIRCUIT ARRANGEMENT WITH ERROR FEEDBACK FOR ACTIVATING POWER SEMICONDUCTOR SWITCH AND ASSOCIATED METHOD}
도1은 종래 기술에 따른 회로 장치의 도면.
도2는 본 발명에 따라 개선된 회로 장치의 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20: 1차측
30: 2차측
44: 레벨 시프터
50: TOP 스위치
52: BOT 스위치
60: 다이오드
100: 회로 장치
본 발명은 브릿지 회로에 배치된 전력 스위치를 구동하기 위한 양호하게는 일체형인 회로 장치 및 이에 대한 방법에 관한 것이다. 이와 같은 전력 스위치에 대한 브릿지 장치는 반상, H상(이상), 또는 삼상 브릿지 회로로 공지되어 있으며, 단상 반브릿지는 상기 전력 전자 회로의 기본 부품을 나타낸다. 반브릿지 회로에는 2개의 전력 스위치, 즉, 제1 스위치 소위 TOP 스위치 및 제2 스위치 소위 BOT 스위치가 직렬 연결로 배치되어 있다. 상기 반브릿지는 일반적으로 직류 중간 회로에 대한 연결부를 포함한다. 일반적으로 중간탭이 부하와 연결된다.
전력 반도체 부품인 전력 스위치 또는 복수의 병렬 또는 직렬 연결된 전력 반도체 부품을 구비하는 전력 스위치의 구조에서, 전력 스위치의 구동을 위해 구동 회로가 요구된다. 종래 기술에 따르면, 이러한 구동 회로는 복수의 부품 회로 또는 기능 블록으로 이루어진다. 상위에 배치된 제어 장치로부터 전달되는 구동 신호는 제1 부품 회로, 즉, 1차측에서 처리되어 다른 부품인 구동 회로, 즉 2차측을 통해 최종적으로 각 전력 스위치의 제어 입력부에 제공된다. 중간 회로 전압이 높은 예를 들면 50V 이상인 반브릿지 장치의 경우, 제어 신호를 처리하는 1차측은 전위/전기에 있어서 2차측으로부터 분리되는데, 왜냐하면 전력 스위치, 즉 적어도 반브릿지의 TOP 스위치는 작동 시 일정한 전위로 존재할 수 없어 전압에 있어서의 분리가 필요하기 때문이다. 종래 기술에 따르면, 상기 분리는 예를 들면 트랜스듀서, 광커플러 또는 광도파관에 의해 행해진다. 이러한 전기적 분리는 적어도 TOP 스위치에 대해 행해지지만, 고전력의 경우에는 스위칭 조작 시 있을 수 있는 접지 전위의 분할로 인해 BOT 스위치에 대해서도 행해진다.
외부의 전기 분리 장치를 생략하는 600V 또는 1200V까지의 전압 등급의 전력 스위치를 위한 일체형 회로 장치도 공지되어 있다. 이러한 모놀리식 일체형 회로의 경우, 종래 기술에 따르면, 적어도 TOP 스위치를 위한 소위 레벨 시프터(level shifter)가 사용된다. 상기 전자 부품 및 분리 기술은 2차측에 대한 1차측의 전위차를 조정한다.
상술된 전력 스위치를 구동하기 위한 모놀리식 일체형 회로 장치의 구조에서는 적어도 TOP 스위치의 2차측을 위한 가장 간단한 구조에 있어서 에러를 1차측에 전송하는 방법이 제공되지 않는다.
본 발명의 목적은 간단하고 일체형인 수단에 의해 2차측으로부터 1차측으로 에러 전송을 가능케 하는 브릿지 장치의 전력 반도체 스위치용 양호하게는 모놀리식 일체형인 회로 장치 및 이에 대한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적은 본원의 청구범위 제1항 및 제4항의 특징부의 수단을 통해 달성된다. 양호한 실시예가 종속항에 개시되어 있다.
본 발명에 따른 사상은 1차측 부품(1차측) 및 2차측 부품(2차측)으로 이루어지는, 브릿지 토폴로지(topology)의 전력 반도체 스위치를 구동하기 위한 공지된 회로 장치에 관한 것이다. 브릿지 회로는 제1 TOP 스위치 및 제2 BOT 스위치로 이루어진다. 상기 스위치는 종래 기술에 따르면 직류 중간 회로와 연결된다. TOP 스위치와 BOT 스위치 사이의 중간 연결부는 브릿지 회로의 교류 출력부를 형성한다. 구동 회로 장치는 1차측에 적어도 하나의 신호 처리 장치 및 적어도 하나의 2차측을 전위 없이 구동하기 위한 적어도 하나의 레벨 시프터를 포함한다. 2차측은 적어 도 하나의 신호 처리 장치 및 각 스위치를 위한 적어도 하나의 구동기 스테이지를 포함한다.
본 발명은 전력 반도체 스위치를 구동하기 위한 양호하게는 모놀리식 일체형인 회로 장치를 제안하며, 1차측과 적어도 하나의 2차측 사이에는 2차측으로부터 1차측으로 에러 상태 전송을 위한 다이오드가 배치된다. 다이오드의 애노드측 연결부는 1차측에 대해 배열되고 캐소드측 연결부는 구동기 회로의 2차측에 대해 배열된다. 또한 회로 장치는 1차측에서 필터링 장치 및 에러 상태 검출을 위한 전류 검출부를 포함하고 2차측에서 에러 상태 구현 회로를 포함한다. 상기 2개의 회로 부품은 다이오드와 연결된다.
상술된 유형의 회로 장치에서 2차측으로부터 1차측으로 에러를 전송하는 방법에서, 1차측은 전류 검출부 및 양호하게는 전압 조절 장치를 포함하며, 1차측은 1차측의 작동 전압과 동일하거나 또는 이보다 작은 한정된 전압을 다이오드에 인가한다.
에러 없는 작동 시 TOP 스위치에 관련된 2차측의 에러 상태 구현 회로는 다이오드의 캐소드(cathode)에 "높은"레벨(Vd)을 설정하고, 에러 작동 시 에러 상태 구현 회로는 "낮은"레벨(Vg)을 갖는다. 2차측이 1차측에 비해 높은 오프셋 전압을 가지면(TOP 스위치 개방), 전류 흐름은 이루어질 수 없다(다이오드 차단). TOP 스위치가 차단되고 BOT 스위치가 개방될 때 또는 BOT 스위치에 대해 병렬인 저항이 큰 저항을 통해, 2차측 에러 상태 구현 회로는 접지 기준 전위로 된다. 이러한 경우, 도전성 다이오드를 통한 전류 흐름이 가능함으로 인해, 2차측에서 구현된 에러 상태는 1차측에 의해 검출된다.
본 발명의 사상은 도1 및 도2의 실시예에 의해 상세히 설명된다.
도1은 종래 기술에 따른 브릿지 토폴로지의 전력 반도체 스위치를 구동하기 위한 회로 장치를 도시한다. 단순화를 위해 반브릿지만이 도시되어 있다. 다른 브릿지 토폴로지도 이와 유사하다.
브릿지 토폴로지의 회로 장치의 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)와 같은 전력 반도체 부품(50, 52)을 구동할 때, 한편으로 상위에 있는 예를 들면 마이크로 제어기(10) 형태의 제어 장치(10)와 회로 장치의 1차측(20) 사이의 전압차, 다른 한편으로 회로 장치의 2차측(30, 32)과 전력 반도체 부품(50, 52) 사이의 전압차로 인해 전위 분리 장치가 요구된다. 종래 기술에 따르면, 다양한 전위 분리 장치, 예를 들면 상응하는 전기 강도(electric strength)를 갖는 변압기(40, 42), 광커플러, 광도파관 또는 전자 부품이 공지되어 있다.
1차측 및 2차측이 모놀리식으로 일체된 경우, 1차측으로부터 2차측으로 제어 신호를 전달하기 위해 종종 레벨 시프터가 사용된다. 상기 부품에 의해 턴온 및 턴오프 신호가 1차측(저 전압측)으로부터 2차측(고 전압측)으로 전달될 수 있다. 전력 전자 시스템의 장애 없는 작동을 위해 2차측의 작동 상태, 예를 들면 TOP 및 BOT 스위치의 구체적인 스위칭 상태 또는 다양한 에러 상태에 대해 인지하는 것이 중요하다.
2차측으로부터 1차측으로의 신호 전달에 상응하는 상기와 같은 상태 조회는 하이브리드 장치의 경우 변압기, 양방향성 광커플러 또는 양방향성 광도파관에 의해 가능하다. 모놀리식 일체형 장치의 경우 양호하게는 pMOS-고전압 트랜지스터를 사용하는 상보적 레벨 시프터가 공지되어 있다. 상기 언급된 모든 장치들의 단점은 추가적 비용 및/또는 추가적 기술 사용이 행해지는 추가적 신호 경로가 구현되어야 한다는 것이다.
도2는 본 발명에 따라 개선된 브릿지 토폴로지의 전력 반도체 스위치(50, 52)를 구동하기 위한 모놀리식 일체형 회로 장치(100)를 도시한다. 여기서 1차측(20)과 2차측(30) 사이에는 다이오드가 배치되어 있다. 상기 다이오드는 1차측과 2차측 사이의 최대 전위차에 상응하는 전기 강도를 구비한다. 상기 다이오드의 애노드(anode)에는 국부적 작동 압력과 동일하거나 또는 이보다 작은 압력이 1차측으로부터 제공된다.
BOT 스위치에 관련되는 2차측(32)은 전위 분리 장치 없이 1차측(20)과 연결된다. 본 발명에 따른 회로 장치의 구조 및 이에 대한 방법에서는 다이오드(60)를 통해 전류가 어느 정도 흐르는지가 1차측(20)의 회로 부품에 의해 감시된다. 2차측(30)이 1차측(20)에 비해 높은 양의(positive) 오프셋 전압을 가지면, 다이오드(60)를 통한 안정된 전류 흐름이 이루어질 수 없다. 따라서, 정상 작동 시 TOP 스위치(50)의 턴온 단계 동안 상태 신호는 2차측(30)으로부터 1차측(20)으로 전달될 수 없다. 동일한 내용은 2차측(30)이 높은 오프셋 전위로 유지되는 에러 상태에 적용된다. 그러나, 구동 모드 시 TOP 스위치(50)가 턴오프 상태에 있고 BOT 스위치(52)가 턴온 상태에 있는 경우와 같이 1차측(20) 및 2차측(30)이 대략 동일한 기 준 전위로 존재하면, 전류는 다이오드(60)를 통해 흐를 수 있다. 이러한 상태는 정상 작동 시 주기적으로 진행된다.
예를 들면 부트스트랩(bootstrap) 다이오드 위에 자체의 2차측 에너지 공급 장치를 구비하는 일체형 시스템 또는 하이브리드 시스템의 경우에도 상기 작동 상태는 반드시 필요하므로 이용될 수 있다. 여기에서 다이오드(60)의 캐소드측 연결부의 전위가 중요하다. 이 전위가 2차측(30)의 작동 압력(Vd)으로 존재하면, 애노드측 연결부의 전압 조절 장치의 치수 설정(dimension)에 의해 정적인 전류 흐름이 이루어지지 않는다. 상기 상태는 2차측(30)의 에러 없는 기능, 예를 들면 정확히 턴오프된 TOP 스위치(50)를 신호화하여 전송한다. 2차측에 배치된 게이트 구동 유닛이 다른 한편으로 TOP 스위치(50)가 턴온된 단계 동안 에러를 검출하면, 상기 상태는 국부적으로 저장되고 다이오드(60)의 2차측 연결부는 접지 기준 전위(Gd)에 도달된다. 다음 후속하여 BOT 스위치(52)가 턴온된 단계에서 전류는 다이오드(60)를 통해 흐르고, 2차측(30)의 검출된 에러 상태를 신호화하여, 양호하게는 전압 조절 장치(24)를 후방에 구비하는 전류 검출 회로(22)로서 형성되어 1차측(20)에 존재하는 에러 검출 장치로 전송한다.
2차측의 에러 메모리의 재설정은 바로 다음의 TOP 턴온 펄스를 통해 이루어질 수 있는데, 왜냐하면 상기 TOP 턴온 펄스는 시스템이 에러를 무시하거나 또는 제거된 것으로 간주할 때에만 생성되기 때문이다. 1차측(20)의 전압 조절 장치는 확실한 신호 전달이 이루어지는 경우에 비해 일시적으로 음의 값인(negative) 오프셋 전압으로 인한 다이오드(60)의 일시적인 설정 전류와 통과 전류 사이의 방해 시 간을 최적화하도록 사용된다.
가장 간단한 경우 다이오드(60)의 애노드는 바로 1차측 작동 전압의 전위로 존재한다. 전류 흐름을 검출함으로써, 저항 전압 강하를 통해, 일부 전류가 분리되거나 또는 다른 공지된 현상이 발생될 수 있다. 2차측(30)과 1차측(20) 사이의 결합 용량으로 인해 발생된 일시적인 다이오드의 설정 전류를 레벨 시프터에 유사하게 조절되도록 필터링하는 것이 중요하다.
추가적으로 1차측의 에러 검출 장치의 활성화 감시 단계를 제어 패턴 상에 표시(시간 위상 제어)하며, 상기 제어 패턴은 충분한 장시간의 전류 평가를 가능케 한다. 회로 장치의 구조적 단순화 및 작동 연결되는 고전압 부품의 생략에 의해 안정된 실행이 가능하게 된다. 이에 반해, 판독 단계가 시간적으로 제한된다는 것이 단점으로 나타난다. 따라서 상기 방법은 전체에 대해 적합하지는 않고 TOP 스위치(50)의 턴오프 단계 동안에만 에러 전송을 위해 적합하다. 다른 한편으로 매우 적은 비용으로 전송 장치가 시스템에 일체화될 수 있다.
일반적으로 상기 제안된 방법은 브릿지 회로의 스위칭 상태의 주기적 실행 시 사용될 수 있다. 예시적으로 2차측(30)의 작동 전압을 검사하는데 사용되는 경우, 용량성 블로킹 장치(blocking)의 치수 설정에 의해, 전압이 작동 전압 임계값에 미만된 후 다음의 스위칭 단계까지 충분한 값을 가지는 것이 보장되어야 한다. 상기 회로 장치 및 이에 대한 방법을 통해, 국부적으로 일시 저장된 에러 상태가 2차측으로부터 1차측으로 전달되며, 에러 시 TOP 스위치(50)가 새롭게 턴온되는 것을 회피할 수 있다.
2개의 스위치가 턴오프되어 있는 작동 상태의 경우, 기준 전위는 한정되지 않고 부유(floating)하므로, 확실한 전송이 이루어질 수 없다. 이러한 경우에도 에러 전달을 보장하기 위해, 저항이 큰 저항(70)에 의해 BOT 스위치가 고저항으로 브릿지됨으로써 브릿지 회로의 교류 연결부는 접지 기준 전위와 고저항으로 연결된다. 저항의 설정 시 정상 작동 시의 횡전류(cross current)에 주의해야 한다. 이러한 전류는 한편으로 최소한이지만, 다른 한편으로 전체 브릿지 출력부의 결합 용량을 방전하기에 충분해야 한다.
본 발명에 따르면, 간단하고 일체형인 수단에 의해 2차측으로부터 1차측으로 에러 전송을 가능케 하는 브릿지 장치의 전력 반도체 스위치용 양호하게는 모놀리식 일체형인 회로 장치 및 이에 대한 방법을 제공할 수 있다.

Claims (5)

1차측 부품(1차측(20)) 및 브릿지 회로의 TOP 스위치(50) 및 BOT 스위치(52)에 대한 각 하나의 2차측 부품(2차측(30))으로 이루어지는, 브릿지 토폴로지의 전력 반도체 스위치(50, 52)를 구동하기 위한 양호하게는 모놀리식 일체형인 회로 장치(100)이며,
1차측(20)은 적어도 하나의 신호 처리 장치 및 적어도 하나의 2차측(30)을 전위 없이 구동하기 위한 적어도 하나의 레벨 시프터(44)를 포함하고 2차측(30)은 적어도 하나의 신호 처리 장치 및 각 스위치를 위한 적어도 하나의 구동기 스테이지를 포함하며, 1차측(20)과 적어도 하나의 2차측(30) 사이에는 2차측(30)으로부터 1차측(20)으로 에러 상태 전송을 위한 다이오드(60)가 배치되며, 상기 다이오드(60)의 애노드측 연결부는 1차측(20)에 대해 배열되고 캐소드측 연결부는 구동기 회로의 2차측(30)에 대해 배열되며, 상기 다이오드(60)는 1차측(20)에서 필터링 장치 및 에러 상태 검출을 위한 전류 검출부와 연결되고 2차측(30)에서 에러 상태 구현 회로와 연결되는 회로 장치.
제1항에 있어서, 브릿지 회로의 중간 연결부 및 이에 따라 에러 상태 구현 회로도 저항이 큰 저항(70)을 통해 전체 회로 장치의 접지 기준 전위와 연결되는 회로 장치.
제1항에 있어서, 다이오드는 1차측(20)과 2차측(30) 사이의 최대 전위차에 상응하는 전기 강도를 구비하는 회로 장치.
제1항 또는 제2항에 따른 회로 장치에서 2차측(30)으로부터 1차측(20)으로 에러를 전송하는 방법이며, 1차측(20)으로부터 작동 전압과 동일하거나 또는 이보다 작은 한정된 전압이 다이오드(60)의 애노드에 인가되며, TOP 스위치(50)에 관련된 2차측(30)이 에러 없이 작동할 때 에러 상태 구현 회로에 의해 다이오드의 캐소드는 "높은"레벨(Vd)을 갖고 에러 작동할 때 에러 상태 구현 회로에 의해 "낮은"레벨(Vg)을 가지며, 2차측 "낮은"레벨이 개방된 BOT 스위치(52)를 통해 또는 저항이 큰 저항(70)을 통해 대략 접지 기준 전위로 존재하여 다이오드(60)를 통한 전류 흐름이 이루어지므로, TOP 스위치(50)가 차단될 때 2차측(30)의 에러 상태가 1차측(20)에 의해 검출되는 방법.
제4항에 있어서, 다이오드(60)를 통한 전류 흐름은 필터링 및 저항 전압 강하의 검출 장치에 의한 시간 위상 제어 후 전류 흐름 또는 일부 전류의 분리에 의해 평가되는 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005023652B3 (de) * 2005-05-23 2006-08-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit Fehlererkennung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren
US7660135B2 (en) * 2007-05-23 2010-02-09 Hamilton Sundstrand Corporation Universal AC high power inveter with galvanic isolation for linear and non-linear loads
JP5303167B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-02 ローム株式会社 スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置
US9641169B2 (en) * 2015-07-31 2017-05-02 Infineon Technologies Austria Ag Conveying information between high side and low side driver
DE102020122783B3 (de) 2020-09-01 2021-08-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Übertragung eines Einschaltsignals und eines Ausschaltsignals von einer Primärseite und zu einer Sekundärseite eines Treibers zum Ansteuern eines Leistungshalbleiterschalters und Treiber

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3472867D1 (en) * 1984-02-29 1988-08-25 Ibm Power switching circuit
US5500791A (en) * 1994-10-21 1996-03-19 General Electric Company Power distribution system for generating regulated DC output voltages using a dual active bridge converter driven from an unregulated DC source
US5543994A (en) * 1995-02-27 1996-08-06 International Rectifier Corporation MOSFET driver with fault reporting outputs
US5687049A (en) * 1996-01-26 1997-11-11 International Rectifier Corporation Method and circuit for protecting power circuits against short circuit and over current faults
US6522178B2 (en) * 1999-04-22 2003-02-18 International Rectifier Corporation Controlling high side devices without using level shift switches
JP3494154B2 (ja) * 2001-03-12 2004-02-03 日産自動車株式会社 パワートランジスタの駆動用電源回路
US6859087B2 (en) * 2002-10-31 2005-02-22 International Rectifier Corporation Half-bridge high voltage gate driver providing protection of a transistor
JP2004242491A (ja) * 2002-11-29 2004-08-26 Sony Corp スイッチング電源回路

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