CN219643892U - 晶体管工作状态获取电路及电子器件 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种晶体管工作状态获取电路及电子器件，涉及电路保护技术领域。晶体管工作状态获取电路包括：晶体管、二极管组件和比较器；晶体管与二极管组件的阳极连接，二极管组件的阴极与比较器的同相输入端连接；二极管组件用于基于晶体管的工作情况导通或截止，以基于导通状态或截止状态确定比较器的同相输入端电位；比较器用于基于同相输入端电位和反相输入端电位的比较结果，输出目标电平信号；其中，目标电平信号表征晶体管的工作状态。本申请通过设置二极管组件和比较器，能够根据晶体管的实际情况输出相应的电平信号，对晶体管进行控制以实现过流保护，有效地降低了过流保护的成本。

Description

晶体管工作状态获取电路及电子器件

技术领域

本申请涉及电路保护技术领域，具体而言，涉及一种晶体管工作状态获取电路及电子器件。

背景技术

在逆变桥、变频器等的功率变换和电机调速主电路中，通常会使用晶体管作为大功率开关管，例如，使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为大功率开关管。在开关管进行工作时，开关管会承受大电流和高电压，为了减小开关管的损坏情况，需要对开关管进行过流保护。

现有技术中，通常利用开关管导通状态下管压降的变化以判断开关管是否存在过流情况，目前普遍用法是使用驱动光耦对管压降信号进行检测，如果信号异常，光耦会自动关断驱动输出，保护开关管免于损坏。但是，这种方式需要配套具有专业检测过流接口的光耦，而这种光耦价格通常比较昂贵，导致对开关管的过流保护成本较高，无法适用于多种低成本器件。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种晶体管工作状态获取电路及电子器件，以改善现有技术中存在的电路的过流保护成本较高的问题。

为了解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供了一种晶体管工作状态获取电路，所述晶体管工作状态获取电路包括：晶体管、二极管组件和比较器；

所述晶体管与二极管组件的阳极连接，所述二极管组件的阴极与所述比较器的同相输入端连接；

所述二极管组件用于基于所述晶体管的工作情况导通或截止，以基于导通状态或截止状态确定所述比较器的同相输入端电位；

所述比较器用于基于所述同相输入端电位和反相输入端电位的比较结果，输出目标电平信号；其中，所述目标电平信号表征所述晶体管的工作状态。

在上述实现过程中，通过在电路中设置与晶体管连接的二极管组件，以根据晶体管的工作情况，决定二极管组件的导通情况。并在二极管组件的另一极连接比较器，从而根据二极管组件的导通情况，确定比较器的同相输入端电位，使比较器能够基于同相和反相输入端中的两个电位进行比较，根据晶体管实际的工作情况确定的比较结果输出相应的表征晶体管工作状态的目标电平信号。能够根据晶体管的实际工作状态输出相应的目标电平信号，以通过电平信号对晶体管进行管理，从而在晶体管过流工作时对其进行关闭，以实现过流保护的功能。无需设置光耦进行过流保护，有效地减少了对开关管进行过流保护的成本，且适用于多种类型的电子器件。

可选地，所述二极管组件包括：第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管和所述第二二极管的阴极与所述晶体管连接，所述第一二极管和所述第二二极管的阳极与所述比较器的所述同相输入端连接；

其中，若所述第一二极管处于导通状态，且所述第二二极管处于截止状态，则所述第一二极管用于为所述同相输入端提供低电位；

若所述第一二极管处于截止状态，且所述第二二极管处于导通状态，则所述第二二极管用于为所述同相输入端提供低电位；

若所述第一二极管和所述第二二极管均处于截止状态，则所述第一二极管和所述第二二极管用于为所述同相输入端提供高电位。

在上述实现过程中，二极管组件中可以设置为两个二极管以组成与门电路，两个二极管的导通与截止状态分别表征晶体管的不同工作状态，因此，可以根据两个二极管不同的状态，分别为比较器的同相输入端提供相应的电位，以供比较器对两个输入端口的电位进行比较，反馈相应的目标电平信号进行输出，有效地提高了比较器同相输入端电位与晶体管工作状态的关联性，以提高目标电平信号的准确性。

可选地，所述第一二极管的阴极与所述晶体管的集电极连接，所述第二二极管的阴极与所述晶体管的基极连接；

所述第一二极管用于根据晶体管的集电极电位确定第一阴极电位；

所述第二二极管用于根据晶体管的驱动信号确定第二阴极电位。

在上述实现过程中，两个晶体管的阴极分别与晶体管的集电极和基极连接，以分别获取集电极与发射极之间的管压降信号确定的集电极电位，以及基极的驱动信号，并根据集电极与发射极之间的管压降信号确定的集电极电位，以及基极的驱动信号的实际情况，分别确定两个二极管与晶体管的工作状态相对应的阴极电位。

可选地，其中，若所述晶体管处于导通工作状态，则所述第一二极管的所述第一阴极电位低于所述第一二极管的第一阳极电位，所述晶体管输出高电平驱动信号，所述第二二极管的所述第二阴极电位高于所述第二二极管的第二阳极电位，所述第一二极管处于导通状态，所述第二二极管处于截止状态。

在上述实现过程中，在晶体管处于导通的正常工作状态时，则集电极与发射极之间的管压降较小，集电极电位较低，且基极的驱动信号为高电平信号，从而导致第一二极管的第一阴极电位较低，低于第一阳极电位，且第二二极管的第二阴极电位高于其第二阳极电位，因此，第一二极管导通，第二二极管截止，由第一二极管为比较器的同相输入端提供低电位，以使比较器的比较结果为反相输入端电位高于同相输入端电位，能够输出低电平信号作为目标电平信号，以表征晶体管处于导通的正常工作状态。

可选地，其中，若所述晶体管处于过流工作状态，则所述晶体管管压降增加，所述第一二极管的所述第一阴极电位高于所述第一二极管的第一阳极电位，所述晶体管输出高电平驱动信号，所述第二二极管的所述第二阴极电位高于所述第二二极管的第二阳极电位，所述第一二极管处于截止状态，所述第二二极管处于截止状态。

在上述实现过程中，在晶体管处于过流的异常工作状态时，则集电极与发射极之间的管压降较大，集电极电位较高，且基极的驱动信号为高电平信号，从而导致第一二极管的第一阴极电位较高，高于第一阳极电位，且第二二极管的第二阴极电位高于其第二阳极电位，因此，第一二极管和第二二极管均截止，由第一二极管和第二二极管为比较器的同相输入端提供高电位，以使比较器的比较结果为同相输入端电位高于反相输入端电位，能够输出高电平信号作为目标电平信号，以表征晶体管处于过流的异常工作状态。

可选地，其中，若所述晶体管处于截止工作状态，则所述第一二极管的所述第一阴极电位高于所述第一二极管的第一阳极电位，所述晶体管输出低电平驱动信号，所述第二二极管的所述第二阴极电位低于所述第二二极管的第二阳极电位，所述第一二极管处于截止状态，所述第二二极管处于导通状态。

在上述实现过程中，在晶体管处于截止的正常工作状态时，则集电极处于高压，集电极电位较高，且基极的驱动信号为低电平信号，从而导致第一二极管的第一阴极电位较高，高于第一阳极电位，且第二二极管的第二阴极电位低于其第二阳极电位，因此，第一二极管截止，而第二二极管导通，由第二二极管为比较器的同相输入端提供低电位，以使比较器的比较结果为反相输入端电位高于同相输入端电位，能够输出低电平信号作为目标电平信号，以表征晶体管处于截止的正常工作状态。

可选地，所述晶体管工作状态获取电路还包括：第一电阻组件；

所述第一电阻组件的第一端与第一电源电压连接，所述第一电阻组件的第二端接地；

所述第一电阻组件用于连接所述二极管组件的阳极和所述比较器的所述同相输入端，以为所述同相输入端设置所述同相输入端电位。

在上述实现过程中，可以设置第一电阻组件，由第一电阻组件分别连接第一电源电压、二极管组件的阳极、同相输入端和地，以为二极管组件的阳极和比较器的同相输入端提供合适的电位，从而使二极管组件能够根据阴极的电位与阳极的电位产生相应的导通状态或截止状态。

可选地，所述晶体管工作状态获取电路还包括：第二电阻组件；

所述第二电阻组件的第一端与第二电源电压连接，所述第二电阻组件的第二端接地；

所述第二电阻组件用于连接所述比较器的反相输入端，以为所述反相输入端设置所述反相输入端电位。

在上述实现过程中，可以设置第二电阻组件，由第二电阻组件分别连接第二电源电压、比较器的反相输入端和地，以实现分压功能，为反相输入端提供合适的电位，从而使比较器能够根据同相输入端和反相输入端的电位进行比较，以输出表征晶体管工作状态的目标电平信号。

可选地，所述晶体管工作状态获取电路还包括：信号输出接口；所述信号输出接口与所述比较器的输出端连接；

若所述比较结果为所述同相输入端电位大于所述反相输入端电位，则所述比较器输出的所述目标电平信号为高电平信号；其中，所述高电平信号表征所述晶体管处于过流工作状态；

若所述比较结果为所述同相输入端电位小于所述反相输入端电位，则所述比较器输出的所述目标电平信号为低电平信号；其中，所述低电平信号表征所述晶体管处于导通工作状态或截止工作状态；

所述信号输出接口用于向控制器传输所述高电平信号或所述低电平信号，以供控制器基于所述高电平信号对所述晶体管进行控制。

在上述实现过程中，能够根据不同的同相输入端电位与反相输入端电位进行对比，从而获取不同的比较结果，并根据比较结果输出相应的表征晶体管不同工作状态的目标电平信号。通过设置的信号输出接口获取目标电平信号并向控制器中传输目标电平信号，能够在输出高电平信号，即晶体管处于过流工作状态时，由控制器对晶体管进行相应地关闭处理，以及时地关断晶体管，减少晶体管过流工作造成的损坏情况，提高晶体管的使用寿命和安全性，从而减少电路中的故障情况。

第二方面，本申请实施例还提供了一种电子器件，所述电子器件包括：如上述任一项所述的晶体管工作状态获取电路。

综上所述，本申请实施例提供了一种晶体管工作状态获取电路及电子器件，通过设置二极管组件和比较器，能够根据晶体管的实际情况输出相应的电平信号，对晶体管进行控制以实现过流保护，有效地降低了过流保护的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种晶体管工作状态获取电路的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种晶体管工作状态获取电路的详细结构示意图。

图标：100-晶体管；200-二极管组件；300-比较器；C1-第一电容；210-第一二极管；220-第二二极管；c-集电极；e-发射极；b-基极；R1-第一电阻；R2第二电阻R3；第三电阻；410-第一电源电压；R4-第四电阻；R5-第五电阻；510-第二电源电压；600-信号输出接口。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请实施例的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请实施例保护的范围。

现有的对晶体管的保护方式中，通常是利用开关管导通状态下管压降的变化以判断开关管是否存在过流情况，目前普遍用法是使用驱动光耦对管压降信号进行检测，如果信号异常，光耦会自动关断驱动输出，保护开关管免于损坏。但是，这种方式需要配套具有专业检测过流接口的光耦，而这种光耦价格通常比较昂贵，在一些低成本器件中，高价驱动光耦成本是比较高，通常是选用简单廉价的型号，而简单廉价的光耦没有这样专用管脚，即低成本产品中无法对晶体管进行过流保护。因此，目前对开关管的过流保护成本较高，无法适用于多种低成本器件。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种晶体管工作状态获取电路，晶体管工作状态获取电路可以设置在多种类型的电子器件中，例如逆变桥、变频器等。

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种晶体管工作状态获取电路的结构示意图，晶体管工作状态获取电路可以包括：晶体管100、二极管组件200和比较器300。

其中，晶体管100与二极管组件200的阳极连接，二极管组件200的阴极与比较器300的同相输入端连接；二极管组件200用于基于晶体管100的工作情况导通或截止，以基于导通状态或截止状态确定比较器300的同相输入端电位；比较器300用于基于同相输入端电位和反相输入端电位的比较结果，输出目标电平信号；其中，目标电平信号表征晶体管100的工作状态。

可选地，晶体管100可以为IGBT((Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等作为大功率开关管的晶体管，晶体管100可以通过第一电容C1与二极管组件200连接；比较器可以为多种型号的比较器，例如LM393(双电压比较器集成电路)等。

通过在电路中设置与晶体管100连接的二极管组件200，能够根据晶体管100的工作情况，确定二极管组件200的阴极情况，从而根据二极管组件200的阴极和阳极情况，决定二极管组件200的导通情况。并在二极管组件200的另一极连接比较器300，从而根据二极管组件200的导通和截止情况，确定比较器300的同相输入端电位，使比较器300能够基于同相和反相输入端中的两个电位进行比较，根据晶体管100实际的工作情况确定的比较结果输出相应的表征晶体管工作状态的目标电平信号。能够根据晶体管100的实际工作状态输出相应的目标电平信号，以通过电平信号对晶体管100进行管理，从而在晶体管100过流工作时对其进行关闭，以实现过流保护的功能。无需设置光耦进行过流保护，有效地减少了对开关管进行过流保护的成本，且适用于多种类型的电子器件。

可选地，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的一种晶体管工作状态获取电路的详细结构示意图，二极管组件200中还可以包括：第一二极管210和第二二极管220。

其中，第一二极管210和第二二极管220的阴极与晶体管100连接，第一二极管210和第二二极管220的阳极与比较器300的同相输入端连接，第一二极管210与第二二级管的阳极连接，以组成与门电路，对晶体管100过流以及关闭时的情况进行区分处理。

需要说明的是，可以根据两个二极管的导通与截止状态，分别为比较器300的同相输入端提供相应的电位，以供比较器300对两个输入端口的电位进行比较，反馈相应的目标电平信号进行输出，有效地提高了比较器300同相输入端电位与晶体管工作状态的关联性，以提高目标电平信号的准确性。

其中，若第一二极管210处于导通状态，且第二二极管220处于截止状态，则第一二极管210用于为同相输入端提供低电位；若第一二极管210处于截止状态，且第二二极管220处于导通状态，则第二二极管220用于为同相输入端提供低电位；若第一二极管210和第二二极管220均处于截止状态，则第一二极管210和第二二极管220用于为同相输入端提供高电位。

可选地，第一二极管210和第二二极管220可以为多种型号的快恢复二极管。

可选地，第一二极管210的阴极与晶体管100的集电极c连接，第二二极管220的阴极与晶体管100的基极b连接；第一二极管210用于根据晶体管100的集电极c电位确定第一阴极电位；第二二极管220用于根据晶体管100的驱动信号确定第二阴极电位。通过将两个晶体管100的阴极分别与晶体管100的集电极c和基极b连接，以分别获取集电极c与发射极e之间的管压降信号确定的集电极c电位，以及基极b的驱动信号，并根据集电极c与发射极e之间的管压降信号确定的集电极c电位，以及基极b的驱动信号的实际情况，分别确定两个二极管与晶体管100的工作状态相对应的阴极电位。

需要说明的是，在设计电路时，可以通过检测晶体管100的集电极c和发射极e之间管压降来判断晶体管100是否过流，通过上述的连接方式，可以使二极管的阳极电位间接反映出晶体管100的管压降高低，过流和正常导通的工作状态情况下，管压降会有几伏电压差别。

需要说明的是，若晶体管100处于导通工作状态，则第一二极管210的第一阴极电位低于第一二极管210的第一阳极电位，晶体管100输出高电平驱动信号，第二二极管220的第二阴极电位高于第二二极管220的第二阳极电位，第一二极管210处于导通状态，第二二极管220处于截止状态。在晶体管100处于导通的正常工作状态时，以20A-30A的单管IGBT为例，其集电极c与发射极e之间的管压降较小，约为2-3V，因此，集电极c电位较低，且晶体管100正常导通工作时基极b的驱动信号为高电平信号，从而导致第一二极管210的第一阴极电位较低，低于第一阳极电位，且第二二极管220的第二阴极电位高于其第二阳极电位，因此，第一二极管210导通，第二二极管220截止，第一二极管210的第一阳极电位被拉低，从而由第一二极管210为比较器300的同相输入端提供低电位，以使比较器300的比较结果为反相输入端电位高于同相输入端电位，能够输出低电平信号作为目标电平信号，以表征晶体管100处于导通的正常工作状态。

需要说明的是，在流经晶体管100的电流超过晶体管100的容许最大电流时，晶体管100处于过流工作状态，则晶体管100管压降增加，第一二极管210的第一阴极电位高于第一二极管210的第一阳极电位，晶体管100输出高电平驱动信号，第二二极管220的第二阴极电位高于第二二极管220的第二阳极电位，第一二极管210处于截止状态，第二二极管220处于截止状态。在晶体管100处于过流的异常工作状态时，其集电极c与发射极e之间的管压降较大，超过正常值的2-3倍，即4-9V，集电极c电位较高，且基极b的驱动信号为高电平信号，从而导致第一二极管210的第一阴极电位较高，高于第一阳极电位，且第二二极管220的第二阴极电位高于其第二阳极电位，因此，第一二极管210和第二二极管220均截止，由第一二极管210和第二二极管220为比较器300的同相输入端提供高电位，以使比较器300的比较结果为同相输入端电位高于反相输入端电位，能够输出高电平信号作为目标电平信号，以表征晶体管100处于过流的异常工作状态。

需要说明的是，晶体管100在正常的工作中，存在导通和截止周期的交替过程，因此，若晶体管100处于截止工作状态，则第一二极管210的第一阴极电位高于第一二极管210的第一阳极电位，晶体管100输出低电平驱动信号，第二二极管220的第二阴极电位低于第二二极管220的第二阳极电位，第一二极管210处于截止状态，第二二极管220处于导通状态。在晶体管100处于截止的正常工作状态时，则集电极c处于高压，集电极c电位较高，且基极b的驱动信号为低电平信号，从而导致第一二极管210的第一阴极电位较高，高于第一阳极电位，且第二二极管220的第二阴极电位低于其第二阳极电位，因此，第一二极管210截止，而第二二极管220导通，由第二二极管220为比较器300的同相输入端提供低电位，以使比较器300的比较结果为反相输入端电位高于同相输入端电位，能够输出低电平信号作为目标电平信号，以表征晶体管100处于截止的正常工作状态。

可选地，晶体管工作状态获取电路还可以包括：第一电阻组件；第一电阻组件的第一端与第一电源电压410连接，第一电阻组件的第二端接地；第一电阻组件用于连接二极管组件200的阳极和比较器300的同相输入端，以为同相输入端设置同相输入端电位。

示例地，第一电源电压410可以设置为VC正电源，第一电阻组件中可以包括第一电阻R1、第二电阻R2与第三电阻R3，第一电阻R1与第一电源电压410连接，第二电阻R2设置在二极管组件200的阳极和比较器300的同相输入端之间，第三电阻R3设置在第二电阻与同相输入端之间并接地处理。

可选地，晶体管工作状态获取电路还包括：第二电阻组件；第二电阻组件的第一端与第二电源电压510连接，第二电阻组件的第二端接地；第二电阻组件用于连接比较器300的反相输入端，以为反相输入端设置反相输入端电位。

示例地，第二电源电压510可以设置为+5V，第二电阻组件中可以包括第四电阻R4和第五电阻R5，第四电阻R4的一端连接第二电源电压510，第四电阻R4和第五电阻R5的一端共同连接到比较器300的反相输入端，第五电阻R5的另一端进行接地处理。

可选地，晶体管工作状态获取电路还可以包括：信号输出接口600；信号输出接口600与比较器300的输出端连接。

其中，若比较结果为同相输入端电位大于反相输入端电位，则比较器300输出的目标电平信号为高电平信号；其中，高电平信号表征晶体管100处于过流工作状态；若比较结果为同相输入端电位小于反相输入端电位，则比较器300输出的目标电平信号为低电平信号；其中，低电平信号表征晶体管100处于导通工作状态或截止工作状态。

信号输出接口600也可以设置为相应的二极管器件，在获取比较器300输出的低电平信号或高电平信号后，信号输出接口600用于向控制器传输高电平信号或低电平信号，以供控制器基于高电平信号对晶体管100进行控制，通过关断晶体管100驱动的等方式停止晶体管100的过流工作，减少晶体管100过流工作造成的损坏情况，提高晶体管100的使用寿命和安全性，从而减少电路中的故障情况。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的器件，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的电路结构实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的框图显示了根据本申请的多个实施例的器件的可能实现的体系架构、功能和操作。

另外，在本申请各个实施例中的各结构模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、元件、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、元件、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、元件、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种晶体管工作状态获取电路，其特征在于，所述晶体管工作状态获取电路包括：晶体管、二极管组件和比较器；

所述晶体管与二极管组件的阳极连接，所述二极管组件的阴极与所述比较器的同相输入端连接；

所述二极管组件用于基于所述晶体管的工作情况导通或截止，以基于导通状态或截止状态确定所述比较器的同相输入端电位；

所述比较器用于基于所述同相输入端电位和反相输入端电位的比较结果，输出目标电平信号；其中，所述目标电平信号表征所述晶体管的工作状态。

2.根据权利要求1所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，所述二极管组件包括：第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管和所述第二二极管的阴极与所述晶体管连接，所述第一二极管和所述第二二极管的阳极与所述比较器的所述同相输入端连接；

其中，若所述第一二极管处于导通状态，且所述第二二极管处于截止状态，则所述第一二极管用于为所述同相输入端提供低电位；

若所述第一二极管处于截止状态，且所述第二二极管处于导通状态，则所述第二二极管用于为所述同相输入端提供低电位；

若所述第一二极管和所述第二二极管均处于截止状态，则所述第一二极管和所述第二二极管用于为所述同相输入端提供高电位。

3.根据权利要求2所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，所述第一二极管的阴极与所述晶体管的集电极连接，所述第二二极管的阴极与所述晶体管的基极连接；

所述第一二极管用于根据晶体管的集电极电位确定第一阴极电位；

所述第二二极管用于根据晶体管的驱动信号确定第二阴极电位。

4.根据权利要求3所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，其中，若所述晶体管处于导通工作状态，则所述第一二极管的所述第一阴极电位低于所述第一二极管的第一阳极电位，所述晶体管输出高电平驱动信号，所述第二二极管的所述第二阴极电位高于所述第二二极管的第二阳极电位，所述第一二极管处于导通状态，所述第二二极管处于截止状态。

5.根据权利要求3所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，其中，若所述晶体管处于过流工作状态，则所述晶体管管压降增加，所述第一二极管的所述第一阴极电位高于所述第一二极管的第一阳极电位，所述晶体管输出高电平驱动信号，所述第二二极管的所述第二阴极电位高于所述第二二极管的第二阳极电位，所述第一二极管处于截止状态，所述第二二极管处于截止状态。

6.根据权利要求3所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，其中，若所述晶体管处于截止工作状态，则所述第一二极管的所述第一阴极电位高于所述第一二极管的第一阳极电位，所述晶体管输出低电平驱动信号，所述第二二极管的所述第二阴极电位低于所述第二二极管的第二阳极电位，所述第一二极管处于截止状态，所述第二二极管处于导通状态。

7.根据权利要求1所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，所述晶体管工作状态获取电路还包括：第一电阻组件；

所述第一电阻组件的第一端与第一电源电压连接，所述第一电阻组件的第二端接地；

所述第一电阻组件用于连接所述二极管组件的阳极和所述比较器的所述同相输入端，以为所述同相输入端设置所述同相输入端电位。

8.根据权利要求1所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，所述晶体管工作状态获取电路还包括：第二电阻组件；

所述第二电阻组件的第一端与第二电源电压连接，所述第二电阻组件的第二端接地；

所述第二电阻组件用于连接所述比较器的反相输入端，以为所述反相输入端设置所述反相输入端电位。

9.根据权利要求1所述的晶体管工作状态获取电路，其特征在于，所述晶体管工作状态获取电路还包括：信号输出接口；所述信号输出接口与所述比较器的输出端连接；

若所述比较结果为所述同相输入端电位大于所述反相输入端电位，则所述比较器输出的所述目标电平信号为高电平信号；其中，所述高电平信号表征所述晶体管处于过流工作状态；

若所述比较结果为所述同相输入端电位小于所述反相输入端电位，则所述比较器输出的所述目标电平信号为低电平信号；其中，所述低电平信号表征所述晶体管处于导通工作状态或截止工作状态；

所述信号输出接口用于向控制器传输所述高电平信号或所述低电平信号，以供控制器基于所述高电平信号对所述晶体管进行控制。

10.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括：如权利要求1-9中任一项所述的晶体管工作状态获取电路。