CN213879669U - 一种逆变器及逆变电路的限流保护电路 - Google Patents

Abstract

一种逆变器及逆变电路的限流保护电路，其中逆变器包括全桥逆变电路、多个管压降检测电路和限流保护电路。全桥逆变电路包括多个晶体管，用于分别受不同的PWM控制信号的控制将直流电转换为交流电，每个晶体管都连接着一个管压降检测电路，管压降检测电路用于检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，管压降检测电路通过其输出端发出限流信号使限流保护电路中断所有晶体管的PWM控制信号，从而及时抑制流过晶体管的过大的电流，避免晶体管因持续承受过大电流而造成损坏。

Description

一种逆变器及逆变电路的限流保护电路

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，具体涉及一种逆变器及逆变电路的限流保护电路。

背景技术

逆变器是电气工程领域中常用的电能转换设备，它是一种把直流电转换为交流电的直流到交流（DC/AC）转换电路，逆变器一般由逆变器主电路（逆变桥）、输出滤波电路、控制器等组成。当逆变器突加大的负载，输出电流瞬间加大，流过逆变桥桥臂的电流大于额定电流值时，如果不采取限流保护措施就会造成桥臂上的晶体管承受的电流持续过大，造成晶体管的损坏。

实用新型内容

本申请提供一种逆变器及逆变电路的限流保护电路，能够在逆变电路的晶体管承受过大的电流时及时做出限流保护动作，从而保护晶体管。

根据第一方面，一种实施例中提供一种逆变器，包括：

全桥逆变电路，包括多个晶体管，所述多个晶体管用于分别受不同的PWM控制信号的控制，以使所述全桥逆变电路将直流电转换为交流电；

多个管压降检测电路，所述全桥逆变电路的每个晶体管都连接着一个管压降检测电路，所述管压降检测电路用于检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，所述管压降检测电路通过其输出端发出限流信号；

限流保护动作电路，与所有管压降检测电路的输出端连接，用于当接收到任意一个或多个管压降检测电路发送的限流信号时，中断所有晶体管的PWM控制信号。

一种实施例中，所述全桥逆变电路包括稳压电容C1和晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6；

所述稳压电容C1的正极与所述晶体管T1的第一极连接，负极与所述晶体管T2的第二极连接；所述晶体管T1的第二极与所述晶体管T2的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T2的控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T3的第一极与所述晶体管T1的第一极连接，第二极与所述晶体管T4的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T4的第二极与所述晶体管T2的第二极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T5的第一极与所述晶体管T3的第一极连接，第二极与所述晶体管T6的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T6的第二极与所述晶体管T4的第二极连接，控制极用于接收PWM控制信号；

所述晶体管T1的第一极作为所述全桥逆变电路的正输入端；所述晶体管T2的第二极作为所述全桥逆变电路的负输入端；所述晶体管T1的第二极作为所述全桥逆变电路的第一输出端；所述晶体管T3的第二极作为所述全桥逆变电路的第二输出端；所述晶体管T5的第二极作为所述全桥逆变电路的第三输出端。

一种实施例中，所述晶体管为IGBT管或MOS管。

一种实施例中，所述管压降检测电路包括二极管D1、D2，电阻R1、R2，电容C2，比较器U1和基准电压电路；

所述二极管D1的负极与晶体管的第一极连接，正极与所述二极管D2的负极连接；所述二极管D2的正极与所述电阻R1的一端和电阻R2的一端连接；所述电阻R1的另一端连接第一预设电压，所述电阻R2的另一端连接电容C2的正极和比较器U1的反相输入端；所述电容C2的负极接地；

所述基准电压电路的输入端与第二预设电压连接，输出端与所述比较器U1的同相输入端连接，用于提供与晶体管的管压降进行比较的基准电压；

所述比较器U1的输出端作为所述管压降检测电路的输出端。

一种实施例中，所述基准电压电路包括电阻R3、R4、R5，电容C3、C4，所述电阻R3的一端连接第二预设电压，另一端连接电容C3的正极；所述电容C3的负极接地；所述电容C4与所述电容C3并联；所述电阻R4的一端连接电容C4的正极，另一端连接比较器U1的同相输入端；所述电阻R5的一端接地，另一端连接比较器U1的同相输入端。

一种实施例中，所述限流保护动作电路包括第一与门电路、第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路；

所述第一与门电路具有与所述多个管压降检测电路数目相等的输入端，这些输入端分别和不同的管压降检测电路的输出端连接；所述第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路都具有两个输入端；所述第二与门电路的其中一个输入端与第一PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T1的控制极连接；所述第三与门电路的其中一个输入端与第二PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T2的控制极连接；所述第四与门电路的其中一个输入端与第三PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T3的控制极连接；所述第五与门电路的其中一个输入端与第四PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T4的控制极连接；所述第六与门电路的其中一个输入端与第五PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T5的控制极连接；所述第七与门电路的其中一个输入端与第六PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T6的控制极连接。

根据第二方面，一种实施例中提供一种逆变电路的限流保护电路，所述逆变电路包括多个晶体管，所述多个晶体管用于分别受不同的PWM控制信号的控制以实现将直流电转换为交流电，其特征在于，所述限流保护电路包括：

多个管压降检测电路，所述逆变电路的每个晶体管都连接着一个管压降检测电路，所述管压降检测电路用于检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，所述管压降检测电路通过其输出端发出限流信号；

限流保护动作电路，与所有管压降检测电路的输出端连接，用于当接收到任意一个或多个管压降检测电路发送的限流信号时，中断所有晶体管的PWM控制信号。

一种实施例中，所述管压降检测电路包括二极管D1、D2，电阻R1、R2，电容C2，比较器U1和基准电压电路；

所述二极管D1的负极与晶体管的第一极连接，正极与所述二极管D2的负极连接；所述二极管D2的正极与所述电阻R1的一端和电阻R2的一端连接；所述电阻R1的另一端连接第一预设电压，所述电阻R2的另一端连接电容C2的正极和比较器U1的反相输入端；所述电容C2的负极接地；

所述基准电压电路的输入端与第二预设电压连接，输出端与所述比较器U1的同相输入端连接，用于提供与晶体管的管压降进行比较的基准电压；

所述比较器U1的输出端作为所述管压降检测电路的输出端。

一种实施例中，所述基准电压电路包括电阻R3、R4、R5，电容C3、C4，所述电阻R3的一端连接第二预设电压，另一端连接电容C3的正极；所述电容C3的负极接地；所述电容C4与所述电容C3并联；所述电阻R4的一端连接电容C4的正极，另一端连接比较器U1的同相输入端；所述电阻R5的一端接地，另一端连接比较器U1的同相输入端。

一种实施例中，所述逆变电路包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6；

所述限流保护动作电路包括第一与门电路、第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路；

所述第一与门电路具有与所述多个管压降检测电路数目相等的输入端，这些输入端分别和不同的管压降检测电路的输出端连接；所述第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路都具有两个输入端；所述第二与门电路的其中一个输入端与第一PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T1的控制极连接；所述第三与门电路的其中一个输入端与第二PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T2的控制极连接；所述第四与门电路的其中一个输入端与第三PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T3的控制极连接；所述第五与门电路的其中一个输入端与第四PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T4的控制极连接；所述第六与门电路的其中一个输入端与第五PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T5的控制极连接；所述第七与门电路的其中一个输入端与第六PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T6的控制极连接。

依据上述实施例的逆变器及逆变电路的限流保护电路，由于通过管压降检测电路检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，管压降检测电路通过其输出端发出限流信号使限流保护电路中断所有晶体管的PWM控制信号，从而及时抑制流过晶体管的过大的电流，避免晶体管因持续承受过大电流而造成损坏。

附图说明

图1为一种实施例中逆变器的结构示意图；

图2为另一种实施例中逆变器的结构示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接（联接）。

本申请中的晶体管可以是任何结构的晶体管，比如双极型晶体管（BJT）或者场效应晶体管（FET）或者绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的基极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极，在实际应用过程中，“发射极”和“集电极”可以依据信号流向而互换；当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极，在实际应用过程中，“源极”和“漏极”可以依据信号流向而互换；当晶体管为绝缘栅双极型晶体管时，其控制极是指绝缘栅双极型晶体管的栅极，第一极可以为绝缘栅双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为绝缘栅双极型晶体管的发射极或集电极，在实际应用过程中，“集电极”和“发射极”可以依据信号流向而互换。

请参考图1，如图1所示，一种实施例中逆变器包括全桥逆变电路1和逆变电路的限流保护电路2，下面具体说明。

全桥逆变电路1包括多个晶体管，这些晶体管分别受不同的PWM控制信号的控制，从而使全桥逆变电路能够将直流电转换为交流电。请参考图2，一种实施例中，全桥逆变电路1包括稳压电容C1和晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6，晶体管可以是带有体二极管的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）管或带有体二极管的MOS（metal oxide semiconductor，金属-氧化物-半导体）管，图2中以带有体二极管的MOS管为示例。

稳压电容C1的正极与晶体管T1的第一极连接，负极与晶体管T2的第二极连接；晶体管T1的第二极与晶体管T2的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；晶体管T2的控制极用于接收PWM控制信号；晶体管T3的第一极与晶体管T1的第一极连接，第二极与晶体管T4的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；晶体管T4的第二极与晶体管T2的第二极连接，控制极用于接收PWM控制信号；晶体管T5的第一极与晶体管T3的第一极连接，第二极与晶体管T6的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；晶体管T6的第二极与晶体管T4的第二极连接，控制极用于接收PWM控制信号。

晶体管T1的第一极作为全桥逆变电路的正输入端，晶体管T2的第二极作为全桥逆变电路的负输入端。晶体管T1的第二极作为全桥逆变电路的第一输出端，晶体管T3的第二极作为全桥逆变电路的第二输出端，晶体管T5的第二极作为全桥逆变电路的第三输出端。

请参考图1，如图1所示，限流保护电路2包括管压降检测电路21和限流保护动作电路22。图1中仅示出了一个管压降检测电路21，而实际上限流保护电路2包括多个管压降检测电路21，这里仅以一个为示例，全桥逆变电路1的每个晶体管都连接着一个管压降检测电路。下面对管压降检测电路21和限流保护动作电路22进行具体说明。

管压降检测电路21用于检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，管压降检测电路21通过其输出端发出限流信号，这里的管压降指晶体管第一极和第二极间的电压。请参考图2，图2示出了与全桥逆变电路1上桥臂的晶体管T1和下桥臂的晶体管T2连接的管压降检测电路，下面以与晶体管T1连接的管压降检测电路为例进行说明。如图2所示，一种实施例中，管压降检测电路21包括二极管D1、D2，电阻R1、R2，电容C2，比较器U1和基准电压电路211。二极管D1的负极与晶体管的第一极连接，正极与二极管D2的负极连接；二极管D2的正极与电阻R1的一端和电阻R2的一端连接；电阻R1的另一端连接第一预设电压，电阻R2的另一端连接电容C2的正极和比较器U1的反相输入端；电容C2的负极接地。基准电压电路211的输入端与第二预设电压连接，输出端与比较器U1的同相输入端连接，用于提供与晶体管的管压降进行比较的基准电压。比较器U1的输出端作为管压降检测电路21的输出端。

下面以晶体管T1为例说明管压降检测电路21的工作原理。为了使二极管D1、D2能够导通，第一预设电压为能产生高电平的电压信号，例如持续的高电平或PWM信号，采用PWM信号时可以使其高电平与晶体管导通的瞬间同步，从而做到每次晶体管导通时都对晶体管的过流情况进行检测。当晶体管T1发生过流的情况时，其管压降会升高，当管压降足够高时，二极管D1和D2将截止，此时由于第一预设电压为高电平，因此比较器U1的反相输入端所输入的为高电平，其电压大于比较器U1同相输入端所输入的基准电压，因此比较器U1输出低电平，即此时限流保护信号为低电平。当晶体管T1的管压降较低时，二极管D1和D2将导通，此时晶体管T1的管压降经二极管D1和D2隔离，以及电阻R2和电容C2组成的滤波电路滤波后，传送到比较器U1的反相输入端与基准电压进行比较，当晶体管T1的管压降小于基准电压时，即未发生过流的情况时，比较器U1输出高电平；当晶体管T1的管压降大于基准电压时，即发生过流的情况时，比较器U1输出低电平，即此时限流保护信号为低电平。通过检测管压降的方式来判断晶体管是否发生过流，相比检测电流的方式速度更快，因为检测电流需要先由电流传感器采集电流传送到处理器做出判断，再做出限流保护动作，反应较慢，而检测管压降的方式则更为直接，可以更及时地做出限流保护动作。

请参考图2，一种实施例中，基准电压电路211包括电阻R3、R4、R5，电容C3、C4。电阻R3的一端连接第二预设电压，另一端连接电容C3的正极；电容C3的负极接地；电容C4与电容C3并联；电阻R4的一端连接电容C4的正极，另一端连接比较器U1的同相输入端；电阻R5的一端接地，另一端连接比较器U1的同相输入端。第二预设电压可以是方波信号，方波信号经电阻R3、电容C3和电容C4组成的滤波电路滤波后，再由电阻R4、R5分压后得到基准电压并输入到比较器U1的同相输入端。通过调节方波信号的占空比即可以调节基准电压的大小，从而设置不同的过流点，无需对电路做出改动。

限流保护动作电路22与所有管压降检测电路的输出端连接，用于当接收到任意一个或多个管压降检测电路发送的限流信号时，中断所有晶体管的PWM控制信号。请参考图2，限流保护动作电路22包括第一与门电路AND1、第二与门电路AND2、第三与门电路AND3、第四与门电路AND4、第五与门电路AND5、第六与门电路AND6和第七与门电路AND7。第一与门电路AND1的输入端的数目与管压降检测电路21的数目相等，这些输入端分别和不同的管压降检测电路的输出端连接。第二与门电路AND2、第三与门电路AND3、第四与门电路AND4、第五与门电路AND5、第六与门电路AND6和第七与门电路AND7都具有两个输入端。第二与门电路AND2的其中一个输入端与第一PWM控制信号PWM_IN1连接，另一输入端与第一与门电路AND1的输出端连接，输出端与晶体管T1的控制极连接。第三与门电路AND3的其中一个输入端与第二PWM控制信号PWM_IN2连接，另一输入端与第一与门电路AND1的输出端连接，输出端与晶体管T2的控制极连接；第四与门电路AND4的其中一个输入端与第三PWM控制信号PWM_IN3连接，另一输入端与第一与门电路AND1的输出端连接，输出端与晶体管T3的控制极连接；第五与门电路AND5的其中一个输入端与第四PWM控制信号PWM_IN4连接，另一输入端与第一与门电路AND1的输出端连接，输出端与晶体管T4的控制极连接；第六与门电路AND6的其中一个输入端与第五PWM控制信号PWM_IN5连接，另一输入端与第一与门电路AND1的输出端连接，输出端与晶体管T5的控制极连接；第七与门电路AND7的其中一个输入端与第六PWM控制信号PWM_IN6连接，另一输入端与第一与门电路AND1的输出端连接，输出端与晶体管T6的控制极连接。

当所有晶体管都正常工作，没有发生过流的情况时，所有的管压降检测电路都输出高电平至第一与门电路AND1，从而第一与门电路AND1的输出为高电平，上述各PWM控制信号能够正常通过其连接的与门电路加载到相应的晶体管的控制极上，实现PWM控制，从而使全桥逆变电路1将直流电转换为交流电。当任意一个或多个晶体管发生过流的情况时，其所连接的管压降检测电路将输出低电平至第一与门电路AND1，从而第一与门电路AND1的输出为低电平，上述各PWM控制信号在其连接的与门电路中和第一与门电路AND1输出的低电平相与后输出低电平，因此，此时加载在晶体管控制极上的为低电平，PWM控制信号被中断，晶体管截止，从而及时抑制流过晶体管的过大的电流，避免晶体管因持续承受过大电流而造成损坏，实现了逐波限流的功能。

依据上述实施例的逆变器及逆变电路的限流保护电路，由于通过管压降检测电路检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，管压降检测电路通过其输出端发出限流信号使限流保护电路中断所有晶体管的PWM控制信号，从而及时抑制流过晶体管的过大的电流，避免晶体管因持续承受过大电流而造成损坏。

本文参照了各种示范实施例进行说明。然而，本领域的技术人员将认识到，在不脱离本文范围的情况下，可以对示范性实施例做出改变和修正。例如，各种操作步骤以及用于执行操作步骤的组件，可以根据特定的应用或考虑与系统的操作相关联的任何数量的成本函数以不同的方式实现（例如一个或多个步骤可以被删除、修改或结合到其他步骤中）。

虽然在各种实施例中已经示出了本文的原理，但是许多特别适用于特定环境和操作要求的结构、布置、比例、元件、材料和部件的修改可以在不脱离本披露的原则和范围内使用。以上修改和其他改变或修正将被包含在本文的范围之内。

前述具体说明已参照各种实施例进行了描述。然而，本领域技术人员将认识到，可以在不脱离本披露的范围的情况下进行各种修正和改变。因此，对于本披露的考虑将是说明性的而非限制性的意义上的，并且所有这些修改都将被包含在其范围内。同样，有关于各种实施例的优点、其他优点和问题的解决方案已如上所述。然而，益处、优点、问题的解决方案以及任何能产生这些的要素，或使其变得更明确的解决方案都不应被解释为关键的、必需的或必要的。本文中所用的术语“包括”和其任何其他变体，皆属于非排他性包含，这样包括要素列表的过程、方法、文章或设备不仅包括这些要素，还包括未明确列出的或不属于该过程、方法、系统、文章或设备的其他要素。此外，本文中所使用的术语“耦合”和其任何其他变体都是指物理连接、电连接、磁连接、光连接、通信连接、功能连接和/或任何其他连接。

具有本领域技术的人将认识到，在不脱离本实用新型的基本原理的情况下，可以对上述实施例的细节进行许多改变。因此，本实用新型的范围应仅由权利要求确定。

Claims (10)

1.一种逆变器，其特征在于，包括：

全桥逆变电路，包括多个晶体管，所述多个晶体管用于分别受不同的PWM控制信号的控制，以使所述全桥逆变电路将直流电转换为交流电；

多个管压降检测电路，所述全桥逆变电路的每个晶体管都连接着一个管压降检测电路，所述管压降检测电路用于检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，所述管压降检测电路通过其输出端发出限流信号；

限流保护动作电路，与所有管压降检测电路的输出端连接，用于当接收到任意一个或多个管压降检测电路发送的限流信号时，中断所有晶体管的PWM控制信号。

2.如权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述全桥逆变电路包括稳压电容C1和晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6；

所述稳压电容C1的正极与所述晶体管T1的第一极连接，负极与所述晶体管T2的第二极连接；所述晶体管T1的第二极与所述晶体管T2的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T2的控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T3的第一极与所述晶体管T1的第一极连接，第二极与所述晶体管T4的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T4的第二极与所述晶体管T2的第二极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T5的第一极与所述晶体管T3的第一极连接，第二极与所述晶体管T6的第一极连接，控制极用于接收PWM控制信号；所述晶体管T6的第二极与所述晶体管T4的第二极连接，控制极用于接收PWM控制信号；

所述晶体管T1的第一极作为所述全桥逆变电路的正输入端；所述晶体管T2的第二极作为所述全桥逆变电路的负输入端；所述晶体管T1的第二极作为所述全桥逆变电路的第一输出端；所述晶体管T3的第二极作为所述全桥逆变电路的第二输出端；所述晶体管T5的第二极作为所述全桥逆变电路的第三输出端。

3.如权利要求2所述的逆变器，其特征在于，所述晶体管为带有体二极管的IGBT管或带有体二极管的MOS管。

4.如权利要求2所述的逆变器，其特征在于，所述管压降检测电路包括二极管D1、D2，电阻R1、R2，电容C2，比较器U1和基准电压电路；

所述二极管D1的负极与晶体管的第一极连接，正极与所述二极管D2的负极连接；所述二极管D2的正极与所述电阻R1的一端和电阻R2的一端连接；所述电阻R1的另一端连接第一预设电压，所述电阻R2的另一端连接电容C2的正极和比较器U1的反相输入端；所述电容C2的负极接地；

所述基准电压电路的输入端与第二预设电压连接，输出端与所述比较器U1的同相输入端连接，用于提供与晶体管的管压降进行比较的基准电压；

所述比较器U1的输出端作为所述管压降检测电路的输出端。

5.如权利要求4所述的逆变器，其特征在于，所述基准电压电路包括电阻R3、R4、R5，电容C3、C4，所述电阻R3的一端连接第二预设电压，另一端连接电容C3的正极；所述电容C3的负极接地；所述电容C4与所述电容C3并联；所述电阻R4的一端连接电容C4的正极，另一端连接比较器U1的同相输入端；所述电阻R5的一端接地，另一端连接比较器U1的同相输入端。

6.如权利要求4所述的逆变器，其特征在于，所述限流保护动作电路包括第一与门电路、第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路；

所述第一与门电路具有与所述多个管压降检测电路数目相等的输入端，这些输入端分别和不同的管压降检测电路的输出端连接；所述第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路都具有两个输入端；所述第二与门电路的其中一个输入端与第一PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T1的控制极连接；所述第三与门电路的其中一个输入端与第二PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T2的控制极连接；所述第四与门电路的其中一个输入端与第三PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T3的控制极连接；所述第五与门电路的其中一个输入端与第四PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T4的控制极连接；所述第六与门电路的其中一个输入端与第五PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T5的控制极连接；所述第七与门电路的其中一个输入端与第六PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T6的控制极连接。

7.一种逆变电路的限流保护电路，所述逆变电路包括多个晶体管，所述多个晶体管用于分别受不同的PWM控制信号的控制以实现将直流电转换为交流电，其特征在于，所述限流保护电路包括：

多个管压降检测电路，所述逆变电路的每个晶体管都连接着一个管压降检测电路，所述管压降检测电路用于检测晶体管的管压降，当晶体管的管压降大于预设的基准电压时，所述管压降检测电路通过其输出端发出限流信号；

限流保护动作电路，与所有管压降检测电路的输出端连接，用于当接收到任意一个或多个管压降检测电路发送的限流信号时，中断所有晶体管的PWM控制信号。

8.如权利要求7所述的限流保护电路，其特征在于，所述管压降检测电路包括二极管D1、D2，电阻R1、R2，电容C2，比较器U1和基准电压电路；

所述二极管D1的负极与晶体管的第一极连接，正极与所述二极管D2的负极连接；所述二极管D2的正极与所述电阻R1的一端和电阻R2的一端连接；所述电阻R1的另一端连接第一预设电压，所述电阻R2的另一端连接电容C2的正极和比较器U1的反相输入端；所述电容C2的负极接地；

所述基准电压电路的输入端与第二预设电压连接，输出端与所述比较器U1的同相输入端连接，用于提供与晶体管的管压降进行比较的基准电压；

所述比较器U1的输出端作为所述管压降检测电路的输出端。

9.如权利要求8所述的限流保护电路，其特征在于，所述基准电压电路包括电阻R3、R4、R5，电容C3、C4，所述电阻R3的一端连接第二预设电压，另一端连接电容C3的正极；所述电容C3的负极接地；所述电容C4与所述电容C3并联；所述电阻R4的一端连接电容C4的正极，另一端连接比较器U1的同相输入端；所述电阻R5的一端接地，另一端连接比较器U1的同相输入端。

10.如权利要求7所述的限流保护电路，其特征在于，所述逆变电路包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6；

所述限流保护动作电路包括第一与门电路、第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路；

所述第一与门电路具有与所述多个管压降检测电路数目相等的输入端，这些输入端分别和不同的管压降检测电路的输出端连接；所述第二与门电路、第三与门电路、第四与门电路、第五与门电路、第六与门电路和第七与门电路都具有两个输入端；所述第二与门电路的其中一个输入端与第一PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T1的控制极连接；所述第三与门电路的其中一个输入端与第二PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T2的控制极连接；所述第四与门电路的其中一个输入端与第三PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T3的控制极连接；所述第五与门电路的其中一个输入端与第四PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T4的控制极连接；所述第六与门电路的其中一个输入端与第五PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T5的控制极连接；所述第七与门电路的其中一个输入端与第六PWM控制信号连接，另一输入端与所述第一与门电路的输出端连接，输出端与所述晶体管T6的控制极连接。

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